JPH06188175A - 微細構造体の形成方法 - Google Patents
微細構造体の形成方法Info
- Publication number
- JPH06188175A JPH06188175A JP34018092A JP34018092A JPH06188175A JP H06188175 A JPH06188175 A JP H06188175A JP 34018092 A JP34018092 A JP 34018092A JP 34018092 A JP34018092 A JP 34018092A JP H06188175 A JPH06188175 A JP H06188175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorber
- substrate
- forming
- resist layer
- inclined side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法を提供する。 【構成】 基板９上にレジスト層１０を形成し、シンク
ロトロン放射光（ＳＲ光）を用いてレジスト層１０を露
光する際に、マスク８の表面上に傾斜した側面７ａを有
する吸収体７を形成し、傾斜した側面７ａを有する吸収
体７が形成されたマスク８を用いて、シンクロトロン放
射光によりレジスト層１０を露光する。次に、露光した
レジスト層１０を現像することにより、開口部を有する
レジストパターン１１を形成し、開口部に埋め込まれる
ように材料を基板１上に堆積する。
方法を提供する。 【構成】 基板９上にレジスト層１０を形成し、シンク
ロトロン放射光（ＳＲ光）を用いてレジスト層１０を露
光する際に、マスク８の表面上に傾斜した側面７ａを有
する吸収体７を形成し、傾斜した側面７ａを有する吸収
体７が形成されたマスク８を用いて、シンクロトロン放
射光によりレジスト層１０を露光する。次に、露光した
レジスト層１０を現像することにより、開口部を有する
レジストパターン１１を形成し、開口部に埋め込まれる
ように材料を基板１上に堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細構造体の形成方法に
関し、特に傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法に関する。
関し、特に傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造技術を応用し
て、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究
が近年活発になってきている。その中で、Ｘ線を使った
深いリソグラフィーと電解メッキで高アスペクト比の微
細構造体を形成するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ ａｎｄ Ａｂｆｏｒｍｕ
ｎｇ）法は、特に注目されるところである。ＮＩＫＫＥ
Ｉ ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ １９９０．１１．２６およ
びＭＥＭＳ １９９１（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｗｏｒｋｓｈ
ｏｐ）のプロシーディングスに示される従来のＬＩＧＡ
法について基本工程を以下に示す。図６を参照して、ま
ず図６（ａ）に示すように、典型的にはポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）を材料とするレジスト層１０２
を望みの高さ（０．１ｍｍ〜１ｍｍ）で基板１０１上に
形成した後、金などの重金属の吸収材１００ａをパター
ンとするマスク１００を用い、シンクロトロン放射のＸ
線（以下ＳＲ光と略記）でレジスト層１０２を露光す
る。次いで現像を行なえば、図６（ｂ）に示すように、
１００以上のアスペクト比を有するレジストパターン１
０３が得られる。次に、レジストパターン１０３を有す
る基板をメッキ液に漬け、電気メッキによって金属の構
造体１０４を堆積させる（図６（ｃ））。この工程にお
いて、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）
などを堆積させることができる。続いて、図６（ｄ）に
示すように、レジスト材を除いて得られた金属の構造体
１０４を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド材
１０５を構造体１０４に充填する。さらに、図６（ｅ）
に示すように、モールド材１０５に従い、誘電性プラス
チック１０６と導電性プラスチックシート１０７からプ
ラスチック型１０８を形成する。続いて、図６（ｆ）に
示すようにモールド材１０５を分離して、プラスチック
型１０８を準備する。プラスチック型１０８の谷間に電
鋳により金属１０９を堆積させる（図６（ｇ））。次
に、プラスチック型１０８を除くと、微細な金属構造体
１１０を得ることができる（図６（ｈ））。
て、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究
が近年活発になってきている。その中で、Ｘ線を使った
深いリソグラフィーと電解メッキで高アスペクト比の微
細構造体を形成するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ ａｎｄ Ａｂｆｏｒｍｕ
ｎｇ）法は、特に注目されるところである。ＮＩＫＫＥ
Ｉ ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ １９９０．１１．２６およ
びＭＥＭＳ １９９１（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｗｏｒｋｓｈ
ｏｐ）のプロシーディングスに示される従来のＬＩＧＡ
法について基本工程を以下に示す。図６を参照して、ま
ず図６（ａ）に示すように、典型的にはポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）を材料とするレジスト層１０２
を望みの高さ（０．１ｍｍ〜１ｍｍ）で基板１０１上に
形成した後、金などの重金属の吸収材１００ａをパター
ンとするマスク１００を用い、シンクロトロン放射のＸ
線（以下ＳＲ光と略記）でレジスト層１０２を露光す
る。次いで現像を行なえば、図６（ｂ）に示すように、
１００以上のアスペクト比を有するレジストパターン１
０３が得られる。次に、レジストパターン１０３を有す
る基板をメッキ液に漬け、電気メッキによって金属の構
造体１０４を堆積させる（図６（ｃ））。この工程にお
いて、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）
などを堆積させることができる。続いて、図６（ｄ）に
示すように、レジスト材を除いて得られた金属の構造体
１０４を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド材
１０５を構造体１０４に充填する。さらに、図６（ｅ）
に示すように、モールド材１０５に従い、誘電性プラス
チック１０６と導電性プラスチックシート１０７からプ
ラスチック型１０８を形成する。続いて、図６（ｆ）に
示すようにモールド材１０５を分離して、プラスチック
型１０８を準備する。プラスチック型１０８の谷間に電
鋳により金属１０９を堆積させる（図６（ｇ））。次
に、プラスチック型１０８を除くと、微細な金属構造体
１１０を得ることができる（図６（ｈ））。
【０００３】ＬＩＧＡ法は、マイクロマシーン、光学素
子、センサおよびアクチュエータなどの製造に利用する
ことができ、その応用範囲は非常に広い。
子、センサおよびアクチュエータなどの製造に利用する
ことができ、その応用範囲は非常に広い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上に示してきた従来
のＬＩＧＡ法によって、さらにマイクロギア等の種々の
構造体を形成することができる。しかしながら、従来の
ＬＩＧＡ法により形成されてきた構造体は、図６（ｈ）
を参照して、基板に対して水平方向の面１１０ａではさ
まざまな形状を取ることができた一方、基板に対して垂
直方向の面１１０ｂでは切り立った壁のような形状がほ
とんどであり、基板に対して、傾斜した側面、たとえ
ば、テーパ形状、逆テーパ形状、Ｖ溝形状等を有する溝
を含む微細構造体を形成するのは困難であった。
のＬＩＧＡ法によって、さらにマイクロギア等の種々の
構造体を形成することができる。しかしながら、従来の
ＬＩＧＡ法により形成されてきた構造体は、図６（ｈ）
を参照して、基板に対して水平方向の面１１０ａではさ
まざまな形状を取ることができた一方、基板に対して垂
直方向の面１１０ｂでは切り立った壁のような形状がほ
とんどであり、基板に対して、傾斜した側面、たとえ
ば、テーパ形状、逆テーパ形状、Ｖ溝形状等を有する溝
を含む微細構造体を形成するのは困難であった。
【０００５】本発明は、微細構造体の形成方法に関し、
所望の微細かつ複雑な形状を有する面と、外面の側面と
して、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体を形成す
る、微細構造体の形成方法を提供することを目的とす
る。
所望の微細かつ複雑な形状を有する面と、外面の側面と
して、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体を形成す
る、微細構造体の形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従う微細構造体
の形成方法は、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程
と、表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマス
クを介して、光を用いてレジスト層を露光する工程と、
露光したレジスト層を現像して、マスクの吸収体の傾斜
側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含むレジスト
パターンを形成する工程と、開口部に埋め込まれるよう
に材料を堆積する工程とを備える。
の形成方法は、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程
と、表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマス
クを介して、光を用いてレジスト層を露光する工程と、
露光したレジスト層を現像して、マスクの吸収体の傾斜
側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含むレジスト
パターンを形成する工程と、開口部に埋め込まれるよう
に材料を堆積する工程とを備える。
【０００７】
【作用】本発明に従う微細構造体の形成方法によれば、
マスクの表面上に形成された吸収体は傾斜した側面を有
する。傾斜した側面を有する吸収体が形成されたマスク
を介して、光を用いてレジスト層を露光すると、吸収体
の膜厚の厚い部分では、光が吸収体に吸収されるが、吸
収体の膜厚の薄い部分では、光の一部が吸収体を透過し
てレジスト層へ到達し、レジスト層を露光する。吸収体
を透過する光の光量は、吸収体の膜厚が薄くなるにつれ
て大きくなる。
マスクの表面上に形成された吸収体は傾斜した側面を有
する。傾斜した側面を有する吸収体が形成されたマスク
を介して、光を用いてレジスト層を露光すると、吸収体
の膜厚の厚い部分では、光が吸収体に吸収されるが、吸
収体の膜厚の薄い部分では、光の一部が吸収体を透過し
てレジスト層へ到達し、レジスト層を露光する。吸収体
を透過する光の光量は、吸収体の膜厚が薄くなるにつれ
て大きくなる。
【０００８】また、レジスト層の露光の深さは、光の光
量に依存し、光の単位面積当たりの光量が多い部分ほど
深くなる。
量に依存し、光の単位面積当たりの光量が多い部分ほど
深くなる。
【０００９】すなわち、マスクの表面上に傾斜した側面
を有する吸収体を形成し、傾斜した側面を有する吸収体
が形成されたマスク用いて、光を用いてレジスト層を露
光すると、レジスト層は、深さ方向に傾斜した状態に露
光される。次に、露光したレジスト層を現像することに
より、レジストパターンを形成すると、このレジストパ
ターンは、マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側
面を有する開口部を含むレジストパターンとなる。この
レジストパターンの開口部に埋め込まれるように材料を
基板上に堆積すると、この材料には、レジストパターン
の反転パターンが形成される。本発明に従う微細構造体
の形成方法によれば、基板に水平な方向の面に所望の高
精度の、かつ再現性のよいさまざまな微細かつ複雑な形
状を有する面と、外面の側面として、たとえば、テーパ
形状、逆テーパ形状、Ｖ溝形状等の傾斜した側面を有す
る溝を含む微細構造体を形成することができる。
を有する吸収体を形成し、傾斜した側面を有する吸収体
が形成されたマスク用いて、光を用いてレジスト層を露
光すると、レジスト層は、深さ方向に傾斜した状態に露
光される。次に、露光したレジスト層を現像することに
より、レジストパターンを形成すると、このレジストパ
ターンは、マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側
面を有する開口部を含むレジストパターンとなる。この
レジストパターンの開口部に埋め込まれるように材料を
基板上に堆積すると、この材料には、レジストパターン
の反転パターンが形成される。本発明に従う微細構造体
の形成方法によれば、基板に水平な方向の面に所望の高
精度の、かつ再現性のよいさまざまな微細かつ複雑な形
状を有する面と、外面の側面として、たとえば、テーパ
形状、逆テーパ形状、Ｖ溝形状等の傾斜した側面を有す
る溝を含む微細構造体を形成することができる。
【００１０】
【実施例】本発明に従って、テーパ形状の側面を有する
溝を含む微細構造体の形成方法について、図１〜図３を
参照しながら以下に説明する。
溝を含む微細構造体の形成方法について、図１〜図３を
参照しながら以下に説明する。
【００１１】（１） 傾斜した側面を有する吸収体を表
面上に有するマスクの作製 図１（ａ）を参照して、４００μｍの厚みを有するシリ
コン（Ｓｉ）ウエハ１の表面と裏面のそれぞれに、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮ層２、３を形成した。次に、図１
（ｂ）に示す工程において、ＳｉＮ層２の表面上に、吸
収体を形成する材料として、スパッタリングによりタン
グステン（Ｗ）層４を形成した。次に、図１（ｃ）に示
す工程において、タングステン（Ｗ）層４の表面上に、
レジスト（ＯＦＰＲ−８００、東京応化製）を滴下し、
スピンコート法により、基板１の回転数を３０００ｒ．
ｐ．ｍ．にし、レジスト層５を、１．５μｍ厚に均一に
塗布した。次に、ホットプレート（図示せず）上で、レ
ジスト層５が形成された基板１を１２０℃で、９０秒間
加熱するプリベーク処理を行なった。次に、図１（ｄ）
に示す工程において、レジスト層５が形成された基板１
をコンタクトアライナ（ＰＬＡ５０１、キャノン製）内
に収容して、７秒間の露光を行なった後、現像液（ＮＭ
Ｄ−Ｗ、東京応化製）中に、露光したレジスト層５を有
する基板１を浸漬し、現像した。そして、現像後、現像
したレジスト層を有する基板１をホットプレート（図示
せず）上で、１６０℃で、１２０秒間加熱するポストベ
ーク処理を行なうことにより、レジスト層５について、
レジストパターン６を形成した。次に、図２（ａ）に示
す工程において、反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ
装置）を用いて、レジストパターン６をマスクとして用
い、タングステン（Ｗ）層４を、以下の条件でエッチン
グすることにより、傾斜し側面、すなわち、テーパ形状
の側面を有する吸収体７をＳｉＮ層２の表面上に形成し
た。
面上に有するマスクの作製 図１（ａ）を参照して、４００μｍの厚みを有するシリ
コン（Ｓｉ）ウエハ１の表面と裏面のそれぞれに、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮ層２、３を形成した。次に、図１
（ｂ）に示す工程において、ＳｉＮ層２の表面上に、吸
収体を形成する材料として、スパッタリングによりタン
グステン（Ｗ）層４を形成した。次に、図１（ｃ）に示
す工程において、タングステン（Ｗ）層４の表面上に、
レジスト（ＯＦＰＲ−８００、東京応化製）を滴下し、
スピンコート法により、基板１の回転数を３０００ｒ．
ｐ．ｍ．にし、レジスト層５を、１．５μｍ厚に均一に
塗布した。次に、ホットプレート（図示せず）上で、レ
ジスト層５が形成された基板１を１２０℃で、９０秒間
加熱するプリベーク処理を行なった。次に、図１（ｄ）
に示す工程において、レジスト層５が形成された基板１
をコンタクトアライナ（ＰＬＡ５０１、キャノン製）内
に収容して、７秒間の露光を行なった後、現像液（ＮＭ
Ｄ−Ｗ、東京応化製）中に、露光したレジスト層５を有
する基板１を浸漬し、現像した。そして、現像後、現像
したレジスト層を有する基板１をホットプレート（図示
せず）上で、１６０℃で、１２０秒間加熱するポストベ
ーク処理を行なうことにより、レジスト層５について、
レジストパターン６を形成した。次に、図２（ａ）に示
す工程において、反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ
装置）を用いて、レジストパターン６をマスクとして用
い、タングステン（Ｗ）層４を、以下の条件でエッチン
グすることにより、傾斜し側面、すなわち、テーパ形状
の側面を有する吸収体７をＳｉＮ層２の表面上に形成し
た。
【００１２】
【表１】 次に、図２（ｂ）に示す工程において、以下の条件で、
シリコン（Ｓｉ）ウエハ１を、２０％の水酸化カリウム
（ＫＯＨ）水溶液を用いバックエッチングすることによ
り、傾斜した側面を有する吸収体７を表面上に有するマ
スク８を作成した。
シリコン（Ｓｉ）ウエハ１を、２０％の水酸化カリウム
（ＫＯＨ）水溶液を用いバックエッチングすることによ
り、傾斜した側面を有する吸収体７を表面上に有するマ
スク８を作成した。
【００１３】（２） テーパ形状の傾斜面を有する溝を
含む微細構造体の作製 次に、図２（ｃ）に示す工程において、シリコン（Ｓ
ｉ）ウエハ等からなる基板９上に、たとえば、ＰＭＭＡ
をベースとするレジスト層１０を５０μｍ厚で形成した
後、上記、図２（ｂ）に示す工程において作成した、テ
ーパ形状の傾斜面を有する吸収体７を表面に有するマス
ク８を用いて、シンクロトロン放射光装置（電総研ＴＥ
ＲＡＳ）を用い、ピーク波長１０Åのシンクロトロン放
射光（ＳＲ光）を、照射条件１００ｍＡ・時間で照射
し、レジスト層１０を露光した。
含む微細構造体の作製 次に、図２（ｃ）に示す工程において、シリコン（Ｓ
ｉ）ウエハ等からなる基板９上に、たとえば、ＰＭＭＡ
をベースとするレジスト層１０を５０μｍ厚で形成した
後、上記、図２（ｂ）に示す工程において作成した、テ
ーパ形状の傾斜面を有する吸収体７を表面に有するマス
ク８を用いて、シンクロトロン放射光装置（電総研ＴＥ
ＲＡＳ）を用い、ピーク波長１０Åのシンクロトロン放
射光（ＳＲ光）を、照射条件１００ｍＡ・時間で照射
し、レジスト層１０を露光した。
【００１４】次に、図２（ｄ）に示す工程において、図
２（ｃ）に示す工程で、シンクロトロン放射光（ＳＲ
光）により露光したレジスト層１０を有する基板９を、
Ｍｉｂｋ原液（現像液）中に、２分間浸漬することによ
り、基板９上にテーパ形状の傾斜面を有する側面１１ａ
を含むレジストパターン１１を形成した。
２（ｃ）に示す工程で、シンクロトロン放射光（ＳＲ
光）により露光したレジスト層１０を有する基板９を、
Ｍｉｂｋ原液（現像液）中に、２分間浸漬することによ
り、基板９上にテーパ形状の傾斜面を有する側面１１ａ
を含むレジストパターン１１を形成した。
【００１５】次に、図３（ａ）に示す工程において、電
気メッキにより、基板９上に形成されたレジストパター
ン１１の開口部１１ａに埋め込まれるように、ニッケル
（Ｎｉ）の金属を堆積し、レジストパターン１１と反転
パターンの逆テーパ形状の傾斜面を有する側面１２ａを
有する金属構造体１２を形成した。続いて、図３（ｂ）
に示す工程において、レジストを除いて得られた金属構
造体１２を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド
材１３を金属構造体１２に充填する。次に、図３（ｃ）
に示す工程において、モールド材１３に従い、誘電性プ
ラスチック１４と導電性プラスチックシート１５とから
なるプラスチック型１６を形成する。次に、図３（ｄ）
に示す工程においてモールド材１３を分離して、プラス
チック型１６を準備する。次に、図３（ｅ）に示す工程
において，プラスチック型１６の谷間に電鋳により金属
１７を堆積させる。次に、図３（ｆ）に示す工程におい
て、プラスチック型１６を除くことにより、テーパ形状
の傾斜面１８ｂを有する側面を有する溝を含む微細構造
体１８を形成することができる。
気メッキにより、基板９上に形成されたレジストパター
ン１１の開口部１１ａに埋め込まれるように、ニッケル
（Ｎｉ）の金属を堆積し、レジストパターン１１と反転
パターンの逆テーパ形状の傾斜面を有する側面１２ａを
有する金属構造体１２を形成した。続いて、図３（ｂ）
に示す工程において、レジストを除いて得られた金属構
造体１２を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド
材１３を金属構造体１２に充填する。次に、図３（ｃ）
に示す工程において、モールド材１３に従い、誘電性プ
ラスチック１４と導電性プラスチックシート１５とから
なるプラスチック型１６を形成する。次に、図３（ｄ）
に示す工程においてモールド材１３を分離して、プラス
チック型１６を準備する。次に、図３（ｅ）に示す工程
において，プラスチック型１６の谷間に電鋳により金属
１７を堆積させる。次に、図３（ｆ）に示す工程におい
て、プラスチック型１６を除くことにより、テーパ形状
の傾斜面１８ｂを有する側面を有する溝を含む微細構造
体１８を形成することができる。
【００１６】なお、本実施例によれば、図２（ａ）に示
す工程において、タングステン（Ｗ）層４をエッチング
する条件を変えることにより、吸収体７の側面の傾斜面
の形状を種々の形状に変えることができる。傾斜面の形
状を変化させるパラメータとしては、たとえば、基板１
の温度、エッチングガスの種類等を挙げることができ
る。
す工程において、タングステン（Ｗ）層４をエッチング
する条件を変えることにより、吸収体７の側面の傾斜面
の形状を種々の形状に変えることができる。傾斜面の形
状を変化させるパラメータとしては、たとえば、基板１
の温度、エッチングガスの種類等を挙げることができ
る。
【００１７】一般に、基板１の温度を下げると、吸収体
７の側面７ａは、基板１に対し垂直方向に形成され、基
板１の温度を上昇させるに従って、吸収体７の側面７ａ
は、基板１に対して傾斜した状態で形成される。
７の側面７ａは、基板１に対し垂直方向に形成され、基
板１の温度を上昇させるに従って、吸収体７の側面７ａ
は、基板１に対して傾斜した状態で形成される。
【００１８】本実施例では、図２（ｂ）を参照して、基
板１の温度が約−３０℃以下では、吸収体７の側面７ａ
は、基板１に対して垂直方向に形成され、基板１の温度
を約−３０℃以上にすると、吸収体７の側面７ａは、基
板１に対して傾斜した状態で形成された。吸収体７の側
面７ａの基板に対する傾斜角θは、温度依存的であり、
−３０℃以下であれば、低温であればあるほど、垂直方
向になる傾向が観察された。
板１の温度が約−３０℃以下では、吸収体７の側面７ａ
は、基板１に対して垂直方向に形成され、基板１の温度
を約−３０℃以上にすると、吸収体７の側面７ａは、基
板１に対して傾斜した状態で形成された。吸収体７の側
面７ａの基板に対する傾斜角θは、温度依存的であり、
−３０℃以下であれば、低温であればあるほど、垂直方
向になる傾向が観察された。
【００１９】図４は、基板温度が約−３０℃以上の温度
範囲における、ＳＦ6 ガスを１つだけ用いた場合の吸収
体７の断面形状を拡大して、概略的に示す断面図であ
る。図４を参照して、ＳＦ6 ガスを１つだけ用いた場合
は、基板温度が約−３０℃以上の温度範囲では、通常、
台形形状の断面を有する吸収体７１が形成され、吸収体
７１は、その表面７１Ｓの近傍で、側面７１ａが若干内
側に括れた部分７１ｂを有する形状となる。
範囲における、ＳＦ6 ガスを１つだけ用いた場合の吸収
体７の断面形状を拡大して、概略的に示す断面図であ
る。図４を参照して、ＳＦ6 ガスを１つだけ用いた場合
は、基板温度が約−３０℃以上の温度範囲では、通常、
台形形状の断面を有する吸収体７１が形成され、吸収体
７１は、その表面７１Ｓの近傍で、側面７１ａが若干内
側に括れた部分７１ｂを有する形状となる。
【００２０】図５は、基板温度が約−３０℃以上の温度
範囲の一定温度における、エッチングガスの種類の影響
を概略的に示す吸収体７１の概略的な断面図である。
範囲の一定温度における、エッチングガスの種類の影響
を概略的に示す吸収体７１の概略的な断面図である。
【００２１】図５（ａ）は、上述した基板温度が約−３
０℃以上の温度範囲における一定温度においてＳＦ6 ガ
スを１つだけ用いた場合の吸収体７１の断面形状を概略
的に示す断面図である。なお、図５（ａ）は、図４に示
す断面形状と同様であるので、相当する部分には同一の
参照符号を付してその説明を省略する。
０℃以上の温度範囲における一定温度においてＳＦ6 ガ
スを１つだけ用いた場合の吸収体７１の断面形状を概略
的に示す断面図である。なお、図５（ａ）は、図４に示
す断面形状と同様であるので、相当する部分には同一の
参照符号を付してその説明を省略する。
【００２２】図５（ｂ）を参照して、図５（ｂ）は、基
板温度が約−３０℃以上の温度範囲で一定温度下におい
て、ＳＦ6 ガスにＣＨＦ3 ガス微量加えることにより形
成された吸収体７１を概略的に示す断面図である。ＳＦ
6 ガスにＣＨＦ3 ガス微量ずつ添加すると、括れ部分７
１ｂは消失する傾向にあり、ＳＦ6 ガスに対しＣＨＦ 3
ガスの添加量を増加するに従って、吸収体７１の側面７
１ａの基板１に対する傾斜角θは、垂直方向になる。図
５（ｃ）を参照して、ＳＦ6 ガスに対しＣＨＦ 3 ガスを
さらに添加していくと、吸収体７１の側面７１ａの基板
に対する傾斜角θは、ＣＨＦ3 ガスの添加量に依存し
て、再び鋭角となる傾向にあった。
板温度が約−３０℃以上の温度範囲で一定温度下におい
て、ＳＦ6 ガスにＣＨＦ3 ガス微量加えることにより形
成された吸収体７１を概略的に示す断面図である。ＳＦ
6 ガスにＣＨＦ3 ガス微量ずつ添加すると、括れ部分７
１ｂは消失する傾向にあり、ＳＦ6 ガスに対しＣＨＦ 3
ガスの添加量を増加するに従って、吸収体７１の側面７
１ａの基板１に対する傾斜角θは、垂直方向になる。図
５（ｃ）を参照して、ＳＦ6 ガスに対しＣＨＦ 3 ガスを
さらに添加していくと、吸収体７１の側面７１ａの基板
に対する傾斜角θは、ＣＨＦ3 ガスの添加量に依存し
て、再び鋭角となる傾向にあった。
【００２３】基板１温度を６０℃に固定した場合、ＳＦ
6 ガスの流量を２５ｓｃｃｍとし、ＣＨＦ3 ガスの流量
を２５ｓｃｃｍとすると、ほぼ完全な断面が台形形状の
吸収体を形成することができた。
6 ガスの流量を２５ｓｃｃｍとし、ＣＨＦ3 ガスの流量
を２５ｓｃｃｍとすると、ほぼ完全な断面が台形形状の
吸収体を形成することができた。
【００２４】また、基板１温度を６０℃に固定した場
合、ＳＦ6 ガスの流量と、ＣＨＦ3 ガスの流量との合計
のガス流量を５０ｓｃｃｍとした場合、ＣＨＦ3 ガスの
流量が、約５ｓｃｃｍ以下の範囲、または、約１０ｓｃ
ｃｍ以上の範囲では、マスク吸収体の側面の基板１に対
する傾斜角は鋭角であり、ＣＨＦ3 ガスの流量が約５ｓ
ｃｃｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲では、マスク吸収体の側面
の基板１に対する傾斜角は、ほぼ９０゜となる傾向にあ
った。
合、ＳＦ6 ガスの流量と、ＣＨＦ3 ガスの流量との合計
のガス流量を５０ｓｃｃｍとした場合、ＣＨＦ3 ガスの
流量が、約５ｓｃｃｍ以下の範囲、または、約１０ｓｃ
ｃｍ以上の範囲では、マスク吸収体の側面の基板１に対
する傾斜角は鋭角であり、ＣＨＦ3 ガスの流量が約５ｓ
ｃｃｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲では、マスク吸収体の側面
の基板１に対する傾斜角は、ほぼ９０゜となる傾向にあ
った。
【００２５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に従え
ば、基板に対して、傾斜側面を有する溝を含む開口部を
有するレジストパターンが形成されるので、このレジス
トパターンに従って、傾斜側面を有する溝を含む微細構
造体を形成することができる。
ば、基板に対して、傾斜側面を有する溝を含む開口部を
有するレジストパターンが形成されるので、このレジス
トパターンに従って、傾斜側面を有する溝を含む微細構
造体を形成することができる。
【図１】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図２】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図３】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図４】本発明に従って形成される吸収体の断面を拡大
して概略的に示す断面図である。
して概略的に示す断面図である。
【図５】ＣＨＦ3 ガスの吸収体の側面へ及ぼす影響を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】従来のＬＩＧＡ法の工程を概略的に示す工程図
である。
である。
１ シリコンウエハ ２、３ ＳｉＮ層 ５、１０ レジスト層 ６、１１ レジストパターン ７、７１ 吸収体 ７ａ、７１ａ 側面 ７１ｂ 括れ部 ８ マスク ９ 基板 １１ａ レジストパターンの側面 １２ 金属構造体 １３ モールド材 １４ 誘電性プラスチック １５ 導電性プラスチックシート １６ プラスチック型 １７ 金属 １８ 金属構造体 １８ｂ 傾斜面
Claims (1)
- 【請求項１】 傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、 基板上にレジスト層を形成する工程と、 表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマスクを
介して、光を用いて前記レジスト層を露光する工程と、 前記露光したレジスト層を現像して、前記マスクの吸収
体の傾斜側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含む
レジストパターンを形成する工程と、 前記開口部に埋め込まれるように材料を堆積する工程と
を備えた、微細構造体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34018092A JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34018092A JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188175A true JPH06188175A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18334491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34018092A Pending JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988005923A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Hitachi, Ltd. | Portable dosimeter and intensive exposure control apparatus using the same |
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34018092A patent/JPH06188175A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988005923A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Hitachi, Ltd. | Portable dosimeter and intensive exposure control apparatus using the same |
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7864426B2 (en) | High aspect-ratio X-ray diffractive structure stabilization methods and systems | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| US6841339B2 (en) | Silicon micro-mold and method for fabrication | |
| KR930001956B1 (ko) | 미세패턴의 형성방법 | |
| JPH06188175A (ja) | 微細構造体の形成方法 | |
| EP0057268A2 (en) | Method of fabricating X-ray lithographic masks | |
| JPH05343279A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3385708B2 (ja) | 微細構造体の形成方法 | |
| JP3306963B2 (ja) | ステンシルマスク形成方法 | |
| KR100249317B1 (ko) | 미세 구조물 형성을 위한 리가 공정 | |
| JP4983313B2 (ja) | 転写マスクおよびその製造方法 | |
| US6429034B1 (en) | Method of making high aspect ratio features during surface micromachining | |
| JP2001350269A (ja) | 半田印刷用マスクの製造方法 | |
| JPH07233464A (ja) | 微細パターン形成用マスク板およびその製造方法 | |
| KR100523138B1 (ko) | 반도체 소자의 인덕터 제조 방법 | |
| KR100310942B1 (ko) | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 | |
| KR100278742B1 (ko) | 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR100501768B1 (ko) | Ｘ-선 마스크 및 그 제조 방법 | |
| JP2985884B1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100310978B1 (ko) | 초전도 소자의 포토리소그라피 방법 | |
| JPS60217628A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| CN115639730A (zh) | 电子束光刻方法、浅沟槽隔离及电极接触孔的形成方法 | |
| JPS6321831A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS60207339A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5825234A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020604 |