JP4968011B2

JP4968011B2 - 半導体装置

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Inventors: 博世良; 崇宮田
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Description

本発明は、階調差の領域を有するフォトマスクを用いて製造された半導体装置に関する。

上記した半導体装置の製造方法は、例えば、基板上に半導体膜を形成し、その上にレジスト膜を形成する。次に、例えば、特許文献１に記載のように、階調差を有するフォトマスク利用して、レジスト膜を段差状に形成する。

具体的には、フォトマスクは、露光光を完全に遮断する遮光部と、光の強度を弱くする半透過部とを有する。それ以外の領域は、光が通過する透過領域となる。そして、上記フォトマスクを用いてレジスト膜を露光することにより、例えば、チャネル領域の部分が厚く形成され、ソース領域及びドレイン領域の部分が薄く形成される。

次に、この段差状のレジスト膜をマスクとして半導体膜をパターンニングする。更に、このレジスト膜の膜厚差を利用して、薄く形成された半導体膜のソース領域とドレイン領域とに、不純物を注入する。

特開２００６−５４４２４号公報

しかしながら、段差状のレジスト膜を形成する際、膜厚の薄い半透過領域に、透過領域からの光が漏れたり周囲から反射したりして入り込むことから、半透過領域と透過領域との境界の薄いレジスト膜を、正規の光強度より強い光で露光する。言い換えれば、境界部分の光強度の制御が難しい。よって、レジスト膜を現像した際、境界部分のレジスト膜が余分に除去されることになり、レジスト膜の線幅及び膜厚の均一性が低下する。これにより、図１１に示すように、上記レジスト膜をマスクとして半導体膜１０１をエッチングした際、半導体膜１０１の線幅１１１（ソース領域１１２からドレイン領域１１３までの幅）の均一性が低下し、エッチングのマージンが少なくなる。その結果、半導体素子の耐圧が低下するという問題がある。

また、半導体膜１０１における半透過領域と透過領域との境界部分Ｋが薄くなってしまうことから、高濃度不純物が注入されてほしくないこの部分Ｘに高濃度不純物が注入されてしまう。これにより、ＬＤＤ構造を形成した際、既に高濃度不純物領域とチャネル領域１１４とが接触していることから、ＬＤＤ構造の機能を果たさなくなるという問題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係るフォトマスクは、光を遮断する遮光部と、前記光の強度を制御する光強度差部と、を有し、前記遮光部は、前記光強度差部と前記光を透過する透過領域との境界の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、光強度差部と透過領域との境界の少なくとも一部に遮光部が設けられているので、フォトマスクを介してレジスト膜を露光した際、透過領域から光が漏れたり、透過領域で光が反射したりしても、遮光部に相当するレジスト膜の部分で光を吸収することが可能となる。言い換えれば、レジスト膜における光強度差部に、余分な光が侵入することを防ぐことができる。よって、光の強さを変えることなく、光強度差部に相当するレジスト膜の部分を露光することができ、正規の幅の線幅にパターンニングできる。これにより、レジスト膜をマスクとして、その下に形成された半導体膜をパターンニングした際、半導体膜をマージンを含む正規の幅に形成することが可能となり、半導体素子の耐圧を確保することができる。また、レジスト膜の線幅を均一に形成できるので、例えば、半導体膜の正規の位置に不純物を注入することが可能となり、ＬＤＤ構造を形成することができる。また、必要な部分のみ遮光部を設けるので、かかるコストを抑えることができる。

［適用例２］本適用例に係るフォトマスクは、光を遮断する遮光部と、前記光の強度を制御する光強度差部と、を有し、前記遮光部は、前記光強度差部の周囲に設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、光強度差部の周囲に遮光部が設けられているので、透過領域から光が漏れたり、透過領域で光が反射したりしても、レジスト膜における光強度差部に余分な光が侵入することを防ぐことができる。よって、光の強さを変えることなく、光強度差部に相当するレジスト膜の部分を露光することができ、このレジスト膜をマスクとして、その下の半導体膜を正規の線幅に形成できる。

［適用例３］上記適用例に係るフォトマスクにおいて、前記光強度差部の周囲にある前記遮光部は、平面視において０．１０μｍ以上、１．００μｍ以下の幅であることが好ましい。

この構成によれば、上記した幅に光強度差部の周囲に設けられた遮光部を設定することにより、フォトマスクを介してレジスト膜を露光した際、略上記した幅にレジスト膜をパターンニングすることができる。

［適用例４］上記適用例に係るフォトマスクにおいて、前記光強度差部は、ハーフトーンで構成されていることが好ましい。

この構成によれば、フォトマスクの光強度差部に、遮光部と材質の異なる所定の膜を形成することによって、露光光の光強度を減衰させることができる。

［適用例５］上記適用例に係るフォトマスクにおいて、前記光強度差部は、複数のスリットで構成されていることが好ましい。

この構成によれば、フォトマスクの光強度差部にスリットを形成することによって露光光の光強度を減衰させることができる。

［適用例６］本適用例に係る半導体装置は、上記に記載されたフォトマスクを用いて製造された半導体装置であって、基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜に高濃度不純物が注入されたソース領域及びドレイン領域と、を有し、前記半導体膜は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲に前記高濃度不純物の注入がされていない領域があると共に、それぞれの領域の略中心から周囲の方向へ順に、前記高濃度不純物の注入量が少なくなるように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、半導体膜がソース領域やドレイン領域の略中心から外側に向かって除々に高濃度不純物が注入されないような領域に形成されているので、チャネル領域と高濃度不純物とが接触することを防ぐことができ、ＬＤＤ構造を形成することができる。

［適用例７］上記適用例に係る半導体装置において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記高濃度不純物の注入量の差ごとに円状の領域で囲まれていることが好ましい。

この構成によれば、不純物の注入量の差によって円状の領域で囲まれているので、チャネル領域と高濃度不純物の領域との間に不純物が注入されていない領域を多く設けることができる。よって、ＬＤＤ構造を作りやすくすることができる。

［適用例８］本適用例に係る半導体装置の製造方法は、上記に記載したフォトマスクを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、基板上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上にレジスト前駆体膜を形成する工程と、前記レジスト前駆体膜の上方に配置された前記フォトマスクを介して、前記レジスト前駆体膜に露光光を照射する工程と、前記レジスト前駆体膜を現像してレジスト膜にする工程と、前記レジスト膜を介して前記半導体膜に処理を施す工程と、を有することを特徴とする。

この方法によれば、上記したフォトマスクを用いて半導体膜を製造するので、半導体膜を正規の幅にパターンニングすることが可能となり、半導体素子の耐圧を確保することができる。また、ＬＤＤ構造の機能を果たすことができる。

図１は、フォトマスクの構成を示す模式図である。（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すフォトマスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、フォトマスクの構成を、図１を参照しながら説明する。

図１に示すように、フォトマスク１１は、マスク基材１２と、露光装置（図示せず）からの露光光の透過率を調整する光強度差部としての半透過膜１３と、略完全に光を遮断する遮光部としての遮光膜１４とを有する。具体的には、フォトマスク１１としてハーフトーンマスクを用いる。以下、フォトマスク１１を「ハーフトーンマスク１１」と称する。マスク基材１２は、ガラス等からなる透明部材で構成されている。

半透過膜１３は、マスク基材１２上に形成されており、例えば、酸化タンタル（ＴａＯ）や酸化クロム（ＣｒＯ）で構成されている。半透過膜１３は、例えば、酸化タンタルの膜厚を調整することによって、透過率（濃淡）を調整することが可能となっている。すなわち、半透過膜１３に光を通すことによって、光の強度を減衰させることができる。例えば、酸化タンタルの膜厚を所定値にすることで、半透過膜１３の透過率を５０％に設定することができ、酸化タンタルの膜厚を所定値より薄くすることで、半透過膜１３の透過率を５０％よりも大きくすることができる。また、５０％に限定されず、半透過膜１３と遮光膜１４との間の所定の透過率であればよい。

遮光膜１４は、半導体膜のチャネル領域３３（図５参照）に相当する領域、及び、半透過膜１３の周囲に形成されている。つまり、ハーフトーンマスク１１は、半透過領域と透過領域とが隣接しないよう、間に遮光領域（遮光膜１４ａ）を設ける構成となっている。遮光膜１４は、例えば、クロム（Ｃｒ）で構成されている。

具体的には、ハーフトーンマスク１１の遮光領域は、半透過膜１３と遮光膜１４とが重なった部分である。また、半透過領域は、遮光膜１４がなく半透過膜１３が露出している部分である。このハーフトーンマスク１１に露光光を照射したとき、遮光膜１４に照射された露光光は、ハーフトーンマスク１１を通過しない。半透過膜１３に照射された露光光は、光強度が低下してハーフトーンマスク１１を通過する。

また、半透過領域の周囲に設けられた遮光膜１４ａの幅Ｗは、レジスト膜を解像することが可能な、例えば、０．１０μｍ以上、１．００μｍ以下である。この幅に遮光膜１４ａを設定することにより、レジスト膜を所望の幅にパターンニングすることができる。

図２〜図８は、半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図である。図２〜図８の各図（ａ）は模式平面図であり、各図（ｂ）は各図（ａ）におけるＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。以下、半導体装置の製造方法を、図２〜図８を参照しながら説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、例えば、ＬＤＤ構造を有するｎチャネル型のＴＦＴである。

まず、図２に示すように、ガラスなどからなる基板２１上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、シリコン酸化膜等からなる下地保護膜２２を成膜する。次に、下地保護膜２２の全面に、多結晶シリコン等の半導体膜２３を形成する。その後、半導体膜２３上にレジスト膜となるレジスト前駆体膜２４を成膜する。レジスト前駆体膜２４は、例えば、ポジ型である。そして、現像処理によって、露光光の照射量に応じて照射されたレジスト前駆体膜２４の部分が除去される。

次に、図３に示すように、レジスト前駆体膜２４をフォトリソグラフィ技術により所定形状にパターニングする。ここで行うフォトリソグラフィ技術は、レジスト前駆体膜２４に転写露光するマスクとして上記したハーフトーンマスク１１を使用する。

具体的には、まず、ハーフトーンマスク１１を介して、露光光をレジスト前駆体膜２４に照射する。ハーフトーンマスク１１の遮光膜１４に照射された露光光は、透過することができずに遮断される。また、半透過膜１３に照射された露光光は、光の強度が減衰されて（透過率が加味されて）、透過する前より光の強度が低下して通過し、レジスト前駆体膜２４を露光する。また、上記した遮光膜１４及び半透過膜１３以外の領域に照射された露光光は、そのままの光強度で通過する。

そして、露光されたレジスト前駆体膜２４を現像することにより、略露光前のレジスト前駆体膜２４の厚みが残った遮光領域に相当する部分２５ａと、レジスト前駆体膜２４が薄く残った半透過領域に相当する部分２５ｂと、を有するレジスト膜２５が完成する。つまり、段差状のレジスト膜２５が完成する。なお、半透過領域の周囲のレジスト膜２５の部分２５ｂは、透過領域からの反射もあり、略中央にあるレジスト膜２５の部分２５ａほど膜厚がない。また、透過領域にあるレジスト前駆体膜２４は全て除去される。

レジスト膜２５における遮光領域の厚みは、例えば、１μｍである。レジスト膜２５における半透過領域の厚みは、例えば、０．４μｍである。

以上のように、ハーフトーンマスク１１の半透過膜１３の周囲に遮光膜１４が設けられているので、ハーフトーンマスク１１を介してレジスト膜２５を形成した際、半透過領域の周囲に膜厚の厚いレジスト膜２５の部分２５ａを形成することができる。この部分２５ａによって、透過領域から漏れたり反射して入り込んできたりした光を吸収することができ、半透過領域のレジスト前駆体膜２４を、正規の形状で均一な膜厚に形成することができる。その結果、レジスト膜２５の半透過領域の線幅がばらつくことを抑えることができる。

次に、図４に示すように、段差状にパターニングされたレジスト膜２５をマスクとして、レジスト膜２５の下層に形成されている半導体膜２３を所定形状にエッチング処理する。半導体膜２３は、後の処理によって形成される、チャネル領域３３と、ソース領域３１と、ドレイン領域３２（いずれも図５参照）とを含むパターンに形成される。エッチング方法としては、ドライエッチング又はウエットエッチング等の各種方法が適用可能である。

このように、レジスト膜２５の線幅が均一かつ所定の幅に形成され、このレジスト膜２５を介して半導体膜２３をパターンニングするので、エッチングの際のマージンを確保することが可能となり、形成される半導体素子４５（図８参照）の耐圧を確保することができる。

また、ソース領域３１及びドレイン領域３２の周囲に、ハーフトーンマスク１１の遮光膜１４に相当する部分３４（図５参照）が形成されているので、エッチングのプロセスにマージンを持たせることが可能となる。更に、レジスト膜２５の線幅が正規の形状に形成されているので、半導体膜２３の形状にマージンを持たせることができる。

次に、図５に示すように、上記したレジスト膜２５をマスクとして、半導体膜２３に対して、高濃度の不純物イオン（リンイオン）２６を、例えば、０．１×１０¹⁵〜１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で注入する。これによって、上記レジスト膜２５における膜厚が薄い半透過領域については、上記高濃度の不純物イオンが高濃度の状態でレジスト膜２５を通過し、半導体膜２３に注入される。

以上により、半導体膜２３にソース領域３１とドレイン領域３２とが形成される。また、ソース領域とドレイン領域との間の領域がチャネル領域３３となる。なお、注入された領域が、ハーフトーンマスク１１の周囲に設けられた遮光膜１４ａに相当する部分３４によって狭くならないように、予め遮光膜１４ａ分を考慮して半透過領域を設定することが望ましい。

以上により、レジスト膜２５をマスクとして、自己整合的（セルフアライメント）に半導体膜２３にソース側高濃度領域３１（後のソース側高濃度領域３１ａ）及びドレイン側高濃度領域３２（後のドレイン側高濃度領域３２ａ）を形成することができる。一方、上記レジスト膜２５の膜厚が厚い領域（遮光領域）については、上記高濃度不純物イオンがレジスト膜２５の領域内において遮断されるため、不純物イオン２６は半導体膜２３の領域には到達しない。このように所定濃度の不純物イオン２６が注入されなかった領域は、不純物が添加されない半導体膜２３から構成されるチャネル領域３３となる。なお、半導体膜２３のエッチングを不純物イオン注入の後に実施する方法も好ましい。

次に、図６に示すように、半導体膜２３上に成膜されたレジスト膜２５を剥離し、半導体膜２３上を含む基板２１上の全面に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等により、例えば、酸化シリコン膜等からなるゲート絶縁膜３５を形成する。その後、ゲート絶縁膜３５上にゲート電極３６となる、例えば、多結晶シリコン等からなる導電膜３６ａを全面に形成する。

なお、これまでに形成した過程において、レジスト膜２５の半透過領域の部分が薄くなっていることから、レジスト膜２５を除去する際、膜厚の薄い半透過領域が無くなってしまい、その下側にある半導体膜２３のソース領域３１及びドレイン領域３２を削って膜厚を薄くする可能性がある。しかしながら、この部分の膜厚が薄くなることによって、周囲との間に傾斜が形成される。この傾斜によって、この半導体膜２３の上にゲート絶縁膜３５を形成した際、ゲート絶縁膜３５の膜厚を確保しやすくでき、その結果、半導体素子４５の耐圧を確保することができる。

次に、図７に示すように、導電膜３６ａ上の全面にレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術により上記レジスト膜を露光及び現像処理し、所定形状にパターニングする。パターンニングされた上記レジスト膜３７は、下層に形成されるチャネル領域３３の領域幅よりも小さく、かつ、チャネル領域３３の両端部にソース側低濃度領域３１ｂ及びドレイン側低濃度領域３２ｂ（いずれも図８参照）が形成されるように位置合わせして形成されている。

次に、図８に示すように、上記所定形状にパターニングしたレジスト膜３７をマスクとして導電膜３６ａをエッチングし、ゲート電極３６を形成する。続けて、ゲート電極３６をマスクとして、例えば、０．１×１０¹³〜１０×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で、半導体膜２３に低濃度の不純物イオン（リンイオン）３８を注入する。このようにして、半導体膜２３のチャネル領域３３の両端部に、ソース側低濃度領域３１ｂ及びドレイン側低濃度領域３２ｂを形成する。このようにして、いわゆるＬＤＤ構造を有する半導体装置４１が完成する。

図９は、図８（ａ）に示す半導体膜を具体的に示す模式平面図である。以下、半導体膜の構成を、図９を参照しながら説明する。

図９に示すように、半導体膜２３は、上記したように、チャネル領域３３と、ソース領域３１（３１ａ，３１ｂ）と、ドレイン領域３２（３２ａ，３２ｂ）とを有する。

ソース領域３１及びドレイン領域３２は、それぞれの略中心が一番不純物濃度が高く、その周囲に向かって除々に不純物濃度が低くなっている。具体的には、ハーフトーンマスク１１において、ソース領域３１及びドレイン領域３２に相当する半透過領域の周囲を遮光膜１４で囲むことによって、遮光膜１４に相当する部分のレジスト膜２５が厚くなる。そして、レジスト膜２５は、そこから内側に向かって除々に薄くなるような分布を持つ。このようなレジスト膜２５を介して半導体膜２３に不純物を注入した際、半導体膜２３は、不純物濃度が一番高い領域４２と、不純物濃度がそれより低い領域４３と、不純物が注入されていない領域４４とを形成することが可能となっている。

つまり、図９に示すように、ソース領域３１及びドレイン領域３２の略中心から、不純物の濃度領域が略円状に変わっていく。そして、ソース領域３１及びドレイン領域３２の周囲にいくに従って不純物濃度が低いことから、ゲート電極３６を形成した後、ＬＤＤ構造のチャネル領域３３の両端にソース側低濃度領域３１ｂ及びドレイン側低濃度領域３２ｂを形成することが可能となる。すなわち、チャネル領域３３と、高濃度領域３１ａ，３２ａとが接触することを防ぐことができ、ＬＤＤ構造としての機能を果たすことができる。

以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態によれば、ハーフトーンマスク１１における半透過膜１３の周囲に遮光膜１４が設けられているので、ハーフトーンマスク１１を介してレジスト前駆体膜２４を露光した際、透過領域から光が漏れたり、透過領域で光が反射したりしても、遮光膜１４に相当するレジスト膜２５の部分２５ａで光を吸収することが可能となる。言い換えれば、レジスト膜２５における半透過領域に、余分な光が侵入することを防ぐことができる。よって、光の強さを変えることなく、半透過領域に相当するレジスト膜２５の部分２５ｂを露光することができ、正規の幅の線幅にパターンニングできる。これにより、レジスト膜２５をマスクとして、その下に形成された半導体膜２３をパターンニングした際、半導体膜２３をマージンを含む正規の幅に形成することが可能となり、半導体素子４５の耐圧を確保することができる。

（２）本実施形態によれば、ハーフトーンマスク１１に遮光膜１４ａが設けられていることにより、このハーフトーンマスク１１を介してレジスト前駆体膜２４を露光した際、半透過領域にあるレジスト膜２５の周囲の膜厚が薄くなることを抑えることができる。よって、例えば、半導体膜２３の正規の位置に所定の量だけ不純物を注入することが可能となり、ＬＤＤ構造を形成することができる。

（３）本実施形態によれば、レジスト膜２５における半透過領域の周囲に、遮光膜１４に相当する部分３４が形成されるので、このレジスト膜２５をマスクとして半導体膜２３をエッチングする際、マージンを持ってパターンニングすることができる。よって、半導体素子４５の耐圧を確保することができる。

なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、フォトマスクはハーフトーンマスク１１に限定されず、多階調マスクであればよく、例えば、スリットを有するスリットマスク（グレイトーンマスク）でもよい。図１０は、スリットマスク５１の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すスリットマスクのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。スリットマスク５１の半透過領域に相当する領域には、開口部５２（スリット）が形成された遮光膜５３が設けられている。また、上記したハーフトーンマスク１１と同様に、光強度差となる半透過領域の周囲には、遮光膜５３ａが設けられている。遮光膜５３，５３ａは、例えば、クロム（Ｃｒ）である。このような構成のスリットマスク５１を介してレジスト前駆体膜２４を露光すると、半透過領域にスリット（開口部５２）が設けられていることから、光の強度を所定の強度に弱めることが可能となる。

（変形例２）
上記したように、ハーフトーンマスク１１における半透過膜１３の周囲に遮光膜１４ａを設ける構成に限定されず、例えば、半透過膜１３の周囲における必要な部分のみに、遮光膜１４ａを設ける構成にしてもよい。

本実施形態に係るフォトマスクの構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。半導体膜を具体的に示す模式平面図。スリットマスクの構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。従来の半導体装置の構造を示す模式平面図。

符号の説明

１１…フォトマスク、ハーフトーンマスク、１２…マスク基材、１３…半透過膜、１４，１４ａ…遮光膜、２１…基板、２２…下地保護膜、２３…半導体膜、２４…レジスト前駆体膜、２５…レジスト膜、２５ａ，２５ｂ…部分、２６…不純物イオン、３１…ソース領域、３２…ドレイン領域、３３…チャネル領域、３４…部分、３５…ゲート絶縁膜、３６…ゲート電極、３６ａ…導電膜、３７…レジスト膜、３８…不純物イオン、４１…半導体装置、４２，４３，４４…領域、５１…スリットマスク、５２…開口部、５３，５３ａ…遮光膜。

Claims

光を遮断する遮光部と、前記光の強度を制御する光強度差部と、を有し、前記遮光部は、前記光強度差部と前記光を透過する透過領域との境界の少なくとも一部に設けられたフォトマスクを用いて製造された半導体装置であって、
基板上に形成された半導体膜が、高濃度不純物が注入されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲に設けられて前記高濃度不純物の注入がされていない領域とを有し、
前記ソース領域は、前記高濃度不純物の注入量が相対的に多い円形状のソース側高濃度領域と、該ソース側高濃度領域に比べて前記高濃度不純物の注入量が少なく当該ソース側高濃度領域の周囲に設けられた楕円状のソース側低濃度領域とを含み、
前記ドレイン領域は、前記高濃度不純物の注入量が相対的に多い円形状のドレイン側高濃度領域と、該ドレイン側高濃度領域に比べて前記高濃度不純物の注入量が少なく当該ドレイン側高濃度領域の周囲に設けられた楕円状のドレイン側低濃度領域とを含むことを特徴とする半導体装置。
光を遮断する遮光部と、前記光の強度を制御する光強度差部と、を有し、前記遮光部は、前記光強度差部の周囲に設けられたフォトマスクを用いて製造された半導体装置であって、
基板上に形成された半導体膜が、高濃度不純物が注入されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の周囲に設けられて前記高濃度不純物の注入がされていない領域とを有し、
前記ソース領域は、前記高濃度不純物の注入量が相対的に多い円形状のソース側高濃度領域と、該ソース側高濃度領域に比べて前記高濃度不純物の注入量が少なく当該ソース側高濃度領域の周囲に設けられた楕円状のソース側低濃度領域とを含み、
前記ドレイン領域は、前記高濃度不純物の注入量が相対的に多い円形状のドレイン側高濃度領域と、該ドレイン側高濃度領域に比べて前記高濃度不純物の注入量が少なく当該ドレイン側高濃度領域の周囲に設けられた楕円状のドレイン側低濃度領域とを含むことを特徴とする半導体装置。
前記フォトマスクは、前記光強度差部がハーフトーンで構成されたフォトマスクであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
前記フォトマスクは、前記光強度差部が複数のスリットで構成されたフォトマスクであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。