JPH0992610A - 荷電ビーム描画装置 - Google Patents
荷電ビーム描画装置Info
- Publication number
- JPH0992610A JPH0992610A JP7250621A JP25062195A JPH0992610A JP H0992610 A JPH0992610 A JP H0992610A JP 7250621 A JP7250621 A JP 7250621A JP 25062195 A JP25062195 A JP 25062195A JP H0992610 A JPH0992610 A JP H0992610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- pattern
- opening
- holding member
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】荷電ビーム露光装置において、部分一括パター
ン４を有する第２アパーチャの放電性と放熱性を向上さ
せ描画パターン精度の向上と第２アパーチャの長寿命化
を図る。 【解決手段】部分一括パターン４の開口３を除くアパー
チャ本体１の裏面と導電性で伝熱性のある接着剤５を介
して接触する高電導度で高熱伝導度の保持ブロック２を
設けている。
ン４を有する第２アパーチャの放電性と放熱性を向上さ
せ描画パターン精度の向上と第２アパーチャの長寿命化
を図る。 【解決手段】部分一括パターン４の開口３を除くアパー
チャ本体１の裏面と導電性で伝熱性のある接着剤５を介
して接触する高電導度で高熱伝導度の保持ブロック２を
設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハやマ
スクに直接荷電ビームを照射し所望のパターンを形成す
る荷電ビーム描画装置に関するものである。
スクに直接荷電ビームを照射し所望のパターンを形成す
る荷電ビーム描画装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電荷ビームの一つである電子線を用いた
電子ビーム描画装置は、半導体ウェハやマスク基板等に
直接電子ビームを照射し微細なパターンを形成すること
ができるので、半導体ウェハにパターンを形成するのに
半導体装置の品種毎にマスクを必要とする露光装置に比
べ有利である。このため、多品種小量生産の半導体装置
の製造には大いに利用されるようになった。
電子ビーム描画装置は、半導体ウェハやマスク基板等に
直接電子ビームを照射し微細なパターンを形成すること
ができるので、半導体ウェハにパターンを形成するのに
半導体装置の品種毎にマスクを必要とする露光装置に比
べ有利である。このため、多品種小量生産の半導体装置
の製造には大いに利用されるようになった。
【０００３】図４は従来の一例を示す電子ビーム描画装
置の電子光学系の図である。この電子ビーム描画装置
は、図４に示すように、電子銃１１から放射された電子
ビーム１２を方形断面をもつ形状に成形する第１アパチ
ャ１３と、成形レンズ１４や成形偏向器１５により電子
ビームを偏向しながら照射する領域内に部分一括パター
ン４をもつ第２アパチャ１０と、この第２アパチャ１０
を透過する部分一括パターン状の電子ビームをさらに縮
小し半導体ウェハ２０に位置決めする縮小レンズ１７お
よび位置決め偏向器１８ならびに対物レンズ１９とを備
えている。
置の電子光学系の図である。この電子ビーム描画装置
は、図４に示すように、電子銃１１から放射された電子
ビーム１２を方形断面をもつ形状に成形する第１アパチ
ャ１３と、成形レンズ１４や成形偏向器１５により電子
ビームを偏向しながら照射する領域内に部分一括パター
ン４をもつ第２アパチャ１０と、この第２アパチャ１０
を透過する部分一括パターン状の電子ビームをさらに縮
小し半導体ウェハ２０に位置決めする縮小レンズ１７お
よび位置決め偏向器１８ならびに対物レンズ１９とを備
えている。
【０００４】このように、例えば、ＬＳＩのパターンの
一部を占る部分一括パターン４を第２アパチャ１０に形
成し、この第２アパーチャ１０に通過する部分一括パタ
ーン４の電子ビームを繰り返し位置決め照射し半導体ウ
ェハ２０に全体のパターンを描画していく方法が一括描
画方式である。この方式によれば、特に、個々のパター
ンに周期性のあるパターンを有するＤＲＡＭ等のメモリ
素子においては、露光回数を大幅に低減でき描画時間の
短縮を図ることが可能である。
一部を占る部分一括パターン４を第２アパチャ１０に形
成し、この第２アパーチャ１０に通過する部分一括パタ
ーン４の電子ビームを繰り返し位置決め照射し半導体ウ
ェハ２０に全体のパターンを描画していく方法が一括描
画方式である。この方式によれば、特に、個々のパター
ンに周期性のあるパターンを有するＤＲＡＭ等のメモリ
素子においては、露光回数を大幅に低減でき描画時間の
短縮を図ることが可能である。
【０００５】この電子ビーム描画装置においては従来一
般的に２０ｋＶの加速電圧が採用されてきたが、近年、
電子の前方散乱を低減し高解像性を実現するためや、電
子の後方散乱に起因する近接効果を低減し高寸法精度を
得るために、５０ｋＶ〜１００ｋＶの加速電圧が採用さ
れてきている。
般的に２０ｋＶの加速電圧が採用されてきたが、近年、
電子の前方散乱を低減し高解像性を実現するためや、電
子の後方散乱に起因する近接効果を低減し高寸法精度を
得るために、５０ｋＶ〜１００ｋＶの加速電圧が採用さ
れてきている。
【０００６】繰返して描画するパターンが形成される第
２アパチャ１０の材料としては、モリブデン等の金属が
用いられるが、より高精度のアパチャを必要とする場合
には半導体プロセス技術が流用できる作製の容易なシリ
コン基板がよく用いられる。しかしながら、シリコン基
板を用いる場合はその電気導電率や熱伝導率が小さく、
チャージアップや温度上昇等の問題がある。さらなるビ
ームの高加速電圧化に伴いアパチャへのダメージも大き
くなりチャージアップや加熱に起因する変形により解像
性の劣化やアパチャの寿命の低下をもたらしている。
２アパチャ１０の材料としては、モリブデン等の金属が
用いられるが、より高精度のアパチャを必要とする場合
には半導体プロセス技術が流用できる作製の容易なシリ
コン基板がよく用いられる。しかしながら、シリコン基
板を用いる場合はその電気導電率や熱伝導率が小さく、
チャージアップや温度上昇等の問題がある。さらなるビ
ームの高加速電圧化に伴いアパチャへのダメージも大き
くなりチャージアップや加熱に起因する変形により解像
性の劣化やアパチャの寿命の低下をもたらしている。
【０００７】図５（ａ）および（ｂ）は従来の第２アパ
ーチャの一例を示す平面図およびＡＢ断面図である。と
ころで、チャージアップや加熱を低減する第２アパーチ
ャの一例として、Ｙｏｓｈｏｎｏｒｉ Ｎａｋａｙａｍ
ａらが“Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃ−ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔ
ｉｃｓ ｏｆ Ｓｉ Ｍａｓｋ ｆｏｒ ＥＢ Ｃｅ−
ｌｌ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ”ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ−ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１
（１９９２）ｐｐ．４２６８−４２４２）に報告されて
いる。
ーチャの一例を示す平面図およびＡＢ断面図である。と
ころで、チャージアップや加熱を低減する第２アパーチ
ャの一例として、Ｙｏｓｈｏｎｏｒｉ Ｎａｋａｙａｍ
ａらが“Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃ−ｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔ
ｉｃｓ ｏｆ Ｓｉ Ｍａｓｋ ｆｏｒ ＥＢ Ｃｅ−
ｌｌ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ”ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ−ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１
（１９９２）ｐｐ．４２６８−４２４２）に報告されて
いる。
【０００８】この第２アパーチャは、図５に示すよう
に、一枚のシリコン基板２１に開口２２を複数もつパタ
ーンを形成し、それぞれの開口２２の周辺にリブ２３を
設置した構造である。このリブ２３を設けることによ
り、放熱性を高めると同時に機械的強度の向上も図って
いる。そして、開口２２の部分のＳｉ膜厚は加速電圧５
０ｋＶの電子を完全に遮断するために２０μｍ程度を必
要としていた。
に、一枚のシリコン基板２１に開口２２を複数もつパタ
ーンを形成し、それぞれの開口２２の周辺にリブ２３を
設置した構造である。このリブ２３を設けることによ
り、放熱性を高めると同時に機械的強度の向上も図って
いる。そして、開口２２の部分のＳｉ膜厚は加速電圧５
０ｋＶの電子を完全に遮断するために２０μｍ程度を必
要としていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のアパー
チャでは、アパチャの裏面の外側一部しか装置のホルダ
に接触していないため熱や表面のチャージされた電荷が
逃げにくく、高エネルギーの電子線の照射によりダメー
ジを受けアパチャの寿命が短くなるばかりか、寿命がこ
ないまでも電荷のチャージにより電子ビームが散乱し描
画精度を著しく低下させるなどの問題がある。
チャでは、アパチャの裏面の外側一部しか装置のホルダ
に接触していないため熱や表面のチャージされた電荷が
逃げにくく、高エネルギーの電子線の照射によりダメー
ジを受けアパチャの寿命が短くなるばかりか、寿命がこ
ないまでも電荷のチャージにより電子ビームが散乱し描
画精度を著しく低下させるなどの問題がある。
【００１０】また、一枚のシリコン基板からエッチング
やイオンミーリングなどにより裏面から掘り下げ窪みを
形成しリブを浮き上がせるのに多大な時間を浪費すると
いう欠点がある。
やイオンミーリングなどにより裏面から掘り下げ窪みを
形成しリブを浮き上がせるのに多大な時間を浪費すると
いう欠点がある。
【００１１】従って、本発明の目的は、放電性と放熱性
を向上させ描画パターン精度維持を図るとともにアパチ
ャの長寿命化を可能にする電子ビーム描画装置に提供す
るものである。
を向上させ描画パターン精度維持を図るとともにアパチ
ャの長寿命化を可能にする電子ビーム描画装置に提供す
るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、電荷粒
子源から放射されるとともに第１アパーチャで方形断面
に成形される電荷ビームを偏向しその偏向領域内に所望
の形状の部分一括パターンを有するシリコン基板の第２
アパチャを配設する荷電ビーム露光装置において、前記
部分一括パターンの開口を除く前記第２アパチャの外郭
面と接触する導電性および伝熱性のある保持部材を備え
る荷電ビーム描画装置である。
子源から放射されるとともに第１アパーチャで方形断面
に成形される電荷ビームを偏向しその偏向領域内に所望
の形状の部分一括パターンを有するシリコン基板の第２
アパチャを配設する荷電ビーム露光装置において、前記
部分一括パターンの開口を除く前記第２アパチャの外郭
面と接触する導電性および伝熱性のある保持部材を備え
る荷電ビーム描画装置である。
【００１３】また、前記保持部材と前記第２アパーチャ
の表裏のいずれかの面あるいは表裏面とが導電性および
伝熱性のある接着剤を介して接触するか、あるいは、前
記第２アパーチャの表裏面と直接接触する面を有し該第
２アパーチャを挟み込む前記保持部材と、前記保持部材
と前記第２アパーチャとの接触圧を得るためのばね部材
とを備えることが望ましい。
の表裏のいずれかの面あるいは表裏面とが導電性および
伝熱性のある接着剤を介して接触するか、あるいは、前
記第２アパーチャの表裏面と直接接触する面を有し該第
２アパーチャを挟み込む前記保持部材と、前記保持部材
と前記第２アパーチャとの接触圧を得るためのばね部材
とを備えることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１５】図１は本発明の第２アパチャの第１の実施
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
１に示すように、シリコン基板に複数の開口３をもつ部
分一括パターン４が形成されるアパチャ本体１と導電性
および伝熱性のある接着剤５を介して接触する導電性お
よび伝熱性のある保持ブロック２を備えている。
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
１に示すように、シリコン基板に複数の開口３をもつ部
分一括パターン４が形成されるアパチャ本体１と導電性
および伝熱性のある接着剤５を介して接触する導電性お
よび伝熱性のある保持ブロック２を備えている。
【００１６】保持ブロック２は導電性と熱伝導度の高い
銅もしくは銅合の板部材で製作することが望ましい。ま
た、アパーチャ本体１の開口３に対応する逃穴は開口３
より大きめとする。そして、マグネトロンの電極を製作
のときに用いられるホビングプレスを使用して保持ブロ
ック２の逃穴を打抜くと表面が滑らかな面を得て短時間
に加工することができる。その他は通常の機械加工で加
工する。
銅もしくは銅合の板部材で製作することが望ましい。ま
た、アパーチャ本体１の開口３に対応する逃穴は開口３
より大きめとする。そして、マグネトロンの電極を製作
のときに用いられるホビングプレスを使用して保持ブロ
ック２の逃穴を打抜くと表面が滑らかな面を得て短時間
に加工することができる。その他は通常の機械加工で加
工する。
【００１７】一方、アパーチャ本体１はシリコン基板で
あって、単結晶に引上げ時にリンやホウ素など不純物を
添加し高濃度の単結晶シリコンに成長させたものをスラ
イスし両面を研磨し所定の厚さにしたものを用いること
が望ましい。そして、厚み６００ミクロン程度にスライ
スされたシリコン基板を平面研削盤で、例えば、３００
ミクロン程度の厚みにする。次に、シリコン基板の裏面
を大きくエッチングなどで抉り取ってから、シリコン基
板の表面をリソグラフィ技術を用いて部分一括パターン
４を形成する。最後に部分一括パターン４が形成された
アパーチャ本体１と保持ブロック２とをその接触面に該
当する面に導電性エポキシ樹脂５を塗布し第２アパーチ
ャを完成する。
あって、単結晶に引上げ時にリンやホウ素など不純物を
添加し高濃度の単結晶シリコンに成長させたものをスラ
イスし両面を研磨し所定の厚さにしたものを用いること
が望ましい。そして、厚み６００ミクロン程度にスライ
スされたシリコン基板を平面研削盤で、例えば、３００
ミクロン程度の厚みにする。次に、シリコン基板の裏面
を大きくエッチングなどで抉り取ってから、シリコン基
板の表面をリソグラフィ技術を用いて部分一括パターン
４を形成する。最後に部分一括パターン４が形成された
アパーチャ本体１と保持ブロック２とをその接触面に該
当する面に導電性エポキシ樹脂５を塗布し第２アパーチ
ャを完成する。
【００１８】なお、接着剤５は、熱伝導度を高めるため
に、エポキシ樹脂などに銅の微粉を混入させたものが望
ましい。このような接着剤は、例えば、金型のガイドポ
ストを固定するために用いられる商品名デブコンとして
市販されている。この接着剤を塗布し硬化しない内に、
部分一括パターン４の向きと保持ブロック２の位置マー
クあるいは位置決めピン穴とが一致するように顕微鏡で
見ながら調整し治具で固定して接着剤を硬化させる。
に、エポキシ樹脂などに銅の微粉を混入させたものが望
ましい。このような接着剤は、例えば、金型のガイドポ
ストを固定するために用いられる商品名デブコンとして
市販されている。この接着剤を塗布し硬化しない内に、
部分一括パターン４の向きと保持ブロック２の位置マー
クあるいは位置決めピン穴とが一致するように顕微鏡で
見ながら調整し治具で固定して接着剤を硬化させる。
【００１９】なお、図ではアパーチャ本体１の裏面に保
持ブロック２を接着しているが、アパーチャ本体１の表
面に接着しても良い。
持ブロック２を接着しているが、アパーチャ本体１の表
面に接着しても良い。
【００２０】図２は本発明の第２アパチャの第２の実施
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
２に示すように、前述のアパーチャ本体１ａと接着剤５
を介して接触する保持ブロック２ａに加えて、アパーチ
ャ本体１ａの表面と接着剤５を介して接触する保持ブロ
ック２ｂを設けたことである。それ以外は前述の実施の
形態と同じである。
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
２に示すように、前述のアパーチャ本体１ａと接着剤５
を介して接触する保持ブロック２ａに加えて、アパーチ
ャ本体１ａの表面と接着剤５を介して接触する保持ブロ
ック２ｂを設けたことである。それ以外は前述の実施の
形態と同じである。
【００２１】なお、アパーチャ本体１ａの開口３に対応
する保持ブロック２ｂの逃穴は、保持ブロック２ｂの逃
穴と同様に開口３より大きめに明けられている。この実
施の形態の第２アパーチャは、前述の実施の形態の第２
アパーチャに比べ放熱性および電荷のディスチャージが
より優れているという利点がある。
する保持ブロック２ｂの逃穴は、保持ブロック２ｂの逃
穴と同様に開口３より大きめに明けられている。この実
施の形態の第２アパーチャは、前述の実施の形態の第２
アパーチャに比べ放熱性および電荷のディスチャージが
より優れているという利点がある。
【００２２】図３は本発明の第２アパチャの第３の実施
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
３に示すように、アパーチャ本体１ａを保持ブロック２
ｃと２ｄで挟み保持するとともにスプリング７のばね圧
により接触面の押圧力を一様にした構造である。この第
２アパーチャを組立の際は、トルクレチなどを使用して
周縁上にあるそれぞれのボルト６の締付力を一定にしス
プリング６の反発力で保持ブロック２ｃと２ｄとでアパ
ーチャ本体１ａを挟み保持する。
の形態を示す断面図である。この第２アパーチャは、図
３に示すように、アパーチャ本体１ａを保持ブロック２
ｃと２ｄで挟み保持するとともにスプリング７のばね圧
により接触面の押圧力を一様にした構造である。この第
２アパーチャを組立の際は、トルクレチなどを使用して
周縁上にあるそれぞれのボルト６の締付力を一定にしス
プリング６の反発力で保持ブロック２ｃと２ｄとでアパ
ーチャ本体１ａを挟み保持する。
【００２３】また、アパーチャ本体１ａは保持ブロック
２ｄとはインロー式に嵌合され、図面には示さないが、
部分一括パターン４ａの向きを決める位置決め手段を備
えている。さらに、この保持ブロック２ｄには、装置の
ホルダへの取付け位置を確保する位置決め穴が明けられ
ている。この第２アパーチャは、前述の実施の形態例と
比べ、アパーチャ本体１ａが損傷したら交換できるとい
う利点がある。また、接触面に接着剤が介入しないの
で、放熱性および電荷のディスチャージもより優れてい
る。なお、接触面により密着性を高めるために、接触面
に導電性の真空グリースを塗布しても良い。この真空グ
リースは、例えば、ダウコーニング社製の真空グリース
に導電性材料の微粉を混入したものが望ましい。
２ｄとはインロー式に嵌合され、図面には示さないが、
部分一括パターン４ａの向きを決める位置決め手段を備
えている。さらに、この保持ブロック２ｄには、装置の
ホルダへの取付け位置を確保する位置決め穴が明けられ
ている。この第２アパーチャは、前述の実施の形態例と
比べ、アパーチャ本体１ａが損傷したら交換できるとい
う利点がある。また、接触面に接着剤が介入しないの
で、放熱性および電荷のディスチャージもより優れてい
る。なお、接触面により密着性を高めるために、接触面
に導電性の真空グリースを塗布しても良い。この真空グ
リースは、例えば、ダウコーニング社製の真空グリース
に導電性材料の微粉を混入したものが望ましい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、部分一括
パターンの開口を除く第２アパーチャの裏面あるいは表
裏面と接触する高熱伝導度で高電導度の保持部材を設け
ることによって、第２アパーチャの放電性と放熱性が向
上し、それによる微細パターンの描画精度向上とアパチ
ャの長寿命化を図れるという効果がある。また、本発明
は、電子ビーム以外の荷電粒子を用いた場合でも同様の
効果が得られる。
パターンの開口を除く第２アパーチャの裏面あるいは表
裏面と接触する高熱伝導度で高電導度の保持部材を設け
ることによって、第２アパーチャの放電性と放熱性が向
上し、それによる微細パターンの描画精度向上とアパチ
ャの長寿命化を図れるという効果がある。また、本発明
は、電子ビーム以外の荷電粒子を用いた場合でも同様の
効果が得られる。
【図１】本発明の第２アパチャの第１の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の第２アパチャの第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明の第２アパチャの第３の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来の一例を示す電子ビーム描画装置の電子光
学系の図である。
学系の図である。
【図５】従来の第２アパーチャの一例を示す平面図およ
びＡＢ断面図である。
びＡＢ断面図である。
１，１ａ アパーチャ本体 ２，２ａ，２ｃ，２ｄ 保持ブロック ３ 開口 ４，４ａ 部分一括パターン ５ 接着剤 ６ ボルト ７ スプリング １０ 第２アパーチャ １１ 電子銃 １２ 電子ビーム １３ 第１アパチャ １４ 成形レンズ １５ 成形偏向器 １７ 縮小レンズ １８ 位置決偏向器 １９ 対物レンズ ２０ 半導体ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】 電荷粒子源から放射されるとともに第１
アパーチャで方形断面に成形される電荷ビームを偏向し
その偏向領域内に所望の形状の部分一括パターンを有す
るシリコン基板の第２アパチャを配設する荷電ビーム露
光装置において、前記部分一括パターンの開口を除く前
記第２アパチャの外郭面と接触する導電性および伝熱性
のある保持部材を備えることを特徴とする荷電ビーム描
画装置。 - 【請求項２】 前記保持部材と前記第２アパーチャの表
裏のいずれかの面あるいは表裏面とが導電性および伝熱
性のある接着剤を介して接触することを特徴とする請求
項１記載の電荷ビーム描画装置。 - 【請求項３】 前記第２アパーチャの表裏面と直接接触
する面を有し該第２アパーチャを挟み込む前記保持部材
と、前記保持部材と前記第２アパーチャとの接触圧を得
るためのばね部材とを備えることを特徴とする請求項１
記載の荷電ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250621A JPH0992610A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 荷電ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250621A JPH0992610A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 荷電ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992610A true JPH0992610A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17210586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7250621A Pending JPH0992610A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 荷電ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992610A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162566A (en) * | 1997-11-26 | 2000-12-19 | Hoya Corporation | Mask holder for supporting transfer mask |
| US6198109B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Aperture apparatus used for photolithography and method of fabricating the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03230514A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-14 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
| JPH05326378A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
| JPH05335218A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-12-17 | Canon Inc | Ｘ線マスクとその製造方法、並びに該ｘ線マスクを用いたデバイス製造方法とｘ線露光装置 |
| JPH0794386A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7250621A patent/JPH0992610A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03230514A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-14 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
| JPH05335218A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-12-17 | Canon Inc | Ｘ線マスクとその製造方法、並びに該ｘ線マスクを用いたデバイス製造方法とｘ線露光装置 |
| JPH05326378A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
| JPH0794386A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198109B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Aperture apparatus used for photolithography and method of fabricating the same |
| US6162566A (en) * | 1997-11-26 | 2000-12-19 | Hoya Corporation | Mask holder for supporting transfer mask |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3763446B2 (ja) | 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法 | |
| US6787780B2 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device | |
| US20010028038A1 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method a semiconductor device | |
| JP2957669B2 (ja) | 反射マスク及びこれを用いた荷電ビーム露光装置 | |
| US20010028044A1 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a muti-axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device | |
| US20030189180A1 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device | |
| US6433346B1 (en) | Electrostatic reticle chucks, charged-particle-beam microlithography apparatus and methods, and semiconductor-device manufacturing methods comprising same | |
| US6703624B2 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device | |
| JPH0934103A (ja) | 荷電粒子線転写用マスク | |
| US5401932A (en) | Method of producing a stencil mask | |
| US20010028043A1 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a multi-axis electron lens and fabrication method of a semiconductor device | |
| US6913857B2 (en) | Exposure mask, method for manufacturing the mask, and exposure method | |
| WO2001009913A2 (en) | Patterned heat conducting photocathode for electron beam source | |
| JPH11160856A (ja) | 転写マスク用ホルダー | |
| JPH0992610A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JP2003045789A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
| US6387574B1 (en) | Substrate for transfer mask and method for manufacturing transfer mask by use of substrate | |
| US6218278B1 (en) | Method of forming a conducting structure | |
| JP3246445B2 (ja) | 荷電ビーム一括露光用透過マスクおよびその製造方法 | |
| JP4156808B2 (ja) | 電子ビーム露光装置、電子ビーム成形部材及びその製造方法 | |
| JPH065499A (ja) | アパーチャ絞り及びその製造方法ならびにこれを用いた荷電ビーム描画装置 | |
| JPH09232209A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置用アパーチャマスクとその製造方法 | |
| US6459090B1 (en) | Reticles for charged-particle-beam microlithography that exhibit reduced warp at pattern-defining regions, and semiconductor-device-fabrication methods using same | |
| JP2000331917A (ja) | 電子ビーム露光マスク、および電子ビーム露光装置 | |
| JP2005136114A (ja) | 電極基板およびその製造方法、ならびに該電極基板を用いた荷電ビーム露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981215 |