JP4858025B2 - 階調マスク - Google Patents
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Description
5μm以下、特に4μm以下とされる階調マスクに特に有用である。このような階調マスクにおいて、上述したような問題が生じやすいからである。なお、上記下限としては、一般的に液晶表示装置の各種部材を形成する際の解像限界である0.5μm程度とされる。
以下、本発明の階調マスクについて、各構成ごとに詳しく説明する。
まず、本発明の階調マスクに形成される調整領域について説明する。本発明の階調マスクに形成される透過率調整領域は、後述する半透明領域からの平均照度を調整する機能を有し、複数の半透明領域の平均照度を均一化するために形成される領域である。上記調整領域は、上記半透明領域の平均照度を高くするために設けられるものであってもよく、上記半透明領域の平均照度を低くするために設けられるものであってもよい。各半透明領域の平均照度によって適宜選択して形成される。
次に、本発明の階調マスクに形成される遮光領域について説明する。本発明の階調マスクおける遮光領域は、透明基板上に、実質的に露光光を透過しない遮光膜が形成された領域であればよく、透明基板上に遮光膜のみが形成された領域であってもよく、また半透明膜および遮光膜が積層された領域であってもよい。なお、半透明膜および遮光膜が積層されている場合、遮光膜は、透明基板と半透明膜との間に形成されていてもよく、また透明基板上に形成された半透明膜上に形成されたものであってもよく、積層順序は特に限定されるものではない。また遮光領域の形状は、階調マスクの用途等に応じて適宜選択される。
次に、本発明の階調マスクにおける半透明領域について説明する。本発明の階調マスクにおける半透明領域は、透明基板上に半透明膜が形成された領域であり、本発明においては階調マスク内に複数形成されることとなる。半透明領域の形状は、階調マスクの用途等に応じて適宜選択される。
次に、本発明の階調マスクにおける透過領域について説明する。本発明の階調マスクにおける透過領域は、透明基板が露出した領域である。透過領域の形状は、階調マスクの用途等に応じて適宜選択される。
本発明の階調マスクは、上述した遮光領域、半透明領域、透過領域、および調整領域が形成されているものであれば特に限定されるものではなく、必要に応じて例えばアライメント用の領域等が形成されていてもよい。
(遮光膜のパターニング)
光学研磨された5インチの合成石英基板(透明基板)上に、クロム膜(遮光膜)が厚み100nmで成膜されている常用のマスクブランクを用意した。上記マスクブランク上に、市販のフォトレジスト(東京応化工業社製 ip−3500)を厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレートで15分ベークした後、フォトマスク用レーザ描画装置で、遮光膜中間パターン(半透明領域を除くパターン)を描画した。次に、専用のデベロッパー(東京応化工業社製 NMD3)で現像し、遮光膜用レジストパターンを得た。次に、上記遮光膜用レジストパターンをエッチング用マスクとし、クロム膜(遮光膜)をエッチングし、さらに残ったレジストパターンを剥膜することで、遮光膜中間パターン状に遮光膜をパターニングした。クロム膜のエッチングには、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)を用いた。
次いで、遮光膜がパターニングされた基板について、パターン寸法検査、パターン欠陥検査、必要に応じてパターン修正を行い、よく洗浄した後、酸化窒化炭化クロム膜(半透明膜)を下記の条件でスパッタリング法にて成膜した。なお、上記酸化窒化炭化クロム膜(半透明膜)の膜厚は35nmとした。
<成膜条件>
・ガス流量比 Ar:CO2:N2=1:0.5:0.5
・パワー:1.5kW
・ガス圧:3mTorr
次に、酸化窒化炭化クロム膜上に市販のフォトレジスト(東京応化製 ip−3500)を上記半透明膜上に厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレート上で15分ベークした。続いて半透明膜領域のパターンをレーザ描画装置で描画し、専用デベロッパー(東京応化社製 NMD3)で現像し、レジストパターンを得た。次に、レジストパターンをマスクとして、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)で半透明膜および遮光膜をエッチングし、半透明膜領域および遮光領域を形成した。エッチングは半透明膜および遮光膜に対して行った。最後に残ったレジストを剥膜し、パターン寸法検査、パターン欠陥検査などの検査工程を経て、必要に応じてパターン修正を行い、階調マスクを得た。
なお、上記半透明膜の透過率は40%であった。また、上記各領域の各パターンは、図5(a)に示すようなパターンであり、10μm×10μmの矩形状の半透明領域b、4μm×4μmの矩形状の半透明領域b´、透過光領域c、および遮光領域aを有するものとした。
上記半透明領域bおよびb´からの平均照度をSOLID(商品名:シグマC社製)でシミュレーションした結果を図6に示す。図6から明らかなように、4μm×4μmの半透明領域b´の照度が、10μm×10μmの半透明領域bの照度より高くなっている。
そこで、SOLID(商品名:シグマC社製)により、調整領域の形状および幅をシミュレーションしたところ、例えば図5(b)に示すように、4μm×4μmの半透明領域b´の四隅に、1μm角の遮光膜2からなる調整領域dを形成することにより、各半透明領域(bおよびb´)の照度を均一化することができるという結果が得られた。上記4μm×4μmの半透明領域に調整領域を形成した場合の照度をSOLID(商品名:シグマC社製)でシミュレーションした結果を図7に示す。
これに従って、上記4μm×4μmの半透明領域の四隅に1μm角の遮光膜からなる調整領域を有するように、上記と同様の方法により階調マスクを形成し、本発明の階調マスクとした。
大きさが100mm×100mm、厚みが0.7mmのガラス基板を準備し、このガラス基板上に市販のフォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ製 AZP1350)を厚み1500nmで塗布し、110℃に加熱されたホットプレート上で90秒ベークした。その後、上記調整領域を有しない階調マスクおよび上記調整領域を有する階調マスクを介して下記条件にて露光した。
<露光条件>
・露光量:160mJ/cm2
次いで、専用デベロッパー(AZエレクトロニックマテリアルズ製 AZデベロッパー)で現像し、レジストパターンを得た。形成されたパターンの断面形状をそれぞれ走査型電子顕微鏡にて観察し、寸法を測定した。結果を表1に示す。
例えば図8(a)に示すように、透過領域c内に5μm×5μmの矩形状に半透明膜3が形成された半透明領域bと、8μm×8μmの矩形状の遮光領域a内に5μm×5μmの矩形状に半透明膜3が形成された半透明領域b´とを有する階調マスクを形成した。なお、上記半透明領域に形成された半透明膜、および上記遮光領域に形成された遮光膜の形成材料や形成方法は、実施例1と同様とする。
上記半透明領域bおよびb´からの平均照度をSOLID(商品名:シグマC社製)でシミュレーションした結果を図9に示す。図9から明らかなように、遮光領域aに囲まれた半透明領域b´からの照度(図中、Cr内HTで示される照度)と、透過領域cに囲まれた半透明領域b(図中、Qz内HTで示される照度)からの照度は大きく異なっている。
そこで、SOLID(商品名:シグマC社製)により、調整領域の形状および幅をシミュレーションしたところ、例えば図7(b)に示すように、遮光領域aに囲まれた半透明領域b´内に、透明基板1が露出した1μm角の調整領域dを8箇所形成することにより、各半透明領域(bおよびb´)の照度を均一化することができるという結果が得られた。上記調整領域を形成した半透明領域からの照度をSOLID(商品名:シグマC社製)でシミュレーションした結果を図10に示す。これに従って、上記調整領域を有する本発明の階調マスクを形成した。なお、上記調整領域は、上記半透明膜をパターニングすることにより形成した。
現像時間を50sにした以外は、実施例1と同様に感光性レジストを露光および現像し、レジストパターンを得た。形成されたパターンの断面形状をそれぞれ走査型電子顕微鏡にて観察し、寸法を測定した。結果を表2に示す。
2 … 遮光膜
3 … 半透明膜
a … 遮光領域
b … 半透明領域
c … 透過領域
d … 調整領域
Claims (1)
- 透明基板と、前記透明基板上に形成された遮光膜と、前記透明基板上に形成された半透明膜とを有し、前記透明基板が露出した透過領域、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域、および前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた複数の半透明領域を有する階調マスクであって、
前記各半透明領域からの平均照度を均一化するための調整領域が、前記半透明領域の内部および/または前記半透明領域の外周に形成され、
前記調整領域が平均照度の低い前記半透明領域の内部および/または前記半透明領域の外周に形成された前記透明基板が露出した領域を含むものであることを特徴とする階調マスク。
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