JPS62216327A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPS62216327A JPS62216327A JP61059757A JP5975786A JPS62216327A JP S62216327 A JPS62216327 A JP S62216327A JP 61059757 A JP61059757 A JP 61059757A JP 5975786 A JP5975786 A JP 5975786A JP S62216327 A JPS62216327 A JP S62216327A
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- Japan
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- mask
- ray
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- resist
- ray absorption
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- Pending
Links
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はＸ線透過のマスク表裏面に同一パターン形状か
らなるＸ線吸収パターンを形成して低歪のＸ線マスクを
得たものである。
らなるＸ線吸収パターンを形成して低歪のＸ線マスクを
得たものである。
本発明はＸ１ｊｌ露光に用いるＸ線マスクに関する。
Ｘ線露光技術は超ＬＳＩを製造する上で最も有力な技術
である。
である。
このようなＸ線マスクにおいては形成パターンの縮小化
、微細化に伴い、そりやうねりの極めて小さな低歪のＸ
線マスクの製作が重要な課題となっている。
、微細化に伴い、そりやうねりの極めて小さな低歪のＸ
線マスクの製作が重要な課題となっている。
従来のＸ線マスクはＸ線の透過が良好なシリコン単結晶
基板をエツチングして数ミクロン厚の薄膜部分を形成し
、該薄膜部分をマスクとしてその片面に金等のＸ線吸収
材料よりなるＸ線吸収パターンを形成したものであった
。
基板をエツチングして数ミクロン厚の薄膜部分を形成し
、該薄膜部分をマスクとしてその片面に金等のＸ線吸収
材料よりなるＸ線吸収パターンを形成したものであった
。
従来では２片面にのみＸ線吸収パターンが形成されてい
たため、該パターンによって薄膜状態のマスクに応力が
働き、該マスクにそりやうねり等を生じ歪むという欠点
が起きていた。
たため、該パターンによって薄膜状態のマスクに応力が
働き、該マスクにそりやうねり等を生じ歪むという欠点
が起きていた。
本発明は上記従来欠点を解決するため、マスクの表裏面
に同一パターン形状のＸ線吸収パターンが形成されたＸ
線マスクを提供した。
に同一パターン形状のＸ線吸収パターンが形成されたＸ
線マスクを提供した。
本発明のＸ線マスクでは表裏面に同一パターン形状のＸ
線吸収パターンが形成さているため。
線吸収パターンが形成さているため。
該吸収パターンによる応力が同一であり且つ互いに相殺
し合って、結果として薄膜のマスクには歪を与えないよ
うに作用する。
し合って、結果として薄膜のマスクには歪を与えないよ
うに作用する。
第１図は本発明に係るＸ線マスクの側断面図で１図中１
はシリコン単結晶基板よりなるＸ線を透過させるマスク
基台、２はエツチングにより薄膜化されたマスク部分、
３と４はマスク部分の表裏両面に同一パターン形状に形
成されたＸ線吸収パターンである。
はシリコン単結晶基板よりなるＸ線を透過させるマスク
基台、２はエツチングにより薄膜化されたマスク部分、
３と４はマスク部分の表裏両面に同一パターン形状に形
成されたＸ線吸収パターンである。
図示の通り２本発明によるＸ線マスクはそのマスク部分
２の表裏に同一パターン形状のＸ線吸収パターン３．４
が形状されており、低歪みのマスクが実現されている。
２の表裏に同一パターン形状のＸ線吸収パターン３．４
が形状されており、低歪みのマスクが実現されている。
第２図と第３図は第１図マスクを製作する工程を示す本
発明の実施例である。
発明の実施例である。
第２図（Ａ）はシリコン単結晶基板の片面にポロン等を
拡散させ、その反対面より所定のエッチャントでボロン
が所定の濃度となっている部分までエツチングして薄膜
化したマスク部分２を有するマスク基台１を示している
。
拡散させ、その反対面より所定のエッチャントでボロン
が所定の濃度となっている部分までエツチングして薄膜
化したマスク部分２を有するマスク基台１を示している
。
そして、マスク部分２の表裏面にＸ［２Ｆ光用レジスト
層５．６を塗布しく第２図（Ｂ））、 マスクマスク７
を用いＸ線８を照射して両レジスト層５．６を同時に露
光してマスタマスクパレ゛−ンを焼付ける（第２図（Ｃ
））。次に第２図（Ｄ）の如く現像して感光部分を溶去
して同一形状のレジストパターン９．１０を形成し、続
いて無電解−電解メッキ又はリフトオフ、スパッタ蒸着
等の手法により溶去部分（レジストパターン９，１０の
表面にも付着してもかまわない）にＸ線吸収材料が付着
するようにしてＸ線吸収パターン３．４を形成しく第２
図（Ｅ））、最後にレジストパターン９，１０を溶去す
れば第２図（Ｆ）の本発明によるＸ線マスクが製作でき
る。
層５．６を塗布しく第２図（Ｂ））、 マスクマスク７
を用いＸ線８を照射して両レジスト層５．６を同時に露
光してマスタマスクパレ゛−ンを焼付ける（第２図（Ｃ
））。次に第２図（Ｄ）の如く現像して感光部分を溶去
して同一形状のレジストパターン９．１０を形成し、続
いて無電解−電解メッキ又はリフトオフ、スパッタ蒸着
等の手法により溶去部分（レジストパターン９，１０の
表面にも付着してもかまわない）にＸ線吸収材料が付着
するようにしてＸ線吸収パターン３．４を形成しく第２
図（Ｅ））、最後にレジストパターン９，１０を溶去す
れば第２図（Ｆ）の本発明によるＸ線マスクが製作でき
る。
第３図の実施例は両面のＸ線吸収パターンを片面づ
面づつ作成する方法であり、第３図（Ａ）は第２図（Ａ
）〜（Ｆ）の工程にてマスク基台１のマスク部分２の片
面にＸ線吸収パターン３を形成した状態である。そして
、このマスク基台１を用いＸ線吸収パターン３側にはＸ
線透過の保護膜１１を被着し、また反対面側にはＸ線露
光用レジスト層６を塗布する（第３図（Ｂ））。次に第
３図（Ｃ）の如く保護膜１１側よりＸ線吸収パターン３
をマスクとしてＸ線８を照射し、レジストＮ６にパター
ン３と同一のパターンを露光する。その後レジストＮ６
の感光部分を溶去してレジストパターン１０を形成（第
３図（Ｄ））Ｌ、Ｘ線吸収材料の溶去部分への付着およ
びレジストパターン１０の除去により、第３図（Ｅ）の
両面に同一パターン形状のＸ線吸収パターンを有する本
発明に係るＸ線マスクが製作される。
）〜（Ｆ）の工程にてマスク基台１のマスク部分２の片
面にＸ線吸収パターン３を形成した状態である。そして
、このマスク基台１を用いＸ線吸収パターン３側にはＸ
線透過の保護膜１１を被着し、また反対面側にはＸ線露
光用レジスト層６を塗布する（第３図（Ｂ））。次に第
３図（Ｃ）の如く保護膜１１側よりＸ線吸収パターン３
をマスクとしてＸ線８を照射し、レジストＮ６にパター
ン３と同一のパターンを露光する。その後レジストＮ６
の感光部分を溶去してレジストパターン１０を形成（第
３図（Ｄ））Ｌ、Ｘ線吸収材料の溶去部分への付着およ
びレジストパターン１０の除去により、第３図（Ｅ）の
両面に同一パターン形状のＸ線吸収パターンを有する本
発明に係るＸ線マスクが製作される。
以上の本発明によれば、Ｘ線吸収パターンによる応力を
打消した状態にマスク部分を形成でき。
打消した状態にマスク部分を形成でき。
−５＝
低歪みのＸ線マスクが提供できるなどその実用上の効果
は著しいものである。
は著しいものである。
第１図は本発明に係るＸ線マスクの側断面図。
第２図と第３図は本発明に係るＸ線マスク製法の実施例
を説明する図である。 〔符号の説明〕 ｉ −−−−−マスク基台。 ２−−−−・−マスク部分。 ３．４−−−−−− Ｘ線吸収パターン。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − 碑りｔ「月１こイ糸ろＸ刹【マス７１斐運吐の第１実施
例第 ２ 図 斗÷５男ｌ！保るＸｆばンスク費μ去の第２宴施例第
３ 図
を説明する図である。 〔符号の説明〕 ｉ −−−−−マスク基台。 ２−−−−・−マスク部分。 ３．４−−−−−− Ｘ線吸収パターン。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − 碑りｔ「月１こイ糸ろＸ刹【マス７１斐運吐の第１実施
例第 ２ 図 斗÷５男ｌ！保るＸｆばンスク費μ去の第２宴施例第
３ 図
Claims (1)
- Ｘ線を透過するマスクの表裏面に同一パターン形状のＸ
線吸収パターンが形成されていることを特徴としたＸ線
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059757A JPS62216327A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059757A JPS62216327A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216327A true JPS62216327A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13122451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61059757A Pending JPS62216327A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195344A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Nec Corp | アパーチャ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61059757A patent/JPS62216327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195344A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Nec Corp | アパーチャ及びその製造方法 |
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