JPS63269516A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63269516A JPS63269516A JP10506787A JP10506787A JPS63269516A JP S63269516 A JPS63269516 A JP S63269516A JP 10506787 A JP10506787 A JP 10506787A JP 10506787 A JP10506787 A JP 10506787A JP S63269516 A JPS63269516 A JP S63269516A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に選択的イオ
ン注入工程の効率化に関する。
ン注入工程の効率化に関する。
従来、半導体基板にレジストマスクを介して選択的にイ
オン注入を行う工程では、工程終了後のレジスト剥離作
業を通常酸素プラズマによる酸化手段を用いて行う。
オン注入を行う工程では、工程終了後のレジスト剥離作
業を通常酸素プラズマによる酸化手段を用いて行う。
このように不用となったレジストΦパターンを基板上か
ら剥離するのにプラズマ酸化装置が必要となる程作業が
大がかりになるのは注入イオンによシレジスト材そのも
のが変質するからである。
ら剥離するのにプラズマ酸化装置が必要となる程作業が
大がかりになるのは注入イオンによシレジスト材そのも
のが変質するからである。
特に注入されるイオン元素が重元素に近くなる程その変
質はひどくなり、ウェット系の剥離液では最早や溶解す
ることができず、酸素プラズマを用いて酸化する外仕方
ないようになる。従って、注入イオンによるレジスト材
の変質問題を解決しない限り剥離作業の簡易化を望むこ
とは不可能で製造コストの低減をはかることはできない
。
質はひどくなり、ウェット系の剥離液では最早や溶解す
ることができず、酸素プラズマを用いて酸化する外仕方
ないようになる。従って、注入イオンによるレジスト材
の変質問題を解決しない限り剥離作業の簡易化を望むこ
とは不可能で製造コストの低減をはかることはできない
。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、変質レジスト・パ
ターンの剥離をきわめて容易にした選択的イオン注入工
程を備えた半導体装置の製造方法を提供することである
。
ターンの剥離をきわめて容易にした選択的イオン注入工
程を備えた半導体装置の製造方法を提供することである
。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板
全面に水溶性非感光薄膜を下地としてフォトレジスト膜
を塗布するフォトレジスト膜塗布工程と、前記フォトレ
ジストａをマスク露光し現像するフォトレジスト膜およ
び水溶性非感光薄膜に対するパターニング工程と、前記
パターニング工程で形成されるフォトレジストｅパター
ンをマスクとする選択的イオン注入工程と、前記フォト
レジスト・パターンを下層の水溶性非感光薄膜と共にリ
フト・オフする水洗工程とからなるイオン注入工程を含
む。
全面に水溶性非感光薄膜を下地としてフォトレジスト膜
を塗布するフォトレジスト膜塗布工程と、前記フォトレ
ジストａをマスク露光し現像するフォトレジスト膜およ
び水溶性非感光薄膜に対するパターニング工程と、前記
パターニング工程で形成されるフォトレジストｅパター
ンをマスクとする選択的イオン注入工程と、前記フォト
レジスト・パターンを下層の水溶性非感光薄膜と共にリ
フト・オフする水洗工程とからなるイオン注入工程を含
む。
本発明によればフォトレジストの下地に水溶性の非感光
性薄膜を敷くことにより、用いられたフォトレジストが
ポジ型、ネガ型の違いに全く関係なく、イオン注入後変
質したフォトレジスト・パターンを水洗作業のみでリフ
ト・オフ法によシ容易に剥離することが可能となる。
性薄膜を敷くことにより、用いられたフォトレジストが
ポジ型、ネガ型の違いに全く関係なく、イオン注入後変
質したフォトレジスト・パターンを水洗作業のみでリフ
ト・オフ法によシ容易に剥離することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す工程順
序図である。本実施例によれば、レジスト膜の塗布に先
立ち半導体基板には水溶性の非感光薄膜があらかじめ下
地として一面に塗布される。すなわち、第１図（ａ）に
示す如く、半導体基板１の全面には水溶性の非感光薄膜
（例えば高分子のプルラン）２がまず最初下地として約
０．２μｍの膜厚で敷かれ、ついで、ポジ型の７オトレ
ジスト膜３が膜厚的１．５μｍの厚さに塗布される。こ
の状態で露光が行われると、第１図（ｂ）に示すように
、フォトレジスト膜３は感光した部分４と感光しなかっ
た部分４′とに分たれ、公知の手法を用いて現像工程を
終えれば、感光した部分４は流れ去り感光しなかった部
分４′だけが残る〔第１図（ｃ）参照〕。この際、感光
した部分４直下の薄膜２も膜質が水溶性で上層の７オト
レジスト膜と共に流れ去るのでフォトレジスト膜３は従
来と全く同様にパターニングされる。ただ、従来方法と
異なるところはレジスト・パターンが７オトレジスト膜
と水溶性の薄膜の積層構造で形成されていることである
。ここで、上面から矢印で示すようにイオン注入（工／
Ｉ）を行うと、半導体基板１の表面には第１図（ｃ）に
示すようにイオン注入領域５が形成される。
序図である。本実施例によれば、レジスト膜の塗布に先
立ち半導体基板には水溶性の非感光薄膜があらかじめ下
地として一面に塗布される。すなわち、第１図（ａ）に
示す如く、半導体基板１の全面には水溶性の非感光薄膜
（例えば高分子のプルラン）２がまず最初下地として約
０．２μｍの膜厚で敷かれ、ついで、ポジ型の７オトレ
ジスト膜３が膜厚的１．５μｍの厚さに塗布される。こ
の状態で露光が行われると、第１図（ｂ）に示すように
、フォトレジスト膜３は感光した部分４と感光しなかっ
た部分４′とに分たれ、公知の手法を用いて現像工程を
終えれば、感光した部分４は流れ去り感光しなかった部
分４′だけが残る〔第１図（ｃ）参照〕。この際、感光
した部分４直下の薄膜２も膜質が水溶性で上層の７オト
レジスト膜と共に流れ去るのでフォトレジスト膜３は従
来と全く同様にパターニングされる。ただ、従来方法と
異なるところはレジスト・パターンが７オトレジスト膜
と水溶性の薄膜の積層構造で形成されていることである
。ここで、上面から矢印で示すようにイオン注入（工／
Ｉ）を行うと、半導体基板１の表面には第１図（ｃ）に
示すようにイオン注入領域５が形成される。
このとき、レジスト・パターンを形成するフォトレジス
ト膜は注入イオンのエネルギで変質し剥離が容易でなく
なるが、純水に十分長い時間浸すことによって下層薄膜
２の溶解と共にリフト・オフすることができる。すなわ
ち、従来の如くプラズマ酸化手法に依らずとも簡単な水
洗のみできわめて容易に剥離作業を終えることができる
。この際フォトレジストのパターニング工程において現
像時に、フォトレジストの感光しなかった部分４′の下
層に敷かれた水溶性の薄膜２が若干溶解されることが考
えられるが、イオン注入領域５は常に上層に位置する感
光しなかった部分４″ をマスクとして形成されるので
全く問題ない。
ト膜は注入イオンのエネルギで変質し剥離が容易でなく
なるが、純水に十分長い時間浸すことによって下層薄膜
２の溶解と共にリフト・オフすることができる。すなわ
ち、従来の如くプラズマ酸化手法に依らずとも簡単な水
洗のみできわめて容易に剥離作業を終えることができる
。この際フォトレジストのパターニング工程において現
像時に、フォトレジストの感光しなかった部分４′の下
層に敷かれた水溶性の薄膜２が若干溶解されることが考
えられるが、イオン注入領域５は常に上層に位置する感
光しなかった部分４″ をマスクとして形成されるので
全く問題ない。
第２図（Ｑ〜（ｂＪは本発明の他の実施例を示す部分工
程図である。本実施例ではキカ゛型の７オトレジス）Ｍ
を用いた場合が示されているが、蕗光工程までは前実施
例と全く手法が同一なので図面省略されている。すなわ
ち、第２図（ａ）の如く感光した部分４と水溶性薄膜２
との積層パターンをマスクとしてイオン注入（Ｉ／Ｉ
’）を行えば基板面にイオン注入領域５が形成されるの
で、前実施例と同様に水洗工程をひきつづ（行えば、第
２図（ｂ）に示す如くレジスト・パターンは容易に剥離
される。
程図である。本実施例ではキカ゛型の７オトレジス）Ｍ
を用いた場合が示されているが、蕗光工程までは前実施
例と全く手法が同一なので図面省略されている。すなわ
ち、第２図（ａ）の如く感光した部分４と水溶性薄膜２
との積層パターンをマスクとしてイオン注入（Ｉ／Ｉ
’）を行えば基板面にイオン注入領域５が形成されるの
で、前実施例と同様に水洗工程をひきつづ（行えば、第
２図（ｂ）に示す如くレジスト・パターンは容易に剥離
される。
溶性の非感光薄膜を７中トレジスト膜の下地に敷くこと
によってイオン注入後の変質したレジスト膜を従来の如
く酸素プラズマなどの大がかりな手法によらず簡易な水
洗手法により容易に剥離することができるので、半導体
装置の生産効率の向上に大きな効果をあげることができ
る。
によってイオン注入後の変質したレジスト膜を従来の如
く酸素プラズマなどの大がかりな手法によらず簡易な水
洗手法により容易に剥離することができるので、半導体
装置の生産効率の向上に大きな効果をあげることができ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す工程順
序口、第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す部分工程図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・水溶性非感
光性尋膜、３・・・・・・ポジ型フォトレジスト膜、４
・・・・・・（フォトレジスト）の感光した部分、４′
・・・・・・（フォトレジスト）の感光しなかった部
分、５・・・・・・イオン注入領域。 一ゝ＼ 代理人 弁理士 内 原 町−，７，、、！、、
：：：１．．ｊ二）ナ 第１図 遁Ｚ図
序口、第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す部分工程図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・水溶性非感
光性尋膜、３・・・・・・ポジ型フォトレジスト膜、４
・・・・・・（フォトレジスト）の感光した部分、４′
・・・・・・（フォトレジスト）の感光しなかった部
分、５・・・・・・イオン注入領域。 一ゝ＼ 代理人 弁理士 内 原 町−，７，、、！、、
：：：１．．ｊ二）ナ 第１図 遁Ｚ図
Claims (1)
- 半導体基板全面に水溶性非感光薄膜を下地としてフォト
レジスト膜を塗布するフォトレジスト膜塗布工程と、前
記フォトレジスト膜をマスク露光し現像するフォトレジ
スト膜および水溶性非感光薄膜に対するパターニング工
程と、前記パターニング工程で形成されるフォトレジス
ト・パターンをマスクとする選択的イオン注入工程と、
前記フォトレジスト・パターンを下層の水溶性非感光薄
膜と共にリフト・オフする水洗工程とからなるイオン注
入工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105067A JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105067A JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269516A true JPS63269516A (ja) | 1988-11-07 |
| JPH0760810B2 JPH0760810B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=14397611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105067A Expired - Lifetime JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760810B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126890A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255375A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-06 | Ibm | Method of making semiconductor devices |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62105067A patent/JPH0760810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255375A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-06 | Ibm | Method of making semiconductor devices |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126890A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760810B2 (ja) | 1995-06-28 |
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