CN107807495A - 图案曝光装置、曝光头以及图案曝光方法 - Google Patents

图案曝光装置、曝光头以及图案曝光方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种适合地进行图案光的对焦的技术。图案曝光装置(10)包括：曝光头(82)，其用于向基板W的感光材料面输出图案光；测量器(84)，其用于测量基板W的位置；以及聚焦控制部(902)，其根据基板W的感光材料面的位置，对图案光的成像位置进行调节。曝光头(82)具有透镜移动部(828)，其用于使第一成像光学系统(822)的第二透镜(12L)和微透镜阵列(824)在接近或远离第一透镜(10L)的方向上进行移动。

Description

图案曝光装置、曝光头以及图案曝光方法
技术领域
本发明涉及一种在实施图案曝光时进行图案光的对焦的技术。
背景技术
在专利文献1中记载了一种投影曝光装置，其将通过空间光调制来形成的图案光照射到感光材料，从而将规定的图案曝光在感光材料。
在上述投影曝光装置中，通过数字微镜器件(DMD)来对从光源输出的光进行空间光调制，由此形成图案光。该图案光通过光学系统在感光材料上成像。
上述光学系统例如包括：第一成像光学系统，其使由DMD形成的图案光成像；微透镜阵列，其配置于第一成像光学系统的成像面；以及第二成像光学系统，其使穿过微透镜阵列的光成像在感光材料上。微透镜阵列具备排列成二维形状的多个微透镜(micro lens)，以与DMD的各个微镜(micro mirror)对应。
另外，在专利文献1中记载了，在第二成像光学系统和感光材料之间设置有利用棱镜的空气间隔调节部的内容。通过空气间隔调节部来对第二成像光学系统和感光材料之间的空气间隔进行变更，由此能够调节从第二成像光学系统输出的光(图案光)的成像位置(焦点位置)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-335692号公报
发明内容
通常，为了实现高分辨率的图案曝光，尽可能地将第二成像光学系统和感光材料之间设置成狭窄。因此，如专利文献1所述，有时难以在该第二成像光学系统和感光材料之间配置空气间隔调节部。另外，由于在这样狭窄的间隔配置空气间隔调节部，也会存在难以实施维护的忧虑。
于是，本发明的目的在于，提供一种适合地进行图案光的对焦的技术。
为解决上述课题，第一实施方式的图案曝光装置，包括：保持部，其用于保持感光材料；曝光头，其用于向所述感光材料输出图案光；测量部，其用于测量被所述保持部保持的所述感光材料的位置；以及聚焦(focus)控制部，其根据所述感光材料的位置对所述图案光的成像位置进行调节，其中，所述曝光头具备：空间光调制器，其具有多个调制元件，该调制元件对从光源输出的光进行空间光调制而形成图案光；第一成像光学系统，其具有第一透镜和第二透镜，所述第一透镜和所述第二透镜配置在从所述空间光调制器输出的图案光的光路上，所述第二透镜是像侧远心(telecentric)型；微透镜阵列，其具有多个微透镜，所述多个微透镜对穿过所述第一成像光学系统的所述第二透镜的所述图案光进行聚焦；第二成像光学系统，其配置在穿过所述微透镜阵列的所述图案光的光路上，使所述图案光进行成像；以及透镜移动部，其使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动，所述聚焦控制部通过控制所述透镜移动部的动作来调节所述图案光的所述成像位置。
第二实施方式是第一实施方式的图案曝光装置，所述第二成像光学系统是两侧远心型。
第三实施方式是第一或第二实施方式的图案曝光装置，其中，所述第一成像光学系统是以大于一倍的横向放大倍率进行成像的放大光学系统。
第四实施方式是第三实施方式的图案曝光装置，还具备曝光头支撑部，所述曝光头支撑部以将多个所述曝光头排列的状态支撑多个所述曝光头。
第五实施方式是第一实施方式至第四实施方式中任一项的图案曝光装置，所述第二成像光学系统是以大于第一成像光学系统的横向放大倍率的横向放大倍率进行成像的放大光学系统。
第六实施方式是用于输出图案光的曝光头，包括：空间光调制器，其具有多个调制元件，所述多个调制元件对从光源输出的光进行空间光调制而形成图案光；第一成像光学系统，其具有第一透镜和第二透镜，所述第一透镜和所述第二透镜配置在从所述空间光调制器输出的图案光的光路上，所述第二透镜是像侧远心型；微透镜阵列，其具有多个微透镜，该多个微透镜对穿过所述第一成像光学系统的所述第二透镜的所述图案光进行聚焦；两侧远心型第二成像光学系统，其配置在穿过所述微透镜阵列的所述图案光的光路上，使所述图案光进行成像；以及透镜移动部，其使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动。
第七实施方式是一种图案曝光方法，其包括：用于保持感光材料的(a)工序；向所述感光材料输出图案光的(b)工序；用于测量所述感光材料的位置的(c)工序；以及根据所述(c)工序中测量的所述感光材料的位置，对所述(b)工序中的所述图案光的成像位置进行调节的(d)工序，所述(b)工序包括：通过多个调制元件来对从光源输出的光进行空间光调制而形成所述图案光的(b-1)工序；通过第一成像光学系统使所述图案光进行成像的(b-2)工序，所述第一成像光学系统包括配置在所述图案光的光路上的第一透镜和第二透镜，并且所述第二透镜是像侧远心型；通过具有多个微透镜的微透镜阵列来对所述(b-2)工序中的从所述第一成像光学系统的所述第二透镜输出的所述图案光进行聚焦的(b-3)工序；以及通过第二成像光学系统使所述(b-3)工序中的穿过所述微透镜阵列的所述图案光进行成像的(b-4)工序，所述(d)工序包括：使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动的(d-1)工序。
根据第一实施方式的图案曝光装置，通过使第一成像光学系统的第二透镜和微透镜阵列进行移动，来能够调节从第二成像光学系统输出的图案光的焦点位置。另外，由于无需在第二成像光学系统和感光材料之间配置用于进行对焦的结构，因此能够使第二成像光学系统接近于感光材料。出于这些理由，能够良好地进行图案曝光。
根据第二实施方式的图案曝光装置，即使感光材料的位置与图案光的光轴方向发生偏移，由于第二成像光学系统的横向放大倍率是固定的，因此图案光像的大小也能形成固定。因此，能够高精度地进行曝光。另外，第二成像光学系统的物体侧也成为远心，因此，即使将第一成像光学系统的第二透镜和微透镜阵列朝向光轴方向进行移动，也能够保持第二成像光学系统的像侧的图案光的像的大小。
根据第三实施方式的图案曝光装置，由于第一成像光学系统是放大光学系统，因此能够对图案光的像进行放大并在感光材料上进行成像。
根据第四实施方式的图案曝光装置，通过使透镜移动部形成为小型化，来能够使曝光头小型化。因此，在以多个曝光头排列的状态保持所述多个曝光头的情况下，能够抑制互相之间发生干涉。另外，由于能够设置适合的间隔，因此能够容易进行装卸或各种调整等的维护。
根据第五实施方式的图案曝光装置，通过将第二成像光学系统的放大率形成为大于第一成像光学系统的放大率，来能够提高曝光的容许能力(throughput)。另外，在对焦的过程中，通过使第一成像光学系统的第二透镜和微透镜进行移动，来与使第二成像光学系统的大直径且高重量的透镜进行移动的情况相比，能够缩小透镜移动部。而且，根据第二成像光学系统的放大率，能够减小第一成像光学系统的第二透镜和微透镜的移动量，并且能够缩小移动驱动系统。据此，能够使曝光头形成小型化。
根据第六实施方式的曝光头，通过使第一成像光学系统的第二透镜和微透镜阵列进行移动，来能够调节从第二成像光学系统输出的图案光的焦点位置。另外，由于无需在第二成像光学系统和感光材料之间配置用于进行对焦的结构，因此能够使第二成像光学系统接近于感光材料。出于这些理由，能够良好地进行图案曝光。
根据第七实施方式的曝光方法，通过使第一成像光学系统的第二透镜和微透镜阵列进行，来能够调节从第二成像光学系统输出的图案光的焦点位置。另外，无需在第二成像光学系统和感光材料之间配置用于进行对焦的结构，因此能够使第二成像光学系统接近于感光材料。出于这些理由，能够良好地进行图案曝光。
附图说明
图1是表示实施方式的图案曝光装置10的侧视图。
图2是表示实施方式的图案曝光装置10的俯视图。
图3是表示实施方式的曝光单元800的结构的概略性立体图。
图4是表示实施方式的曝光头82的结构的概略性侧视图。
图5是表示实施方式的图案曝光装置10的布线的框图。
图6是表示进行图案曝光中的多个曝光头82的概略性立体图。
附图标记说明
10 图案曝光装置
10L 第一透镜
12L 第二透镜
16 支撑框架(曝光头支撑部)
20L 第一透镜
21 基材保持板
4 工作台(保持部)
5 工作台驱动机构
8 曝光部
800 曝光单元
80 光源部
82 曝光头
82R 曝光区域
820 空间光调制器
822 第一成像光学系统
8220 第一镜筒
8222 第二镜筒
824 微透镜阵列
824SA 光斑阵列(spot array)
825 反射镜
826 第二成像光学系统
8260 第一镜筒
8262 第二镜筒
828 透镜移动部
8280 移动板
8282 导轨
8284 移动驱动部
84 测量器
8R 被曝光区域
22L 第二透镜
51 旋转机构
52 支撑板
53 副扫描机构
54 底座板
55 主扫描机构
9 控制部
902 聚焦控制部
FL1 焦点位置
W 基板
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，该实施方式中所记载的构成要素仅为例示，不应将本发明的范围仅限于这此。为了便于理解，在附图中，根据需要有时将各个部件的尺寸、数量夸张或简化地表示。
＜1.第一实施方式＞
图1是表示实施方式的图案曝光装置10的侧视图。图2是表示实施方式的图案曝光装置10的俯视图。
图案曝光装置10是，将根据CAD数据等而进行了空间调制的图案光(描绘光)照射在形成有保护层(resist)等的感光材料层的基板W(感光材料)的上面，由此将图案(例如，电路图案)进行曝光(描绘)的装置、即直绘型描绘装置。在图案曝光装置10中，作为处理对象的基板W例如是：半导体基板；印刷基板；设置在液晶显示装置等的滤色器用基板；设置在液晶显示装置或等离子体显示装置等的平板显示器用玻璃基板；磁盘用基板；光盘用基板；太阳能电池用面板等。在以下的说明中，基板W为矩形形状的基板。
图案曝光装置10具备基台15和支撑框架16。支撑框架16设置在基台15上，并且形成为在X轴方向上横穿基台15的门型形状。
图案曝光装置10具备工作台(stage)4、工作台驱动机构5、工作台位置计测部6、曝光部8以及控制部9。
＜工作台4＞
工作台4，是用于在框体内部保持基板W的保持部。工作台4配置在基台15上。具体而言，工作台4例如具有平板状的外形，并且将基板W以水平姿势载置于其上面并进行保持。在工作台4的上面形成有多个吸引孔(省略图示)。工作台4通过在该吸引孔形成负压(吸引压力)来将基板W固定保持于工作台4的上面。
＜工作台驱动机构5＞
工作台驱动机构5使工作台4相对于基台15进行移动。工作台驱动机构5配置在基台15上。
工作台驱动机构5具备：旋转机构51，其用于使工作台4沿旋转方向(围绕Z轴的旋转方向(θ轴方向))进行旋转；支撑板52，其经由旋转机构51支撑工作台4；副扫描机构53，其用于使支撑板52沿着副扫描方向(X轴方向)进行移动。工作台驱动机构5进一步具备：底座板54，其隔着副扫描机构53对支撑板52进行支撑；主扫描机构55，其用于使底座板54沿主扫描方向(Y轴方向)进行移动。
旋转机构51将经过工作台4的上表面(基板W的载置面)的中心且垂直于该载置面的旋转轴A为中心使工作台4进行旋转。旋转机构51，例如可以包括：旋转轴部511，其上端固定于载置面的背面侧，并且沿着铅垂轴延伸；旋转驱动部(例如，旋转马达)512，其设置于旋转轴部511的下端，并且用于使旋转轴部511旋转。在该结构中，旋转驱动部512使旋转轴部511进行旋转，由此使工作台4在水平面内以旋转轴A为中心进行旋转。
副扫描机构53具有线性马达531，该线性马达551包括安装于支撑板52下面的移动件、和铺设于底座板54的上面的固定件。另外，在底座板54铺设有向副扫描方向延伸的一对导向构件532，在各个导向构件532和支撑板52之间设置有球轴承，该球轴承在导向构件532上进行滑动的同时，沿着该导向构件532可进行移动。即，支撑板52经由该球轴承支承在一对导向构件532上。在该结构中，当使线性马达531进行动作时，支撑板52在被导向构件532引导的状态下沿着副扫描方向圆滑地进行移动。
主扫描机构55具有线性马达551，该线性马达551包括安装于底座板54下面的移动件、和铺设在基台15上的固定件。另外，在基台15铺设有向主扫描方向延伸的一对导向构件552，在各个导向构件552和底座板54之间例如设置有空气轴承。从实用设备总是向空气轴承供给空气，由此底座板54被空气轴承非接触地漂浮支撑在导向构件552上。在该结构中，当使线性马达551进行动作时，底座板54在被导向构件552引导的状态下沿着主扫描方向无摩擦地、圆滑地进行移动。
＜工作台位置计测部6＞
工作台位置计测部6用于计测工作台4的位置。具体而言，工作台位置计测部6例如由干涉式激光测长仪构成，该干涉式激光测长仪从工作台4外朝向工作台4发射激光的同时接收其反射光，并且通过该反射光和发射光之间的干涉来计测工作台4的位置(具体而言，沿主扫描方向的Y位置)。
＜曝光部8＞
曝光部8，是形成图案光并向基板W照射该图案光的光学装置。曝光部8具备多个曝光单元800。参照图3和图4，对曝光单元800的结构进行说明。
图3是表示实施方式的曝光单元800的结构的概略性立体图。图4是表示实施方式的曝光头82的结构的概略性侧视图。需要说明的是，在图4中，省略了反射镜825，并且空间光调制器820、第一成像光学系统822、微透镜阵列824以及第二成像光学系统826排列在同一光轴上。
曝光部8具备多台(此处为9台)图3中所示的曝光单元800。不过，曝光单元800的搭载台数并非必须是9台，也可以是一台。各个曝光单元800被支撑框架16支撑。此处，支撑框架16以多个曝光单元800的曝光头82沿X轴方向排列成多列的状态对多个曝光单元800进行支撑(参照图2和图6)。
＜光源部80＞
如图3所示，光源部80具有激光振子，该激光振子接收来自激光器驱动部的驱动信号而输出激光。另外，光源部80具备照明光学系统，该照明光学系统用于将从激光振子输出的光(点波束)形成为强度均匀分布的光。从光源部80输出的光输入到曝光头82。此外，也可以是从一个光源部分割激光后输入到多个曝光头82的结构。
＜曝光头82＞
曝光头82具备空间光调制器820、第一成像光学系统822、微透镜阵列824、反射镜825、第二成像光学系统826、透镜移动部828以及测量器84。如图3所示，空间光调制器820、第一成像光学系统822、微透镜阵列824、透镜移动部828设置于支撑框架16的+Z侧，第二成像光学系统826和测量器84设置于支撑框架16的+Y侧。
曝光头82容纳于朝向支撑框架16的+Z侧和+Y侧延伸的第一容纳箱(未图示)。此外，光源部80容纳于第二容纳箱802，该第二容纳箱802固定于该第一容纳箱的+Z侧。从光源部80朝向-Z方向输出的光，在反射镜804被反射并入射到空间光调制器820。
＜空间光调制器820＞
空间光调制器820具备数字微镜器件(DMD)，该数字微镜器件(DMD)对入射光进行空间调制，由此将对图案的描绘有贡献的所需的光和对图案的描绘没有贡献的不必要的光反射到互不相同的方向。DMD例如是，将1920×1080个微镜(调制元件)以矩阵状排列在存储单元上而构成的空间调制元件。各个微镜构成由一边约为10μm的正方形形成的像素，DMD的整体尺寸约为20mm×10mm。
当基于来自控制部9的控制信号，将数字信号写入存储单元时，各个微镜以对角线为中心倾斜所需的角度。由此，形成与数字信号对应的图案光。
＜第一成像光学系统822＞
第一成像光学系统822具备用于保持第一透镜10L的第一镜筒8220和用于保持第二透镜12L的第二镜筒8222。第一透镜10L和第二透镜12L配置在由空间光调制器820形成的图案光的光路上。第一透镜10L将从空间光调制器820输出的图案光整理成平行光，并引导至第二透镜12L。第二透镜12L是像侧远心型，并且将来自第一透镜10L的图案光与透镜光轴平行地引导至微透镜阵列824。
此处，第一成像光学系统822形成为使图案光以大于1倍的横向放大倍率(约2倍)进行成像的放大光学系统。第二透镜12L的半径大于第一透镜10L的半径。
＜微透镜阵列824＞
在微透镜阵列824具备与DMD的微镜相同数量的微透镜。各个微透镜排列成与DMD的各个微镜相对应的矩阵状。被DMD的各个微镜反射的光束入射到微透镜阵列824并被聚焦。该各个聚焦点形成为以微透镜阵列824的微透镜的间距排列的光斑阵列824SA。光斑阵列824SA的像尺寸通过被第一成像光学系统822约放大为两倍来约形成为40mm×20mm。
来自DMD的各个微镜的光被各个微透镜聚焦。因此，来自各个微镜的光束的光斑尺寸被缩小并保持为较小，因此能够较高地保持投影到基板W上的像(DMD像)的清晰度。
空间光调制器820的DMD、第一成像光学系统822的第一透镜10L和第二透镜12L、以及微透镜阵列824沿着Y轴方向配置在同轴上。如图3所示，穿过第一成像光学系统822的图案光向+Y方向前进并入射到反射镜825，并且向-Z方向反射。该反射的图案光输入到第二成像光学系统826。
＜第二成像光学系统826＞
第二成像光学系统826具备用于保持第一透镜20L的第一镜筒8260、和用于保持第二透镜22L的第二镜筒8262。第一透镜20L和第二透镜22L在Z轴方向上隔开所需的间隙而固定于支撑框架16。更具体而言，第一镜筒8260和第二镜筒8262通过连结构件来连结成一体，并且将这些镜筒之间的间隔保持为固定。该连结构件，也可以是用于容纳第一镜筒8260和第二镜筒8262的框体。
此处，第二成像光学系统826是两侧远心型。通过让第二成像光学系统826的像侧成为远心，来即使基板W的感光材料的位置与图案光的光轴向发生偏移，也能够将图案光的像的大小形成固定，因此能够高精度地进行曝光。另外，通过让第二成像光学系统826的物体侧也成为远心，如后述那样，即使将第一成像光学系统822的第二透镜12L和微透镜阵列824沿着光轴方向进行移动，也能够在保持第二成像光学系统的像侧的图案光的像的大小的状态下进行曝光。
此处，第二成像光学系统826的第二透镜22L形成为以大于一倍的横向放大倍率(约三倍)放大并进行成像的放大光学系统。第二透镜22L的半径大于第一透镜20L的半径。光斑阵列824SA被第二成像光学系统826约放大三倍而形成约为120mm×60mm的大小，并投影到基板W的感光材料面。
由空间光调制器820的DMD形成的图案光，经由第一成像光学系统822、微透镜阵列824以及第二成像光学系统826投影到基板W。由DMD形成的图案光随着基于主扫描机构55的工作台4的移动，并且被用于将主扫描机构55的编码器信号复位的复位脉冲连续地变更。由此，图案光照射到基板W的感光材料面上，从而形成条纹状的像(参照图6)。
＜透镜移动部828＞
透镜移动部828具备移动板8280、一对导轨8282以及移动驱动部8284。
移动板8280是形成为矩形板状的构件，安装在支撑框架16上。第二镜筒8222和微透镜阵列824，以在Y轴向上隔开所需的间隔的状态固定在移动板8280的上面。一对导轨8282设置于支撑框架16，与Y轴方向平行地延伸的移动板8280受到来自移动驱动部8284的驱动力，由此被一对导轨8282引导的同时，沿着Y轴方向进行移动。据此，使第二透镜12L和微透镜阵列824朝向接近第一透镜10L的方向(-Y方向)和远离第一透镜10L的方向(+Y方向)进行移动。移动驱动部8284由线性马达式驱动部或滚珠螺杆式驱动部等构成，并且接收来自控制部9的控制信号，由此使移动板8280进行移动。
＜测量器84＞
如图3所示，在第二镜筒8262的下端部设置有测量器84。测量器84用于测量曝光头82和基板W的表面(感光材料面)之间的间隔距离。测量器84具备：照射器840，用于将激光照射到基板W；以及受光器842，其用于接收被基板W反射的激光。照射器840将激光以光斑(spot)状沿着相对于基板W表面的法线方向(此处，为Z轴方向)倾斜规定角度的轴，照射到基板W的上面。受光器842例如由沿着Z轴方向延伸的线传感器构成，对该线传感器上的上述激光的入射位置进行检测。由此，对曝光头82和基板W的感光材料面之间的间隔距离进行测量。
由测量器84检测出的间隔距离发送至控制部9。控制部9的聚焦控制部902根据该间隔距离对曝光头82所输出的图案光的成像位置(焦点位置)进行调整。即，聚焦控制部902通过向透镜移动部828输出控制信号来使移动板8280进行移动，由此使第二镜筒8222的第二透镜12L和微透镜阵列824沿着Y轴方向进行移动。
基板W的感光材料面的测量器84的位置接近于从第二成像光学系统826输出的图案光所照射的位置。因此，在即将曝光前或大致同时对基板W的感光材料面的高度变化进行测量，并且基于该测量结果进行图案光的对焦。
需要说明的是，测量器84并非必须设置于第二成像光学系统826的第二镜筒8262。例如，也可以将测量器84设置于远离第二成像光学系统826的位置，或者设置于支撑框架16。在该情况下，在曝光前事先对基板W的感光材料面的各个部分的高度进行测量，然后聚焦控制部902在曝光头82进行曝光的时刻对各个部分进行对焦也可。
＜控制部9＞
图5是表示实施方式的图案曝光装置10的布线的框图。控制部9具备：起到运算电路功能的CPU90；读取专用的ROM92；用作CPU90的临时性工作区域的RAM94；以及作为非易失性存储介质的存储部96。
控制部9经由布线、网络线路或串行通信线路等与旋转机构51、副扫描机构53、主扫描机构55、光源部80(详细而言，为光源驱动器)、空间光调制器820、透镜移动部828以及测量器84这样的图案曝光装置10的各个构成要素连接，并且对这些各个构成元素的动作进行控制。
CPU90通过读取在ROM92内存储的程序920并运行该程序920，来对RAM94或存储部96中所保存的各种数据进行运算。控制部9具备作为普通计算机的结构。描绘控制部900和聚焦控制部902具有CPU90根据程序920进行动作而能够实现的功能。但是，这些要素的一部分或全部通过逻辑电路等实现也可。这些要素的动作的详细内容将进行后述。
存储部96用于存储图案数据960，该图案数据960用于表示在基板W上需要进行描绘的图案。图案数据960例如是将由CAD软件等制作的矢量形式的数据展开为光栅形式的数据的图像数据。控制部9基于该图案数据960对空间光调制器820(DMD)进行控制，从而对从曝光头82输出的光束进行调制。此外，在图案曝光装置10中，基于从主扫描机构55的线性马达551发送而至的线位移传感器信号，生成调制的复位脉冲。通过基于该复位脉冲进行动作的空间光调制器820(DMD)，来从各个曝光头82输出根据基板W的位置而调制了的图案光。
此外，在本实施方式中，图案数据960可以是单一的图像(用于表示需在基板W的整个表面形成的图案的图像)，例如针对每个曝光头82，从用于表示该单一图像的图案数据960独立地生成各个曝光头82自身负责描绘的图像也可。
在控制部9连接有显示部980和操作部982。显示部980由普通的CRT监视器、液晶显示器等构成，并且显示用于表示各种数据的图像。另外，操作部982由各种按钮、按键、鼠标、触摸面板等构成，在操作员向图案曝光装置10输入各种命令时进行操作。此外，在操作部982包括触摸面板的情况下，操作部982具有显示部980的一部分或全部功能也可。
图6是表示进行图案曝光中的多个曝光头82的概略性立体图。如图6所示，各个曝光头82沿多个列(此处，为两列)排列成直线状。第二列的各个曝光头82分别配置在第一列中的相邻的两个曝光头82、82之间。由此，多个曝光头82排列成锯齿状。
各个曝光头82的曝光区域82R，形成为以主扫描方向(Y轴方向)作为短边的矩形形状。随着工作台4朝向Y轴方向进行移动，在基板W的感光材料形成针对每个曝光头82的带状被曝光区域8R。各个曝光头82错开而排列，使得带状被曝光区域8R在X轴方向上无间隙地排列。
此外，多个曝光头82的排列结构并不限于图6所示的结构。例如，也可以将曝光头82排列成，在相邻的被曝光区域8R之间能够形成曝光区域82R的长边的自然数倍数的间隙。在该情况下，通过将Y轴方向上的主扫描向X轴方向偏移曝光区域82R长边的长度的量的同时进行多次，来能够在基板W的感光材料无间隙地形成多个带状被曝光区域8R。
＜对焦＞
在图6所示的曝光工序期间，根据由测量器84测量的基板W的位置，对每个曝光头82进行对焦。具体而言，透镜移动部828使移动板8280进行移动，使得从曝光头82输出的图案光的焦点位置FL1与基板W的感光材料面的Z轴方向上的位置对齐。
例如，假设透镜移动部828使移动板8280朝向+Y方向仅移动p的量。在该情况下，通过第一成像光学系统822的第二透镜12L和微透镜阵列824朝向+Y方向仅移动p的量，来光斑阵列824SA也朝向+Y方向仅移动p的量(参照图4)。当将第二成像光学系统826的横向放大倍率设为n时，垂直放大倍率形成为横向放大倍率的平方(n2)。因此，第二成像光学系统826的焦点位置FL1朝向-Z方向仅移动pn2的量。
具体而言，在图案光的焦点位置和基板W的感光材料面之间的距离偏移100μm的情况下，当第二成像光学系统826的横向放大倍率为三倍时，垂直放大倍率形成为9倍，因此将第二成像光学系统的物体面约移动11μm(＝100/9)即可。由于该物体面相当于微透镜阵列824的光斑阵列824SA的面，因此，使该光斑阵列824SA的面朝向焦点方向移动即可。从而，通过透镜移动部828，使第一成像光学系统822的第二镜筒8222和微透镜阵列824朝向焦点方向仅移动约11μm即可。
在使第二镜筒8222和微透镜阵列824一体地进行移动的情况下，第一成像光学系统822能够保持向微透镜阵列824投影的DMD像的焦点位置在微透镜阵列824的表面一致的状态。因此，在保持光斑阵列824SA的各个光斑的聚焦状态的情况下，能够使光斑阵列824SA朝向焦点方向进行移动。
此处，通过使第二成像光学系统826的第二透镜22L进行移动，来也能够变更焦点位置FL1。然而，在使第二成像光学系统826的第二透镜22L进行移动的情况下，为了进行对焦，需要移动100μm。对此，在使第一成像光学系统822的第二透镜12L和微透镜阵列824进行移动的情况下，将焦点偏移量除以第二成像光学系统826的垂直放大倍率的大小的移动量即可。因此，能够使透镜移动部828变小，并且能够高速进行对焦。
另外，在第二成像光学系统826的横向放大倍率为2至3倍的情况下，第一成像光学系统822的第二透镜12L的直径是第二成像光学系统826的第二透镜22L的直径的1/2至1/3倍。另外，第二透镜12L的重量能够形成为第二透镜22L的1/4至1/9左右。因此，采用用于移动第二镜筒8222的透镜移动部828的方式与需要用大型移动机构来移动第二镜筒8262的方式相比，更能使曝光头82小型化。因此，能够在排列多个曝光头82的状态下容易进行保持。
第一成像光学系统822的放大率优选尽可能地小。由此，能够缩小第二透镜12L和微透镜阵列824。因此，能够降低第二透镜12L和微透镜阵列824的总重量，因此能够缩小透镜移动部828。由此，能够减小曝光头82的大小，因此能够在排列曝光头82的状态下容易进行支撑。另外，能够降低第二透镜12L和微透镜阵列824的总重量，因此能够高精度地容易移动移动板8280。
另一方面，优选第二成像光学系统826的放大率大于第一成像光学系统822的放大率，并且优选尽可能地大。由此，能够提高曝光的容许能力。
＜2.变形例＞
以上，对第一实施方式进行了说明，本发明并不限于如上所述的实施方式，可进行各种变形。
例如，在上述实施方式中，透镜移动部828通过移动板8280来使第二透镜12L和微透镜阵列824一体地进行移动。但是，也可以将透镜移动部828构成为使第二透镜12L和微透镜阵列824各自独立进行移动。
在上述实施方式中，第一成像光学系统822和第二成像光学系统826形成为放大光学系统，但这并非必须的。例如，也可以只将第一成像光学系统822和第二成像光学系统826中的任意一个形成为放大光学系统。
在上述实施方式中，空间光调制器820具备DMD，但这并不是必须的。例如，替代DMD，可以采用光栅光阀(GLV)。GLV具备将作为光衍射元件的微米带(micro ribbon)排列成一列的微米带阵列。通过向微米带阵列照射光，同时控制各个微米带的高度，来能够形成具有明暗的带状图案光。在采用这种GLV的情况下，本发明也是有效的。
对本发明详细进行了说明，但上述说明在所有的实施方式中仅为例示，本发明不限于这此。未进行例示的许多变形例，可解释为不脱离本发明的范围内能够被假定。在上述各实施方式和各个变形例中进行说明的各个实施方式只要不相互矛盾，就可以适当地进行组合或者进行省略。

Claims (7)

1.一种图案曝光装置，其包括：
保持部，用于保持感光材料；
曝光头，用于向所述感光材料输出图案光；
测量部，用于测量被所述保持部保持的所述感光材料的位置；以及
聚焦控制部，根据所述感光材料的位置，对所述图案光的成像位置进行调节，其中，
所述曝光头具备：
空间光调制器，所述空间光调制器具有多个调制元件，所述多个调制元件对从光源输出的光进行空间光调制而形成图案光；
第一成像光学系统，具有第一透镜和第二透镜，所述第一透镜和所述第二透镜配置在从所述空间光调制器输出的图案光的光路上，所述第二透镜为像侧远心型；
微透镜阵列，所述微透镜阵列具有多个微透镜，所述多个微透镜对穿过所述第一成像光学系统的所述第二透镜的所述图案光进行聚焦；
第二成像光学系统，配置在穿过所述微透镜阵列的所述图案光的光路上，使所述图案光进行成像；以及
透镜移动部，用于使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动，
所述聚焦控制部通过控制所述透镜移动部的动作来调节所述图案光的所述成像位置。
2.根据权利要求1所述的图案曝光装置，其中，
所述第二成像光学系统是两侧远心型。
3.根据权利要求1或2所述的图案曝光装置，其中，
所述第一成像光学系统是以大于一倍的横向放大倍率进行成像的放大光学系统。
4.根据权利要求3所述的图案曝光装置，其还包括曝光头支撑部，
所述曝光头支撑部以将多个所述曝光头排列的状态支撑多个所述曝光头。
5.根据权利要求1或2所述的图案曝光装置，其中，
所述第二成像光学系统是以大于第一成像光学系统的横向放大倍率的横向放大倍率进行成像的放大光学系统。
6.一种曝光头，其为用于输出图案光的曝光头，其包括：
空间光调制器，所述空间光调制器具有多个调制元件，所述多个调制元件对从光源输出的光进行空间光调制而形成图案光；
第一成像光学系统，具有第一透镜和第二透镜，所述第一透镜和所述第二透镜配置在从所述空间光调制器输出的图案光的光路上，所述第二透镜是像侧远心型；
微透镜阵列，所述微透镜阵列具有多个微透镜，所述多个微透镜对穿过所述第一成像光学系统的所述第二透镜的所述图案光进行聚焦；
两侧远心型第二成像光学系统，配置在穿过所述微透镜阵列的所述图案光的光路上，使所述图案光进行成像；以及
透镜移动部，用于使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动。
7.一种图案曝光方法，其包括：
用于保持感光材料的(a)工序；
向所述感光材料输出图案光的(b)工序；
用于测量所述感光材料的位置的(c)工序；以及
根据所述(c)工序中测量的所述感光材料的位置，对所述(b)工序中的所述图案光的成像位置进行调节的(d)工序，
所述(b)工序包括：
通过多个调制元件来对从光源输出的光进行空间光调制而形成所述图案光的(b-1)工序；
通过第一成像光学系统使所述图案光进行成像的(b-2)工序，所述第一成像光学系统包括配置在所述图案光的光路上的第一透镜和第二透镜，并且所述第二透镜是像侧远心型；
通过具有多个微透镜的微透镜阵列对所述(b-2)工序中的从所述第一成像光学系统的所述第二透镜输出的所述图案光进行聚焦的(b-3)工序；以及
通过第二成像光学系统使所述(b-3)工序中的穿过所述微透镜阵列的所述图案光进行成像的(b-4)工序，
所述(d)工序包括：
使所述第二透镜和所述微透镜阵列在接近或远离所述第一透镜的方向上进行移动的(d-1)工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109991713A (zh) * 2019-04-05 2019-07-09 马浩鑫 分体式三自由度微透镜阵列支架
CN112415858A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 株式会社斯库林集团 描绘方法以及描绘装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190054815A (ko) * 2017-11-14 2019-05-22 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 방법, 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP7465636B2 (ja) * 2019-07-08 2024-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW320735B (zh) * 1994-10-06 1997-11-21 Ushio Electric Inc
US6307682B1 (en) * 2000-02-16 2001-10-23 Silicon Valley Group, Inc. Zoom illumination system for use in photolithography
CN1867851A (zh) * 2003-08-26 2006-11-22 索尼株式会社 自动聚焦控制方法、自动聚焦控制器和图像处理器
CN101142534A (zh) * 2005-03-15 2008-03-12 富士胶片株式会社 曝光设备和曝光方法
CN102890425A (zh) * 2006-03-27 2013-01-23 株式会社尼康 照明光学装置、曝光装置以及元件制造方法
CN103946731A (zh) * 2011-11-11 2014-07-23 株式会社尼康 焦点调节装置、摄像装置以及镜头镜筒

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4057937B2 (ja) * 2003-03-25 2008-03-05 富士フイルム株式会社 露光装置
JP4244156B2 (ja) 2003-05-07 2009-03-25 富士フイルム株式会社 投影露光装置
US6989886B2 (en) * 2004-06-08 2006-01-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006195166A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置およびマイクロレンズアレイユニット
JP2006337834A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 露光装置及び露光方法
JP2007101592A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Nikon Corp 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP5357617B2 (ja) * 2009-04-22 2013-12-04 株式会社オーク製作所 露光装置
KR101678039B1 (ko) * 2010-10-01 2016-11-21 삼성전자 주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법
JP5917923B2 (ja) * 2012-01-23 2016-05-18 株式会社アドテックエンジニアリング 露光光学系、露光装置および露光方法
JP2014164027A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Adtec Engineeng Co Ltd 露光光学系、露光ヘッドおよび露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW320735B (zh) * 1994-10-06 1997-11-21 Ushio Electric Inc
US6307682B1 (en) * 2000-02-16 2001-10-23 Silicon Valley Group, Inc. Zoom illumination system for use in photolithography
CN1867851A (zh) * 2003-08-26 2006-11-22 索尼株式会社 自动聚焦控制方法、自动聚焦控制器和图像处理器
CN101142534A (zh) * 2005-03-15 2008-03-12 富士胶片株式会社 曝光设备和曝光方法
CN102890425A (zh) * 2006-03-27 2013-01-23 株式会社尼康 照明光学装置、曝光装置以及元件制造方法
CN103946731A (zh) * 2011-11-11 2014-07-23 株式会社尼康 焦点调节装置、摄像装置以及镜头镜筒

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109991713A (zh) * 2019-04-05 2019-07-09 马浩鑫 分体式三自由度微透镜阵列支架
CN112415858A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 株式会社斯库林集团 描绘方法以及描绘装置

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