JP7128760B2 - 露光装置、露光方法およびプログラム - Google Patents

Description

本発明は、露光装置、露光方法およびプログラムに関する。

下記特許文献１および下記特許文献２には、例えば、空間変調によって形成されたパターン光を感光材料に照射することで、感光材料を所望の２次元のパターンで露光させる、マスクを必要としない露光装置（マスクレス露光装置ともいう）が記載されている。この露光装置は、光源部から出力された光をマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）によって空間変調してパターン光を形成する。このパターン光は、光学系で感光材料上に結像される。

ここで、下記特許文献１では、例えば、光学系が、ＤＭＤで形成されたパターン光を結像する第１結像光学系と、第１結像光学系の結像面に配されたマイクロレンズアレイ（ＭＬＡ）と、ＭＬＡを通過した光を感光材料上に結像する第２結像光学系と、を含む。ＭＬＡは、ＤＭＤのマイクロミラーのそれぞれに対応するように、２次元状に配列された複数のマイクロレンズを有する。

下記特許文献２には、例えば、複数のマイクロレンズが並んでいる方向と走査方向に対応する方向とが所定角度θを成すようにＤＭＤを僅かに傾斜させることで、各マイクロミラーによる露光用のビームの感光材料上での走査軌跡（走査線）のピッチを、ＤＭＤを傾斜させない場合よりも狭くして、露光の解像度を向上させることが記載されている。この場合には、感光材料上において、異なるマイクロミラーによって同一の走査線上の同一箇所で複数回の露光（多重露光ともいう）が行われる。

また、例えば、光源部からの光をロッドインテグレータまたはフライアイインテグレータなどを用いてＤＭＤに均一に照射することで、感光材料上に描画される２次元のパターンの品質の均一性を確保することが考えられる。ただし、ＤＭＤに照射される光は、厳密には完全に均一にはならず、一定量の光量のムラ（光量分布ともいう）を有するため、感光材料に対する露光量の不足が生じる場合がある。また、例えば、ＤＭＤまたはＭＬＡに形状の崩れおよびゴミの付着などによる欠陥（画素欠陥ともいう）が存在していれば、その画素欠陥に応じて感光材料に対する露光量の不足が生じる場合がある。このような場合には、露光量の不足により、露光のムラが生じて、露光パターンにおける品質の均一性に悪影響を及ぼす。

そこで、下記特許文献３には、例えば、ＤＭＤを所定角度θだけ傾斜させた場合に、照明ムラおよび画素欠陥に応じて露光量が低下した画素に合わせるように、１ドットを形成するために通常はＮ回の光の照射による多重露光を行うところ、露光を停止する画素を設けて露光量を調整することで、照明ムラおよび画素欠陥に応じた補正を行うことが記載されている。

特開２００４－３３５６９２号公報 特開２００３－３４５０３０号公報 特開２００４－０１２８９９号公報

しかしながら、上記特許文献３では、多重露光における光の照射回数を減少させて１ドットを形成する露光量を調整するため、光源部から発せられる光の利用効率が低くなる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、露光装置において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部から発せられる光の利用効率を高めることができる技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、第１の態様に係る露光装置は、処理対象物を保持するための保持部と、前記処理対象物にパターン光を照射する露光部と、前記保持部と前記露光部とを走査方向に沿って相対的に移動させる駆動機構と、前記露光部および前記駆動機構の動作を制御する制御部と、を備える。前記露光部は、前記処理対象物に向けて光をそれぞれ発することが可能である、２次元状に配列された複数の発光領域、を有する発光部、を含む。前記制御部は、前記処理対象物における前記走査方向に沿った複数の走査線のそれぞれについて、前記複数の発光領域のうちの一部の発光領域を含む第１領域における前記走査方向に対応する第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって前記処理対象物の同一箇所に光を照射する多重露光を、前記露光部および前記駆動機構によって実行させることが可能であり、前記複数の走査線のうちの一部の走査線について、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域から前記第１方向に飛び出すように位置している第１発光領域および前記第１領域から前記第１方向とは逆の第２方向に飛び出すように位置している第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記同一箇所に光を照射することで前記多重露光における光の照射回数を増加させることが可能である。

第２の態様に係る露光装置は、第１の態様に係る露光装置であって、前記制御部は、前記一部の走査線について、前記２つ以上の発光領域による前記同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たす場合に、前記第１発光領域および前記第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記同一箇所に光を照射することで前記多重露光における光の照射回数を増加させる。

第３の態様に係る露光装置は、第２の態様に係る露光装置であって、前記露光部は、前記第１領域における前記一部の発光領域のそれぞれから前記保持部によって前記処理対象物が保持される位置に至る光の光量を検出するための情報を得るセンサ部、をさらに含む。前記制御部は、前記センサ部で得られた情報に基づいて、前記複数の走査線のそれぞれについて、前記２つ以上の発光領域による前記同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否かを判定する。

第４の態様に係る露光装置は、第１から第３の何れか１つの態様に係る露光装置であって、前記露光部は、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域の外側に位置している発光領域から前記処理対象物に至る光路上に位置している減光フィルタ、をさらに含む。

第５の態様に係る露光装置は、第１から第４の何れか１つの態様に係る露光装置であって、前記露光部は、光源部を含む。前記複数の発光領域は、前記光源部からの光をそれぞれ反射することで前記処理対象物に向けて光をそれぞれ発することが可能である複数の反射部を含む。

第６の態様に係る露光方法は、処理対象物にパターン光を照射する露光部を走査方向に沿って前記処理対象物に対して相対的に移動させて、前記処理対象物の露光を行う露光方法であって、(a)前記処理対象物における前記走査方向に沿った複数の走査線のうちの一部の走査線以外のそれぞれについて、２次元状に配列された複数の発光領域のうちの一部の発光領域を含む第１領域において前記走査方向に対応する第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって、前記処理対象物の第１箇所に光を照射することで、多重露光を行うステップと、(b)前記一部の走査線について、前記第１領域において前記第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって、前記処理対象物の第２箇所に光を照射するとともに、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域から前記第１方向に飛び出すように位置している第１発光領域および前記第１領域から前記第１方向とは逆の第２方向に飛び出すように位置している第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記第２箇所に光を照射することで、多重露光を行うステップと、を有する。

第７の態様に係るプログラムは、露光装置に含まれる処理部によって実行されることで、該露光装置を、第１から第５の何れか１つの態様に係る露光装置として機能させる。

第１から第５の何れの態様に係る露光装置によっても、例えば、発光部の第１領域における複数の発光領域を用いて処理対象物における各走査線上の多重露光を行う際に、第１領域の周囲に位置している発光領域を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、露光装置において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部から発せられる光の利用効率を高めることができる。

第２の態様に係る露光装置によれば、例えば、発光部の第１領域における複数の発光領域を用いて処理対象物における各走査線上の多重露光を行う際に、多重露光で照射される光の光量が足りない部分について、第１領域の周囲に位置している発光領域を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、露光装置において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部から発せられる光の利用効率を高めることができる。

第３の態様に係る露光装置によれば、例えば、センサ部で得られる、第１領域における各発光領域から処理対象物が配置される位置に至る光の光量を検出するための情報に基づいて、多重露光で照射される光の光量が足りない部分について、第１領域の周囲に位置している発光領域を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、露光装置において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部から発せられる光の利用効率を高めることができる。

第４の態様に係る露光装置によれば、例えば、複数の発光領域のうちの第１領域の外側に位置している発光領域から処理対象物に至る光路上に減光フィルタを配置することで、多重露光で照射される光の光量が足りない部分について、光の照射回数の増加によって露光量を細かく調整することができる。これにより、例えば、多重露光における露光量の不足に応じた補正を精度良く行うことができる。

第５の態様に係る露光装置によれば、例えば、光源部からの光を反射するタイプの発光部を用いることで、光源部からの光の強度が大きい場合でも、複数の発光領域において吸収されるエネルギーが小さくなるため、発光部における温度の上昇に起因する熱膨張が生じにくい。これにより、例えば、処理対象物における露光の精度が低下しにくい。

第６の態様に係る露光方法によれば、例えば、第１の態様に係る露光装置と同様な効果が得られる。

第７の態様に係るプログラムによれば、例えば、第１から第５の何れか１つの態様に係る露光装置と同様な効果が得られる。

図１は、第１実施形態に係る露光装置の一例を示す側面図である。 図２は、第１実施形態に係る露光装置の一例を示す平面図である。 図３は、第１実施形態に係る露光ユニットおよびセンサ部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図４は、第１実施形態に係る露光ヘッドおよびセンサ部の構成の一例を示す概略側面図である。 図５（ａ）は、第１実施形態に係る光源部の構成の一例を示す概略側面図である。図５（ｂ）は、第１実施形態に係る光源部の構成の一例を示す概略平面図である。 図６（ａ）は、第１実施形態に係るデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成の一例を示す概略正面図である。図６（ｂ）は、第１実施形態に係るＤＭＤの複数のマイクロミラーの区分けの一例を示す概略正面図である。 図７は、第１実施形態に係るＤＭＤの第１領域における複数のマイクロミラーの配列状態の一例を示す概略正面図である。 図８は、第１実施形態に係る露光装置のバス配線の一例を示すブロック図である。 図９は、パターン露光を行っている複数の露光ヘッドの一例を示す概略斜視図である。 図１０は、第１領域の複数の発光領域による多重露光の一例を説明するための図である。 図１１は、多重露光における光の照射回数を増加させる一例を説明するための図である。 図１２は、第１実施形態に係る露光装置における各走査線の同一箇所に対する光の照射回数の設定についての動作フローの一例を示す流れ図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、第１実施形態に係る露光装置における露光方法についての動作フローの一例を示す流れ図である。 図１４（ａ）は、第２実施形態に係るＤＭＤの構成の一例を示す概略正面図である。図１４（ｂ）は、第２実施形態に係るＤＭＤの複数の発光領域の区分けの一例を示す概略正面図である。 図１５は、第２実施形態に係るＤＭＤの第１領域における複数の発光領域の配列状態の一例を示す概略正面図である。 図１６は、第２実施形態に係る複数の発光領域による多重露光の一例を説明するための図である。

以下、各実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係などは正確に図示されたものではない。図１から図３、図５（ａ）から図７、図９から図１１および図１４（ａ）から図１６のそれぞれには、右手系のＸＹＺ座標系が付されている。このＸＹＺ座標系では、露光装置１０の主走査方向がＹ軸方向とされ、露光装置１０の副走査方向がＸ軸方向とされ、Ｘ軸方向とＹ軸方向との両方に直交する垂直方向がＺ軸方向とされている。具体的には、重力方向（鉛直方向）が－Ｚ方向とされている。また、図６（ａ）から図７、図１０、図１１および図１４（ａ）から図１６のそれぞれには、互いに直交するｘ軸およびｙ軸が付されている。ここでは、空間光変調器８２０としてのＤＭＤにおいて複数のマイクロミラーＭ１が配列されている第１の方向（第１配列方向ともいう）がｘ軸方向とされ、このＤＭＤにおいて複数のマイクロミラーＭ１が配列されている第２の方向（第２配列方向ともいう）がｙ軸方向とされている。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．露光装置＞
図１は、第１実施形態に係る露光装置１０の概略的な構成の一例を示す側面図である。図２は、第１実施形態に係る露光装置１０の概略的な構成の一例を示す平面図である。

露光装置１０は、処理対象物に、ＣＡＤデータなどに応じて空間変調したパターン光（描画光）を照射して、パターンを露光（描画）する装置（パターン露光装置ともいう）である、直描型の描画装置である。処理対象物には、例えば、レジストなどの感光材料の層が形成された基板Ｗなどが適用される。基板Ｗには、例えば、半導体基板、プリント基板、液晶表示装置などに具備されるカラーフィルタ用基板、液晶表示装置またはプラズマ表示装置などに具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板ならびに太陽電池パネル用基板などが含まれる。以下の説明では、基板Ｗが、長方形状の基板であるものとする。基板Ｗに露光（描画）されるパターンには、例えば、回路パターンが適用される。

露光装置１０は、例えば、基台１５および支持フレーム１６を備えている。支持フレーム１６は、例えば、基台１５上に位置し、基台１５をＸ軸方向に沿って横断している状態にある門型状の形状を有する。また、露光装置１０は、例えば、ステージ４、ステージ駆動機構５、ステージ位置計測部６、露光部８および制御部９を備えている。

＜ステージ４＞
ステージ４は、基板Ｗを保持するための部分（保持部ともいう）である。ステージ４は、例えば、基台１５の上に位置している。具体的には、ステージ４は、例えば、平板状の外形を有する。この場合、ステージ４は、例えば、平坦な上面の上に水平に沿った姿勢で載置された基板Ｗを保持することができる。ここで、例えば、ステージ４の上面に複数の吸引孔（図示省略）が存在していれば、ステージ４は、これらの複数の吸引孔に負圧（吸引圧）を形成することで、ステージ４の上面に基板Ｗを固定した状態で保持することができる。

＜ステージ駆動機構５＞
ステージ駆動機構５は、例えば、ステージ４を基台１５に対して移動させることができる。これにより、ステージ駆動機構５は、例えば、ステージ４を露光部８に対して相対的に移動させることができる。ステージ駆動機構５は、例えば、基台１５上に位置している。ステージ駆動機構５は、例えば、回転機構５１、支持プレート５２および副走査機構５３を有する。回転機構５１は、例えば、ステージ４を回転方向（Ｚ軸周りの回転方向（θ方向））に回転させることができる。支持プレート５２は、例えば、回転機構５１を介してステージ４を支持している。副走査機構５３は、例えば、支持プレート５２を副走査方向（Ｘ軸方向）に移動させることができる。これにより、ステージ駆動機構５は、例えば、副走査方向に沿ってステージ４を露光部８に対して相対的に移動させることができる。また、ステージ駆動機構５は、例えば、ベースプレート５４および主走査機構５５を有する。ベースプレート５４は、例えば、副走査機構５３を介して支持プレート５２を支持している。主走査機構５５は、例えば、ベースプレート５４を主走査方向（Ｙ軸方向）に移動させることができる。これにより、ステージ駆動機構５は、例えば、主走査方向に沿ってステージ４を露光部８に対して相対的に移動させることができる。

具体的には、回転機構５１は、例えば、ステージ４の上面（基板Ｗが載置される被載置面）の中心を通り、この被載置面に垂直な仮想の回転軸Ａを中心としてステージ４を回転させることができる。回転機構５１の構成としては、例えば、回転軸部５１１および回転駆動部（例えば、回転モータ）５１２とを含む構成が採用され得る。この場合には、回転軸部５１１は、鉛直方向（－Ｚ方向）に沿って延在している状態にある。回転軸部５１１の上端は、例えば、ステージ４の裏面側に固定されている状態にある。回転駆動部５１２は、例えば、回転軸部５１１の下端を回転自在に保持している状態にあり、回転軸部５１１を回転させることができる。このような構成によれば、例えば、回転駆動部５１２による回転軸部５１１の回転に応じて、ステージ４が水平面内で回転軸Ａを中心として回転し得る。ここでは、例えば、回転機構５１を設ける代わりに、後述するパターンデータ９６０にアフィン変換などの公知の回転補正を施すことで回転方向の位置合わせなどを行っても良い。

副走査機構５３は、例えば、リニアモータ５３１および一対のガイド部材５３２を有する。リニアモータ５３１は、例えば、支持プレート５２の下面に取り付けられた状態で位置している移動子と、ベースプレート５４の上面に敷設された状態で位置している固定子と、を有する。一対のガイド部材５３２は、例えば、ベースプレート５４の上面に、副走査方向に沿って互いに平行な状態で敷設された状態で位置している。ここで、各ガイド部材５３２と支持プレート５２との間には、例えば、ボールベアリングが位置している。このボールベアリングは、例えば、ガイド部材５３２に対して摺動しながらこのガイド部材５３２の長手方向（副走査方向）に沿って移動することができる。このため、支持プレート５２は、ボールベアリングを介して一対のガイド部材５３２によって支持されている状態にある。これにより、例えば、リニアモータ５３１を動作させると、支持プレート５２は、一対のガイド部材５３２に案内されつつ副走査方向に沿って滑らかに移動し得る。

主走査機構５５は、例えば、リニアモータ５５１および一対のガイド部材５５２を有する。リニアモータ５５１は、例えば、ベースプレート５４の下面に取り付けられた状態にある移動子と、基台１５上に敷設された状態にある固定子と、を有する。一対のガイド部材５５２は、例えば、基台１５の上面に、主走査方向に沿って互いに平行に敷設された状態にある。ここで、各ガイド部材５５２には、例えば、機械の直線運動部を"転がり"を用いてガイドする機械要素部品としてのＬＭガイド（登録商標）を適用することができる。また、各ガイド部材５５２とベースプレート５４との間に、例えば、エアベアリングが位置していれば、ベースプレート５４は一対のガイド部材５５２に対して非接触の状態で支持される。このような構成が採用されれば、例えば、リニアモータ５５１を動作させると、ベースプレート５４は、一対のガイド部材５５２に案内されつつ主走査方向に沿って摩擦を生じずに滑らかに移動し得る。

＜ステージ位置計測部６＞
ステージ位置計測部６は、例えば、ステージ４の位置を計測することができる。ステージ位置計測部６としては、例えば、干渉式のレーザ測長器が採用される。干渉式のレーザ測長器は、例えば、ステージ４の外からステージ４に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光し、この反射光と出射光との干渉に基づいてステージ４の位置（具体的には、主走査方向に沿うＹ方向の位置）を計測することができる。ここでは、例えば、レーザ測長器に代えて、リニアスケールを用いても良い。

＜露光部８＞
露光部８は、例えば、パターン光を形成して、そのパターン光を基板Ｗに照射することができる。露光部８は、例えば、複数の露光ユニット８００およびセンサ部８５０を有する。図３は、第１実施形態に係る露光ユニット８００およびセンサ部８５０の構成を示す概略斜視図である。図４は、第１実施形態に係る露光ヘッド８２およびセンサ部８５０の構成を示す概略側面図である。図４では、ミラー８２５が省略されており、空間光変調器８２０、第１結像光学系８２２、マイクロレンズアレイ部（ＭＬＡ部ともいう）８２４、第２結像光学系８２６およびセンサ部８５０が同一の光軸上に並べられている。露光部８は、例えば、図３でそれぞれ示される複数台（ここでは９台）の露光ユニット８００を有する。ここでは、例えば、露光部８における露光ユニット８００の台数は、９台でなくてもよく、１台以上であってもよい。各露光ユニット８００は、例えば、露光ヘッド８２を有しており、支持フレーム１６によって支持されている。ここでは、支持フレーム１６は、例えば、Ｘ軸方向に並んでいる複数の露光ヘッド８２をそれぞれ含み且つＹ軸方向に並んでいる複数（例えば、２つ）の露光ヘッド８２の列を支持している状態で位置している（図２および図９参照）。

＜光源部８０＞
光源部８０は、例えば、露光部８が基板Ｗに照射するパターン光のもととなる光を発生させることができる。例えば、各露光ユニット８００が、１つの光源部８０を有していてもよいし、複数の露光ユニット８００が、１つの光源部８０を有していてもよい。

図５（ａ）は、第１実施形態に係る光源部８０の構成の一例を示す概略側面図である。図５（ｂ）は、第１実施形態に係る光源部８０の構成の一例を示す概略平面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）で示されるように、光源部８０は、例えば、光源８０ａと、照明光学系８０ｂと、を有する。

光源８０ａは、例えば、複数の半導体レーザＬＤ１を有する。ここで、複数の半導体レーザＬＤ１は、例えば、図５（ａ）で示されるように鉛直方向（－Ｚ方向）に並んでいてもよいし、図５（ｂ）で示されるように水平方向（Ｘ軸方向）に並んでいてもよい。複数の半導体レーザＬＤ１は、それぞれレーザ光を発する。

照明光学系８０ｂは、例えば、コリメートレンズアレイ８０ｂ１、集光レンズ８０ｂ２およびロッドインテグレータ８０ｂ３を有する。

コリメートレンズアレイ８０ｂ１は、例えば、複数のコリメートレンズＣＬ１が配列された部分である。マイクロレンズアレイ８０ｂ１には、例えば、各半導体レーザＬＤ１から発せられる光を平行光にするコリメートレンズとしての機能をそれぞれ有する複数の微小なレンズ（マイクロレンズ）が一体的に構成されたものが適用される。集光レンズ８０ｂ２は、例えば、各半導体レーザＬＤ１から発せられてマイクロレンズで平行光とされたレーザ光をロッドインテグレータ８０ｂ３の第１端面Ｅｆ１に対して集光する。

ロッドインテグレータ８０ｂ３は、例えば、第１端面Ｅｆ１から入射される光を内部で複数回反射させることで、ロッドインテグレータ８０ｂ３の第２端面（不図示）から出射される光を、光軸に垂直な断面における強度分布が略均一な光とすることができる。これにより、照明光学系８０ｂは、光源８０ａから出力された光（スポットビーム）を、光軸に垂直な断面における強度分布が略均一な光とすることができる。ここでは、ロッドインテグレータ８０ｂ３の代わりに、例えば、フライアイレンズなどのその他の構成によって、光軸に垂直な断面における強度分布が略均一な光とされてもよい。

光源部８０から出力された光は、露光ヘッド８２に入力される。ここで、例えば、１つの光源部８０から出力されるレーザ光が、複数のレーザ光に分割されて、複数の露光ヘッド８２に入力されてもよい。

＜露光ヘッド８２＞
露光ヘッド８２は、例えば、空間光変調器８２０、第１結像光学系８２２、ＭＬＡ部８２４、ミラー８２５および第２結像光学系８２６を有する。また、露光ヘッド８２は、例えば、測定器８４を有していてもよい。

第１実施形態では、例えば、図３で示されるように、空間光変調器８２０、第１結像光学系８２２およびＭＬＡ部８２４は、支持フレーム１６の＋Ｚ方向の端部側（上側）に位置している。そして、例えば、第２結像光学系８２６および測定器８４は、支持フレーム１６の＋Ｙ方向の端部側（側方側）に位置している。このような露光ヘッド８２は、例えば、第１の収容ボックス（不図示）に収容されている状態で位置している。この場合には、第１の収容ボックスは、支持フレーム１６の＋Ｚ方向の端部側において＋Ｙ方向に延び、さらに支持フレーム１６の＋Ｙ方向の端部側において－Ｚ方向に延びている状態で位置している。光源部８０は、例えば、第１の収容ボックスの＋Ｚ方向の端部側に固定された状態で位置している第２の収容ボックス８０２内に位置している。ここでは、例えば、光源部８０から－Ｚ方向に出力された光は、ミラー８０４で反射して、空間光変調器８２０に入射する。これにより、例えば、光源部８０から出力される光軸に垂直な断面における強度分布が略均一な光が空間光変調器８２０に照射される。

また、第１実施形態では、図３で示されるように、空間光変調器８２０、第１結像光学系８２２およびＭＬＡ部８２４は、第１結像光学系８２２の光軸８２２ｐに沿った一直線上に位置している。ここで、図３で示されるように、第１結像光学系８２２およびＭＬＡ部８２４を通過したパターン光は、＋Ｙ方向に進んでミラー８２５に照射され、－Ｚ方向に反射する。この反射したパターン光は、第２結像光学系８２６に入射する。このため、例えば、露光ヘッド８２に含まれている構成のうち、一部の構成がＹ軸方向に沿った一直線上に位置し、他の一部の構成がＺ軸方向に沿った一直線上に位置している。換言すれば、例えば、露光ヘッド８２に含まれている複数の構成が、Ｌ字状の経路上に並んでいる。これにより、例えば、露光ヘッド８２に含まれている複数の構成が、Ｚ軸方向に沿った一直線上に位置している場合と比較して、Ｚ軸方向における露光ヘッド８２の高さが低減され得る。その結果、例えば、露光装置１０の高さが低減されて、露光装置１０の設置の自由度が高まり得る。また、このように、露光ヘッド８２に含まれている複数の構成が、Ｌ字状の経路上に並んでいれば、ステージ４上の基板Ｗにおける主走査方向としてのＹ軸方向は、空間光変調器８２０、第１結像光学系８２２およびＭＬＡ部８２４におけるＺ軸方向に対応する。

＜空間光変調器８２０＞
空間光変調器８２０は、例えば、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を有する。図６（ａ）は、第１実施形態に係るＤＭＤの構成の一例を示す概略正面図である。図６（ｂ）は、第１実施形態に係るＤＭＤを構成する複数のマイクロミラーＭ１の区分けの一例を示す概略正面図である。

ＤＭＤは、例えば、２次元状に配列された複数のマイクロミラーＭ１を有する。図６（ａ）の例では、ＤＭＤは、例えば、第１配列方向としての＋ｘ方向および第２配列方向としての＋ｙ方向にそれぞれ並べられるように、２次元状に配列された複数のマイクロミラーＭ１を有する。ＤＭＤには、例えば、多数（例えば、１９２０×１０８０＝１９６６０８０）個のマイクロミラーＭ１がメモリセル上にマトリックス状に配列された空間変調素子が適用される。ここでは、例えば、＋ｘ方向に１９２０個のマイクロミラーＭ１が配列され、＋ｙ方向に１０８０個のマイクロミラーＭ１が配列されている態様が考えられる。ここで、例えば、ＤＭＤにおける＋ｘ方向および＋ｙ方向のそれぞれに沿ったマイクロミラーＭ１の個数は、適宜変更されてもよい。

ＤＭＤは、例えば、光源部８０からの入射光のうち、基板Ｗに対する描画に用いるパターン光の形成に必要な光（必要光ともいう）と、パターン光の形成に必要でない光（不必要光ともいう）とを、互いに異なる方向に反射する。これにより、ＤＭＤは、入射光を空間変調することができる。換言すれば、ＤＭＤは、例えば、基板Ｗに向けて光をそれぞれ発することが可能である複数のマイクロミラーＭ１を有する部分（発光部ともいう）である。ここで、複数のマイクロミラーＭ１は、例えば、基板Ｗに向けて光をそれぞれ発する複数の領域（発光領域ともいう）としての役割を果たす。ここでは、複数のマイクロミラーＭ１は、光源部８０からの光をそれぞれ反射することで基板Ｗに向けて光をそれぞれ発することが可能である複数の反射部である。このように、例えば、光源部８０からの光を反射するタイプの空間光変調器８２０を用いれば、光源部８０からの光の強度が大きい場合でも、複数のマイクロミラーＭ１において吸収されるエネルギーが小さくなる。このため、例えば、空間光変調器８２０における温度の上昇に起因する熱膨張が生じにくい。これにより、例えば、基板Ｗに対する露光の精度が低下しにくい。

ここで、各マイクロミラーＭ１は、例えば、マイクロミラーＭ１側から平面視した場合に、１辺が約１０．８μｍの正方形状である１画素を構成している。このため、ＤＭＤは、マイクロミラーＭ１側から平面視した場合に、例えば、約２ｃｍ×約１ｃｍの矩形状の外形を有する。ＤＭＤでは、例えば、制御部９からの制御信号に基づいて、メモリセルにデジタル信号が書き込まれ、マイクロミラーＭ１のそれぞれが、対角線を中心として所要の角度に傾く。これにより、デジタル信号に応じたパターン光が形成される。

図６（ａ）および図６（ｂ）で示されるように、ＤＭＤは、複数のマイクロミラーＭ１のうちの一部のマイクロミラーＭ１を含む領域（第１領域ともいう）Ａｒ１を有する。換言すれば、ＤＭＤでは、全てのマイクロミラーＭ１によって構成される領域（空間変調領域ともいう）Ａ０の一部が第１領域Ａｒ１となっている。第１領域Ａｒ１に配列された複数のマイクロミラーＭ１は、基板Ｗに照射するパターン光を形成するために通常使用される。換言すれば、第１領域Ａｒ１は、基板Ｗをパターン光で露光させて描画を行うための領域（描画用領域ともいう）である。第１領域Ａｒ１は、例えば、空間変調領域Ａ０のうち、第２配列方向（＋ｙ方向）における中央部分に位置している。

図７は、第１実施形態に係るＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１の配列状態の一例を示す概略正面図である。図７では、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１の位置を、左上を原点とした＋ｘ方向の座標および＋ｙ方向の座標を付した形式であるＭ１（ｘ，ｙ）で示している。図７で示されるように、第１領域Ａｒ１には、例えば、第１配列方向（＋ｘ方向）に並んだ所定数（第１所定数ともいう）ｖ１のマイクロミラーＭ１をそれぞれ含む、所定数（第２所定数ともいう）ｖ２の本数のマイクロミラーＭ１の列Ｇ１が第２配列方向（＋ｙ方向）に並んでいる。第１所定数ｖ１および第２所定数ｖ２は、それぞれ適宜設定される。例えば、第１所定数ｖ１には、１９２０が適用され、第２所定数ｖ２には、４６４が適用される。ここでは、－Ｙ方向に第１領域Ａｒ１を平面視した場合に、マイクロミラーＭ１が、１辺が約１０．８μｍの正方形状であれば、第１領域Ａｒ１は、第１配列方向（＋ｘ方向）に沿った一辺が約２０．７ｍｍであり且つ第２配列方向（＋ｙ方向）に沿った一辺が約５．０ｍｍである矩形状の領域である。このような場合には、例えば、図６（ａ）で示されるように、光源部８０から出力された光が、ＤＭＤにおける第１領域Ａｒ１を包含し且つ第１領域Ａｒ１よりも１回り大きなエリア（照射エリアともいう）Ａｐ１に照射される。図６（ａ）では、第１領域Ａｒ１および照射エリアＡｐ１のそれぞれの外縁が太い２点鎖線で描かれている。この照射エリアＡｐ１には、例えば、第１配列方向（＋ｘ方向）に沿った一辺が約２１．０ｍｍであり且つ第２配列方向（＋ｙ方向）に沿った一辺が約６．０ｍｍの矩形状のエリアが適用される。ここでは、例えば、照射エリアＡｐ１が、第１領域Ａｒ１に対して、＋ｘ方向、－ｘ方向、＋ｙ方向および－ｙ方向に１回り大きなエリアであれば、光源部８０から出力された光が第１領域Ａｒ１の全域に確実に照射され得る。この場合には、照射エリアＡｐ１には、第１領域Ａｒ１の＋ｙ方向および－ｙ方向にそれぞれ０．５ｍｍ程度の第１領域Ａｒ１外のエリアが存在する状態となる。

また、図６（ｂ）および図７で示されるように、第１領域Ａｒ１は、例えば、第２配列方向（＋ｙ方向）において互いに逆側に位置している、第１端部および第２端部を有する。第１端部としては、例えば、第１領域Ａｒ１の－ｙ方向の側に位置している第１配列方向（＋ｘ方向）に沿った第１辺Ｓｄ１が採用される。第２端部としては、例えば、第１領域Ａｒ１の＋ｙ方向の側に位置している第１配列方向（＋ｘ方向）に沿った第２辺Ｓｄ２が採用される。また、ＤＭＤは、例えば、第１領域Ａｒ１の周囲に位置している、第１辺Ｓｄ１に沿った領域（第２領域ともいう）Ａｒ２と、第２辺Ｓｄ２に沿った領域（第３領域ともいう）Ａｒ３と、を有する。ここで、例えば、第２領域Ａｒ２は、照射エリアＡｐ１のうち、第１領域Ａｒ１から－ｙ方向にはみ出た領域に設定され、第３領域Ａｒ３は、照射エリアＡｐ１のうち、第１領域Ａｒ１から＋ｙ方向にはみ出た領域に設定される。

第１実施形態では、例えば、基板Ｗにパターンを露光する際に、ＤＭＤを構成する複数のマイクロミラーＭ１のうち、第１領域Ａｒ１を構成する複数のマイクロミラーＭ１を用いる。そして、第１領域Ａｒ１を構成する複数のマイクロミラーＭ１のうちの１つ以上のマイクロミラーＭ１について、基板Ｗに対する露光量を低下させる不具合がある場合には、第１領域Ａｒ１に隣接する第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３における１つ以上のマイクロミラーＭ１を用いて、露光量の低下を補う。このため、例えば、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３を含む領域を、基板Ｗに対する露光量を補正するための領域（補正用領域ともいう）Ａｒ１０として用いる。

また、第１実施形態では、ＤＭＤは、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿った仮想線が、Ｙ軸に平行な基準軸Ａｘ０を中心として、主走査方向に対応する方向（第１方向ともいう）としての＋Ｚ方向に沿った仮想線に対して角度（傾斜角度ともいう）αを成すように傾斜している。ここで、傾斜角度αは、ＤＭＤを構成する複数のマイクロミラーＭ１において、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿ってｎ個（ｎは自然数）進むごとに、Ｘ軸方向においてマイクロミラーＭ１の一辺の長さだけ位置がずれるような角度とされている。ここでは、ｔａｎα＝１／ｎの式が成立する。この場合には、例えば、１つの露光ユニット８００が主走査方向に沿って基板Ｗにパターン光を照射する際に、基板Ｗにおいてパターン光が走査される軌跡（走査軌跡とも走査線ともいう）の本数は、第１領域Ａｒ１の第１配列方向（＋ｘ方向）におけるマイクロミラーＭ１の数である第１所定数ｖ１の約ｎ倍となる。つまり、ＤＭＤの傾斜角度αにより、露光の解像度が約ｎ倍に向上している。

ここで、例えば、第１所定数ｖ１が１９２０であり、自然数ｎが５８である場合を想定する。この場合には、１つの露光ユニット８００が主走査方向に沿って基板Ｗにパターン光を照射する際に、基板Ｗにおける走査線の本数は、例えば、１１１３６０（＝１９２０×５８）本となる。また、ここでは、例えば、１つの露光ユニット８００が第１領域Ａｒ１の複数のマイクロミラーＭ１によって主走査方向に沿って基板Ｗにパターン光を照射すれば、基板Ｗにおける同一の走査線上の同一箇所に、第２所定数ｖ２を自然数ｎで除した値（第３所定数ともいう）ｖ３（＝ｖ２／ｎ）の回数だけパターン光を照射することができる。換言すれば、例えば、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する多重露光を行わせることができる。ここで、例えば、第１所定数ｖ１が１９２０であり、第２所定数ｖ２が４６４であり、自然数ｎが５８であれば、第３所定数ｖ３は８となる。

また、ここでは、補正用領域Ａｒ１０は、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って、ｎ個のマイクロミラーＭ１を有する。このため、補正用領域Ａｒ１０には、例えば、第１配列方向（＋ｘ方向）に並んでいる第１所定数ｖ１のマイクロミラーＭ１をそれぞれ含む、ｎ本のマイクロミラーＭ１の列が第２配列方向（＋ｙ方向）に並んでいる。例えば、第１所定数ｖ１に１９２０が適用され、自然数ｎに５８が適用される。また、補正用領域Ａｒ１０では、例えば、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３のそれぞれにおける第２配列方向（＋ｙ方向）に沿ったマイクロミラーＭ１の数は、互いに同一の数であるｎ／２であってもよいし、互いに異なる数であってもよい。

＜第１結像光学系８２２＞
第１結像光学系８２２は、第１鏡筒８２２０および第２鏡筒８２２２を有する。図４で示されるように、第１鏡筒８２２０は、第１レンズ１０Ｌを保持している状態にある。第２鏡筒８２２２は、第２レンズ１２Ｌを保持している状態にある。第１レンズ１０Ｌおよび第２レンズ１２Ｌは、空間光変調器８２０によって形成されたパターン光の経路上に位置している。図３で示されるように、例えば、第１結像光学系８２２の光軸８２２ｐは、Ｙ軸方向に沿って位置している。ここで、第１レンズ１０Ｌは、例えば、空間光変調器８２０の各マイクロミラーＭ１から出力されたパターン光をＹ軸方向に沿った平行光に整えて第２レンズ１２Ｌに導くことができる。第１レンズ１０Ｌは、例えば、１つのレンズで構成されてもよいし、複数のレンズで構成されてもよい。第２レンズ１２Ｌは、例えば、像側テレセントリックのものであり、第１レンズ１０Ｌからのパターン光を、第２レンズ１２Ｌの光軸８２２ｐに対して平行な状態でＭＬＡ部８２４に導くことができる。ここでは、第１結像光学系８２２には、例えば、空間光変調器８２０で形成されたパターン光を、１倍を超える横倍率（例えば、約２倍）で結像する拡大光学系が適用される。この場合、例えば、第２レンズ１２Ｌの半径は、第１レンズ１０Ｌの半径よりも大きくなっている。第１鏡筒８２２０および第２鏡筒８２２２は、例えば、支持フレーム１６に対して直接的もしくは他の部材を介して間接的に固定されている状態で位置している。他の部材には、例えば、上述した第１の収容ボックスなどが含まれ得る。

＜マイクロレンズアレイ部（ＭＬＡ部）８２４＞
ＭＬＡ部８２４は、マイクロレンズアレイ（ＭＬＡともいう）８２４ａを有する。このＭＬＡ８２４ａは、複数のマイクロレンズＭＬ１を有する。第１実施形態のＭＬＡ８２４ａでは、複数のマイクロレンズＭＬ１が一体的に構成されている状態で位置している。複数のマイクロレンズＭＬ１は、例えば、空間光変調器８２０における複数の発光領域としての複数のマイクロミラーＭ１に対応するようにマトリックス状に配列している状態で位置している。第１実施形態では、第１配列方向（＋ｘ方向）および第２配列方向（＋ｙ方向）のそれぞれにおいて、予め設定された所定のピッチで、複数のマイクロレンズＭＬ１が位置している。そして、空間光変調器８２０における複数の発光領域としての複数のマイクロミラーＭ１のそれぞれが発する光の経路（光路ともいう）上に、マイクロレンズＭＬ１がそれぞれ位置している。これにより、複数のマイクロレンズＭＬ１のそれぞれには、マイクロミラーＭ１が発するビームの１画素分のスポットが形成される。

マイクロレンズアレイ８２４ａで形成される複数のスポット（集光スポットともいう）の配列およびピッチは、マイクロレンズアレイ８２４ａにおける複数のマイクロレンズＭＬ１の配列およびピッチに対応する。ここでは、複数の集光スポットを有して構成されているスポットアレイ８２４ＳＡが形成される。ここで、例えば、空間光変調器８２０で形成された約２０ｍｍ×約６ｍｍのパターン光は、第１結像光学系８２２によって約２倍に拡大されて、像サイズが約４０ｍｍ×約１２ｍｍであるスポットアレイ８２４ＳＡを形成する。ここで、ＤＭＤの各マイクロミラーＭ１からの光は、マイクロレンズＭＬ１によって集光されるため、各マイクロミラーからの光が結ぶスポットのサイズは絞られて小さく保たれる。このため、基板Ｗに投影される像（ＤＭＤ像）の鮮鋭度は高く保たれ得る。

＜第２結像光学系８２６＞
第２結像光学系８２６は、例えば、ＭＬＡ部８２４における複数のマイクロレンズＭＬ１から出射される光の経路上に位置している。この第２結像光学系８２６は、例えば、第１鏡筒８２６０および第２鏡筒８２６２を有する。第１鏡筒８２６０は、例えば、第１レンズ２０Ｌを保持している状態にある。第２鏡筒８２６２は、例えば、第２レンズ２２Ｌを保持している状態にある。第１レンズ２０Ｌおよび第２レンズ２２Ｌは、例えば、Ｚ軸方向に所要の間隔をあけて、支持フレーム１６に対して固定されている状態にある。より具体的には、第１鏡筒８２６０および第２鏡筒８２６２は、例えば、連結部材によって一体に連結されており、これらの鏡筒間の間隔が一定に維持されている。この連結部材としては、例えば、第１鏡筒８２６０および第２鏡筒８２６２を収容する筐体が採用される。第１レンズ２０Ｌは、１つのレンズで構成されてもよいし、複数のレンズで構成されてもよい。

第２結像光学系８２６は、例えば、両側テレセントリックとされている。例えば、第２結像光学系８２６の像側がテレセントリックとされていれば、基板Ｗの感光材料の位置がパターン光の光軸方向にずれても、パターン光の像の大きさが一定となり、高精度での露光が可能である。ここで、例えば、第２結像光学系８２６の物体側もテレセントリックとされていれば、仮に、第１結像光学系８２２の第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４が光軸方向に移動可能であっても、第２結像光学系８２６の像側におけるパターン光の像の大きさが維持されたまま基板Ｗの感光材料の露光を行うことが可能である。

第２結像光学系８２６の第２レンズ２２Ｌには、例えば、１倍を超える横倍率（例えば、約３倍）でパターン光を拡大して結像する拡大光学系が適用される。このとき、第２レンズ２２Ｌの半径は、第１レンズ２０Ｌの半径よりも大きい。このため、例えば、スポットアレイ８２４ＳＡは、第２結像光学系８２６によって約３倍に拡大されて、約１２０ｍｍ×約３６ｍｍの大きさとなり、基板Ｗに投影される。ここでは、基板Ｗの感光材料の上面が、露光ヘッド８２によってパターン光が投影される面（投影面ともいう）ＦＬ１である。

＜露光ヘッド８２によるパターン光の投影＞
上記構成を有する第１実施形態に係る露光ヘッド８２によれば、空間光変調器のＤＭＤによって形成されたパターン光は、第１結像光学系８２２、ＭＬＡ部８２４および第２結像光学系８２６を介して、基板Ｗに投影される。そして、ＤＭＤによって形成されるパターン光は、主走査機構５５によるステージ４の移動に伴って、主走査機構５５のエンコーダー信号を元に作られるリセットパルスによって連続的に変更される。これにより、パターン光が基板Ｗに照射され、ストライプ状の像が形成される（図９参照）。

ここで、例えば、第１結像光学系８２２の第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４を光軸方向（ここでは、Ｙ軸方向）に移動可能に保持するレンズ移動部が存在していてもよい。このレンズ移動部は、例えば、移動プレート、一対のガイドレールおよび移動駆動部を備えて構成され得る。例えば、一対のガイドレールは、例えば、支持フレーム１６上に位置している。移動プレートは、例えば、矩形の板状に形成された部材であって、ガイドレール上に位置している。第２鏡筒８２２２およびＭＬＡ部８２４は、例えば、移動プレートの上面に、Ｙ軸方向に所要の間隔をあけて固定された状態で位置している。このとき、例えば、移動プレートは、移動駆動部からの駆動力を受けて、一対のガイドレールに案内されつつ、Ｙ軸方向に沿って移動することが可能である。これにより、第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４は、第１レンズ１０Ｌに対して近づく方向（－Ｙ方向）および離れる方向（＋Ｙ方向）に移動することができる。移動駆動部は、例えば、リニアモータ式またはボールネジ式の駆動部などで構成される。この移動駆動部は、例えば、制御部９からの制御信号に基づいて移動プレートを移動させることができる。

このように、例えば、第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４が、光軸方向（Ｙ軸方向）に移動可能であれば、図３に示すように、測定器８４が存在していてもよい。測定器８４は、露光ヘッド８２と基板Ｗの表面（投影面ＦＬ１）との間の離間距離を測定することができる。測定器８４は、例えば、第２鏡筒８２６２の下端部、第２結像光学系８２６から離れた位置または支持フレーム１６上に配置される。測定器８４は、例えば、レーザ光を基板Ｗに照射する照射器８４０と、基板Ｗで反射したレーザ光を受光する受光器８４２とを有する。照射器８４０は、例えば、基板Ｗの表面に対する法線方向（ここでは、Ｚ軸方向）に対して所定の角度傾斜した軸に沿って、基板Ｗの上面にレーザ光を照射する。受光器８４２は、例えば、Ｚ軸方向に延びるラインセンサを有し、そのラインセンサ上において基板Ｗの上面で反射したレーザ光の入射位置を検出することができる。これにより、例えば、露光ヘッド８２と基板Ｗの表面（投影面ＦＬ１）との間の離間距離が測定され得る。制御部９は、測定器８４で検出された離間距離に係る信号に応じて、露光ヘッド８２が出力するパターン光の光軸方向における結像位置（ピント位置）を調整することができる。この場合には、例えば、制御部９は、レンズ移動部に制御信号を出力して移動プレートを移動させることで、第２鏡筒８２２２の第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４をＹ軸方向に沿って移動させることができる。

ここで、例えば、基板Ｗの表面（投影面ＦＬ１）のうちの第２結像光学系８２６から出力されるパターン光が照射される位置に測定器８４が近接していれば、露光の直前または露光とほぼ同時に、基板Ｗの表面（投影面ＦＬ１）の高さの変動が測定され得る。このとき、例えば、その測定結果に基づいて、制御部９によってパターン光のピント位置が調整され得る。また、例えば、基板Ｗの表面（投影面ＦＬ１）の各部分の高さを露光前に測定しておき、各部分ごとに露光ヘッド８２が露光するタイミングで制御部９がピント位置を調整してもよい。

＜センサ部８５０＞
センサ部８５０は、例えば、光学系８５１と、センサ８５２と、を有する。光学系８５１およびセンサ８５２は、例えば、空間光変調器８２０から発せられて第１結像光学系８２２および第２結像光学系８２６を通過した光の経路上に位置することができるように配置されている。具体的には、例えば、図３および図４で示されるように、露光ヘッド８２が基板Ｗにパターン光を照射する際に露光ヘッド８２によってパターン光が投影される投影面ＦＬ１が位置する面を仮想基準面とした場合に、センサ部８５０は、仮想基準面を挟んで、露光ヘッド８２とは逆側に位置することができる。センサ部８５０は、例えば、基台１５上において、露光部８の直下からステージ４が退避している状態で、露光ヘッド８２の直下に位置するように配置される。センサ部８５０は、例えば、基台１５の上面に沿って移動可能な状態で基台１５によって保持されていてもよい。この場合には、センサ部８５０は、例えば、リニアモータ、リニアガイドおよびプレートの組合せなどによって、基台１５の上面に沿ってＸ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれに移動可能な構成を有する。

光学系８５１は、例えば、対物レンズおよび結像レンズなどを有する。対物レンズには、例えば、適切な倍率を有するレンズが適用される。結像レンズは、例えば、被写体から対物レンズを介して入射する光をセンサ８５２に結像させることができる。第１実施形態では、光学系８５１は、例えば、空間光変調器８２０のＤＭＤの第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１から発せられる光を、センサ８５２の受光面上に結像させることができる。センサ８５２には、例えば、エリアセンサなどが適用される。エリアセンサは、例えば、２次元状に配列された複数の受光素子を有する。複数の受光素子の２次元状の配列状態としては、例えば、互いに直交する２方向のそれぞれに沿って複数の受光素子が並んでいる状態、または直角とは異なる角度（例えば、６０°など）で交差している２方向のそれぞれに複数の受光素子が並んでいる状態、が考えられる。エリアセンサには、例えば、ＣＣＤなどの撮像素子が適用される。

上記構成を有するセンサ部８５０は、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１から順に発せられる光を受光して、その光をそれぞれ捉えた画像に係る信号（画像信号ともいう）を制御部９に出力することができる。制御部９では、例えば、センサ部８５０から入力される画像信号に基づいて、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１のそれぞれから発せられてセンサ部８５０に至る光の光量を認識することができる。このため、センサ部８５０は、例えば、空間光変調器８２０のＤＭＤの第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１からステージ４によって基板Ｗが保持される位置に至る光の光量を検出するための情報を得ることができる。このようなセンサ部８５０を用いた情報の取得は、例えば、露光装置１０を組み立てたタイミングおよび所定のメンテナンスのタイミングなどの種々のタイミングで実行され得る。

＜制御部９＞
図８は、第１実施形態に係る露光装置１０のバス配線の一例を示すブロック図である。制御部９は、例えば、一般的なコンピュータの構成を有する。制御部９は、中央演算ユニット（ＣＰＵ）９０、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９４および記憶部９６を有する。ＣＰＵ９０は、演算回路としての機能を有する。ＲＡＭ９４は、ＣＰＵ９０の一時的なワーキングエリアとしての機能を有する。記憶部９６には、例えば、不揮発性の記録媒体が適用される。

制御部９は、例えば、露光部８およびステージ駆動機構５の動作を制御することができる。制御部９は、例えば、ステージ駆動機構５の構成要素および露光部８の構成要素などを含む露光装置１０の構成要素と、それぞれバス配線、ネットワーク回線またはシリアル通信回線などで接続されており、各種構成要素の動作を制御する。ステージ駆動機構５の構成要素は、例えば、回転機構５１、副走査機構５３および主走査機構５５を含む。露光部８の構成要素は、例えば、光源部８０（例えば、光源ドライバ）、空間光変調器８２０、測定器８４およびセンサ部８５０などを含む。露光部８の構成要素には、例えば、第２レンズ１２ＬおよびＭＬＡ部８２４を光軸方向（Ｙ軸方向）に移動可能に保持するレンズ移動部が含まれていてもよい。

ＣＰＵ９０は、ＲＯＭ９２内に格納されているプログラム９２０を読み取りつつ実行することで、ＲＡＭ９４または記憶部９６に保存されている各種データについての演算を行う電気回路である。ここでは、処理部としてのＣＰＵ９０によってプログラム９２０が実行されることで、露光装置１０の各種機能を実現する。ここで、例えば、描画制御部９００、光量判定部９１０および照射変更部９１１は、ＣＰＵ９０がプログラム９２０に従って動作することで実現される機能的な要素である。これらの要素の一部または全部は、例えば、論理回路などで実現されてもよい。ここで、例えば、描画制御部９００は、制御部９に接続されている各種構成要素の動作を制御することで、基板Ｗにパターン光（描画光）を照射することができる。ここでは、制御部９は、例えば、描画制御部９００などによって、ＤＭＤのマイクロミラーＭ１のそれぞれを、基板Ｗに向けて光を発する状態（第１状態ともいう）と、基板Ｗに向けて光を発しない状態（第２状態という）と、に選択的に設定することができる。なお、プログラム９２０は、例えばＵＳＢ(Universal Serial Bus)メモリ等の記憶媒体に、制御部９により読み出し可能に記録された状態で提供され、記憶部９６にインストールされる構成であっても良い。

記憶部９６は、例えば、基板Ｗ上に描画すべきパターンを示すパターンデータ９６０を記憶する。パターンデータ９６０には、例えば、ＣＡＤソフトなどで作成されたベクトル形式のデータを、ラスター形式のデータに展開した画像データが適用される。制御部９は、例えば、パターンデータ９６０に基づいて空間光変調器８２０のＤＭＤを制御することで、露光ヘッド８２から出力する光ビームを変調することができる。露光装置１０では、例えば、主走査機構５５のリニアモータ５５１から送られてくるリニアスケール信号に基づいて、変調のリセットパルスが生成され得る。このリセットパルスに基づいて動作する空間光変調器８２０のＤＭＤによって、基板Ｗの位置に応じて変調されたパターン光が、各露光ヘッド８２から出力され得る。第１実施形態では、パターンデータ９６０は、例えば、単一の画像（基板Ｗの全面に形成すべきパターンを示す画像）を示すものであってもよいし、その単一の画像のうちの各露光ヘッド８２が描画を担当する部分の画像を個別に示すものであってもよい。このような動作により、例えば、露光装置１０では、基板Ｗに対して、主走査方向において複数の走査線のそれぞれに沿った露光が行われる。

制御部９には、例えば、表示部９８０および操作部９８２が接続されている。表示部９８０には、例えば、一般的なＣＲＴモニタまたは液晶ディスプレイなどが適用される。この表示部９８０は、各種データに係る画像を表示可能である。操作部９８２は、例えば、各種ボタン、各種キー、マウスおよびタッチパネルの少なくとも何れかで構成され、オペレータが露光装置１０に各種指令を入力する際に操作される。例えば、操作部９８２がタッチパネルを含む場合、操作部９８２が表示部９８０の機能の一部または全部を有していてもよい。

図９は、パターン露光を行っている複数の露光ヘッド８２の一例を示す概略斜視図である。図９で示されるように、複数の露光ヘッド８２は、例えば、複数の列（ここでは、２列）に沿って直線状に並べられた状態で位置している。このとき、２列目の露光ヘッド８２は、例えば、副走査方向（Ｘ軸方向）において、隣接する１列目の２つの露光ヘッド８２の間に位置している。換言すれば、複数の露光ヘッド８２は、千鳥状に並んだ状態で位置している。各露光ヘッド８２の露光エリア８２Ｒは、主走査方向（Ｙ軸方向）に沿った短辺を有する矩形状である。ステージ４のＹ軸方向への移動に伴って、基板Ｗ上には、各露光ヘッド８２について帯状の被露光領域８Ｒが形成される。ここでは、上述したように、例えば、複数の露光ヘッド８２が千鳥状の配列などの相互にずれた配列を有していれば、帯状の被露光領域８ＲがＸ軸方向に隙間なく並び得る。帯状の被露光領域８ＲがＸ軸方向に隙間なく並ぶように構成すれば、副走査方向（Ｘ軸方向）へステージ４を移動させる必要がなくなるため副走査機構５３は不要となる。複数の露光ヘッド８２の配列は、図９に示されるものに限定されない。例えば、隣接する被露光領域８Ｒ間に、露光エリア８２Ｒの長辺の長さの自然数倍の隙間が生じるように、複数の露光ヘッド８２が配列されていてもよい。この場合、露光装置１０は、例えば、Ｙ軸方向の主走査を、Ｘ軸方向に露光エリア８２Ｒの長辺の長さ分ずらしながら複数回行うことで、基板Ｗ上に複数の帯状の被露光領域８Ｒを隙間なく形成することができる。

ここで、上述したように、ＤＭＤが傾斜角度αを成すように傾斜していれば、各露光ヘッド８２は、第１領域Ａｒ１の副走査方向（Ｘ軸方向）の両端部において、走査線に対するマイクロミラーＭ１の数が第２所定数ｖ２よりも少ない部分が生じる。この部分については、例えば、露光装置１０は、相互に隣り合う露光ヘッド８２の間で、各走査線についてマイクロミラーＭ１の数を補い合うことができる。

＜１－２．露光の補正＞
露光装置１０では、例えば、制御部９は、露光部８およびステージ駆動機構５の動作によって、通常は、基板Ｗにおける主走査方向に沿った複数の走査線のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を照射する多重露光を実行させることが可能である。ここでは、例えば、露光装置１０は、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する多重露光を行うことができる。この場合には、例えば、制御部９が、第１領域Ａｒ１に含まれる複数のマイクロミラーＭ１のそれぞれを、第１状態と第２状態とに選択的に設定することで、基板Ｗにおける主走査方向に沿った複数の走査線のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する多重露光を行わせることができる。

図１０は、第１領域Ａｒ１の複数のマイクロミラーＭ１による多重露光の一例を説明するための図である。図１０では、第１領域Ａｒ１のうち、図６（ｂ）の太い２点鎖線で囲まれた部分Ｐｎ１の複数のマイクロミラーＭ１による多重露光の一例が示されている。また、図１０には、第１領域Ａｒ１における基準となる１つのマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０）の中心を通り且つ主走査線に対応するＺ軸に平行な仮想線Ｌｎ１が２点鎖線で描かれている。基準となる１つのマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０）は、第１領域Ａｒ１のうちの最も第１辺Ｓｄ１に近いそれぞれ第１配列方向（＋ｘ方向）に沿ったｎ列のマイクロミラーＭ１に含まれる。このため、数値ｘ０には、例えば、１９２０以下の自然数が適用され、数値ｙ０には、例えば、１からｎの自然数が適用される。

図１０で示されるように、第１領域Ａｒ１には、仮想線Ｌｎ１がそれぞれ中心を通る第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１が存在する。これらの第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１は、－Ｚ方向において順に位置している、基準となる１番目のマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０）、２番目のマイクロミラーＭ１（ｘ０－１，ｙ０＋ｎ）、・・・、ｖ３－１番目のマイクロミラーＭ１（ｘ０－（ｖ３－２），ｙ０＋（ｖ３－２）ｎ）およびｖ３番目のマイクロミラーＭ１（ｘ０－（ｖ３－１），ｙ０＋（ｖ３－１）ｎ）を含む。この場合には、これらの第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する多重露光が行われ得る。

ここで、例えば、第２所定数ｖ２が４６４であり、数値ｘ０が１１００であり、数値ｙ０が１であり、自然数ｎが５８である場合を想定する。この場合には、第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１は、１番目のマイクロミラーＭ１（１１００，１）、２番目のマイクロミラーＭ１（１０９９，５９）、３番目のマイクロミラーＭ１（１０９８，１１７）、４番目のマイクロミラーＭ１（１０９７，１７５）、５番目のマイクロミラーＭ１（１０９６，２３３）、６番目のマイクロミラーＭ１（１０９５，２９１）、７番目のマイクロミラーＭ１（１０９４，３４９）および８番目のマイクロミラーＭ１（１０９３，４０７）を含む８つのマイクロミラーＭ１となる。この場合には、これらの８個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を８回照射する多重露光が行われ得る。

ところで、ここで、例えば、光源部８０からＤＭＤに照射される光が、光量のムラ（光量分布ともいう）を有していれば、基板Ｗにおいて露光量の不足が生じ得る。また、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１およびＭＬＡ８２４ａの何れかに形状の崩れおよびゴミの付着などの欠陥（画素欠陥ともいう）が存在していれば、基板Ｗにおける画素欠陥に対応する位置で露光量の不足が生じ得る。

そこで、第１実施形態に係る露光装置１０では、通常は、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いて基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する。そして、第１実施形態に係る露光装置１０では、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いた露光において露光量が不足する場合には、ＤＭＤのうちの第１領域Ａｒ１の周囲（例えば、補正用領域Ａｒ１０）に位置するマイクロミラーＭ１を用いて、基板Ｗの同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させる。ここでは、例えば、制御部９は、基板Ｗにおける複数の走査線のうちの一部の走査線について、複数のマイクロミラーＭ１のうちの第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１発光領域としての第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）とは逆の第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２発光領域としての第２のマイクロミラーＭ１の少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗにおける同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させることが可能である。

図１１は、補正用領域Ａｒ１０のマイクロミラーＭ１によって多重露光における光の照射回数を増加させる一例を説明するための図である。図１１では、第１領域Ａｒ１および補正用領域Ａｒ１０のうち、図６（ｂ）の太い２点鎖線で囲まれた部分Ｐｎ１に含まれる複数のマイクロミラーＭ１による多重露光の一例が示されている。また、図１１には、図１０と同様に、基準となる１つのマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０）の中心を通り且つＺ軸に平行な仮想線Ｌｎ１が２点鎖線で描かれている。

図１１で示されるように、補正用領域Ａｒ１０には、仮想線Ｌｎ１が中心を通るマイクロミラーＭ１が存在する。図１１の例では、補正用領域Ａｒ１０において仮想線Ｌｎ１が中心を通るマイクロミラーＭ１は、マイクロミラーＭ１（ｘ０－ｖ３，ｙ０＋ｖ３×ｎ）である。この場合には、このマイクロミラーＭ１（ｘ０－ｖ３，ｙ０＋ｖ３×ｎ）によって、基板Ｗの同一箇所に、第１領域Ａｒ１における第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射するとともに、補正用領域Ａｒ１０におけるマイクロミラーＭ１（ｘ０－ｖ３，ｙ０＋ｖ３×ｎ）によって光を照射する多重露光が行われる。

ここで、例えば、第２所定数ｖ２が４６４であり、数値ｘ０が１１００であり、数値ｙ０が１であり、自然数ｎが５８である場合を想定する。この場合には、補正用領域Ａｒ１０において仮想線Ｌｎ１が中心を通るマイクロミラーＭ１は、マイクロミラーＭ１（１０９２，４６５）となる。そして、この場合には、基板Ｗの同一箇所に、第１領域Ａｒ１に含まれる８つのマイクロミラーＭ１によって光を８回照射するとともに、補正用領域Ａｒ１０に含まれる１つのマイクロミラーＭ１によって光を１回照射することで、光の照射回数を９回に増加させた多重露光が行われ得る。このように、例えば、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数が８回から９回に増加されれば、第１領域Ａｒ１による予め設定された８回の光の照射による多重露光における露光量の１／８（＝１２．５％）の露光量が追加され得る。これにより、例えば、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いた露光において露光量が１０％以上不足するような場合において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を効果的に行うことができる。

このとき、露光装置１０では、図６（ｂ）で示されるように、例えば、ＤＭＤのうちの第１領域Ａｒ１に含まれる複数のマイクロミラーＭ１に加えて、第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に突出するように位置している領域Ａｄ２および第１領域Ａｒ１から第２方向（－Ｚ方向）に突出するように位置している領域Ａｄ３の少なくとも一方の領域に含まれるマイクロミラーＭ１を用いて、基板Ｗに対する多重露光を行うことができる。

このようにして、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いて基板Ｗにおける各走査線上の多重露光を行う際に、第１領域Ａｒ１の周囲に位置している通常は使用しないマイクロミラーＭ１を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、露光装置１０において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部８０から発せられる光の利用効率を高めることができる。

ここで、制御部９は、例えば、光量判定部９１０によって、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いた露光において露光量が不足するか否か判定することができる。ここでは、例えば、制御部９は、光量判定部９１０によって、センサ部８５０から入力される画像信号に基づき、基板Ｗにおける露光部８による複数の走査線のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否か判定することができる。換言すれば、例えば、制御部９は、センサ部８５０で得られた情報に基づいて、複数の走査線のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否かを判定することができる。

ここで、上述したように、例えば、第１領域Ａｒ１において、主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１が位置している場合を想定する。この場合には、例えば、制御部９は、光量判定部９１０によって、センサ部８５０から入力される画像信号に基づき、基板Ｗにおける露光部８による複数の走査線のそれぞれについて第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否か判定することができる。換言すれば、例えば、制御部９は、センサ部８５０で得られた情報に基づいて、一部の走査線について第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否かを判定することができる。

この判定は、例えば、次のようにして実行され得る。まず、光量判定部９１０は、例えば、センサ部８５０による撮像で得られた各画像信号に基づいて、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１のそれぞれから発せられてセンサ部８５０に至る光の光量を認識する。次に、光量判定部９１０は、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１のうちの、基板Ｗにおける同一の走査線上の同一箇所に多重露光を行う第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１の各組について、センサ部８５０に至る光の光量の総和を算出する。そして、光量判定部９１０は、例えば、第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１の各組について算出された光の照射光量の総和が、予め設定された所定条件を満たすか否か判定する。所定条件には、例えば、予め設定された照射光量の基準値に対して予め設定された所定の関係を有する条件が適用され得る。所定の関係には、例えば、第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１の各組について算出された光の照射光量の総和が、照射光量の基準値に対して所定割合未満となる関係が適用され得る。ここで、所定割合には、９割などが適用される。

また、制御部９は、例えば、照射変更部９１１によって、基板Ｗにおける複数の走査線のうちの一部の走査線について、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たす場合に、複数のマイクロミラーＭ１のうちの第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）とは逆の第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１の少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗにおける同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。

ここで、上述したように、例えば、第１領域Ａｒ１において、主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１が位置している場合を想定する。この場合には、制御部９は、例えば、照射変更部９１１によって、基板Ｗにおける複数の走査線のうちの一部の走査線について、第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たす場合に、第１領域Ａｒ１の周囲の領域（補正用領域Ａｒ１０）における第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１のうちの少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗにおける一部の走査線の上で同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。ここで、例えば、補正用領域Ａｒ１０における第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に突出するように位置している第１のマイクロミラーＭ１は、第２領域Ａｒ２に含まれる。例えば、補正用領域Ａｒ１０における第１領域Ａｒ１から第２方向（－Ｚ方向）に突出するように位置している第２のマイクロミラーＭ１は、第３領域Ａｒ３に含まれる。

これにより、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いて基板Ｗにおける各走査線上の多重露光を行う際に、多重露光で照射される光の光量が足りない部分について、第１領域Ａｒ１の周囲に位置しているマイクロミラーＭ１を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、ＤＭＤのうちの第１領域Ａｒ１の周囲に照射される光を利用して、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行うことができる。したがって、例えば、露光装置１０において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部８０から発せられる光の利用効率を高めることができる。

また、ここでは、照射変更部９１１は、例えば、光量判定部９１０による判定結果を得ることで、所定条件を満たしている状態か否かを認識することができる。これにより、例えば、センサ部８５０を用いて、第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１から基板Ｗが配置される位置に至る光の光量を検出した結果に応じて、多重露光で照射される光の光量が足りない部分について、第１領域Ａｒ１の周囲に位置している補正用領域Ａｒ１０のマイクロミラーＭ１を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１の周囲に照射される光を利用して、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行うことができる。したがって、例えば、露光装置１０において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部８０から発せられる光の利用効率を高めることができる。

また、ここでは、照射変更部９１１は、例えば、補正用領域Ａｒ１０のうち、基板Ｗに対する多重露光を行うために光を基板Ｗに照射する補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報を、記憶部９６に記憶する。補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報には、例えば、マイクロミラーＭ１の位置を特定する座標（ｘ，ｙ）などが適用される。

そして、制御部９は、例えば、描画制御部９００によって、パターンデータ９６０に基づいて露光ヘッド８２から出力する光ビームを変調して、基板Ｗの露光を行う際に、記憶部９６に記憶されている補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報を参照し、補正用のマイクロミラーＭ１も含めて、パターンデータ９６０に基づいてＤＭＤを制御することができる。このとき、まず、描画制御部９００は、例えば、露光に用いる補正用のマイクロミラーＭ１を認識する。次に、描画制御部９００は、例えば、パターンデータに基づき、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１および補正用のマイクロミラーＭ１を制御するための信号（制御信号ともいう）を生成する。そして、ＤＭＤでは、例えば、制御部９からの制御信号に基づいて、ＤＭＤのうちの補正用のマイクロミラーＭ１も含めた複数のマイクロミラーＭ１に係るメモリセルにデジタル信号が書き込まれ、マイクロミラーＭ１のそれぞれが、対角線を中心として所要の角度に傾くことで、デジタル信号に応じたパターン光が形成される。このようにして形成されるパターン光によって基板Ｗの露光が行われる。これにより、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１の周囲に照射される光を利用して、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行うことができる。

＜１－３．露光装置の動作＞
図１２は、第１実施形態に係る露光装置１０における各走査線の同一箇所に対する光の照射回数の設定についての動作フローの一例を示す流れ図である。本動作フローは、例えば、制御部９が、露光装置１０の各部の動作を制御することで実現される。

図１２のステップＳｐ１では、センサ部８５０が、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１から発せられる光を受光して、その光をそれぞれ捉えた画像に係る画像信号を取得し、ステップＳｐ２に進む。ここで、センサ部８５０で取得された画像信号は、制御部９に送信される。ここでは、センサ部８５０によって、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１からステージ４によって基板Ｗが保持される位置に至る光の光量を検出するための情報が得られる。

ステップＳｐ２では、光量判定部９１０が、判定の対象となる走査線の順番を示す数値ｋを１に設定する。これにより、例えば、＋Ｘ方向におけるｋ本目（ここでは１本目）の走査線が判定の対象とされる。

ステップＳｐ３では、光量判定部９１０が、ｋ本目の走査線について、多重露光に係る照射光量を認識する。ここでは、光量判定部９１０は、例えば、第１領域Ａｒ１のうちのｋ本目の走査線に対応する第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１について、ステップＳｐ１で取得した画像信号に基づき、センサ部８５０に至った光の光量の総和を算出する。

ステップＳｐ４では、光量判定部９１０が、ステップＳｐ３で算出された光量の総和が所定条件を満たすか否か判定する。所定条件には、例えば、予め設定された照射光量の基準値に対して所定割合（例えば、９割）未満となっている条件が適用される。ここでは、ステップＳｐ３で算出された光量の総和が、所定条件を満たせば、ステップＳｐ５に進み、所定条件を満たさなければ、ステップＳｐ６に進む。このステップＳｐ４では、光量判定部９１０は、例えば、ステップＳｐ１においてセンサ部８５０で得られた情報に基づいて、ｋ本目の走査線について２つ以上の第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１による基板Ｗの同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否かを判定する。

ステップＳｐ５では、照射変更部９１１が、ｋ本目の走査線について、多重露光を行うための光の照射回数を増加させる。ここでは、照射変更部９１１は、例えば、補正用領域Ａｒ１０のうち、ｋ本目の走査線に対応する補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報を、記憶部９６に記憶する。これにより、例えば、照射変更部９１１は、基板Ｗにおける露光部８によるｋ本目の走査線について、補正用領域Ａｒ１０における第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１の少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗにおけるｋ本目の走査線上で同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。

ステップＳｐ６では、光量判定部９１０が、判定の対象となる走査線の順番を示す数値ｋが、最大値である数値ｋｍａｘに到達したか否か判定する。つまり、光量判定部９１０が、全ての走査線について判定を行った否かを判定する。数値ｋｍａｘは、例えば、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１の数を規定する第１所定数ｖ１および第２所定数ｖ２ならびにＤＭＤの傾斜角度αに係る自然数ｎに基づき、予め決定される。ここで、数値ｋが、数値ｋｍａｘに到達していなければ、ステップＳｐ７に進み、数値ｋが数値ｋｍａｘに到達していれば、本動作フローを終了する。

ステップＳｐ７では、光量判定部９１０が、判定の対象となる走査線の順番を示す数値ｋを１つ増加させて、ステップＳｐ３に進む。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、第１実施形態に係る露光装置１０における露光方法についての動作フローの一例を示す流れ図である。本動作フローは、例えば、制御部９が、露光装置１０の各部の動作を制御することで実現される。

図１３（ａ）のステップＳｐ１１では、描画制御部９００が、露光に用いる補正用のマイクロミラーＭ１を認識する。ここでは、描画制御部９００は、例えば、記憶部９６に記憶されている補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報を参照することで、補正用のマイクロミラーＭ１を認識することができる。

ステップＳｐ１２では、描画制御部９００が、記憶部９６に記憶されたパターンデータ９６０に基づいて、ＤＭＤの動作を制御するための制御信号を生成する。ここでは、描画制御部９００は、例えば、記憶部９６に記憶されたパターンデータ９６０に基づいて、第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１およびステップＳｐ１１で認識された補正用のマイクロミラーＭ１を制御するための制御信号を生成する。

ステップＳｐ１３では、描画制御部９００が、ステップＳｐ１２で生成された制御信号に基づいて、ＤＭＤの動作を制御することで、ＤＭＤによって形成されるパターン光によって基板Ｗの露光を行う。ここでは、制御部９が、ステージ４に保持される基板Ｗに対して、基板Ｗにパターン光を照射する露光部８を主走査方向に沿って相対的に移動させて、基板Ｗの露光を行う。このとき、図１３（ｂ）で示されるように、ステップＳｐ１３１の処理およびステップＳｐ１３２が適宜行われる。

ステップＳｐ１３１では、描画制御部９００が、ステップＳｐ１２で生成された制御信号に基づき、基板Ｗにおける走査方向（＋Ｙ方向）に沿った複数の走査線のうちの一部の走査線以外のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１において走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの第１の箇所（第１箇所ともいう）に光を照射することで、多重露光を行う。ここで、例えば、第１領域Ａｒ１において、主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１が位置している場合を想定する。この場合には、例えば、描画制御部９００が、ステップＳｐ１２で生成された制御信号に基づき、一部の走査線以外のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１のマイクロミラーＭ１のみを用いて、基板Ｗの同一箇所に対して第３所定数ｖ３の回数の光の照射によって多重露光を実行する。ここでは、例えば、描画制御部９００は、第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１を、基板Ｗに向けて光を発する第１状態と基板Ｗに向けて光を発しない第２状態とに選択的に設定する。これにより、例えば、基板Ｗにおける主走査方向に沿った複数の走査線のうちの一部の走査線以外のそれぞれについて、第１領域Ａｒ１における主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光を第３所定数ｖ３の回数だけ照射する多重露光が実行される。

ステップＳｐ１３２では、描画制御部９００が、ステップＳｐ１２で生成された制御信号に基づき、一部の走査線について、第１領域Ａｒ１において第１方向（＋Ｚ方向）に沿って位置している２つ以上のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの第２の箇所（第２箇所ともいう）に光を照射するとともに、複数のマイクロミラーＭ１のうちの第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）とは逆の第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１の少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、第２箇所に光を照射することで、多重露光を行う。ここで、例えば、第１領域Ａｒ１において、主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿って第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１が位置している場合を想定する。この場合には、例えば、描画制御部９００が、ステップＳｐ１２で生成された制御信号に基づき、一部の走査線について、第１領域Ａｒ１および補正用領域Ａｒ１０のマイクロミラーＭ１を用いて、基板Ｗの同一箇所に対して第３所定数ｖ３よりも多い回数の光の照射によって多重露光を実行する。ここでは、例えば、描画制御部９００は、第１領域Ａｒ１における各マイクロミラーＭ１を、基板Ｗに向けて光を発する第１状態と、基板Ｗに向けて光を発しない第２状態と、に選択的に設定するとともに、補正用領域Ａｒ１０における第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１および第１領域Ａｒ１から第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１の少なくとも１つのマイクロミラーＭ１を、適宜第１状態に設定する。これにより、基板Ｗにおける一部の走査線上における同一箇所に光を照射する回数を第３所定数ｖ３よりも増加させて多重露光を行うことができる。

＜１－４．第１実施形態のまとめ＞
以上のように、第１実施形態に係る露光装置１０によれば、例えば、ＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１を用いて基板Ｗにおける各走査線上の多重露光を行う際に、第１領域Ａｒ１の周囲に位置している通常は露光に使用しないマイクロミラーＭ１を用いて多重露光を行うための光の照射回数を増加させることができる。これにより、例えば、露光装置１０において、多重露光における露光量の不足に応じた補正を行いつつ、光源部８０から発せられる光の利用効率を高めることができる。

＜２．他の実施形態＞
本発明は上述の第１実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。

＜２－１．第２実施形態＞
上記第１実施形態において、例えば、空間光変調器８２０のＤＭＤは、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿った仮想線が、Ｙ軸に平行な基準軸Ａｘ０を中心として、主走査方向に対応する第１方向（＋Ｚ方向）に沿った仮想線に対して傾斜していなくてもよい。

図１４（ａ）は、第２実施形態に係るＤＭＤの構成の一例を示す概略正面図である。図１４（ｂ）は、第２実施形態に係るＤＭＤの複数のマイクロミラーＭ１の区分けの一例を示す概略正面図である。図１５は、第２実施形態に係るＤＭＤの第１領域Ａｒ１における複数のマイクロミラーＭ１の配列状態の一例を示す概略正面図である。図１４（ａ）、図１４（ｂ）および図１５は、それぞれ図６（ａ）、図６（ｂ）および図７の傾斜角度αが０°にされたものである。

図１６は、第２実施形態に係る複数のマイクロミラーＭ１による多重露光の一例を説明するための図である。図１６では、図１０と同様に、第１領域Ａｒ１における基準となる１つのマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０）の中心を通り且つ走査線に対応するＺ軸に平行な仮想線Ｌｎ１が２点鎖線で描かれている。

ここでは、図１４（ａ）、図１４（ｂ）および図１５に示されるように、例えば、第２配列方向（＋ｙ方向）と第２方向（－Ｚ方向）とが一致している。このため、第１領域Ａｒ１において第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って並んでいる第２所定数ｖ２個のマイクロミラーＭ１の全ての中心を仮想線Ｌｎ１が通る。このため、第１領域Ａｒ１において、仮想線Ｌｎ１がそれぞれ中心を通る第３所定数ｖ３個のマイクロミラーＭ１と、第１領域Ａｒ１において第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って並んでいる第２所定数ｖ２個のマイクロミラーＭ１と、が一致している。

ＤＭＤがこのような構成を有する場合には、例えば、制御部９は、補正用領域Ａｒ１０における第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）に飛び出すように位置している第１のマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０－１）および第１領域Ａｒ１から第１方向（＋Ｚ方向）とは逆の第２方向（－Ｚ方向）に飛び出すように位置している第２のマイクロミラーＭ１（ｘ０，ｙ０＋ｖ２）のうちの少なくとも１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗにおける一部の走査線上で同一箇所に多重露光を行うための光の照射回数を増加させてもよい。

＜２－２．その他＞
上記各実施形態において、補正用領域Ａｒ１０は、例えば、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って、自然数ｎのｍ倍（ｍは２以上の自然数）の個数のマイクロミラーＭ１を有していてもよい。この場合には、例えば、補正用領域Ａｒ１０には、第１配列方向（＋ｘ方向）に並んだ第１所定数ｖ１のマイクロミラーＭ１をそれぞれ含む、自然数ｎのｍ倍の本数のマイクロミラーＭ１の列が第２配列方向（＋ｙ方向）に並んでいる。ここで、例えば、自然数ｎに５８が適用される場合には、補正用領域Ａｒ１０は、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って、自然数ｎのｍ倍である、１１６、１７４、・・・個のマイクロミラーＭ１を有する。ここでも、補正用領域Ａｒ１０では、例えば、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３のそれぞれにおける第２配列方向（＋ｙ方向）に沿ったマイクロミラーＭ１の数は、同一の数である（ｎ×ｍ）／２であってもよいし、異なる数であってもよい。このような構成が採用されれば、例えば、補正用領域Ａｒ１０におけるマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数が１回からｍ回まで増加させることができる。これにより、例えば、（１００／ｖ３）％のピッチで露光量を増加させることができる。ここで、例えば、第２所定数ｖ２が４６４で、自然数ｎが５８である場合には、第３所定数ｖ３が８となり、補正用領域Ａｒ１０におけるｍ個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数が、８回から（８＋ｍ）回まで増加させることができる。これにより、１２．５％のピッチで基板Ｗの露光量を増加させることができる。

上記各実施形態において、例えば、露光部８は、ＤＭＤにおける複数のマイクロミラーＭ１のうちの第１領域Ａｒ１の外側に位置しているマイクロミラーＭ１から基板Ｗに至る光路上に位置している減光フィルタ（ＮＤフィルタ）Ｆ１ｎｄを含んでいてもよい。減光フィルタ（ＮＤフィルタ）Ｆ１ｎｄは、入射光を透過させる際に、入射光の一部を透過させることなく、入射光の強度を低減することができる。このような減光フィルタ（ＮＤフィルタ）Ｆ１ｎｄは、例えば、補正用領域Ａｒ１０の各マイクロミラーＭ１から基板Ｗに至る光路上に配置される。この場合には、例えば、ＭＬＡ８２４ａにおける全てのマイクロレンズＭＬ１のうち、補正用領域Ａｒ１０における複数のマイクロミラーＭ１のそれぞれが発する光の経路上に位置している複数のマイクロレンズＭＬ１上に、図３で示されるように、減光フィルタＦ１ｎｄが設けられている態様が考えられる。減光フィルタＦ１ｎｄは、例えば、ＭＬＡ部８２４以外の第１結像光学系８２２および第２結像光学系８２６などに設けられてもよい。ここで、減光フィルタＦ１ｎｄは、例えば、クロム（Ｃｒ）の薄膜などで構成される。減光フィルタＦ１ｎｄは、例えば、マスクを用いた蒸着またはスパッタリングなどの手法で、ＭＬＡ部８２４上に形成され得る。

減光フィルタＦ１ｎｄの光の透過率（Ｔ）は、減光フィルタＦ１ｎｄの厚さなどに応じて調整され得る。ここで、例えば、透過率Ｔを適宜変更することで、補正用領域Ａｒ１０のマイクロミラーＭ１によって追加される露光量を増減させることができる。例えば、補正用領域Ａｒ１０における１つのマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数が８回から９回に増加される場合を想定する。この場合には、仮に減光フィルタＦ１ｎｄが存在していなければ、第１領域Ａｒ１による予め設定された８回の光の照射による多重露光における露光量の１／８（＝１２．５％）の露光量が追加され得る。この場合において、例えば、透過率Ｔを有する減光フィルタＦ１ｎｄが存在していれば、第１領域Ａｒ１による予め設定された８回の光の照射による多重露光における露光量の１／８に透過率Ｔを乗じた露光量が追加され得る。ここで、Ｔが０．１（１０％）であれば、第１領域Ａｒ１による予め設定された８回の光の照射による多重露光における露光量を基準として、露光量を１．２５％の増加させることが可能である。

これにより、例えば、補正用領域Ａｒ１０の各マイクロミラーＭ１から基板Ｗに至る光路上に減光フィルタＦ１ｎｄを配置することで、多重露光における露光量が足りなくなる部分について、光の照射回数の増加による露光量の増加を細かく調整することができる。これにより、例えば、多重露光における露光量の不足に応じた補正を精度良く行うことができる。

ここで、例えば、上述したように、補正用領域Ａｒ１０は、例えば、第２配列方向（＋ｙ方向）に沿って、自然数ｎのｍ倍（ｍは２以上の自然数）の個数のマイクロミラーＭ１を有していれば、補正用領域Ａｒ１０におけるｍ個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数を第３所定数ｖ３（＝ｖ２／ｎ）回から（ｖ３＋ｍ）回まで増加させることで、{（１００／ｖ３）×Ｔ}％のピッチで露光量を増加させることができる。具体的には、第２所定数ｖ２が４６４で、自然数ｎが５８で、透過率Ｔが０．１（１０％）である場合には、第３所定数ｖ３が８となり、補正用領域Ａｒ１０におけるｍ個のマイクロミラーＭ１によって、基板Ｗの同一箇所に光が照射される回数を８回から（８＋ｍ）回まで増加させることができる。これにより、１．２５％のピッチで基板Ｗの露光量を増加させることができる。

上記各実施形態において、例えば、補正用領域Ａｒ１０は、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３のうちの何れか一方の領域で構成されていてもよい。このような構成が採用されても、上記各実施形態と同様な効果が得られる。

上記各実施形態において、複数の発光領域は、ＤＭＤのマイクロミラーＭ１のように光の反射によって光を発するものに限られず、例えば、自発光などの他の形態で光を発するものであってもよい。換言すれば、例えば、発光部としての空間光変調器８２０は、基板Ｗに向けて光をそれぞれ発することが可能であり、２次元状に配列された複数の発光領域を有するものであってもよい。この場合には、空間光変調器８２０には、例えば、第１配列方向（＋ｘ方向）および第２配列方向（＋ｙ方向）にそれぞれ並べられるように２次元状に配列された複数の発光領域を有するものが適用される。ここでも、空間光変調器８２０には、例えば、第１領域Ａｒ１と補正用領域Ａｒ１０とが存在している態様が採用され得る。第１領域Ａｒ１には、例えば、第１配列方向（＋ｘ方向）に並んだ第１所定数ｖ１個の発光領域をそれぞれ含む第２所定数ｖ２本の発光領域の列が第２配列方向（＋ｙ方向）に並んでおり且つ第２配列方向（＋ｙ方向）において互いに逆側に位置している第１配列方向（＋ｘ方向）に沿った第１辺Ｓｄ１および第２辺Ｓｄ２を有する構成が適用される。補正用領域Ａｒ１０には、例えば、第１領域Ａｒ１の周囲における第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３の少なくとも一方を含む構成が適用される。

ここでは、例えば、発光部としての空間光変調器８２０は、光源部８０からの入射光のうちの、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光と、について透過および遮蔽を切り換えることで、入射光を空間変調してもよい。この場合には、例えば、光源部には、自発光を行うバックライトなどが適用される。空間光変調器８２０には、例えば、複数の領域における光の透過と遮蔽とを切り換え可能な透過型の液晶などが適用される。このような構成では、透過型の液晶が、光源部としてのバックライトから入射した光の透過によって光をそれぞれ発する複数の発光領域を有する発光部として機能する。

具体的には、空間光変調器８２０には、ＤＭＤとは異なる構成を有する、例えば、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）またはＰＬＶ（Planar Light Valve）などのその他の空間光変調素子が適用されてもよい。ここでも、例えば、複数の発光領域が、光源部８０からの光をそれぞれ反射することで基板Ｗに向けて光をそれぞれ発することが可能である複数の反射部を含むものであれば、光源部８０からの光の強度が大きい場合でも、複数の発光領域において吸収されるエネルギーが小さくなり、発光部における温度の上昇に起因する熱膨張が生じにくい。これにより、例えば、基板Ｗに対する露光の精度が低下しにくい。

上記各実施形態において、例えば、発光部としての空間光変調器８２０では、第１配列方向（ｘ軸方向）と第２配列方向（ｙ軸方向）とが直交していなくてもよく、第１配列方向（ｘ軸方向）と第２配列方向（ｙ軸方向）とが６０°を成すようにハニカム状に複数の発光領域が配列されたものであってもよい。

上記各実施形態において、露光ユニット８００は、例えば、ＭＬＡ部８２４を有していなくてもよい。

上記各実施形態において、露光装置１０は、センサ部８５０を常時有するものではなく、センサ部８５０が、露光装置１０に後付け可能なものであってもよいし、露光装置１０に脱着可能に装着されるものであってもよい。

上記各実施形態において、例えば、ステージ４を露光部８に対して相対的に移動させる代わりに、ステージ４に対して露光部８を相対的に移動させることが可能であってもよい。換言すれば、例えば、露光装置１０は、基板Ｗを保持する保持部としてのステージ４と、露光部８と、を少なくとも主走査方向に沿って相対的に移動させる駆動機構を有していてもよい。

上記各実施形態において、例えば、制御部９が、照射変更部９１１によって、操作部９８２で入力される信号に応答して、基板Ｗの同一箇所に対する多重露光のための光の照射回数を増加させるための補正用のマイクロミラーＭ１を特定する情報を、記憶部９６に記憶してもよい。

上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

４ ステージ
５ ステージ駆動機構
８ 露光部
９ 制御部
１０ 露光装置
８０ 光源部
９０ ＣＰＵ
８００ 露光ユニット
８２０ 空間光変調器
８５０ センサ部
９００ 描画制御部
９１０ 光量判定部
９１１ 照射変更部
９２０ プログラム
Ａｒ１ 第１領域
Ａｒ１０ 補正用領域
Ａｒ２ 第２領域
Ａｒ３ 第３領域
Ｆ１ｎｄ 減光フィルタ
Ｍ１ マイクロミラー
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 処理対象物を保持するための保持部と、
   前記処理対象物にパターン光を照射する露光部と、
   前記保持部と前記露光部とを走査方向に沿って相対的に移動させる駆動機構と、
   前記露光部および前記駆動機構の動作を制御する制御部と、を備え、
   前記露光部は、前記処理対象物に向けて光をそれぞれ発することが可能である、２次元状に配列された複数の発光領域、を有する発光部、を含み、
   前記制御部は、前記処理対象物における前記走査方向に沿った複数の走査線のそれぞれについて、前記複数の発光領域のうちの一部の発光領域を含む第１領域において前記走査方向に対応する第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって前記処理対象物の同一箇所に光を照射する多重露光を、前記露光部および前記駆動機構によって実行させることが可能であり、前記複数の走査線のうちの一部の走査線について、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域から前記第１方向に飛び出すように位置している第１発光領域および前記第１領域から前記第１方向とは逆の第２方向に飛び出すように位置している第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記同一箇所に光を照射することで前記多重露光における光の照射回数を増加させることが可能である、露光装置。
2. 請求項１に記載の露光装置であって、
   前記制御部は、前記一部の走査線について、前記２つ以上の発光領域による前記同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たす場合に、前記第１発光領域および前記第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記同一箇所に光を照射することで前記多重露光における光の照射回数を増加させる、露光装置。
3. 請求項２に記載の露光装置であって、
   前記露光部は、前記第１領域における前記一部の発光領域のそれぞれから前記保持部によって前記処理対象物が保持される位置に至る光の光量を検出するための情報を得るセンサ部、をさらに含み、
   前記制御部は、前記センサ部で得られた情報に基づいて、前記複数の走査線のそれぞれについて、前記２つ以上の発光領域による前記同一箇所に対する光の照射光量が低下する所定条件を満たすか否かを判定する、露光装置。
4. 請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の露光装置であって、
   前記露光部は、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域の外側に位置している発光領域から前記処理対象物に至る光路上に位置している減光フィルタ、をさらに含む、露光装置。
5. 請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の露光装置であって、
   前記露光部は、光源部を含み、
   前記複数の発光領域は、前記光源部からの光をそれぞれ反射することで前記処理対象物に向けて光をそれぞれ発することが可能である複数の反射部を含む、露光装置。
6. 処理対象物にパターン光を照射する露光部を走査方向に沿って前記処理対象物に対して相対的に移動させて、前記処理対象物の露光を行う露光方法であって、
   (a)前記処理対象物における前記走査方向に沿った複数の走査線のうちの一部の走査線以外のそれぞれについて、２次元状に配列された複数の発光領域のうちの一部の発光領域を含む第１領域において前記走査方向に対応する第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって、前記処理対象物の第１箇所に光を照射することで、多重露光を行うステップと、
   (b)前記一部の走査線について、前記第１領域において前記第１方向に沿って位置している２つ以上の発光領域のそれぞれによって、前記処理対象物の第２箇所に光を照射するとともに、前記複数の発光領域のうちの前記第１領域から前記第１方向に飛び出すように位置している第１発光領域および前記第１領域から前記第１方向とは逆の第２方向に飛び出すように位置している第２発光領域の少なくとも１つの発光領域によって、前記第２箇所に光を照射することで、多重露光を行うステップと、を有する露光方法。
7. 露光装置に含まれる処理部によって実行されることで、該露光装置を、請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載の露光装置として機能させる、プログラム。

Images