JPS61110431A - X線露光マスク - Google Patents

X線露光マスク

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Publication number
JPS61110431A
JPS61110431A JP59231542A JP23154284A JPS61110431A JP S61110431 A JPS61110431 A JP S61110431A JP 59231542 A JP59231542 A JP 59231542A JP 23154284 A JP23154284 A JP 23154284A JP S61110431 A JPS61110431 A JP S61110431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
mask
thickness
gold
absorbing layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59231542A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriaki Ishio
石尾 則明
Haruyuki Hoshika
星加 春行
Yoshiki Suzuki
鈴木 淑希
Nobuyuki Yoshioka
信行 吉岡
Akira Chiba
明 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59231542A priority Critical patent/JPS61110431A/ja
Publication of JPS61110431A publication Critical patent/JPS61110431A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔並業上の利用分野〕 この発明はX41[光用マスクに関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は、例えば公開特許公報昭59−92531に示
され之従来のX線蕗光用マスクを示す断面図であり、図
において、(11は写真食刻で中央部を収り去ら′h次
シリコン基板、(2)は厚さ1〜2μmの貨化シリコン
膜からなるマスク基板、(3)は厚さ100OAのチタ
ニウム膜、(4)は厚さ約1)Amの金膜からなるX祷
吸収層、(6)はモリブデン膜である。
従来のXm露光マスクは上記のように構成されていたの
で、$2図において、紙面下部にxgj用レジストを塗
布しtウェハを置き、上部から下部に向って平行X1l
jk照射すると、金膜(4)、シリコン基板+11によ
って吸収され、その他のS分では透過して、上記のX、
@用レジストをこのマスクによって選択的1/CM光さ
せることができる。つまり、Xm露光マスクとして使え
ることを意味している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来のX線露光マスクでは、xN4吸収層
としての金膜(4)の厚さを以下に述べるように充分、
大にできなかつ次ために、x#i!に対する吸収率が不
足(厚さ1μmの金膜のX線吸収率Vi85〜9op 
(X線管からのx繰に対し)である。)してマスクのコ
ントラストか不充分となる問題点かあった。
つ1す、金8!!+41の厚さを上記の例より増すと、
剥離する危険性が大となる定めである。この傾向はこの
金膜に限らず、他の材料でも、甘之メッキ法に限らず蒸
看法、スパッタ法等で作られ九礪台でも、その下地との
弾性係数が著しく異なる条件の時に埃われることは、一
般によく経躾されていることである。金膜(4)とマス
ク基板(2)の関係はこの条件に当てはまる。
この発明は、か\る問題点を解決するためになされ九も
ので、マスク吸収層の厚みを増しても剥離することのな
い高コントラストの1114元マスクを得ることを目的
としている。
〔問題点全解決する次めの手段〕
この発明に係るxs’u、光マスクは、マスク基板内[
fiK上部及び下部X線吸収層を設けたものである。
〔作用〕
この発明においては、下部xIs吸収層は、上部X#吸
収層を透過し九X線を吸収し、両者を酔わせて透過する
X線量を少くする。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、図中
、(61は従来例のシリコン基板とはソー形状同寸法の
パイレックスリング、(2)はマスク基板であって、ボ
ロンナイトライド膜やシリコンカーバイド膜でもよいが
、この実施例では厚さ1m2声mの窒化シリコン編、(
4a)は上ta X 婦吸収層であって、この実施例で
は厚さ約1μmの金膜、(4b)は下部X#吸収層であ
って、この実榴例では厚さ約1、amの金膜、(7a)
、 (7b)は厚さ1.5.ltmのそれぞれ金8s(
4a)、 (41))を保護する上部及び下部のポリイ
ミド膜、(8a)、 (8b)は淳さ約&100オング
ストロームの窒化シリコンからなる機械的補強の之めの
、それぞれ上部及び下部補強膜である。なお、(4c)
は金膜(4b)と同時に形成される金膜であり、金膜(
4b)。
(4c)はそれぞれ金膜(4a) 、パイレックスリン
グ(61の垂直投影儂と一致するようになっている。
上記のように構成され之x祠蕗光マスクにおいては、第
1図において、紙面下部にX線用レジストを塗布し友つ
ェハ全置森、紙面上部から下部に向って極めて平行度の
高い1例えばシンクロトロン放射光の如きX#を照射す
ると、それぞれ対となる上部及び下部X線吸収層の金I
N (4a)、 (ab)は、それぞれの垂直投′#儂
か一致するので、膿が二Nになることなく、上記のX線
用レジスト上にシャープな金膜(4a)、(仙)の影を
つくり、これ以外の部分ではX線を良く透過する窒化シ
リコン膜f21 、 (aa)。
(8b)及びポリイミドIII (’7a)、 (7に
+)のみt4遇してき7tX線により感光させることが
できるので、1ずマスクに必要な条件を満たしており、
さらに上部及び下部を合わせた実効的7’kXN吸収層
の厚さは、従来のものの約2倍で透過率が厚みの指故関
攻で減少するから、前述の従来のデータから計算で吸収
率は98〜99チとなり、従来のものと比べ格段に高い
コントラストのX#d党マスクを提供でへることがわか
る。
次に、上記のx#jマスクの製造方法の一例を、第3図
乃至第12図および第1図の一連の断面図を用いて、順
を追って説明する。
捷ず、第3図に示す如く、シリコン基板il+上に輩出
シリコン基板及び厚さ攻100オンゲストロー3ムの金
Il+91を形成し、史にその上に後のりフトオフ工程
に必要な厚さ約1.l1mのポリイミド膜1101 r
形成し、その上にフォトレジスト層(6)を形成する。
なお、図示のフォトレジスト層Ql)は露光、現像が終
了し、その形状が前記の上部及び下部のXg吸収層(4
a)、 (4b)のネガパターンとなるようにパターン
ニングしたものを示している。
次に、リアクティブイオンエツチング等でポリイミドM
 (101のうちフォトレジスト@Uυで覆われていな
い部分を除去し、渠番図の構造を帰る。さら1cfi!
出した金膜(91上に選択的に金メッキを行い、厚さ約
1声mの上部xls吸収層となる金膜(4a)を帰で第
5図の如くとなる。第5図のポリイミド暎叫。
フォトレジスト層(6)を有機溶剤等で除去すると、第
6図の如くになる。第6図で全面一様に金膜(9)より
少し厚めに金のエツチングを行い、第7図の構造を得る
。第8図において、(7a)は金fdl (4a) f
保護する有機膜であって、この+m例では厚さ約1.5
71mのポリイミド膜であり、(8a)はマスクの強度
を向上させる次めに、ポリイミド膜の上につけられ几無
(llN膜であって、この夷崗例では厚さ攻1■オ/ゲ
ストロームの窒化7リコン膜である。第)図η)らal
 (7a)、 C8&>の@Ic形成し、第8図ヲ得る
第8図の構造にパイレックスリング(6)を後者して第
9図の構造?優る。第9図からシリコン基板(1:を水
酸化カリウム溶液で収り去り、第1O図の構造金得る。
第11図において、@は第10図のマスク基板(2)の
下部に付着され友金@ 191と同じ厚さ&瞭オングス
トロームの金属であり、(至)は上記のボリイはド躾と
同じ働きをする厚さ約1〜2fimのX巌用ネガレジス
ト層である。第10図から金膜(2)、レジスト層u場
の順に形成し、第11図を得る。第11図で紙面上部か
ら−1−行xmt−照射すると、上部XJII&収層(
4a)とパイレックスリングtelの真下のX線用ネガ
1/シストは感光せず、その他の部分は感光しているの
で、この後、現4.11を行うと第12図の如くになる
。第12図の輩出シリコン膜(2)の下部と第4図の間
膜(2)の上部を見比べると、x#!用ネガレジスト1
m Q!9 vcポリイミドIll tIQとフォトレ
ジスト層回の2MMが対応し、その抜き部分もパイレッ
クスリングに対応する部分μ4t−除いて完全に一致し
ている。
従って、第12図の構造の下部に萬4図から礪8図まで
の工程と同様の処理を行うことにエリ、前述の第1図の
構造が得られる。この時、下部X繰吸収層(4b)が以
上説明し九ような、いわゆるセルファラインで作られて
いるため、上部X・−吸収層(4a)とその垂直投影像
向志良く一致することは町らかである。
〔発明の効果〕
この発明は、以上説明し友とおり、マスク基板両面[X
l吸収層を設けることにより、剥離等の間@金膜ずるこ
となく、Xmの吸収率を大とならしめ、高コントラスト
のX線蕗元マスクが得られる効果かある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一1!晦例を示す断面図、第2図は
従来のX#m光マスクの断面図、wcs因乃至第12図
はこの発明に係るxM4蕗党マスクの製造方法の一例を
示す一連の断面図である。 ■において、(2)はマスク基板、(4a)は上部X1
il吸収層、(4b)は下部X−吸収層である。 なお、各図中、同一符号は同一ま7t#′i相当部分t
−示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)X線を透過する材質からなるマスク基板とX線を
    吸収する材質からなり、その垂直投影像が互いに一致す
    る形状の、上記マスク基板両面に投けられた上部X線吸
    収層及び下部X線吸収層を備えたことを特徴とするX線
    露光マスク。
JP59231542A 1984-11-02 1984-11-02 X線露光マスク Pending JPS61110431A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220310A (ja) * 1985-07-19 1987-01-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> X線マスク
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JPS59116749A (ja) * 1982-12-11 1984-07-05 ユ−ロジル・エレクトロニツク・ゲ−エムベ−ハ− X線リトグラフイ用放射線マスクおよび製法

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