WO2015098596A1 - 基板処理システム - Google Patents

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WO2015098596A1
WO2015098596A1 PCT/JP2014/083139 JP2014083139W WO2015098596A1 WO 2015098596 A1 WO2015098596 A1 WO 2015098596A1 JP 2014083139 W JP2014083139 W JP 2014083139W WO 2015098596 A1 WO2015098596 A1 WO 2015098596A1
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WO
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exposure
station
substrate
post
wafer
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PCT/JP2014/083139
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French (fr)
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誠司 永原
豪介 白石
志村　悟
吉原　孝介
真一路 川上
勝 友野
精一 田川
大島　明博
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
国立大学法人大阪大学
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Publication date
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    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate.
  • a resist film is formed as a photosensitive film on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a “wafer”), and then the resist film is subjected to an exposure process and a development process.
  • a predetermined resist pattern is formed on the substrate.
  • finer resist patterns In order to realize a finer resist pattern, an exposure process using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has already been put into practical use.
  • EUV light is weak in energy. There is a limit to increasing the sensitivity of the resist film to compensate for this. For this reason, when EUV exposure is adopted, the time for exposing one irradiation region becomes longer, and as a result, the throughput is lowered and the productivity is lowered. Even in EB exposure using EB (electron beam), it takes time to draw a pattern. Therefore, there is a demand for shortening the exposure time required for drawing the pattern and reducing the total processing time. there were.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to suitably form a fine pattern on a substrate while suppressing a decrease in throughput in a photolithography process.
  • the present invention provides a substrate processing system for processing a substrate, a processing station provided with a plurality of processing apparatuses for processing a substrate, and a substrate provided outside the substrate processing system.
  • An exposure apparatus that exposes a pattern on the resist film; an interface station that delivers the substrate directly or indirectly between the substrate processing systems; and a resist on the substrate after the pattern exposure is performed.
  • a light irradiation device that performs post-exposure with UV light on the film, and a post-exposure station that accommodates the light irradiation device and can be adjusted to a reduced pressure or an inert gas atmosphere. It is directly connected to the exposure apparatus or indirectly through a space that can be adjusted to a reduced pressure or inert gas atmosphere.
  • the resist film on the substrate after the pattern exposure is first provided with the light irradiation device that performs the post-exposure with the UV light, for example, the pattern exposure by the low energy exposure.
  • energy can be input supplementarily by irradiation with UV light to decompose the acid generator in the resist film to generate an acid or promote the generation of a radical component. Therefore, the irradiation amount of the light source for pattern exposure can be reduced, and the exposure time can be shortened. For example, the exposure time can be shortened compared to performing exposure processing with a light source having low energy alone, and throughput can be reduced. A fine pattern can be formed while suppressing the decrease.
  • a light irradiation device that performs post-exposure with UV light on the substrate after pattern exposure is housed in a post-exposure station that can be adjusted to a reduced pressure or an inert gas atmosphere. Since it is directly connected to the exposure apparatus or indirectly through a space that can be adjusted to a reduced pressure or an inert gas atmosphere, acid and radicals from the resist film after pattern exposure are lost. It is possible to suitably perform auxiliary exposure with UV light while suppressing activation.
  • a heat treatment apparatus that performs post-exposure heat treatment on the post-exposure substrate is installed in the same atmosphere as the post-exposure station, or the heat treatment space is set in the same atmosphere as the post-exposure station. You may be allowed to.
  • the post-exposure heat treatment called so-called PEB may be performed in the same atmosphere as the post-exposure station.
  • a substrate processing system for processing a substrate, a processing station provided with a plurality of processing apparatuses for processing a substrate, an exposure apparatus for exposing a pattern to the substrate, and the exposure apparatus
  • An interface station that delivers the substrate to and a light irradiation device that performs post-exposure with UV light on the substrate after the exposure of the pattern, and the light irradiation device includes the exposure device It is provided in a section having the same atmosphere as an exposure processing unit that performs pattern exposure processing in the apparatus.
  • a fine pattern can be suitably formed on a substrate while suppressing a decrease in throughput in a photolithography process.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment
  • FIGS. 2 and 3 are schematic diagrams of an internal configuration of the coating and developing treatment system 1, respectively.
  • FIG. 2 is a front view and a rear view, respectively, schematically showing
  • the coating and developing treatment system 1 includes a cassette station 10 in which a cassette Ca containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded, and a processing station having a plurality of various processing devices for performing predetermined processing on the wafers W. 11, an interface station 12 provided adjacent to the processing station 11, a post-exposure station 13 for performing post-exposure on the wafer after pattern exposure, and an interface station 14 connected to the post-exposure station 13.
  • an exposure device 15 that performs pattern exposure on the wafer W is provided adjacently.
  • the interface station 14 delivers the wafer W to and from the exposure apparatus 15.
  • the exposure apparatus 15 is provided with an exposure processing unit 15a that performs pattern exposure with EUV light on the wafer W after resist formation.
  • the cassette station 10 is provided with a plurality of cassette placement plates 21 on which a cassette Ca is placed and a wafer transfer device 23 that is movable on a transfer path 22 extending in the X direction. It has been.
  • the wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and the vertical axis direction ( ⁇ direction), and between the cassette Ca on each cassette mounting plate 21 and a transfer device of a transfer block G3 of the processing station 11 described later. Can transfer the wafer W.
  • the processing station 11 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices.
  • a plurality of liquid processing apparatuses for example, a lower antireflection film that forms an antireflection film (hereinafter referred to as a “lower antireflection film”) below the resist film of the wafer W.
  • Forming device 30 resist coating device 31 for applying a resist solution to wafer W to form a resist film, and upper antireflection film for forming an antireflection film (hereinafter referred to as "upper antireflection film") on the resist film of wafer W
  • the film forming apparatus 32 and the development processing apparatus 33 for developing the wafer W are stacked in, for example, four stages from the bottom.
  • Each of the devices 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups, for example, four cups F1, F2, F3, and F4, which accommodate the wafer W during processing, in this order from the left side to the right side in the horizontal direction.
  • a plurality of wafers W can be processed in parallel.
  • a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment of the wafer W, an adhesion apparatus 41 as a hydrophobic treatment apparatus for hydrophobizing the wafer W, and an outer peripheral portion of the wafer W are exposed.
  • Peripheral exposure devices 42 are arranged side by side in the vertical and horizontal directions.
  • the heat treatment apparatus 40 includes a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment.
  • the processing apparatuses 40 to 42 provided in a stacked manner are divided into modules A, B, C and D in this order from left to right in the horizontal direction.
  • the processing of the wafer W can be performed independently in .about.D.
  • the delivery block G3 is provided with a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 in order from the bottom.
  • the delivery block G4 is provided with a plurality of delivery devices 60, 61, 62 in order from the bottom.
  • a wafer transfer mechanism 70 is provided next to the delivery block G3 on the positive side in the Y direction.
  • the wafer transfer mechanism 70 has a transfer arm that is movable in the Y direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • Wafer inspection devices 71 and 72 are provided on both the X direction positive side and the negative direction side of the wafer transfer mechanism 70 with the wafer transfer mechanism 70 interposed therebetween.
  • Wafer accommodating containers 73 and 74 for accommodating a plurality of wafers W are provided on the Y direction positive direction side of the wafer transfer mechanism 70.
  • the wafer container 73 is disposed near the second block G2, and the wafer container 74 is disposed near the first block G1.
  • the wafer transfer mechanism 70 moves up and down while supporting the wafer W, and moves the wafer W between each transfer device, the wafer inspection devices 71 and 72, and the wafer containers 73 and 74 in the transfer block G3. Can be transported.
  • the wafer inspection apparatus 71 in this embodiment measures the line width of the pattern formed on the wafer W, and the wafer inspection apparatus 72 shows an overlay error between the pattern already formed and the pattern exposed thereafter. Measure.
  • a wafer transfer area Dw is formed in an area between the first block G1 and the second block G2.
  • a plurality of wafer transfer mechanisms 80 are arranged in the wafer transfer area Dw.
  • the wafer transfer mechanism 80 has a transfer arm 80a that is movable in the Y direction, the X direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • the wafer transfer mechanism 80 moves within the wafer transfer region Dw, and the predetermined first transfer device and wafer storage containers 73 and 74 in the transfer block G4 in the interface block 12 and the surrounding first and second blocks G1 and G2.
  • the wafer W can be transferred.
  • the interface station 12 includes the transfer block G4 having the transfer devices 60, 61 and 62, and the wafer transfer mechanism 90 capable of transferring the wafer W to and from the plurality of transfer devices 60, 61 and 62.
  • the wafer transfer mechanism 90 has an arm 90a that is movable in the X direction, the Y direction, the ⁇ direction, and the vertical direction, for example.
  • a load lock chamber 100 is provided at a position accessible by the arm 90a of the wafer transfer mechanism 90 of the interface station 12.
  • a wafer transfer mechanism 101 is provided at a position accessible to the load lock chamber 100. Further, an arm 101a of the wafer transfer mechanism 101 is accessible to the wafer after pattern exposure.
  • a light irradiation device 102 is provided as a device for performing post-exposure.
  • the light irradiation device 102 has the configuration shown in FIG. 4, for example, and a light irradiation that irradiates the wafer W on the mounting table 103 with UV light having a predetermined wavelength on the mounting table 103.
  • Part 104 the light irradiation unit 104 is configured as a so-called batch exposure type apparatus that collectively exposes the entire surface of the resist R on the wafer W, and includes a plurality of light sources 105.
  • UV light is irradiated toward the wafer W.
  • the wavelength of the UV light is, for example, 220 to 280 nm, and more preferably 222 nm, 248 nm, or 254 nm.
  • this example is configured as a so-called batch exposure type apparatus that collectively exposes the entire surface of the resist R on the wafer W.
  • the present invention is not limited to this, and a linear light source is used. It is possible to adopt a configuration in which UV light is scanned on the wafer W by moving or rotating at least one of the wafer W or the light source, and other configurations corresponding to the resist pattern on the wafer W. You may employ
  • the post-exposure station 13 is configured to be airtight, and can be depressurized to a predetermined degree of depressurization, for example, 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 7 Pa by a depressurization device (not shown). Thereby, in UV light irradiation or movement in the post-exposure station 13, it is possible to suppress the deactivation of acids and radicals due to amine components and oxygen contained in a trace amount in the air. From this point, a nitrogen gas supply source (not shown) and an exhaust device (not shown) are appropriately connected to the post exposure station 13 so that the inside of the post exposure station 13 is an inert gas atmosphere, for example, a nitrogen gas atmosphere. You may connect.
  • the interface station 14 connected to the post exposure station 13 is also airtight, and a delivery device 110 having a mounting table or the like is provided at a position accessible by the arm 101 a of the wafer transfer mechanism 101 of the post exposure station 13. Further, a wafer transfer mechanism 112 is provided for transferring the wafer W of the delivery device 110 to and from the load lock chamber 111.
  • the wafer transfer mechanism 112 has an arm 112a.
  • the load lock chamber 111 of the interface station 14 is connected to an exposure apparatus 15 having an exposure processing unit 15 a that performs pattern exposure.
  • the load lock chamber 111 relays between the interface station 14 and the exposure apparatus 15.
  • the exposure processing unit 15a exposes the pattern to the resist on the wafer W with, for example, EUV light having a wavelength of 13.5 nm.
  • EUV light having a wavelength of 13.5 nm.
  • energy is attenuated when there are gas molecules in the atmosphere, and therefore the exposure apparatus 15 is subjected to a predetermined degree of decompression, for example, 10 ⁇ 4 Pa to 10 ⁇ 10 by a decompression device (not shown).
  • the pressure is reduced to -7 Pa.
  • a control unit 300 is provided as shown in FIG.
  • the control unit 300 controls the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and wafer transfer mechanisms based on the processing recipe. Further, the line width of the pattern measured by the wafer inspection apparatus 71 is measured, and when there is a difference between the predetermined line width and an allowable value or more, the value is fed back to the light irradiation apparatus 102, for example, irradiation time, light intensity. Etc. are controlled so that the light irradiation device 102 is controlled to have a predetermined line width.
  • the control unit 300 is configured by a computer including, for example, a CPU and a memory, and can implement a coating process in the coating and developing processing system 1 by executing a program stored in the memory, for example.
  • Various programs for realizing the coating process in the coating and developing system 1 are, for example, a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), and a memory card. Or the like installed in the control unit 300 from the storage medium H is used.
  • the cassette Ca containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 21 of the cassette station 10. Thereafter, the wafers W in the cassette Ca are sequentially taken out by the wafer transfer device 23 and transferred to the delivery block G3 of the processing station 11.
  • the wafer W is transferred to the wafer container 73 by the wafer transfer mechanism 70, for example.
  • the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer mechanism 80, and the temperature is adjusted.
  • the wafer W is transferred to the module A of the lower antireflection film forming apparatus 30 of the first block G1 by the wafer transfer mechanism 80, and a lower antireflection film is formed on the wafer W.
  • the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, and is subjected to heat treatment.
  • the wafer W is transferred to the module A of the adhesion apparatus 41 of the second block G2 and subjected to a hydrophobic treatment. Thereafter, the wafer W is transferred to the module A of the resist coating apparatus 31 by the wafer transfer mechanism 80, and a resist film is formed on the wafer W. In this case, the resist film formed on the wafer W is a so-called photosensitized resist for EUV exposure. Thereafter, the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40 and prebaked.
  • the wafer W is transferred to the module A of the upper antireflection film forming apparatus 32, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40, heated, and temperature-adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the module A of the peripheral exposure apparatus 42 and subjected to peripheral exposure processing.
  • the wafer W is transferred to the delivery block G4, transferred to the load lock chamber 100 of the post exposure station 13 by the wafer transfer mechanism 90 of the interface station 12, and then to the wafer transfer mechanism 101 and the wafer transfer mechanism 112 of the interface station 14. Then, it is transferred to the load lock chamber 111 and then transferred to the exposure device 15.
  • the pattern is exposed to the wafer W by EUV exposure by the exposure processing unit 15a as described above.
  • the wafer W on which the pattern exposure has been completed is transferred to the load lock chamber 111, and after that, the pressure is reduced to the same level as the interface station 14 and the post exposure station 13, and then transferred to the transfer device 110 by the wafer transfer mechanism 112. Next, the wafer is transported to the light irradiation device 102 by the wafer transport mechanism 101.
  • the wafer W that has been subjected to pattern exposure by EUV light is subjected to batch exposure using UV light having a predetermined wavelength.
  • a final resist pattern before the development processing is formed on the wafer W.
  • the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer mechanism 80 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the cup F1 of the development processing device 33 and developed. After completion of the development process, the wafer W is transferred to the module A of the heat treatment apparatus 40 and subjected to a post-bake process.
  • the wafer W is transferred to the wafer container 73.
  • the wafer W is transferred to the wafer inspection devices 71 and 72 by the wafer transfer mechanism 70.
  • the wafer inspection apparatus 71 for example, the line width of the final pattern is measured, and the measurement result is output to the control unit 300. Further, the overlay error is measured for the wafer W transferred to the wafer inspection apparatus 72, and the measurement result is output to the control unit 300.
  • the wafer W that has been exposed to a fine pattern by EUV light is then subjected to UV light by the light irradiation device 102 of the post-exposure station 13. Since the batch exposure is performed, the pattern exposure processing with weak energy is photosensitized so that a resist pattern before development processing with high resolution and improved contrast is formed on the wafer W. Therefore, it is possible to assist the exposure with the EUV light in the exposure apparatus 15, and it is possible to reduce the EUV exposure time and exposure energy by the exposure processing unit of the exposure apparatus 15. Efficient operation is possible, and even in a photolithography process using EUV, it is possible to form a fine pattern on a substrate while suppressing a decrease in throughput.
  • the wafer W that has been exposed to a fine pattern by EUV light is hermetically partitioned from the surroundings, and is collectively exposed in a post-exposure station 13 having a predetermined reduced pressure atmosphere or an inert gas atmosphere in a low oxygen atmosphere. Therefore, it is suitably suppressed that the generated acid or radical is deactivated. Further, since the post exposure station 13 is connected to the exposure apparatus 15 via the interface station 14 having the same atmosphere, the wafer W after the EUV exposure processing can be quickly and optically damaged without damaging the fine pattern by the EUV light. It can be conveyed to the irradiation apparatus 102 and predetermined UV exposure can be performed.
  • the post exposure station 13 is configured as a section adjacent to the interface station 14 having the same atmosphere.
  • the post exposure station 13 is integrated with the interface station 14 having the same atmosphere. You may comprise as one post exposure station thru
  • the wafer W after the batch exposure by the UV exposure is transferred as it is from the interface station 12 that is the atmosphere on the processing station 11 side to the heat treatment apparatus that performs post-exposure baking.
  • a heat treatment apparatus for performing post-exposure baking is provided in the same atmosphere as the post-exposure station 13. Is desirable.
  • the post-exposure station 13 and the interface station 14 have an inert gas atmosphere such as nitrogen gas instead of a vacuum atmosphere.
  • the line width of the pattern measured by the wafer inspection apparatus 71 is measured, and the measurement result is fed back to the light irradiation apparatus 102 via the control unit 300. It is possible to control the irradiation time of the irradiation apparatus 102, the intensity of light, and the like. Thus, it is possible to control more effectively by controlling the UV exposure after pattern exposure by EUV. That is, even if the exposure amount, time, etc. of the exposure device 15 are adjusted, the effect is very small, but the effect is remarkable when the UV light of the light irradiation device 102 is controlled, and therefore more effective and efficient. In addition, for example, the adjustment of the line width of the pattern can be adjusted efficiently.
  • the interface station 12 performs post exposure on the wafer after pattern exposure using UV light, the interface station 14 in the same atmosphere as the post exposure station 13, and the wafer W.
  • the exposure apparatus 15 that performs pattern exposure using EUV light is arranged in series in a straight line, but may be arranged as shown in FIG.
  • the exposure apparatus 15 and the post-exposure station 13 are connected in parallel to the interface station 12 adjacent to the treatment station.
  • the interface station 12 is provided with a wafer transfer device 162 that can move on the transfer path 161 extended in the X direction, like the wafer transfer device 23 of the cassette station 10.
  • the wafer transfer device 162 is configured to be accessible to a delivery block G4, a load lock chamber 111 of the exposure device 15, and a delivery device 163 having a mounting table installed in the post exposure station 13.
  • the interface station 12 is preferably in the same atmosphere as the post-exposure station 13, and considering the throughput and cost, the interface station 12 and the post-exposure station 13 are It is practical to use an inert gas atmosphere, for example, a nitrogen gas atmosphere.
  • an inert gas atmosphere for example, a nitrogen gas atmosphere.
  • the interface station 12 may be an inert gas atmosphere, and the delivery device 163 in the post exposure station 13 may be replaced with the load lock chamber 100 described above. Good.
  • the exposure apparatus 15 having light sources of different wavelengths with respect to one interface station 12, and the post-exposure station 13 containing the light irradiation apparatus 102, however, since they are connected in parallel, one interface station 12 and one wafer transfer device 162 can quickly perform pattern exposure using EUV light and post-exposure processing using UV light, which is extremely efficient. good.
  • the coating and developing processing system 170 that does not have the post-exposure station 13 is provided with an optical device in the exposure device 15 connected to the interface station 12 as shown in FIG.
  • An irradiation device 102 may be installed. That is, in this coating and developing treatment system 170, the wafer transfer device 169 installed in the interface station 12 employs a transfer device that reciprocates in the Y direction, as in the conventional case, and the wafer transfer device 169 is connected to the interface station 12.
  • the transfer block G4 and the transfer device 110 of the exposure apparatus 15 can be accessed.
  • the exposure apparatus 15 is hermetically partitioned into a first section 171 in which the delivery apparatus 110, the wafer transfer mechanism 112, and the load lock chamber 111 are installed, and a second section 172 in a vacuum atmosphere. 102 is installed in the same second section 172 as the exposure processing unit 151a.
  • the existing coating and developing processing system can be used as it is by modifying the inside of the exposure device 15.
  • the exposure apparatus 15 is configured to include the exposure processing unit 15a that performs pattern exposure and performs exposure using EUV light.
  • the exposure apparatus 15 is not limited to this, and exposure by EB, ArF excimer
  • the present invention can also be applied to a configuration of an exposure processing unit that performs exposure using laser light and immersion exposure using ArF excimer laser light.
  • the exposure speed is reduced, but the exposure speed of pattern exposure can be increased. Compensation of the exposure amount by reducing the exposure amount is performed by the light irradiation of the post exposure station 13. This can be done by batch exposure with UV light by the apparatus 102.
  • the time required for the batch exposure by the light irradiation apparatus 102 is much shorter than the time required for the exposure process by EB, the time required for the entire exposure process can be reduced as a whole, and the throughput can be improved. Is possible. Even if exposure using ArF excimer laser light and immersion exposure using ArF excimer laser light are employed for pattern exposure, the total time required for exposure can be reduced and the throughput can be improved.
  • the present invention is useful when constructing a substrate processing system for performing a photolithography process.

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Abstract

　基板を処理する基板処理システムは、基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と基板処理システムとの間で直接的または間接的に基板を受け渡すインターフェイスステーションと、パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対してＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、光照射装置を収容し減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーションと、を有し、ポスト露光ステーションは、露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されている。

Description

基板処理システム
（関連出願の相互参照）
　本願は、２０１３年１２月２７日に日本国に出願された特願２０１３－２７１１５６号、及び２０１４年１１月１８日に日本国に出願された特願２０１４－２３３３７０号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、基板の処理を行う基板処理システムに関するものである。
　半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）等の基板上に、感光性被膜としてレジスト膜が形成され、その後レジスト膜に露光処理及び現像処理を施すことで、基板上に所定のレジストパターンが形成されるが、近年の半導体装置のさらなる高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が求められている。レジストパターンの微細化を実現するために、既に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた露光処理が実用化されている。
　このような露光処理に関し、最近では、より一層のパターンの微細化を実現するために、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ；極端紫外）光を用いた露光処理が提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００６－７８７４４号公報
　しかしながら、ＥＵＶ光はそのエネルギーが弱い。これを補うべくレジスト膜の感度を高くするのにも限界がある。このため、ＥＵＶ露光を採用すると一つの照射領域を露光する時間が長くなり、その結果スループットが落ちることにより生産性が低下してしまう。またＥＢ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ：電子線）を用いたＥＢ露光でも、パターンの描図に時間を要するため、当該パターンの描図に要する露光時間を短くして、トータルの処理時間を短くしたいという要請があった。
　本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することを目的としている。
　前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、直接的または間接的に基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、前記光照射装置を収容し、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーションと、を有し、前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されている。
　本発明によれば、まずパターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置を備えているので、たとえばエネルギーが弱い露光によるパターンの露光の後に、ＵＶ光の照射によって補助的にエネルギーを投入して、レジスト膜中の酸発生剤を分解して酸を発生させたり、ラジカル成分の発生を促進させることができる。したがって、パターンの露光を行う光源の照射量を削減したり、露光の時間を短縮することができ、たとえばエネルギーが弱い光源による露光単独で露光処理を行うのに比べ露光時間を短縮でき、スループットの低下を抑制しつつ微細なパターンを形成できる。しかもパターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置を、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーション内に収容し、このポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されているので、パターンの露光が行なわれた後のレジスト膜からの酸やラジカルを失活させることを抑えて、好適にＵＶ光による補助露光を行うことができる。
　前記ポスト露光後の基板に対して露光処理後の加熱処理を行う熱処理装置は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設置されているか、熱処理を行う処理空間が前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設定されているようにしてもよい。たとえば、いわゆるＰＥＢと呼ばれる露光処理後の加熱処理は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気にて行われるようにしてもよい。
　また別な観点による本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、基板にパターンの露光を行う露光装置と、前記露光装置との間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、前記パターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置とを有し、前記光照射装置は、前記露光装置内でパターンの露光処理を行う露光処理部と同じ雰囲気のセクションに設けられている。
　本発明によれば、フォトリソグラフィー処理において、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを好適に形成することができる。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した正面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した背面図である。 図１の塗布現像処理システムで用いた光照射装置の構成の概略を模式的に示した側面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。 他の実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を模式的に示した平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を模式的に示す説明図、図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、各々正面図、背面図である。
　塗布現像処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣａが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接して設けられたインターフェイスステーション１２、パターン露光後のウェハに対してポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３に接続されたインターフェイスステーション１４を有し、塗布現像処理システム１のインターフェイスステーション１４のＹ方向正方向側には、ウェハＷに対してパターンの露光を行う露光装置１５が隣接して設けられている。インターフェイスステーション１４は、露光装置１５との間でウェハＷの受け渡しを行う。露光装置１５には、レジスト形成後のウェハＷに対して、ＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光処理部１５ａが設けられている。
　カセットステーション１０には、カセット載置台２０上に複数配置された、カセットＣａを載置する複数のカセット載置板２１と、Ｘ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣａと、後述する処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
　処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数の、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３２、ウェハＷを現像処理する現像処理装置３３が、下から順に例えば４段に重ねられている。
　これら第１のブロックＧ１の各装置３０～３３は、処理時にウェハＷを収容する複数のカップ、例えば４台のカップＦ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４を水平方向に左側から右側にこの順で有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。
　例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。図３に示すように積層して設けられた各処理装置４０～４２は、水平方向に左側から右側にこの順でモジュールＡ、モジュールＢ、モジュールＣ及びモジュールＤに分割されており、各モジュールＡ～Ｄにおいて独立してウェハＷの処理を行うことができる。
　受け渡しブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。受け渡しブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
　図１に示すように受け渡しブロックＧ３のＹ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構７０のＸ方向正方向側及び負方向側には、ウェハ検査装置７１、７２がウェハ搬送機構７０を挟んで設けられている。
　ウェハ搬送機構７０のＹ方向正方向側には複数のウェハＷを収容するウェハ収容容器７３、７４が設けられている。ウェハ収容容器７３は第２のブロックＧ２寄りに、ウェハ収容容器７４は第１のブロックＧ１寄りに配置されている。そして、ウェハ搬送機構７０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、受け渡しブロックＧ３内の各受け渡し装置、ウェハ検査装置７１、７２及びウェハ収容容器７３、７４との間でウェハＷを搬送できる。なお、本実施の形態におけるウェハ検査装置７１は、ウェハＷに形成されたパターンの線幅を測定し、ウェハ検査装置７２は既に形成されているパターンとその後に露光されるパターンとのオーバレイ誤差を測定するものである。
　図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の領域には、ウェハ搬送領域Ｄｗが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄｗには、ウェハ搬送機構８０が複数配置されている。ウェハ搬送機構８０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム８０ａを有している。ウェハ搬送機構８０は、ウェハ搬送領域Ｄｗ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２並びにインターフェイスステーション１２にある受け渡しブロックＧ４内の所定の受け渡し装置及びウェハ収容容器７３、７４に対してウェハＷを搬送できる。
　インターフェイスステーション１２には、前記したように、受け渡し装置６０、６１、６２を有する受け渡しブロックＧ４と、これら複数の受け渡し装置６０、６１、６２に対して、ウェハＷを搬入出可能なウェハ搬送機構９０が設けられている。ウェハ搬送機構９０は、例えばＸ方向、Ｙ方向、θ方向及び上下方向に移動自在なアーム９０ａを有している。
　ポスト露光ステーション１３には、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０のアーム９０ａがアクセス可能な位置に、ロードロック室１００が設けられている。そしてこのポスト露光ステーション１３内において、ロードロック室１００とアクセス可能な位置にウェハ搬送機構１０１が設けられ、さらにウェハ搬送機構１０１のアーム１０１ａがアクセス可能な位置に、パターン露光後のウェハに対してポスト露光を行う装置としての、光照射装置１０２が設けられている。
　光照射装置１０２は、たとえば図４に示した構成を有しており、ウェハＷを載置する載置台１０３と、載置台１０３上のウェハＷに対して所定波長のＵＶ光を照射する光照射部１０４とを有している。この例では、光照射部１０４は、ウェハＷ上のレジストＲの全面に対して一括して露光するいわゆる一括露光タイプの装置として構成され、複数の光源１０５を有し、各光源１０５から、各々ＵＶ光がウェハＷに向けて照射される。ＵＶ光の波長は、たとえば２２０～２８０ｎｍであり、２２２ｎｍ、２４８ｎｍ又は２５４ｎｍであることがより好ましい。なお、上記したように、この例では、ウェハＷ上のレジストＲの全面に対して一括して露光するいわゆる一括露光タイプの装置として構成されているが、これに限らず、ライン状の光源を採用して、ウェハＷまたは当該光源の少なくとも一方を移動させたり回転させたりして、ウェハＷ上をＵＶ光が走査する構成であってもよく、その他ウェハＷ上のレジストのパターンに対応して、１ショットずつ照射する構成の光照射装置を採用してもよい。
　ポスト露光ステーション１３は気密に構成され、減圧装置（図示せず）によって、所定の減圧度、例えば１０－４Ｐａ～１０－７Ｐａに減圧可能である。これにより、ＵＶ光照射中やポスト露光ステーション１３内での移動において、空気中に微量に含まれるアミン成分や酸素に起因する、酸、ラジカルの失活を抑制できる。なおかかる点から、ポスト露光ステーション１３内を不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガス雰囲気とするように、適宜窒素ガス供給源（図示せず）や、排気装置（図示せず）をポスト露光ステーション１３と接続してもよい。
　ポスト露光ステーション１３と接続されているインターフェイスステーション１４も気密に構成されており、ポスト露光ステーション１３のウェハ搬送機構１０１のアーム１０１ａがアクセス可能な位置に、載置台等を有する受け渡し装置１１０が設けられ、さらにこの受け渡し装置１１０のウェハＷを、ロードロック室１１１との間で搬送するウェハ搬送機構１１２が設けられている。ウェハ搬送機構１１２はアーム１１２ａを有している。
　インターフェイスステーション１４のロードロック室１１１は、パターンの露光を行う露光処理部１５ａを有する露光装置１５と接続され、ロードロック室１１１はインターフェイスステーション１４と露光装置１５とを中継する。露光処理部１５ａは、たとえば波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光によって、ウェハＷ上のレジストに対して、パターンの露光を行う。かかる低波長の露光処理では、雰囲気中にガス分子があると、エネルギーが減衰するため、露光装置１５内は、減圧装置（図示せず）によって、所定の減圧度、例えば１０－４Ｐａ～１０－７Ｐａに減圧されている。
　以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、処理レシピに基づいて上述の各種処理装置や各ウェハ搬送機構などの駆動系の動作を制御する。またウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅を測定し、所定の線幅と許容値以上の差があるときには、その値を光照射装置１０２にフィードバックして、たとえば照射時間、光の強度等を制御して、所定の線幅となるように光照射装置１０２を制御する。
　なお制御部３００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現できる。なお、塗布現像処理システム１における塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものが用いられている。
　次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの処理方法について、塗布現像処理システム１全体で行われるウェハ処理のプロセスと共に説明する。
　ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣａがカセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣａ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の受け渡しブロックＧ３に搬送される。
　次にウェハＷは、ウェハ搬送機構７０によって例えばウェハ収容容器７３に搬送される。次いでウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され温度調節される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３０のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、加熱処理が行われる。
　その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２のアドヒージョン装置４１のモジュールＡに搬送され、疎水化処理される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によってレジスト塗布装置３１のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。この場合、ウェハＷに形成されるレジスト膜は、ＥＵＶ露光用の、いわゆる光増感型のレジストである。その後ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送されて、プリベーク処理される。
　次にウェハＷは、上部反射防止膜形成装置３２のモジュールＡに搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２のモジュールＡに搬送され、周辺露光処理される。
　次にウェハＷは受け渡しブロックＧ４に搬送され、インターフェイスステーション１２のウェハ搬送機構９０によって、ポスト露光ステーション１３のロードロック室１００へと搬送され、次いでウェハ搬送機構１０１、インターフェイスステーション１４のウェハ搬送機構１１２によって、ロードロック室１１１へと搬送され、その後露光装置１５へと搬送される。露光装置１５では、既述のように、露光処理部１５ａによるＥＵＶ露光によって、ウェハＷに対してパターンの露光がなされる。
　パターンの露光が終了したウェハＷは、ロードロック室１１１へと搬送され、その後インターフェイスステーション１４、ポスト露光ステーション１３と同じ減圧度にされた後、ウェハ搬送機構１１２によって受け渡し装置１１０へと搬送され、次いでウェハ搬送機構１０１によって、光照射装置１０２へと搬送される。
　そして光照射装置１０２では、ＥＵＶ光によってパターンの露光が終了したウェハＷに対して、所定波長のＵＶ光によって、一括露光がなされる。これによって、ウェハＷ上に、現像処理前の最終のレジストパターンが形成される。
　その後ウェハＷは、ウェハ搬送機構８０によって熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、露光後ベーク処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理装置３３のカップＦ１に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０のモジュールＡに搬送され、ポストベーク処理される。
　その後ウェハＷは、ウェハ収容容器７３に搬送される。次いでウェハＷはウェハ搬送機構７０によってウェハ検査装置７１、７２に搬送される。ウェハ検査装置７１では、例えば最終パターンの線幅が測定され、測定結果は、制御部３００に出力される。またウェハ検査装置７２に搬送されたウェハＷに対しては、オーバレイ誤差の測定が行われ、測定結果は制御部３００に出力される。
　以上のように、実施の形態にかかる塗布現像処理システム１によれば、まずＥＵＶ光によって微細なパターンの露光がなされたウェハＷは、その後ポスト露光ステーション１３の光照射装置１０２によるＵＶ光によって、一括露光がなされるので、微弱なエネルギーによるパターン露光処理が、いわぱ光増感されて、解像度が高く、しかもコントラストが向上した現像処理前のレジストパターンがウェハＷ上に形成される。したがって、露光装置１５におけるＥＵＶ光による露光を補助することが可能であり、露光装置１５の露光処理部によるＥＵＶの露光時間、露光エネルギーの低減を図ることが可能であり、スループットの向上、装置の効率の良い運用が可能であり、ＥＵＶを用いたフォトリソグラフィー処理においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板上に微細なパターンを形成することが可能である。
　しかも、ＥＵＶ光によって微細なパターンの露光がなされたウェハＷは、周囲と気密に区画され、所定の減圧雰囲気や、不活性ガス雰囲気とされた低酸素雰囲気のポスト露光ステーション１３内にて一括露光されるので、発生した酸やラジカルが失活してしまうことが好適に抑えられている。またポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４を介して露光装置１５と接続されているので、ＥＵＶ露光処理後のウェハＷを、速やかにかつＥＵＶ光による微細パターンを毀損せずに、光照射装置１０２に搬送して、所定のＵＶ露光を実施することができる。
　なお前記した実施の形態では、ポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４とは隣接したセクションとして構成していたが、もちろんポスト露光ステーション１３は、同一雰囲気のインターフェイスステーション１４とを一体にして、１つのポスト露光ステーション乃至はインターフェイスステーションとして構成してもよい。
　なお前記した実施の形態では、ＵＶ露光によって一括露光された後のウェハＷは、そのまま処理ステーション１１側の雰囲気であるインターフェイスステーション１２から、露光後ベーク処理を行う熱処理装置へと搬送されたが、この種のいわゆる光増感型レジストは、いまだ露光後の状態について解明されていない点があることを考慮し、露光後ベーク処理を行う熱処理装置については、ポスト露光ステーション１３と同一雰囲気に設けることが望ましい。この場合、ポスト露光ステーション１３、インターフェイスステーション１４は、真空雰囲気ではなく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とすることが実用的である。
　また前記した実施の形態では、ウェハ検査装置７１で測定されたパターンの線幅を測定し、測定結果は制御部３００を介して、光照射装置１０２にフィードバックされるので、測定結果に基づいて光照射装置１０２の照射時間、光の強度等を制御することが可能である。このようにＥＵＶによるパターン露光後のＵＶ露光の方を制御することで、より効果的に制御することが可能である。すなわち、露光装置１５のたとえば露光量、時間等を調整しても、その効果は極めて小さいが、光照射装置１０２のＵＶ光を制御するとその効果は顕著であり、したがって、より効果的かつ効率的に、たとえばパターンの線幅等の調整を効率よく調整することができる。
　前記した実施の形態では、インターフェイスステーション１２を介して、パターン露光後のウェハに対してＵＶ光によってポスト露光を行うポスト露光ステーション１３、ポスト露光ステーション１３と同一雰囲気のインターフェイスステーション１４、ウェハＷに対してＥＵＶ光によってパターンの露光を行う露光装置１５が、いわば直線状に直列にむ配置されていたが、図５に示したように配置してもよい。
　すなわち、図５に示した塗布現像処理システム１５１では、処理ステーションに隣接するインターフェイスステーション１２に対して、露光装置１５とポスト露光ステーション１３とが並列に接続されている。この場合、インターフェイスステーション１２には、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３と同様に、Ｘ方向に延伸した搬送路１６１上を移動自在なウェハ搬送装置１６２が設けられる。そしてこのウェハ搬送装置１６２は、受け渡しブロックＧ４、露光装置１５のロードロック室１１１、そしてポスト露光ステーション１３に設置される、載置台等を有する受け渡し装置１６３とアクセス自在に構成されている。
　この場合、既述したように、インターフェイスステーション１２内は、ポスト露光ステーション１３内と同一雰囲気であることがよく、またスループット、コスト等を考慮すれば、インターフェイスステーション１２と、ポスト露光ステーション１３内は不活性ガス雰囲気、たとえば窒素ガス雰囲気とするのが実用的である。もちろん、光照射装置１０２を減圧雰囲気内に設置したい場合には、インターフェイスステーション１２内のみを不活性ガス雰囲気とし、ポスト露光ステーション１３内の受け渡し装置１６３を、前記したロードロック室１００に置き換えてもよい。
　このように図５に示した塗布現像処理システム１５１によれば、１つのインターフェイスステーション１２に対して、異なった波長の光源を有する露光装置１５と、光照射装置１０２を収容したポスト露光ステーション１３とが、並列に接続されているため、１つのインターフェイスステーション１２と１台のウェハ搬送装置１６２とによって、ＥＵＶ光によるパターン露光、ＵＶ光によるポスト露光の処理を速やかに行うことができ、極めて効率が良い。
　また既存の塗布現像処理システムのように、格別、ポスト露光ステーション１３を持たない塗布現像処理システム１７０については、図６に示したように、インターフェイスステーション１２に接続される露光装置１５内に、光照射装置１０２を設置してもよい。すなわち、この塗布現像処理システム１７０においては、インターフェイスステーション１２に設置されるウェハ搬送装置１６９は、従来と同様、Ｙ方向に往復移動する搬送装置が採用され、当該ウェハ搬送装置１６９は、インターフェイスステーション１２の受け渡しブロックＧ４と露光装置１５の受け渡し装置１１０とにアクセス可能である。
　そして露光装置１５内は、受け渡し装置１１０、ウェハ搬送機構１１２、及びロードロック室１１１が設置される第１のセクション１７１と、真空雰囲気の第２のセクション１７２とに気密に区画され、光照射装置１０２は、露光処理部１５１ａと同じ第２のセクション１７２に設置される。
　かかる構成の塗布現像処理システム１６１によれば、露光装置１５内を改変することで、既存の塗布現像処理システムをそのまま使用することができる。
　なお前記した実施の形態の露光装置１５は、パターンの露光を行う露光処理部１５ａをは備えてＥＵＶ光を用いた露光を行う構成であったが、これに限らず、ＥＢによる露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた液浸露光を行う露光処理部の構成であっても本発明は適用できるものである。たとえばＥＢによる露光処理を行う装置を採用した場合、露光量は減ずるもののパターンの露光の描画速度を上げることができ、露光量を減じたことによる露光量の補償は、ポスト露光ステーション１３の光照射装置１０２によるＵＶ光によって、一括露光によってこれを行うことができる。光照射装置１０２による一括露光に要する時間は、ＥＢによる露光処理に要する時間よりもはるかに短いので、トータル的にみれば露光処理全体に要する時間を減少させることができ、スループットを向上させることが可能である。ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いた液浸露光をパターンの露光に採用しても、露光に要するトータル時間を少なくして、スループットを向上させることができる。
　図面を参照してこの発明の実施の形態を説明したが、本発明は、図示した実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一の範囲内において，または均等の範囲内において，図示した実施形態に対して種々の変更を加えることが可能である。
　本発明は、フォトリソ工程を行う基板処理システムを構築する際に有用である。
　　１、１５１、１７０　　塗布現像処理システム
　　１０　カセットステーション
　　１１　処理ステーション
　　１２、１４　インターフェイスステーション
　　１３　ポスト露光ステーション
　　１５　露光装置
　　２０　カセット載置台
　　２１　カセット載置板
　　２２　搬送路
　　２３　ウェハ搬送装置
　　３０　下部反射防止膜形成装置
　　３１　レジスト塗布装置
　　３２　上部反射防止膜形成装置
　　３３　現像処理装置
　　４０　熱処理装置
　　４１　アドヒージョン装置
　　４２　周辺露光装置
　　７０　ウェハ搬送機構
　　７１、７２　ウェハ検査装置
　　８０　ウェハ搬送機構
　　９０　ウェハ搬送機構
　１００、１１１　　ロードロック室
　１０２　光照射装置
　３００　制御部
　　Ｗ　　ウェハ
　　Ｄｗ　　ウェハ搬送領域
　　Ｃａ　　カセット

Claims (10)

  1. 基板を処理する基板処理システムであって、
    基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
    前記基板処理システムの外部に設けられて基板上のレジスト膜にパターンの露光を行う露光装置と、前記基板処理システムの間で、直接的または間接的に基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
    前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置と、
    前記光照射装置を収容し、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能なポスト露光ステーションと、を有し、
    前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と直接的、または減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能な空間を介して間接的に接続されている。
  2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と前記インターフェイスステーションとの間に設けられている。
  3. 請求項２に記載の基板処理システムにおいて、
    前記ポスト露光ステーションと前記露光装置との間に、ポスト露光ステーションと同一雰囲気の他のインターフェイスステーションが設けられている。
  4. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記ポスト露光ステーションは、前記露光装置と並列に前記インターフェイスステーションに接続され、
    前記インターフェイスステーションは、減圧または不活性ガス雰囲気に調整可能である。
  5. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記ポスト露光後の基板に対して露光処理後の加熱処理を行う熱処理装置は、前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設置されているか、熱処理を行う処理空間が前記ポスト露光ステーションと同一雰囲気に設定されている。
  6. 基板を処理する基板処理システムであって、
    基板を処理する複数の処理装置が設けられた処理ステーションと、
    基板にパターンの露光を行う露光装置と、
    前記露光装置との間で基板を受け渡すインターフェイスステーションと、
    前記パターンの露光が行なわれた後の基板に対して、ＵＶ光によるポスト露光を行う光照射装置とを有し、
    前記光照射装置は、前記露光装置内でパターンの露光処理を行う露光処理部と同じ雰囲気のセクションに設けられている。
  7. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記光照射装置によってポスト露光され，その後現像処理された後の基板を検査する検査装置を有し、
    前記検査装置の検査結果に基づいて、前記光照射装置を制御する制御部を有する。
  8. 請求項６に記載の基板処理システムにおいて、
    前記光照射装置によってポスト露光され，その後現像処理された後の基板を検査する検査装置を有し、
    前記検査装置の検査結果に基づいて、前記光照射装置を制御する制御部を有する。
  9. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記パターンの露光は、ＥＵＶ光、ＥＢまたはＡｒＦエキシマレーザー光によって行われる。
  10. 請求項６に記載の基板処理システムにおいて、
    前記パターンの露光は、ＥＵＶ光、ＥＢまたはＡｒＦエキシマレーザー光によって行われる。
     
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