JP2008218580A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】解像度以下の線幅の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、低光量及び高光量の露光で現像液に対して不溶(可溶)となり、中間光量の露光で現像液に対して可溶(不溶)となるレジストに対して露光及び現像を行い、レジストにおいて中間光量の露光を受けた部分のみを除去する(残す)。
【選択図】図1
【解決手段】受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、低光量及び高光量の露光で現像液に対して不溶(可溶)となり、中間光量の露光で現像液に対して可溶(不溶)となるレジストに対して露光及び現像を行い、レジストにおいて中間光量の露光を受けた部分のみを除去する(残す)。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光光量に応じて、現像液に対して可溶または不溶となるレジストを用いたパターン形成工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
一般に、光強度(露光光量)に対して線形な反応を示すレジストを用いてパターニングする場合、レイリーの式(R=k1×(λ/NA);Rは解像する最小線幅、k1≧0.25、λは光の波長、NAは開口数)で決定される線幅までしか解像することができない。
しかし、特許文献1には、露光量の増加に伴いその極性がポジ型からネガ型に変化するレジストを用いて、マスクパターンよりも微細なパターンを形成する方法が開示されている。
図2(a)に示すように、そのようなレジスト102に対して、周期パターンを設けたフォトマスク103を用いて露光を行うと、最も強い光が照射される領域(高露光量領域)102aと、最も弱い光が照射される領域(低露光量領域)102cは現像液に対して不溶化し、マスク103のパターンエッジに位置する中間露光量領域102bは現像液に対して可溶化する。
そして、現像を行うことにより、図2(b)に示すように、中間露光量領域102bのみが除去され、結果として、マスク103上の周期パターンの空間周波数の2倍の空間周波数を持つ微細周期レジストパターンが被露光基板101上に形成される。
また、特許文献1によれば、露光量の増加に伴いその極性がネガ型からポジ型に変化するレジストを用いて露光を行うことも開示されている。その場合、前述の場合とは逆に、最も強い光が照射される領域(高露光量領域)と最も弱い光が照射される領域(低露光量領域)は現像液に対して可溶化し、マスクのパターンエッジに位置する中間露光量領域は現像液に対して不溶化し、現像すると中間露光量領域のみが残され、この場合でも結果としてマスク上の周期パターンの空間周波数の2倍の空間周波数を持つ微細周期レジストパターンが被露光基板上に形成される。
特開平8−250395号公報
本発明は、解像度以下の線幅の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、前記低光量及び前記高光量の露光で現像液に対して不溶となり、前記中間光量の露光で現像液に対して可溶となるレジストに対して露光及び現像を行い、前記レジストにおいて前記中間光量の露光を受けた部分のみを除去するパターン形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、前記低光量及び前記高光量の露光で現像液に対して可溶となり、前記中間光量の露光で現像液に対して不溶となるレジストに対して露光及び現像を行い、前記レジストにおいて前記中間光量の露光を受けた部分のみを残すパターン形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、解像度以下の線幅の形成が可能な半導体装置の製造方法が提供される。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式図である。
まず、図1(a)に表すように、半導体基板または半導体基板上に形成された被加工膜1上(全面)にレジスト3を形成する。
そして、本実施形態では、図1(a)に表すマスク11を透過した光をレジスト3上に露光させた後、そのレジスト3を現像して選択的に除去することで、所望のパターン(例えばラインアンドスペースパターン)にパターニングされたレジストが得られ、このレジストを用いて被加工膜1が加工される。
マスク11は透光性を有する基材12に対して、複数のライン状の遮光膜(ハーフトーン膜も含む)13が周期的に形成された構造を有する。
レジスト3は、露光光量に対して非線形な反応を示す。本実施形態では、露光光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、低光量及び高光量で露光されると現像液に対して不溶となり、中間光量で露光されると現像液に対して可溶となるレジストを用いている。
このようなレジスト3に対してマスク11を用いて露光を行う。レジスト3が受けた光量分布を図1(b)に示す。本明細書において、「低光量」は、図1(b)において光量L1より小さい(または以下の)光量を表し、「高光量」はL1より大きな光量L2より大きい(または以上の)光量を表し、中間光量はL1とL2との間の(またはL1以上L2以下の)光量を表す。
レジスト3において、マスク11の遮光膜13に重なる部分には低光量の露光がなされ、遮光膜13が形成されていない部分に重なる部分には高光量の露光がなされ、遮光膜13のエッジ13a及びその近傍に重なる部分には中間光量の露光がなされる。
そして、上記露光を受けたレジスト3を現像液を用いて現像を行うと、図1(c)に表されるように、中間光量で露光された部分のみが現像液に対して溶解して除去され、高光量で露光された部分3c及び低光量で露光された部分3aは残される。
結果として、露光光量に対して非線形な反応を示すレジスト3を用いることで、レイリーの式で決定される解像限界以下のラインアンドスペース、すなわちマスク11のパターン周期の1/2の周期のラインアンドスペースパターンが得られる。
なお、レジスト3として、低光量及び高光量で露光されると現像液に対して不溶となり、中間光量で露光されると現像液に対して可溶となるものを用いると、露光後の現像により、図1(d)に表されるように、高光量で露光された部分3c及び低光量で露光された部分3aは現像液に対して溶解して除去され、中間光量で露光された部分3bのみが残される。
この場合でも、レイリーの式で決定される解像限界以下のラインアンドスペース、すなわちマスク11のパターン周期の1/2の周期のラインアンドスペースパターンが得られる。
前述したように所望のパターン(ラインアンドスペースパターン)にパターニングされたレジストが得られると、このレジストを用いて被加工膜1のエッチングを行って、被加工膜1をパターニングする。被加工膜1のパターニング後、レジストを除去し、被加工膜1に酸化処理、熱処理、不純物導入処理などの各種処理、または被加工膜1の上にさらに他の膜を積層する工程等が必要に応じて適宜行われて、半導体装置の製造が進められていく。
1…被加工膜、3…レジスト、3a…低光量露光部分、3b…中間光量露光部分、3c…高光量露光部分、11…マスク、12…基材、13…遮光膜
Claims (2)
- 受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、前記低光量及び前記高光量の露光で現像液に対して不溶となり、前記中間光量の露光で現像液に対して可溶となるレジストに対して露光及び現像を行い、前記レジストにおいて前記中間光量の露光を受けた部分のみを除去するパターン形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 受ける光量が小さい順に低光量、中間光量、高光量とした場合、前記低光量及び前記高光量の露光で現像液に対して可溶となり、前記中間光量の露光で現像液に対して不溶となるレジストに対して露光及び現像を行い、前記レジストにおいて前記中間光量の露光を受けた部分のみを残すパターン形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2007052061A JP2008218580A (ja) | 2007-03-01 | 2007-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2008218580A true JP2008218580A (ja) | 2008-09-18 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011102974A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-05-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト材料 |
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2007
- 2007-03-01 JP JP2007052061A patent/JP2008218580A/ja active Pending
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