CN112415858A - 描绘方法以及描绘装置 - Google Patents

Abstract

本发明抑制焦深的降低等，并且实现所形成的图案形状的微细化。描绘方法具备：相对于感光材料以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案照射描绘光的工序；使感光材料显影的工序、以及在基板的上表面形成第1图案形状的工序，第1位移图案是与第1描绘图案中的对应的单位图案至少一部分重叠且从对应的单位图案偏移的单位图案。

Description

描绘方法以及描绘装置

技术领域

本申请说明书中公开的技术涉及描绘方法以及描绘装置。

背景技术

以往，公开了一种曝光装置(即，描绘装置)，在对用于在形成于基板的上表面的感光材料形成电路等的描绘图案进行曝光时，不使用掩模等，而利用根据记述描绘图案的数据而被调制的光(即，描绘光)，对基板的上表面的感光材料进行扫描，由此在该感光材料直接对描绘图案进行曝光(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－066954号公报

基于由上述的描绘装置描绘的描绘图案而形成的图案形状伴随着近年来的半导体器件的微细化以及高功能化，而被期望进一步的微细化。

然而，图案形状的微细化存在焦深(depth of focus，即，DOF)的降低等相伴，另外，用于实现微细化的装置的制造成本也增大的问题。

发明内容

本申请说明书所公开的技术是鉴于以上记载的问题而完成的，其目的在于，提供一种抑制焦深的降低等，并且用于实现所形成的图案形状的微细化的技术。

本申请说明书所公开的技术的第1方式包括如下工序：以第1描绘图案对配置于基板的上表面的感光材料照射描绘光；以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在以上述第1描绘图案以及上述第2描绘图案的上述描绘光的照射后使上述感光材料显影；以及基于显影的上述感光材料在上述基板的上表面形成第1图案形状，上述第1位移图案是至少一部分与上述第1描绘图案中的对应的单位图案重叠且从对应的上述单位图案偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第2方式与第1方式相关，上述单位图案呈线形状，上述第1位移图案是从对应的上述单位图案向与上述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第3方式与第1方式或者第2方式相关，被照射上述描绘光的上述感光材料的至少一部分在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第4方式与第3方式相关，在仅以上述第1描绘图案的上述描绘光以及以上述第2描绘图案的上述描绘光中的任一方的照射后被显影的情况下，上述感光材料在显影后不被去除，并且在以上述第1描绘图案的上述描绘光以及以上述第2描绘图案的上述描绘光双方的照射后被显影的情况下，上述感光材料在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第5方式与第1方式或者第2方式相关，被照射上述描绘光的上述感光材料在显影后残留。

本申请说明书所公开的技术的第6方式与第1方式～第5方式中的任一个方式相关，还包括如下工序：在与形成有上述第1图案形状的区域邻接的区域即邻接区域中，以第3描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在上述邻接区域中，以在至少一部分具有第2位移图案的第4描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在以上述第3描绘图案以及上述第4描绘图案的上述描绘光的照射后使上述感光材料显影；以及基于显影的上述感光材料在上述基板的上表面形成第2图案形状，上述第2位移图案是至少一部分与上述第3描绘图案中的对应的上述单位图案重叠且从对应的上述单位图案偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第7方式与第6方式相关，上述单位图案呈线形状，上述第2位移图案是从对应的上述单位图案向与上述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第8方式与第6方式或者第7方式相关，在上述邻接区域中，被照射上述描绘光的上述感光材料的至少一部分在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第9方式与第8方式相关，在仅以上述第3描绘图案的上述描绘光以及以上述第4描绘图案的上述描绘光中的任一方的照射后被显影的情况下，上述邻接区域的上述感光材料在显影后不被去除，并且在以上述第3描绘图案的上述描绘光以及以上述第4描绘图案的上述描绘光双方的照射后被显影的情况下，上述邻接区域的上述感光材料在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第10方式与第6方式或者第7方式相关，在上述邻接区域，被照射上述描绘光的上述感光材料在显影后残留。

本申请说明书所公开的技术的第11方式与第1方式～第10方式中的任一个方式相关，上述基板是玻璃基板，并且上述第1图案形状的材料是铜。

本申请说明书所公开的技术的第12方式具备对配置于基板的上表面的感光材料照射描绘光的照射部以及控制上述照射部的动作的控制部，上述控制部使上述照射部以第1描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光，使上述照射部以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光，上述第1位移图案是至少一部分与上述第1描绘图案中的对应的单位图案重叠且从对应的上述单位图案偏移的上述单位图案。

本发明的效果如下。

根据本申请说明书所公开的技术的第1方式～第12方式，能够抑制焦深的降低等，并且实现所形成的图案形状的微细化。

另外，与本申请说明书所公开的技术相关的目的、特征、方面、优点通过以下所示的详细的说明与附图，进一步变得明确。

附图说明

图1是示意性地表示与实施方式有关的描绘装置的结构的例子的侧视图。

图2是示意性地表示与实施方式有关的描绘装置的结构的例子的俯视图。

图3是表示控制部的硬件结构的例子的图。

图4是表示与实施方式有关的描绘装置的动作的例子的流程图。

图5是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图6是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图7是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图8是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图9是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图10是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图11是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图12是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图13是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图14是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图15是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图16是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图17是用于对与实施方式有关的使用负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图18是表示通过双重照射处理形成的图案形状的例子的俯视图。

图19是表示在双重照射处理中使用的描绘图案的例子的俯视图。

图20是表示在双重照射处理中使用的描绘图案的例子的俯视图。

图21是表示通过双重照射处理形成的图案形状的形成中途的状态的俯视图。

图22是表示在双重照射处理中使用的描绘图案的例子的俯视图。

图23是表示在双重照射处理中使用的描绘图案的例子的俯视图。

图24是表示通过双重照射处理形成的图案形状的例子的俯视图。

图25是表示正型感光材料的感光特性的例子的图。

图26是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图27是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图28是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图29是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图30是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图31是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图32是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图33是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图34是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图35是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图36是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图37是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

图38是用于对与实施方式有关的使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

【附图标记的说明】

1-描绘装置，

10-工作台，

20-工作台驱动机构，

21-旋转机构，

22-支承板，

23-副扫描机构，

24-基座，

25-主扫描机构，

30-工作台位置测量部，

40-光学单元，

41-激光驱动部，

42-激光振荡器，

43-照明光学系统，

44-空间光调制单元，

45-投影光学系统，

46-镜，

50-拍摄部，

60-搬运装置，

61-手，

62-手驱动机构，

70-预对准部，

80-控制部，

81-CPU，

82-ROM，

83-RAM，

84-存储装置，

85-总线，

86-输入部，

87-显示部，

88-通信部，

101-主体框架，

102-处理区域，

103-交接区域，

104-盒载置部，

105-基台，

107-支承框架，

211-旋转轴部，

212-旋转驱动部，

231、251-线性马达，

232、252-引导部件，

401-光源部，

402-头部，

441-空间光调制器，

501-照明单元，

600-种子层，

601、601A、601B、602、602A、602B、611、611A、611B、612、612A、612B、801、801A、802、802A-抗蚀剂，

700、701-金属图案，

900、901-图案形状，

1000、1000A、1001、1001A-光。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行说明。在以下的实施方式中，为了技术的说明，也示出了详细的特征等，这些为例示，为了能够使实施方式进行实施，这些全部不必是必要的特征。

此外，附图示意性地被表示，为了便于说明，适当地在附图中进行结构的省略或者结构的简化。另外，在不同的附图中分别表示的结构等的大小以及位置的相互关系不必正确地进行记载，能够适当地变更。另外，即使在不是剖视图的俯视图等附图中，为了使对实施方式的内容的理解变得容易，也存在标注阴影线的情况。

另外，在以下所示的说明中，对相同的构成要素标注相同的附图标记来图示，它们的名称、功能均相同。因此，存在为了避免重复而省略对它们的详细的说明的情况。

另外，在以下所记载的说明中，在将某构成要素记载为“具备”、“包含”或者“具有”等的情况下，只要不特别说明，则不是去除其他的构成要素的存在的排他的表现。

另外，在以下所记载的说明中，即使存在使用“第1”或者“第2”等的序数的情况，这些用语也是为了使对实施方式的内容的理解变得容易而权宜使用的，不限定于通过这些序数而可能产生的顺序等。

另外，在以下所记载的说明中，即使存在使用意味着“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等的特定的位置与方向的用语的情况，这些用语也是为了使对实施方式的内容的理解变得容易而权宜使用的，与实际实施时的方向无关。

另外，在以下所记载的说明中，在记载为“…的上表面”或者“…的下表面”等的情况下，除了成为对象的构成要素的上表面本身，也包含在成为对象的构成要素的上表面形成有其他的构成要素的状态。即，例如，在记载为“设置于甲的上表面的乙”的情况下，不妨碍在甲与乙之间夹设其他的构成要素“丙”。

＜实施方式＞

以下，对与本实施方式有关的描绘方法以及描绘装置进行说明。

＜描绘装置的结构＞

图1是示意性地表示与本实施方式有关的描绘装置的结构的例子的侧视图。另外，图2是示意性地表示与本实施方式有关的描绘装置的结构的例子的俯视图。

如图1以及图2例示的那样，描绘装置1是在形成有抗蚀剂等感光材料的层的基板W的上表面不使用掩模等而通过根据记述描绘图案的数据(CAD数据等)而被调制的光(即，描绘光)，扫描基板W的上表面中的抗蚀剂等感光材料，由此曝光(描绘)图案形状(例如，电路图案)的装置。

此外，在成为处理对象的基板W例如包含有半导体基板、液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence)显示装置等的平面显示器(FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、或者太阳能电池用基板等。

基板W的形状例如是直径为300mm或者450mm的圆形，或者600mm×600mm、510mm×510mm、或者510mm×415mm的方形。另外，基板W的厚度优选为2mm以下。

另外，基板W也可以由硅、玻璃、石英、或者树脂等材质构成，在基板W的表面通过镀敷、溅射或者蒸镀等形成有金属的薄膜。

在图1以及图2所示的例子中，作为基板W，示出了方形的半导体基板。

描绘装置1在通过在由主体框架101构成的骨架的顶面以及周围面安装罩面板(省略图示)而形成的主体内部与作为主体框架101的外侧的主体外部配置有各种构成要素。

描绘装置1的主体内部被区分为处理区域102与交接区域103。

在处理区域102主要配置有保持基板W的工作台10、使工作台10移动的工作台驱动机构20、测量工作台10的位置的工作台位置测量部30、向基板W的上表面照射光的两个光学单元40、拍摄基板W的上表面中的对准标记的拍摄部50。

另一方面，在交接区域103配置有预对准部70和相对于处理区域102进行基板W的搬入搬出的搬运装置60。

另外，描绘装置1具备与描绘装置1所具备的各个构成要素电连接，并且控制这些构成要素的动作的控制部80。以下，对描绘装置1具备的各个构成要素的结构进行说明。

＜工作台10＞

工作台10是具有平板状的外形，并在其上表面将基板W载置并保持为水平姿势的保持部。在工作台10的上表面形成有多个吸引孔(省略图示)，在该吸引孔产生负压(吸引压力)，由此能够固定并保持载置于工作台10的上表面的基板W。

＜工作台驱动机构20＞

工作台驱动机构20是使工作台10相对于基台105移动的机构，使工作台10沿主扫描方向(Y轴方向)、副扫描方向(X轴方向)以及旋转方向(绕Z轴的旋转方向(θ轴方向))移动。

具体而言，工作台驱动机构20具备使工作台10旋转的旋转机构21、经由旋转机构21支承工作台10的支承板22、使支承板22沿副扫描方向移动的副扫描机构23。工作台驱动机构20还具备经由副扫描机构23而对支承板22进行支承的基座24和使基座24沿主扫描方向移动的主扫描机构25。

旋转机构21通过工作台10的上表面(基板W的载置面)的中心，以与该载置面垂直的旋转轴A为中心使工作台10旋转。旋转机构21例如能够形成包含上端固定于载置面的背表面侧并沿着垂直轴延伸的旋转轴部211与设置于旋转轴部211的下端并使旋转轴部211旋转的旋转驱动部212(例如，旋转马达)的结构。

在这样的结构中，旋转驱动部212使旋转轴部211旋转，由此工作台10在水平面内以旋转轴A为中心进行旋转。

副扫描机构23具有由安装于支承板22的下表面的转子与铺设于基座24的上表面的定子构成的线性马达231(参照图2)。

另外，在基座24铺设有沿副扫描方向延伸的一对引导部件232，在各个引导部件232与支承板22之间设置有能够一边与引导部件232滑动一边沿着该引导部件232移动的滚珠轴承。即，支承板22经由该滚珠轴承支承在一对引导部件232上。

在这样的结构中，若使线性马达231动作，则支承板22在被引导部件232引导的状态下沿着副扫描方向平滑地移动。

主扫描机构25具有由安装于基座24的下表面的转子和铺设于描绘装置1的基台105的上表面的定子构成的线性马达251(参照图2)。

另外，在基台105铺设有沿主扫描方向延伸的一对引导部件252，在各个引导部件252与基座24之间例如设置有空气轴承。从公用设备向空气轴承始终供给空气，从而基座24被空气轴承以非接触的方式上浮支承在引导部件252上。

在这样的结构中，若使线性马达251动作，则基座24在被引导部件252引导的状态下沿着主扫描方向无摩擦平滑地移动。

＜工作台位置测量部30＞

工作台位置测量部30是测量工作台10的位置的机构。具体而言，例如，工作台位置测量部30由干涉式的激光测长器构成，该干涉式的激光测长器从工作台10外朝向工作台10射出激光，并且接受其反射光，基于该反射光与射出光的干涉来测量工作台10的位置(具体而言，沿着主扫描方向的Y位置以及沿着旋转方向的θ位置)。

＜光学单元40＞

光学单元40是用于通过向保持于工作台10的上表面的基板W的上表面照射描绘光，由此在基板W描绘图案的机构。

如上所述，描绘装置1具备两个光学单元40。例如，一方的光学单元40负责基板W的+X侧一半的曝光，另一方的光学单元40负责基板W的－X侧一半的曝光。

这两个光学单元40以沿着副扫描方向(X轴方向)隔开间隔的方式固定设置于沿副扫描方向(X轴方向)横跨工作台10以及工作台驱动机构20并架设在基台105上的支承框架107。

此外，两个光学单元40之间的间隔不必固定为恒定，也能够设置能够变更两个光学单元40中的一方或者双方的位置的机构，从而调整两者的间隔。话虽如此，光学单元40的搭载个数不必为两个，可以为一个，也可以为三个以上。

两个光学单元40均具备相同的结构。即，各个光学单元40具备配置于形成顶板的箱的内部的光源部401与收容于在支承框架107的+Y侧安装的附属设置箱的内部的头部402。

光源部401主要具备激光驱动部41、激光振荡器42、照明光学系统43。另外，头部402主要具备空间光调制单元44与投影光学系统45。

激光振荡器42接受来自激光驱动部41的驱动，从输出镜(省略图示)射出激光。照明光学系统43将从激光振荡器42射出的光(点束)设为强度分布均匀的线状的光(即，光束剖面呈带状的光即线束)。

从激光振荡器42射出，进一步在照明光学系统43中形成线束的光入射至头部402。此外，也可以形成在从激光振荡器42射出的光入射至头部402前的阶段，对该光赋予光阑，而调整入射至头部402的光的光量的结构。

入射至头部402的光在此处，在与图案数据PD对应地被实施空间调制后，照射至基板W。但是，对光进行空间调制，意味着使光的空间分布(振幅、相位以及偏振光等)进行变化。另外，“图案数据PD”是利用像素单位记录应该照射光的基板W上的位置信息的数据，例如，通过对使用computer aided design(CAD)生成的图案的设计数据进行栅格化而被生成。

图案数据PD例如从经由网络等被连接的外部终端装置进行接收，或者从记录介质读取等，由此被获取，进一步储存于控制部80的存储装置84等(参照图3)。

更具体而言，入射至头部402的光经由镜46以预定的角度入射至空间光调制单元44。

空间光调制单元44具备空间光调制器441，该空间光调制器441通过电控制对入射光进行空间调制，使有助于图案的描绘的必要光与无助于图案的描绘的不必要的光向相互不同的方向反射。

空间光调制器441例如利用一维地配设作为调制元件的固定色带与可动色带的衍射光栅型的空间调制器(例如，光栅光阀(grating light valve，即，GLV：注册商标))等而构成。

衍射光栅型的空间调制器是能够变更光栅的深度的衍射光栅，例如，使用半导体装置的制造技术被制造。

以下，对空间光调制器441的结构的例子具体地进行说明。空间光调制器441是多个调制单位一维地并排而成的结构。各个调制单位的动作例如通过电压的施加的有无而被控制，空间光调制器441具备能够相对于多个调制单位的每一个独立地施加电压的驱动电路单元(省略图示)。由此，各个调制单位的电压能够独立地进行切换。

若调制单位形成为第1电压状态(例如，不施加电压的状态)，则调制单位的表面例如成为平面。若光向表面成为平面的调制单位入射，则该入射光不进行衍射而进行正反射。由此，产生正反射光(0次衍射光)。该正反射光作为应该有助于图案的描绘的必要光，经由后述的投影光学系统45，引导至基板W的表面。

另一方面，若调制单位形成为第2电压状态(例如，施加电压的状态)，则在调制单位的表面周期性地并排形成1条以上预定的深度(最大深度)的平行的槽。若在该状态下，向调制单位入射光，则正反射光(0次衍射光)相互抵消而消失，从而产生其他的次数的衍射光(±1次衍射光、±2次衍射光以及更高次的衍射光)。该0次以外的次数的衍射光作为不应该有助于图案的描绘的不必要的光，在后述的投影光学系统45中被隔断，不到达基板W。

以下，将成为第1电压状态的调制单位也称为“开状态”，将成为第2电压状态的调制单位也称为“关状态”。

空间光调制器441也可以还具备能够单独地调整一组调制单位各自的开状态的射出率的机构(射出率调整部)。

这里言及的、调制单位的“射出率”是指调制单位中的、射出光量相对于入射光量的比(射出光量/入射光量)。其中，这里言及的“射出光量”是必要光(即，向到达基板W的方向射出的光)的光量，这里是正反射光(0次衍射光)的光量。

调制单位的射出率若调制单位的表面成为平面，则成为100％。而且，若在调制单位的表面形成有槽，则射出率降低，该槽的深度越深，射出率越小。射出率调整部针对各个调制单位，在零以上且上述的最大槽深(即，为在关状态的调制单位的表面形成的槽的深度，给予百分之0的射出率)以下的范围内，调整在该调制单位形成开状态时形成于表面的槽的深度，由此能够将开状态的调制单位的射出率调整为0％～100％的任意的值。

投影光学系统45将从空间光调制器441入射的光中的、不必要的光隔断，并且将必要光向基板W的上表面引导，使必要光在基板W的上表面成像。即，在从空间光调制器441射出的必要光沿着Z轴向－Z方向行进，从空间光调制器441射出的不必要的光沿着从Z轴向±X方向稍微倾斜的轴向－Z方向行进时，投影光学系统45例如具备以仅使必要光通过的方式在正中间形成贯通孔的隔断板，通过该隔断板隔断不必要的光。

投影光学系统45也可以是除了该隔断板之外，还具备构成扩大(或者缩窄)必要光的宽度的缩放部的多个透镜与使必要光以预定的倍率在基板W的上表面成像的物镜的结构。

在使光学单元40执行描绘动作的情况下，控制部80驱动激光驱动部41，使光从激光振荡器42射出。射出的光在照明光学系统43中形成线束，并经由镜46入射至空间光调制单元44的空间光调制器441。其中，空间光调制器441以多个调制单位的反射面的法线相对于经由镜46入射的入射光的光轴倾斜的姿势进行配置。

如上所述，在空间光调制器441中，多个调制单位沿着副扫描方向(X轴方向)并排配置，入射光以使其线状的光束剖面的长宽方向沿着调制单位的排列方向的方式入射至排列为一列的多个调制单位。

控制部80基于图案数据PD向驱动电路单元给予指示，驱动电路单元根据该指示相对于预定的调制单位施加电压。

由此，在各个调制单位形成包含分别被空间调制的光的剖面呈带状的描绘光，然后，将该描绘光朝向基板W射出。

在一个调制单位被空间调制的光成为1个像素大小的描绘光，从空间光调制器441射出的描绘光成为沿着副扫描方向的多个像素大小的描绘光。

从空间光调制器441射出的描绘光入射至投影光学系统45。然后，在投影光学系统45中，入射光中的不必要的光被隔断，并且仅必要光被引导至基板W的上表面，而形成预定的倍率并在基板W的上表面被成像。

各个光学单元40一边沿着主扫描方向(Y轴方向)相对于基板W相对地移动，一边断续地继续照射沿着副扫描方向的多个像素大小的描绘光(即，在基板W的上表面反复继续投影脉冲光)。因此，若光学单元40沿着主扫描方向横穿基板W，则在基板W的上表面，在沿着主扫描方向延伸并且沿着副扫描方向具有多个像素大小的宽度(以下，也称为“描绘宽度M”)的1条带状区域描绘有图案组。

光学单元40在进行伴随着描绘光的照射的主扫描后，沿着与主扫描方向正交的副扫描方向(X轴方向)，在相对于基板W相对地移动预定距离后(副扫描)，再次进行伴随着描绘光的照射的主扫描。由此，在通过之前的主扫描被描绘的带状区域的附近描绘图案组。

这样，隔着副扫描，并且反复进行伴随着描绘光的照射的主扫描，由此在描绘对象区域的整体描绘图案组。

＜拍摄部50＞

拍摄部50固定设置于支承框架107，对在保持于工作台10的基板W的上表面形成的对准标记进行拍摄。拍摄部50例如具备镜筒、物镜以及例如由区域图像传感器(二维图像传感器)构成的CCD图像传感器。

另外，拍摄部50经由纤维等与供给使用于拍摄的照明光的照明单元501连接。但是，作为该照明光，采用不使基板W的上表面的抗蚀剂等感光的波长的光源。

从照明单元501射出的光经由纤维等而被引导至镜筒，经由镜筒而被引导至基板W的上表面。然后，该反射光经由物镜被CCD图像传感器受光。

由此，在拍摄部50中，获取基板W的上表面的拍摄数据。CCD图像传感器根据来自控制部80的指示获取拍摄数据，并且将获取的拍摄数据发送至控制部80。此外，拍摄部50也可以还具备能够自动对焦的自动对焦单元。

＜搬运装置60＞

搬运装置60是搬运基板W的装置，具体而言，例如具备用于支承基板W的两个手61以及手61、及使手61以及手61分别独立地移动(进退移动以及升降移动)的手驱动机构62。

在描绘装置1的主体外部，即与交接区域103邻接的位置配置有用于供盒C载置的盒载置部104，搬运装置60取出收容于在盒载置部104载置的盒C的未处理的基板W，并将该基板W搬入处理区域102。与此相伴，搬运装置60从处理区域102搬出处理完毕的基板W，并收容于盒C。此外，盒C相对于盒载置部104的交接通过外部搬运装置(省略图示)而进行。

＜预对准部70＞

预对准部70(参照图2)是粗枝大叶地修正基板W的旋转位置的装置。预对准部70例如具备构成为能够旋转的载置台、检测形成于在载置台载置的基板W的外周缘的一部分的切口部(例如，凹口或者定向平面等)的位置的传感器、以及使载置台旋转的旋转机构。在该情况下，预对准部70的预对准处理首先通过传感器检测载置于载置台的基板W的切口部的位置，接着以旋转机构成为决定该切口部的位置的位置的方式使载置台旋转而进行。

＜控制部80＞

控制部80与描绘装置1所具备的各个构成要素电连接，执行各种运算处理，并且控制描绘装置1的各个构成要素的动作。

图3是表示控制部80的硬件结构的例子的图。如图3例示的那样，控制部80例如是经由总线85相互连接中央运算处理装置(central processing unit，即CPU)81、只读存储器(read only memory，即ROM)82、随机访问存储器(random access memory，即RAM)83以及存储装置84等而得到的通常的计算机。

ROM82储存基本程序等，RAM83提供为CPU81进行预定的处理时的作业区域。

存储装置84由闪存或者硬盘装置等非易失性的存储装置构成。在存储装置84储存有程序P，作为主控制部的CPU81构成为根据该程序P所记述的顺序，进行运算处理，从而实现各种功能。

程序P通常预先储存于存储装置84等存储器而被使用，但也可以以记录于CD－ROM、DVD－ROM或者外部的闪存等记录介质的形态(程序产品)被提供(或者，通过经由网络的从外部服务器的下载等被提供)，以追加或者更换的方式储存于存储装置84等存储器。此外，在控制部80中被实现的一部分或者全部的功能也可以通过专用的逻辑电路等被硬件实现。

另外，在控制部80中，输入部86、显示部87以及通信部88也连接于总线85。

输入部86例如是由键盘以及鼠标构成的输入器件，接受来自操作人员的各种操作(指令或者各种数据的输入等的操作)。此外，输入部86也可以由各种开关、触摸面板等构成。

显示部87是由液晶显示装置或者灯等构成的显示装置，在CPU81进行的控制下，显示各种信息。

通信部88具有经由网络在与外部装置之间进行指令或者数据等的收发的数据通信功能。

＜描绘装置的动作＞

参照图4，对在描绘装置1中被执行的相对于基板W的一系列的处理的整体的流程进行说明。这里，图4是表示与本实施方式有关的描绘装置的动作的例子的流程图。另外，以下说明的一系列的动作在控制部80的控制下被进行。

这里，控制部80在以下说明的一系列的动作之前，从存储装置84等读入记述处理条件的方法，根据该方法所指定的处理条件，调整各种参数等。

在该情况下，控制部80也能够从存储于存储装置84的数据库D等，读出与在该方法中被指定的处理条件(或者，该方法的方法编号)等对应地被存储的信息。

然后，搬运装置60从载置于盒载置部104的盒C取出未处理的基板W并搬入描绘装置1(步骤ST1)。

接着，搬运装置60将搬入的基板W搬入预对准部70。然后，在预对准部70，进行相对于该基板W的预对准处理(步骤ST2)。

例如通过传感器检测载置于载置台的基板W的切口部的位置，以该切口部的位置成为决定的位置的方式使载置台旋转，由此进行预对准处理。由此，载置于载置台的基板W成为与决定的旋转位置大致对位的状态。

接着，搬运装置60将预对准处理完毕的基板W从预对准部70搬出，进一步将该基板W载置于工作台10(步骤ST3)。然后，工作台10若在工作台10的上表面载置有基板W，则吸附并且保持基板W。

若基板W成为被工作台10吸附保持的状态，则接着以将该基板W配置于适当的位置的方式进行精密地对位的处理(精细对准处理)(步骤ST4)。

具体而言，首先，工作台驱动机构20使工作台10移动至拍摄部50的下方位置。然后，若将工作台10配置于拍摄部50的下方，则拍摄部50拍摄基板W的上表面的对准标记，而获取该拍摄数据。

接着，控制部80对由拍摄部50获取的拍摄数据进行图像解析，基于该解析结果检测对准标记的位置。然后，控制部80基于该检测位置，计算基板W从适当位置偏移的偏移量。

若计算出上述的偏移量，则工作台驱动机构20使工作台10移动与计算出的偏移量对应的量。由此，以将基板W配置于适当位置的方式进行对位。

若将基板W配置于适当位置，则接着进行图案的描绘处理(步骤ST5)。

在控制部80的控制下，通过工作台驱动机构20使载置于工作台10的基板W相对于两个光学单元40相对地移动，并且从两个光学单元40的各个光学单元40向基板W的上表面照射被空间调制的光，由此进行图案的描绘处理。

具体而言，工作台驱动机构20首先使配置于拍摄部50的下方位置的工作台10沿着主扫描方向(Y轴方向)向+Y方向移动，由此使基板W相对于两个光学单元40沿着主扫描方向相对地移动(主扫描)。

若从基板W观察该主扫描，则各个光学单元40在基板W上沿着主扫描方向向－Y方向进行横穿。

在进行主扫描的期间，各个光学单元40将进行与图案数据PD对应的空间调制的描绘光朝向基板W断续地继续照射(即，向基板W的上表面反复继续投影脉冲光)。即，各个光学单元40边使包含沿着副扫描方向的多个像素大小的被空间调制的光的描绘光断续地继续照射，边在基板W上沿着主扫描方向进行横穿。

因此，若光学单元40沿着主扫描方向在基板W横穿1次，则在1条带状区域(沿着主扫描方向延伸，并且沿着副扫描方向的宽度相当于描绘宽度M的区域)描绘图案组。在本实施方式中，两个光学单元40同时沿着主扫描方向横穿基板W，因此通过一次的主扫描在2条带状区域分别描绘图案组。

若1次的主扫描结束，则工作台驱动机构20使工作台10沿着副扫描方向(X轴方向)向－X方向移动决定的距离。据此，使基板W相对于各个光学单元40沿着副扫描方向相对地移动(副扫描)。

若从基板W观察该副扫描，则各个光学单元40沿着副扫描方向向+X方向移动决定的距离。

若副扫描结束，则再次进行主扫描。即，工作台驱动机构20使工作台10沿着主扫描方向向－Y方向移动，由此使基板W相对于两个光学单元40沿着主扫描方向相对地移动。

若从基板W观察该主扫描，则各个光学单元40沿着主扫描方向向+Y方向移动并横穿基板W上的通过之前的主扫描被描绘的带状区域的附近。

这里，各个光学单元40也一边使进行与图案数据PD对应的空间调制的描绘光朝向基板W断续地继续照射，一边在基板W上沿着主扫描方向进行横穿。由此，在通过之前的主扫描被描绘的带状区域的附近的带状区域描绘图案组。

之后，相同地，反复进行主扫描与副扫描，若在描绘对象区域的整个区域描绘有图案，则描绘处理结束。

然后，若描绘处理结束，则搬运装置60搬出处理完毕的基板W(步骤ST6)。由此，相对于该基板W的一系列的处理结束。

＜双重照射处理＞

以下，作为使用与本实施方式有关的描绘装置的描绘处理，对双重曝光处理进行说明。

这里，双重照射处理是指相对于被照射光的区域，再次照射光的处理。

在本实施方式的情况下，第2次的光的照射假定在基板W整体的主扫描结束后相对于基板W整体而进行，但例如也可以针对基板W的一部分的区域，在主扫描结束的时刻且在进行剩余的区域的主扫描之前，在主扫描结束的区域进行第2次的光的照射。

另外，第2次的光的照射可以不与主扫描结束的区域完全一致地进行，进行第2次的光的照射的区域的至少一部分与主扫描结束的区域重叠即可。

＜使用负型感光材料的双重照射处理＞

首先，参照图5～图17，对使用负型感光材料的双重照射处理进行说明。此外，图5～图17是用于对使用与本实施方式有关的负型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

首先，如图5例示的那样，在作为玻璃基板等的基板W的上表面形成种子层600，进一步在种子层600的上表面形成负型抗蚀剂601。

这里，种子层600是用于镀敷形成后述的由Cu等构成的金属的图案形状的层。另外，负型抗蚀剂601例如是厚度为3μm的JSR公司制造的THB系列(商品名)。

接下来，如图6例示的那样，相对于负型抗蚀剂601的一部分的区域照射被空间调制的光1000。即，相对于形成于基板W的上表面的作为感光材料的抗蚀剂601，照射仿照描绘图案的描绘光。在图6中，被照射光1000的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂601A。

这里，形成有抗蚀剂601A的宽度由光学单元40的分辨率的限度决定。在本实施方式中，光学单元40的分辨率由2/2μm[L/S]表示，抗蚀剂601A的宽度D1以及抗蚀剂601的宽度D2是通过光学单元40能够形成的最小宽度即2μm。此外，[L/S]意味着线和空间，表示所形成的图案形状的宽度与图案形状之间的宽度。

此外，在图6中，抗蚀剂601A的宽度D1以及抗蚀剂601的宽度D2均形成为2μm，但这些可以是大于2μm的宽度，另外，抗蚀剂601A的宽度D1与抗蚀剂601的宽度D2也可以是不同的大小的宽度。

接下来，如图7例示的那样，相对于横跨抗蚀剂601与抗蚀剂601A的区域(即，从图6的被照射光1000的区域偏移的区域)，照射被空间调制的光1000A。即，相对于形成于基板W的上表面的作为感光材料的抗蚀剂601以及抗蚀剂601A，照射至少一部分从图6的描绘图案偏移的仿照描绘图案的描绘光。在图7中，被照射光1000A的区域中的、图6的未被照射光1000的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂601A，图6的被照射光1000的区域(即，被照射光1000以及光1000A的区域)的抗蚀剂表示为抗蚀剂601B。

此外，即使在图7中，也与图6的情况相同，光学单元40的分辨率由2/2μm[L/S]表示。另外，被照射光1000A的区域是从被照射光1000的区域偏移1μm的区域。

在该情况下，抗蚀剂601B的宽度D3与被照射光1000的区域以及被照射光1000A的区域重叠的区域的宽度对应，因此成为1μm。

另外，被照射光1000A的区域是从被照射光1000的区域偏移1μm的区域，因此抗蚀剂601的宽度D4从图6的抗蚀剂601的宽度D2缩窄1μm，而成为1μm。

此外，被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域的偏移宽度不限定于图7所示的1μm的情况，能够在存在被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域重叠的区域的范围内进行变更。即，在本实施方式的情况下，被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域的偏移宽度能够在不足2μm的范围内进行变更。

接下来，如图8例示的那样，通过使用从未图示的显影液供给装置供给的显影液的显影处理去除未被照射光1000以及光1000A的任一个的抗蚀剂601。另一方面，被照射至少一方的描绘光后的抗蚀剂601A以及抗蚀剂601B在显影后残留。

接下来，如图9例示的那样，在去除了抗蚀剂601的宽度D4的区域镀敷形成厚度例如为2μm的金属图案700。此外，金属图案700例如由铜等金属构成。

接下来，如图10例示的那样，例如通过湿式蚀刻去除抗蚀剂601A以及抗蚀剂601B。由此，形成宽度为1μm的金属图案700，另外，金属图案700之间的距离成为3μm(从宽度D1与宽度D2的总和去除宽度D4的距离)。

接下来，如图11例示的那样，形成覆盖种子层600的上表面、金属图案700的上表面以及侧面的负型抗蚀剂602。这里，抗蚀剂602例如通过狭缝涂覆方式形成。

接下来，如图12例示的那样，相对于负型抗蚀剂602的一部分的区域，并且与形成有金属图案700的区域局部重叠的区域，照射被空间调制的光1001。即，相对于形成于基板W的上表面的作为感光材料的抗蚀剂602，照射仿照描绘图案的描绘光。在图12中，被照射光1001的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂602A。

这里，抗蚀剂602A的宽度E1以及抗蚀剂602的宽度E2是通过光学单元40能够形成的最小宽度即2μm。

此外，在图12中，抗蚀剂602A的宽度E1以及抗蚀剂602的宽度E2均形成为2μm，但这些可以为大于2μm的宽度，另外，抗蚀剂602A的宽度E1与抗蚀剂602的宽度E2也可以为不同的大小的宽度。

接下来，如图13例示的那样，相对于横跨抗蚀剂602与抗蚀剂602A的区域(即，从图12的被照射光1001的区域偏移的区域)，并且与形成有金属图案700的区域局部重叠的区域，照射被空间调制的光1001A。即，相对于形成于基板W的上表面的作为感光材料的抗蚀剂602以及抗蚀剂602A，照射至少一部分从图12的描绘图案偏移的仿照描绘图案的描绘光(偏移的描绘图案相当于后述的位移图案)。在图13中，被照射光1001A的区域中的、图12的未被照射光1001的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂602A，图12的被照射光1001的区域(即，被照射光1001以及光1001A的区域)的抗蚀剂表示为抗蚀剂602B。

此外，即使在图13中，也与图12的情况相同，光学单元40的分辨率由2/2μm[L/S]表示。另外，被照射光1001A的区域为从被照射光1001的区域偏移1μm的区域。

在该情况下，抗蚀剂602B的宽度E3与被照射光1001的区域以及被照射光1001A的区域重叠的区域的宽度对应，因此成为1μm。

另外，被照射光1001A的区域为从被照射光1001的区域偏移1μm后的区域，因此抗蚀剂602的宽度E4从图12的抗蚀剂602的宽度E2缩窄1μm，而成为1μm。

此外，被照射光1001A的区域与被照射光1001的区域的偏移宽度不限定于图13所示的1μm的情况，能够在存在被照射光1001A的区域与被照射光1001的区域重叠的区域的范围内进行变更。即，在本实施方式的情况下，被照射光1001A的区域与被照射光1001的区域的偏移宽度能够在不足2μm的范围内进行变更。

接下来，如图14例示的那样，通过使用从未图示的显影液供给装置供给的显影液的显影处理去除未被照射光1001以及光1001A的任一个的抗蚀剂602。另一方面，被照射光1001或者光1001A的至少一方的抗蚀剂即抗蚀剂602A以及602B在显影后仍残留。

接下来，如图15例示的那样，在去除了抗蚀剂602的宽度E4的区域镀敷形成厚度例如为2μm的金属图案701。

接下来，如图16例示的那样，例如通过湿式蚀刻去除抗蚀剂602A以及抗蚀剂602B。由此，在金属图案700之间(即，与金属图案700邻接的区域)还形成有宽度为1μm的金属图案701。另外，金属图案700与金属图案701之间的距离成为1μm。

然后，对种子层600进行湿式蚀刻，由此能够形成图17所示的1/1μm[L/S]的图案形状(金属图案)。

＜负型双重照射处理的具体例＞

图18是表示通过双重照射处理形成的图案形状的例子的俯视图。在图18中，一个掩模的1个边与1μm对应。

根据本实施方式，在光学单元40的分辨率为2/2μm[L/S]的情况下，能够形成包含宽度为1μm的线形状的金属图案与图案之间的距离为1μm的部分的图案形状900。这里，线形状是指包含线段、直线、曲线的形状。

图19是表示使用于双重照射处理的描绘图案的例子的俯视图。

图19例如示出了与图6所示的状态对应的状态，相对于所形成的抗蚀剂601的一部分的区域，仿照描绘图案照射被空间调制的光。然后，被照射光的区域的抗蚀剂成为抗蚀剂601A。

图20是表示使用于双重照射处理的描绘图案的例子的俯视图。

图20例如示出了与图7所示的状态对应的状态，相对于图19的横跨抗蚀剂601与抗蚀剂601A的区域(即，从图19的被照射光的区域偏移的区域)，仿照描绘图案照射被空间调制的光。

这里，在图20中，为了简化，仅着眼于图20的光的照射，相对于所形成的抗蚀剂801的一部分的区域照射被空间调制的光，被照射光的区域的抗蚀剂成为抗蚀剂801A(即，不考虑与在图19中被照射的光的重叠)。

如图20所示，分别形成抗蚀剂801以及抗蚀剂801A的范围从分别形成图19的抗蚀剂601以及抗蚀剂601A的范围偏移。

但是，详细而言，抗蚀剂801相对于对应的抗蚀剂601偏移的方式是向与作为线形状的描绘图案的、线形状延伸的方向交叉的方向(在图20中正交的方向)偏移的方式。作为使抗蚀剂801相对于抗蚀剂601错开的方法，例如存在设置1个或者多个基准点，使描绘图案以该基准点为中心进行移动的方法等。此外，在抗蚀剂801相对于抗蚀剂601偏移时，抗蚀剂801也可以局部扩大或者缩小。

另一方面，作为圆形状的部分的抗蚀剂801相对于抗蚀剂601不偏移。即，抗蚀剂801相对于抗蚀剂601偏移的范围只要是抗蚀剂801的至少一部分即可。

在图20中与被照射的描绘光对应的描绘图案相对于在图19中与被照射的描绘光对应的描绘图案偏移，但详细而言，在图19与图20之间，形成作为线形状的部分的抗蚀剂801的单位图案向与线形状延伸的方向交叉的方向偏移。这里，将相对于图19的描绘图案中的对应的单位图案偏移的图20的描绘图案中的单位图案称为位移图案。

若将图19与图20进行比较，则图20的上述的位移图案与图19的描绘图案的对应的单位图案局部重叠，并且偏移。即，未被照射描绘光的区域即抗蚀剂601与抗蚀剂801局部重叠且偏移。

另一方面，图19的被照射描绘光的区域即抗蚀剂601A的线形状的部分(例如，夹持在抗蚀剂601之间的部分)与图20的被照射描绘光的区域即抗蚀剂801A的线形状的部分(例如，夹持在抗蚀剂801之间的部分)也局部重叠且偏移。

图21是表示通过双重照射处理形成的图案形状的形成中途的状态的俯视图。

图21示出了在使用图19以及图20所示的抗蚀剂进行光的照射的情况下，所形成的图案形状901。

如图21所示，使用图19以及图20所示的抗蚀剂，由此能够形成与超过光学单元40的分辨率的分辨率对应的宽度1μm的图案形状(金属图案)。

图22是表示使用于双重照射处理的描绘图案的例子的俯视图。

图22例如示出了与图12所示的状态对应的状态，相对于所形成的抗蚀剂602的一部分的区域照射被空间调制的光。然后，被照射光的区域的抗蚀剂成为抗蚀剂602A。此外，为了简化，省略已经形成的图案形状的图示。

图23是表示使用于双重照射处理的描绘图案的例子的俯视图。

图23例如示出了与图13所示的状态对应的状态，相对于图22的横跨抗蚀剂602与抗蚀剂602A的区域(即，从图22的被照射光的区域偏移的区域)照射被空间调制的光。

这里，在图23中，为了简化，仅着眼于图23的光的照射，相对于所形成的抗蚀剂802的一部分的区域照射被空间调制的光，被照射光的区域的抗蚀剂成为抗蚀剂802A(即，不考虑与在图22中被照射的光的重叠)。

如图23所示，分别形成抗蚀剂802以及抗蚀剂802A的范围从图22的分别形成抗蚀剂602以及抗蚀剂602A的范围偏移。

但是，详细而言，抗蚀剂802相对于抗蚀剂602偏移的方式是向与作为线形状的描绘图案的、线形状延伸的方向交叉的方向(在图23中正交的方向)偏移的方式。此外，在抗蚀剂802相对于抗蚀剂602偏移时，抗蚀剂802也可以局部扩大或者缩小。

另一方面，作为圆形状的部分的抗蚀剂802相对于抗蚀剂602不偏移。即，抗蚀剂802相对于抗蚀剂602偏移的范围只要是抗蚀剂802的至少一部分即可。

图24是表示通过双重照射处理形成的图案形状的例子的俯视图。图24示出了通过使用图19以及图20所示的抗蚀剂的双重照射处理与使用图22以及图23所示的抗蚀剂的双重照射处理而得的图案形状900。

划分成使用图19以及图20所示的抗蚀剂的双重照射处理与使用图22以及图23所示的抗蚀剂的双重照射处理并进行描绘，由此即使在图案形状之间的距离例如为1μm等的描绘，即邻接的区域的描绘中，也能够形成与超过光学单元40的分辨率的分辨率对应的宽度1μm的图案形状。

＜使用正型感光材料的双重照射处理＞

接下来，参照图25～图38，对使用正型感光材料的双重照射处理进行说明。此外，图25是表示正型感光材料的感光特性的例子的图。在图25中，纵轴表示剩余膜厚，横轴表示曝光量[mJ/cm²]。另外，图26～图38是用于对与本实施方式有关的、使用正型感光材料的双重照射处理进行说明的基板上部的剖视图。

如图25所示，在本实施方式中使用的正型感光材料优选为化学放大型抗蚀剂。优选地，在双重照射处理时，1次的照射形成的曝光量小于膜厚因显影处理而开始减少的曝光量E_init，并且，两次的照射形成的曝光量E_opt大于膜厚因显影处理而成为0的曝光量E₀的抗蚀剂。即，优选地，在1次的光的照射中不到达通过显影处理去除的曝光量，在两次的光的照射中到达通过显影处理去除的曝光量并被去除的抗蚀剂。

接下来，对使用正型感光材料的双重照射处理的顺序进行说明。首先，如图26例示的那样，在基板W的上表面形成种子层600，进一步在种子层600的上表面形成正型抗蚀剂611。

这里，正型抗蚀剂611例如是厚度成为3μm的正型化学放大型抗蚀剂。

接下来，如图27例示的那样，相对于正型抗蚀剂611的一部分的区域，照射被空间调制的光1000。在图27中，被照射光1000的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂611A。

这里，形成有抗蚀剂611A的宽度由光学单元40的分辨率的限度决定。在本实施方式中，抗蚀剂611A的宽度D1以及抗蚀剂611的宽度D2是通过光学单元40能够形成的最小宽度即2μm。

此外，在图27中，抗蚀剂611A的宽度D1以及抗蚀剂611的宽度D2均形成2μm，但这些可以为大于2μm的宽度，另外，抗蚀剂611A的宽度D1与抗蚀剂611的宽度D2也可以为不同的大小的宽度。

接下来，如图28例示的那样，相对于横跨抗蚀剂611与抗蚀剂611A的区域(即，从图27的被照射光1000的区域偏移的区域)，照射被空间调制的光1000A。在图28中，被照射光1000A的区域中的、图27的未被照射光1000的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂611A，图27的被照射光1000的区域(即，被照射光1000以及光1000A的区域)的抗蚀剂表示为抗蚀剂611B。

此外，即使在图28中，也与图27的情况相同，光学单元40的分辨率由2/2μm[L/S]表示。另外，被照射光1000A的区域为从被照射光1000的区域偏移1μm的区域。

在该情况下，抗蚀剂611B的宽度D3与被照射光1000的区域以及被照射光1000A的区域重叠的区域的宽度对应，因此成为1μm。

另外，被照射光1000A的区域为从被照射光1000的区域偏移1μm后的区域，因此抗蚀剂611的宽度D4从图27的抗蚀剂611的宽度D2缩窄1μm而成为1μm。

此外，被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域的偏移宽度不限定于图28所示的1μm的情况，能够在存在被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域重叠的区域的范围内进行变更。即，在本实施方式的情况下，被照射光1000A的区域与被照射光1000的区域的偏移宽度能够在不足2μm的范围内进行变更。

接下来，如图29例示的那样，通过使用从未图示的显影液供给装置供给的显影液的显影处理去除被照射光1000以及光1000A双方的抗蚀剂611B。

接下来，如图30例示的那样，在去除了抗蚀剂611B的宽度D3的区域镀敷形成厚度例如为2μm的金属图案700。

接下来，如图31例示的那样，例如通过湿式蚀刻去除抗蚀剂611以及抗蚀剂611A。由此，形成宽度为1μm的金属图案700，另外，金属图案700之间的距离成为3μm(从宽度D1与宽度D2的总和去除宽度D3的距离)。

接下来，如图32例示的那样，形成覆盖种子层600的上表面、金属图案700的上表面以及侧面的正型抗蚀剂612。这里，抗蚀剂612例如通过狭缝涂覆方式形成。

接下来，如图33例示的那样，相对于正型抗蚀剂612的一部分的区域，并且不与形成有金属图案700的区域重叠而邻接的区域，照射被空间调制的光1001。在图33中，被照射光1001的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂612A。

这里，抗蚀剂612A的宽度E1以及抗蚀剂612的宽度E2是通过光学单元40能够形成的最小宽度即2μm。

此外，在图33中，抗蚀剂612A的宽度E1以及抗蚀剂612的宽度E2均形成为2μm，但这些可以为大于2μm的宽度，另外，抗蚀剂612A的宽度E1与抗蚀剂612的宽度E2也可以为不同的大小的宽度。

接下来，如图34例示的那样，相对于横跨抗蚀剂612与抗蚀剂612A的区域(即，从图33的被照射光1001的区域偏移的区域)，并且不与形成有金属图案700的区域重叠的区域，照射被空间调制的光1001A。在图34中，被照射光1001A的区域中的、图33的未被照射光1001的区域的抗蚀剂表示为抗蚀剂612A，图33的被照射光1001的区域(即，被照射光1001以及光1001A的区域)的抗蚀剂表示为抗蚀剂612B。

此外，即使在图34中，也与图33的情况相同，光学单元40的分辨率由2/2μm[L/S]表示。另外，被照射光1001A的区域为从被照射光1001的区域偏移1μm的区域。

在该情况下，抗蚀剂612B的宽度E3与被照射光1001的区域以及被照射光1001A的区域重叠的区域的宽度对应，因此成为1μm。

另外，被照射光1001A的区域为从被照射光1001的区域偏移1μm后的区域，因此抗蚀剂612的宽度E4从图33的抗蚀剂612的宽度E2缩窄1μm而成为1μm。

此外，被照射光1001A的区域与被照射光1001的区域的偏移宽度不限定于图34所示的1μm的情况，能够在存在被照射光1001A的区域以及被照射光1001的区域重叠的区域的范围内进行变更。即，在本实施方式的情况下，被照射光1001A的区域与被照射光1001的区域的偏移宽度能够在不足2μm的范围内进行变更。

接下来，如图35例示的那样，通过使用从未图示的显影液供给装置供给的显影液的显影处理去除被照射光1001以及光1001A双方的抗蚀剂612B。

接下来，如图36例示的那样，在去除了抗蚀剂612B的宽度E3的区域镀敷形成厚度例如为2μm的金属图案701。

接下来，如图37例示的那样，例如通过湿式蚀刻去除抗蚀剂612以及抗蚀剂612A。由此，在金属图案700之间(即，与金属图案700邻接的区域)进一步形成宽度为1μm的金属图案701。另外，金属图案700与金属图案701之间的距离成为1μm。

然后，对种子层600进行湿式蚀刻，由此能够形成图38所示的1/1μm[L/S]的图案形状(金属图案)。

＜通过以上记载的实施方式产生的效果＞

接下来，表示通过以上记载的实施方式产生的效果的例子。此外，在以下的说明中，基于以上记载的实施方式所例示的具体的结构记载该效果，但也可以在产生相同的效果的范围内，与本申请说明书所例示的其他的具体的结构进行置换。

根据以上记载的实施方式，在描绘方法中，具备：相对于配置于基板W的上表面的感光材料以第1描绘图案照射描绘光的工序、相对于感光材料以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案照射描绘光的工序、在以第1描绘图案以及第2描绘图案的描绘光的照射后使感光材料显影的工序、以及基于显影的感光材料在基板W的上表面形成第1图案形状的工序。这里，感光材料例如与抗蚀剂601等对应。另外，描绘光例如与光1000等对应。另外，第1图案形状例如与金属图案700等对应。而且，第1位移图案是与第1描绘图案的对应的单位图案至少一部分重叠且从对应的单位图案偏移的单位图案。

根据这样的结构，能够抑制焦深的降低等，并且实现所形成的图案形状的微细化。

通常，曝光装置的分辨率与使用于曝光的波长成比例，并且透镜的数值孔径(numerical aperture，即，NA)与分辨率成反比例。此外，NA是折射率与sinθ的积(θ是使用于曝光的光相对于基板具有的入射角)。因此，若增大NA，则能够提高曝光装置的分辨率。

另一方面，焦深(DOF)与NA的平方成反比例。因此，若增大NA、则焦深(DOF)急剧降低。

因此，若欲增大NA由此提高分辨率，则对焦的裕度(焦点余量)急剧变小，从而即便在基板的上表面存在少许的凹凸的情况下，也难以进行适当的曝光。

另一方面，根据本实施方式，能够不变更NA而使图案形状微细化。因此，能够抑制焦深的降低等。

此外，在没有特别限制的情况下，进行各个处理的顺序能够变更。

另外，即便在对上述的结构适当地追加本申请说明书所例示的其他的结构的情况下，即，适当地追加作为上述的结构而未言及的本申请说明书中的其他的结构的情况下，也能够产生相同的效果。

另外，根据以上记载的实施方式，单位图案呈线形状。而且，第1位移图案是从对应的单位图案向与线形状延伸的方向交叉的方向偏移的单位图案。根据这样的结构，在与线形状延伸的方向交叉的方向上，描绘图案的曝光部分重叠的宽度(或者非曝光部分重叠的宽度)成为超过光学单元40的分辨率的微小的宽度，因此通过该描绘图案的重叠，能够使所形成的图案形状微细化。

另外，根据以上记载的实施方式，被照射描绘光的感光材料的至少一部分在显影后被去除。根据这样的结构，能够在去除被照射光的抗蚀剂611B的宽度D3的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案700。

另外，根据以上记载的实施方式，抗蚀剂611B当在仅以第1描绘图案的光1000以及以第2描绘图案的光1000A中的任一方的照射后被显影的情况下在显影后不被去除，并且当在以第1描绘图案的光1000以及以第2描绘图案的光1000A双方的照射后被显影的情况下在显影后被去除。根据这样的结构，能够在去除被照射光1000以及光1000A双方的抗蚀剂611B的宽度D3的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案700。

另外，根据以上记载的实施方式，被照射描绘光的抗蚀剂601A以及抗蚀剂601B在显影后残留。根据这样的结构，去除未被照射光1000以及光1000A的任一个的抗蚀剂601，由此能够在去除了抗蚀剂601的宽度D4的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案700。

另外，根据以上记载的实施方式，具备：在与形成有金属图案700的区域邻接的区域即邻接区域，相对于感光材料以第3描绘图案照射光1001的工序；在邻接区域，相对于感光材料以在至少一部分具有第2位移图案的第4描绘图案照射光1001A的工序；在以第3描绘图案以及第4描绘图案的描绘光的照射后使感光材料显影的工序；以及基于显影的感光材料在基板W的上表面形成第2图案形状的工序。这里，第2图案形状例如与金属图案701等对应。而且，第2位移图案是与第3描绘图案中的对应的单位图案至少一部分重叠，并且从对应的单位图案偏移的单位图案。根据这样的结构，与用于形成金属图案700的双重照射处理单独地，进行用于形成金属图案701的双重照射处理，由此即使在图案形状之间的距离例如为1μm等的描绘，即邻接的区域的描绘中，也能够形成与超过光学单元40的分辨率的分辨率对应的宽度1μm的图案形状。

另外，根据以上记载的实施方式，单位图案呈线形状。而且，第2位移图案是从对应的单位图案向与线形状延伸的方向交叉的方向偏移的单位图案。根据这样的结构，在与线形状延伸的方向交叉的方向上，描绘图案的曝光部分重叠的宽度(或者非曝光部分重叠的宽度)成为超过光学单元40的分辨率的微小的宽度，因此通过该描绘图案的重叠，能够使所形成的图案形状微细化。

另外，根据以上记载的实施方式，在邻接区域，被照射描绘光的感光材料的至少一部分在显影后被去除。根据这样的结构，能够在去除了被照射光的抗蚀剂612B的宽度E3的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案701。

另外，根据以上记载的实施方式，邻接区域的抗蚀剂612B当在仅以第3描绘图案的光1001以及以第4描绘图案的光1001A中的任一方的照射后被显影的情况下在显影后不被去除，并且当在以第3描绘图案的光1001以及以第4描绘图案的光1001A双方的照射后被显影的情况下在显影后被去除。根据这样的结构，能够在去除了被照射光1001以及光1001A双方的抗蚀剂612B的宽度E3的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案701。

另外，根据以上记载的实施方式，在邻接区域，被照射描绘光的抗蚀剂602A以及抗蚀剂602B在显影后残留。根据这样的结构，去除未被照射光1001以及光1001A的任一个的抗蚀剂602，由此能够在去除了抗蚀剂602的宽度E4的区域镀敷形成宽度为1μm的金属图案701e。

另外，根据以上记载的实施方式，基板W是玻璃基板，并且金属图案700的材料是铜。根据这样的结构，能够在玻璃基板形成微小的铜线图案。

根据以上记载的实施方式，描绘装置具备：相对于配置于基板W的上表面的感光材料照射描绘光的照射部、以及控制照射部的动作的控制部80。这里，照明部例如与光学单元40等对应。控制部80使光学单元40相对于感光材料以第1描绘图案照射描绘光。另外，控制部80使光学单元40相对于感光材料以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案照射描绘光。这里，第1位移图案是与第1描绘图案中的对应的单位图案至少一部分重叠，并且从对应的单位图案偏移的单位图案。

根据这样的结构，能够抑制焦深的降低等，并且实现所形成的图案形状的微细化。

此外，即便在对上述的结构适当地追加本申请说明书所例示的其他的结构的情况下，即适当地追加作为上述的结构而未言及的本申请说明书中的其他的结构的情况下，也能够产生相同的效果。

＜以上记载的实施方式的变形例＞

在上述的实施方式中，对使用负型感光材料的双重照射处理与使用正型感光材料的双重照射处理分别进行了说明，但也可以在双重照射处理中的、第一次的光的照射时使用负型(或者正型)感光材料，进一步在第二次的光的照射时使用正型(或者负型)感光材料。即，也可以在第一次的光的照射与第二次的光的照射中使用不同的种类的感光材料。

另外，在上述的实施方式中，双重照射处理用的第一次的光的照射与第二次的光的照射在不同的时机进行，但双方的光的照射也可以同时进行。即，例如也可以同时使用图19所示的描绘图案与图20所示的描绘图案，向双方同时照射光。

在以上记载的实施方式中，存在也记载各个构成要素的材质、材料、尺寸、形状、相对的配置关系或者实施的条件等的情况，但这些在全部的方面为一个例子，不限定于本申请说明书所记载的情况。

因此，在本申请说明书所公开的技术范围内假定未例示的无数的变形例以及均等物。例如，在使至少一个构成要素变形的情况下，包含追加的情况或者省略的情况。

Claims (12)

1.一种描绘方法，其特征在于，

所述描绘方法包括如下工序：

以第1描绘图案对配置于基板的上表面的感光材料照射描绘光；

以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案对所述感光材料照射所述描绘光；

在以所述第1描绘图案以及所述第2描绘图案的所述描绘光的照射后使所述感光材料显影；以及

基于显影的所述感光材料在所述基板的上表面形成第1图案形状，

所述第1位移图案是至少一部分与所述第1描绘图案中的对应的单位图案重叠且从对应的所述单位图案偏移的所述单位图案。

2.根据权利要求1所述的描绘方法，其特征在于，

所述单位图案呈线形状，

所述第1位移图案是从对应的所述单位图案向与所述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的所述单位图案。

3.根据权利要求1或2所述的描绘方法，其特征在于，

被照射所述描绘光的所述感光材料的至少一部分在显影后被去除。

4.根据权利要求3所述的描绘方法，其特征在于，

在仅以所述第1描绘图案的所述描绘光以及以所述第2描绘图案的所述描绘光中的任一方的照射后被显影的情况下，所述感光材料在显影后不被去除，并且在以所述第1描绘图案的所述描绘光以及以所述第2描绘图案的所述描绘光双方的照射后被显影的情况下，所述感光材料在显影后被去除。

5.根据权利要求1或2所述的描绘方法，其特征在于，

被照射所述描绘光的所述感光材料在显影后残留。

6.根据权利要求1或2所述的描绘方法，其特征在于，

所述描绘方法还包括如下工序：

在与形成有所述第1图案形状的区域邻接的区域即邻接区域中，以第3描绘图案对所述感光材料照射所述描绘光；

在所述邻接区域中，以在至少一部分具有第2位移图案的第4描绘图案对所述感光材料照射所述描绘光；

在以所述第3描绘图案以及所述第4描绘图案的所述描绘光的照射后使所述感光材料显影；以及

基于显影的所述感光材料在所述基板的上表面形成第2图案形状，

所述第2位移图案是至少一部分与所述第3描绘图案中的对应的所述单位图案重叠且从对应的所述单位图案偏移的所述单位图案。

7.根据权利要求6所述的描绘方法，其特征在于，

所述单位图案呈线形状，

所述第2位移图案是从对应的所述单位图案向与所述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的所述单位图案。

8.根据权利要求6所述的描绘方法，其特征在于，

在所述邻接区域中，被照射所述描绘光的所述感光材料的至少一部分在显影后被去除。

9.根据权利要求8所述的描绘方法，其特征在于，

在仅以所述第3描绘图案的所述描绘光以及以所述第4描绘图案的所述描绘光中的任一方的照射后被显影的情况下，所述邻接区域中的所述感光材料在显影后不被去除，并且在以所述第3描绘图案的所述描绘光以及以所述第4描绘图案的所述描绘光双方的照射后被显影的情况下，所述邻接区域中的所述感光材料在显影后被去除。

10.根据权利要求6所述的描绘方法，其特征在于，

在所述邻接区域中，被照射所述描绘光的所述感光材料在显影后残留。

11.根据权利要求1或2所述的描绘方法，其特征在于，

所述基板是玻璃基板，并且所述第1图案形状的材料是铜。

12.一种描绘装置，其特征在于，

所述描绘装置具备：

对配置于基板的上表面的感光材料照射描绘光的照射部；以及

控制所述照射部的动作的控制部，

所述控制部使所述照射部以第1描绘图案对所述感光材料照射所述描绘光，

所述控制部使所述照射部以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案对所述感光材料照射所述描绘光，

所述第1位移图案是至少一部分与所述第1描绘图案中的对应的单位图案重叠且从对应的所述单位图案偏移的所述单位图案。

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