JP2008058476A - 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 マスクのたわみによる影響を受けることなく、基板上でマスクのパターン領域を良好に画面合成することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 光源１と、光源１から射出される照明光をマスク上に導く照明光学系ＩＬと、マスクＭを載置するマスク載置部とを備え、マスクＭに形成されているパターンを基板Ｐ上に転写する露光装置において、光源１とマスクＭとの間に配置され、パターンが形成されている領域の一部に照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する減光部材９ａと、マスク載置部にマスクＭを載置した際、該マスクＭの面と交差する方向のマスク形状に基づいて、減光部材９ａとマスクＭまたは照明光学系ＩＬ内のマスクＭと光学的に共役な共役面との間隔を制御する制御部と、制御部により制御された減光部材９ａを用いて照明光学系ＩＬにより照明されたマスクＭのパターンを基板Ｐ上に転写する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光装置、露光方法及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。

半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、部分投影光学系を走査方向と直交する方向に複数並べ、さらに走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスクを載置するマスクステージ及び基板を載置する基板ステージを走査させつつ各部分投影光学系でそれぞれマスクのパターンをレジストが塗布された基板上に露光するステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

ところで、近年、基板が大型化し、２ｍ角を超える基板を使用するようになっている。ここで、上述の複数の部分投影光学系を備えた投影露光装置においては、マスクのパターンを基板上に等倍にて露光するため、基板の大型化に伴い、マスクも大型化する。しかしながら、高い露光精度を維持するためにはマスクの平面度を高くする必要があり、高い平面度を有する大型化のマスクを製造するには莫大なコストがかかる。そこで、マスクのパターンが形成されている領域を基板上に画面合成して転写露光する露光装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この特許文献２記載の露光装置においては、部分投影光学系内の視野絞りの近傍に、マスクのパターンが形成されている領域の一部に照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成するブラインドを備えている。そしてまず、ブラインドにより第１のパターン領域の一部に照明光の光量が連続的に減少する第１の減光部を形成しつつ、第１のパターン領域を基板上に転写露光する。次に、ブラインドを走査方向と交差する方向に移動させることにより、減光部が形成される位置を変化させて、ブラインドにより第２のパターン領域の一部に照明光の光量が連続的に減少する第２の減光部を形成しつつ、第２のパターン領域を基板上に転写露光する。その結果、第１の減光部及び第２の減光部を継ぎ部として第１のパターン領域と第２のパターン領域が基板上に画面合成して転写露光される。
特願平５−１６１５８８号公報 特願２００３−１５１８８０号公報

しかしながら、特許文献２記載の露光装置においては、マスクのパターン領域を走査方向と交差する方向において基板上で画面合成することができるが、走査方向において基板上で画面合成することができなかった。また、基板上において画面合成するマスクのパターン領域の共通領域を変更することができないため、デバイス設計の自由度を狭めていた。

また、マスクをマスクステージに載置した際においてマスクにたわみが発生した場合、ブラインドにより形成される減光部の幅が変化し、良好にマスクのパターン領域を基板上で画面合成できないという問題があった。

この発明の課題は、マスクのたわみによる影響を受けることなく、基板上でマスクのパターン領域を良好に画面合成することができる露光装置、露光方法及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することである。

この発明の露光装置は、光源（１）と、前記光源（１）から射出される照明光をマスク（Ｍ）上に導く照明光学系（ＩＬ）と、前記マスク（Ｍ）を載置するマスク載置部（ＭＳＴ）とを備え、前記マスク（Ｍ）に形成されているパターンを基板（Ｐ）上に転写する露光装置において、前記光源（１）と前記マスク（Ｍ）との間に配置され、前記パターンが形成されている領域（Ｉ）の一部に前記照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する減光部材（９ａ，９ｂ）と、前記マスク載置部（ＭＳＴ）に前記マスク（Ｍ）を載置した際、該マスク（Ｍ）の面と交差する方向のマスク形状に基づいて、前記減光部材（９ａ，９ｂ）と前記マスク（Ｍ）または前記照明光学系（ＩＬ）内の前記マスク（Ｍ）と光学的に共役な共役面との間隔を制御する調整部（１６）と、前記調整部により制御された前記減光部材（９ａ，９ｂ）を用いて前記照明光学系（ＩＬ）により照明された前記マスク（Ｍ）のパターンを前記基板（Ｐ）上に転写することを特徴とする。

また、この発明のデバイスの製造方法は、この発明の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板（Ｐ）に露光する露光工程（Ｓ３０３）と、前記露光工程（Ｓ３０３）により露光された前記感光性基板（Ｐ）を現像する現像工程（Ｓ３０４）とを含むことを特徴とする。

また、この発明の露光方法は、光源（１）からの照明光により照明されたマスク（Ｍ）を用い、前記マスクに形成されたパターンを基板（Ｐ）上に転写する露光方法において、前記光源（１）と前記マスク（Ｍ）との間に配置され、前記パターンが形成されている領域の一部に前記照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する減光部材（９ａ，９ｂ）を用い、前記マスク（Ｍ）の面と交差する方向のマスク形状に基づいて、前記減光部材（９ａ，９ｂ）と前記マスク（Ｍ）または前記照明光学系内の前記マスクと光学的に共役な共役面との間隔を調整して、前記減光部材（９ａ，９ｂ）により遮光された前記照明光により照明された前記マスク（Ｍ）のパターンを前記基板上に転写することを特徴とする。

この発明の露光装置によれば、マスク載置部にマスクを載置した際、マスク面と交差する方向のマスク形状に基づいて減光部材とマスク（または照明光学系内のマスクと光学的に共役な共役面）との間隔を制御する調整部を備えているため、減光部材により形成される減光部の幅が変化するのを防止することができ、減光部材を用いて照明光学系により照明されたマスクのパターンを基板上に良好に転写することができる。即ち、マスク載置部にマスクを載置した際、マスクにたわみが生じた場合においても、マスクのたわみに応じて減光部材とマスクとの間隔を制御することができるため、マスクのたわみにより減光部の幅が変化することなく、良好な露光を行なうことができる。

また、この発明のデバイスの製造方法によれば、この発明の露光装置を用いて露光を行うため、マスク載置部にマスクを載置した際にマスクにたわみが生じた場合においても、マスクのパターンを感光性基板上に高精度に露光することができ、良好なデバイスを得ることができる。

また、この発明の露光方法によれば、マスク面と交差する方向のマスク形状に基づいて減光部材とマスク（または照明光学系内のマスクと光学的に共役な共役面）との間隔を制御する調整部を用いるため、減光部材により形成される減光部の幅が変化するのを防止することができ、減光部材を用いて照明光学系により照明されたマスクのパターンを基板上に良好に転写することができる。

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図１は、この実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施の形態にかかる露光装置は、パターンが形成されたマスクＭを支持するマスク載置部ＭＳＴ（図２参照）と、外径が５００ｍｍよりも大きいフラットパネル表示素子用のプレート（基板）Ｐを支持するプレートステージ（図示せず）と、光源１から射出した照明光をマスクＭ上に導く照明光学系ＩＬと、マスクＭに形成されているパターンをプレートＰ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光処理に関する動作を統括制御する制御部（図示せず）とを備えている。なお、外径が５００ｍｍよりも大きいとは、プレートＰの一辺または対角線が５００ｍｍよりも大きいということである。

また、この実施の形態にかかる露光装置においては、投影光学系ＰＬは複数（７つ）の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｇを有している。投影光学ユニットＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇは、Ｙ方向に配置されており、Ｘ方向（走査方向）の前方側に配置されている。また、投影光学ユニットＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆは、Ｙ方向に配置されており、Ｘ方向の後方側に配置されている。また、投影光学ユニットＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと各投影光学ユニットＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとはＸ方向において対向するように千鳥状に配置されている。

即ち、この実施の形態にかかる露光装置は、複数の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｇにより構成されている投影光学系ＰＬに対してマスクＭとプレートＰとを同期移動させて走査露光する走査型露光装置であって、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を構成している。以下の説明において、マスクＭ及びプレートＰの同期移動方向をＸ軸方向（走査方向）、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりのそれぞれの方向をθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

図１に示すように、この露光装置は、例えば水銀ランプ又は超高圧水銀ランプからなる光源１を備えている。光源１から射出した照明光は、ダイクロイックミラー３を介して、楕円鏡２の第２焦点位置に集光する。ダイクロイックミラー３により反射された照明光は、リレー光学系４を介して、ライトガイド５の入射端５０に入射して、７つの射出端５ａ〜５ｇから射出する。射出端５ａから射出した照明光は、コンデンサレンズ、オプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ等により構成される照明光学ユニット６ａを介して、マスクＭ上の所定の照明領域を照明する。同様に、射出端５ｂ〜５ｇから射出した照明光は、コンデンサレンズ、オプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ等により構成される照明光学ユニット６ｂ〜６ｇを介して、マスクＭ上の所定の照明領域を照明する。

図２は、マスクＭを載置するマスク載置部ＭＳＴの構成を示す図である。図２に示すように、この露光装置は、非走査方向（Ｙ方向）に長手方向を有する第１減光部材９ａ、及びマスク載置部ＭＳＴの−Ｙ方向側にＸ方向に延びたガイド部１０ａを備えている。ガイド部１０ａは、照明光学系ＩＬとマスクＭとの間に配置されＸ方向に移動する第１減光部材９ａを案内するものである。なお、第１減光部材９ａは、調整部１６に支持されＺ方向にも微小量移動可能に構成されている。第１減光部材９ａは、調整部１６によりＺ方向に移動可能に支持されており、マスクＭの形状に基づいて、マスクＭとの間隔が調整される。

また、この露光装置は、走査方向（Ｘ方向）に長手方向を有する第２減光部材９ｂ、及びマスク載置部ＭＳＴの−Ｘ方向側にＹ方向に延びたガイド部１０ｂを備えている。ガイド部１０ｂは、照明光学系ＩＬとマスクＭとの間に配置されＹ方向に移動する第２減光部材９ｂを案内するものである。なお、第２減光部材９ｂは、調整部１６に支持されＺ方向にも微小量移動可能に構成されている。即ち、第１減光部材９ｂは、調整部１６によりＺ方向に移動可能に支持されており、マスクＭの形状に基づいて、マスクＭとの間隔が調整される。第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂの移動は、図示しない制御部により制御されている。

第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂは、マスクＭのパターン面に対して所定距離離れた位置に配置されており、マスクＭ上に形成されているパターン領域の一部に照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する。第１減光部材９ａはマスクＭのパターン上にＹ方向（走査方向と交差する方向）に延びる減光部を形成し、第２減光部材９ｂはマスクＭのパターン上にＸ方向（走査方向）に延びる減光部を形成する。走査露光時には、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂをマスク載置部ＭＳＴに対して相対的に静止させる。第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂの詳細な用途及び機能については後述する。

マスク載置部ＭＳＴは、走査方向であるＸ方向への長いストロークと、走査方向と直交するＹ方向への微小量のストロークとを有している。マスク載置部ＭＳＴの移動は、図示しない制御部により制御されている。また、マスク載置部ＭＳＴのＸＹ平面内における位置を計測するための図示しないマスク用レーザ干渉計が設けられており、マスク用レーザ干渉計はマスク載置部ＭＳＴの位置をリアルタイムに計測及び制御する。

照明光学ユニット６ａを通過した照明光は、マスクＭの所定の照明領域を照明し、投影光学ユニットＰＬａに入射する。同様に、照明光学ユニット６ｂ〜６ｇのそれぞれを通過した照明光は、マスクＭの所定の照明領域を照明し、投影光学ユニットＰＬｂ〜ＰＬｇにそれぞれ入射する。投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｇは、マスクＭに形成されているパターンの一部をそれぞれ個別の複数の像としてプレートＰ上に投影する。

投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、マスクＭのパターンの中間像を形成する１組目の反射屈折型光学系、中間像が形成される位置に配置される視野絞り、プレートＰ上にパターン像を形成する２組目の反射屈折型光学系、例えば２枚の平行平面ガラス板等からなるシフト調整機構、例えば直角プリズム等からなるローテーション調整機構、例えば一対のくさび型光学部材等からなる像面調整機構、レンズ等からなるスケーリング調整機構等を備えている。シフト調整機構は、プレートＰ上に形成されるマスクＭのパターン像をＸ方向及びＹ方向の少なくとも一方にシフトさせる。また、ローテーション調整機構は、プレートＰ上に形成されるマスクＭのパターンの像をＺ軸まわりに回転させる。また、像面調整機構は、投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれの結像位置及び像面の傾斜を調整する。また、スケーリング調整機構は、プレートＰ上に形成されるマスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）を調整する。

プレートＰは図示しないプレートステージに載置されている。プレートステージは、走査方向であるＸ方向への長いストロークと、走査方向と直交するＹ方向にステップ移動するための長いストロークとを有している。また、プレートステージは、Ｚ方向、θＸ、θＹ、θＺ方向に微小量移動可能に構成されている。プレートステージの移動は、図示しない制御部により制御されている。また、投影光学系ＰＬに対するプレートステージのＸＹ平面内における位置を計測するための図示しないプレート用レーザ干渉計が設けられており、プレート用レーザ干渉計はプレートステージの位置をリアルタイムに計測及び制御する。なお、プレート用レーザ干渉計は、プレートステージの−Ｘ側の端縁にＹ方向に延びるＸ移動鏡１２、プレートステージの−Ｙ側の端縁にＸ方向に延びるＹ移動鏡１３を用いて、プレートステージの位置を計測する。

また、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとの間には、マスクＭのパターン面及びプレートＰの被露光面のＺ軸方向における位置を検出するオートフォーカス検出系１５が設けられている。

次に、図３に示すフローチャートを参照して、この実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法について説明する。なお、マスクＭに形成されているパターン領域を、プレートＰ上において画面合成する第１パターン領域Ｉ_１（図５参照）、第２パターン領域Ｉ_２（図７参照）、第３パターン領域Ｉ_３（図１０参照）及び第４パターン領域Ｉ_４（図１１参照）に分割し、プレートＰ上において画面合成される第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４の共通領域（継ぎ部）に減光部材により減光部を形成することにより、第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４を画面合成してプレートＰ上に転写露光する露光方法について説明する。

まず、マスク載置部ＭＳＴに図４に示すパターン領域Ｉを有するマスクＭを載置する（ステップＳ１０）。次に、マスクＭをマスク載置部ＭＳＴに載置したときのマスクＭの形状、即ちマスクＭのたわみを計測する（ステップＳ１１）。具体的には、オートフォーカス検出系１５を用いて、マスクＭ上において２次元的に配置された複数の計測点におけるＺ方向の位置を計測し、計測された複数の計測点におけるＺ方向の位置を用いてマスクＭの形状を求める。

次に、マスクＭの第１パターン領域Ｉ_１（図５参照）をプレートＰ上に転写露光するための準備を行なう。図５は、マスクＭの第１パターン領域Ｉ_１を示す図である。第１パターン領域Ｉ_１は、後述する第２パターン領域Ｉ_２（図７参照）との共通領域Ｉ_１２、後述する第３パターン領域Ｉ_３（図１０参照）との共通領域Ｉ_１３を有している。

Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_１２は第１パターン領域Ｉ_１と第２パターン領域Ｉ_２とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_１２と後述する第２パターン領域Ｉ_２の共通領域Ｉ_２１（図７参照）とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。同様に、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_１３は第１パターン領域Ｉ_１と第３パターン領域Ｉ_３とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_１３と後述する第３パターン領域Ｉ_３の共通領域Ｉ_３１（図１０参照）とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。

まず、マスクＭの第１パターン領域Ｉ_１をプレートＰ上に転写露光するために、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを移動させて、所定の位置に配置する（ステップＳ１２）。具体的には、図５に示すように、第１減光部材９ａを、Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_１２の−Ｘ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、図５に示すように、第２減光部材９ｂを、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_１３の＋Ｙ方向側の半分が遮光される位置に配置する。

また、第１パターン領域Ｉ_１、第２パターン領域Ｉ_２及び第３パターン領域Ｉ_３が順次走査露光された際に、共通領域Ｉ_１２，Ｉ_１３における積算光量が、共通領域Ｉ_１２，Ｉ_１３以外の領域における光量と略同じになるように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂのＺ方向における配置位置を決定する。具体的には、図６に示すように、第１減光部材９ａをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離ｄ離れた位置に配置する。同様に、第２減光部材９ｂをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離ｄ離れた位置に配置する。

次に、ステップＳ１０において求めたＺ方向におけるマスクＭの形状（たわみ）を用いて、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を調整する（ステップＳ１３）。例えば、マスク載置部ＭＳＴのマスクＭの載置位置から所定距離ｄ離れた位置に第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを配置したとしても、マスクＭをマスク載置部ＭＳＴに載置した際にマスクＭにたわみが生じていた場合、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂの配置位置に誤差が生じる。即ち、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂがマスクＭのパターン面に対して所定距離ｄ離れた位置に配置されていない状態となり、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂにより形成される減光部の幅に変化が生じる。したがって、減光部の幅を一定にするために、オートフォーカス検出系１５により計測されたマスクＭのＺ方向における位置に対して第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂが所定距離ｄ離れた位置に配置されるように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂのＺ方向における位置を調整する。

次に、マスクＭの第１パターン領域Ｉ_１に形成されているパターンをプレートＰ上に転写露光する（ステップＳ１４）。即ち、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬに対してマスク載置部ＭＳＴ、第１減光部材９ａ、第２減光部材９ｂ及びプレートステージを相対的に走査移動させることにより、第１パターン領域Ｉ_１に形成されているパターンをプレートＰ上に転写露光する。

図６に示すグラフは、ステップＳ１４において走査露光された際のプレートＰ（共通領域Ｉ_１２）上における照明光の光量分布を示している。図６のグラフに示すように、共通領域Ｉ_１２における照明光の光量は＋Ｘ方向から−Ｘ方向に連続的に減少する。また、共通領域Ｉ_１３における照明光の光量は−Ｙ方向から＋Ｙ方向に連続的に減少する。このように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂのマスクＭのパターン面に対する位置（第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭのパターン面との間隔）を制御することにより、照明光の光量が連続的に減少する減光部の幅（共通領域Ｉ_１２，Ｉ_１３の幅）を制御することができる。

次に、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２（図７参照）をプレートＰ上に転写露光するための準備を行なう。図７は、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２を示す図である。第２パターン領域Ｉ_２は、第１パターン領域Ｉ_１との共通領域Ｉ_２１、第４パターン領域Ｉ_４（図１１参照）との共通領域Ｉ_２４を有している。

Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_２１は第１パターン領域Ｉ_１と第２パターン領域Ｉ_２とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_２１と第１パターン領域Ｉ_１の共通領域Ｉ_１２とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。同様に、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_２４は第２パターン領域Ｉ_２と第４パターン領域Ｉ_４とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_２４と後述する第４パターン領域Ｉ_４の共通領域Ｉ_４２（図１１参照）とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。

まず、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２をプレートＰ上に転写露光するために、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを移動させて、所定の位置に配置する（ステップＳ１５）。具体的には、図７に示すように、第１減光部材９ａを、Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_２１の＋Ｘ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、図７に示すように、第２減光部材９ｂを、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_２４の＋Ｙ方向側の半分が遮光される位置に配置する。

また、走査露光された際に、共通領域Ｉ_２１，Ｉ_２４における積算光量が、共通領域Ｉ_２１，Ｉ_２４以外の領域における光量と略同じになるように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂのＺ方向における配置位置を決定する。具体的には、図８に示すように、第１減光部材９ａをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離ｄ離れた位置に配置する。同様に、第２減光部材９ｂをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離ｄ離れた位置に配置する。

次に、ステップＳ１０において求めたＺ方向におけるマスクＭの形状（たわみ）を用いて、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を調整する（ステップＳ１６）。具体的な調整のための動作は、ステップＳ１３の動作と同一であるため、詳細な説明は省略する。次に、マスク載置部ＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴを所定の位置、即ち、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２に形成されているパターンをプレートＰ上に走査露光するための走査開始位置に移動させて、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬに対してマスク載置部ＭＳＴ、第１減光部材９ａ、第２減光部材９ｂ及びプレートステージを相対的に走査移動させることにより、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２に形成されているパターンをプレートＰ上に転写露光する（ステップＳ１７）。

図８に示すグラフは、ステップＳ１７において走査露光された際のプレートＰ（共通領域Ｉ_２1）上における照明光の光量分布を示している。図８のグラフに示すように、共通領域Ｉ_２1における照明光の光量は−Ｘ方向から＋Ｘ方向に連続的に減少する。また、共通領域Ｉ_２4における照明光の光量は−Ｙ方向から＋Ｙ方向に連続的に減少する。図９は、ステップＳ１４において走査露光された際のプレートＰ上における照明光の光量分布ａと、ステップＳ１７において走査露光された際のプレートＰ上における照明光の光量分布ｂを示すグラフである。図９に示すように、共通領域Ｉ_１２（Ｉ_２１）における積算光量は、共通領域Ｉ_１２，Ｉ_２１以外の領域における光量と略同じになる。

次に、マスクＭの第３パターン領域Ｉ_３（図１０参照）をプレートＰ上に転写露光するための準備を行なう。図１０は、マスクＭの第３パターン領域Ｉ_３を示す図である。第３パターン領域Ｉ_３は、第１パターン領域Ｉ_１との共通領域Ｉ_３１、第４パターン領域Ｉ_４（図１１参照）との共通領域Ｉ_３４を有している。

Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_３１は第１パターン領域Ｉ_１と第３パターン領域Ｉ_３とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_３１と第１パターン領域Ｉ_１の共通領域Ｉ_１３とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。同様に、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_３４は第３パターン領域Ｉ_３と第４パターン領域Ｉ_４とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_３４と後述する第４パターン領域Ｉ_４の共通領域Ｉ_４３（図１１参照）とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。

まず、マスクＭの第３パターン領域Ｉ_３をプレートＰ上に転写露光するために、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを移動させて、所定の位置に配置する（ステップＳ１８）。具体的には、図１０に示すように、第１減光部材９ａを、Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_３４の−Ｘ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、図１０に示すように、第２減光部材９ｂを、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_３１の−Ｙ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、走査露光された際に、共通領域Ｉ_３１，Ｉ_３４における積算光量が、共通領域Ｉ_３１，Ｉ_３４以外の領域における光量と略同じになるように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離離れた位置に配置する。

次に、ステップＳ１０において求めたＺ方向におけるマスクＭの形状（たわみ）を用いて、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を調整する（ステップＳ１９）。具体的な調整のための動作は、ステップＳ１３の動作と同一であるため、詳細な説明は省略する。次に、マスク載置部ＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴを所定の位置、即ち、マスクＭの第３パターン領域Ｉ_３に形成されているパターンをプレートＰ上に走査露光するための走査開始位置に移動させて、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬに対してマスク載置部ＭＳＴ、第１減光部材９ａ、第２減光部材９ｂ及びプレートステージを相対的に走査移動させることにより、マスクＭの第３パターン領域Ｉ_３に形成されているパターンをプレートＰ上に転写露光する（ステップＳ２０）。

次に、マスクＭの第４パターン領域Ｉ_４（図１１参照）をプレートＰ上に転写露光するための準備を行なう。図１１は、マスクＭの第４パターン領域Ｉ_４を示す図である。第４パターン領域Ｉ_４は、第２パターン領域Ｉ_２との共通領域Ｉ_４２、第３パターン領域Ｉ_３との共通領域Ｉ_４３を有している。

Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_４２は第２パターン領域Ｉ_２と第４パターン領域Ｉ_４とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_４２と第２パターン領域Ｉ_２の共通領域Ｉ_２４とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。同様に、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_４３は第３パターン領域Ｉ_３と第４パターン領域Ｉ_４とがプレートＰ上に転写露光される際に継ぎ部となる領域であり、共通領域Ｉ_４３と第３パターン領域Ｉ_３の共通領域Ｉ_３４とに形成されているパターンはプレートＰ上に重ね合わせて転写露光される。

まず、マスクＭの第４パターン領域Ｉ_４をプレートＰ上に転写露光するために、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを移動させて、所定の位置に配置する（ステップＳ２１）。具体的には、図１１に示すように、第１減光部材９ａを、Ｙ方向に延びた共通領域Ｉ_４３の＋Ｘ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、図１１に示すように、第２減光部材９ｂを、Ｘ方向に延びた共通領域Ｉ_４２の−Ｙ方向側の半分が遮光される位置に配置する。また、走査露光された際に、共通領域Ｉ_４２，Ｉ_４３における積算光量が、共通領域Ｉ_４２，Ｉ_４３以外の領域における光量と略同じになるように、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂをマスクＭのパターン面に対してデフォーカスさせた位置、即ち所定距離離れた位置に配置する。

次に、ステップＳ１０において求めたＺ方向におけるマスクＭの形状（たわみ）を用いて、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を調整する（ステップＳ２２）。具体的な調整のための動作は、ステップＳ１３の動作と同一であるため、詳細な説明は省略する。次に、マスク載置部ＭＳＴ及びプレートステージＰＳＴを所定の位置、即ち、マスクＭの第２パターン領域Ｉ_２に形成されているパターンをプレートＰ上に走査露光するための走査開始位置に移動させて、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬに対してマスク載置部ＭＳＴ、第１減光部材９ａ、第２減光部材９ｂ及びプレートステージを相対的に走査移動させることにより、マスクＭの第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンをプレートＰ上に転写露光する（ステップＳ２３）。

図１２は、ステップＳ１４，Ｓ１７，Ｓ２０，Ｓ２３において第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンが走査露光された際のプレートＰの状態を示す図である。露光領域Ｒ_１に第１パターン領域Ｉ_１に形成されているパターンが転写露光され、露光領域Ｒ_２に第２パターン領域Ｉ_２に形成されているパターンが転写露光され、露光領域Ｒ_３に第３パターン領域Ｉ_３に形成されているパターンが転写露光され、露光領域Ｒ_４に第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンが転写露光されている。このように、画面合成してプレートＰ上に転写露光することができるため、プレートのサイズに対してマスクのサイズを小さくすることができる。また、第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４の大きさを自由に設定することができるため、様々なサイズのプレートに合わせて画面合成して転写露光を行うことができる。

なお、ステップＳ１４，Ｓ１７，Ｓ２０，Ｓ２３において第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンを走査露光する前に、プレートＰ上に位置計測用マークを形成し、この位置計測用マークの位置を所定の計測装置等を用いて計測し、計測結果からプレートＰのＸＹ平面内における位置調整を行うことが望ましい。位置調整を行うことにより、プレートＰ上の正確な露光領域内に第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンのそれぞれが転写される。

この実施の形態にかかる露光装置によれば、マスク載置部ＭＳＴにマスクＭを載置した際、マスクＭ面のＺ方向における形状に基づいて第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を制御することができるため、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂにより形成される減光部の幅が変化するのを防止することができ、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを用いて照明光学系ＩＬにより照明されたマスクＭのパターンをプレートＰ上に良好に転写することができる。即ち、マスク載置部ＭＳＴにマスクＭを載置した際、マスクＭにたわみが生じた場合においても、マスクＭのたわみに応じて第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂとマスクＭとの間隔を制御することができるため、マスクＭのたわみにより減光部の幅が変化することなく、良好な露光を行なうことができる。

なお、この実施の形態にかかる露光装置においては、第１減光部材９ａ及び第２減光部材９ｂを備えているが、第１減光部材９ａまたは第２減光部材９ｂを備えるようにしてもよい。例えば、図１３に示すように、減光部材９ａのみを備え、マスクＭ２上の第１パターン領域に形成されているパターンＡと第２パターン領域に形成されているパターンＢとを画面合成して転写露光するようにしてもよい。

また、この実施の形態においては、照明光学系ＩＬとマスクＭとの間に第１減光部材９ａを配置しているが、照明光学系ＩＬ内のマスクＭのパターン面と光学的に共役な位置から所定距離離れた位置に第１減光部材９ａを配置するようにしてもよい。この場合においては、第１減光部材９ａは、照明光学系ＩＬの光軸方向に移動可能に構成されている。走査露光する際には、マスクＭの走査移動に合わせて照明光学系ＩＬ内のマスクＭのパターン面と光学的に共役な位置との間隔を制御することが好ましい。

また、この実施の形態においては、照明光学系ＩＬとマスクＭとの間に第２減光部材９ｂを配置しているが、例えば図１４に示すように、視野絞り２０ａ及び２０ｇの近傍に２つの第２減光部材９ｂ´を備えるようにしてもよい。なお、図１４に示す視野絞り２０ａは投影光学ユニットＰＬａ内の中間像が形成される位置に配置されており、視野絞り２０ｂ〜２０ｇは投影光学ユニットＰＬｂ〜ＰＬｇ内の中間像が形成される位置にそれぞれ配置されている。２つの減光部材９ｂ´は、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に構成されており、投影光学ユニットＰＬａ、ＰＬｇ内の中間像が形成される位置、即ち視野絞り２０ａ、２０ｇが配置されている位置からＺ方向に所定距離離れた位置に配置されている。この場合においては、走査露光時に２つの第２減光部材９ｂ´は投影光学ユニットＰＬａ、ＰＬｇとともに走査移動するため、マスク載置部ＭＳＴのＸ方向における長さを必要とする第２減光部材９ｂのサイズより小さくすることができる。具体的には、第２減光部材９ｂ´は投影光学系ＰＬのＸ方向における長さを有していればよく、第２減光部材９ｂを作製するのと比較して同等の平面度を有する第２減光部材９ｂ´を低コストで作製することができ、かつ移動制御を容易にすることができる。なお、走査露光する際には、マスク載置部ＭＳＴ、即ちマスクＭの走査移動に合わせて、マスクＭとの間隔を制御する必要がある。即ち、走査露光時に第２減光部材９ｂ´はマスク載置部ＭＳＴとともに走査移動しないため、マスクＭの形状（たわみ）に合わせてマスクＭのパターン面に対する所定距離を保つために、逐次第２減光部材９ｂ´のＺ方向における位置を調整しながら露光を行なう。

また、この実施の形態においては、マスクに形成されたパターンを分割するようにパターンの一部に減光部を減光部材により形成し、分割されたパターンを複数合成してプレート上に転写露光する露光方法を例に挙げて説明したが、離間した複数のパターンが形成されているマスクを用いて、複数のパターンの合成部分に減光部を減光部材により形成し、減光部を継ぎ部として複数のパターンを画面合成してプレート上に転写露光する露光方法にも本発明を適用することができる。

また、この実施の形態においては、第１パターン領域Ｉ_１〜第４パターン領域Ｉ_４に形成されているパターンを順次走査露光しているが、多面取りのプレートに露光する際には、最初にプレート上の各面に第１パターン領域Ｉ_１を繰り返し走査露光し、次に、各面に第２パターン領域Ｉ_２〜第４パターン領域Ｉ_４のそれぞれを繰り返し走査露光するようにしてもよい。即ち、高いスループットを得ることができる方法で各パターン領域の露光を行うのが望ましい。

また、この実施の形態においては、減光部材９ａ，９ｂは、調整部１６によりＺ方向に移動可能に支持されており、マスクＭの形状に基づいてマスクＭとの間隔が調整されるが、マスクの形状に基づいて、マスクの撓み形状に合わせるように直接遮光部材の形状を円弧状に曲げるような機能を有する調整部を備えるようにしてもよい。また、マスクの形状に基づいて、マスクと遮光部材との間隔が所定量となるように、マスクのたわみ形状を制御することが可能な調整部によりマスクの形状を補正するようにしても良い。

また、複数の投影光学ユニットに対応するように遮光部材を分割するように構成して、分割された複数の遮光部材のそれぞれを、マスクのたわみ形状に合わせるように個別に位置調整を行なうようにしても良い。このように構成することによりマスクの撓み形状に合わせて遮光部材の形状を最適に調整することが可能になる。

また、上述の実施の形態においては、遮光部材とガイド部に間に調整部が設けられているが、ガイド部の下に調整部を設けるようにしても良い。

また、この実施の形態においては、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を例に挙げて説明したが、１つの投影光学系により露光を行う走査型露光装置にも本発明を適用することができる。また、この実施の形態においては、スキャン露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、一括露光を行うステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも本発明を適用することができる。

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適用できる。

また、投影光学系ＰＬの倍率は等倍系、縮小系及び拡大系のいずれでもよい。投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ_２レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。

上述の実施の形態にかかる走査型投影露光装置では、投影光学系を用いてレチクル（マスク）により形成された転写用のパターンを感光性基板（プレート）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる走査型投影露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１５のフローチャートを参照して説明する。

先ず、図１５のステップＳ３０１において、１ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、１ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスクのパターンの像が投影光学系を介して、その１ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、１ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスクのパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。

その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行ない、プレートから複数のデバイスに切断され、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、マスクのたわみに影響されることなく高精度な露光を行なうことができ、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。

また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１６のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図１６において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。

次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行なっているため、マスクのたわみに影響されることなく高精度な露光を行なうことができ、良好な液晶表示素子を得ることができる。

実施の形態にかかる露光装置の構成を示す図である。 実施の形態にかかるマスク載置部の構成を示す図である。 実施の形態にかかる露光方法を説明するためのフローチャートである。 実施の形態にかかるマスクの構成を示す図である。 第１パターン領域を説明するための図である。 第１減光部材とマスクとの位置関係を示す図及び照明光の光量分布を示すグラフである。 第２パターン領域を説明するための図である。 第１減光部材とマスクとの位置関係を示す図及び照明光の光量分布を示すグラフである。 第１パターン領域に形成されているパターンが露光された際のプレート上における照明光の光量分布と、第２パターン領域に形成されているパターンが露光された際のプレート上における照明光の光量分布を示すグラフである。 第３パターン領域を説明するための図である。 第４パターン領域を説明するための図である。 第１パターン領域〜第４パターン領域に形成されているパターンが走査露光された際のプレートの状態を示す図である。 他のパターン領域について説明するための図である。 他の第２減光部材の構成を示す図である。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１…光源、２…楕円鏡、３…ダイクロイックミラー、４…リレー光学系、５…ライトガイド、６ａ〜６ｇ…照明光学ユニット、９ａ…第１減光部材、９ｂ…第２減光部材、１０ａ，１０ｂ…ガイド部、１５…オートフォーカス検出系、ＩＬ…照明光学系、ＰＬ…投影光学系、ＰＬａ〜ＰＬｇ…投影光学ユニット、Ｍ…マスク、ＭＳＴ…マスク載置部、Ｐ…プレート。

Claims (15)

1. 光源と、前記光源から射出される照明光をマスク上に導く照明光学系と、前記マスクを載置するマスク載置部とを備え、前記マスクに形成されているパターンを基板上に転写する露光装置において、
   前記光源と前記マスクとの間に配置され、前記パターンが形成されている領域の一部に前記照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する減光部材と、
   前記マスク載置部に前記マスクを載置した際、該マスクの面と交差する方向のマスク形状に基づいて、前記減光部材と前記マスクまたは前記照明光学系内の前記マスクと光学的に共役な共役面との間隔を制御する調整部と、
   前記調整部により制御された前記減光部材を用いて前記照明光学系により照明された前記マスクのパターンを前記基板上に転写することを特徴とする露光装置。
2. 前記調整部は、前記減光部材と前記マスクまたは前記照明光学系内の前記マスクと光学的に共役な共役面との間隔を制御することにより、前記マスク上の前記減光部の幅を制御することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 前記マスクに形成されているパターンを前記基板上に投影する投影光学系と、
   前記マスクと前記基板とを、前記投影光学系に対して相対的に所定の走査方向に走査移動させる移動機構とを備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の露光装置。
4. 前記調整部は、前記移動機構による前記マスクの走査移動に合わせて、前記減光部材と前記マスクまたは前記照明光学系内の前記マスクと光学的に共役な共役面との間隔を制御することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
5. 前記減光部材は、前記マスクのパターン上に、前記所定の走査方向と平行な方向に延びる前記減光部を形成することを特徴とする請求項３または請求項４記載の露光装置。
6. 前記減光部材は、前記マスクのパターン上に、前記所定の走査方向と交差する方向に延びる前記減光部を形成することを特徴とする請求項３または請求項４記載の露光装置。
7. 前記投影光学系は、前記マスクのパターンの一部をそれぞれ個別の複数の像として投影する複数の投影光学ユニットからなることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の露光装置。
8. 前記マスクには、複数のパターンが形成されており、
   前記減光部材は、前記複数のパターンの合成部分に前記減光部を形成し、前記複数のパターンを前記基板上に画面合成することを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の露光装置。
9. 前記減光部材は、前記マスクに形成されたパターンを分割するように該パターンの一部に減光部を形成し、前記パターンを複数合成することを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の露光装置。
10. 前記減光部材は、前記マスクのパターン面または該パターン面と光学的に共役な位置に対して所定距離離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の露光装置。
11. 前記基板は、フラットパネル表示素子用の基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の露光装置。
12. 前記基板は、該基板の外径が５００ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の露光装置。
13. 請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光する露光工程と、
    前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
    を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
14. 光源からの照明光により照明されたマスクを用い、前記マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光方法において、
    前記光源と前記マスクとの間に配置され、前記パターンが形成されている領域の一部に前記照明光の光量が連続的に減少する減光部を形成する減光部材を用い、
    前記マスクの面と交差する方向のマスク形状に基づいて、前記減光部材と前記マスクまたは前記照明光学系内の前記マスクと光学的に共役な共役面との間隔を調整して、
    前記減光部材により遮光された前記照明光により照明された前記マスクのパターンを前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
15. 前記減光部材は、前記マスクに形成されたパターンを分割するように該パターンの一部に減光部を形成し、前記パターンを複数合成することを特徴とする請求項１４記載の露光方法。
    

Images