JP2003233164A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半透過膜の厚さが最適化されない領域であっ
ても、サイドローブによる問題を有効に回避することが
できるフォトマスク及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 透明なガラス基板１０上に半透過膜１２
が形成された位相シフトマスクで、微細パターン領域１
４におけるパターンのピッチに対して最適となるように
半透過膜１２の厚さを調整すると、孤立パターン領域１
６において、隣接する開口部によるサブピークが重なり
合うことがある。サブピーク同士が重なった場合に、重
なったサブピークの一方又は両方の位置をずらしたり
（方法Ａ）、サブピークの強度を下げたり（方法Ｂ）、
サブピークの発生自体をなくしたり（方法Ｃ）して、サ
ブピークの重なりにより透過光を抑制する抑制手段を施
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
パネル等を製造する露光装置等に用いられるフォトマス
クに係り、特に、パターニングされた半透過膜を有する
ハーフトーン型の位相シフトマスクや位相シフトレチク
ルに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の微細化が急速に進
み、超微細パターンを形成するための超解像技術が採用
されている。それらの技術のひとつとしてハーフトーン
型の位相シフトマスク又は位相シフトレチクルの技術が
ある。

【０００３】現在用いられているフォトマスクの代表例
を図２５に示す。

【０００４】通常のフォトマスクでは、図２５（ａ１）
に示すように、透明なガラス基板１００上に不透明なク
ロム膜１０２を形成している。通常のフォトマスクで微
細なパターンを形成すると、近接した開口部を透過した
光が回折して干渉し合うことによって、光の位相振幅
は、図２５（ａ２）に示すように、クロム膜１０２が形
成された遮光領域の中央にも達する。そのため、ウエー
ハ上での光強度分布は、図２５（ａ３）に示すように、
開口部の間で光強度を強め合ってしまい、その結果、パ
ターニングされたレジスト膜１０４が、図２５（ａ４）
に示すように、遮光領域で分離しないという問題を生じ
ていた。

【０００５】このような現象は、露光波長に近い微細な
パターンほどその傾向が強く、原理的には通常のフォト
マスクでは光の波長以下の微細パターンを形成すること
は不可能であった。

【０００６】そこで、露光波長に近い微細なパターンを
形成するために、半透過膜を用いたハーフトーン型の位
相シフトマスクが提案されている。

【０００７】この位相シフトマスクでは、図２５（ｂ
１）に示すように、透明なガラス基板１００上に半透過
膜１０６を形成し、この半透過膜１０６の厚さを最適に
調整する。これにより、光の位相振幅は、図２５（ｂ
２）に示すように、近接した開口部間の遮光領域におい
て位相を反転させている。そのため、開口部を透過した
光が回折して干渉し合う光を相殺し、ウエーハ上での光
強度分布は、図２５（ｂ３）に示すように、開口部間の
遮光領域の光強度を低減させることができ、その結果、
図２５（ｂ４）に示すように、微細なパターンのレジス
ト膜１０４を形成することができる。

【０００８】また、更に高い解像度が実現できるレベン
ソン（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ）型の位相シフトマスクが提案
されている。

【０００９】この位相シフトマスクでは、図２５（ｃ
１）に示すように、透明なガラス基板１００上に形成さ
れたクロム膜１０２間の隣接する開口部の一方に半透過
膜１０８を形成し、この半透過膜１０８の厚さを最適に
調整する。これにより、光の位相振幅は、図２５（ｃ
２）に示すように、開口部間の遮光領域において相殺さ
れ、ウエーハ上での光強度分布は、図２５（ｃ３）に示
すように、開口部間の遮光領域の光強度を十分に低減さ
せることができ、その結果、図２５（ｃ４）に示すよう
に、微細なパターンのレジスト膜１０４を形成すること
ができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように、位相シフ
トマスクは、露光波長に近い微細なパターンを形成する
ために用いられている。しかしながら、ハーフトン型の
位相シフトマスクの場合、半透過膜１０６の膜厚は、対
象となるパターンのピッチで最適な位相となるように最
適化される。

【００１１】このため、図２６（１）に示すように、ひ
とつのフォトマスクに、微細パターンが形成される微細
パターン領域１１０と、微細パターンよりもパターンピ
ッチの大きな孤立パターンが形成される孤立パターン領
域１１２とが存在する場合、両方の領域１１０、１１２
で最適化することが困難である。通常は、微細パターン
領域１１０におけるパターンのピッチに最適となるよう
に半透過膜１０６の厚さを調整するが、そのように膜厚
を調整すると、図２６（２）に示すように、孤立パター
ン領域１１２で、隣接する開口部によるサイドローブ同
士が、開口部間の遮光領域で重なりあうことがある。そ
のため、図２６（３）に示すように、遮光領域において
部分的に光強度が強くなってしまい、図２６（４）に示
すように、レジスト膜１０４上面が部分的に劣化してし
まうという問題があった。

【００１２】図２７（１）（２）は、図２６（４）に示
すように、レジスト膜１０４の位置でサイドローブ同士
が重なりあった場合のレジスト膜１０４上面の状態を示
す図である。レジスト膜１０４上面や側壁が荒れている
のがわかる。

【００１３】この問題を解決するために様々の方法が提
案されている。

【００１４】例えば、特開平１１−１５１３０号公報に
記載された半導体製造用ハーフトーンマスク及びその製
造方法では、ガラス基板上に形成され所望の開口部を有
するハーフトーン膜と、このハーフトーン膜上の所定の
領域上に遮光膜とを形成している。遮光膜の形成領域
は、遮光膜を設けなかった場合に、ハーフトーン膜の開
口部を透過した光ピークと光ピークの間に現われるサイ
ドローブがレジストを感光するしきい値光強度に達する
と予想される領域に対応している。

【００１５】しかしながら、この方法では、ハーフトー
ン膜上に形成された遮光膜により光の回折が発生すると
共に、遮光膜を配置することにより左右の開口部の強度
分布が非対称になり、所望の光学プロファイルが得られ
ないおそれがある。

【００１６】また、特開平１１−１５３８５３号公報に
記載されたフォトマスク及びこれを用いた半導体装置の
製造方法では、サイドローブによる問題を解決するため
に、隣接するメイン開口パターンの間にダミー開口パタ
ーンを形成する。隣接するメインパターンのサイドロー
ブ同士とハーフトーン領域の透過光とが互いに重なり合
うと、光強度の大きいサイドローブが発生するが、この
サイドローブをダミー開口パターンの透過光より相殺し
て、不要なパターンが発生することを防止する。

【００１７】しかしながら、この方法では、ダミーパタ
ーンを配置する必要があり、適用できるパターンが、ア
レイパターンやコンタクトホールのようなものにしか適
用できないという制限があった。

【００１８】また、特開平８−８２９１５号公報に記載
されたフォトマスクパターン設計方法および設計システ
ムでは、初期値として入力されたパターンの投影像光強
度分布を求める投影像計算工程と、投影像と所望の形状
を比較する工程と、不要の投影像ができる部分にパター
ンを付加する工程とを設けて、マスクパターンの最適化
を行う。

【００１９】しかしながら、付加パターンによりサイド
ローブによる問題を回避するのは現実的に無理がある。
例えば、サイドローブの干渉領域を相殺させようと、付
加パターンを設置しても、その付加パターンがウエーハ
上に転写するという問題があり、複雑な半導体回路で所
望の場所に付加パターンを配置することが困難であると
いう問題があった。

【００２０】また、特開平７−２８１４１２号公報に記
載された位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造
方法では、第１の光透過部と、第１の光透過部と半遮光
部を介して隣合う第２の光透過部とを備え、第１及び第
２の光透過部と半遮光部とは互いに位相を異ならせて透
過光を透過させる位相シフトマスクであって、第１及び
第２の光透過部が各々単独で存在するときに生じるサブ
ピークが互いに重ならない位置になるように構成してい
る。

【００２１】しかしながら、この方法は、隣接する光透
過部が干渉し合うピッチで配置しようとする場合、その
ピッチとならないようにパターンを配置する方法である
ため、必然的に設計変更を伴い、これを実現するには作
業上大きな負荷がかかるという問題があった。

【００２２】本発明の目的は、微細パターンが形成され
る微細パターン領域と孤立パターンが形成される孤立パ
ターン領域とが存在する場合の孤立パターン領域のよう
に、半透過膜の厚さが最適化されない領域であっても、
サイドローブによる問題を有効に回避することができる
フォトマスク及びその製造方法を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記目的は、透光基板
と、前記透光基板上に形成され、第１の開口部と第２の
開口部が所定間隔を離れて配置された半透過膜とを有
し、前記第１の開口部による第１のサイドローブと、前
記第２の開口部による第２のサイドローブとが重なり合
う領域に、透過光を抑制する抑制手段を設けたことを特
徴とするフォトマスクにより達成される。

【００２４】また、上記目的は、透光基板と、前記透光
基板上に形成され、第１の開口部と第２の開口部が所定
間隔を離れて配置された半透過膜とを有するフォトマス
クの製造方法において、前記第１の開口部による第１の
サイドローブと、前記第２の開口部による第２のサイド
ローブとが重なり合う領域に、透過光を抑制する抑制手
段を設けることを特徴とするフォトマスクの製造方法に
よって達成される。

【００２５】また、上記目的は、透光基板上に、微細パ
ターンの第１の領域と前記微細パターンよりも大きなパ
ターンの第２の領域とを有する半透過膜を形成するフォ
トマスクの製造方法において、前記半透過膜の厚さを、
前記第１の領域において最適化し、前記第２の領域にお
いては、第１の開口部による第１のサイドローブと、前
記第１の開口部と所定距離離れた第２の開口部による第
２のサイドローブとが重なり合う領域に、透過光を抑制
する抑制手段を設けることを特徴とするフォトマスクの
製造方法によって達成される。

【００２６】

【発明の実施の形態】［本発明の原理］本発明の原理に
ついて図１を用いて説明する。

【００２７】図１（１）に示すように、透明なガラス基
板１０上に半透過膜１２を形成し、この半透過膜１２の
厚さを最適に調整する位相シフトマスクであって、ひと
つのフォトマスクに、微細パターンが形成される微細パ
ターン領域１４と、微細パターンよりもパターンピッチ
の大きな孤立パターンが形成される孤立パターン領域１
６とが存在する場合を例として説明する。

【００２８】半透過膜１２の膜厚を、両方の領域１４、
１６で最適化することが困難であるので、微細パターン
領域１４におけるパターンのピッチに対して最適となる
ように半透過膜１２の厚さを調整する。そのように膜厚
を調整すると、光の位相振幅は、図１（２）に示すよう
になる。微細パターン領域１４では十分な解像度をもて
微細なパターンが形成されるが、孤立パターン領域１６
において、図１（３）に示すように、隣接する開口部に
よるサイドピーク（サブピーク）が重なり合うことがあ
る。

【００２９】本発明では、このようにサイドピーク（サ
ブピーク）同士が重なった場合に、図１（４）に示すよ
うに、重なったサイドピーク（サブピーク）の一方又は
両方の位置をずらしたり（方法Ａ）、サイドピーク（サ
ブピーク）の強度を下げたり（方法Ｂ）、サイドピーク
（サブピーク）の発生自体をなくしたり（方法Ｃ）し
て、サイドピーク（サブピーク）の重なりにより透過光
を抑制する抑制手段を施すようにする。

【００３０】これにより、フォトマスクによりレジスト
膜をパターニングした場合に、サイドピーク（サブピー
ク）の重なりによる問題を有効に回避することができ
る。

【００３１】［第１実施形態］本発明の第１実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図２乃至図６を用
いて説明する。図２は本実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートであり、図３は本実施形態に
よるフォトマスクを示す図であり、図４は本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程図（その１）であり、図５
は本実施形態によるフォトマスクの製造工程図（その
２）である。

【００３２】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、図１（１）に示すように、透明なガラス基
板１０上に半透過膜１２を形成し、この半透過膜１２の
厚さを最適に調整する位相シフトマスクであって、ひと
つのフォトマスクに、微細パターンが形成される微細パ
ターン領域１４と、微細パターンよりもパターンピッチ
の大きな孤立パターンが形成される孤立パターン領域１
６とが存在している。メモリデバイスの場合は、メイン
セルが形成される領域が微細パターン領域１４となり、
周辺デバイスが形成される領域が孤立パターン領域１６
となる。

【００３３】本実施形態によるフォトマスクを設計する
には、図２に示すように、まず、メインセルが形成され
る微細パターン領域１４のパターンピッチに光学条件を
合わせる（ステップＳ１０）。具体的には、光学定数
（λ（使用波長）、ＮＡ（開口数）等）、使用アパーチ
ャ、半透過膜の透過率、半透過膜の膜厚、最小線幅解像
時の最適ドーズ量等を決定する。

【００３４】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出する（ステップＳ１１）。
続いて、各開口部のサブピークの発生位置から、各開口
部のサブピークが重なり合って干渉する領域を特定する
（ステップＳ１２）。

【００３５】図３（１）に示すようなサブピークの干渉
領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブピ
ークの発生を抑止するように設計を変更する（ステップ
Ｓ１４）。具体的には、図３（２）に示すように、サブ
ピークの干渉領域における半透過膜１２をクロム膜１８
に代えるか、図３（３）に示すように、半透過膜１２上
にクロム膜１８を形成するか（ステップＳ１５）を検討
し、いずれかの補正処理を行う（ステップＳ１６）。こ
のクロム膜１８の線幅については所望のパターンサイズ
に応じて変更する。例えば、所望のパターンサイズが２
００ｎｍであれば、そのサイズを５ｎｍステップで変更
し、シミュレーションによりサイドローブが重ならない
ように調整する。なお、投影露光装置の倍率が１／４倍
の場合には、フォトマスク上ではサイズは４倍となる。

【００３６】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定する（ステップＳ１
２）。サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【００３７】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【００３８】（フォトマスクの製造工程（その１））本
実施形態によるフォトマスクの製造工程について図４を
用いて説明する。この製造工程は、図３（２）に示すよ
うに、中央の半透過膜１２の形成された領域にサイドピ
ークが重なり合う場合に、サブピークの干渉領域におけ
る半透過膜１２をクロム膜１８に代える場合の製造工程
である。

【００３９】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２を
形成し、この半透過膜１２上にレジスト膜２０を形成
し、このレジスト膜２０をパターニングする（図４
（１））。

【００４０】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２をエッチングし（図４（２））、このレジ
スト膜２０を剥離する（図４（３））。

【００４１】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２を含む領域が露出するようにパターニ
ングする（図４（４））。続いて、このレジスト膜２２
をマスクとして中央の半透過膜１２をエッチング除去し
（図４（５））、クロム膜１８をスパッタリングにより
全面に形成する（図４（６））。

【００４２】次に、全面にネガレジスト膜２４を塗布
し、中央の干渉領域だけを残すようにパターニングする
（図４（７））。このネガレジスト膜２４をマスクとし
てクロム膜１８をエッチング除去する（図４（８））。
続いて、レジスト膜２２を剥離すると（図４（９））、
中央の半透過膜１２の代わりにクロム膜１８が形成され
る。

【００４３】（フォトマスクの製造工程（その２））本
実施形態によるフォトマスクの製造工程について図５を
用いて説明する。この製造工程は、図３（３）に示すよ
うに、中央の半透過膜１２の形成された領域にサイドピ
ークが重なり合う場合に、サブピークの干渉領域におけ
る半透過膜１２上にクロム膜１８を形成する場合の製造
工程である。

【００４４】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２を
形成し、この半透過膜１２上にクロム膜１８を形成し、
このクロム膜１８上にレジスト膜２０を形成し、このレ
ジスト膜２０をパターニングする（図５（１））。

【００４５】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２とクロム膜１８をエッチングし（図５
（２））、このレジスト膜２０を剥離する（図５
（３））。

【００４６】次に、新たなレジスト膜２２を塗布し（図
４（４））、中央の半透過膜１２及びクロム膜１８を含
む領域を覆うようにパターニングする（図５（５））。

【００４７】次に、このレジスト膜２２をマスクとして
周囲の半透過膜１２上のクロム膜１８をエッチング除去
し（図５（６））、続いて、レジスト膜２２を剥離する
と（図５（７））、中央の半透過膜１２上にクロム膜１
８が形成される。

【００４８】本実施形態によるフォトマスクの製造方法
により製造したフォトマスクによりレジスト膜をパター
ニングした。従来は、図６（１）（２）に示すように、
サイドローブ同士が重なりあった場合のレジスト膜の上
面や側壁が荒れていたが、本実施形態の場合には、図６
（３）に示すように、上面や側面が荒れていない良好な
レジスト膜を実現できた。

【００４９】［第２実施形態］本発明の第２実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図７乃至図９を用
いて説明する。図７は本実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートであり、図８は本実施形態に
よるフォトマスクを示す図であり、図９は本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程図である。

【００５０】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜
の上面に浅い溝を形成してサブピークの強度を下げるよ
うにする。

【００５１】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【００５２】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図７のフローチャートに示すように、第１実施形態
とほぼ同様である。

【００５３】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【００５４】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【００５５】図８（１）に示すようなサブピークの干渉
領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブピ
ークの強度を下げるように設計を変更する（ステップＳ
１４）。具体的には、図８（２）に示すように、サブピ
ークの干渉領域における半透過膜１２の上面に浅い溝２
６、例えば、膜厚の半分程度の深さの溝２６を形成する
（ステップＳ１５）設計変更を検討し、その補正処理を
行う（ステップＳ１６）。

【００５６】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【００５７】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【００５８】（フォトマスクの製造工程）本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程について図９を用いて説明
する。この製造工程は、図８（２）に示すように、中央
の半透過膜１２上のサブピークの干渉領域に、半透過膜
１２の膜厚の半分程度の深さの溝２６を形成するもので
ある。

【００５９】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２を
形成し、この半透過膜１２上にレジスト膜２０を形成
し、このレジスト膜２０をパターニングする（図９
（１））。

【００６０】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２をエッチングし（図９（２））、このレジ
スト膜２０を剥離する（図９（３））。

【００６１】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２内のサブピークの干渉領域だけが露出
するようにパターニングする（図９（４））。続いて、
このレジスト膜２２をマスクとして中央の半透過膜１２
を膜厚の半分程度エッチング除去する（図９（５））。
続いて、レジスト膜２２を剥離する（図９（６））と、
中央の半透過膜１２上のサブピークの干渉領域に半透過
膜１２の膜厚の半分程度の深さの溝２６が形成される。

【００６２】［第３実施形態］本発明の第３実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図１０乃至図１２
を用いて説明する。図１０は本実施形態によるフォトマ
スクの設計方法のフローチャートであり、図１１は本実
施形態によるフォトマスクを示す図であり、図１２は本
実施形態によるフォトマスクの製造工程図である。

【００６３】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜
を厚膜化又は薄膜化してサブピークの強度を下げるよう
にする。

【００６４】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【００６５】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図１０のフローチャートに示すように、第１実施形
態とほぼ同様である。

【００６６】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【００６７】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【００６８】図１１（１）に示すようなサブピークの干
渉領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブ
ピークの強度を下げるように設計を変更する（ステップ
Ｓ１４）。具体的には、図１１（２）に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２を厚膜化又は
薄膜化する（ステップＳ１５）設計変更を検討し、その
補正処理を行う（ステップＳ１６）。

【００６９】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【００７０】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【００７１】（フォトマスクの製造工程）本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程について図１２を用いて説
明する。この製造工程は、図１１（２）上部に示すよう
に、サブピークの干渉領域における半透過膜１２を厚膜
化するものである。

【００７２】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２を
形成し、この半透過膜１２上にレジスト膜２０を形成
し、このレジスト膜２０をパターニングする（図１１
（１））。

【００７３】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２をエッチングし（図１１（２））、このレ
ジスト膜２０を剥離する（図１１（３））。

【００７４】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２だけを覆うようにパターニングする
（図１１（４））。続いて、このレジスト膜２２をマス
クとして中央の半透過膜１２以外の半透過膜１２を所定
厚さだけエッチング除去する（図１１（５））。続い
て、レジスト膜２２を剥離する（図１１（６））と、中
央の半透過膜１２だけが厚膜化する。

【００７５】なお、図１１（２）下部に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２を薄膜化する
場合には、図１１（４）において、中央の半透過膜１２
以外を覆うようにレジスト膜２２をパターニングし、こ
のレジスト膜２２をマスクとして、中央の半透過膜１２
を所定厚さだけエッチング除去すればよい。

【００７６】［第４実施形態］本発明の第４実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図１３乃至図１７
を用いて説明する。図１３は本実施形態によるフォトマ
スクの設計方法のフローチャートであり、図１４は本実
施形態によるフォトマスクを示す図（その１）であり、
図１５は本実施形態によるフォトマスクの製造工程図
（その１）であり、図１６は本実施形態によるフォトマ
スクを示す図（その２）であり、図１７は本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程図（その２）である。

【００７７】本実施形態では、半透過膜を同じ材料又は
異なる材料の二層構造とし、上側の半透過膜を厚膜化す
るか、上側の半透過膜を除去して下側の半透過膜だけと
することにより、半透過膜全体を厚膜化又は薄膜化し
て、サブピークの強度を下げるようにする。

【００７８】（フォトマスクの設計（その１））本実施
形態のフォトマスクは、第１実施形態と同様に、透明な
ガラス基板１０上に半透過膜１２が形成された位相シフ
トマスクであって、微細パターン領域１４と孤立パター
ン領域１６とが存在している。本実施形態の半透過膜１
２は、同一材料による半透過膜１２ａと半透過膜１２ｂ
の二層構造となっている。

【００７９】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図１３のフローチャートに示すように、第１実施形
態とほぼ同様である。

【００８０】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【００８１】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【００８２】図１４（１）に示すようなサブピークの干
渉領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブ
ピークの強度を下げるように設計を変更する（ステップ
Ｓ１４）。具体的には、図１４（２）に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２の上側の半透
過膜１２ｂを厚膜化するか、下側の半透過膜１２ａだけ
とすることにより、半透過膜１２を厚膜化又は薄膜化す
る（ステップＳ１５）設計変更を検討し、その補正処理
を行う（ステップＳ１６）。

【００８３】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【００８４】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【００８５】（フォトマスクの製造工程（その１））本
実施形態によるフォトマスクの製造工程について図１５
を用いて説明する。この製造工程は、図１４（２）下部
に示すように、サブピークの干渉領域における半透過膜
１２を下側の半透過膜１２ａのみとして薄膜化するもの
である。

【００８６】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２
ａ、１２ｂを形成し、この半透過膜１２ａ、１２ｂ上に
レジスト膜２０を形成し、このレジスト膜２０をパター
ニングする（図１４（１））。

【００８７】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２ａ、１２ｂをエッチングし（図１４
（２））、このレジスト膜２０を剥離する（図１４
（３））。

【００８８】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２以外の半透過膜１２を覆うようにパタ
ーニングする（図１４（４））。続いて、このレジスト
膜２２をマスクとして中央の半透過膜１２の上側の半透
過膜１２ｂをエッチング除去する（図１４（５））。続
いて、レジスト膜２２を剥離する（図１４（６））と、
中央の半透過膜１２だけが薄膜化する。

【００８９】なお、図１４（２）上部に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２を厚膜化する
場合には、図１５（４）において、中央の半透過膜１２
だけを覆うようにレジスト膜２２をパターニングし、こ
のレジスト膜２２をマスクとして、中央の半透過膜１２
以外の半透過膜１２ｂを所定厚さだけエッチング除去す
ればよい。

【００９０】（フォトマスクの設計（その２））本実施
形態のフォトマスクは、第１実施形態と同様に、透明な
ガラス基板１０上に半透過膜１２が形成された位相シフ
トマスクであって、微細パターン領域１４と孤立パター
ン領域１６とが存在している。本実施形態の半透過膜１
２は、図１６に示すように、異なる材料からなる半透過
膜１２ａと半透過膜１２ｃの二層構造となっている。

【００９１】半透過膜１２を構成する半透過膜１２ａと
半透過膜１２ｃが異なる材料からなる点を除いて、上述
したフォトマスクの設計方法と同じであるので、説明を
省略する。

【００９２】（フォトマスクの製造工程（その２））本
実施形態によるフォトマスクの製造工程について図１７
を用いて説明する。この製造工程は、図１６（２）下部
に示すように、サブピークの干渉領域における半透過膜
１２を下側の半透過膜１２ａのみとして薄膜化するもの
である。

【００９３】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２
ａ、１２ｃを形成し、この半透過膜１２ａ、１２ｃ上に
レジスト膜２０を形成し、このレジスト膜２０をパター
ニングする（図１７（１））。

【００９４】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２ａ、１２ｃをエッチングし（図１７
（２））、このレジスト膜２０を剥離する（図１７
（３））。

【００９５】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２以外の半透過膜１２を覆うようにパタ
ーニングする（図１７（４））。続いて、このレジスト
膜２２をマスクとして中央の半透過膜１２の上側の半透
過膜１２ｃをエッチング除去する（図１７（５））。続
いて、レジスト膜２２を剥離する（図１７（６））と、
中央の半透過膜１２だけが薄膜化する。

【００９６】なお、図１６（２）上部に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２を厚膜化する
場合には、図１７（４）において、中央の半透過膜１２
だけを覆うようにレジスト膜２２をパターニングし、こ
のレジスト膜２２をマスクとして、中央の半透過膜１２
以外の半透過膜１２ｃを所定厚さだけエッチング除去す
ればよい。

【００９７】［第５実施形態］本発明の第５実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図１８及び図１９
を用いて説明する。図１８は本実施形態によるフォトマ
スクの設計方法のフローチャートであり、図１９は本実
施形態によるフォトマスクを示す図である。

【００９８】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜
のパターンサイズを変更してサブピークの位置をずらす
ようにする。

【００９９】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【０１００】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図１８のフローチャートに示すように、第１実施形
態とほぼ同様である。

【０１０１】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【０１０２】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【０１０３】図１９（１）に示すようなサブピークの干
渉領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブ
ピークの位置をずらすように設計を変更する（ステップ
Ｓ１４）。具体的には、図１９（２）に示すように、サ
ブピークの干渉領域における半透過膜１２の線幅と透過
率を調整して、両側の開口部によるサブピークの位置を
ずらす（ステップＳ１５）ように設計変更を検討し、そ
の補正処理を行う（ステップＳ１６）。

【０１０４】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【０１０５】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【０１０６】［第６実施形態］本発明の第６実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図２０乃至図２２
を用いて説明する。図２０は本実施形態によるフォトマ
スクの設計方法のフローチャートであり、図２１は本実
施形態によるフォトマスクを示す図であり、図２２は本
実施形態によるフォトマスクの製造工程図である。

【０１０７】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜
を分割してサブピークの位置をずらすようにする。

【０１０８】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【０１０９】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図２０のフローチャートに示すように、第１実施形
態とほぼ同様である。

【０１１０】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【０１１１】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【０１１２】図８（１）に示すようなサブピークの干渉
領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブピ
ークの位置をずらすように設計を変更する（ステップＳ
１４）。具体的には、図２１（２）（３）に示すよう
に、サブピークの干渉領域における半透過膜１２を分割
領域、例えば、限界解像力以下のサイズの分割線２８を
形成する（ステップＳ１５）設計変更を検討し、その補
正処理を行う（ステップＳ１６）。分割線２８は、図２
１（２）に示すように、短い線が集合した破線状であっ
てもよいし、図２１（３）に示すように、長い直線状で
あってもよい。

【０１１３】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【０１１４】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【０１１５】（フォトマスクの製造工程）本実施形態に
よるフォトマスクの製造工程について図２２を用いて説
明する。この製造工程は、図２１（２）（３）に示すよ
うに、中央の半透過膜１２を分割する分割線２８を形成
するものである。

【０１１６】透明なガラス基板１０上に半透過膜１２を
形成し、この半透過膜１２上にレジスト膜２０を形成
し、このレジスト膜２０をパターニングする（図２２
（１））。

【０１１７】次に、このレジスト膜２０をマスクとして
半透過膜１２をエッチングし（図２２（２））、このレ
ジスト膜２０を剥離する（図２２（３））。

【０１１８】次に、新たなレジスト膜２２を形成し、中
央の半透過膜１２内のサブピークの干渉領域だけが露出
するようにパターニングする（図２２（４））。図２１
（２）の場合にはレジスト膜２２を破線状にパターニン
グし、図２１（３）の場合にはレジスト膜２２を直線状
にパターニングする。

【０１１９】［第７実施形態］本発明の第７実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図２３を用いて説
明する。図２３は本実施形態によるフォトマスクの設計
方法のフローチャートである。

【０１２０】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、サブピークの干渉領域における半透過膜
の脇にアシストバーを配置して、サブピークの位置をず
らすようにする。

【０１２１】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【０１２２】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
も、図２３のフローチャートに示すように、第１実施形
態とほぼ同様である。

【０１２３】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【０１２４】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【０１２５】図８（１）に示すようなサブピークの干渉
領域があると判断されると（ステップＳ１３）、サブピ
ークの位置をずらすように設計を変更する（ステップＳ
１４）。具体的には、サブピークの干渉領域における半
透過膜１２の脇にアシストバーを配置する（ステップＳ
１５）設計変更を検討し、その補正処理を行う（ステッ
プＳ１６）。

【０１２６】補正処理を行うとステップＳ１１に戻り、
再び、孤立パターン領域１６内の各開口部におけるサブ
ピークの発生位置を算出し（ステップＳ１１）、各開口
部のサブピークの干渉領域を特定し（ステップＳ１
２）、サブピークの干渉領域があると判断されると（ス
テップＳ１３）、再び、設計変更を行い（ステップＳ１
４〜Ｓ１６）、ステップＳ１１に戻る。同様な処理を、
サブピークの干渉領域が無いと判断されるまで繰り返
す。

【０１２７】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ１７）、フォトマスクの設計を終了する。

【０１２８】［第８実施形態］本発明の第８実施形態に
よるフォトマスクの製造方法について図２４を用いて説
明する。図２４は本実施形態によるフォトマスクの設計
方法のフローチャートである。

【０１２９】本実施形態では、サブピークの干渉領域が
あった場合に、上述した実施形態による様々な補正方法
を適用して、サイドローブによる問題を有効に回避する
ようにしたものである。

【０１３０】（フォトマスクの設計）本実施形態のフォ
トマスクは、第１実施形態と同様に、透明なガラス基板
１０上に半透過膜１２が形成された位相シフトマスクで
あって、微細パターン領域１４と孤立パターン領域１６
とが存在している。

【０１３１】本実施形態によるフォトマスクの設計方法
の基本も、図２４のフローチャートに示すように、第１
実施形態とほぼ同様であるが、様々な補正方法を適用す
ることを可能にする。

【０１３２】まず、メインセルが形成される微細パター
ン領域１４のパターンピッチに光学条件を合わせる（ス
テップＳ１０）。

【０１３３】次に、セルサイズ、光学条件、使用マスク
から、孤立パターン領域１６内の各開口部においてサブ
ピークが発生する位置を算出し（ステップＳ１１）、各
開口部のサブピークの発生位置から、各開口部のサブピ
ークが重なり合って干渉する領域を特定する（ステップ
Ｓ１２）。

【０１３４】図８（１）に示すようなサブピークの干渉
領域があると判断されると（ステップＳ１３）、まず、
補正方法として、サブピークの位置をずらす補正方法を
選択するか否か判断し（ステップＳ１８）、サブピーク
の位置をずらす補正方法を選択する場合には、パターン
サイズを変更したり、ピッチサイズを変更する設計変更
を行い（ステップＳ１９）、補正処理を実行する（ステ
ップＳ２０）。

【０１３５】ステップＳ１８で、サブピークの位置をず
らす補正方法を選択しない場合には、次に、補正方法と
して、サブピークの強度を下げる補正方法を選択するか
否か判断し（ステップＳ２１）、サブピークの強度を下
げる補正方法を選択する場合には、干渉パターン領域の
透過率を変更する設計変更を行い（ステップＳ２２）、
補正処理を実行する（ステップＳ２３）。

【０１３６】ステップＳ２１で、サブピークの強度を下
げる補正方法を選択しない場合には、次に、補正方法と
して、サブピークの発生を無くす補正方法を選択し（ス
テップＳ２４）、干渉パターン領域をクロム膜にする、
又は選択的にクロム膜にする等の設計変更を行い（ステ
ップＳ２５）、補正処理を実行する（ステップＳ２
６）。

【０１３７】ステップＳ２０、Ｓ２３、Ｓ２６で補正処
理を行うと、ステップＳ１１に戻り、再び、孤立パター
ン領域１６内の各開口部におけるサブピークの発生位置
を算出し（ステップＳ１１）、各開口部のサブピークの
干渉領域を特定し（ステップＳ１２）、サブピークの干
渉領域があると判断されると（ステップＳ１３）、再
び、設計変更を行い（ステップＳ１８〜Ｓ２６）、ステ
ップＳ１１に戻る。同様な処理を、サブピークの干渉領
域が無いと判断されるまで繰り返す。

【０１３８】ステップＳ１３でサブピークの干渉領域が
無いと判断されると、補正処理を行うことなく（ステッ
プＳ２７）、フォトマスクの設計を終了する。

【０１３９】［変形実施形態］本発明の上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。

【０１４０】例えば、フォトマスクの設計方法として
は、上述した実施形態に記載した方法に限らず、サイド
ローブが重なり合う領域における透過光を抑制すること
でできる方法であれば如何なる抑制手段でもよい。

【０１４１】また、フォトマスクの製造方法として上述
した実施形態において記載したものはあくまで例示であ
って、その他の製造方法であってもよい。

【０１４２】［付記］上述のように、本発明の特徴をま
とめると以下のようになる。

【０１４３】（付記１） 透光基板と、前記透光基板上
に形成され、第１の開口部と第２の開口部が所定間隔を
離れて配置された半透過膜とを有し、前記第１の開口部
による第１のサイドローブと、前記第２の開口部による
第２のサイドローブとが重なり合う領域に、透過光を抑
制する抑制手段を設けたことを特徴とするフォトマス
ク。

【０１４４】（付記２） 付記１記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記重なり合う領域に形成さ
れた遮光膜であることを特徴とするフォトマスク。

【０１４５】（付記３） 付記１記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記重なり合う領域の前記半
透過膜に部分的に形成された浅い溝であることを特徴と
するフォトマスク。

【０１４６】（付記４） 付記１記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記重なり合う領域の前記半
透過膜の透過率を変更する手段であることを特徴とする
フォトマスク。

【０１４７】（付記５） 付記４記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記重なり合う領域の前記半
透過膜を薄膜化又は厚膜化することであることを特徴と
するフォトマスク。

【０１４８】（付記６） 付記４記載のフォトマスクに
おいて、前記半透過膜は、透過率の異なる複数の膜によ
り構成され、前記抑制手段は、前記半透過膜を構成する
前記複数の膜のいずれかの膜を薄膜化又は厚膜化するこ
とを特徴とするフォトマスク。

【０１４９】（付記７） 付記１記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記第１の開口部と前記第２
の開口部との間の前記所定間隔を変更することであるこ
とを特徴とするフォトマスク。

【０１５０】（付記８） 付記１記載のフォトマスクに
おいて、前記抑制手段は、前記重なり合う領域に前記半
透過膜を分離する分離領域であることを特徴とするフォ
トマスク。

【０１５１】（付記９） 付記８記載のフォトマスクに
おいて、前記分離領域には、限界解像力以下の溝が形成
されていることを特徴とするフォトマスク。

【０１５２】（付記１０） 付記１乃至９のいずれか１
項に記載のフォトマスクにおいて、微細パターンが形成
された第１の領域と、前記微細パターンよりも大きなパ
ターンが形成された第２の領域とを有し、前記半透過膜
の厚さを、前記第１の領域において最適化し、前記第２
の領域に前記抑制手段を設けたことを特徴とするフォト
マスク。

【０１５３】（付記１１） 透光基板と、前記透光基板
上に形成され、第１の開口部と第２の開口部が所定間隔
を離れて配置された半透過膜とを有するフォトマスクの
製造方法において、前記第１の開口部による第１のサイ
ドローブと、前記第２の開口部による第２のサイドロー
ブとが重なり合う領域に、透過光を抑制する抑制手段を
設けることを特徴とするフォトマスクの製造方法。

【０１５４】（付記１２） 透光基板上に、微細パター
ンの第１の領域と前記微細パターンよりも大きなパター
ンの第２の領域とを有する半透過膜を形成するフォトマ
スクの製造方法において、前記半透過膜の厚さを、前記
第１の領域において最適化し、前記第２の領域において
は、第１の開口部による第１のサイドローブと、前記第
１の開口部と所定距離離れた第２の開口部による第２の
サイドローブとが重なり合う領域に、透過光を抑制する
抑制手段を設けることを特徴とするフォトマスクの製造
方法。

【０１５５】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、透光基板
上に形成された半透過膜の第１の開口部による第１のサ
イドローブと第２の開口部による第２のサイドローブと
が重なり合う領域に、透過光を抑制する抑制手段を設け
るようにしたので、微細パターンが形成される微細パタ
ーン領域と孤立パターンが形成される孤立パターン領域
とが存在する場合の孤立パターン領域のように、半透過
膜の厚さが最適化されない領域であっても、サイドロー
ブによる問題を有効に回避することができるフォトマス
ク及びその製造方法を提供することにある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明する図である。

【図２】本発明の第１実施形態によるフォトマスクの設
計方法のフローチャートである。

【図３】本発明の第１実施形態によるフォトマスクを示
す図である。

【図４】本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製
造工程図（その１）である。

【図５】本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製
造工程図（その２）である。

【図６】本発明の第１実施形態により製造したフォトマ
スクの表面状態を示す図である。

【図７】本発明の第２実施形態によるフォトマスクの設
計方法のフローチャートである。

【図８】本発明の第２実施形態によるフォトマスクを示
す図である。

【図９】本発明の第２実施形態によるフォトマスクの製
造工程図である。

【図１０】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図１１】本発明の第３実施形態によるフォトマスクを
示す図である。

【図１２】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの
製造工程図である。

【図１３】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図１４】本発明の第４実施形態によるフォトマスクを
示す図（その１）である。

【図１５】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの
製造工程図（その１）である。

【図１６】本発明の第４実施形態によるフォトマスクを
示す図（その２）である。

【図１７】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの
製造工程図（その２）である。

【図１８】本発明の第５実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図１９】本発明の第５実施形態によるフォトマスクを
示す図である。

【図２０】本発明の第６実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図２１】本発明の第６実施形態によるフォトマスクを
示す図である。

【図２２】本発明の第６実施形態によるフォトマスクの
製造工程図である。

【図２３】本発明の第７実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図２４】本発明の第８実施形態によるフォトマスクの
設計方法のフローチャートである。

【図２５】現在用いられているフォトマスクの代表例を
示す図である。

【図２６】従来の位相シフトマスクを示す図である。

【図２７】従来のフォトマスクの表面状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０…ガラス基板 １２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ…半透過膜 １４…微細パターン領域 １６…孤立パターン領域 １８…クロム膜 ２０、２２、２４…レジスト膜 ２６…溝 ２８…分割線 １００…ガラス基板 １０２…クロム膜 １０４…レジスト膜 １０６、１０８…半透過膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H095 BB02 BB03 BB35 BB36 BC09 BC24

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光基板と、前記透光基板上に形成さ
   れ、第１の開口部と第２の開口部が所定間隔を離れて配
   置された半透過膜とを有し、 前記第１の開口部による第１のサイドローブと、前記第
   ２の開口部による第２のサイドローブとが重なり合う領
   域に、透過光を抑制する抑制手段を設けたことを特徴と
   するフォトマスク。
2. 【請求項２】 請求項１記載のフォトマスクにおいて、 微細パターンが形成された第１の領域と、前記微細パタ
   ーンよりも大きなパターンが形成された第２の領域とを
   有し、 前記半透過膜の厚さを、前記第１の領域において最適化
   し、 前記第２の領域に前記抑制手段を設けたことを特徴とす
   るフォトマスク。
3. 【請求項３】 透光基板と、前記透光基板上に形成さ
   れ、第１の開口部と第２の開口部が所定間隔を離れて配
   置された半透過膜とを有するフォトマスクの製造方法に
   おいて、 前記第１の開口部による第１のサイドローブと、前記第
   ２の開口部による第２のサイドローブとが重なり合う領
   域に、透過光を抑制する抑制手段を設けることを特徴と
   するフォトマスクの製造方法。
4. 【請求項４】 透光基板上に、微細パターンの第１の領
   域と前記微細パターンよりも大きなパターンの第２の領
   域とを有する半透過膜を形成するフォトマスクの製造方
   法において、 前記半透過膜の厚さを、前記第１の領域において最適化
   し、 前記第２の領域においては、第１の開口部による第１の
   サイドローブと、前記第１の開口部と所定距離離れた第
   ２の開口部による第２のサイドローブとが重なり合う領
   域に、透過光を抑制する抑制手段を設けることを特徴と
   するフォトマスクの製造方法。