JPS6286723A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6286723A JPS6286723A JP60227176A JP22717685A JPS6286723A JP S6286723 A JPS6286723 A JP S6286723A JP 60227176 A JP60227176 A JP 60227176A JP 22717685 A JP22717685 A JP 22717685A JP S6286723 A JPS6286723 A JP S6286723A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- layers
- patterns
- ray
- mask substrate
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- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路を製造する場合に用いるＸ
線露光用マスクに関するものである。
線露光用マスクに関するものである。
一般にＸ線露光においてはＸ線露光用マスクは、シリコ
ンウェハー上に微細なレジストパターンを転写するため
に使用されるが、光源としてＸ線を用いるために、サブ
ミクロンオーダーのパターンの転写が可能であることを
特徴としている。パターンを転写するためには、マスク
によってＸ線を選択的に透過させる必要がある。
ンウェハー上に微細なレジストパターンを転写するため
に使用されるが、光源としてＸ線を用いるために、サブ
ミクロンオーダーのパターンの転写が可能であることを
特徴としている。パターンを転写するためには、マスク
によってＸ線を選択的に透過させる必要がある。
第３図は従来のＸ１ｇ光用マスクの構造を示す断面図で
あや、図において、（１）はリング状の支持枠、１２）
はこの支持枠（１＞上に形成されたシリコン窒化膜など
からなるマスク基板である。＋３）はマスク基板（２）
上に形成された重金属からなるＸ線吸収パターンである
。
あや、図において、（１）はリング状の支持枠、１２）
はこの支持枠（１＞上に形成されたシリコン窒化膜など
からなるマスク基板である。＋３）はマスク基板（２）
上に形成された重金属からなるＸ線吸収パターンである
。
次に動作について説明する。マスク基板１２）は、Ｘ線
に対して高い透過率を持たせるために、シリコンカーバ
イド（ＳｒＱ） 、酸化シリコン（ＳｔＯｚ） を窒化
シリコン（Ｓ１ｓＨａ）ｓシリコン（Ｓｔ） 、などの
！４１透過率の晶い、比較的軽φ元素を主体とした材料
の薄膜が使用される。また吸収パターン（３）はＸｉを
効率良く吸収するためにＸ線透過率の低い、タンタル（
Ｔａ） 、モリブデン（ｕ’ｏ）ｅタングステン（ＩＦ
）などの重金属が材料として使用される。
に対して高い透過率を持たせるために、シリコンカーバ
イド（ＳｒＱ） 、酸化シリコン（ＳｔＯｚ） を窒化
シリコン（Ｓ１ｓＨａ）ｓシリコン（Ｓｔ） 、などの
！４１透過率の晶い、比較的軽φ元素を主体とした材料
の薄膜が使用される。また吸収パターン（３）はＸｉを
効率良く吸収するためにＸ線透過率の低い、タンタル（
Ｔａ） 、モリブデン（ｕ’ｏ）ｅタングステン（ＩＦ
）などの重金属が材料として使用される。
以上のような構造をもつマスクを介して、シリコンウェ
ハー上のレジスト薄膜をＸ＠照射すれば、レジスト膜中
で透過ｘｌＪ強度の違いが生じこれによってマスクパタ
ーンが転写され、その違いが大キイ程コントラストの高
いパターンを転写スルコとができる。
ハー上のレジスト薄膜をＸ＠照射すれば、レジスト膜中
で透過ｘｌＪ強度の違いが生じこれによってマスクパタ
ーンが転写され、その違いが大キイ程コントラストの高
いパターンを転写スルコとができる。
しかし、上述した従来のｘｉｌａｍ光用マスクにおいて
は、Ｘ線吸収パターン＋３）とマスク基板ｔ２）との接
着性が不十分であるため、はがれによるパターン欠陥を
起こしやすく、また寿命も短いという問題点があった。
は、Ｘ線吸収パターン＋３）とマスク基板ｔ２）との接
着性が不十分であるため、はがれによるパターン欠陥を
起こしやすく、また寿命も短いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、Ｘ線吸収パターンとマスク基板との接着性が
高く寿命が長−構造を持つＸ線露光用マスクを得ること
を目的とする。
たもので、Ｘ線吸収パターンとマスク基板との接着性が
高く寿命が長−構造を持つＸ線露光用マスクを得ること
を目的とする。
この発明に係るＸ線露光用マスクは、重金属からなるＸ
線吸収パターンとマスク基板との間に、吸収パターン材
料をシリサイド化した層を接合して形成したものである
。
線吸収パターンとマスク基板との間に、吸収パターン材
料をシリサイド化した層を接合して形成したものである
。
この発明においては、「一般的に、薄膜と基板間の物質
構造が急激に変わらないようにすることによって付着力
を増加させることが可能である」という事実をもとに、
マスク基板と吸収パターンとの中間化合物層として、吸
収パターン材料金属のシリサイド層を形成するという考
えに至った。
構造が急激に変わらないようにすることによって付着力
を増加させることが可能である」という事実をもとに、
マスク基板と吸収パターンとの中間化合物層として、吸
収パターン材料金属のシリサイド層を形成するという考
えに至った。
シリサイド層が凝集エネルギーによる強い付着力によっ
て吸収パターンをマスク基板に付着きせるため、パター
ンのけがれにくいＸ線露光用マスクの製作が可能である
。
て吸収パターンをマスク基板に付着きせるため、パター
ンのけがれにくいＸ線露光用マスクの製作が可能である
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクのＭ造を
示しており、（１）はリング状の支持枠、（２）は支持
枠（１）上に形成されたシリコン窒化膜からなるマスク
基板、（３）はタンタルからなるＸ＠吸収パターン、Ｃ
４）はマスク基板１２）とＸ線吸収パターン（３）との
間に各々に接合して形成されたタンタルをシリサイド化
して成るシリサイド層である。
図は本発明の一実施例によるＸ線露光用マスクのＭ造を
示しており、（１）はリング状の支持枠、（２）は支持
枠（１）上に形成されたシリコン窒化膜からなるマスク
基板、（３）はタンタルからなるＸ＠吸収パターン、Ｃ
４）はマスク基板１２）とＸ線吸収パターン（３）との
間に各々に接合して形成されたタンタルをシリサイド化
して成るシリサイド層である。
次に上記のシリサイド層（４）を備えたＸ線吸収パター
ンの形成方法について述べる。シリコン基板上にマスク
基板（２）となるシリコン窒化膜を減圧ＯＶＤ法等によ
り形成し、その窒化膜上全面にタンタルシリサイド層（
４）をスパッタリング法などによす形成する。続いてシ
リサイド層（４）上にＸ線吸収パターン（３）となるタ
ンタル層をスパッタリング法により、さらにレジスト層
をスピンコード法により形成する。電子ビームによりレ
ジスト層を露光、さらに現像処理を行なうことによって
所望のレジストパターンを得る。このレジストパターン
をマスクとして、００１４ガスを使用する反応性イオン
エツチングにより、タンタル層次いでシリサイド層をエ
ツチングし、所望のＸ線吸収パターンを得ることができ
る。
ンの形成方法について述べる。シリコン基板上にマスク
基板（２）となるシリコン窒化膜を減圧ＯＶＤ法等によ
り形成し、その窒化膜上全面にタンタルシリサイド層（
４）をスパッタリング法などによす形成する。続いてシ
リサイド層（４）上にＸ線吸収パターン（３）となるタ
ンタル層をスパッタリング法により、さらにレジスト層
をスピンコード法により形成する。電子ビームによりレ
ジスト層を露光、さらに現像処理を行なうことによって
所望のレジストパターンを得る。このレジストパターン
をマスクとして、００１４ガスを使用する反応性イオン
エツチングにより、タンタル層次いでシリサイド層をエ
ツチングし、所望のＸ線吸収パターンを得ることができ
る。
第２図は、−例として厚さ２μｍのシリコン窒化膜マス
ク基板ｔ２）上に、厚さ１μｍのタンタル層（３）及び
厚さ３００ ＡのタンタルシリサイドＮ（４）からなる
ｘｌｆｌＡ吸収パターンを形成したＸ線露光用マスクに
対して、超音波洗浄を行った場合のパターン欠陥密度の
経時変化を示したものである。第２図中実線が本実施例
の場合の結果であり、パターン欠陥密度は洗浄時間によ
らず、はぼ一定値であることがわかる。また、タンタル
シリサイド層を持たない従来のＸｌｓ露光用マスクに対
して同様の事を行った場合の結果を第２図において破線
で示している０ 第２図で示すようにシリサイド層（４）を備えたＸ線吸
収パターン（３）はそうでない従来のものと比較してマ
スク基板（２）との接着性が良好であり、大幅にパター
ン欠陥密度を減少させることができる。
ク基板ｔ２）上に、厚さ１μｍのタンタル層（３）及び
厚さ３００ ＡのタンタルシリサイドＮ（４）からなる
ｘｌｆｌＡ吸収パターンを形成したＸ線露光用マスクに
対して、超音波洗浄を行った場合のパターン欠陥密度の
経時変化を示したものである。第２図中実線が本実施例
の場合の結果であり、パターン欠陥密度は洗浄時間によ
らず、はぼ一定値であることがわかる。また、タンタル
シリサイド層を持たない従来のＸｌｓ露光用マスクに対
して同様の事を行った場合の結果を第２図において破線
で示している０ 第２図で示すようにシリサイド層（４）を備えたＸ線吸
収パターン（３）はそうでない従来のものと比較してマ
スク基板（２）との接着性が良好であり、大幅にパター
ン欠陥密度を減少させることができる。
上記実施例においてけ、シリサイド１３ Ｉ４）を接合
したことによって、パターン欠陥密度の経時変化は一定
の低い値に抑えることができた。また、吸収パターン（
３）とマスク基板（２）との境界部分だけにシリサイド
薄膜が存在するため、Ｘ線吸収能力は従来ツバターンと
同等であり、そのため吸収パターン（３）のアスペクト
比を高くすることなく、必要なコントラストを得ること
が可能である。さらに、シリサイド層（４）が存在しな
い部分、つまり吸収パターン（３）がなくＸ線を透過さ
せる領域において、レーザー光を用いたアライメント方
法を適用できるＯ なお、上記実施例においては、マスク基板（２）にシリ
コン’Ｉ（［１、吸収パターン＋３）材料にタンタルを
使用した場合について示したが、マスク基板（２）とし
てはシリコン、シリコンカーバイド、シリコン酸化膜な
ど他のシリコン系基板材料、吸収パターンｒ３１にはモ
リブデン、タングステンなど他の重金舛を使用しても同
様の効果が期待できる。
したことによって、パターン欠陥密度の経時変化は一定
の低い値に抑えることができた。また、吸収パターン（
３）とマスク基板（２）との境界部分だけにシリサイド
薄膜が存在するため、Ｘ線吸収能力は従来ツバターンと
同等であり、そのため吸収パターン（３）のアスペクト
比を高くすることなく、必要なコントラストを得ること
が可能である。さらに、シリサイド層（４）が存在しな
い部分、つまり吸収パターン（３）がなくＸ線を透過さ
せる領域において、レーザー光を用いたアライメント方
法を適用できるＯ なお、上記実施例においては、マスク基板（２）にシリ
コン’Ｉ（［１、吸収パターン＋３）材料にタンタルを
使用した場合について示したが、マスク基板（２）とし
てはシリコン、シリコンカーバイド、シリコン酸化膜な
ど他のシリコン系基板材料、吸収パターンｒ３１にはモ
リブデン、タングステンなど他の重金舛を使用しても同
様の効果が期待できる。
以上のように、この発明によればシリコン系のＸ線鱈光
用マスクにおいて重金属Ｘａｅ収パターンとマスク基板
との間に各々に接合してシリサイドＪｆｆｌを接合して
形成したことにより、両者の接着性カ高く、パターン欠
陥の少ない、長寿命のＸ線露光用マスクが得られる効果
がある。
用マスクにおいて重金属Ｘａｅ収パターンとマスク基板
との間に各々に接合してシリサイドＪｆｆｌを接合して
形成したことにより、両者の接着性カ高く、パターン欠
陥の少ない、長寿命のＸ線露光用マスクが得られる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＸ線露光用マスクの
構造を示す断面図、＠２図はこの発明の作用・効果を説
明するための、Ｘ線吸収パ々−ン欠陥密度の超音波洗浄
時間への依存性を示す特性図、第３図は従来のＸ線露光
用マスクの構造を示す断面図である。 図において、（１）は支持枠、Ｉ２）はマスク基板、（
３）ｕｘｔａ吸収パターン、１４）はシリサイド層であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
構造を示す断面図、＠２図はこの発明の作用・効果を説
明するための、Ｘ線吸収パ々−ン欠陥密度の超音波洗浄
時間への依存性を示す特性図、第３図は従来のＸ線露光
用マスクの構造を示す断面図である。 図において、（１）は支持枠、Ｉ２）はマスク基板、（
３）ｕｘｔａ吸収パターン、１４）はシリサイド層であ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）シリコン系の材料を基板として用いたＸ線露光用
マスクにおいて、重金属からなるＸ線吸収パターンと上
記マスク基板との間に、上記重金属をシリサイド化した
材料からなるシリサイド層を上記吸収パターンとマスク
基板とに接合して形成したことを特徴とするＸ線露光用
マスク。 - （２）重金属が、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ
）、モリブデン（Ｍｏ）のいずれかであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用マスク。 - （３）シリサイド層は吸収パターンに一致して形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ
線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227176A JPS6286723A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227176A JPS6286723A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286723A true JPS6286723A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0378776B2 JPH0378776B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=16856674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227176A Granted JPS6286723A (ja) | 1985-10-12 | 1985-10-12 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286723A (ja) |
-
1985
- 1985-10-12 JP JP60227176A patent/JPS6286723A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0378776B2 (ja) | 1991-12-16 |
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