JPH01278722A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPH01278722A JPH01278722A JP63108395A JP10839588A JPH01278722A JP H01278722 A JPH01278722 A JP H01278722A JP 63108395 A JP63108395 A JP 63108395A JP 10839588 A JP10839588 A JP 10839588A JP H01278722 A JPH01278722 A JP H01278722A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＸ線露光用マスクに関するものである。
従来の技術
従来のＸ ｋｇ Ｋ光用マスクは、第２図に示すように
、Ｘ線露光用マスク基板１１と、このマスク基板１１の
下面に形成されたＸ線遮蔽体である遮蔽パターン１２と
、こｔＬらの下面に形成された保護膜１３とから構成さ
れている。上記マスク基板１１は、窒化ケイ素もしくは
窒化ホウ素などの比較的軽い元素の数μｍ程度の膜厚の
薄膜で形成され、また遮蔽パターン１２はタングステン
（Ｗ）、金（ＡＵ）、タンタル＜”Ｉ”ａ）などの重金
属の０．５μｍ程度の膜厚の薄膜で形成されている。保
護膜１３はマスク基板１１と同じ材料、もしくはスピン
塗布した１〜数μｍ程度の膜厚のポリイミドで形成され
ている。
、Ｘ線露光用マスク基板１１と、このマスク基板１１の
下面に形成されたＸ線遮蔽体である遮蔽パターン１２と
、こｔＬらの下面に形成された保護膜１３とから構成さ
れている。上記マスク基板１１は、窒化ケイ素もしくは
窒化ホウ素などの比較的軽い元素の数μｍ程度の膜厚の
薄膜で形成され、また遮蔽パターン１２はタングステン
（Ｗ）、金（ＡＵ）、タンタル＜”Ｉ”ａ）などの重金
属の０．５μｍ程度の膜厚の薄膜で形成されている。保
護膜１３はマスク基板１１と同じ材料、もしくはスピン
塗布した１〜数μｍ程度の膜厚のポリイミドで形成され
ている。
上記構成において、Ｘ線が上方より入射して遮蔽パター
ン１２の部分ではＸ線に対する吸収係数が大きいために
減衰し、遮蔽パターン１２以外の部分ではＸ線に対する
吸収係数が小さいためにほとんど減衰を受けないで透過
する。このように、被露光基板１４の上面に遮蔽パター
ン１２に応じたＸ線強度のコントラストが得られる。
ン１２の部分ではＸ線に対する吸収係数が大きいために
減衰し、遮蔽パターン１２以外の部分ではＸ線に対する
吸収係数が小さいためにほとんど減衰を受けないで透過
する。このように、被露光基板１４の上面に遮蔽パター
ン１２に応じたＸ線強度のコントラストが得られる。
発明が解決しようとする課題
上記従来の構成によると、吸収されたＸａのエネルギー
が熱エネルギーに変換されて、露光中にＸ線露光用マス
クの温度上昇が起り、Ｘ線露光用マスクが熱膨張を起す
、そのために、遮蔽パターン１２の形状が変化し、また
遮蔽パターン１２の位置精度が劣化するという問題点か
ある。また、Ｘ線か吸収される過程において、遮蔽体内
で光電子およびオージェ電子ａが発生して、これらの電
子が遮蔽体下の近傍の被露光基板１４を露光するので、
これを軽減するために保護膜１３か形成されているので
あるが、この保護膜１３によるＸ線の吸収のために被露
光基板１４上のＸ線強度のコントラストが低下するとい
う問題点がある。
が熱エネルギーに変換されて、露光中にＸ線露光用マス
クの温度上昇が起り、Ｘ線露光用マスクが熱膨張を起す
、そのために、遮蔽パターン１２の形状が変化し、また
遮蔽パターン１２の位置精度が劣化するという問題点か
ある。また、Ｘ線か吸収される過程において、遮蔽体内
で光電子およびオージェ電子ａが発生して、これらの電
子が遮蔽体下の近傍の被露光基板１４を露光するので、
これを軽減するために保護膜１３か形成されているので
あるが、この保護膜１３によるＸ線の吸収のために被露
光基板１４上のＸ線強度のコントラストが低下するとい
う問題点がある。
そこで、本発明は上記問題点を解消し得るＸ線露光用マ
スクを提供することを目的とする。
スクを提供することを目的とする。
課頭を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明のＸ線露光用マスク
は、Ｘａに対する遮蔽体としてＸ線反射膜を使用したも
のである。
は、Ｘａに対する遮蔽体としてＸ線反射膜を使用したも
のである。
作用
上記構成によると、Ｘ線の大部分がＸ線遮蔽体であるＸ
線反射膜で反射されるため、マスクに吸収されるＸ線の
量が減少し、このためマスク自体の温度上昇が抑制され
るとともに光電子およびオージェ電子の発生も抑制され
る。
線反射膜で反射されるため、マスクに吸収されるＸ線の
量が減少し、このためマスク自体の温度上昇が抑制され
るとともに光電子およびオージェ電子の発生も抑制され
る。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第１図（ａ）〜（Ｇ）に基づき、Ｘ線露光用マスクの製
造工程について説明する。まず、第１図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１の表面に、膜厚１．５〜２．０μ
ｍの窒化ケイ素薄膜２をプラズマ化学的気相成長法で堆
積する６次に、シリコン基板１の裏面に膜厚０，５〜０
．６μｍの窒化ケイ素薄膜３をプラズマ化学的気相成長
法で堆積する。次に、膜厚１０人のＷ層４と）膜厚２５
人のベリリウム（Ｂｅ）層５を高速原子線スパッタ法に
より堆積する。このＷＪ３４とＢｅ層５とを１周期とし
てこれを１００〜２００周期積層する。これらＷ層４と
Ｂ（ｌＷ５とによりＸ線反射膜が構成され、このＸ線反
射膜はＸ線に対して大きな反射率を有している０次に、
第１図（ｂ）に示すように、裏面側の窒化ケイ素膜３の
表面にフォトレジストパターン６を形成し、これをマス
クとしてＳＦ６とＣＣｌ２の混合ガスを用いたＲＩＥ法
で窒化ケイ素薄膜３を除去する。
造工程について説明する。まず、第１図（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１の表面に、膜厚１．５〜２．０μ
ｍの窒化ケイ素薄膜２をプラズマ化学的気相成長法で堆
積する６次に、シリコン基板１の裏面に膜厚０，５〜０
．６μｍの窒化ケイ素薄膜３をプラズマ化学的気相成長
法で堆積する。次に、膜厚１０人のＷ層４と）膜厚２５
人のベリリウム（Ｂｅ）層５を高速原子線スパッタ法に
より堆積する。このＷＪ３４とＢｅ層５とを１周期とし
てこれを１００〜２００周期積層する。これらＷ層４と
Ｂ（ｌＷ５とによりＸ線反射膜が構成され、このＸ線反
射膜はＸ線に対して大きな反射率を有している０次に、
第１図（ｂ）に示すように、裏面側の窒化ケイ素膜３の
表面にフォトレジストパターン６を形成し、これをマス
クとしてＳＦ６とＣＣｌ２の混合ガスを用いたＲＩＥ法
で窒化ケイ素薄膜３を除去する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、フォトレジストパタ
ーン６を除去した後、窒化ケイ素薄膜３をマスクとして
、シリコン基板１を２５重量％、１００°Ｃの水酸化カ
リウム水溶液で除去する。次に、第１図（ｄ）に示すよ
うに、Ｂｅ層５の表面にレジストパターン７を光露光法
らしくは電子ビーム露光法で形成する。レジストとして
はクロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）が使用される
。そして、このレジストパターン７をマスクとして、Ｗ
ＲＪ４、Ｂｅ層５の不要部分をＳＦ６とＣＣｌ２の混合
ガスを用いたＲＩＥ法で除去する。そして、この後、第
１図（ｅ）に示すように、酸素プラズマによりレジスト
パターン７を除去する。
ーン６を除去した後、窒化ケイ素薄膜３をマスクとして
、シリコン基板１を２５重量％、１００°Ｃの水酸化カ
リウム水溶液で除去する。次に、第１図（ｄ）に示すよ
うに、Ｂｅ層５の表面にレジストパターン７を光露光法
らしくは電子ビーム露光法で形成する。レジストとして
はクロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）が使用される
。そして、このレジストパターン７をマスクとして、Ｗ
ＲＪ４、Ｂｅ層５の不要部分をＳＦ６とＣＣｌ２の混合
ガスを用いたＲＩＥ法で除去する。そして、この後、第
１図（ｅ）に示すように、酸素プラズマによりレジスト
パターン７を除去する。
上記Ｘ線露光用マスクによると、Ｘ線はＷ層４とＢｅ層
５とが多層に積層されてなるＸ線反射膜により、反射さ
れるため、マスク内でのＸ線の吸収量が減少してマスク
自体の温度上昇が抑制され、したがってＸ線遮蔽パター
ンの形状の変化および位置精度の劣化が軽減される。ま
た、Ｘ線遮蔽体内で発生ずる光電子とオージェ電子の量
が減少して、これらの電子がＸ線遮蔽体下近傍の被露光
基板を露光する効果か軽減されて、保護膜の膜厚を従来
よりも薄くすることが可能となり、被露光基板上でのＸ
線強度のコントラス）・が大きくなる。
５とが多層に積層されてなるＸ線反射膜により、反射さ
れるため、マスク内でのＸ線の吸収量が減少してマスク
自体の温度上昇が抑制され、したがってＸ線遮蔽パター
ンの形状の変化および位置精度の劣化が軽減される。ま
た、Ｘ線遮蔽体内で発生ずる光電子とオージェ電子の量
が減少して、これらの電子がＸ線遮蔽体下近傍の被露光
基板を露光する効果か軽減されて、保護膜の膜厚を従来
よりも薄くすることが可能となり、被露光基板上でのＸ
線強度のコントラス）・が大きくなる。
ところで、上記実施例においては、Ｘ線反射膜としてＷ
層とＢｅ層とを交互に繰り返して′！ｆ！層したものを
使用したが、たとえばＷ層と炭素（Ｃ）層とを交互に繰
り返して積層したものを使用してもよい。
層とＢｅ層とを交互に繰り返して′！ｆ！層したものを
使用したが、たとえばＷ層と炭素（Ｃ）層とを交互に繰
り返して積層したものを使用してもよい。
発明の効果
上記本発明の構成によると、Ｘ線はＸ線反射膜により反
射されるなめ、Ｘ線の吸収量が減少してマスク自体の温
度上昇が抑制され、したがって従来温度上昇により生じ
ていたＸ線遮蔽パターンの変形および位置精度の劣化を
防止することができるとともに、Ｘ線遮蔽体で発生する
光電子およびオージェ電子の量が減少するため、保護膜
の膜厚を従来よりも薄くすることが可能となり、被露光
基板上でのＸ線強度のコントラストを大きくすることが
できる。
射されるなめ、Ｘ線の吸収量が減少してマスク自体の温
度上昇が抑制され、したがって従来温度上昇により生じ
ていたＸ線遮蔽パターンの変形および位置精度の劣化を
防止することができるとともに、Ｘ線遮蔽体で発生する
光電子およびオージェ電子の量が減少するため、保護膜
の膜厚を従来よりも薄くすることが可能となり、被露光
基板上でのＸ線強度のコントラストを大きくすることが
できる。
第１図ｆａ）〜ｆｅ）は本発明の一実施例におけるＸ線
露光用マスクの製造工程を示す断面図、第２図は従来例
のＸ線露光用マスクの断面図である。 １・・・シリコン基板、２，３・・・窒化ケイ素膜、４
・・・Ｗ層、５・・・Ｂｅ層。 代理人 森 木 義 弘 第１図 （ａ＞
（ｊン（ｂン
（ｅン（Ｃ）
露光用マスクの製造工程を示す断面図、第２図は従来例
のＸ線露光用マスクの断面図である。 １・・・シリコン基板、２，３・・・窒化ケイ素膜、４
・・・Ｗ層、５・・・Ｂｅ層。 代理人 森 木 義 弘 第１図 （ａ＞
（ｊン（ｂン
（ｅン（Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線に対する遮蔽体としてＸ線反射膜を使用したＸ
線露光用マスク。 ２、Ｘ線反射膜を、複数種類の原子層を交互に繰り返し
て積層した構造とした請求項１に記載のＸ線露光用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108395A JPH01278722A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108395A JPH01278722A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278722A true JPH01278722A (ja) | 1989-11-09 |
Family
ID=14483673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63108395A Pending JPH01278722A (ja) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01278722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707236A2 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-17 | AT&T Corp. | Masks with low stress multilayer films and a process for controlling the stress of multilayer films |
-
1988
- 1988-04-30 JP JP63108395A patent/JPH01278722A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707236A2 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-17 | AT&T Corp. | Masks with low stress multilayer films and a process for controlling the stress of multilayer films |
| EP0707236A3 (en) * | 1994-10-11 | 1996-11-20 | At & T Corp | Masks with low-tension multilayer films and method for controlling tensions in multi-layer films |
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