JP3271390B2 - 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 - Google Patents
荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電ビーム露光用透過
マスク（以下透過マスクと称す。）とその製造方法に関
し、さらに詳しくは、荷電ビームによる転写精度の高い
透過マスクと従来よりも作製工程数の少ない透過マスク
の製造方法に関するものである。
マスク（以下透過マスクと称す。）とその製造方法に関
し、さらに詳しくは、荷電ビームによる転写精度の高い
透過マスクと従来よりも作製工程数の少ない透過マスク
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の透過マスクの代表的な製造方法
を、図５に従って説明する。先ず、同図（ａ）に示すよ
うに、熱酸化等によって絶縁層１３が形成された支持シ
リコン（Ｓｉ）基板１２と上部シリコン（Ｓｉ）基板１
４とを熱接着等によって貼り合わせたＳｉ基板１５を用
意し、上部Ｓｉ基板１４を所定の透過孔の厚さとなるま
で研磨し薄膜化する。次に同図（ｂ）に示すように、貼
り合わせたＳｉ基板１５の表裏面に窒化珪素（ＳｉＮ）
膜等を堆積してマスク層１６，１６を形成した後、同図
（ｃ）に示すように、ドライエッチング等により支持Ｓ
ｉ基板１２裏面のマスク層１６をエッチングして開口部
パターン１７を形成する。
を、図５に従って説明する。先ず、同図（ａ）に示すよ
うに、熱酸化等によって絶縁層１３が形成された支持シ
リコン（Ｓｉ）基板１２と上部シリコン（Ｓｉ）基板１
４とを熱接着等によって貼り合わせたＳｉ基板１５を用
意し、上部Ｓｉ基板１４を所定の透過孔の厚さとなるま
で研磨し薄膜化する。次に同図（ｂ）に示すように、貼
り合わせたＳｉ基板１５の表裏面に窒化珪素（ＳｉＮ）
膜等を堆積してマスク層１６，１６を形成した後、同図
（ｃ）に示すように、ドライエッチング等により支持Ｓ
ｉ基板１２裏面のマスク層１６をエッチングして開口部
パターン１７を形成する。
【０００３】次に、同図（ｄ）に示すように、上部Ｓｉ
基板１４をエッチングして透過孔部１８を形成した後、
同図（ｅ）に示すように、マスク層１６を保護層として
開口部の支持Ｓｉ基板１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）
水溶液等によりエッチングして開口孔１９を形成する。
その後同図（ｆ）に示すように、マスク層１６を除去す
るとともに絶縁層１３をエッチングして貫通孔２０を形
成する。最後に同図（ｇ）に示すように、スパッタリン
グ等により上部Ｓｉ基板１４上に導電層２１を形成する
ことにより荷電ビーム露光用透過マスクを得ることがで
きる。
基板１４をエッチングして透過孔部１８を形成した後、
同図（ｅ）に示すように、マスク層１６を保護層として
開口部の支持Ｓｉ基板１２を水酸化カリウム（ＫＯＨ）
水溶液等によりエッチングして開口孔１９を形成する。
その後同図（ｆ）に示すように、マスク層１６を除去す
るとともに絶縁層１３をエッチングして貫通孔２０を形
成する。最後に同図（ｇ）に示すように、スパッタリン
グ等により上部Ｓｉ基板１４上に導電層２１を形成する
ことにより荷電ビーム露光用透過マスクを得ることがで
きる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の透過マスクの製
造方法は図５に説明した如く、支持Ｓｉ基板と上部Ｓｉ
基板との貼り合わせのための中間層及び開口孔形成のた
めの支持Ｓｉ基板のエッチング停止層として、二酸化珪
素（ＳｉＯ2）などの絶縁膜や炭化珪素（ＳｉＣ）など
の半導体薄膜を用いていたために、荷電ビームの照射に
よって透過マスクの帯電や過熱が転写精度に重大な影響
を及ぼす危険があり、それを避ける意味で別途に導電層
の成膜を行なっていたが、必ずしも十分な効果が得られ
るとは言えず、また図に示した如く作製工程数が多くな
っていた。
造方法は図５に説明した如く、支持Ｓｉ基板と上部Ｓｉ
基板との貼り合わせのための中間層及び開口孔形成のた
めの支持Ｓｉ基板のエッチング停止層として、二酸化珪
素（ＳｉＯ2）などの絶縁膜や炭化珪素（ＳｉＣ）など
の半導体薄膜を用いていたために、荷電ビームの照射に
よって透過マスクの帯電や過熱が転写精度に重大な影響
を及ぼす危険があり、それを避ける意味で別途に導電層
の成膜を行なっていたが、必ずしも十分な効果が得られ
るとは言えず、また図に示した如く作製工程数が多くな
っていた。
【０００５】本発明はかかる従来の問題に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、作製工程数を少な
く、また透過マスクの帯電や過熱の防止に十分な効果を
持つ透過マスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
もので、その目的とするところは、作製工程数を少な
く、また透過マスクの帯電や過熱の防止に十分な効果を
持つ透過マスク及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、支持シリコン基板と上部シリコン基板とを貼り合わ
せたシリコン基板を用いて作製した荷電ビーム露光用透
過マスクにおいて、該支持シリコン基板と上部シリコン
基板の貼り合わせのための中間層として、少なくとも一
種類の金属薄膜若しくは合金による薄膜を、該両シリコ
ン基板のいずれか一方の内面又は両方の内面に設けたこ
とを特徴とする荷電ビーム露光用透過マスクであり、シ
リコン（Ｓｉ）に対して圧着、加熱、超音波振動などの
方法により固相接着が可能な、導電性と熱伝導率の大き
い金属若しくは合金の薄膜を中間層として用いて、しか
もこの金属薄膜若しくは合金による薄膜を開口孔形成の
ための支持シリコン基板のエッチング停止層としたもの
で、Ｓｉに対する、該金属若しくは合金のエッチングレ
ート比が必要上十分に低いエッチング条件を選択する。
に、支持シリコン基板と上部シリコン基板とを貼り合わ
せたシリコン基板を用いて作製した荷電ビーム露光用透
過マスクにおいて、該支持シリコン基板と上部シリコン
基板の貼り合わせのための中間層として、少なくとも一
種類の金属薄膜若しくは合金による薄膜を、該両シリコ
ン基板のいずれか一方の内面又は両方の内面に設けたこ
とを特徴とする荷電ビーム露光用透過マスクであり、シ
リコン（Ｓｉ）に対して圧着、加熱、超音波振動などの
方法により固相接着が可能な、導電性と熱伝導率の大き
い金属若しくは合金の薄膜を中間層として用いて、しか
もこの金属薄膜若しくは合金による薄膜を開口孔形成の
ための支持シリコン基板のエッチング停止層としたもの
で、Ｓｉに対する、該金属若しくは合金のエッチングレ
ート比が必要上十分に低いエッチング条件を選択する。
【０００７】また、支持シリコン基板と上部シリコン基
板とを貼り合わせたシリコン基板を用いて作製された荷
電ビーム露光用透過マスクにおいて、該支持シリコン基
板と上部シリコン基板の貼り合わせのための中間層とし
て、少なくとも一種類の金属薄膜若しくは合金による薄
膜を、該金属薄膜若しくは合金による薄膜とシリコンと
の固相接着を用いて貼り合わせることを特徴とする荷電
ビーム露光用透過マスクの製造方法である。
板とを貼り合わせたシリコン基板を用いて作製された荷
電ビーム露光用透過マスクにおいて、該支持シリコン基
板と上部シリコン基板の貼り合わせのための中間層とし
て、少なくとも一種類の金属薄膜若しくは合金による薄
膜を、該金属薄膜若しくは合金による薄膜とシリコンと
の固相接着を用いて貼り合わせることを特徴とする荷電
ビーム露光用透過マスクの製造方法である。
【０００８】更に、前記支持シリコン基板と上部シリコ
ン基板との貼り合わせ方法として、両シリコン基板の相
対する内面に形成する金属薄膜若しくは合金による薄膜
同士、若しくは金属薄膜と合金による薄膜との固相接着
を用いる荷電ビーム露光用透過マスクの製造方法であ
る。
ン基板との貼り合わせ方法として、両シリコン基板の相
対する内面に形成する金属薄膜若しくは合金による薄膜
同士、若しくは金属薄膜と合金による薄膜との固相接着
を用いる荷電ビーム露光用透過マスクの製造方法であ
る。
【０００９】以下、本発明を図に基づき更に詳細に説明
する。
する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例における透過マ
スクを示す側面図である。また、図２は、本発明の他の
実施例における透過マスクを示す側面図である。
スクを示す側面図である。また、図２は、本発明の他の
実施例における透過マスクを示す側面図である。
【００１１】図３は、本発明における透過マスクの製造
方法を工程順に示す側面図である。
方法を工程順に示す側面図である。
【００１２】先ず、図３に示すように、支持Ｓｉ基板１
の表面に金属薄膜若しくは合金による薄膜２を蒸着法、
スパッタリング法等により成膜する（同図（ａ））。次
に所定の透過孔の厚さとなるまで研磨し薄膜化した上部
Ｓｉ基板３と、金属薄膜２が形成された支持Ｓｉ基板１
を圧着、加熱、超音波振動などの方法により固相接着す
る（同図（ｂ））。
の表面に金属薄膜若しくは合金による薄膜２を蒸着法、
スパッタリング法等により成膜する（同図（ａ））。次
に所定の透過孔の厚さとなるまで研磨し薄膜化した上部
Ｓｉ基板３と、金属薄膜２が形成された支持Ｓｉ基板１
を圧着、加熱、超音波振動などの方法により固相接着す
る（同図（ｂ））。
【００１３】次に、貼り合わせたＳｉ基板４の裏面にス
パッタリング法等によりＳｉＮ膜等を堆積して、開口孔
形成のためのＳｉ基板１のエッチングに対するマスク層
５を形成する（同図（ｃ））。その後に、Ｓｉ基板１の
裏面側にレジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィ
等の手段により透過マスクの開口される部分のレジスト
パターンを形成した後、レジストパターンをマスクとし
てマスク層５を反応性イオンエッチング等の手段により
エッチングし、その後レジストパターンを剥離してＳｉ
基板のエッチング保護用開口パターン６を形成する（同
図（ｄ））。
パッタリング法等によりＳｉＮ膜等を堆積して、開口孔
形成のためのＳｉ基板１のエッチングに対するマスク層
５を形成する（同図（ｃ））。その後に、Ｓｉ基板１の
裏面側にレジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィ
等の手段により透過マスクの開口される部分のレジスト
パターンを形成した後、レジストパターンをマスクとし
てマスク層５を反応性イオンエッチング等の手段により
エッチングし、その後レジストパターンを剥離してＳｉ
基板のエッチング保護用開口パターン６を形成する（同
図（ｄ））。
【００１４】次に、上部Ｓｉ基板３の表面にレジストを
塗布し、通常のフォトリソグラフィ若しくは電子線リソ
グラフィ等の手段により透過マスクの荷電ビームの透過
孔となる部分のレジストパターン７を形成する（同図
（ｅ））。次に上記レジストパターン７をマスクとして
上部Ｓｉ基板３を反応性イオンエッチング等の手段によ
りエッチングし、その後レジストパターン７を剥離して
上部Ｓｉ基板３の表面に荷電ビームの透過孔８となる部
分のＳｉパターンを形成する（同図（ｆ））。
塗布し、通常のフォトリソグラフィ若しくは電子線リソ
グラフィ等の手段により透過マスクの荷電ビームの透過
孔となる部分のレジストパターン７を形成する（同図
（ｅ））。次に上記レジストパターン７をマスクとして
上部Ｓｉ基板３を反応性イオンエッチング等の手段によ
りエッチングし、その後レジストパターン７を剥離して
上部Ｓｉ基板３の表面に荷電ビームの透過孔８となる部
分のＳｉパターンを形成する（同図（ｆ））。
【００１５】更に、マスク層５を保護層として支持Ｓｉ
基板１をＫＯＨ水溶液やヒドラジン水溶液等によりエッ
チングして開口孔９を形成する（同図（ｇ））。その
後、透過孔底部に残った金属薄膜若しくは合金による薄
膜２を除去することで、目的とする荷電ビーム露光用透
過マスク１０を得ることができる（同図（ｈ））。
基板１をＫＯＨ水溶液やヒドラジン水溶液等によりエッ
チングして開口孔９を形成する（同図（ｇ））。その
後、透過孔底部に残った金属薄膜若しくは合金による薄
膜２を除去することで、目的とする荷電ビーム露光用透
過マスク１０を得ることができる（同図（ｈ））。
【００１６】図４は、本発明における他の方法による透
過マスクの製造方法を示す側面図である。
過マスクの製造方法を示す側面図である。
【００１７】まず支持Ｓｉ基板１と上部Ｓｉ基板３の内
面側に金属薄膜若しくは合金による薄膜２、１１を蒸着
法、スパッタリング法等により成膜する（同図
（ａ））。次に、上部Ｓｉ基板３を所定の透過孔の厚さ
となるまで研磨し薄膜化した後、上部Ｓｉ基板３の金属
膜面と支持Ｓｉ基板１の金属膜面を接触させ、圧着、加
熱、超音波振動などの方法により固相接着する（同図
（ｂ））。以後の工程は図３の場合と同様であるので省
略する。
面側に金属薄膜若しくは合金による薄膜２、１１を蒸着
法、スパッタリング法等により成膜する（同図
（ａ））。次に、上部Ｓｉ基板３を所定の透過孔の厚さ
となるまで研磨し薄膜化した後、上部Ｓｉ基板３の金属
膜面と支持Ｓｉ基板１の金属膜面を接触させ、圧着、加
熱、超音波振動などの方法により固相接着する（同図
（ｂ））。以後の工程は図３の場合と同様であるので省
略する。
【００１８】
【作用】本発明の方法では、以上の如く、支持Ｓｉ基板
１と上部Ｓｉ基板３の貼り合わせのための、中間層及び
開口孔形成のための支持Ｓｉ基板１のエッチング停止層
として、同一の金属薄膜若しくは合金による薄膜２を用
いるので、従来のようにマスク層１６を剥離後、新たに
帯電防止のために導電層２１を形成する必要がなく、工
程数が減少して歩留まりが向上する。また本発明の透過
マスク１０では支持Ｓｉ基板１と上部Ｓｉ基板３の中間
層が従来のような絶縁膜１３はなく、熱伝導率の大きな
金属薄膜若しくは合金による薄膜２であるので、荷電ビ
ームの照射による過度の温度上昇を抑えることができ、
透過マスクの熱変形による転写精度の劣化が小さくな
る。
１と上部Ｓｉ基板３の貼り合わせのための、中間層及び
開口孔形成のための支持Ｓｉ基板１のエッチング停止層
として、同一の金属薄膜若しくは合金による薄膜２を用
いるので、従来のようにマスク層１６を剥離後、新たに
帯電防止のために導電層２１を形成する必要がなく、工
程数が減少して歩留まりが向上する。また本発明の透過
マスク１０では支持Ｓｉ基板１と上部Ｓｉ基板３の中間
層が従来のような絶縁膜１３はなく、熱伝導率の大きな
金属薄膜若しくは合金による薄膜２であるので、荷電ビ
ームの照射による過度の温度上昇を抑えることができ、
透過マスクの熱変形による転写精度の劣化が小さくな
る。
【００１９】
【実施例】以下、実施例を示して本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００２０】＜実施例１＞支持Ｓｉ基板１となる３イン
チ径５００μｍ厚で面方位＜１００＞のＳｉウェハー基
板の表面上に、電子線加熱蒸着法により厚さ２０００Å
の金（Ａｕ）膜を成膜した。次に、２０μｍの厚さまで
研磨した上部Ｓｉ基板３の内面と、上記支持Ｓｉ基板１
のＡｕ膜面とを４００℃の雰囲気温度中で圧着し固相接
着した。
チ径５００μｍ厚で面方位＜１００＞のＳｉウェハー基
板の表面上に、電子線加熱蒸着法により厚さ２０００Å
の金（Ａｕ）膜を成膜した。次に、２０μｍの厚さまで
研磨した上部Ｓｉ基板３の内面と、上記支持Ｓｉ基板１
のＡｕ膜面とを４００℃の雰囲気温度中で圧着し固相接
着した。
【００２１】次に、貼り合わせたＳｉ基板４の裏面にス
パッタリング法により厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜を堆積
して、開口形成のためのＳｉ基板のエッチングに対する
マスク層５を形成した。この後、Ｓｉ基板の裏面側にフ
ォトレジストマイクロポジット（ＭＰ）１４００−２７
を塗布し、４０ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線露光により透過マ
スクの開口孔となる部分のレジストパターンを形成した
後、レジストパターンをマスクとしてＳｉＮ層をＣＦ4
ガスプラズマの反応性イオンエッチングによりエッチン
グし、その後、レジストパターンを剥離してＳｉ基板の
エッチング保護用開口パターン６を形成した。
パッタリング法により厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜を堆積
して、開口形成のためのＳｉ基板のエッチングに対する
マスク層５を形成した。この後、Ｓｉ基板の裏面側にフ
ォトレジストマイクロポジット（ＭＰ）１４００−２７
を塗布し、４０ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線露光により透過マ
スクの開口孔となる部分のレジストパターンを形成した
後、レジストパターンをマスクとしてＳｉＮ層をＣＦ4
ガスプラズマの反応性イオンエッチングによりエッチン
グし、その後、レジストパターンを剥離してＳｉ基板の
エッチング保護用開口パターン６を形成した。
【００２２】次に、上部Ｓｉ基板３の表面に厚さ５μｍ
のフォトレジストＭＰ１４００−３７を塗布し、通常の
フォトリソグラフィの手段によりフォトマスク上の透過
孔パターンを転写形成した。このときの紫外線の露光量
は３００ｍＪ／ｃｍ2 であった。次にレジストパターン
をマスクとしてＳｉ基板をＥＣＲ（電子サイクロトロン
共鳴）イオンビームエッチング装置によって２０μｍの
深さまでエッチングした。このとき、エッチングガスは
塩素（Ｃｌ2 ）にＳＦ6 を10％添加したものを使い、マ
イクロ波出力は２００Ｗとした。この後酸素（Ｏ2）プ
ラズマによってレジストを除去してＳｉ基板表面に透過
孔８のＳｉパターンを形成した。
のフォトレジストＭＰ１４００−３７を塗布し、通常の
フォトリソグラフィの手段によりフォトマスク上の透過
孔パターンを転写形成した。このときの紫外線の露光量
は３００ｍＪ／ｃｍ2 であった。次にレジストパターン
をマスクとしてＳｉ基板をＥＣＲ（電子サイクロトロン
共鳴）イオンビームエッチング装置によって２０μｍの
深さまでエッチングした。このとき、エッチングガスは
塩素（Ｃｌ2 ）にＳＦ6 を10％添加したものを使い、マ
イクロ波出力は２００Ｗとした。この後酸素（Ｏ2）プ
ラズマによってレジストを除去してＳｉ基板表面に透過
孔８のＳｉパターンを形成した。
【００２３】次に、上記エッチング保護用開口パターン
６をマスクとして１１０℃の５０％ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ
4 ）水溶液によりＳｉ基板をエッチングした。ヒドラジ
ン水溶液はＫＯＨ水溶液同様Ｓｉを異方性エッチングす
るが、Ａｕは殆どエッチングされないので、透過孔８に
Ａｕ膜のみを残してメンブレン化することができた。こ
の後、洗浄を行いつつ透過孔底部に残ったＡｕ膜を除去
して図１に示す構造の透過マスク１０が完成した。
６をマスクとして１１０℃の５０％ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ
4 ）水溶液によりＳｉ基板をエッチングした。ヒドラジ
ン水溶液はＫＯＨ水溶液同様Ｓｉを異方性エッチングす
るが、Ａｕは殆どエッチングされないので、透過孔８に
Ａｕ膜のみを残してメンブレン化することができた。こ
の後、洗浄を行いつつ透過孔底部に残ったＡｕ膜を除去
して図１に示す構造の透過マスク１０が完成した。
【００２４】＜実施例２＞まず支持Ｓｉ基板１となる実
施例１と同じ仕様のＳｉウェハー基板の表面にスパッタ
リング法により厚さ２０００ÅのＳｉＣ膜を成膜した。
次に、上部Ｓｉ基板３となる３インチ径５００μｍ厚で
面方位＜１００＞のＳｉウェハー基板の表面上に電子線
加熱蒸着法により厚さ１０００ÅのＡｕ膜を成膜した
後、２０μｍの厚さまで研磨した。その後に、支持Ｓｉ
基板のＳｉＣ膜面と上部Ｓｉ基板のＡｕ膜面とを常温で
圧着し、超音波振動をかけ固相接着した。
施例１と同じ仕様のＳｉウェハー基板の表面にスパッタ
リング法により厚さ２０００ÅのＳｉＣ膜を成膜した。
次に、上部Ｓｉ基板３となる３インチ径５００μｍ厚で
面方位＜１００＞のＳｉウェハー基板の表面上に電子線
加熱蒸着法により厚さ１０００ÅのＡｕ膜を成膜した
後、２０μｍの厚さまで研磨した。その後に、支持Ｓｉ
基板のＳｉＣ膜面と上部Ｓｉ基板のＡｕ膜面とを常温で
圧着し、超音波振動をかけ固相接着した。
【００２５】次に、実施例１と同じ方法により貼り合わ
せたＳｉ基板の裏面側にＳｉ基板のエッチング保護用開
口パターン６を形成し、更に実施例１と同じ方法により
Ｓｉ基板の表面側に透過孔８のＳｉパターンを形成し
た。
せたＳｉ基板の裏面側にＳｉ基板のエッチング保護用開
口パターン６を形成し、更に実施例１と同じ方法により
Ｓｉ基板の表面側に透過孔８のＳｉパターンを形成し
た。
【００２６】次に、上記エッチング保護用開口パターン
６をマスクとして９０℃の３０％ＫＯＨ水溶液によりＳ
ｉ基板をエッチングした。ＳｉＣ膜はＫＯＨ水溶液に対
して殆どエッチングされないので、透過孔８底部にＳｉ
ＣとＡｕの接合膜のみを残してメンブレン化することが
できた。この後、洗浄を行いつつ透過孔底部に残ったＳ
ｉＣとＡｕの接合膜を除去することで、図２に示す構造
の透過マスク１０が完成した。
６をマスクとして９０℃の３０％ＫＯＨ水溶液によりＳ
ｉ基板をエッチングした。ＳｉＣ膜はＫＯＨ水溶液に対
して殆どエッチングされないので、透過孔８底部にＳｉ
ＣとＡｕの接合膜のみを残してメンブレン化することが
できた。この後、洗浄を行いつつ透過孔底部に残ったＳ
ｉＣとＡｕの接合膜を除去することで、図２に示す構造
の透過マスク１０が完成した。
【００２７】このようにして本発明の透過マスクが出来
あがったが、実施例１の場合も実施例２のように超音波
振動を印加してもよい。超音波振動を印加するとしない
場合よりも低温での接合が可能である。
あがったが、実施例１の場合も実施例２のように超音波
振動を印加してもよい。超音波振動を印加するとしない
場合よりも低温での接合が可能である。
【００２８】また、実施例２で用いたＳｉＣ膜は金属膜
ではないが、導電性をもつので接合したＡｕ膜ととも
に、Ｓｉ単体の場合よりも熱伝導率が大きくなり、透過
マスクの過熱に対して、金属同士の接合の場合に準ずる
効果を持つ。
ではないが、導電性をもつので接合したＡｕ膜ととも
に、Ｓｉ単体の場合よりも熱伝導率が大きくなり、透過
マスクの過熱に対して、金属同士の接合の場合に準ずる
効果を持つ。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の透
過マスク及びその製造方法によれば、支持Ｓｉ基板と上
部Ｓｉ基板の貼り合わせのための中間層及び開口孔形成
のための支持Ｓｉ基板のエッチング停止層として、同一
の金属薄膜若しくは合金による薄膜を用いることで、支
持Ｓｉ基板と上部Ｓｉ基板の中間層が従来のように絶縁
膜ではなく、熱伝導率の大きな金属薄膜若しくは合金に
よる薄膜を用いるので、荷電ビームの照射による過度の
温度上昇を抑えることができ、透過マスクの熱変形によ
る転写精度の劣化が小さくなる。また、従来のように支
持Ｓｉ基板の熱酸化工程やマスク層を剥離後、新たに帯
電防止のために導電層を形成する工程が不要となり、工
程数が減少して歩留まりが向上する。
過マスク及びその製造方法によれば、支持Ｓｉ基板と上
部Ｓｉ基板の貼り合わせのための中間層及び開口孔形成
のための支持Ｓｉ基板のエッチング停止層として、同一
の金属薄膜若しくは合金による薄膜を用いることで、支
持Ｓｉ基板と上部Ｓｉ基板の中間層が従来のように絶縁
膜ではなく、熱伝導率の大きな金属薄膜若しくは合金に
よる薄膜を用いるので、荷電ビームの照射による過度の
温度上昇を抑えることができ、透過マスクの熱変形によ
る転写精度の劣化が小さくなる。また、従来のように支
持Ｓｉ基板の熱酸化工程やマスク層を剥離後、新たに帯
電防止のために導電層を形成する工程が不要となり、工
程数が減少して歩留まりが向上する。
【図１】本発明の一実施例における透過マスクを示す側
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の実施例における透過マスクを示す
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明の一実施例における透過マスクの製造方
法を工程順に示す側面図である。
法を工程順に示す側面図である。
【図４】本発明の他の実施例における透過マスクの製造
方法の一例を示す側面図である。
方法の一例を示す側面図である。
【図５】従来の透過マスクの製造方法の一例を工程順に
示す側面図である。
示す側面図である。
１、１２…支持シリコン基板 ２、１１…金属性薄膜 ３、１４…上部シリコン基板 ４、１５…貼り合わせシリコン基板 ５、１６…マスク層薄膜 ６、１７…開口パターン ７ …レジストパターン ８、１８…荷電ビーム透過孔 ９、１９…開口孔 １０ …透過マスク １３ …絶縁層 ２０ …貫通孔 ２１ …導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】支持シリコン基板と上部シリコン基板とを
貼り合わせたシリコン基板を用いて作製した荷電ビーム
露光用透過マスクにおいて、該支持シリコン基板と上部
シリコン基板の貼り合わせのための中間層として、少な
くとも一種類の金属薄膜若しくは合金による薄膜を、該
両シリコン基板のいずれか一方の内面又は両方の内面に
設けたことを特徴とする荷電ビーム露光用透過マスク。 - 【請求項２】前記少なくとも一種類の金属薄膜若しくは
合金による薄膜が、開口部形成のための支持シリコン基
板のエッチング停止層としたことを特徴とする請求項１
に記載の荷電ビーム露光用透過マスク。 - 【請求項３】支持シリコン基板と上部シリコン基板とを
貼り合わせたシリコン基板を用いて作製された荷電ビー
ム露光用透過マスクにおいて、該支持シリコン基板と上
部シリコン基板の貼り合わせのための中間層として、少
なくとも一種類の金属薄膜若しくは合金による薄膜を、
該両シリコン基板のいずれか一方の内面又は両方の内面
に形成し、該金属薄膜若しくは合金による薄膜とシリコ
ンとの固相接着を用いて貼り合わせることを特徴とする
荷電ビーム露光用透過マスクの製造方法。 - 【請求項４】前記支持シリコン基板と上部シリコン基板
との貼り合わせ方法として、両シリコン基板の相対する
内面に形成された金属薄膜若しくは合金による薄膜同
士、若しくは金属薄膜と合金による薄膜との固相接着を
用いることを特徴とする請求項３記載の荷電ビーム露光
用透過マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374093A JP3271390B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23374093A JP3271390B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794386A JPH0794386A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3271390B2 true JP3271390B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=16959838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23374093A Expired - Fee Related JP3271390B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3271390B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992610A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Nec Corp | 荷電ビーム描画装置 |
| JP2002237441A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Advantest Corp | スリット製造方法、スリット、及び電子ビーム露光装置 |
| KR101386004B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2014-04-16 | 한국전기연구원 | 웨이퍼 접합 기술을 활용한 마이크로 그리드 구조물 제조 방법 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23374093A patent/JP3271390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794386A (ja) | 1995-04-07 |
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