JP2022023392A - マーク形成方法、パターン形成方法、及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態では、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の一例として、フラットパネルディスプレイ(FPD)製造用の露光装置によるマーク形成方法を説明する。露光装置は、原版(マスク、レチクル等)を照明し、原版のパターンを基板(ウエハ、ガラス基板等)に露光する装置である。露光装置は、例えば、投影光学系を用いて原版のパターンを、感光剤(レジスト)が塗布された基板に投影して、感光剤に潜像パターンを形成する。
本実施形態のマーク形成の比較例について、図4を参照して説明する。図4は、リング状のアライメントマークを形成する例である。まず初めに、第1照射光である第1パルスP1で基板16を照射することにより、スポットS11を形成する。次に、形成されたスポットS11の少なくとも一部を周方向に重ね合わせて第2照射光である第2パルスP2を照射し、スポットS12を形成する。この工程を繰り返し、照射光を周走査することにより、スポットS13、S14やその後のスポットを形成していく。ここで、照射光の周走査とは、照射光により照射される照射位置が照射開始位置から周方向に移動し、再び照射開始位置に戻るようにループするような走査のことである。
本実施形態におけるマーク形成について、図5を参照して説明する。図5は、円形状のアライメントマークAM2を形成する例である。図5では、アライメントマークAM2の外縁よりも内側の全領域に照射光を照射する例について説明するが、これに限らず、アライメントマークAM2の外縁の内側領域に未照射領域が残っていても良い。
式(1)の条件を満たさない場合には、本実施形態の効果を十分に得られない。例えば、r/Rが1/4より小さい場合には、軌跡C2の周走査で照射した領域と軌跡C3の周走査で照射した領域の重複する面積が少ないため、軌跡C3の周走査で生じるデブリの量を十分に減少させることができない。また、r/Rが3/4より大きい場合には、軌跡C2の周走査を実行した際に生じるデブリがアライメントマークAM2の検出精度の低下に影響を与えてしまうおそれがある。
式(2)の条件を満たす場合には、アライメントマークAM2の検出精度の低下を更に抑制することが期待される。
本実施形態におけるパターン形成処理を説明する。本実施形態におけるパターン形成処理では、基板16へ原版3のパターンを転写する前に、マーク形成部19が転写すべき露光領域の外側に照射光を照射し、位置合わせ用のアライメントマークAMを形成する。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD)を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
16 基板
18 制御部
19 マーク形成部
Claims (17)
- 基板に照射光を照射することにより、前記基板にマークを形成するマーク形成方法であって、
前記照射光の周走査を行い、前記マークが形成される前記基板の予定領域のうち、前記マークの外縁を含まない領域を照射する第1照射工程と、
前記照射光の周走査を行い、前記基板の前記マークが形成される予定領域の外縁を含む領域を照射し、前記マークの形成を完了する第2照射工程と、を含み、
前記第2照射工程では、前記第1照射工程で照射した領域を含むように、前記照射光を照射することを特徴とするマーク形成方法。 - 前記第2照射工程では、第1照射光を照射して形成される第1スポットを含むように、前記第1照射光の後に照射される第2照射光を照射して形成される第2スポットを形成することを特徴とする請求項1に記載のマーク形成方法。
- 前記基板の基板情報に基づいて、前記照射光の照射条件を決定することを特徴とする請求項1又は2に記載のマーク形成方法。
- 前記照射条件は、前記照射光の波長、前記照射光の周方向の重ね合わせ幅、前記照射光の径方向の重ね合わせ幅、前記照射光の照射強度、前記照射光の照射時間、前記周走査中に前記照射光を照射する回数、前記照射光を周走査する回数のうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項3に記載のマーク形成方法。
- 前記基板情報は、パターン形成処理を行う前に取得された情報であることを特徴とする請求項3又は4に記載のマーク形成方法。
- 前記基板情報は、前記基板に構成されている感光剤の材質、厚さ、特性、及び塗布条件のうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記基板に構成されている感光剤の一部を前記照射光で蒸散させることにより形成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記照射光は、前記感光剤が吸収率を持つ波長を含む光であることを特徴とする請求項7に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、円形状のマークであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記照射光は、前記マークの外縁よりも内側の全領域を照射することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記照射光は、パルスレーザー光であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記第1照射工程で前記照射光を周走査して照射した領域の幅をR、前記第1照射工程と前記第2照射工程で前記照射光を周走査して照射した領域のうち重複する領域の幅をrとしたとき、
1/4≦r/R≦3/4
となるように、前記第2照射工程において前記照射光を照射することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のマーク形成方法。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載のマーク形成方法によりマークが形成された基板にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
- 前記マークは、前記リソグラフィ装置でパターンを形成する第1露光領域と、前記リソグラフィ装置とは別のリソグラフィ装置でパターンを形成する第2露光領域との相対位置関係を決定するための位置合わせ用のマークであることを特徴とする請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項13又は14に記載のリソグラフィ装置を用いて前記基板にパターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記リソグラフィ装置とは別のリソグラフィ装置を用いて前記基板にパターンを形成する第2パターン形成工程と、を含むパターン形成方法。 - 請求項15に記載のパターン形成方法により基板を露光する露光工程と、
前記露光工程で露光された前記基板を現像する現像工程と、
前記現像工程で現像された前記基板に対して、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングのうち、少なくとも1つの処理を行う処理工程と、を含み、
前記処理工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 - 請求項15に記載のパターン形成方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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