JP2018041025A - パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法 - Google Patents
パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018041025A JP2018041025A JP2016176468A JP2016176468A JP2018041025A JP 2018041025 A JP2018041025 A JP 2018041025A JP 2016176468 A JP2016176468 A JP 2016176468A JP 2016176468 A JP2016176468 A JP 2016176468A JP 2018041025 A JP2018041025 A JP 2018041025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- pattern
- optical system
- imaging optical
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 138
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 26
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
【解決手段】パターン露光装置10は、基板Wの感光材料面にパターン光を出力する露光ヘッド82と、基板Wの位置を測定する測定部84と、基板Wの感光材料面の位置に応じて、パターン光の結像位置を調節するフォーカス制御部902とを備える。露光ヘッド82は、露光ヘッド82は、第1結像光学系822の第2レンズ12L及びマイクロレンズアレイ824を、第1レンズ10Lに接近および離隔する方向に移動させるレンズ移動部828を備える。
【選択図】図4
Description
図1は、実施形態のパターン露光装置10を示す側面図である。図2は、実施形態のパターン露光装置10を示す平面図である。
ステージ4は、筐体内部に基板Wを保持する保持部である。ステージ4は、基台15上に配置される。ステージ4は、具体的には、例えば、平板状の外形を有し、その上面に基板Wを水平姿勢に載置して保持する。ステージ4の上面には、複数の吸引孔(図示省略)が形成されている。ステージ4は、この吸引孔に負圧(吸引圧)を形成することによって、基板Wをステージ4の上面に固定保持する。
ステージ駆動機構5は、ステージ4を基台15に対して移動させる。ステージ駆動機構5は、基台15上に配置されている。
ステージ位置計測部6は、ステージ4の位置を計測する。ステージ位置計測部6は、具体的には、例えば、ステージ4外からステージ4に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光し、当該反射光と出射光との干渉からステージ4の位置(具体的には、主走査方向に沿うY位置)を計測する、干渉式のレーザ測長器により構成される。
露光部8は、パターン光を形成して基板Wにそのパターン光を照射する光学装置である。露光部8は、複数の露光ユニット800を備える。露光ユニット800の構成について、図3および図4を参照しつつ説明する。
図3に示すように、光源部80は、レーザ駆動部からの駆動信号を受けてレーザ光を出力するレーザ発振器を備える。また、光源部80は、レーザ発振器から出力された光(スポットビーム)を、強度分布が均一な光とする照明光学系を備える。光源部80から出力された光は、露光ヘッド82に入力される。なお、1つの光源部からレーザ光を分割して、複数の露光ヘッド82に入力する構成としてもよい。
露光ヘッド82は、空間光変調器820、第1結像光学系822、マイクロレンズアレイ824、ミラー825、第2結像光学系826、レンズ移動部828および測定器84を備える。図3に示すように、空間光変調器820、第1結像光学系822、マイクロレンズアレイ824、レンズ移動部828は、支持フレーム16の+Z側に設けられており、第2結像光学系826および測定器84は、支持フレーム16の+Y側に設けられている。
空間光変調器820は、入射光を空間変調して、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させるデジタルミラーデバイス(DMD)を備えている。DMDは、例えば、1920×1080個のマイクロミラー(変調素子)を、メモリセル上にマトリクス状に配列することによって構成される空間変調素子である。マイクロミラー各々は、1辺が約10μmの正方形とされた画素を構成しており、DMDの全体サイズは、約20mm×10mmである。
第1結像光学系822は、第1レンズ10Lを保持する第1鏡筒8220および第2レンズ12Lを保持する第2鏡筒8222を備える。第1レンズ10Lおよび第2レンズ12Lは、空間光変調器820によって形成されたパターン光の光路上に配されている。第1レンズ10Lは、空間光変調器820から出力されたパターン光を平行光に整えて第2レンズ12Lに導く。第2レンズ12Lは、像側テレセントリックであり、第1レンズ10Lからのパターン光を、レンズ光軸に平行にマイクロレンズアレイ824へ導く。
マイクロレンズアレイ824には、DMDのマイクロミラーと同数のマイクロレンズを備える。マイクロレンズ各々は、DMDのマイクロミラー各々に対応するマトリクス状に配列されている。DMDのマイクロミラー各々で反射した光束は、マイクロレンズアレイ824に入射して集光される。その集光スポット各々は、マイクロレンズアレイ824のマイクロレンズのピッチで並ぶスポットアレイ824SAとなる。スポットアレイ824SAの像サイズは、第1結像光学系822によって約2倍に拡大されることによって、約40mm×20mmとなる。
第2結像光学系826は、第1レンズ20Lを保持する第1鏡筒8260および第2レンズ22Lを保持する第2鏡筒8262を備える。第1レンズ20Lおよび第2レンズ22Lは、Z軸方向に所要の間隔をあけて、支持フレーム16に固定されている。より具体的には、第1鏡筒8260および第2鏡筒8262は、連結部材によって一体に連結されており、これらの鏡筒間の間隔が一定に維持されている。この連結部材は、第1鏡筒8260および第2鏡筒8262を収容する筐体であってもよい。
レンズ移動部828は、移動プレート8280、一対のガイドレール8282、および、移動駆動部8284を備える。
図3に示すように、第2鏡筒8262の下端部には、測定器84が設けられている。測定器84は、露光ヘッド82および基板Wの表面(感光材料面)の間の離間距離を測定する。測定器84は、レーザ光を基板Wに照射する照射器840と、基板Wで反射したレーザ光を受光する受光器842とを備える。照射器840は、基板Wの表面に対する法線方向(ここでは、Z軸方向)に対して所定の角度だけ傾斜した軸に沿って、基板Wの上面にレーザ光をスポット状に照射する。受光器842は、例えばZ軸方向に延びるラインセンサーで構成されており、そのラインセンサー上における上記レーザ光の入射位置を検出する。これによって、露光ヘッド82と基板Wの感光材料面との間の離間距離が測定される。
図5は、実施形態のパターン露光装置10に係るバス配線を示すブロック図である。制御部9は、演算回路として機能するCPU90、読み取り専用のROM92、CPU90の一時的なワーキングエリアとして使用されるRAM94、および、不揮発性の記録媒体である記憶部96を備える。
図6に示す露光工程の間、露光ヘッド82ごとに、測定器84によって測定される基板Wの位置に応じて、ピント合わせが行われる。具体的には、露光ヘッド82から出力されるパターン光のピント位置FL1を、基板Wの感光材料面のZ軸方向の位置に合わせるように、レンズ移動部828が移動プレート8280を移動させる。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
10L 第1レンズ
12L 第2レンズ
16 支持フレーム(露光ヘッド支持部)
20L 第1レンズ
21 基材保持プレート
4 ステージ(保持部)
5 ステージ駆動機構
8 露光部
800 露光ユニット
80 光源部
82 露光ヘッド
82R 露光エリア
820 空間光変調器
822 第1結像光学系
8220 第1鏡筒
8222 第2鏡筒
824 マイクロレンズアレイ
824SA スポットアレイ
825 ミラー
826 第2結像光学系
8260 第1鏡筒
8262 第2鏡筒
828 レンズ移動部
8280 移動プレート
8282 ガイドレール
8284 移動駆動部
84 測定器
8R 被露光領域
22L 第2レンズ
51 回転機構
52 支持プレート
53 副走査機構
54 ベースプレート
55 主走査機構
9 制御部
902 フォーカス制御部
FL1 ピント位置(焦点位置)
W 基板
Claims (7)
- パターン露光装置であって、
感光材料を保持する保持部と、
前記感光材料に向けてパターン光を出力する露光ヘッドと、
前記保持部に保持された前記感光材料の位置を測定する測定部と、
前記感光材料の位置に応じて、前記パターン光の結像位置を調節するフォーカス制御部と、
を備え、
前記露光ヘッドは、
光源から出力された光を空間光変調してパターン光を形成する複数の変調素子を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器から出力されたパターン光の光路に配された第1レンズおよび第2レンズを有し、前記第2レンズが像側テレセントリックである第1結像光学系と、
前記第1結像光学系の前記第2レンズを通過した前記パターン光を集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイを通過した前記パターン光の光路に配されており、前記パターン光を結像する第2結像光学系と、
前記第2レンズおよび前記マイクロレンズアレイを前記第1レンズに対して接近又は離隔する方向に移動させるレンズ移動部と、
を有し、
前記フォーカス制御部は、前記レンズ移動部の動作を制御することによって、前記パターン光の前記結像位置を調節する、パターン露光装置。 - 請求項1のパターン露光装置であって、
前記第2結像光学系が、両側テレセントリックである、パターン露光装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のパターン露光装置であって、
前記第1結像光学系が、1倍を超える横倍率で結像する拡大光学系である、パターン露光装置。 - 請求項3のパターン露光装置であって、
複数の前記露光ヘッドを並んだ状態で支持する露光ヘッド支持部、
をさらに備える、パターン露光装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項のパターン露光装置であって、
前記第2結像光学系が、第1結像光学系の横倍率よりも大きい横倍率で結像する拡大光学系である、パターン露光装置。 - パターン光を出力する露光ヘッドであって、
光源から出力された光を空間光変調してパターン光を形成する複数の変調素子を有する空間光変調器と、
前記空間光変調器から出力されたパターン光の光路に配された第1レンズおよび第2レンズを有し、前記第2レンズが像側テレセントリックである第1結像光学系と、
前記第1結像光学系の前記第2レンズを通過した前記パターン光を集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイを通過した前記パターン光の光路に配されており、前記パターン光を結像する両側テレセントリックの第2結像光学系と、
前記第2レンズおよび前記マイクロレンズアレイを前記第1レンズに対して接近又は離隔する方向に移動させるレンズ移動部と、
を備える、露光ヘッド。 - パターン露光方法であって、
(a) 感光材料を保持する工程と、
(b) 前記感光材料に向けてパターン光を出力する工程と、
(c) 前記感光材料の位置を測定する工程と、
(d) 前記(c)工程にて測定された前記感光材料の位置に応じて、前記(b)工程における前記パターン光の結像位置を調節する工程と、
を含み、
前記(b)工程は、
(b-1) 光源から出力された光を複数の変調素子によって空間変調して前記パターン光を形成する工程と、
(b-2) 前記パターン光の光路に配された第1レンズおよび第2レンズを含み、前記第2レンズが像側テレセントリックである第1結像光学系によって、前記パターン光を結像する工程と、
(b-3) 前記(b-1)工程にて前記第1結像光学系の前記第2レンズから出力された前記パターン光を複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイによって集光する工程と、
(b-4) 前記(b-3)工程にて前記マイクロレンズアレイを通過した前記パターン光を第2結像光学系によって結像する工程と、
を含み、
前記(d)工程は、
(d-1) 前記第2レンズおよび前記マイクロレンズアレイを、前記第1レンズに対して接近および離隔する方向に移動させる工程を含む、パターン露光方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016176468A JP6717719B2 (ja) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法 |
TW106121719A TWI641922B (zh) | 2016-09-09 | 2017-06-29 | 圖案曝光裝置、曝光頭、及圖案曝光方法 |
EP17185142.1A EP3293576B1 (en) | 2016-09-09 | 2017-08-07 | Pattern exposure device, exposure head, and pattern exposure method |
KR1020170112653A KR102043501B1 (ko) | 2016-09-09 | 2017-09-04 | 패턴 노광 장치, 노광 헤드 및 패턴 노광 방법 |
CN201710795277.1A CN107807495B (zh) | 2016-09-09 | 2017-09-06 | 图案曝光装置、曝光头以及图案曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016176468A JP6717719B2 (ja) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018041025A true JP2018041025A (ja) | 2018-03-15 |
JP6717719B2 JP6717719B2 (ja) | 2020-07-01 |
Family
ID=59558331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016176468A Active JP6717719B2 (ja) | 2016-09-09 | 2016-09-09 | パターン露光装置、露光ヘッドおよびパターン露光方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3293576B1 (ja) |
JP (1) | JP6717719B2 (ja) |
KR (1) | KR102043501B1 (ja) |
CN (1) | CN107807495B (ja) |
TW (1) | TWI641922B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021012309A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190054815A (ko) * | 2017-11-14 | 2019-05-22 | 삼성전자주식회사 | 마스크리스 노광 방법, 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
CN109991713A (zh) * | 2019-04-05 | 2019-07-09 | 马浩鑫 | 分体式三自由度微透镜阵列支架 |
JP7431532B2 (ja) * | 2019-08-21 | 2024-02-15 | 株式会社Screenホールディングス | 描画方法、および、描画装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005354063A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006261155A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2007101592A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2994968B2 (ja) * | 1994-10-06 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
US6307682B1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-10-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Zoom illumination system for use in photolithography |
JP4057937B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP4244156B2 (ja) | 2003-05-07 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 投影露光装置 |
CN100378487C (zh) * | 2003-08-26 | 2008-04-02 | 索尼株式会社 | 自动聚焦控制方法、自动聚焦控制器和图像处理器 |
JP2006195166A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像露光装置およびマイクロレンズアレイユニット |
JP2006337834A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 露光装置及び露光方法 |
TWI467255B (zh) * | 2006-03-27 | 2015-01-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法 |
JP5357617B2 (ja) | 2009-04-22 | 2013-12-04 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
KR101678039B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2016-11-21 | 삼성전자 주식회사 | 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광에서 노광 시작 위치와 자세를 결정하는 방법 |
CN108387996B (zh) * | 2011-11-11 | 2020-11-03 | 株式会社尼康 | 焦点调节控制装置、摄像装置以及镜头镜筒 |
JP5917923B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-05-18 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 露光光学系、露光装置および露光方法 |
JP2014164027A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Adtec Engineeng Co Ltd | 露光光学系、露光ヘッドおよび露光装置 |
-
2016
- 2016-09-09 JP JP2016176468A patent/JP6717719B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-29 TW TW106121719A patent/TWI641922B/zh active
- 2017-08-07 EP EP17185142.1A patent/EP3293576B1/en active Active
- 2017-09-04 KR KR1020170112653A patent/KR102043501B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-06 CN CN201710795277.1A patent/CN107807495B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005354063A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006261155A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2007101592A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021012309A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
JP7465636B2 (ja) | 2019-07-08 | 2024-04-11 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3293576A3 (en) | 2018-08-01 |
KR102043501B1 (ko) | 2019-12-02 |
EP3293576A2 (en) | 2018-03-14 |
TWI641922B (zh) | 2018-11-21 |
EP3293576B1 (en) | 2023-07-19 |
JP6717719B2 (ja) | 2020-07-01 |
CN107807495A (zh) | 2018-03-16 |
CN107807495B (zh) | 2020-04-17 |
TW201821905A (zh) | 2018-06-16 |
KR20180028934A (ko) | 2018-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102043501B1 (ko) | 패턴 노광 장치, 노광 헤드 및 패턴 노광 방법 | |
JP4486323B2 (ja) | 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置 | |
CN103048885A (zh) | 无掩膜曝光系统及方法 | |
JP4676205B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2010014797A (ja) | マスクレス露光装置 | |
JP2011066087A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2007078764A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2006030966A (ja) | 描画方法および装置 | |
KR102269439B1 (ko) | 노광 장치 | |
JP5801737B2 (ja) | 検査装置、露光装置及び検査方法 | |
JP5209946B2 (ja) | 焦点位置検出方法および描画装置 | |
JP2009210960A (ja) | レーザ直接描画装置 | |
JP2006030791A (ja) | 光学装置 | |
JP7128760B2 (ja) | 露光装置、露光方法およびプログラム | |
KR20160038788A (ko) | 묘화 방법 | |
JP4583827B2 (ja) | 画像形成装置および画像形成方法 | |
WO2022220211A1 (ja) | 描画装置および描画方法 | |
JP2023046529A (ja) | 描画装置 | |
JP2005031232A (ja) | パターン描画装置 | |
KR20240143814A (ko) | 묘화 장치 | |
JP2013165091A (ja) | 描画装置、テンプレート作成装置、および、テンプレート作成方法 | |
KR20100083459A (ko) | 노광 장치 및 그 직각도 측정방법 | |
JP6227347B2 (ja) | 露光装置、および、光学装置 | |
JP2006267472A (ja) | 画像形成装置 | |
JP2006259204A (ja) | パターン描画装置、パターン検査装置、基板、パターン描画方法およびパターン検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6717719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |