JPH08195344A - アパーチャ及びその製造方法 - Google Patents
アパーチャ及びその製造方法Info
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- JPH08195344A JPH08195344A JP2094895A JP2094895A JPH08195344A JP H08195344 A JPH08195344 A JP H08195344A JP 2094895 A JP2094895 A JP 2094895A JP 2094895 A JP2094895 A JP 2094895A JP H08195344 A JPH08195344 A JP H08195344A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/045—Diaphragms
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- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子ビーム（ＥＢ）描画用アパーチャ及びその
製造方法において、パターン部をアパーチャ厚さ方向中
央部に設けることにより、電子線照射時に反りが発生し
ない、高精度かつ高寿命なアパーチャを提供すること。 【構成】シリコンウェハ１の表面側をエッチングし、次
にシリコンウェハ１の裏面側を表面側と略同じ深さにエ
ッチングし、その後、中間層部分に所望のパターンを形
成し、さらに表面に導電層を形成する。
製造方法において、パターン部をアパーチャ厚さ方向中
央部に設けることにより、電子線照射時に反りが発生し
ない、高精度かつ高寿命なアパーチャを提供すること。 【構成】シリコンウェハ１の表面側をエッチングし、次
にシリコンウェハ１の裏面側を表面側と略同じ深さにエ
ッチングし、その後、中間層部分に所望のパターンを形
成し、さらに表面に導電層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に半導体
集積回路などの回路パターンを形成するために半導体基
板に被着されたレジストに直接電子ビームで描画する電
子ビーム描画法に用いる電子ビーム描画用アパーチャに
関する。
集積回路などの回路パターンを形成するために半導体基
板に被着されたレジストに直接電子ビームで描画する電
子ビーム描画法に用いる電子ビーム描画用アパーチャに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の進歩は目ざまし
く、特にＤＲＡＭに代表されるメモリ素子では記憶容量
の３年毎に４倍という大容量化が実現されている。この
進歩は微細加工技術の進歩によるところが大きく、特に
リソグラフィ技術の進歩に依存するものである。
く、特にＤＲＡＭに代表されるメモリ素子では記憶容量
の３年毎に４倍という大容量化が実現されている。この
進歩は微細加工技術の進歩によるところが大きく、特に
リソグラフィ技術の進歩に依存するものである。
【０００３】微細パターンを半導体基板であるウェハ上
に形成するには、紫外光を光源とした縮小投影露光装置
いわゆるステッパーが用いられていたが、より微細パタ
ーンを転写するために、光源の短波長化が行なわれ、水
銀ランプのｇ線（436nm）から同じ水銀ランプのｉ線（3
65nm）へ、さらには弗化クリプトンガスを用いたＫｒＦ
エキシマレーザ光（249nm）へと変化してきた。
に形成するには、紫外光を光源とした縮小投影露光装置
いわゆるステッパーが用いられていたが、より微細パタ
ーンを転写するために、光源の短波長化が行なわれ、水
銀ランプのｇ線（436nm）から同じ水銀ランプのｉ線（3
65nm）へ、さらには弗化クリプトンガスを用いたＫｒＦ
エキシマレーザ光（249nm）へと変化してきた。
【０００４】しかし、光源の短波長化による微細パター
ン転写能力すなわち解像力の向上は、逆に焦点深度の低
下を招いている。そこで、焦点深度が光露光法に比べ飛
躍的に広い電子ビーム描画法が注目されている。
ン転写能力すなわち解像力の向上は、逆に焦点深度の低
下を招いている。そこで、焦点深度が光露光法に比べ飛
躍的に広い電子ビーム描画法が注目されている。
【０００５】この電子ビーム描画法は半導体集積回路パ
ターンをスポットの小さな電子ビームで順次パターンを
倣って描画するため、より微細化が可能であるものの、
光露光法に比べ処理能力の低いことが問題とされてい
た。
ターンをスポットの小さな電子ビームで順次パターンを
倣って描画するため、より微細化が可能であるものの、
光露光法に比べ処理能力の低いことが問題とされてい
た。
【０００６】しかしながら、電子ビーム描画法において
は、この一筆書き描画方法に代って、特開平4-137520号
公報、あるいは特願平5-341835号に記載されるように、
新たに半導体集積回路の一部を形成したアパーチャを用
いて一括転写し、それらの一括パターンを繋げて全体の
回路パターンを転写する部分一括電子ビーム描画法が開
発され、処理能力が飛躍的に向上した。
は、この一筆書き描画方法に代って、特開平4-137520号
公報、あるいは特願平5-341835号に記載されるように、
新たに半導体集積回路の一部を形成したアパーチャを用
いて一括転写し、それらの一括パターンを繋げて全体の
回路パターンを転写する部分一括電子ビーム描画法が開
発され、処理能力が飛躍的に向上した。
【０００７】図６は従来のアパーチャの製造方法及び構
造を説明するための縦断面図である。
造を説明するための縦断面図である。
【０００８】図６を参照して、面方位（100）のシリコ
ン張り合わせウェハ１の表面をパターン化したものにＣ
ＶＤにより両面にウェットエッチング用保護膜（シリコ
ン窒化膜等）３を形成する（図６(a)参照）。
ン張り合わせウェハ１の表面をパターン化したものにＣ
ＶＤにより両面にウェットエッチング用保護膜（シリコ
ン窒化膜等）３を形成する（図６(a)参照）。
【０００９】次に、レジストをパターニングし、窓を開
けたレジストマスク４を用いてウェットエッチング用保
護膜３をドライエッチングにより除去し、バックエッチ
用窓５を形成する（図６(b)参照）。
けたレジストマスク４を用いてウェットエッチング用保
護膜３をドライエッチングにより除去し、バックエッチ
用窓５を形成する（図６(b)参照）。
【００１０】次に、このバックエッチ用窓５から露出し
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２を含めバックエッチして開口部６を形
成する（図６(c)参照）。
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２を含めバックエッチして開口部６を形
成する（図６(c)参照）。
【００１１】開口部６は、ウェットエッチング時に面方
位（111）が現れることにより、テーパを持たせてい
る。その後、レジスト４及びウェットエッチング用保護
膜３を除去し、表面部に電子ビーム照射時、チャージア
ップを防ぐための導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法
により被着し、アパーチャが完成する（図６(d)参
照）。
位（111）が現れることにより、テーパを持たせてい
る。その後、レジスト４及びウェットエッチング用保護
膜３を除去し、表面部に電子ビーム照射時、チャージア
ップを防ぐための導電層７（例えばＡｕ）をスパッタ法
により被着し、アパーチャが完成する（図６(d)参
照）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この従来のアパーチャ
は、使用時パターン部に加速電圧30〜50kＶ、電流密度1
0〜100Ａ／cm2の電流が照射され、被照射部は時には140
0℃を越える程加熱される。表面に被着された導電層７
は熱を逃がす役割も有しているが、この導電層７を厚く
付けるとパターンの側面部にも被着してしまい、パター
ン精度が低下する。
は、使用時パターン部に加速電圧30〜50kＶ、電流密度1
0〜100Ａ／cm2の電流が照射され、被照射部は時には140
0℃を越える程加熱される。表面に被着された導電層７
は熱を逃がす役割も有しているが、この導電層７を厚く
付けるとパターンの側面部にも被着してしまい、パター
ン精度が低下する。
【００１３】このため、導電層７は薄くしか付けられず
（略10nm程度）、熱を十分に逃がすことができない。従
って、表面が加熱されたアパーチャは表面部の熱膨張に
より、図７に示すように反りが発生する。
（略10nm程度）、熱を十分に逃がすことができない。従
って、表面が加熱されたアパーチャは表面部の熱膨張に
より、図７に示すように反りが発生する。
【００１４】このようにアパーチャに反りが生じると、
パターンの精度が低下し、さらにはウェハ上に描画され
るパターンの精度も大幅に低下し、その結果、生産され
るＬＳＩの歩留まりが低下するという問題がある。
パターンの精度が低下し、さらにはウェハ上に描画され
るパターンの精度も大幅に低下し、その結果、生産され
るＬＳＩの歩留まりが低下するという問題がある。
【００１５】また、反りの発生した状態で、さらにアパ
ーチャ表面部に電子線が照射されると、導電層７のハガ
レが生じ（図７参照）、やがてはアパーチャが使いもの
にならなくなるという問題がある。
ーチャ表面部に電子線が照射されると、導電層７のハガ
レが生じ（図７参照）、やがてはアパーチャが使いもの
にならなくなるという問題がある。
【００１６】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であって、パターン部をアパーチャ厚さ方向中央部に設
けることにより、電子線照射時に反りが発生しない、高
精度かつ高寿命なアパーチャ及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
であって、パターン部をアパーチャ厚さ方向中央部に設
けることにより、電子線照射時に反りが発生しない、高
精度かつ高寿命なアパーチャ及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、描画用開口パターンの複数が板部材に形
成された電子ビーム描画用のアパーチャにおいて、開口
パターンの表面側と裏面側とがエッチングされ、開口パ
ターンが板部材の厚さ方向略中央部に設けられたことを
特徴とするアパーチャを提供する。本発明においては、
好ましくは、開口パターンの表面側と裏面側が略同じ深
さにエッチングされ、開口パターンが板部材の厚さ方向
中間部に設けられ、形状が厚さ方向に略対称とされたこ
とを特徴とする。本発明において、板部材は、好ましい
態様として、貼り合せ面を二つ有するシリコンウェハか
らなる。
め、本発明は、描画用開口パターンの複数が板部材に形
成された電子ビーム描画用のアパーチャにおいて、開口
パターンの表面側と裏面側とがエッチングされ、開口パ
ターンが板部材の厚さ方向略中央部に設けられたことを
特徴とするアパーチャを提供する。本発明においては、
好ましくは、開口パターンの表面側と裏面側が略同じ深
さにエッチングされ、開口パターンが板部材の厚さ方向
中間部に設けられ、形状が厚さ方向に略対称とされたこ
とを特徴とする。本発明において、板部材は、好ましい
態様として、貼り合せ面を二つ有するシリコンウェハか
らなる。
【００１８】また、本発明は、板部材に所望のパターン
を形成する電子ビーム描画用アパーチャの製造方法にお
いて、前記板部材の表面をエッチングした後、被エッチ
ング部に前記所望のパターンを形成し、その後所望パタ
ーンの裏面側をエッチングすることを特徴とするアパー
チャ製造方法を提供する。
を形成する電子ビーム描画用アパーチャの製造方法にお
いて、前記板部材の表面をエッチングした後、被エッチ
ング部に前記所望のパターンを形成し、その後所望パタ
ーンの裏面側をエッチングすることを特徴とするアパー
チャ製造方法を提供する。
【００１９】本発明のアパーチャ製造方法は、好ましく
は、板部材の表面及び裏面をエッチング後被エッチング
部に所望のパターンを形成することを特徴とする。
は、板部材の表面及び裏面をエッチング後被エッチング
部に所望のパターンを形成することを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明によれば、アパーチャ作成時にシリコン
ウェハの表面側及び裏面側からシリコンをエッチング
し、その中間部にパターンを形成するため、電子ビーム
照射時にアパーチャにおける反りの発生を回避すること
が可能とされ、ウェハ上へのＥＢ（電子ビーム）描画の
パターン精度が向上し、ＬＳＩの高品質化、低コスト化
が可能である。また、本発明によれば、アパーチャの両
面を使用することも可能であり、アパーチャの寿命を大
幅に延ばすことが可能とされる。
ウェハの表面側及び裏面側からシリコンをエッチング
し、その中間部にパターンを形成するため、電子ビーム
照射時にアパーチャにおける反りの発生を回避すること
が可能とされ、ウェハ上へのＥＢ（電子ビーム）描画の
パターン精度が向上し、ＬＳＩの高品質化、低コスト化
が可能である。また、本発明によれば、アパーチャの両
面を使用することも可能であり、アパーチャの寿命を大
幅に延ばすことが可能とされる。
【００２１】
【実施例】次に、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。なお、以下の実施例では本発明における
板部材としてシリコンウェハを用いた例について説明す
る。
いて説明する。なお、以下の実施例では本発明における
板部材としてシリコンウェハを用いた例について説明す
る。
【００２２】
【実施例１】図１及び図２は本発明の一実施例を工程順
に説明するための断面図である。
に説明するための断面図である。
【００２３】本実施例においては、ウェハとして、従来
の貼り合せウェハとは異なり、２ケ所の貼り合せ面２
Ａ、２Ｂを有するウェハ１を用いる。
の貼り合せウェハとは異なり、２ケ所の貼り合せ面２
Ａ、２Ｂを有するウェハ１を用いる。
【００２４】この２ケ所の貼り合せ面を有するウェハ１
は、これまで製造歩留まりが悪く、実用化されていなか
った。これは貼り合せ面でボイドが生じ易く、不良の原
因となっていたためである。しかしながら、近年、この
ボイドを大幅に低減する技術が向上し、２ケ所の貼り合
せ面を有するウェハの製造が可能となった。
は、これまで製造歩留まりが悪く、実用化されていなか
った。これは貼り合せ面でボイドが生じ易く、不良の原
因となっていたためである。しかしながら、近年、この
ボイドを大幅に低減する技術が向上し、２ケ所の貼り合
せ面を有するウェハの製造が可能となった。
【００２５】まず、このウェハ１の全面にＣＶＤにより
ウェットエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３Ａ
を形成する（図１(a)参照）。
ウェットエッチング用保護膜（シリコン窒化膜等）３Ａ
を形成する（図１(a)参照）。
【００２６】次に、表面側において、ウェットエッチン
グ用保護膜３Ａ上にレジストをパターニングし、窓を開
けたレジストマスク４Ａを用いてウェットエッチング用
保護膜３Ａをドライエッチングにより除去し、前面エッ
チ用窓５Ａを形成する（図１(b)参照）。
グ用保護膜３Ａ上にレジストをパターニングし、窓を開
けたレジストマスク４Ａを用いてウェットエッチング用
保護膜３Ａをドライエッチングにより除去し、前面エッ
チ用窓５Ａを形成する（図１(b)参照）。
【００２７】次に、この前面エッチ用窓５Ａから露出し
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２Ａを含めエッチングして、開口部６Ａ
を形成する（図１(c)参照）。
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２Ａを含めエッチングして、開口部６Ａ
を形成する（図１(c)参照）。
【００２８】その後、開口部６Ａにリソグラフィ及びエ
ッチング技術を用いパターンを形成する（図１(d)参
照）。
ッチング技術を用いパターンを形成する（図１(d)参
照）。
【００２９】次に、ＣＶＤにより全面にウェットエッチ
ング用保護膜（窒化膜等）３Ｂを形成する（図２(e)参
照）。
ング用保護膜（窒化膜等）３Ｂを形成する（図２(e)参
照）。
【００３０】次に、裏面側において、ウェットエッチン
グ用保護膜３Ｂ上にレジストをパターニングし、窓を開
けたレジストマスク４Ｂを用いて、ウェットエッチング
用保護膜３Ｂをドライエッチングにより除去し、バック
エッチ用窓５Ｂを形成する（図２(f)参照）。
グ用保護膜３Ｂ上にレジストをパターニングし、窓を開
けたレジストマスク４Ｂを用いて、ウェットエッチング
用保護膜３Ｂをドライエッチングにより除去し、バック
エッチ用窓５Ｂを形成する（図２(f)参照）。
【００３１】その後、バックエッチ用窓５Ｂから露出し
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２Ｂを含めエッチングし、他側に開口部
６Ｂを形成する（図２(g)参照）。
ているシリコンウェハ１を水酸化カリウム、ヒドラジン
等のアルカリ溶液を加熱したウェットエッチング溶液に
より貼り合せ面２Ｂを含めエッチングし、他側に開口部
６Ｂを形成する（図２(g)参照）。
【００３２】次に、ウェットエッチング用保護膜３Ａ及
び３Ｂを剥離し、表面にＡｕ等をスパッタして導電層７
Ａを形成し、アパーチャが完成する（図２(h)参照）。
び３Ｂを剥離し、表面にＡｕ等をスパッタして導電層７
Ａを形成し、アパーチャが完成する（図２(h)参照）。
【００３３】なお、本実施例では、図２(e)の工程にお
いて、ウェットエッチング用保護膜３Ａ上にウェットエ
ッチング用保護膜３Ｂを形成したが、保護膜３Ａを剥離
してから保護膜３Ｂを形成しても良い。
いて、ウェットエッチング用保護膜３Ａ上にウェットエ
ッチング用保護膜３Ｂを形成したが、保護膜３Ａを剥離
してから保護膜３Ｂを形成しても良い。
【００３４】このようにして作製されたアパーチャ（図
２(h)参照）は、使用時に電子線が照射されても、厚さ
方向にほぼ対称形状とされており、反りが発生しない。
このためウェハ上には高精度のパターニングを描画する
ことが可能である。
２(h)参照）は、使用時に電子線が照射されても、厚さ
方向にほぼ対称形状とされており、反りが発生しない。
このためウェハ上には高精度のパターニングを描画する
ことが可能である。
【００３５】
【実施例２】図３及び図４は、本発明の第２の実施例を
工程順に説明するための断面図である。図３(a)〜(c)ま
での開口部６Ａを形成するまでの工程は、前記第１の実
施例（図１(a)〜(c)の工程）と同じであるため、説明を
省略する。
工程順に説明するための断面図である。図３(a)〜(c)ま
での開口部６Ａを形成するまでの工程は、前記第１の実
施例（図１(a)〜(c)の工程）と同じであるため、説明を
省略する。
【００３６】本実施例では、次にウェットエッチング用
保護膜３Ｂを全面に形成する（図３(d)参照）。この
時、ウェットエッチング用保護膜３Ａは剥離してあって
も、あるいは剥離していなくてもどちらでも良い。以
下、ウェットエッチング用保護膜３Ａを剥離せず、その
上に、ウェットエッチング用保護３Ｂを形成した場合に
ついて説明する。
保護膜３Ｂを全面に形成する（図３(d)参照）。この
時、ウェットエッチング用保護膜３Ａは剥離してあって
も、あるいは剥離していなくてもどちらでも良い。以
下、ウェットエッチング用保護膜３Ａを剥離せず、その
上に、ウェットエッチング用保護３Ｂを形成した場合に
ついて説明する。
【００３７】レジストをパターニングし、窓を開けたレ
ジストマスク４Ｂを用いてウェットエッチング用保護膜
３Ｂをドライエッチングにより除去し、バックエッチ用
窓５Ｂを形成する（図４(e)参照）。その後、バックエ
ッチ用窓５Ｂから露出しているシリコンを貼り合せ面２
Ｂを含めエッチングして、開口部６Ｂを形成する（図４
(f)参照）。
ジストマスク４Ｂを用いてウェットエッチング用保護膜
３Ｂをドライエッチングにより除去し、バックエッチ用
窓５Ｂを形成する（図４(e)参照）。その後、バックエ
ッチ用窓５Ｂから露出しているシリコンを貼り合せ面２
Ｂを含めエッチングして、開口部６Ｂを形成する（図４
(f)参照）。
【００３８】次に、残ったシリコン部にリソグラフィ及
びエッチングによりパターンを形成し（図４(g)参
照）、最後にウェットエッチング用保護膜３Ａ、３Ｂを
剥離し、導電層７Ａを形成することによりアパーチャが
完成する（図４(h)参照）。
びエッチングによりパターンを形成し（図４(g)参
照）、最後にウェットエッチング用保護膜３Ａ、３Ｂを
剥離し、導電層７Ａを形成することによりアパーチャが
完成する（図４(h)参照）。
【００３９】なお、ここでは表面エッチングを裏面エッ
チングより先に行なったが、この順序は逆でも問題はな
い。
チングより先に行なったが、この順序は逆でも問題はな
い。
【００４０】
【実施例３】図５は、本発明に係るアパーチャの別の構
成例を説明する断面図である。前記第１及び第２の実施
例のアパーチャでは、導電層７Ａを表面側にのみ形成し
たが、本実施例では、図５に示すように、表面側に導電
層７Ａを、裏面側に導電層７Ｂを形成している。
成例を説明する断面図である。前記第１及び第２の実施
例のアパーチャでは、導電層７Ａを表面側にのみ形成し
たが、本実施例では、図５に示すように、表面側に導電
層７Ａを、裏面側に導電層７Ｂを形成している。
【００４１】このような構成としたことにより、電荷や
熱を逃がす能力が向上し、また表面側がダメージを受け
たり、汚れたりしても、アパーチャを裏返すことによ
り、裏面を表面として使用することが可能とされ、寿命
が略２倍になり、アパーチャのコストが大幅に低減す
る。もちろん、反りの発生もないことはいうまでもな
い。
熱を逃がす能力が向上し、また表面側がダメージを受け
たり、汚れたりしても、アパーチャを裏返すことによ
り、裏面を表面として使用することが可能とされ、寿命
が略２倍になり、アパーチャのコストが大幅に低減す
る。もちろん、反りの発生もないことはいうまでもな
い。
【００４２】以上、本発明を上記実施例に即して説明し
たが、本発明は、上記態様にのみ限定されるものなく、
本発明の原理に準ずる各種態様を含むことは勿論であ
る。
たが、本発明は、上記態様にのみ限定されるものなく、
本発明の原理に準ずる各種態様を含むことは勿論であ
る。
【００４３】例えば、上記各実施例では、本発明におけ
る板部材として貼り合せシリコンウェハを用いたが、貼
り合せウェハでなくともよく、シリコンウェハでなく他
の部材を用いても良い。
る板部材として貼り合せシリコンウェハを用いたが、貼
り合せウェハでなくともよく、シリコンウェハでなく他
の部材を用いても良い。
【００４４】さらに、上記各実施例において、ウェット
エッチング用保護膜はシリコン窒化膜に限るものではな
く、また導電層もＡｕに限るものではない。
エッチング用保護膜はシリコン窒化膜に限るものではな
く、また導電層もＡｕに限るものではない。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
パーチャ作成時にシリコンウェハの表面側及び裏面側か
らシリコンをエッチングし、その中間部にパターンを形
成するため、電子ビーム照射時にアパーチャに反りが発
生することがない。また、本発明によれば、アパーチャ
の両面を使用することも可能であり、アパーチャの寿命
が大幅に延びる。さらに、本発明によれば、アパーチャ
に反りが発生しないため、ウェハ上へのＥＢ描画のパタ
ーン精度が向上し、ＬＳＩの高品質化、低コスト化を達
成するという効果を有する。
パーチャ作成時にシリコンウェハの表面側及び裏面側か
らシリコンをエッチングし、その中間部にパターンを形
成するため、電子ビーム照射時にアパーチャに反りが発
生することがない。また、本発明によれば、アパーチャ
の両面を使用することも可能であり、アパーチャの寿命
が大幅に延びる。さらに、本発明によれば、アパーチャ
に反りが発生しないため、ウェハ上へのＥＢ描画のパタ
ーン精度が向上し、ＬＳＩの高品質化、低コスト化を達
成するという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を工程順に説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例を工程順に説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を工程順に説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を工程順に説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図５】本発明のアパーチャの別の実施例の構成を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図６】従来例を工程順に示す断面図である。
【図７】従来例のアパーチャの問題点を説明するための
断面図である。
断面図である。
１ ウェハ ２、２Ａ、２Ｂ 貼り合せ面 ３、３Ａ、３Ｂ ウェットエッチング用保護膜 ４、４Ａ、４Ｂ レジストマスク ５、５Ｂ バックエッチ用窓 ５Ａ 前面エッチ用窓 ６、６Ａ、６Ｂ 開口部 ７、７Ａ、７Ｂ 導電層
Claims (7)
- 【請求項１】描画用開口パターンの複数が板部材に形成
された電子ビーム描画用のアパーチャにおいて、 前記開口パターンの表面側と裏面側とがエッチングさ
れ、前記開口パターンが前記板部材の厚さ方向中央部に
設けられたことを特徴とするアパーチャ。 - 【請求項２】描画用の開口パターンが板部材に形成され
た電子ビーム描画用のアパーチャにおいて、前記開口パ
ターンが前記板部材の厚さ方向中間部に設けられ、形状
が厚さ方向に略対称とされたことを特徴とするアパーチ
ャ。 - 【請求項３】表面側と裏面側に導電層を設けたことを特
徴とする請求項１又は２記載のアパーチャ。 - 【請求項４】板部材に所望のパターンを形成する電子ビ
ーム描画用アパーチャの製造方法において、 前記板部材の表面をエッチングした後、被エッチング部
に前記所望のパターンを形成し、その後所望パターンの
裏面側をエッチングすることを特徴とするアパーチャの
製造方法。 - 【請求項５】前記板部材の表面及び裏面をエッチングし
た後、被エッチング部に所望のパターンを形成する請求
項４記載のアパーチャの製造方法。 - 【請求項６】(a)板部材の表面側をエッチングする工程
と、 (b)前記板部材の裏面側を前記表面側と略同じ深さにエ
ッチングする工程と、 (c)前記板部材の中間層部分に所望のパターンを形成す
る工程と、 (d)前記板部材の表面に導電層を形成する工程と、 を含むことを特徴とする電子ビーム描画用アパーチャの
製造方法。 - 【請求項７】前記板部材がシリコンウェハからなること
を特徴とする請求項６記載の電子ビーム描画用アパーチ
ャの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094895A JP2792453B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | アパーチャ及びその製造方法 |
| TW085100296A TW383413B (en) | 1995-01-13 | 1996-01-11 | Electron beam aperture structure and method for fabricating the same |
| KR1019960000502A KR100217266B1 (ko) | 1995-01-13 | 1996-01-12 | 전자 빔 개구 구조 및 그 제조 방법 |
| US08/585,718 US5759722A (en) | 1995-01-13 | 1996-01-16 | Electron beam aperture structure and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094895A JP2792453B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | アパーチャ及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195344A true JPH08195344A (ja) | 1996-07-30 |
| JP2792453B2 JP2792453B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=12041424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094895A Expired - Fee Related JP2792453B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | アパーチャ及びその製造方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2792453B2 (ja) |
| KR (1) | KR100217266B1 (ja) |
| TW (1) | TW383413B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100282541B1 (ko) * | 1996-09-04 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | 전하빔묘화장치용애퍼추어및그제조방법 |
| JP2004320051A (ja) * | 2004-07-09 | 2004-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク |
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|---|---|---|---|---|
| US5985493A (en) * | 1998-04-08 | 1999-11-16 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
| JP2002140840A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Pioneer Electronic Corp | 光ディスク及びその原盤製造装置 |
| DE10137834A1 (de) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Team Nanotec Gmbh | Maske und Maskenherstellungsverfahren |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216327A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
| JPS63229821A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線リソグラフイ用マスクの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
| US5279925A (en) * | 1992-12-16 | 1994-01-18 | At&T Bell Laboratories | Projection electron lithographic procedure |
| JP2842193B2 (ja) * | 1993-12-13 | 1998-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置製造用マスクの製造方法 |
| JP2606138B2 (ja) * | 1994-06-02 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム描画装置用アパチャ |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP2094895A patent/JP2792453B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-11 TW TW085100296A patent/TW383413B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-01-12 KR KR1019960000502A patent/KR100217266B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-01-16 US US08/585,718 patent/US5759722A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62216327A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | Ｘ線マスク |
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| US6296925B1 (en) | 1996-09-04 | 2001-10-02 | Nec Corporation | Aperture for charged beam drawing machine and method for forming the same |
| JP2004320051A (ja) * | 2004-07-09 | 2004-11-11 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク |
| JP4582299B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-11-17 | 凸版印刷株式会社 | ステンシルマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW383413B (en) | 2000-03-01 |
| JP2792453B2 (ja) | 1998-09-03 |
| US5759722A (en) | 1998-06-02 |
| KR100217266B1 (ko) | 1999-09-01 |
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