DE10137834A1 - Maske und Maskenherstellungsverfahren - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine hinsichtlich Herstellung und Handhabung verbesserte Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, und ein Herstellungsverfahren für Masken.

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft eine Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper, in dessen Oberfläche einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen angeordnet sind, die Innenflächen aufweisen, und mit einer Membran.
• Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Masken.
• Stand der Technik
• Masken der eingangs genannten Art werden bei Lithografieverfahren in der Halbleiterherstellung verwendet, um geometrische Strukturen auf Oberflächen von Wafern abzubilden.
• Es sind verschiedene Lithografieverfahren bekannt, wobei die optische Lithografie zunehmend von Verfahren verdrängt wird, die mit Röntgen-, Elektronen- oder Ionenstrahlen arbeiten. Ein Grund dafür ist die minimal erzielbare Strukturbreite, die mit der Wellenlänge der verwendeten Strahlung zusammenhängt.
• Bei der kurz als EPL bezeichneten Elektronen-Projektions- Lithografie wird ein Elektronenstrahl benutzt, um von einer Maske vorgegebene Strukturen auf die Oberfläche eines Wafers abzubilden.
• Es haben sich zwei Maskentypen zur Benutzung für die Elektronen-Projektions-Lithografie herausgebildet. Der erste Typ ist die sog. Stencilmaske, bei der der Elektronenstrahl durch Öffnungen in der Maske direkt auf die Waferoberfläche einwirken kann bzw. in den von der Maske abzuschattenden Bereichen durch eine aus monokristallinem Silizium bestehende Membran gestreut wird.
• Der zweite Maskentyp für die Elektronen-Projektions- Lithografie, die Membranmaske mit geschlossener Membran, weist eine durchgehende dünne Membran auf, durch die der Elektronenstrahl hindurchtreten muss, um auf die Waferoberfläche einwirken zu können. Die Abschattung erfolgt hierbei durch auf der dünnen Membran angeordnete Streusegmente, die üblicherweise aus einem Element hoher Kernladungszahl bzw. einer Verbindung mit einem solchen Element bestehen, um eine hinreichend große Streuung der Elektronen auch bei geringer Segmentdicke zu erreichen.
• Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte Maske für die Elektronen-Projektions-Lithografie sowie ein kostengünstiges und flexibles Herstellungsverfahren anzugeben.
• Diese Aufgabe wird bei einer Maske der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Membran die Oberfläche des monokristallinen Siliziumkörpers und die Innenflächen der Vertiefungen bedeckt und somit eine geschlossene Fläche bildet.
• Die erfindungsgemäße Maske ist sehr leicht herstellbar und repräsentiert ein flexibles Konzept zur Maskenherstellung, da ihr Aufbau eine Ausbildung der Maske als Stencilmaske oder auch als Membranmaske mit geschlossener Membran in nur einem weiteren unterschiedlichen Herstellungsschritt ermöglicht. Um aus der Membranmaske mit geschlossener Membran eine Stencilmaske zu erhalten, ist lediglich die Membran zu entfernen.
• Ein weiterer Vorteil gegenüber bekannten Membranmasken mit geschlossener Membran besteht darin, dass die vorgeschlagene Maske keine Ätzstopschicht zwischen Streusegmenten und der geschlossenen Membran benötigt. Dadurch entfällt das Problem der unerwünschten Streuung des Elektronenstrahls durch die Ätzstopschicht. Ebenso besteht nicht die Gefahr von Verzeichnungen der Maskenstrukturen, die auf unterschiedliche Zugspannungen der Ätzstopschicht und der Membran zurückzuführen sind.
• Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske ist dadurch gekennzeichnet, dass die Membran aus Siliziumnitrid besteht, das besonders gut handhabbar ist und schon seit Jahrzehnten in der Halbleiterfertigung eingesetzt wird. Das Siliziumnitrid wird vorzugsweise in einem sog. "low pressure chemical vapour deposition" (LPCVD)-Verfahren auf die Maske aufgebracht.
• Sehr vorteilhaft an dieser Ausführungsform ist die Möglichkeit, die Zugspannung der aus Siliziumnitrid bestehenden Membran in einem weiten Bereich von etwa 50 MPa bis etwa 1GPa einstellen zu können. Somit ist eine optimale Anpassung an die Zugspannung des monokristallinen Siliziumkörpers zur Vermeidung von Maskenverzeichnungen möglich. Dadurch erhöht sich auch die Lebensdauer der Maske.
• Eine weitere Variante der erfindungsgemäßen Maske weist auf ihrer Unterseite eine dünne Schicht aus einem Material mit einem Element niedriger Kernladungszahl bzw. einer Verbindung mit einem solchen Element auf, die nur einen geringen Anteil der Elektronenstrahlung absorbiert bzw. streut.
• Besonders vorteilhaft ist eine Weiterbildung der Erfindung, bei der die dünne Schicht eine hohe Wärmeleitfähigkeit und/oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist. Zum einen wird durch die elektrisch leitende Schicht eine elektrostatische Aufladung der Maske aufgrund der Bestrahlung mit Elektronen verhindert, andererseits ist eine gute Wärmeableitung gegeben.
• Ganz besonders vorteilhaft zur Bildung der dünnen Schicht ist ein Material, das einfach auf die Maske aufbringbar ist, um die mechanische Belastung der Maske beim Aufbringen minimal zu halten.
• Eine andere, sehr vorteilhafte Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Maske sieht vor, dass der monokristalline Siliziumkörper derart ausgebildet ist, dass Abschnitte des Siliziumkörpers als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.
• Üblicherweise werden die aus ca. 400 µm bis 750 µm dicken Wafern gefertigten Masken auf einem Tragrahmen aus hitzebeständigem Glas befestigt, der mehrere Millimeter dick ist. Der Befestigungsprozess bringt eine große mechanische Belastung für die Masken mit sich.
• Die vorstehend genannte Weiterentwicklung der erfindungsgemäßen Maske weist quasi einen integrierten Tragrahmen auf. Dies wird durch Verwendung eines relativ dicken, monokristallinen Siliziumkörpers erreicht, dessen Innenbereich mittels Ätzen auf die Dicke eines herkömmlichen, zur Fertigung einer Membranmaske verwendbaren Wafers reduziert wird. Dadurch bleiben im Aussenbereich des Wafers Abschnitte großer Dicke erhalten, die als Tragvorrichtung verwendet werden können. Eine Befestigung der Maske auf einer stabileren Struktur mit der damit einhergehenden mechanischen Belastung ist nicht mehr erforderlich.
• Eine andere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske sieht vor, dass die dünne Schicht eine mechanische Stabilität aufweist, die etwa der mechanischen Stabilität der Membran entspricht, und dass die Membran selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper und der dünnen Schicht entfernbar ist. Die in dieser Ausführungsform vorgeschlagene dünne Schicht übernimmt zusätzlich die stabilisierende Funktion der Membran, wodurch die Membran entfallen kann.
• Als eine weitere Lösung der Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, vorgestellt, mit einem monokristallinen Siliziumkörper der Dicke d, wobei in dessen Oberfläche einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen geätzt werden, die Innenflächen aufweisen, wobei eine Membran so auf die Oberfläche und die Innenflächen aufgebracht wird, dass sich eine geschlossene Fläche bildet, und wobei Öffnungen in den monokristallinen Siliziumkörper geätzt werden, so dass in die Öffnungen einfallende Strahlung im Bereich der Vertiefungen durch die Membran und die Vertiefungen wieder aus der Maske austreten kann.
• Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist besonders vorteilhaft und sieht vor, dass der monokristalline Siliziumkörper eine Dicke d2 aufweist, die ein Vielfaches der Dicke d einer herkömmlichen Membranmaske beträgt, dass ein Teil des monokristallinen Siliziumkörpers der Dicke d2 mit einem schnellen Naßätzverfahren entfernt wird, so dass Abschnitte der Dicke d2 und Abschnitte der Dicke d verbleiben, und dass die Abschnitte der Dicke d2 als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.
• Bei dieser Ausführungsform ist die Anwendung eines kostengünstigen Naßätzverfahrens sehr vorteilhaft, um die vergleichsweise hohe Materialmenge von den Innenbereichen des monokristallinen Siliziumkörpers abzutragen, die die Maskenstrukturen beinhalten sollen, und dementsprechend dünn ausgebildet sein müssen. Das Naßätzverfahren kann in Naßätzreaktoren für viele Substrate gleichzeitig ausgeführt werden. Sobald die Dicke des monokristallinen Siliziumkörpers in diesem Bereich eine gewisse Grenze unterschritten hat, wird ein präziseres und zugleich langsameres Ätzverfahren gewählt, um die Maskenstrukturen zu entwickeln.
• Das vorgeschlagene Verfahren ist also geeignet, eine aus einem monokristallinen Siliziumkörper bestehende Einheit aus einer Maske und einer Tragvorrichtung für die Maske bereitzustellen, die bei hoher Genauigkeit der Maskenstrukturen zugleich eine hohe Wirtschaftlichkeit durch schnell ausführbare Prozeßschritte sicherstellt.
• Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass auf die Unterseite der Maske eine elektrisch leitende und/oder wärmeleitende dünne Schicht aus einem Element/Elementen niedriger Kernladungszahl aufgebracht wird.
• Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, nach dem Aufbringen der dünnen Schicht die Membran selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper und der dünnen Schicht zu entfernen. Bei ausreichender mechanischer Stabilität der dünnen Schicht kann diese zusätzlich die stabilisierende Wirkung der Membran übernehmen, sodass die Membran wieder entfernt werden kann.
• Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.
Ausführungsbeispiele der Erfindung
• Es zeigen:
• Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske,
• Fig. 2a einen ersten Teil der im Querschnitt dargestellten Maske aus Fig. 1 in Vergrößerung,
• Fig. 2b einen zweiten Teil der im Querschnitt dargestellten Maske aus Fig. 1 in Vergrößerung,
• Fig. 3 einen Querschnitt einer zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske,
• Fig. 4a-c eine erfindungsgemäße Maske in drei verschiedenen Phasen ihres Herstellungsprozesses, und
• Fig. 5 einen Querschnitt durch eine dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske.
• In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Maske für die Elektronen-Projektions- Lithografie im Querschnitt abgebildet. Bei der Beschreibung dieser ersten Ausführungsform wird auch auf die Fig. 2a und 2b Bezug genommen, die jeweils einen vergrößerten Ausschnitt der Maske aus Fig. 1 zeigen.
• Die Maske besteht aus einem monokristallinen Siliziumkörper 10 der Dicke d, der die Oberfläche 11 der Maske unterbrechende Vertiefungen 14 aufweist. Die Vertiefungen 14 besitzen Innenflächen 15.
• Die Oberfläche 11 des monokristallinen Siliziumkörpers 10 ist, ebenso wie die Innenflächen 15 der Vertiefungen 14, mit einer Membran 20 überzogen. Die Membran 20 bildet eine geschlossene Fläche auf der Oberseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10.
• Ein erster Teil der Maske aus Fig. 1 ist in Fig. 2a vergrößert dargestellt. Dabei handelt es sich um einen Teil der Maske, der keine Vertiefung 14 aufweist.
• Ein zweiter, in Fig. 2b dargestellter Teil der Maske, weist zwei Vertiefungen 14 auf, deren Innenflächen 15 ebenfalls dargestellt sind. Die Membran 20 ist in den Fig. 2a und 2b aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt.
• Schließlich befinden sich in der Unterseite des in Fig. 1 dargestellten monokristallinen Siliziumkörpers 10 zwei Öffnungen 9, die über eine Stützwand 12 voneinander getrennt sind. Eine dünne Schicht 13 ist auf der Unterseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10 aufgebracht.
• Wegen der mäanderförmigen Ausbildung der Membran 20 über die Oberfläche 11 der Maske und die Vertiefungen 14 hinweg wird diese Ausführungsform der Maske auch als "corrugated continuous membrane" (CCM)-Maske bezeichnet.
• Nachfolgend wird die Funktion der erfindungsgemäßen Maske beschrieben.
• Bei der Elektronen-Projektions-Lithografie wird die Maske zwischen einen Elektronenstrahlgenerator und einen zu beschreibenden Wafer eingebracht.
• Um eine elektrostatische Aufladung der Maske durch den Beschuss mit Elektronen zu verhindern, ist die dünne Schicht 13 elektrisch leitfähig ausgebildet. Eine gute Wärmeleitfähigkeit der dünnen Schicht 13 ist ebenfalls vorteilhaft, um lokale Überhitzungen der Maske und damit thermisch bedingte Verformungen zu vermeiden.
• Die dünne Schicht 13 und die Membran 20 bestehen aus Materialien mit Elementen niedriger Kernladungszahl, so dass der Elektronenstrahl die Maske im Bereich der Vertiefungen 14 durchdringen und eine bestrahlungsempfindliche Schicht des Wafers treffen kann. Vorzugsweise besteht die dünne Schicht 13 aus leitfähigem amorphem Kohlenstoff und ist etwa 10 nm dick.
• Trifft der Elektronenstrahl auf einen Teil des monokristallinen Siliziumkörpers 10 zwischen den Vertiefungen 14, so werden die Elektronen in dem Silizium gestreut, werden auf den Rand einer im abbildenden Strahlengang befindlichen Aperturblende gelenkt, und treffen nicht mehr in einem gebündelten Strahl auf den Wafer, weswegen keine "Belichtung" des Wafers erfolgt.
• Um mit dem beschriebenen Bestrahlungsverfahren geometrische Strukturen auf dem Wafer zu erzeugen, ist die Position der Vertiefungen 14 in der Maske entsprechend zu wählen.
• Die Vertiefungen 14 sind typischerweise etwa 1 µm bis 2 µm tief, während die Dicke d der Maske etwa zwischen 200 µm bis 750 µm beträgt. Der monokristalline Siliziumkörper 10 der Maske wird aus einem herkömmlichen Wafer erhalten.
• Die geringste mechanische Stabilität weist die Maske im Bereich der Vertiefungen 14 auf. Eine stabilisierende Wirkung ergibt sich durch Stützwände 12. Diese bilden typischerweise ein Raster von 1 mm × 1 mm. Darüber hinaus wird die mechanische Stabilität der Maske besonders vorteilhaft durch die Membran 20 gesteigert, die im Gegensatz zu den Stützwänden 12 eine gleichmäßige Verteilung auftretender Kräfte ermöglicht.
• Die Membran 20 besteht vorzugsweise aus einer etwa 20 nm bis etwa 50 nm dicken Siliziumnitridschicht. Siliziumnitrid kann in einem sog. "low pressure chemical vapour deposition" (LPCVD)- Prozeß schonend auf die Maske aufgebracht werden. Außerdem kann die Zugspannung der Membran 20 in einem sehr weiten Bereich eingestellt werden, so dass eine Anpassung an die Zugspannung benachbarter Schichten möglich ist.
• Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Maske im Querschnitt. Der monokristalline Siliziumkörper 10 weist eine Dicke d2 auf, die ein Vielfaches der Dicke d des Siliziumkörpers 10 der ersten Ausführungsform beträgt. Ebenso sind Öffnungen 9 erkennbar, die durch Stützwände 12 voneinander getrennt sind.
• An den seitlichen Rändern der Maske befinden sich Abschnitte 30 des monokristallinen Siliziumkörpers 10, die aufgrund ihrer großen Dicke d2 im Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 4 mm als Tragvorrichtung für die gesamte Maske geeignet sind. Dadurch ist keine nachträgliche Befestigung der empfindlichen Maske auf einem separaten Träger erforderlich.
• Um eine derartige Maske mit integrierter Tragvorrichtung zu erhalten, wird der zwischen den äußeren Abschnitten 30befindliche Bereich des monokristallinen Siliziumkörpers 10 in einem Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens durch ein chemisches Naßätzverfahren entfernt. Das Naßätzverfahren hat den Vorteil, dass in kostengünstigen Naßätzreaktoren viele Substrate gleichzeitig geätzt werden können.
• Die weiteren Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens werden unter Bezugnahme auf die Fig. 4a bis 4c erläutert, wobei die bereits angesprochene Tragvorrichtung, bestehend aus den äußeren Abschnitten 30, dort nicht abgebildet ist.
• Zunächst werden die Vertiefungen 14 beispielsweise mit einem sog. "reactive ion etching" (RIE)-Prozeß in die Oberfläche 11 des monokristallinen Siliziumkörpers 10 geätzt. Eine Maske in dieser Phase des Herstellungsverfahrens ist in Fig. 4a gezeigt.
• Danach wird, wie in Fig. 4b abgebildet, die Membran 20 aus Siliziumnitrid in einem LPCVD-Prozeß sowohl auf die Oberfläche 11 als auch auf die Innenflächen 15 der Vertiefungen 14 aufgebracht.
• Schließlich müssen noch - unter Verwendung einer Ätzmaske 28 - die Öffnungen 9 geätzt werden. Der Bereich der Rückseite, der als Stützwand 12 erhalten bleiben soll, ist ebenfalls mit der Ätzmaske 28 zu versehen.
• Bei der Ausbildung der Öffnungen 9 gemäß Fig. 4c wird eine Kombination zweier Ätzverfahren eingesetzt, die in der deutschen Patentschrift DE 197 10 798 C1 näher beschrieben ist. Zunächst wird ein RIE-Prozeß durchgeführt und danach wird ein KOH-Naßätzprozeß durchgeführt, um sicherzustellen, dass die Stützwand 12 sowie die weiteren seitlichen Begrenzungen der Öffnungen 9 genau senkrecht zur Oberfläche 11 der Maske stehen. Bei dem KOH-Naßätzprozeß wirkt die Membran 20 sowie eine in die Oberseite des monokristallinen Siliziumkörpers 10 eingebrachte Bor-Dotierung als Schutzschicht für die Oberseite der Maske.
• Der große Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, dass, ausgehend von der in Fig. 4c gezeigten Maske mit geschlossener Membran 20, durch einen einzigen weiteren Verfahrensschritt eine Stencilmaske hergestellt werden kann, indem die Membran 20 wieder entfernt wird.
• Alternativ dazu kann auch eine dünne Schicht 13 auf die Rückseite der Maske aufgebracht werden, deren Funktion bereits erläutert worden ist. Diese Verfahrensvariante liefert eine sog. "corrugated continuous membrane" (CCM)-Maske.
• Wenn die mechanische Stabilität der dünnen Schicht 13 ausreichend groß gewählt wird, kann die Membran 20 nach dem Aufbringen der dünnen Schicht 13 in einem weiteren Verfahrensschritt wieder entfernt werden. Eine entsprechende Maske ist in Fig. 5 gezeigt.
• Um die Maske beim Entfernen der Membran 20 nicht zu beschädigen, ist die Entfernung der Membran 20 selektiv gegen den monokristallinen Siliziumkörper 10 und die dünne Schicht 13 vorzunehmen.
• Die mechanische Stabilität der dünnen Schicht 13 muss etwa der mechanischen Stabilität der Membran 20 entsprechen. Die dünne Schicht 13 kann beispielsweise aus diamantartigem dotierten Kohlenstoff bestehen, und muss eine entsprechende Zugspannung im Vergleich mit benachbarten Schichten aufweisen. Die Dicke d3 der dünnen Schicht 13 beträgt etwa zwischen 30 nm und 60 nm.
• Insgesamt wird durch die Erfindung neben einer verbesserten Maske also auch ein universelles Herstellungsverfahren für EPL-Masken angegeben, das stabilere Masken, die Ausbildung zweier häufig eingesetzter Maskentypen (Stencilmasken und Membranmasken) durch lediglich einen typspezifischen Verfahrensschritt sowie wirtschaftlichere Prozesse ermöglicht.

Claims (12)

1. Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen- Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper (10), in dessen Oberfläche (11) einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen (14) angeordnet sind, die Innenflächen (15) aufweisen, und mit einer Membran (20), dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) die Oberfläche (11) des monokristallinen Siliziumkörpers (10) und die Innenflächen (15) der Vertiefungen (14) bedeckt und somit eine geschlossene Fläche (20) bildet.

2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) aus Siliziumnitrid besteht.

3. Maske nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterseite der Maske eine dünne Schicht (13) aufgebracht ist, die aus einem Element /Elementen mit niedriger Kernladungszahl besteht.

4. Maske nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) eine hohe Wärmeleitfähigkeit und/oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.

5. Maske nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) aus einem Material besteht, das einfach auf die Maske aufbringbar ist, damit die Maske bei dem Aufbringen nur minimal mechanisch belastet wird.

6. Maske nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (20) selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper (10) und der dünnen Schicht (13) entfernbar ist.

7. Maske nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Schicht (13) eine mechanische Stabilität aufweist, die etwa der mechanischen Stabilität der Membran (20) entspricht.

8. Maske nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der monokristalline Siliziumkörper (10) derart ausgebildet ist, dass Abschnitte (30) des Siliziumkörpers (10) als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.

9. Verfahren zur Herstellung einer Maske, insbesondere zur Verwendung bei der Elektronen-Projektions-Lithografie, mit einem monokristallinen Siliziumkörper (10) der Dicke d, wobei in dessen Oberfläche (11) einem abzubildenden Muster entsprechende Vertiefungen (14) geätzt werden, die Innenflächen (15) aufweisen, wobei eine Membran (20) so auf die Oberfläche (10) und die Innenflächen (15) aufgebracht wird, dass sich eine geschlossene Fläche (20) bildet, und wobei Öffnungen (9) in den monokristallinen Siliziumkörper (10) geätzt werden, so dass in die Öffnungen (9) einfallende Strahlung im Bereich der Vertiefungen (14) durch die Membran (20) und die Vertiefungen (14) wieder aus der Maske austreten kann.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterseite der Maske eine elektrisch leitende und/oder wärmeleitende dünne Schicht (13) aus einem Element/Elementen niedriger Kernladungszahl aufgebracht wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der dünnen Schicht (13) die Membran (20) selektiv gegenüber dem monokristallinen Siliziumkörper (10) und der dünnen Schicht (13) entfernt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der monokristalline Siliziumkörper (10) eine Dicke d2 aufweist, die ein Vielfaches der Dicke d beträgt, dass ein Teil des Siliziumkörpers (10) der Dicke d2 mit einem schnellen Naßätzverfahren entfernt wird, so dass Abschnitte (30) der Dicke d2 und Abschnitte der Dicke d verbleiben, und dass die Abschnitte (30) als Tragvorrichtung für die Maske verwendbar sind.