JP2008153390A - 不純物導入領域を形成する方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、半導体基板の表面に第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、第1レジスト層の表面に第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光工程と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程を備える。
【選択図】図4
【解決手段】 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、半導体基板の表面に第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、第1レジスト層の表面に第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光工程と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体基板に不純物を導入する技術に関する。特に、不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する技術に関する。
半導体装置の製造では、半導体基板の一部の領域に不純物を導入し、その領域の導電型や導電性を調整することが行われている。例えば、n型の半導体基板の一部にp型の不純物を導入することによって、n型の半導体基板の一部にp型半導体領域を形成している。あるいは、同じ導電型の不純物を導入する場合でも、導入する不純物の濃度を調整することによって、形成する不純物導入領域の導電性(電気抵抗)を調整している。
不純物導入領域の形成には、イオン注入法が多く利用されている。イオン注入法では、イオン化した不純物を半導体基板の表面に向けて照射し、半導体基板の内部に不純物を注入する。このとき、半導体基板の表面には、不純物を注入する範囲に開口部を有するマスク層を形成しておく。また、半導体基板に注入する不純物の濃度に応じて、照射するイオン量を調整しておく。それにより、半導体基板の所望する位置に、所望する不純物濃度の不純物導入領域を形成することができる。
イオン注入法によると、不純物濃度が同一である複数の不純物導入領域を、同時に形成することができる。その一方において、不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する場合には、それぞれの不純物導入領域を順次形成する必要があり、マスク層の形成工程と不純物イオンの注入工程とマスク層の除去工程を繰り返すこととなる。
不純物導入領域の形成には、イオン注入法が多く利用されている。イオン注入法では、イオン化した不純物を半導体基板の表面に向けて照射し、半導体基板の内部に不純物を注入する。このとき、半導体基板の表面には、不純物を注入する範囲に開口部を有するマスク層を形成しておく。また、半導体基板に注入する不純物の濃度に応じて、照射するイオン量を調整しておく。それにより、半導体基板の所望する位置に、所望する不純物濃度の不純物導入領域を形成することができる。
イオン注入法によると、不純物濃度が同一である複数の不純物導入領域を、同時に形成することができる。その一方において、不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する場合には、それぞれの不純物導入領域を順次形成する必要があり、マスク層の形成工程と不純物イオンの注入工程とマスク層の除去工程を繰り返すこととなる。
特許文献1には、複数回のイオン注入工程を必要とすることなく、不純物濃度が異なる2つの不純物導入領域を形成する技術が記載されている。この技術では、先ず、半導体基板の表面に、第1開口部を有する第1マスク層を形成する。次いで、第1マスク層および半導体基板の表面に、第2開口部を有する第2マスク層を形成する。第1開口部と第2開口部は、一部が重複するように形成する。それにより、半導体基板の表面に、第1マスク層および第2マスク層のいずれにも被覆されていない範囲と、第1マスク層又は第2マスク層の一方のみによって被覆されている範囲と、第1マスク層および第2マスク層の両方によって被覆されている範囲を設けている。
次いで、イオン注入工程を実施する。このとき、第1マスク層および第2マスク層のいずれにも被覆されていない範囲では、照射された不純物イオンがマスク層によって遮断されないことから、高濃度の不純物導入領域が形成される。第1マスク層又は第2マスク層の一方のみによって被覆される範囲では、照射された不純物イオンの一部がマスク層によって遮断されることから、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1マスク層および第2マスク層の両方によって被覆されている範囲では、照射された不純物イオンが完全に遮断されることから、不純物導入領域が形成されない。
次いで、イオン注入工程を実施する。このとき、第1マスク層および第2マスク層のいずれにも被覆されていない範囲では、照射された不純物イオンがマスク層によって遮断されないことから、高濃度の不純物導入領域が形成される。第1マスク層又は第2マスク層の一方のみによって被覆される範囲では、照射された不純物イオンの一部がマスク層によって遮断されることから、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1マスク層および第2マスク層の両方によって被覆されている範囲では、照射された不純物イオンが完全に遮断されることから、不純物導入領域が形成されない。
特許文献1の技術では、第1マスク層を形成する工程と、第2マスク層を形成する工程を必要とする。第1マスク層を形成する工程では、第1開口部を形成するために、フォトリソグラフィ工程を実施している。また、第2マスク層を形成する工程でも、第2開口部を形成するために、フォトリソグラフィ工程を実施している。特許文献1の技術では、マスク層を形成する段階で、成膜工程と露光工程と現像工程を含む一連のフォトリソグラフィ工程を少なくとも2回実施する必要がある。
本発明は、上記の課題を解決する。本発明は、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。
本発明は、上記の課題を解決する。本発明は、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成可能な技術を提供する。
本発明は、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法を提供する。この方法は、半導体基板の表面に第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、第1レジスト層の表面に第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光工程と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程を備えている。
この方法では、先ず、半導体基板の表面に、露光感度の異なるポジ型の第1レジスト層と第2レジスト層を形成する。ここで、下層に位置する第1レジスト層は、上層に位置する第2レジスト層よりも、感光するのに必要な光量が大きくなるようにする。即ち、露光感度が低くなるようにする。
露光工程では、半導体基板の表面に積層したレジスト層を、第1所定範囲については第1レジスト層と第2レジスト層の両者が感光する光量で露光し、第2所定範囲については第2レジスト層のみが感光する光量で露光する。
現像工程では、第1レジスト層と第2レジスト層の感光した部分が除去される。従って、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去される第1所定範囲と、第2レジスト層のみが除去される第2所定範囲と、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されない残余の範囲が現像される。
その結果、イオン注入工程において、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去された第1所定範囲では、照射された不純物イオンがレジスト層によって遮断されず、不純物濃度の高い不純物導入領域が形成される。一方、第2レジスト層のみが除去された第2所定範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層によって一部遮断され、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されなかった残余の範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層と第2レジスト層によって完全に遮断され、不純物導入領域は形成されない。
この方法によると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
露光工程では、半導体基板の表面に積層したレジスト層を、第1所定範囲については第1レジスト層と第2レジスト層の両者が感光する光量で露光し、第2所定範囲については第2レジスト層のみが感光する光量で露光する。
現像工程では、第1レジスト層と第2レジスト層の感光した部分が除去される。従って、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去される第1所定範囲と、第2レジスト層のみが除去される第2所定範囲と、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されない残余の範囲が現像される。
その結果、イオン注入工程において、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去された第1所定範囲では、照射された不純物イオンがレジスト層によって遮断されず、不純物濃度の高い不純物導入領域が形成される。一方、第2レジスト層のみが除去された第2所定範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層によって一部遮断され、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されなかった残余の範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層と第2レジスト層によって完全に遮断され、不純物導入領域は形成されない。
この方法によると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
上記の方法において、前記露光工程では、前記第1所定範囲に第1強度の光を所定の露光時間に亘って照射するとともに、前記第2所定範囲に第1強度よりも弱い第2強度の光を前記所定の露光時間に亘って照射することが好ましい。
第1レジスト層と第2レジスト層に照射する光の光量は、照射する光の強度によって調整することができる。この方法によると、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射する露光時間と、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光時間を、同一に設定することができる。
第1レジスト層と第2レジスト層に照射する光の光量は、照射する光の強度によって調整することができる。この方法によると、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射する露光時間と、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光時間を、同一に設定することができる。
上記の方法において、前記露光工程では、前記第1所定範囲に照射される光の強度を前記第1強度にするとともに、前記第2所定範囲へ照射される光の強度を前記第2強度にする遮光マスクを使用することが好ましい。
この方法によると、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するのと同時に、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射することができる。
この方法によると、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するのと同時に、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射することができる。
本発明の技術は、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成するシステムを提供する。このシステムは、半導体基板の表面に第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成装置と、第1レジスト層の表面に第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成装置と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光装置と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像装置と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入装置を備えている。
このシステムによると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
このシステムによると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
本発明の技術は、ネガ型のレジスト材料が使用可能な方法に具現化することもできる。この方法は、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、半導体基板の表面に第4光量で感光するネガ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、第1レジスト層の表面に第4光量よりも多い第5光量で感光するネガ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲に第5光量以上の光を照射するとともに第2所定範囲に第5光量未満であって第4光量以上の光を照射する露光工程と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程を備えている。
この方法では、先ず、半導体基板の表面に、露光感度の異なるネガ型の第1レジスト層と第2レジスト層を形成する。ここで、下層に位置する第1レジスト層は、上層に位置する第2レジスト層よりも、感光するのに必要な光量が小さくなるようにする。即ち、露光感度が高くなるようにする。
露光工程では、半導体基板の表面に積層したレジスト層を、第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲については第1レジスト層と第2レジスト層の両者が感光する光量で露光し、第2所定範囲については第1レジスト層のみが感光する光量で露光する。
現像工程では、第1レジスト層と第2レジスト層の感光していない部分が除去される。従って、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去される第1所定範囲と、第2レジスト層のみが除去される第2所定範囲と、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されない残余の範囲が現像される。
その結果、イオン注入工程において、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去された第1所定範囲では、照射された不純物イオンがレジスト層によって遮断されず、不純物濃度の高い不純物導入領域が形成される。一方、第2レジスト層のみが除去された第2所定範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層によって一部遮断され、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されなかった残余の範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層と第2レジスト層によって完全に遮断され、不純物導入領域は形成されない。
この方法によると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
露光工程では、半導体基板の表面に積層したレジスト層を、第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲については第1レジスト層と第2レジスト層の両者が感光する光量で露光し、第2所定範囲については第1レジスト層のみが感光する光量で露光する。
現像工程では、第1レジスト層と第2レジスト層の感光していない部分が除去される。従って、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去される第1所定範囲と、第2レジスト層のみが除去される第2所定範囲と、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されない残余の範囲が現像される。
その結果、イオン注入工程において、第1レジスト層と第2レジスト層の両者が除去された第1所定範囲では、照射された不純物イオンがレジスト層によって遮断されず、不純物濃度の高い不純物導入領域が形成される。一方、第2レジスト層のみが除去された第2所定範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層によって一部遮断され、低濃度の不純物導入領域が形成される。そして、第1レジスト層と第2レジスト層のいずれも除去されなかった残余の範囲では、照射された不純物イオンが第1レジスト層と第2レジスト層によって完全に遮断され、不純物導入領域は形成されない。
この方法によると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
本発明の技術は、ネガ型のレジスト材料が使用可能なシステムに具現化することもできる。このシステムは、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成するシステムであって、半導体基板の表面に第4光量で感光するネガ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成装置と、第1レジスト層の表面に第4光量よりも多い第5光量で感光するネガ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成装置と、第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲に第5光量以上の光を照射するとともに第2所定範囲に第5光量未満であって第4光量以上の光を照射する露光装置と、露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像装置と、現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入装置を備えている。
このシステムによると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
このシステムによると、複数回のフォトリソグラフィ工程を実施することなく、半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成することができる。
本発明によって、半導体装置の製造プロセスを簡素化することが可能となる。複雑な構造を有する半導体装置を、簡素な製造プロセスによって製造することが可能となる。
最初に、以下に説明する実施例の主要な特徴を列記する。
(特徴1) 半導体処理システムは、半導体基板の表面に第1レジスト層を形成し、第1レジスト層の表面に第2レジスト層を形成し、第2レジスト層の表面に第3レジスト層を形成する。ここで、各レジスト層をポジ型のレジスト材料によって形成する場合は、第1レジスト層の露光感度よりも第2レジスト層の露光感度を高くし、第2レジスト層の露光感度よりも第3レジスト層の露光感度を高くする。各レジスト層をネガ型のレジスト材料によって形成する場合は、第1レジスト層の露光感度よりも第2レジスト層の露光感度を低くし、第2レジスト層の露光感度よりも第3レジスト層の露光感度を低くする。ここで、露光感度が高いレジスト材料ほど、感光するのに必要な光量は少ない。
(特徴2) 半導体処理システムは、第1レジスト層と第2レジスト層と第3レジスト層を含むレジスト層の各範囲に、それぞれ異なる強度の光を所定の露光時間に亘って同時に照射する。なお、半導体処理システムでは、レジスト層の各範囲に対して光を同時に照射する必要は必ずしもない。例えば第1の範囲のみに第1強度の光を所定の露光時間に亘って照射する工程と、第2の範囲のみに第2光量の光を所定の露光時間に亘って照射する工程と、第3の範囲のみに第3光量の光を所定の露光時間に亘って照射する工程を、それぞれ実施してもよい。あるいは、第1の範囲のみに第3強度(第1強度の略3分の1の強度とする)の光を照射する工程と、第1の範囲と第2範囲だけに第3強度の光を照射する工程と、第1の範囲と第2範囲と第3範囲に第3強度の光を照射する工程を、それぞれ実施してもよい。各範囲に照射する光の光量は、照射する光の強度や照射時間によって調整することができる。
(特徴1) 半導体処理システムは、半導体基板の表面に第1レジスト層を形成し、第1レジスト層の表面に第2レジスト層を形成し、第2レジスト層の表面に第3レジスト層を形成する。ここで、各レジスト層をポジ型のレジスト材料によって形成する場合は、第1レジスト層の露光感度よりも第2レジスト層の露光感度を高くし、第2レジスト層の露光感度よりも第3レジスト層の露光感度を高くする。各レジスト層をネガ型のレジスト材料によって形成する場合は、第1レジスト層の露光感度よりも第2レジスト層の露光感度を低くし、第2レジスト層の露光感度よりも第3レジスト層の露光感度を低くする。ここで、露光感度が高いレジスト材料ほど、感光するのに必要な光量は少ない。
(特徴2) 半導体処理システムは、第1レジスト層と第2レジスト層と第3レジスト層を含むレジスト層の各範囲に、それぞれ異なる強度の光を所定の露光時間に亘って同時に照射する。なお、半導体処理システムでは、レジスト層の各範囲に対して光を同時に照射する必要は必ずしもない。例えば第1の範囲のみに第1強度の光を所定の露光時間に亘って照射する工程と、第2の範囲のみに第2光量の光を所定の露光時間に亘って照射する工程と、第3の範囲のみに第3光量の光を所定の露光時間に亘って照射する工程を、それぞれ実施してもよい。あるいは、第1の範囲のみに第3強度(第1強度の略3分の1の強度とする)の光を照射する工程と、第1の範囲と第2範囲だけに第3強度の光を照射する工程と、第1の範囲と第2範囲と第3範囲に第3強度の光を照射する工程を、それぞれ実施してもよい。各範囲に照射する光の光量は、照射する光の強度や照射時間によって調整することができる。
(実施例1)
本発明の実施例1について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明を具現化した半導体処理システム(以下、単にシステムと略す)100を示している。このシステム100は、半導体基板10に、不純物濃度が異なる複数の不純物拡散領域を形成する。以下の説明では、このシステム100を用いて、半導体基板10に三段型リサーフ層を形成する例について説明する。図7に示すように、三段型リサーフ層14は、高濃度の不純物拡散領域である高濃度リサーフ層14bと、中濃度の不純物拡散領域である中濃度リサーフ層14cと、低濃度の不純物拡散領域である低濃度リサーフ層14dを備えている。高濃度リサーフ層14bと中濃度リサーフ層14cと低濃度リサーフ層14dは、半導体基板10の表面10fに沿って順に位置している。
本実施例では、n型の半導体基板10にp型の不純物を拡散させた三段型リサーフ層14を形成する場合を例に挙げて説明するが、p型の半導体基板にn型の不純物拡散領域を形成することも同様に可能である。
本発明の実施例1について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明を具現化した半導体処理システム(以下、単にシステムと略す)100を示している。このシステム100は、半導体基板10に、不純物濃度が異なる複数の不純物拡散領域を形成する。以下の説明では、このシステム100を用いて、半導体基板10に三段型リサーフ層を形成する例について説明する。図7に示すように、三段型リサーフ層14は、高濃度の不純物拡散領域である高濃度リサーフ層14bと、中濃度の不純物拡散領域である中濃度リサーフ層14cと、低濃度の不純物拡散領域である低濃度リサーフ層14dを備えている。高濃度リサーフ層14bと中濃度リサーフ層14cと低濃度リサーフ層14dは、半導体基板10の表面10fに沿って順に位置している。
本実施例では、n型の半導体基板10にp型の不純物を拡散させた三段型リサーフ層14を形成する場合を例に挙げて説明するが、p型の半導体基板にn型の不純物拡散領域を形成することも同様に可能である。
図1に示すように、本実施例のシステム100は、レジスト層形成装置102と、露光装置110と、現像装置112と、イオン注入装置114と、熱処理装置116を備えている。
レジスト層形成装置102は、第1レジスト層形成装置104と、第2レジスト層形成装置106と、第3レジスト層形成装置108を備えている。第1レジスト層形成装置104は、第1種類のフォトレジスト材料を用いて、半導体基板10の上に露光前の第1レジスト層を形成することができる。第2レジスト層形成装置106は、第2種類のフォトレジスト材料を用いて、第1レジスト層の上に露光前の第2レジスト層を形成することができる。第3レジスト層形成装置108は、第3種類のフォトレジスト材料を用いて、第2レジスト層の上に露光前の第3レジスト層を形成することができる。それにより、レジスト層形成装置102は、半導体基板10の上に、3種類のフォトレジスト材料を用いて3層構造を有する露光前のレジスト層を積層することができる。本実施例では、第1種類のフォトレジスト材料に、第1光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。また、第2種類のフォトレジスト材料に、第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。また、第3種類のフォトレジスト材料に、第2光量よりも少ない第3光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。ここで、第2光量は第1光量の略3分の2であり、第3光量は第1光量の略3分の1である。
レジスト層形成装置102は、第1レジスト層形成装置104と、第2レジスト層形成装置106と、第3レジスト層形成装置108を備えている。第1レジスト層形成装置104は、第1種類のフォトレジスト材料を用いて、半導体基板10の上に露光前の第1レジスト層を形成することができる。第2レジスト層形成装置106は、第2種類のフォトレジスト材料を用いて、第1レジスト層の上に露光前の第2レジスト層を形成することができる。第3レジスト層形成装置108は、第3種類のフォトレジスト材料を用いて、第2レジスト層の上に露光前の第3レジスト層を形成することができる。それにより、レジスト層形成装置102は、半導体基板10の上に、3種類のフォトレジスト材料を用いて3層構造を有する露光前のレジスト層を積層することができる。本実施例では、第1種類のフォトレジスト材料に、第1光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。また、第2種類のフォトレジスト材料に、第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。また、第3種類のフォトレジスト材料に、第2光量よりも少ない第3光量で感光するポジ型のフォトレジスト材料を使用する。ここで、第2光量は第1光量の略3分の2であり、第3光量は第1光量の略3分の1である。
図2は、システム100を用いて、半導体基板10に三段型リサーフ層14を形成する手順を示すフローチャートである。図2に示すフローに沿って、三段型リサーフ層14を形成する手順について説明する。図7に示すように、三段型リサーフ層14を形成するためには、半導体基板10の第1領域10b内に高濃度リサーフ層14bを形成し、半導体基板10の第2領域10c内に中濃度リサーフ層14cを形成し、半導体基板10の第3領域10d内に低濃度リサーフ層14dを形成する必要がある。半導体基板10の他の領域10a、10eには、不純物拡散領域を形成しない。
図2のステップS2では、第1レジスト層形成装置104を用いて、図3に示すように、半導体基板10の表面10f上に第1レジスト層21を形成する。第1レジスト層21は、第1光量以上の光によって感光するポジ型のフォトレジスト層である。即ち、第1レジスト層21は、第1光量以上の光で露光された範囲が、現像処理によって除去される。
図2のステップS4では、図3に示すように、第2レジスト層形成装置106を用いて、第1レジスト層21の表面21f上に第2レジスト層22を形成する。第2レジスト層22は、第1光量よりも少ない第2光量以上の光によって感光するポジ型のフォトレジスト層である。即ち、第2レジスト層22は、第2光量以上の光で露光された範囲が、現像処理によって除去される。
図2のステップS6では、図3に示すように、第3レジスト層形成装置108を用いて、第2レジスト層22の表面22f上に第3レジスト層23を形成する。第3レジスト層23は、第2光量よりも少ない第3光量以上の光によって感光するポジ型のフォトレジスト層である。即ち、第3レジスト層23は、第3光量以上の光で露光された範囲が、現像処理によって除去される。
図2のステップS4では、図3に示すように、第2レジスト層形成装置106を用いて、第1レジスト層21の表面21f上に第2レジスト層22を形成する。第2レジスト層22は、第1光量よりも少ない第2光量以上の光によって感光するポジ型のフォトレジスト層である。即ち、第2レジスト層22は、第2光量以上の光で露光された範囲が、現像処理によって除去される。
図2のステップS6では、図3に示すように、第3レジスト層形成装置108を用いて、第2レジスト層22の表面22f上に第3レジスト層23を形成する。第3レジスト層23は、第2光量よりも少ない第3光量以上の光によって感光するポジ型のフォトレジスト層である。即ち、第3レジスト層23は、第3光量以上の光で露光された範囲が、現像処理によって除去される。
以上のステップS2〜S6によって、半導体基板10の表面10fに、露光感度が厚み方向に変化する三層構造のポジ型レジスト層20を形成する。レジスト層20では、半導体基板10側から順に、露光感度が低感度である第1レジスト層21と、露光感度が中感度である第2レジスト層22と、露光感度が高感度である第3レジスト層23が積層されている。第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23の層厚は、互いに同一であってもよいし、互いに異ならせてもよい。本実施例では、各レジスト層21、22、23の層厚を同一に設定している。各レジスト層21、22、23の層厚は、後のイオン注入時において半導体基板10の各領域10a〜10eの上に必要とされるレジスト層20の層厚に応じて決定されている。そして、半導体基板10の各領域10a〜10eの上に必要とされるレジスト層20の層厚は、半導体基板10に形成する3種類のリサーフ層14b、14c、14dの不純物濃度差に応じて決定されている。
図2のステップS8では、露光装置110を用いて、レジスト層20を露光する処理を行う。図4を参照して、露光装置110を用いた露光処理について説明する。図4に示すように、露光装置110は、遮光マスク30を備えており、図示省略する光源からの光(例えば紫外線)2を遮光マスク30を介してレジスト層20に照射する。レジスト層20への光2の照射は、所定の露光時間に亘って行われる。図中では半導体基板10の露光範囲と遮光マスク30のサイズが略同一に図示されているが、実際には半導体基板10の露光範囲とよりも遮光マスク30の方が大きい。露光装置110は、いわゆる縮小投影型の露光装置であり、遮光マスク30の像を光学系(図示省略)によって縮小してレジスト層20に転写する。
遮光マスク30は、ガラス基板32と、ガラス基板32上に形成された遮光層34を備える。遮光層34は、クロム等の金属によって形成することができる。遮光層34は、層厚が十分に厚ければ光源からの光2を完全に遮断するが、層厚が薄ければ光源からの光2の一部を透過させる。このときの光透過率は、遮光層34の層厚に応じて変化する。本実施例の遮光マスク30では、複数の範囲30a、30b、30c、30d、30e毎に、遮光層34の層厚が定められている。
遮光マスク30は、ガラス基板32と、ガラス基板32上に形成された遮光層34を備える。遮光層34は、クロム等の金属によって形成することができる。遮光層34は、層厚が十分に厚ければ光源からの光2を完全に遮断するが、層厚が薄ければ光源からの光2の一部を透過させる。このときの光透過率は、遮光層34の層厚に応じて変化する。本実施例の遮光マスク30では、複数の範囲30a、30b、30c、30d、30e毎に、遮光層34の層厚が定められている。
遮光マスク30の第1範囲30bは、半導体基板10の第1領域10bに対応する範囲である。遮光マスク30の第1範囲30bでは、遮光層34が形成されていない。即ち、遮光層34の層厚がゼロに設定されている。それにより、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲のレジスト層20bには、強度L1の光が所定の露光時間に亘って照射される。強度L1は、光源からの光2と略同一の強度である。光源からの光2の強度L1と露光時間は、強度L1の光を露光時間に亘って照射したときに、その光量が第1光量以上となるように設定されている。従って、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲のレジスト層20bは、第1光量以上の光によって露光されるようになっている。その結果、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲のレジスト層20では、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23のすべてが感光する。
遮光マスク30の第2範囲30cは、半導体基板10の第2領域10cに対応する範囲である。遮光マスク30の第2範囲30cでは、遮光層34の層厚がt2に設定されている。この層厚t2は、光源からの光2を略3分の1だけ遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cには、強度L2の光が前記所定の露光時間に亘って照射される。強度L2は光源からの光2の強度L1の略3分の2であり、強度L2の光を前記所定の露光時間に亘って照射すると、その光量は第1光量未満であって第2光量以上となる。従って、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cは、第1光量未満であって第2光量以上の光によって露光されるようになっている。その結果、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cでは、第2レジスト層22と第3レジスト層23が感光し、第1レジスト層21は感光しないままとなる。
遮光マスク30の第3範囲30dは、半導体基板10の第3領域10dに対応する範囲である。遮光マスク30の第3範囲30dでは、遮光層34の層厚がt3に設定されている。この層厚t3は、光源からの光2を略3分の2だけ遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dには、強度L3の光が前記所定の露光時間に亘って照射される。強度L3は光源からの光2の略3分の1の強度であり、強度L3の光を前記所定の露光時間に亘って照射すると、その光量は第2光量未満であって第3光量以上となる。従って、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dは、第2光量未満であって第3光量以上の光によって露光されるようになっている。その結果、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dでは、第3レジスト層23のみが感光し、第1レジスト層21と第2レジスト層22は感光しないままとなる。
遮光マスク30の残余の範囲30a、30eは、半導体基板10の残余の領域10a、10eに対応する範囲である。遮光マスク30の残余の範囲30a、30eは、遮光層34の層厚がt4に設定されている。この層厚t4は、光源からの光2を完全に遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の残余の領域10a、10eの上に位置する範囲のレジスト層20には、光源からの光2が照射されないようになっている。その結果、半導体基板10の残余の領域10a、10eの上に位置する範囲のレジスト層20では、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23のすべてが感光しないままとなる。
このように、露光装置110では、レジスト層20の複数の範囲20b、20c、20dを、互いに異なる光量の光によって露光する。なお、レジスト層20の各範囲20b、20c、20dに照射する光の光量は、上記のように照射する光の強度を調節してもよいし、あるいは光を照射する露光時間を調節してもよい。この場合、例えば3種類の遮光マスクを用意し、先ず第1のマスクを用いてレジスト層20の第1範囲20bのみに光を照射し、次いで第2のマスクを用いてレジスト層20の第1範囲20bと第2範囲20cだけに光を照射し、次いで第3のマスクを用いてレジスト層20の第1範囲20bと第2範囲20cと第3範囲20dに光を照射する。この手法によっても、レジスト層20の各範囲20b、20c、20dに照射する光の光量を相違させることができる。
図2のステップS10では、現像装置112を用いて、露光したレジスト層20を現像する処理を行う。図5に示すように、レジスト層20を現像することによって、レジスト層20の露光した部分は除去される。第1レジスト層21には、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲に開口部21hが形成される。第2レジスト層22には、半導体基板10の第1領域10bと第2領域10cの上に位置する範囲に開口部22hが形成される。第3レジスト層23には、半導体基板10の第1領域10bと第2領域10cと第3領域10dの上に位置する範囲に開口部23hが形成される。このように、レジスト層20には、遮光マスク30に形成されていた光透過率の分布像が、レジスト層20の層厚によって現像される。その結果、半導体基板10の第1領域10bは、レジスト層20が完全に除去されて露出されている。半導体基板10の第2領域10cは、第1レジスト層21のみによって被覆されている。半導体基板10の第3領域10dは、第1レジスト層21と第2レジスト層22によって被覆されている。半導体基板10の残余の領域10a、10eは、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23によって被覆されている。半導体基板10の残余の領域10a、10eを被覆するレジスト層20の層厚に対して、半導体基板10の第3領域10dを被覆するレジスト層20の層厚は略3分の2倍となり、半導体基板10の第2領域10cを被覆するレジスト層20の層厚は略3分の1倍となり、半導体基板10の第1領域10bを被覆するレジスト層20の層厚はゼロ倍となる。
図2のステップS12では、イオン注入装置114を用いて、半導体基板10にp型不純物を導入する。本実施例では、p型不純物にボロン(ホウ素:元素記号B)を用いる。図6に示すように、イオン注入装置114は、ボロンを含むイオン原料(例えばフッ化ボロン:化学式BF3)をイオン化し、ボロンを含むイオンビーム4を半導体基板10の表面10fに向けて照射する。
半導体基板10の表面10fに形成されたレジスト層20は、層厚が十分に厚ければイオンビーム4を完全に遮断するが、層厚が薄ければイオンビーム4の一部を透過させる。具体的には、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23の3層を合わせた層厚であれば、イオンビーム4を完全に遮断することができる。第1レジスト層21と第2レジスト層22の2層を合わせた層厚であれば、イオンビーム4の略3分の2を遮断するとともに略3分の1を透過させる。第1レジスト層21のみの層厚であれば、イオンビーム4の略3分の1を遮断するとともに略3分の2を透過させる。
半導体基板10の第1領域10bには、レジスト層20が形成されていない。従って、半導体基板10の第1領域10bには、多量のp型不純物が注入された高濃度導入領域12bが形成される。半導体基板10の第2領域10cには、第1レジスト層21のみが形成されている。従って、半導体基板10の第2領域10cには、中量のp型不純物が注入された中濃度導入領域12cが形成される。半導体基板10の第3領域10dには、第1レジスト層21と第2レジスト層22の2層が形成されている。従って、半導体基板10の第3領域10dには、少量のp型不純物が注入された低濃度導入領域12dが形成される。半導体基板10の残余の領域10a、10eには、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23の3層が形成されている。従って、半導体基板10の残余の領域10a、10eには、p型不純物が注入されない。
半導体基板10の表面10fに形成されたレジスト層20は、層厚が十分に厚ければイオンビーム4を完全に遮断するが、層厚が薄ければイオンビーム4の一部を透過させる。具体的には、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23の3層を合わせた層厚であれば、イオンビーム4を完全に遮断することができる。第1レジスト層21と第2レジスト層22の2層を合わせた層厚であれば、イオンビーム4の略3分の2を遮断するとともに略3分の1を透過させる。第1レジスト層21のみの層厚であれば、イオンビーム4の略3分の1を遮断するとともに略3分の2を透過させる。
半導体基板10の第1領域10bには、レジスト層20が形成されていない。従って、半導体基板10の第1領域10bには、多量のp型不純物が注入された高濃度導入領域12bが形成される。半導体基板10の第2領域10cには、第1レジスト層21のみが形成されている。従って、半導体基板10の第2領域10cには、中量のp型不純物が注入された中濃度導入領域12cが形成される。半導体基板10の第3領域10dには、第1レジスト層21と第2レジスト層22の2層が形成されている。従って、半導体基板10の第3領域10dには、少量のp型不純物が注入された低濃度導入領域12dが形成される。半導体基板10の残余の領域10a、10eには、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23の3層が形成されている。従って、半導体基板10の残余の領域10a、10eには、p型不純物が注入されない。
図2のステップS14では、レジスト層20を除去する処理が行われる。続くステップS16では、熱処理装置116を用いて、半導体基板10を加熱するアニール処理を実施する。このアニール処理では、半導体基板10を700度程度まで加熱する。それにより、半導体基板10に注入したp型不純物を、半導体基板10の結晶構造内に拡散させることができる。図7に示すように、半導体基板10の第1領域10bには、p型不純物が高濃度に拡散した高濃度リサーフ層14bが形成される。半導体基板10の第2領域10cには、p型不純物が中濃度に拡散した中濃度リサーフ層14cが形成される。半導体基板10の第3領域10dには、p型不純物が低濃度に拡散した低濃度リサーフ層14dが形成される。高濃度リサーフ層14bと中濃度リサーフ層14cと低濃度リサーフ層14dは、半導体基板10の面方向に沿って不純物濃度が3段階に変化する3段型リサーフ層14を構成する。
以上のように、本実施例で説明したシステム100および手順によって、半導体基板10に不純物濃度が異なる複数の不純物拡散領域14b、14c、14dを形成することができる。本実施例で説明したシステム100および手順によると、レジスト層の形成、露光、現像、除去を含む一連のフォトリソグラフィ工程を、一度だけ実施すれば足りる。一連のフォトリソグラフィ工程を繰り返し実施する必要がないので、半導体装置の製造システムや製造プロセスを簡単化することができる。
(実施例2)
本発明の実施例2について図面を参照しながら説明する。実施例2では、実施例1と同様に、図1に示すシステム100を用いて、図7に示す三段型リサーフ層14を半導体基板10に形成する。実施例2の三段型リサーフ層14の形成手順は、実施例1と同様に、図2に示すフローチャートによって示される。
ただし、実施例2では、レジスト層20の形成に、ネガ型のフォトレジスト材料を利用する。それにより、レジスト層20の構成や露光装置110による露光方法が変更されている。以下の説明では、実施例1と異なる点を主に説明し、実施例1と一致する点についての説明は避けるように努める。
本発明の実施例2について図面を参照しながら説明する。実施例2では、実施例1と同様に、図1に示すシステム100を用いて、図7に示す三段型リサーフ層14を半導体基板10に形成する。実施例2の三段型リサーフ層14の形成手順は、実施例1と同様に、図2に示すフローチャートによって示される。
ただし、実施例2では、レジスト層20の形成に、ネガ型のフォトレジスト材料を利用する。それにより、レジスト層20の構成や露光装置110による露光方法が変更されている。以下の説明では、実施例1と異なる点を主に説明し、実施例1と一致する点についての説明は避けるように努める。
図2に示すフローチャートに沿って、実施例2による三段型リサーフ層14の形成手法について説明する。図2のステップS2〜S6では、実施例1と同様に、半導体基板10の表面10fに、三層構造を有する露光前のレジスト層20を形成する(図3参照)。ただし実施例2では、第1レジスト層21を形成するフォトレジスト材料に、第4光量で感光するネガ型のレジスト材料を使用する。また、第2レジスト層22を形成するフォトレジスト材料に、第4光量よりも多い第5光量で感光するネガ型のフォトレジスト材料を使用する。また、第3レジスト層23を形成するフォトレジスト材料に、第5光量よりも多い第6光量で感光するネガ型のフォトレジスト材料を使用する。ここで、第4光量は第6光量の略3分の1であり、第5光量は第6光量の略3分の2である。
このように、実施例2の手法では、半導体基板10の表面10fに、露光感度が厚み方向に変化する三層構造のネガ型レジスト層20を形成する。レジスト層20では、半導体基板10側から順に、露光感度が高感度である第1レジスト層21と、露光感度が中感度である第2レジスト層22と、露光感度が低感度である第3レジスト層23が積層されている。
このように、実施例2の手法では、半導体基板10の表面10fに、露光感度が厚み方向に変化する三層構造のネガ型レジスト層20を形成する。レジスト層20では、半導体基板10側から順に、露光感度が高感度である第1レジスト層21と、露光感度が中感度である第2レジスト層22と、露光感度が低感度である第3レジスト層23が積層されている。
図2のステップS8では、露光装置110を用いて、レジスト層20を露光する処理を行う。図8を参照して、実施例2における露光処理について説明する。図8に示すように、実施例2では、実施例1とは異なる遮光マスク80を使用する。遮光マスク80は、ガラス基板82と、ガラス基板82上に形成された遮光層84を備える。本実施例の遮光マスク80においても、複数の範囲80a、80b、80c、80d、80e毎に、遮光層84の層厚が定められている。
遮光マスク80の第1範囲80bは、半導体基板10の第1領域10bに対応する範囲である。遮光マスク80の第1範囲80bでは、遮光層84の層厚がt4に設定されている。この層厚t4は、光源からの光2を完全に遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲のレジスト層20bには、光源からの光2が照射されないようになっている。その結果、半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲のレジスト層20bでは、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23のすべてが感光しないままとなる。
遮光マスク80の第2範囲80cは、半導体基板10の第2領域10cに対応する範囲である。遮光マスク80の第2範囲80cでは、遮光層84の層厚がt3に設定されている。この層厚t3は、光源からの光2を略3分の2だけ遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cには、強度L3の光が前記所定の露光時間に亘って照射される。強度L3は光源からの光2の強度L1の略3分の1であり、強度L3の光を前記所定の露光時間に亘って照射すると、その光量は第4光量以上であって第5光量未満となる。従って、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cは、第4光量以上であって第5光量未満の光によって露光される。その結果、半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲のレジスト層20cでは、第1レジスト層21のみが感光し、第2レジスト層22と第3レジスト層23は感光しないままとなる。
遮光マスク80の第3範囲80dは、半導体基板10の第3領域10dに対応する範囲である。遮光マスク80の第3範囲80dでは、遮光層84の層厚がt2に設定されている。この層厚t2は、光源からの光2を略3分の1だけ遮断する厚さである。それにより、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dには、強度L2の光が前記所定の露光時間に亘って照射される。強度L2は光源からの光2の略3分の2の強度であり、強度L2の光を前記所定の露光時間に亘って照射すると、その光量は第5光量以上であって第6光量未満となる。従って、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dは、第5光量以上であって第6光量未満の光によって露光される。その結果、半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲のレジスト層20dでは、第1レジスト層21と第2レジスト層22が感光し、第3レジスト層23は感光しないままとなる。
遮光マスク80の残余の範囲80a、80eは、半導体基板10の残余の領域10a、10eに対応する範囲である。遮光マスク80の残余の範囲80a、80eでは、遮光層84が形成されていない。即ち、遮光層34の層厚がゼロに設定されている。それにより、半導体基板10の残余の領域10a、10eの上に位置する範囲のレジスト層20には、強度L1の光が所定の露光時間に亘って照射される。強度L1は光源からの光2の強度に略同一であり、強度L1の光を前記所定の露光時間に亘って照射すると、その光量は第6光量以上となる。その結果、半導体基板10の残余の領域10a、10eの上に位置する範囲のレジスト層20では、第1レジスト層21と第2レジスト層22と第3レジスト層23のすべてが感光する。
このように、本実施例においても、レジスト層20の複数の範囲を、互いに異なる光量の光によって露光する。詳しくは、半導体基板10の第1領域10bと第2領域10cと第3領域10dの上に位置する範囲20b、20c、20dを除いた範囲のレジスト層20については、第6光量以上の光によって露光する。半導体基板10の第3領域10dの上に位置する範囲20dについては、第6光量未満であって第5光量以上の光によって露光する。半導体基板10の第2領域10cの上に位置する範囲20cについては、第5光量未満であって第4光量以上の光によって露光する。半導体基板10の第1領域10bの上に位置する範囲20bについては、露光しない。
図2のステップS10では、現像装置112を用いて、露光したレジスト層20を現像する処理を行う。実施例2のレジスト層20はネガ型である。従って、実施例2の現像処理では、レジスト層20の未露光部分が除去される。その結果、図5に示すように、レジスト層20には実施例1と同じ像(形状)が現像される。以下、図2のステップS12〜S16の処理は、実施例1と同様に行われる。それにより、図7に示すように、半導体基板10に三段型リサーフ層14が形成される。
以上のように、本実施例で説明したシステム100および手順によって、半導体基板10に不純物濃度が異なる複数の不純物拡散領域14b、14c、14dを形成することができる。一連のフォトリソグラフィ工程を繰り返し実施する必要がないので、半導体装置の製造システムや製造プロセスを簡単化することができる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
10:半導体基板
20:レジスト層
21:第1レジスト層
22:第2レジスト層
23:第3レジスト層
30、80:遮光マスク
100:半導体処理システム
102:レジスト層形成装置
104:第1レジスト層形成装置
106:第2レジスト層形成装置
108:第3レジスト層形成装置
110:露光装置
112:現像装置
114:イオン注入装置
116:熱処理装置
20:レジスト層
21:第1レジスト層
22:第2レジスト層
23:第3レジスト層
30、80:遮光マスク
100:半導体処理システム
102:レジスト層形成装置
104:第1レジスト層形成装置
106:第2レジスト層形成装置
108:第3レジスト層形成装置
110:露光装置
112:現像装置
114:イオン注入装置
116:熱処理装置
Claims (6)
- 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、
半導体基板の表面に、第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、
第1レジスト層の表面に、第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、
第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光工程と、
露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、
現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程と、
を備える方法。 - 前記露光工程では、前記第1所定範囲に第1強度の光を所定の露光時間に亘って照射するとともに、前記第2所定範囲に第1強度よりも弱い第2強度の光を前記所定の露光時間に亘って照射することを特徴とする請求項1の方法。
- 前記露光工程では、前記第1所定範囲に照射される光の強度を前記第1強度にするとともに、前記第2所定範囲へ照射される光の強度を前記第2強度にする遮光マスクを使用することを特徴とする請求項2の方法。
- 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成するシステムであって、
半導体基板の表面に、第1光量で感光するポジ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成装置と、
第1レジスト層の表面に、第1光量よりも少ない第2光量で感光するポジ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成装置と、
第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲に第1光量以上の光を照射するとともに、第1レジスト層と第2レジスト層の第2所定範囲に第1光量未満であって第2光量以上の光を照射する露光装置と、
露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像装置と、
現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入装置と、
を備えるシステム。 - 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成する方法であって、
半導体基板の表面に、第4光量で感光するネガ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、
第1レジスト層の表面に、第4光量よりも多い第5光量で感光するネガ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、
第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲に第5光量以上の光を照射するとともに、第2所定範囲に第5光量未満であって第4光量以上の光を照射する露光工程と、
露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像工程と、
現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入工程と、
を備える方法。 - 半導体基板に不純物濃度が異なる複数の不純物導入領域を形成するシステムであって、
半導体基板の表面に、第4光量で感光するネガ型で露光前の第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成装置と、
第1レジスト層の表面に、第4光量よりも多い第5光量で感光するネガ型で露光前の第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成装置と、
第1レジスト層と第2レジスト層の第1所定範囲と第2所定範囲を除く範囲に第5光量以上の光を照射するとともに、第2所定範囲に第5光量未満であって第4光量以上の光を照射する露光装置と、
露光後の第1レジスト層と第2レジスト層を現像する現像装置と、
現像後の半導体基板の表面に向けてイオン化した不純物を照射するイオン注入装置と、
を備えるシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006338983A JP2008153390A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 不純物導入領域を形成する方法およびシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006338983A JP2008153390A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 不純物導入領域を形成する方法およびシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008153390A true JP2008153390A (ja) | 2008-07-03 |
Family
ID=39655265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006338983A Pending JP2008153390A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 不純物導入領域を形成する方法およびシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008153390A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
JPH07135170A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-05-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001237326A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Mosトランジスターのしきい値電圧制御用のイオン注入方法 |
JP2006148003A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006338983A patent/JP2008153390A/ja active Pending
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