JP2001230189A

JP2001230189A - レジストパターン、および配線形成方法

Info

Publication number: JP2001230189A
Application number: JP2000041022A
Authority: JP
Inventors: Keiji Iwata; 圭司岩田; Toshio Hagi; 敏夫萩
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-02-18
Filing date: 2000-02-18
Publication date: 2001-08-24

Abstract

(57)【要約】【課題】微細配線パターンの形成に適したリフトオフ
法のフォトリソプロセスにおいて、入射光と反射光との
干渉から生じる定在波効果を緩和しうる構造を有するレ
ジストパターンを提供すること、および該レジストパタ
ーンを用いた配線形成方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたレジストパターンで
あって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または
水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料か
らなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に
形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料から
なる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形
成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料
からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有し
てなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リフトオフ法等に
より基板上に微細な配線パターンを形成するためのレジ
ストパターン、およびそれを用いた配線形成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板、誘電体基板、焦電性基板等
の各種基板上に金属配線を形成する手法として、従来よ
りリフトオフ法がしばしば用いられている。リフトオフ
法によって基板上に配線パターンを形成しようとする場
合、良好なレジスト剥離性を確保するために、レジスト
パターンの断面形状を逆テーパ形状に形成することが求
められる。

【０００３】レジストパターンの断面形状を逆テーパ形
状に形成する方法としては、従来より種々の手法が提案
されている。その一例として例えば特開平２−１３７２
２４号公報に記載されているように、レジストを複数の
有機層で形成する手法が知られている。この手法は、概
略、図４（ａ）に示すように、半導体基板１０上に基板
側から順に、剥離性の良好な第１のレジスト層１１、耐
熱性に優れた第２のレジスト層１２、耐ドライエッチン
グ性及び耐熱性に優れたレジストまたは電離放射線レジ
ストからなる第３のレジスト層１３、を順に積層形成す
るものである。このような３層構造のレジストにおい
て、まず最上層に位置する第３のレジスト層１３をフォ
トリソ等によってパターニングした後（図４（ｂ））、
レジストに対してドライエッチングを施す。これによ
り、第３のレジスト層１３の開口部を介して、第２、第
１のレジスト層が除去され、レジストのパターニングが
行われる。このとき、第３のレジスト層１３は耐ドライ
エッチング性に優れているのでエッチングレートは非常
に低く抑えられ、一方、第２、第１のレジスト層は通常
のレートでエッチング除去されるので、結果的に図４
（ｃ）に示すような断面逆テーパ形状のレジストパター
ンを実現できるものである。

【０００４】このように従来のレジストパターンは、断
面逆テーパ形状のレジストパターンを実現でき、かつ耐
熱性に優れているので金属配線、無機化合物、有機化合
物等を高温でパターン形成できる、と言うメリットを有
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のレジストパターンは、以下に示す問題点を有して
いた。

【０００６】すなわち、リフトオフ法においては通常、
フォトリソプロセスが用いられるが、このフォトリソプ
ロセスでの露光時に問題が生じる恐れがあった。具体的
には、レジストへの入射光と（入射光が基板で反射して
生じる）反射光とが互いに干渉して、レジスト中に定在
波を発生させる恐れがあった。この定在波の存在によ
り、レジスト開口部の側面が図５に示すような波型に形
成されることになる。レジストがこのような波形に形成
されると、リフトオフによって形成する配線の線幅を意
図する線幅に制御することができなくなる。従来より、
定在波に起因するこの問題には、露光後にベーク処理
（ＰＥＢ処理）を施して感光剤を均一に拡散させること
により、波形形状を緩和させる手法が対策としてとられ
ている。

【０００７】しかしながら、近年、配線パターンの微細
化にともなってレジストの薄膜化、透明化が進んでい
る。薄膜化、透明化が進行すると、基板からの反射光の
光量が増大することになるため、従来のＰＥＢ処理によ
る対応だけでは定在波効果を緩和することが困難になっ
てきている。

【０００８】また、上述の定在波効果を緩和するため
に、基板の裏面が粗面化された透明基板を用いる手法も
提案されている。しかし、この種の透明基板を用いた場
合、定在波の影響は抑制することができるが、基板の裏
面で露光光が乱反射を起こし、基板の裏面側からレジス
トが再露光される、と言う新たな問題が生じることにな
る（乱反射によって再露光が生じると、レジストパター
ンの線幅にバラツキが生じることになる）。

【０００９】さらに、基板に焦電性基板を用いた場合に
は、さらに以下のような問題が生じる恐れがあった。す
なわち、レジスト塗布、露光、ＰＥＢ処理等の一連のプ
ロセスにおいては基板温度の昇降が繰り返される。この
様な温度変化により焦電性基板に高電圧が発生し、基板
からしばしば放電が生じることになる。この放電によ
り、例えば電子線感度を有するレジストが部分的に反応
を起こし、レジスト中に未反応部分と意図しない反応部
分とが混在することになり、均一な特性のレジストを形
成できないと言う問題が生じる恐れがあった。

【００１０】従って、本発明は上述の問題点を解決する
ためになされたものであって、微細配線パターンの形成
に適したリフトオフ法のフォトリソプロセスにおいて、
入射光と反射光との干渉から生じる定在波効果を緩和し
うる構造を有するレジストパターンを提供すること、お
よび該レジストパターンを用いた配線形成方法を提供す
ることを目的とする。また、基板として焦電性基板を用
いた場合においても、均一な特性を有するレジストパタ
ーンを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために本発明の請求項１に記載のレジストパターンは、
有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解
度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第
１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性
の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２
のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する
耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少
なくとも３層を有してなることを特徴とする。

【００１２】このような構成のレジストパターンであれ
ば、第１のレジスト層として有機溶剤、水または水を主
成分とする溶剤に対して溶解しやすく剥離性の高い材料
が用いられ、第３のレジスト層としてドライエッチング
に対する耐性の高い材料が用いられているので、従来技
術と同様、断面逆テーパ形状で溶剤による剥離が容易な
レジストパターンを形成でき、かつ耐熱性に優れている
ので金属配線、無機化合物、有機化合物等を高温でパタ
ーン形成できる。加えて、本発明においては第２のレジ
スト層に、露光波長に対する吸光性の高い材料が用いら
れているので、上層に位置する第３のレジスト層を通過
した入射光は第２のレジスト層で吸収され基板からの反
射光が生じにくい。また、基板として裏面粗化透明基板
を用いた場合においても、入射光は第２のレジスト層に
吸収されるので基板裏面での乱反射は抑制され、レジス
トパターンの線幅バラツキを緩和することができる。従
って、従来技術において問題となる恐れのあった、入射
光と反射光の干渉に起因する定在波効果、および裏面粗
化透明基板における乱反射を大幅に抑制することができ
る。なお、本構成のレジストパターンを採用しつつ、さ
らにＰＥＢ処理を施すことにより、定在波効果によるレ
ジスト開口部側面の波形状化をさらに抑制しうる。

【００１３】また、本発明の請求項２に記載のレジスト
パターンにおいては、焦電性基板上にレジストパターン
を形成するにあたって、前述の第１のレジスト層に有機
溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度が
高くかつ電子線感度を有さない材料を用いることによ
り、未反応部分と反応部分とが混在することのない均一
な特性のレジストパターンを提供することができる。

【００１４】さらに、本発明のレジストパターンを用い
て配線を形成することにより、従来と比較してより微細
な配線を意図する線幅に正確に形成することができ、電
子部品の小型化、高周波化に適した配線形成方法を提供
することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】［第１実施例、図１〜図２］以
下、本発明のレジストパターンについて、図を参照して
説明する。

【００１６】まず、本発明のレジストパターン１９の断
面構造を図１に示す。図１において、２０は基板、２１
は第１のレジスト層、２２は第２のレジスト層、２３は
第３のレジスト層、をそれぞれ示しており、第１〜第３
のレジスト層が積層されることによりレジストパターン
１９が形成されている。レジストパターン１９には、基
板２０まで貫通する開口部２４が形成されており、この
開口部２４を介して基板２０上に金属配線が形成される
ことになる。

【００１７】次に、本発明のレジストパターン１９の形
成方法、およびレジストパターン１９を用いた配線形成
方法について、図２を用いて説明する。

【００１８】まず、図２（ａ）に示すように、基板２０
上に、スピンコートにより膜厚０．１５μｍの第１のレ
ジスト層２１を形成する。この後、１７０℃で５分間ベ
ーク処理を行う。第１のレジスト層２１には、例えばポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のような有機溶剤
に対する溶解度の高い有機材料を用いる。より具体的に
は、東京応化社製のＯＥＢＲ−１０００が好適に用いら
れる。この種の材料であれば、後述する金属配線形成プ
ロセスにおける熱負荷によっても有機溶剤への溶解度が
劣化することはなく好適である。

【００１９】次いで、図２（ｂ）に示すように、第１の
レジスト層２１上に、スピンコートにより膜厚０．１６
μｍの第２のレジスト層２２を形成する。この後、１５
５℃で１分間ベーク処理を行う。第２のレジスト層２２
には、露光波長に対する吸光性の高い有機材料を用い
る。この材料は用いる露光波長に応じて適宜変更すれば
よいが、例えば３６５ｎｍの露光波長に対してはBrewer
Science社製のＸＨＲｉ−１１が高い吸光性を有する。

【００２０】次いで、図２（ｃ）に示すように、第２の
レジスト層２２上に、スピンコートにより膜厚０．３４
μｍの第３のレジスト層２３を形成する。この後、９０
℃で１分間ベーク処理を行う。第３のレジスト層２３に
は、ドライエッチング性に対する耐性の高い有機材料を
用いる。より具体的には、富士フィルムオーリン社製の
Ｆｉ−ＳＰ２を好適に用いうる。

【００２１】この後、レジストに対して露光、現像を行
い、図２（ｄ）に示すように第３のレジスト層２３にパ
ターニングを施す。このとき、第２のレジスト層が露光
波長を吸収するので基板２０からの反射光が生じず、定
在波効果および乱反射に起因する既述の問題を抑制でき
る。この結果、解像度が高く、より微細な開口幅を有す
るレジストパターンを形成することができる。

【００２２】次いで、上述の３層のレジストに対して酸
素プラズマによるドライエッチング（ＲＩＥ）を施す。
これにより、第３のレジスト層２３の開口部を介して、
第２、第１のレジスト層が除去されパターニングが行わ
れる。このとき、第３のレジスト層２３は耐ドライエッ
チング性に優れているのでエッチングレートは非常に低
く抑えられ、一方、第２、第１のレジスト層は通常のレ
ートでエッチング除去されるので、結果的に図２（ｅ）
に示すような断面逆テーパ形状のレジストパターンが得
られる。なお、ＲＩＥの詳細なエッチング条件は、使用
ガスＯ₂、処理真空度６．７Ｐａ、ＲＦパワー３００
Ｗ、処理時間２ｍｉｎとした。

【００２３】次いで、このようにして得られたレジスト
パターンを用いて、アルミニウムを０．４μｍの膜厚に
蒸着形成し、その後、基板をアセトン等の有機溶剤中に
浸漬してレジストパターンを剥離する。このとき、第１
のレジスト層に剥離性の良好な材料を用いているので、
超音波を印加する等の追加処置を施すことなく、１０分
程度の短時間でレジストを完全に剥離することができ
た。これにより、線幅０．３μｍ、膜厚０．４μｍの、
バリのない微細なアルミニウムパターン２５を基板上に
形成することができた（図２（ｆ））。

【００２４】このようにして形成されたアルミニウムパ
ターン２５は、たとえば弾性表面波素子の電極等として
用いることができる。

【００２５】ここで、本実施例で得られた上述のアルミ
ニウムパターン２５について、図４に示した従来構造の
レジストパターンを用いて得られたパターンと比較を行
う。この結果、従来構造のレジストでは限界解像度が線
幅０．５μｍであったのに比べて、吸光性を有する第２
のレジスト層を設けた本実施例のレジストでは限界解像
度を０．３μｍまで微細化することができた。また、
０．５μｍラインアンドスペースのレジスト断面形状の
比較ＳＥＭ写真を図３に示す。図３から、従来構造のレ
ジストでは（第３のレジスト層の）側面が波形に形成さ
れているのに対して、本発明のレジストではその側面が
ほぼ垂直に形成されていることがわかる。

【００２６】このように、本発明のレジストパターンに
よれば、レジストパターンを複数層から構成し、かつそ
の層構成につき、良好な剥離性の実現、定在波効果の抑
制（パターンの高解像度化）、断面逆テーパ形状の実
現、と言う観点から最適化を図ることにより、高解像度
の金属配線を短時間で形成しうる。

【００２７】なお、本実施例の３層構造のレジストパタ
ーンを形成するにあたっては、剥離性、吸光性、耐エッ
チング性と言う観点からのレジストの選定に加えて、ド
ライエッチングに対するエッチングレートの高いレジス
トから順に基板上に形成するようにレジストの選定が行
われている。これにより、より安定して断面逆テーパ形
状のレジストを形成することができる。［第２実施例］本発明の第２実施例のレジストパターン
は、基板に焦電性基板を用いた点、および第１のレジス
ト層として有機溶剤に対する溶解度が高く、かつ電子線
感度を有さない有機材料を用いた点が第１実施例との相
違点であり、その他の点は基本的に共通している。以
下、この相違点を中心に第２実施例を説明する。

【００２８】まず、焦電性基板としてＬｉＴａＯ₃基板
を用意し、このＬｉＴａＯ₃基板上にスピンコートによ
り膜厚０．１０μｍの第１のレジスト層を形成する。こ
の後、１７０℃で５分間ベーク処理を行う。第１のレジ
スト層には、電子線感度を有さない有機材料を用いる。

【００２９】この後、第１実施例と同様に、第２、第３
のレジスト層をスピンコートにて塗布し、露光、現像、
ドライエッチング（ＲＩＥ）を順次行う。ＲＩＥの詳細
なエッチング条件は、使用ガスＯ₂、処理真空度６．７
Ｐａ、ＲＦパワー３００Ｗ、処理時間２ｍｉｎとした。

【００３０】次いで、得られたレジストパターンを用い
て、アルミニウムを０．４μｍの膜厚に蒸着形成し、そ
の後、基板を１１０℃の有機溶剤中（東京応化社製のク
リーンストリップ）に浸漬してレジストパターンを剥離
する。剥離に際しては、超音波を印加等の追加処置を施
すことなく、１０分程度の短時間でレジストを完全に剥
離することができた。これにより、線幅０．３μｍ、膜
厚０．４μｍの、バリのない微細なアルミニウムパター
ンを基板上に形成することができた。

【００３１】このように、第１のレジスト層に電子線感
度を有さない有機材料を用いることにより、焦電性基板
上の伸縮から生じる放電に起因する問題（レジストの特
性が不均一になり配線の線幅が不均一になる問題）を抑
制することができ、線幅０．３μｍ程度の微細な金属配
線を形成しうる。［第３実施例］本発明の第３実施例のレジストパターン
は、第１のレジスト層として水、または水を主成分とす
る溶剤に対する溶解度が高い有機材料を用いた点が第１
実施例との相違点であり、その他の点は基本的に共通し
ている。以下、この相違点を中心に第３実施例を説明す
る。

【００３２】まず、基板上にスピンコートにより膜厚
０．３０μｍの第１のレジスト層を形成する。この後、
１５０℃で９０秒間ベーク処理を行う。第１のレジスト
層には、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のよう
な水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い
有機材料を用いる。より具体的には、ポリビニルアルコ
ールを主成分とする東京応化社製のＴＰＦが好適に用い
られる。この種の材料であれば、後述する金属配線形成
プロセスにおける熱負荷によっても水への溶解度が劣化
することはなく好適である。また、同様にポリビニルア
ルコールを主成分とする信越化学社製のバリアコート
も、第１のレジスト層として使用することができる。こ
の材料は比較的薄膜化できる点が特徴であり、具体的に
はスピンコートにより膜厚０．１０μｍに形成すること
ができる。

【００３３】次いで、第１のレジスト層上に、スピンコ
ートにより膜厚０．１６μｍの第２のレジスト層を形成
する。この後、１５０℃で９０秒間ベーク処理を行う。
第２のレジスト層には、露光波長に対する吸光性の高い
有機材料を用いる。この材料は用いる露光波長に応じて
適宜変更すればよいが、例えば３６５ｎｍの露光波長に
対しては日産化学社製のＸＨＲｉ−１６が高い吸光性を
有する。このように、第２のレジスト層に露光波長を吸
収する材料を用いるので基板２０からの反射光が生じ
ず、解像度が高く、より微細な開口幅を有するレジスト
パターンを形成することができる。

【００３４】さらに、第２のレジスト層は、第１のレジ
スト層と第３のレジスト層との混合を防止するととも
に、酸やアルカリを用いて第３のレジスト層を現像する
際に、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度が
高い第１のレジスト層が溶解するのを防止する効果を有
する。その結果、より微細なレジストパターンの形成が
可能となる。

【００３５】この後、第１実施例と同様に、第３のレジ
スト層をスピンコートにて塗布し、露光、現像、ドライ
エッチング（ＲＩＥ）を順次行う。ＲＩＥの詳細なエッ
チング条件は、使用ガスＯ₂、処理真空度６．７Ｐａ、
ＲＦパワー３００Ｗ、処理時間２ｍｉｎとした。

【００３６】次いで、得られたレジストパターンを用い
て、アルミニウムを０．４μｍの膜厚に蒸着形成し、そ
の後、基板を６０℃のイソプロピルアルコール（８ｗｔ
％）水溶液中に浸漬してレジストパターンを剥離する。
このようにイソプロピルアルコールを添加した水溶液を
用いるのは、剥離したレジストパターンが基板に再付着
するのを防止するためである。剥離に際しては、超音波
を印加等の追加処置を施すことなく、１０分程度の短時
間でレジストを完全に剥離することができた。これによ
り、線幅０．３μｍ、膜厚０．４μｍの、バリのない微
細なアルミニウムパターンを基板上に形成することがで
きた。

【００３７】上記レジストパターンの剥離工程において
は、基板をイソプロピルアルコール水溶液中に浸漬した
が、レジストパターンの基板への再付着が防止できるの
であれば、上記のような溶剤を添加しない通常の水を用
いてもよい。また、イソプロピルアルコール以外の親水
性溶剤や界面活性剤を添加した場合にも同様の効果が得
られると考えられる。

【００３８】このように、第１のレジスト層に水、また
は水を主成分とする溶剤に対する溶解度が高い材料を用
いることにより、有機溶剤の使用を大幅に削減すること
ができ、環境負荷の少ない生産工程を達成することがで
きる。

【００３９】

【発明の効果】上述の説明から明らかなように、本発明
のレジストパターン、および配線形成方法によれば、第
１のレジスト層として有機溶剤に対する溶解しやすく剥
離性の高い材料が用いられ、第３のレジスト層としてド
ライエッチングに対する耐性の高い材料が用いられてい
るので、従来技術と同様、断面逆テーパ形状で溶剤によ
る剥離の容易なレジストパターンを形成でき、かつ耐熱
性に優れているので金属配線、無機化合物、有機化合物
等を高温でパターン形成できる。また、第２のレジスト
層に、露光波長に対する吸光性の高い材料が用いられて
いるので、上層に位置する第３のレジスト層を通過した
入射光は第２のレジスト層で吸収され、基板からの反射
光が生じにくい。これにより、従来技術において問題と
なる恐れのあった、入射光と反射光の干渉に起因する定
在波効果を大幅に抑制することができる。これにより、
微細配線の形成に適したレジストパターンを得られる。
加えて、基板として裏面粗化透明基板を用いた場合にお
いても、第３のレジスト層を通過した入射光は第２のレ
ジスト層で吸収されるので、基板裏面での乱反射が生じ
にくく、パターン線幅のバラツキを大幅に抑制すること
ができる。さらに、本構成のレジストパターンを採用し
つつ、さらにＰＥＢ処理を施すことにより、定在波効果
によるレジスト開口部側面の波形状化をさらに抑制しう
る。

【００４０】また、焦電性基板上にレジストパターンを
形成するにあたって、前述の第１のレジスト層に有機溶
剤に対する溶解度が高くかつ電子線感度を有さない材料
を用いることにより、未反応部分と反応部分とが混在す
ることのない均一な特性のレジストパターンを提供する
ことができる。

【００４１】また、第１のレジスト層として水、または
水を主成分とする溶剤に対する溶解度が高い材料を用い
ることにより、有機溶剤の使用を大幅に削減することが
でき、環境負荷の少ない生産工程を達成することができ
る。

【００４２】さらに、本発明のレジストパターンを用い
て配線を形成することにより、従来と比較して微細な配
線を意図する線幅に正確に形成することでき、電子部品
の小型化、高周波化に適した配線形成方法を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレジストパターンの構成を示す断面
図である。

【図２】本発明のレジストパターンおよび配線の形成
方法を示す断面工程図である。

【図３】本発明と従来例の双方のレジストパターンの
比較ＳＥＭ写真である。

【図４】従来例のレジストパターンの形成方法を示す
断面図である。

【図５】従来例のレジストパターンの構成を示す断面
図である。

【符号の説明】

１９・・・レジストパターン２０・・・基板２１・・・第１のレジスト層２２・・・第２のレジスト層２３・・・第３のレジスト層２４・・・開口部２５・・・アルミニウムパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成されたレジストパターンで
あって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成
分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第
１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成さ
れ、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第
２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成さ
れ、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料から
なる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してな
ることを特徴とするレジストパターン。
【請求項２】焦電性基板上に形成されたレジストパタ
ーンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成
分とする溶剤に対する溶解度が高くかつ電子線感度を有
さない有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１
のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の
高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２の
レジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐
性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少な
くとも３層を有してなることを特徴とするレジストパタ
ーン。
【請求項３】基板上に、有機溶剤、水または水を主成
分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第
１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト
層上に、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からな
る第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジ
スト層上に、ドライエッチングに対する耐性の高い有機
材料からなる第３のレジスト層を形成する工程と、前記
の第３のレジスト層に対して露光、現像を施し開口部を
形成する工程と、前記開口部を介して前記第２、第１の
レジスト層をエッチング除去しレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンを介して基板上に金
属配線を形成する工程と、を有してなることを特徴とす
る配線形成方法。
【請求項４】焦電性基板上に、有機溶剤、水または水
を主成分とする溶剤に対する溶解度が高くかつ電子線感
度を有さない有機材料からなる第１のレジスト層を形成
する工程と、前記第１のレジスト層上に、露光波長に対
する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層を
形成する工程と、前記第２のレジスト層上に、ドライエ
ッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレ
ジスト層を形成する工程と、前記の第３のレジスト層に
対して露光、現像を施し開口部を形成する工程と、前記
開口部を介して前記第２、第１のレジスト層をエッチン
グ除去しレジストパターンを形成する工程と、前記レジ
ストパターンを介して基板上に金属配線を形成する工程
と、を有してなることを特徴とする配線形成方法。
【請求項５】第２、第１のレジスト層をエッチング除
去する方法が、ドライエッチングであることを特徴とす
る請求項３または請求項４のいずれかに記載の配線形成
方法。
【請求項６】請求項３ないし請求項５のいずれかに記
載の配線形成方法を用いて形成された電子部品。