JPH0191421A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はリソグラフィーにおける１μｍ以下の微細パタ
ーン形成方法に係り、特に電子ビーム露光における近接
効果補正法に関するものである。

従来の技術 第２図は電子ビーム露光におけるパターン形成断面図で
ある。半導体基板１１上に形成された電子ビーム感光体
１２に、通常のエネルギー（２０〜３０Ｋｅｙ）の電子
ビーム１３を照射すると、前方散乱や後方散乱、下地か
らの反射で感光領域１４は図のようなパターン形状にな
る。特に後方散乱と下地からの反射が近接効果に大きく
影響し、これらを取り去ることが出来れば良い形状のパ
ターンが得られる。

そこで、幾つかの方法が考えられているが、その中の一
つを例に上げる。第３図ａ　−ｄがその概念図である。

まず第２図のように露光するが、この時ドーズ量はアン
ダー・ドーズにしである。その後第３図ａのようにレジ
ストの上部だけが現像できる時間で現像を行う。これは
、後方散乱及び下地からの反射の影響がレジストの上部
では少ないことを利用している。そして第３図すのよう
に第２の薄膜１６を形成し、表面を平坦化する。次に第
３図Ｃのように、現像された部分にだけ第２の薄膜の一
部１６が残るように第２の薄膜の一部１６をエツチング
する。最後に第３図ｄのように、上記の第２の薄膜１６
をマスクに電子ビーム感光体１３をエツチングし、近接
効果の少ないパターンを形成するというものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような方法では、電子ビームのエ
ネルギーが高いため、たとえアンダードーズであろうと
も電子は電子ビーム感光体を突き抜け、基板内部にも達
する。いいかえれば電子ビーム感光体の中間部及び下部
もわずかではあるが露光されているということになる。

よって現像時間に対して、電子ビーム感光体のパターン
の深さ及び形状が変わシ易いという問題点を有している
。

本発明はかかる点に鑑み、近接効果補正を容易にできる
方法を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明のパターン形成方法は半導体基板表面上に塗布さ
れた電子ビーム感光体音、ドーズ量は通・常のドーズ量
で、電子が基板に達しない低エネルギーの電子ビーム露
光、パターンを形成し、そのパターン上に第２の薄膜を
形成し表面を平坦化した後電子ビーム感光体の現像され
た部分にだけ第２の薄膜が残るように第２の薄膜をエツ
チングし、最後に、その第２の薄膜をマスクとして電子
ビーム感光体をエツチングすることにより、近接効果を
補正するものである。

作　　用 本発明によれば、電子がレジストを突き抜けず、レジス
トの上部または中間部ぐらいまでしか達しないほどの低
エネルギーの電子ビームで電子ビーム感光体を露光する
ことによシ、従来の問題点を解決することができる。つ
まシミ子がレジストの上部、もしくは中間部ぐらいまで
しか達していないのだから、現像時間に対して電子ビー
ム感光体のパターンの深さが変わシにくく、よって形状
も変わりにくい、ということである。また同じ理由で、
下地からの反射の影響もなくなる。よって本発明によシ
、近接効果補正を容易にすることが出来る。

実施例 第１図は本発明の一実施例における近接効果補正方法を
説明する工程断面図である。

節回ａにおいて、半導体基板１上に、電子ビームレジス
トＰＭＭＡ２を０．５〜１．２μｍ　の厚さにスピンコ
ードし、電子がレジストの上部または中間部ぐらいまで
しか達しないほどの低エネルギー（たとえば５ｋｅｖ）
の電子ビーム３で露光する。

次に第１図すのように現像し、第１図Ｃのようにその上
に酸化膜４を０．１〜０．３　ｌｔ　ｍ　　ぐらい形成
し、平坦化する。

次に第１図ｄに示すように、電子ビーム感光体の現像さ
れた部分にだけ、酸化膜４が残るように、酸化膜４をエ
ツチングする。最後に、第１図ｅのように、上記の酸化
膜４をマスクとして、電子ピームレジスｌ−ＰＭＭＡを
エツチングした。

以上の方法により、近接効果の少ない微細パターンが容
易にできた。なお、上記実施例で説明した酸化膜は、他
の薄膜窒化膜や金属膜、ＡＩ、Ｔｉ等でもかまわない。

また、電子ビームレジストとして、ネガ型でもかまわな
い。

発明の効果 本発明は、半導体基板表面上に塗布された電子ビーム感
光体を、電子ビームが基板に達しない低エネルギーの電
子ビームで露光し、パターンを形成した後、そのパター
ン上に第２の薄膜を形成し表面を平坦化した後電子ビー
ム感光体の現像された部分にだけ第２の薄膜が残るよう
に第２の薄膜をエツチングし、最後にその第２の薄膜を
マスクとして電子ビーム感光体をエツチングすることに
より、近接効果を補正し正確なレジヌトノくターンを形
成することができる。

しかも、低エネルギーにすることによシ、入射された電
子が露光に有効に使われるため通常のエネルギーにおけ
る感度よりも見かけ上の感度が良くなり、また、イメー
ジリバースにも使用することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ　−ｅは本発明の一実施例における近接効果補
正方法を説明する工程断面図、第２図は電子ビーム露光
におけるパターン形成時の断面図、第２図及び第３図ａ
　＝　ｄは従来の近接効果補正方法を説明する工程断面
図である。 ２・・・・・・電子ビーム感光体、３・・・・・・低エ
ネルギーの電子ビーム（５ｋｅｖ　）、４・・・・・・
酸化膜、５・・・・・・通常のエネルギーの電子ビーム
（２０〜４０　ｋｅｙ）、６・・・・・・第２の薄膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名−も
　ぐ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１寸区 Ｏフ ５３ｃ３ 法　　　　　−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板表面上に塗布された電子ビーム感光体を、
   電子が前記基板に達しないエネルギーの電子ビームで露
   光し、パターン形成する工程と、前記パターン上に第２
   の薄膜を形成し表面を平坦化する工程と、前記第２の薄
   膜を前記電子ビーム感光体パターンが見えるまでエッチ
   ングする工程と、前記第２の薄膜によるパターンをマス
   クとして前記電子ビーム感光体をエッチングし所定のパ
   ターン形成をする工程とを含むパターン形成方法。