JP7482702B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

従来、シリコンウエハや化合物半導体ウエハ等の基板の周縁部を処理する処理部を備えた基板処理装置が知られている。

この種の基板処理装置においては、基板の周縁部の処理が適切に行われたか否かを確認するために、基板の周縁部を検査する検査部が設けられる場合がある。

特許文献１には、カセットへの基板の搬入出が行われる搬入出ステーションと、周縁部除去処理が行われる処理ステーションとの間に位置する受渡ステーションに上記検査部が配置された基板処理装置が開示されている。

特開２０１９－０６２０１１号公報

本開示は、周縁部処理を行う処理部および基板の周縁部を検査する検査部を備えた基板処理装置において、基板搬送に起因するスループットの低下を抑制することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、処理部と、受渡部と、対処理部搬送装置と、検査部と、対検査部搬送装置とを備える。処理部は、基板の周縁部を処理する。受渡部では、基板の受け渡しが行われる。対処理部搬送装置は、受渡部と処理部との間で基板の搬入出を行う。検査部は、基板の周縁部の処理状態を検査する。対検査部搬送装置は、検査部から基板を取り出して受渡部に搬入する。

本開示によれば、周縁部処理を行う処理部および基板の周縁部を検査する検査部を備えた基板処理装置において、スループットの向上を図ることができる。

図１は、第１実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。 図３は、第１実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。 図４は、第１実施形態に係る基板処理システムを後方から見たレイアウト図である。 図５は、周縁部処理ユニットの模式図である。 図６は、第１受渡部および検査部を側方から見た模式図である。 図７は、第１実施形態に係る検査部を上方から見た模式図である。 図８は、第１実施形態に係る検査部を側方から見た模式図である。 図９は、第１撮像サブユニットおよび第２撮像サブユニットを斜め上方から見た模式図である。 図１０は、第１撮像サブユニットおよび第２撮像サブユニットを斜め上方から見た模式図である。 図１１は、第１撮像サブユニットを側方から見た模式図である。 図１２は、第１実施形態に係る基板処理システムが実行する処理の手順を示すフローチャートである。 図１３は、第１実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図１４は、第１実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図１５は、第１実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図１６は、第２実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。 図１７は、第２実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。 図１８は、第２実施形態に係る基板処理システムの受渡ステーションを後方から見たレイアウト図である。 図１９は、第２実施形態に係る検査部を上方から見た模式図である。 図２０は、第２実施形態に係る第１受渡部を上方から見た模式図である。 図２１は、第２実施形態に係る第２受渡部を上方から見た模式図である。 図２２は、第２実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図２３は、第２実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図２４は、第２実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図２５は、第３実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。 図２６は、第３実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。 図２７は、第３実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。 図２８は、第３実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図２９は、第３実施形態に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図３０は、第１変形例に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図３１は、第１変形例に係る基板処理システムにおけるウエハの搬送フローを示す図である。 図３２は、第１変形例に係る全面検査部を上方から見た断面図である。 図３３は、第１変形例に係る全面検査部を側方から見た断面図である。 図３４は、第２変形例に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。 図３５は、第２変形例に係る下面処理ユニットの模式図である。

以下に、本開示による基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。

（第１実施形態）
＜基板処理システムの構成＞
まず、第１実施形態に係る基板処理システムの構成について図１～図４を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。図２および図３は、第１実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。図２では、各種搬送装置を省略して、第１受渡部１４、検査部１５および周縁部処理ユニット１９の配置を主に示している。図３では、各主搬送装置の配置を主に示している。図４は、第１実施形態に係る基板処理システムを後方から見たレイアウト図である。

図１に示すように、第１実施形態に係る基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション４とを備える。

搬入出ステーション２では、半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハＷと記載する）がカセットＣから取り出されて処理ステーション４へ搬送される。そして、処理ステーション４では、ウエハＷの処理が行われる。具体的には、処理ステーション４では、ウエハＷの周縁部を処理する周縁部処理が行われる。

その後、ウエハＷは、処理ステーション４から搬入出ステーション２へ搬送されて、カセットＣに収容される。このとき、搬入出ステーション２では、ウエハＷをカセットＣに収容する前に、ウエハＷの周縁部の膜が適切に除去されたか否かを確認するために、ウエハＷの周縁部を検査する検査処理が行われる。

（搬入出ステーション）
搬入出ステーション２は、カセット載置部１１と、搬送室１２とを備える。カセット載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のカセットＣが載置される。

搬送室１２は、カセット載置部１１と処理ステーション４との間に配置される。図１～図３に示すように、搬送室１２には、第１搬送装置１３（対カセット搬送装置の一例）と、複数の第１受渡部１４と、複数の検査部１５と、複数の第２搬送装置１６（対検査部搬送装置）とを備える。

第１搬送装置１３は、カセットＣと第１受渡部１４との間でウエハＷの搬入出を行う。第１搬送装置１３は、１枚のウエハＷを下方から支持する支持部を複数備える。たとえば、第１搬送装置１３は、３つ以上の支持部を備える。第１搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、カセットＣと第１受渡部１４との間で複数のウエハＷを一括して搬送することができる。図３に示すように、搬送室１２には、１つの第１搬送装置１３が配置される。

複数の第１受渡部１４には、カセットＣに対して搬入出されるウエハＷが載置される。すなわち、複数の第１受渡部１４には、カセットＣから搬出されたウエハＷおよびカセットＣへ搬入されるウエハＷが載置される。各第１受渡部１４は、鉛直方向に沿って複数のウエハＷを多段に収容可能である。

複数の検査部１５は、ウエハＷの周縁部の処理状態を検査する。検査部１５の具体的な構成について後述する。

１つの第１受渡部１４と１つの検査部１５とは、高さ方向に積層されている。そして、基板処理システム１では、これら第１受渡部１４および検査部１５を含むブロックが、高さ方向に段数に積層される。具体的には、後述する処理ステーション４は、多段に積層された上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌを有している。第１受渡部１４および検査部１５を含むブロックは、上段処理ブロック４Ｕに対応する位置、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌに対応する位置に１つずつ配置される。

ここでは、第１受渡部１４の下部に検査部１５が配置される場合の例を示しているが、検査部１５の下部に第１受渡部１４が配置されてもよい。

複数の第２搬送装置１６は、第１受渡部１４および検査部１５からなる複数のブロックに対応して多段に設けられる。各第２搬送装置１６は、対応するブロックに配置される検査部１５からウエハＷを取り出して、対応するブロックに配置される第１受渡部１４に搬入する。

第２搬送装置１６は、第１受渡部１４の側方に配置される。具体的には、第２搬送装置１６は、搬入出ステーション２および処理ステーション４の並び方向（Ｘ軸方向）と直交する水平方向（Ｙ軸方向）において第１受渡部１４と隣接する。なお、第１搬送装置１３および後述する第３搬送装置１８は、Ｘ軸方向において第１受渡部１４と隣接する。

第２搬送装置１６は、１枚のウエハＷを下方から支持する支持部を複数備える。たとえば、第２搬送装置１６は、２つの支持部を備えており、支持部ごとにウエハＷの搬入出を行うことができる。第２搬送装置１６は、鉛直方向への移動が可能であり、上下に積層された第１受渡部１４および検査部１５間でウエハＷを搬送することができる。

（処理ステーション）
処理ステーション４は、図２～図４に示すように、上段処理ブロック４Ｕと、中段処理ブロック４Ｍと、下段処理ブロック４Ｌとを備える。上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌは、隔壁やシャッター等によって空間的に仕切られており、高さ方向に並べて配置される。

上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌは、同様の構成を有している。具体的には、各処理ブロック４Ｕ，４Ｍ，４Ｌは、図１に示すように、搬送室１７と、複数の周縁部処理ユニット１９とを備える。

搬送室１７は、搬入出ステーション２の搬送室１２に隣接して設けられる。具体的には、搬送室１７は、搬送室１２に配置された第１受渡部１４に隣接して設けられる。また、搬送室１７の両側方（Ｙ軸正方向およびＹ軸負方向）には、周縁部処理ユニット１９がそれぞれ複数配置される。

たとえば、図示の例において、搬送室１７のＹ軸正方向側には２つの周縁部処理ユニット１９がＸ軸方向に沿って横並びで配置される。また、搬送室１７のＹ軸負方向側にも２つの周縁部処理ユニット１９がＸ軸方向に沿って横並びで配置される。したがって、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌには、それぞれ合計で４つの周縁部処理ユニット１９が配置される。

搬送室１７には、第１受渡部１４と周縁部処理ユニット１９との間でウエハＷの搬入出を行う第３搬送装置１８（対処理部搬送装置の一例）が配置される。第３搬送装置１８は、１枚のウエハＷを下方から支持する支持部を複数備える。たとえば、第３搬送装置１８は、２つの支持部を備えており、支持部ごとにウエハＷの搬入出を行うことができる。

第３搬送装置１８は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、同じ処理ブロック４Ｕ，４Ｍ，４Ｌに対応する第１受渡部１４および周縁部処理ユニット１９間においてウエハＷの搬入出を行う。また、第１実施形態に係る第３搬送装置１８は、周縁部処理ユニット１９において処理されたウエハＷを検査部１５へ搬入する処理も行う。

周縁部処理ユニット１９は、ウエハＷの周縁部を処理する周縁部処理を行う。具体的には、周縁部処理ユニット１９は、ウエハＷのベベル部から膜をエッチング除去する周縁部除去処理を行う。ここで、ベベル部とは、ウエハＷの端面およびその周辺に形成された傾斜部のことをいう。傾斜部は、ウエハＷの上面周縁部および下面周縁部にそれぞれ形成される。

なお、周縁部処理は、必ずしも膜を除去する処理であることを要しない。たとえば、周縁部処理ユニット１９は、ウエハＷのベベル部を洗浄する周縁部洗浄処理を周縁部処理として行ってもよい。

ここで、周縁部処理ユニット１９の構成例について図５を参照して説明する。図５は、周縁部処理ユニット１９の模式図である。

図５に示すように、周縁部処理ユニット１９は、チャンバ８１と、基板保持機構８２と、供給部８３と、回収カップ８４とを備える。

チャンバ８１は、基板保持機構８２、供給部８３および回収カップ８４を収容する。チャンバ８１の天井部には、チャンバ８１内にダウンフローを形成するＦＦＵ（Fun Filter Unit）８１１が設けられる。

基板保持機構８２は、ウエハＷを水平に保持する保持部８２１と、鉛直方向に延在して保持部８２１を支持する支柱部材８２２と、支柱部材８２２を鉛直軸周りに回転させる駆動部８２３とを備える。

保持部８２１は、真空ポンプなどの吸気装置（図示せず）に接続され、かかる吸気装置の吸気によって発生する負圧を利用してウエハＷの下面を吸着することによってウエハＷを水平に保持する。保持部８２１としては、たとえばポーラスチャックや静電チャック等を用いることができる。

保持部８２１は、ウエハＷよりも小径の吸着領域を有する。これにより、後述する供給部８３の下側ノズル８３２から吐出される薬液をウエハＷの下面周縁部に供給することができる。

供給部８３は、上側ノズル８３１と下側ノズル８３２とを備える。上側ノズル８３１は、基板保持機構８２に保持されたウエハＷの上方に配置され、下側ノズル８３２は、同ウエハＷの下方に配置される。

上側ノズル８３１および下側ノズル８３２には、バルブ７１および流量調整器７２を介して薬液供給源７３が接続される。上側ノズル８３１は、薬液供給源７３から供給されるフッ酸（ＨＦ）や硝酸（ＨＮＯ３）などの薬液を基板保持機構８２に保持されたウエハＷの上面周縁部に吐出する。また、下側ノズル８３２は、薬液供給源７３から供給される薬液を基板保持機構８２に保持されたウエハＷの下面周縁部に吐出する。

また、供給部８３は、上側ノズル８３１を移動させる第１移動機構８３３と、下側ノズル８３２を移動させる第２移動機構８３４とを備える。これら第１移動機構８３３および第２移動機構８３４を用いて上側ノズル８３１および下側ノズル８３２を移動させることにより、ウエハＷに対する薬液の供給位置を変更することができる。

回収カップ８４は、基板保持機構８２を取り囲むように配置される。回収カップ８４の底部には、供給部８３から供給される薬液をチャンバ８１の外部へ排出するための排液口８４１と、チャンバ８１内の雰囲気を排気するための排気口８４２とが形成される。

周縁部処理ユニット１９は、上記のように構成されており、ウエハＷの下面を保持部８２１で吸着保持した後、駆動部８２３を用いてウエハＷを回転させる。そして、周縁部処理ユニット１９は、上側ノズル８３１から回転するウエハＷの上面周縁部へ向けて薬液を吐出するとともに、下側ノズル８３２から回転するウエハＷの下面周縁部へ向けて薬液を吐出する。これにより、ウエハＷのベベル部に付着した膜が除去される。この際、ウエハＷのベベル部に付着したパーティクル等の汚れも膜とともに除去される。

なお、周縁部処理ユニット１９は、上記の周縁部除去処理を行った後、上側ノズル８３１および下側ノズル８３２から純水等のリンス液を吐出することによって、ウエハＷのベベル部に残存する薬液を洗い流すリンス処理を行ってもよい。また、周縁部処理ユニット１９は、リンス処理後、ウエハＷを回転させることによってウエハＷを乾燥させる乾燥処理を行ってもよい。

図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。記憶部６２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部６１は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部６２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、上記プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。なお、制御部６１は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。

周縁部除去処理においては、膜の除去幅（ウエハＷの外周縁を一端とするウエハＷの径方向に沿った幅、以下「カット幅」と記載する）が規定される。しかしながら、たとえば上側ノズル８３１および下側ノズル８３２の位置が適切でない場合、規定されたカット幅に対して実際のカット幅がずれるおそれがある。また、基板保持機構８２の回転中心に対してウエハＷの中心がずれている場合には、ウエハＷの周方向においてカット幅にムラが生じるおそれがある。このため、周縁部除去処理後のウエハＷをカメラで撮像し、得られた画像に基づき、周縁部除去処理が適切に実施されたか否かを確認する作業が行われる場合がある。

第１実施形態に係る基板処理システム１では、周縁部除去処理後のウエハＷのベベル部を検査する検査部１５が、周縁部処理ユニット１９の外部に、且つ、複数の周縁部処理ユニット１９に共通で１つ設けられる。

＜検査部の構成＞
以下、第１実施形態に係る検査部１５の構成について図６～図１１を参照して具体的に説明する。

図６は、第１受渡部１４および検査部１５を側方から見た模式図である。図６に示すように、検査部１５は、第１受渡部１４の下方において第１受渡部１４に隣接して設けられる。

このように、第１受渡部１４と検査部１５とを高さ方向に重ねて配置することで、基板処理システム１のフットプリントの増大を抑制することができる。また、第１受渡部１４の下方に検査部１５を配置することで、仮に検査部１５からゴミ等が落下した場合であっても、落下したゴミ等が第１受渡部１４に載置されたウエハＷに付着することを抑制することができる。

図７は、第１実施形態に係る検査部１５を上方から見た模式図であり、図８は、第１実施形態に係る検査部１５を側方から見た模式図である。なお、図８では、ノッチ検出サブユニット３００を省略して示している。

図７に示すように、検査部１５は、ベースプレート１００と、回転保持サブユニット２００（回転保持部の一例）と、ノッチ検出サブユニット３００（検出部の一例）と、第１撮像サブユニット４００と、第２撮像サブユニット５００とを備える。

第１実施形態に係る基板処理システム１では、第１搬送装置１３、第２搬送装置１６および第３搬送装置１８のうち、第２搬送装置１６および第３搬送装置１８が検査部１５に対してアクセスする。

具体的には、検査部１５は、互いに異なる方向に開口する搬入部１１０および搬出部１２０を備える。搬入部１１０は、搬送室１７へ向けて開口し、搬出部１２０は、第２搬送装置１６へ向けて開口する。第３搬送装置１８は、搬入部１１０を介してウエハＷを検査部１５へ搬入し、第２搬送装置１６は、搬出部１２０を介してウエハＷを検査部１５から搬出する。

ベースプレート１００は、たとえば板状の部材であり、各サブユニット２００～５００は、ベースプレート１００上に設けられる。

回転保持サブユニット２００は、保持台２０１と、アクチュエータ２０２とを備える。保持台２０１は、たとえば、吸着等によりウエハＷを水平に保持する吸着チャックである。保持台２０１は、ウエハＷよりも小径の吸着領域を有する。アクチュエータ２０２は、たとえば電動モータであり、保持台２０１を回転駆動する。

ノッチ検出サブユニット３００は、ウエハＷに形成されたノッチの位置を検出する。たとえば、ノッチ検出サブユニット３００は、図示しない横溝を備える。横溝の下面には発光素子が設けられ、上面には受光素子が設けられる。回転保持サブユニット２００にウエハＷが載置された状態において、発光素子からの照射光は、ウエハＷの周縁部によって遮られ、受光素子には照射光が受光されない。しかし、回転保持サブユニット２００による回転によって、ウエハＷの周縁部に形成されたノッチが発光素子に対向する位置に来ると、照射光はノッチを通過して受光素子に受光される。これにより、ノッチ検出サブユニット３００は、ウエハＷに形成されたノッチの位置を検出することができる。

図９および図１０は、第１撮像サブユニット４００および第２撮像サブユニット５００を斜め上方から見た模式図である。また、図１１は、第１撮像サブユニット４００を側方から見た模式図であり、図１１は、照明モジュール４２０およびミラー部材４３０を側方から見た模式図である。

図７～図１１に示すように、第１撮像サブユニット４００は、カメラ４１０（一方面側撮像部の一例）と、照明モジュール４２０と、ミラー部材４３０とを備える。

カメラ４１０は、レンズ４１１と、撮像素子４１２とを備える。カメラ４１０の光軸は、照明モジュール４２０に向かって水平に延びている。

照明モジュール４２０は、保持台２０１に保持されたウエハＷの上方に配置されている。照明モジュール４２０は、光源４２１と、光散乱部材４２２と、保持部材４２３とを備える。

光源４２１は、たとえば、筐体４２１ａと、筐体４２１ａ内に配置された複数のＬＥＤ点光源４２１ｂ（図１１では１つのみ図示）とを備える。複数のＬＥＤ点光源４２１ｂは、ウエハＷの径方向に沿って一列に並べて配置される。

光散乱部材４２２は、光源４２１と重なり合うように光源４２１に接続される。光散乱部材４２２には、光源４２１および光散乱部材４２２が重なり合う方向において延びる貫通口４２２ａが形成される。貫通口４２２ａの内壁面には、鏡面加工が施されている。これにより、光源４２１からの光が光散乱部材４２２の貫通口４２２ａ内に入射すると、入射光が貫通口４２２ａ内の鏡面部分４２２ｂで乱反射して、散乱光が生成される。

保持部材４２３は、光散乱部材４２２と重なり合うように光散乱部材４２２に接続される。保持部材４２３には、貫通口４２３ａと、貫通口４２３ａに交差する交差孔４２３ｂとが形成されている。貫通口４２３ａは、光散乱部材４２２および保持部材４２３が重なり合う方向に延びている。交差孔４２３ｂは、貫通口４２３ａに連通している。

保持部材４２３は、ハーフミラー４２４と、円柱レンズ４２５と、光拡散部材４２６と、焦点調節レンズ４２７とを内部に保持している。ハーフミラー４２４は、図１１に示すように、たとえば水平方向に対して４５度の角度で傾斜した状態で、貫通口４２３ａおよび交差孔４２３ｂの交差部分に配置される。ハーフミラー４２４は矩形状を呈している。

円柱レンズ４２５は、光散乱部材４２２とハーフミラー４２４との間に配置される。円柱レンズ４２５は、ハーフミラー４２４に向けて突出する凸型の円柱レンズである。円柱レンズ４２５の軸は、複数のＬＥＤ点光源４２１ｂが並ぶ方向に延びている。円柱レンズ４２５に光散乱部材４２２からの散乱光が入射すると、円柱レンズ４２５の円柱面の周方向に沿って散乱光が拡大される。

光拡散部材４２６は、円柱レンズ４２５とハーフミラー４２４との間に配置される。光拡散部材４２６は、たとえば矩形状を呈するシート部材であり、円柱レンズ４２５を透過した光を拡散させる。これにより、光拡散部材４２６において拡散光が生成される。たとえば、光拡散部材４２６は、入射した光を光拡散部材４２６の面の全方向に拡散させる等方性拡散機能を有していてもよい。また、光拡散部材４２６は、入射した光を円柱レンズ４２５の軸方向（円柱レンズ４２５の円柱面の周方向と直交する方向）に向けて拡散させる異方性拡散機能を有していてもよい。

焦点調節レンズ４２７は、交差孔４２３ｂ内に配置される。焦点調節レンズ４２７は、レンズ４１１との合成焦点距離を変化させる機能を有する。

ミラー部材４３０は、照明モジュール４２０の下方に配置され、ウエハＷの端面Ｗｃからの反射光を反射させる。ミラー部材４３０は、本体４３１と、反射面４３２とを備える。本体４３１は、たとえばアルミブロックによって構成される。反射面４３２は、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと下面Ｗｂの周縁領域Ｗｅとに対向する。反射面４３２は、保持台２０１の回転軸に対して傾斜している。

反射面４３２は、保持台２０１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃが離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。このため、ウエハＷの端面Ｗｃが反射面４３２に写ると、その鏡像は実像よりも拡大する。反射面４３２の曲率半径は、たとえば、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。また、反射面４３２の開き角（反射面４３２に外接する２つの平面がなす角）は、たとえば、１００度以上１５０度以下である。

照明モジュール４２０において、光源４２１から出射された光は、光散乱部材４２２で散乱され、円柱レンズ４２５で拡大され、さらに光拡散部材４２６で拡散された後、ハーフミラー４２４を全体的に通過して下方に向けて照射される。ハーフミラー４２４を通過した拡散光は、ハーフミラー４２４の下方に位置するミラー部材４３０の反射面４３２で反射する。拡散光が反射面４３２で反射した反射光は、主としてウエハＷの端面Ｗｃと、上面Ｗａ側の周縁領域Ｗｄとに照射される。

ウエハＷの上面Ｗａの周縁領域Ｗｄで反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２には向かわず、ハーフミラー４２４で再び反射し、焦点調節レンズ４２７は通過せずにカメラ４１０のレンズ４１１を通過して、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。

一方、ウエハＷの端面Ｗｃから反射した反射光は、ミラー部材４３０の反射面４３２とハーフミラー４２４とで順次反射して、焦点調節レンズ４２７とカメラ４１０のレンズ４１１を順次通過し、カメラ４１０の撮像素子４１２に入射する。

このように、カメラ４１０の撮像素子４１２には、ウエハＷの上面Ｗａの周縁領域Ｗｄからの反射光と、ウエハＷの端面Ｗｃおよびミラー部材４３０からの反射光との双方が入力される。したがって、第１撮像サブユニット４００によれば、ウエハＷの上面Ｗａの周縁領域Ｗｄ（上面周縁部を含んだ領域）とウエハＷの端面Ｗｃとの双方を同時に撮像することができる。

続いて、第２撮像サブユニット５００の構成について説明する。第２撮像サブユニット５００は、カメラ５１０（他方面側撮像部の一例）と、照明モジュール５２０とを備える。

カメラ５１０は、レンズ５１１と、撮像素子５１２とを備える。カメラ５１０の光軸は、照明モジュール５２０に向かって水平に延びている。

照明モジュール５２０は、照明モジュール４２０の下方にあって、保持台２０１に保持されたウエハＷの下方に配置されている。照明モジュール５２０は、ハーフミラー５２１と、図示しない光源とを備える。ハーフミラー５２１は、たとえば水平方向に対して４５度の角度で傾斜した状態で配置されている。ハーフミラー５２１は、たとえば矩形状を呈している。

光源は、ハーフミラー５２１の下方に位置している。光源から出射された光は、ハーフミラー５２１を全体的に通過して上方に向けて照射される。ハーフミラー５２１を通過した光は、カメラ５１０のレンズ５１１を通過し、カメラ５１０の撮像素子５１２に入射する。すなわち、カメラ５１０は、ハーフミラー５２１を介して、光源の照射領域に存在するウエハＷの下面Ｗｂを撮像することができる。

＜基板処理システムの具体的動作＞
次に、第１実施形態に係る基板処理システム１の具体的な動作について図１２～図１５を参照して説明する。図１２は、第１実施形態に係る基板処理システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。また、図１３～図１５は、第１実施形態に係る基板処理システム１におけるウエハＷの搬送フローを示す図である。図１３～図１５では、ウエハＷの流れを矢印で示している。

図１２に示すように、基板処理システム１では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。搬入処理は、カセットＣに収容されたウエハＷを周縁部処理ユニット１９に搬入する処理である。

具体的には、図１３に示すように、まず、第１搬送装置１３がカセットＣからウエハＷを取り出して第１受渡部１４に収容する。このとき、第１搬送装置１３は、複数のウエハＷをカセットＣから一度に取り出し、取り出した複数のウエハＷを一度に第１受渡部１４に収容する。そして、第３搬送装置１８が、第１受渡部１４からウエハＷを取り出して周縁部処理ユニット１９へ搬入する。このとき、第３搬送装置１８は、第１受渡部１４から複数（たとえば２枚）のウエハＷを取り出して、取り出した複数のウエハＷを複数の周縁部処理ユニット１９へ搬入してもよい。

つづいて、基板処理システム１では、周縁部処理ユニット１９において周縁部処理が行われる（ステップＳ１０２）。具体的には、周縁部処理ユニット１９では、まず、基板保持機構８２の保持部８２１がウエハＷを保持し、駆動部８２３が保持部８２１を回転させることにより、保持部８２１に保持されたウエハＷを回転させる。つづいて、第１移動機構８３３および第２移動機構８３４が、上側ノズル８３１および下側ノズル８３２をそれぞれウエハＷの上方および下方の所定位置に配置させる。

その後、薬液供給源７３から供給される薬液が、それぞれ上側ノズル８３１および下側ノズル８３２から回転するウエハＷの上面周縁部および下面周縁部に供給される。これにより、ウエハＷのベベル部から膜が除去される。その後、周縁部処理ユニット１９は、リンス処理および乾燥処理を行い、ウエハＷの回転を停止させる。

つづいて、基板処理システム１では、検査処理が行われる（ステップＳ１０３）。図１４に示すように、まず、第３搬送装置１８が、周縁部処理ユニット１９からウエハＷを取り出して検査部１５へ搬入する。

検査部１５では、まず、ノッチアライメント処理が行われる。ノッチアライメント処理は、ウエハＷのノッチの位置を予め決められた位置に合わせる処理である。つづいて、検査部１５では、撮像処理が行われる。撮像処理は、ウエハＷの上面Ｗａの周縁領域Ｗｄおよび端面Ｗｃならびに下面Ｗｂの周縁領域Ｗｅを撮像する処理である。検査部１５は、回転保持サブユニット２００を用いてウエハＷを回転させつつ、ウエハＷの上面周縁部と端面と下面周縁部とをウエハＷの全周に亘って撮像する。これにより、ウエハＷの上面周縁部、端面および下面周縁部のウエハＷ全周に亘る画像データを得ることができる。

つづいて、基板処理システム１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０４）。搬出処理は、検査部１５での検査を終えたウエハＷをカセットＣへ戻す処理である。

具体的には、図１４に示すように、第２搬送装置１６が、検査部１５からウエハＷを取り出し、つづいて、図１５に示すように、取り出したウエハＷを第１受渡部１４に搬入する。その後、第１搬送装置１３が、第１受渡部１４からウエハＷを取り出してカセットＣへ収容する。このとき、第１搬送装置１３は、第１受渡部１４に載置された複数のウエハＷを一度に取り出して、取り出した複数のウエハＷをカセットＣに一度に収容してもよい。

特許文献１に係る基板処理装置では、処理ステーションに配置される対検査部搬送装置が、処理部に対する基板の搬入出と、検査部に対する基板の搬入出とを行っている。このため、対検査部搬送装置の処理負荷が高く、基板処理装置における処理のスループットが、対検査部搬送装置において律速するおそれがある。

これに対し、第１実施形態に係る基板処理システム１では、検査部１５からウエハＷを取り出して第１受渡部１４に搬入する第２搬送装置を設けることで、第３搬送装置１８の処理負荷を低減することとした。これにより、基板処理システム１のスループットが第３搬送装置１８において律速することを抑制することができる。言い換えれば、基板処理システム１における基板処理のスループットの向上を図ることができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。第２実施形態では、検査部１５からのウエハＷの搬出だけでなく、検査部１５へのウエハＷの搬入も第２搬送装置１６が担当する。図１６は、第２実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。図１７は、第２実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。図１７では、各種搬送装置を省略して、第１受渡部１４Ａ、検査部１５Ａ、第２受渡部２０および周縁部処理ユニット１９の配置を主に示している。図１８は、第２実施形態に係る基板処理システムの受渡ステーションを後方から見たレイアウト図である。

図１６～図１８に示すように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａは、搬入出ステーション２と処理ステーション４との間に、受渡ステーション３を備える。

受渡ステーション３には、複数の第２受渡部２０が配置される。また、受渡ステーション３には、対検査部搬送装置の一例である複数の第２搬送装置１６Ａと、受渡部間搬送装置の一例である第４搬送装置２１とが配置される。

第２受渡部２０は、複数のウエハＷを収容可能であり、周縁部処理ユニット１９に対して搬入出されるウエハＷが載置される。第２受渡部２０は、処理ステーション４の搬送室１７に隣接する位置に配置される。第１受渡部１４Ａと第２受渡部２０とは、搬入出ステーション２、受渡ステーション３および処理ステーション４の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って配置される。

複数（ここでは、３つ）の第２受渡部２０は、高さ方向に積層されており、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌにそれぞれ対応する（図１７参照）。第２受渡部２０の具体的な構成については後述する。

第２搬送装置１６Ａおよび第４搬送装置２１は、第１受渡部１４Ａと第２受渡部２０との間に配置される。具体的には、第２搬送装置１６Ａおよび第４搬送装置２１は、第１受渡部１４Ａから見て斜め後方、且つ、第２受渡部２０から見て斜め前方に配置される。

第２搬送装置１６Ａおよび第４搬送装置２１は、１枚のウエハＷを下方から支持する支持部を複数備える。たとえば、第２搬送装置１６Ａは、２つの支持部を備えており、支持部ごとにウエハＷの搬入出を行うことができる。一方、第４搬送装置２１は、第２搬送装置１６Ａよりも多くの支持部を備える。たとえば、第４搬送装置２１は、５つの支持部を備えている。

第２搬送装置１６Ａおよび第４搬送装置２１は、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。第２搬送装置１６Ａは、第２受渡部２０および検査部１５Ａ間でのウエハＷの搬送と、検査部１５Ａおよび第１受渡部１４Ａ間でのウエハＷの搬送とを行う。また、第４搬送装置２１は、第１受渡部１４Ａおよび第２受渡部２０間でのウエハＷの搬送を行う。

図１８に示すように、複数の第２搬送装置１６Ａは、高さ方向に積層されており、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌにそれぞれ対応する。一方、第４搬送装置２１は、受渡ステーション３に１つのみ配置されており、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌの全てに対応している。すなわち、第４搬送装置２１は、第１受渡部１４Ａから取り出したウエハＷを上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌのいずれに対応する第２受渡部２０にも搬入可能である。第４搬送装置２１は、第１受渡部１４Ａから複数（たとえば５枚）のウエハＷを一度に取り出し、取り出した複数のウエハＷを一度に第２受渡部２０に搬入することができる。

第２搬送装置１６Ａは、検査部１５Ａに対して斜めにアクセスする。図１９は、第２実施形態に係る検査部１５Ａを上方から見た模式図である。図１９に示すように、第２実施形態に係る検査部１５Ａは、第２搬送装置１６Ａに向かって開口する搬入出部１３０を備える。具体的には、搬入出部１３０は、搬入出ステーション２、受渡ステーション３および処理ステーション４の並び方向に対して斜めに開口している。第２搬送装置１６Ａは、かかる搬入出部１３０を介して検査部１５Ａに対するウエハＷの搬入出を行う。

また、第１受渡部１４Ａおよび第２受渡部２０は、異なる３方向からアクセス可能に構成される。図２０は、第２実施形態に係る第１受渡部１４Ａを上方から見た模式図である。また、図２１は、第２実施形態に係る第２受渡部２０を上方から見た模式図である。

図２０に示すように、第１受渡部１４Ａは、たとえば３つの支持部材１４１を備える。各支持部材１４１には、高さ方向に沿って複数の溝が形成されており、各溝においてウエハＷの下面を支持する。

３つの支持部材１４１は、たとえば、１２０度間隔で配置される。第１搬送装置１３、第２搬送装置１６Ａおよび第４搬送装置２１は、２つの支持部材１４１間の隙間から第１受渡部１４Ａにアクセスして、第１受渡部１４Ａに対するウエハＷの搬入出を行う。

具体的には、第１搬送装置１３は、第１搬送装置１３に向かって開口する搬入出部１４２を介し、各ステーション２～４の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って第１受渡部１４Ａにアクセスする。第４搬送装置２１は、搬入出部１４２が開口する方向（Ｘ軸方向）に対して斜めの方向に開口する搬出部１４３を介して第１受渡部１４Ａに対して斜めの方向からアクセスする。第２搬送装置１６Ａも同様に、搬入出部１４２が開口する方向（Ｘ軸方向）に対して斜めの方向に開口する搬入部１４４を介して第１受渡部１４Ａに対して斜めの方向からアクセスする。

図２１に示す第２受渡部２０も第１受渡部１４Ａと同様の構成を有する。すなわち、第２受渡部２０は、１２０度間隔で配置された３つの支持部材２１１を備えており、各支持部材２１１の間にそれぞれ搬入出部２１２、搬入部２１３および搬出部２１４を有する。

第３搬送装置１８は、処理ステーション４の搬送室１７に向かって開口する搬入出部２１２を介し、各ステーション２～４の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って第２受渡部２０にアクセスする。第４搬送装置２１は、搬入出部２１２が開口する方向（Ｘ軸方向）に対して斜めの方向に開口する搬入部２１３を介して第２受渡部２０に対して斜めの方向からアクセスする。第２搬送装置１６Ａも同様、搬入出部２１２が開口する方向（Ｘ軸方向）に対して斜めの方向に開口する搬出部２１４を介して第２受渡部２０に対して斜めの方向からアクセスする。

次に、第２実施形態に係る基板処理システム１ＡにおけるウエハＷの搬送フローについて図２２～図２４を参照して説明する。図２２～図２４は、第２実施形態に係る基板処理システム１ＡにおけるウエハＷの搬送フローを示す図である。図２２～図２４では、ウエハＷの流れを矢印で示している。図２２および図２３では、処理部間に２つの矢印が存在する場合、最初の（行きの）矢印を実線で、後の（戻りの）矢印を破線で示している。なお、第２実施形態に係る一連の基板処理の処理手順も、第１実施形態と同様、図１２に示す通りである。

図２２に示すように、まず、第１搬送装置１３が、カセットＣからウエハＷを取り出して第１受渡部１４Ａに搬入する。第１搬送装置１３は、複数のウエハＷを一括して第１受渡部１４Ａに搬入する。つづいて、第４搬送装置２１が、第１受渡部１４Ａから複数のウエハＷを一度に取り出して、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌのいずれかに対応する第２受渡部２０に一度に搬入する。なお、第４搬送装置２１は、ウエハＷの搬入先を上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌ間で順番に切り替えてもよい。

つづいて、第３搬送装置１８が、第２受渡部２０からウエハＷを取り出して周縁部処理ユニット１９に搬入し、周縁部処理ユニット１９が、ウエハＷに対して周縁部除去処理を行う。周縁部処理ユニット１９による処理が完了すると、第３搬送装置１８が、周縁部処理ユニット１９からウエハＷを取り出して、第２受渡部２０に搬入する。

つづいて、図２３に示すように、第２搬送装置１６Ａが、第２受渡部２０からウエハＷを取り出して、検査部１５Ａに搬入し、検査部１５Ａが、ウエハＷに対して検査処理を行う。検査部１５Ａによる検査処理が完了すると、第２搬送装置１６Ａが、検査部１５ＡからウエハＷを取り出す。

つづいて、図２４に示すように、第２搬送装置１６Ａが、ウエハＷを第１受渡部１４Ａに搬入する。そして、第１搬送装置１３が、第１受渡部１４Ａに載置された複数のウエハＷを取り出してカセットＣに収容する。

このように、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａによれば、第３搬送装置１８の処理負荷のうち、検査部１５ＡへのウエハＷの搬入および検査部１５ＡからのウエハＷの搬出に要する処理負荷を低減することができる。

また、第２実施形態に係る基板処理システム１Ａによれば、第４搬送装置２１を備えることで、第１受渡部１４Ａから第２受渡部２０へのウエハＷの搬送効率を高めることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る基板処理システムの構成について図２５～図２７を参照して説明する。図２５は、第３実施形態に係る基板処理システムを上方から見たレイアウト図である。図２６および図２７は、第３実施形態に係る基板処理システムを側方から見たレイアウト図である。

図２５～図２７に示すように、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂは、搬入出ステーション２の搬送室１２に第３受渡部１４＿１と複数の第４受渡部１４＿２とを備える。

第３受渡部１４＿１には、周縁部処理ユニット１９によって処理される前のウエハＷが載置される。第３受渡部１４＿１は、第４搬送装置２１に対応する位置、具体的には、第４搬送装置２１の前方（Ｘ軸正方向）に配置される。図２６に示すように、第３受渡部１４＿１は、搬入出ステーション２の搬送室１２に１つだけ設けられる。

複数の第４受渡部１４＿２には、周縁部処理ユニット１９によって処理された後のウエハＷが載置される。複数の第４受渡部１４＿２は、複数の第２搬送装置１６に対応する位置、具体的には、各第２搬送装置１６の前方（Ｘ軸正方向）に配置される。すなわち、図２７に示すように、各第４受渡部１４＿２は、検査部１５とともに１つのブロックを形成しており、各ブロックは、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌに対応する高さに配置される。

次に、第３実施形態に係る基板処理システム１ＢにおけるウエハＷの搬送フローについて図２８および図２９を参照して説明する。図２８および図２９は、第３実施形態に係る基板処理システム１ＢにおけるウエハＷの搬送フローを示す図である。

図２８に示すように、まず、第１搬送装置１３が、カセットＣからウエハＷを取り出して第３受渡部１４＿１に搬入する。第１搬送装置１３は、複数のウエハＷを一括して第３受渡部１４＿１に搬入する。つづいて、第４搬送装置２１が、第３受渡部１４＿１から複数のウエハＷを一度に取り出して、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌのいずれかに対応する第２受渡部２０に一度に搬入する。

つづいて、第３搬送装置１８が、第２受渡部２０からウエハＷを取り出して周縁部処理ユニット１９に搬入し、周縁部処理ユニット１９が、ウエハＷに対して周縁部除去処理を行う。周縁部処理ユニット１９による処理が完了すると、第３搬送装置１８が、周縁部処理ユニット１９からウエハＷを取り出して、第２受渡部２０に搬入する。

つづいて、第２搬送装置１６が、第２受渡部２０からウエハＷを取り出して、検査部１５に搬入し、検査部１５が、ウエハＷに対して検査処理を行う。検査部１５による検査処理が完了すると、第２搬送装置１６が、検査部１５からウエハＷを取り出す。

つづいて、図２９に示すように、第２搬送装置１６が、ウエハＷを第４受渡部１４＿２に搬入する。そして、第１搬送装置１３が、第４受渡部１４＿２に載置された複数のウエハＷを取り出してカセットＣに収容する。

このように、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂによれば、第２実施形態と同様、第３搬送装置１８の処理負荷のうち、検査部１５へのウエハＷの搬入および検査部１５からのウエハＷの搬出に要する処理負荷を低減することができる。

また、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂによれば、第３受渡部１４＿１を備えることで、第２搬送装置１６の第４受渡部１４＿２へのアクセスと、第４搬送装置２１の第３受渡部１４＿１へのアクセスとを並行して行うことができる。したがって、第３実施形態に係る基板処理システム１Ｂによれば、スループットの更なる向上を図ることができる。

（第１変形例）
上述した各実施形態では、基板処理システムが、ウエハＷの一部の領域である周縁部のみを検査する検査部を備える場合の例について説明した。これに限らず、基板処理システムは、ウエハＷの全面を検査する検査部を備えていてもよい。この場合の例について図３０および図３１を参照して説明する。図３０および図３１は、第１変形例に係る基板処理システムにおけるウエハＷの搬送フローを示す図である。なお、図３０および図３１では、一例として、第２実施形態に係る基板処理システム１Ｂに全面検査部２２が設けられる場合を示している。

図３０および図３１に示すように、第１変形例に係る基板処理システム１Ｃは、全面検査部２２をさらに備える。全面検査部２２は、たとえば、搬入出ステーション２の搬送室１２および受渡ステーション３に跨がって配置される。また、全面検査部２２は、たとえば、第４搬送装置２１の側方（Ｙ軸正方向側）に配置される。

ここで、全面検査部２２の構成について図３２および図３３を参照して説明する。図３２は、第１変形例に係る全面検査部２２を上方から見た断面図である。また、図３３は、第１変形例に係る全面検査部２２を側方から見た断面図である。

図３２および図３３に示すように、全面検査部２２は、ケーシング５１を有している。ケーシング５１内には、ウエハＷを保持する保持部５２が設けられている。保持部５２は、たとえばバキュームチャックであり、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持する。

ケーシング５１の底面には、Ｙ軸方向に沿って延在するガイドレール５３が設けられている。ガイドレール５３上には、保持部５２を回転させると共に、ガイドレール５３に沿って移動自在な駆動部５４が設けられている。

ケーシング５１内の側面には、撮像部５５が設けられている。撮像部５５としては、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。ケーシング５１の上部中央付近には、ハーフミラー５６が設けられている。ハーフミラー５６は、撮像部５５と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態から撮像部５５の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられる。

ハーフミラー５６の上方には、照明装置５７が設けられている。ハーフミラー５６と照明装置５７は、ケーシング５１内部の上面に固定されている。照明装置５７からの照明は、ハーフミラー５６を通過して下方に向けて照らされる。したがって、照明装置５７の下方にある物体によって反射した光は、ハーフミラー５６でさらに反射して、撮像部５５に取り込まれる。すなわち、撮像部５５は、照明装置５７による照射領域にある物体を撮像することができる。

全面検査部２２は、駆動部５４を用いて保持部５２をガイドレール５３に沿って移動させながら撮像部５５による撮像を行う。これにより、全面検査部２２は、ウエハＷの表面全体の画像を得ることができる。

基板処理システム１Ｃは、たとえば、周縁部処理ユニット１９によって処理される前のウエハＷに対し、全面検査部２２を用いた検査処理を行う（図３０参照）。その後、基板処理システム１Ｃは、周縁部処理ユニット１９によって処理された後のウエハＷに対し、検査部１５Ａを用いた検査処理を行う（図３１参照）。

まず、図３０に示すように、第１搬送装置１３が、カセットＣからウエハＷを取り出して第１受渡部１４Ａに搬入する。つづいて、第４搬送装置２１が、第１受渡部１４ＡからウエハＷを取り出して全面検査部２２に搬入し、全面検査部２２がウエハＷに対して検査処理を行う。具体的には、全面検査部２２は、ウエハＷの表面全体を撮像する。これにより、周縁部処理ユニット１９によって処理される前のウエハＷの表面全体の状態、たとえば、パーティクルの有無や膜厚などを把握することができる。

全面検査部２２による検査処理が完了すると、第４搬送装置２１が、全面検査部２２からウエハＷを取り出して第２受渡部２０に搬入する。その後は第２実施形態において説明した通りであり、図３１に示すように、第２搬送装置１６Ａが、周縁部処理ユニット１９によって処理された後のウエハＷを第２受渡部２０から取り出して検査部１５Ａに搬入し、検査部１５ＡがウエハＷに対して検査処理を行う。具体的には、検査部１５Ａは、ウエハＷの周縁部を撮像する。

このように、基板処理システム１Ｃは、ウエハＷの周縁部のみを撮像する検査部１５Ａの他、ウエハＷの全面を撮像する全面検査部２２を備えていてもよい。

なお、全面検査部２２は、上段処理ブロック４Ｕ、中段処理ブロック４Ｍおよび下段処理ブロック４Ｌに対応して多段に配置されてもよい。この場合、第４搬送装置２１も同様に多段に配置されてもよい。これにより、スループットを向上させることができる。

また、ここでは、基板処理システム１Ｃが、検査部１５Ａおよび全面検査部２２の両方を備える場合の例について説明したが、基板処理システム１Ｃは、全面検査部２２のみを備える構成であってもよい。この場合、全面検査部２２は、たとえば、第２搬送装置１６Ａの側方（Ｙ軸負方向側）に配置され、周縁部処理ユニット１９によって処理された後のウエハＷに対して検査処理を行ってもよい。

（第２変形例）
上述した各実施形態では、基板処理システムが、周縁部処理ユニット１９を備える場合の例について説明した。これに限らず、基板処理システムは、周縁部処理ユニット１９に加え、ウエハＷの下面全体を処理する下面処理ユニット（下面処理部の一例）を備えていてもよい。この場合の例について図３４および図３５を参照して説明する。図３４は、第２変形例に係る基板処理システム１Ｄを上方から見たレイアウト図である。また、図３５は、第２変形例に係る下面処理ユニットの模式図である。

図３４に示すように、第２変形例に係る基板処理システム１Ｄは、処理ステーション４に複数の周縁部処理ユニット１９および複数の下面処理ユニット２３を備える。具体的には、搬送室１７のＹ軸正方向側には周縁部処理ユニット１９と下面処理ユニット２３とがＸ軸方向に沿って横並びで配置される。また、搬送室１７のＹ軸負方向側も同様に、周縁部処理ユニット１９と下面処理ユニット２３とがＸ軸方向に沿って横並びで配置される。

下面処理ユニット２３は、ウエハＷの下面に対して所定の処理を行う。たとえば、下面処理ユニット２３は、ウエハＷの下面の全面から膜をエッチング除去する下面除去処理（下面処理の一例）を行う。

図３５に示すように、下面処理ユニット２３は、チャンバ９１と、基板保持機構９２と、供給部９３と、回収カップ９４とを備える。チャンバ９１は、基板保持機構９２、供給部９３および回収カップ９４を収容する。チャンバ９１の天井部には、チャンバ９１内にダウンフローを形成するＦＦＵ９１１が設けられる。

基板保持機構９２は、ウエハＷを水平に保持する保持部９２１と、鉛直方向に延在して保持部９２１を支持する支柱部材９２２と、支柱部材９２２を鉛直軸周りに回転させる駆動部９２３とを備える。保持部９２１の上面には、ウエハＷの周縁部を把持する複数の把持部９２１ａが設けられており、ウエハＷはかかる把持部９２１ａによって保持部９２１の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。

供給部９３は、保持部９２１および支柱部材９２２の中空部に挿通される。供給部９３の内部には鉛直方向に延在する流路が形成されている。流路には、バルブ７４および流量調整器７５を介して薬液供給源７６が接続される。供給部９３は、薬液供給源７６から供給される薬液をウエハＷの下面へ供給する。

回収カップ９４は、基板保持機構９２を取り囲むように配置される。回収カップ９４の底部には、供給部９３から供給される薬液をチャンバ９１の外部へ排出するための排液口９４１と、チャンバ９１内の雰囲気を排気するための排気口９４２とが形成される。

下面処理ユニット２３は、上記のように構成されており、ウエハＷの周縁部を保持部９２１の複数の把持部９２１ａで保持した後、駆動部９２３を用いてウエハＷを回転させる。そして、下面処理ユニット２３は、供給部９３から回転するウエハＷの下面中心部へ向けて薬液を吐出する。ウエハＷの下面中心部に供給された薬液は、ウエハＷの回転に伴ってウエハＷの下面の全面に広がる。これにより、ウエハＷの下面の全面から膜が除去される。この際、ウエハＷの下面に付着したパーティクル等の汚れも膜とともに除去される。

なお、下面処理ユニット２３は、上記の下面除去処理を行った後、供給部９３から純水等のリンス液を吐出することによって、ウエハＷの下面に残存する薬液を洗い流すリンス処理を行ってもよい。また、下面処理ユニット２３は、リンス処理後、ウエハＷを回転させることによってウエハＷを乾燥させる乾燥処理を行ってもよい。

また、ここでは、下面処理ユニット２３が、下面処理の一例として、ウエハＷの下面の全面から膜を除去する下面除去処理を行うものとするが、下面処理は、必ずしも膜を除去する処理であることを要しない。たとえば、下面処理ユニット２３は、ウエハＷの下面の全面を洗浄する下面洗浄処理を下面処理として行ってもよい。

第２変形例に係る基板処理システム１Ｃでは、たとえば、周縁部処理ユニット１９による処理を終えたウエハＷに対して下面処理ユニット２３による処理が行われる。具体的には、第３搬送装置１８が、周縁部処理ユニット１９からウエハＷを取り出して下面処理ユニット２３に搬入する。そして、下面処理ユニット２３が、搬入されたウエハＷに対して下面除去処理を行う。具体的には、下面処理ユニット２３では、まず、基板保持機構９２の保持部９２１がウエハＷを保持し、駆動部９２３が保持部９２１を回転させることにより、保持部９２１に保持されたウエハＷを回転させる。

その後、薬液供給源７６から供給される薬液が、供給部９３から回転するウエハＷの下面Ｗｂの中央部に供給される。ウエハＷの下面Ｗｂの中央部に供給された薬液は、ウエハＷの回転に伴って下面Ｗｂの全面に広がる。これにより、ウエハＷの下面Ｗｂの全面から膜が除去される。その後、下面処理ユニット２３は、リンス処理および乾燥処理を行い、ウエハＷの回転を停止させる。下面処理ユニット２３が下面除去処理を終えると、第３搬送装置１８が下面処理ユニット２３からウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを第１受渡部１４に搬入する。

このように、基板処理システムは、ウエハＷの下面全体を処理する下面処理ユニット２３を備えていてもよい。

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１，１Ａ～１Ｄ）は、処理部（一例として、周縁部処理ユニット１９）と、受渡部（一例として、第１受渡部１４，１４Ａ、第２受渡部２０、第３受渡部１４＿１、第４受渡部１４＿２）と、対処理部搬送装置（一例として、第３搬送装置１８）と、検査部（一例として、検査部１５，１５Ａ）と、対検査部搬送装置（一例として、第２搬送装置１６，１６Ａ）とを備える。処理部は、基板（一例として、ウエハＷ）の周縁部を処理する。受渡部では、基板の受け渡しが行われる。対処理部搬送装置は、受渡部と処理部との間で基板の搬入出を行う。検査部は、基板の周縁部の処理状態を検査する。対検査部搬送装置は、検査部から基板を取り出して受渡部に搬入する。

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、周縁部処理を行う処理部および基板の周縁部を検査する検査部を備えた基板処理装置において、基板搬送に起因するスループットの低下を抑制することができる。

対処理部搬送装置は、処理部から基板を取り出して検査部へ搬入してもよい。この場合、検査部（一例として、検査部１５）は、互いに異なる方向に開口する搬入部（一例として、搬入部１１０）および搬出部（一例として、搬出部１２０）を有し、対処理部搬送装置による基板の搬入が搬入部を介して行われ、対検査部搬送装置（一例として、第２搬送装置１６）による基板の搬出が搬出部を介して行われてもよい。

これにより、対処理部搬送装置の処理負荷のうち、検査部から受渡部への基板の搬送に要する処理負荷を低減することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、複数の処理部、複数の受渡部（一例として、第１受渡部１４）、複数の検査部（一例として、検査部１５）、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置（一例として、第２搬送装置１６）を備えていてもよい。この場合、複数の処理部、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置は、それぞれ多段に積層されてもよい。また、１つの受渡部および１つの検査部を含むブロックは、段数に積層されてもよい。また、複数の対検査部搬送装置は、対応するブロックの検査部から基板を取り出して当該ブロックの受渡部に搬入してもよい。

多段に構成することで、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。また、各段に対応して対検査部搬送装置を設けることで、基板搬送によるスループットの低下を抑制することができる。

受渡部は、複数の基板を収容可能なカセット（一例として、カセットＣ）に搬入出される基板が載置される第１受渡部（一例として、第１受渡部１４Ａ）と、処理部に搬入出される基板が載置される第２受渡部（一例として、第２受渡部２０）とを含んでいてもよい。また、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１Ａ）は、カセットと第１受渡部との間で基板の搬入出を行う対カセット搬送装置（一例として、第１搬送装置１３）をさらに備えていてもよい。この場合、対検査部搬送装置は、第２受渡部から基板を取り出して検査部（一例として、検査部１５Ａ）に搬入し、検査部から基板を取り出して第１受渡部に搬入してもよい。

これにより、対処理部搬送装置の処理負荷のうち、検査部への基板の搬入および検査部からの基板の搬出に要する処理負荷を低減することができる。

実施形態に係る基板処理装置は、第１受渡部から基板を取り出して第２受渡部に搬入する受渡部間搬送装置（一例として、第４搬送装置２１）をさらに備えていてもよい。第４搬送装置を備えることで、第１受渡部から第２受渡部への基板の搬送効率を高めることができる。

実施形態に係る基板処理装置は、複数の処理部、複数の第１受渡部、複数の第２受渡部、複数の検査部、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置を備えていてもよい。この場合、複数の処理部、複数の第２受渡部、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置は、それぞれ多段に積層されてもよい。また、１つの第１受渡部および１つの検査部を含むブロックは、多段に積層されてもよい。また、対検査部搬送装置は、複数のブロックのうち１つに対応し、対応するブロックの検査部から基板を取り出して当該ブロックの第１受渡部に搬入してもよい。また、受渡部間搬送装置は、複数の第１受渡部および複数の第２受渡部に対応してもよい。

第１受渡部は、処理部によって処理される前の基板が載置される第３受渡部（一例として、第３受渡部１４＿１）と、処理部によって処理された後の基板が載置される第４受渡部（一例として、第４受渡部１４＿２）とを含んでいてもよい。この場合、受渡部間搬送装置は、処理部によって処理される前の基板を第３受渡部から取り出して第２受渡部に搬送してもよい。また、対検査部搬送装置は、処理部によって処理された後の基板を第２受渡部から取り出して第４受渡部に搬送してもよい。

第３受渡部を備えることで、対検査部搬送装置の第４受渡部へのアクセスと、受渡部間搬送装置の第３受渡部へのアクセスとを並行して行うことができる。これにより、スループットの更なる向上を図ることができる。

実施形態に係る基板処理装置は、複数の処理部、複数の第２受渡部、複数の第４受渡部、複数の検査部、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置を備えていてもよい。この場合、複数の処理部、複数の第２受渡部、複数の対処理部搬送装置および複数の対検査部搬送装置は、それぞれ多段に積層されてもよい。また、１つの第４受渡部および１つの検査部を含むブロックは、多段に積層されてもよい。また、対検査部搬送装置は、複数のブロックのうち１つに対応し、対応するブロックの検査部から基板を取り出して当該ブロックの第４受渡部に搬入してもよい。また、受渡部間搬送装置は、１つの第３受渡部から基板を取り出して複数の第２受渡部のいずれかに搬入してもよい。

第２受渡部は、搬入出部（一例として、搬入出部２１２）と、搬入部（一例として、搬入部２１３）と、搬出部（一例として、搬出部２１４）とを備える。搬入出部は、対処理部搬送装置が配置される搬送室（一例として、搬送室１７）に向かって開口する。搬入部は、搬入出部が開口する方向に対して第１の斜め方向に開口し、受渡部間搬送装置による基板の搬入が行われる。搬出部は、搬入出部が開口する方向に対して第２の斜め方向に開口し、対検査部搬送装置による基板の搬出が行われる。

受渡部間搬送装置および対検査部搬送装置による第２受渡部へのアクセス方向を斜め方向とすることで、設置面に対して基板処理装置が占める面積であるフットプリントを少なく抑えることができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ ：基板処理システム
２ ：搬入出ステーション
３ ：受渡ステーション
４ ：処理ステーション
４Ｕ ：上段処理ブロック
４Ｍ ：中段処理ブロック
４Ｌ ：下段処理ブロック
６ ：制御装置
１１ ：カセット載置部
１２ ：搬送室
１３ ：第１搬送装置
１４ ：第１受渡部
１５ ：検査部
１６ ：第２搬送装置
１７ ：搬送室
１８ ：第３搬送装置
１９ ：周縁部処理ユニット
２０ ：第２受渡部
２１ ：第４搬送装置
２２ ：全面検査部
２３ ：下面処理ユニット
Ｃ ：カセット
Ｗ ：ウエハ

Claims (2)

1. 基板の周縁部を処理する複数の処理部と、
   前記基板の受け渡しが行われる受渡部であって、複数の前記基板を収容可能なカセットに搬入出される前記基板が載置される第１受渡部と、前記処理部に搬入出される前記基板が載置される複数の第２受渡部とを含む受渡部と、
   前記受渡部と前記処理部との間で前記基板の搬入出を行う複数の対処理部搬送装置と、
   前記基板の周縁部の処理状態を検査する複数の検査部と、
   前記検査部から前記基板を取り出して前記受渡部に搬入する対検査部搬送装置であって、前記第２受渡部から前記基板を取り出して前記検査部に搬入し、前記検査部から前記基板を取り出して前記第１受渡部に搬入する複数の対検査部搬送装置と、
   前記カセットと前記第１受渡部との間で前記基板の搬入出を行う対カセット搬送装置と、
   前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第２受渡部に搬入する受渡部間搬送装置と
   を備え、
   前記第１受渡部は、
   前記処理部によって処理される前の前記基板が載置される第３受渡部と、
   前記処理部によって処理された後の前記基板が載置される複数の第４受渡部と
   を含み、
   前記受渡部間搬送装置は、
   前記処理部によって処理される前の前記基板を前記第３受渡部から取り出して前記第２受渡部に搬送し、
   前記対検査部搬送装置は、
   前記処理部によって処理された後の前記基板を前記第２受渡部から取り出して前記第４受渡部に搬送し、
   前記複数の処理部、前記複数の第２受渡部、前記複数の対処理部搬送装置および前記複数の対検査部搬送装置は、それぞれ多段に積層され、
   １つの前記第４受渡部および１つの前記検査部を含む複数のブロックは、多段に積層され、
   前記対検査部搬送装置は、複数の前記ブロックのうち１つに対応し、対応する前記ブロックの前記検査部から前記基板を取り出して当該ブロックの前記第４受渡部に搬入し、
   前記受渡部間搬送装置は、１つの前記第３受渡部から前記基板を取り出して前記複数の第２受渡部のいずれかに搬入する、基板処理装置。
2. 基板の周縁部を処理する処理部と、
   前記基板の受け渡しが行われる受渡部であって、複数の前記基板を収容可能なカセットに搬入出される前記基板が載置される第１受渡部と、前記処理部に搬入出される前記基板が載置される第２受渡部とを含む受渡部と、
   前記受渡部と前記処理部との間で前記基板の搬入出を行う対処理部搬送装置と、
   前記基板の周縁部の処理状態を検査する検査部と、
   前記検査部から前記基板を取り出して前記受渡部に搬入する対検査部搬送装置であって、前記第２受渡部から前記基板を取り出して前記検査部に搬入し、前記検査部から前記基板を取り出して前記第１受渡部に搬入する対検査部搬送装置と、
   前記カセットと前記第１受渡部との間で前記基板の搬入出を行う対カセット搬送装置と、
   前記第１受渡部から前記基板を取り出して前記第２受渡部に搬入する受渡部間搬送装置と
   を備え、
   前記第２受渡部は、
   前記対処理部搬送装置が配置される搬送室に向かって開口する搬入出部と、
   前記搬入出部が開口する方向に対して第１の斜め方向に開口し、前記受渡部間搬送装置による前記基板の搬入が行われる搬入部と、
   前記搬入出部が開口する方向に対して第２の斜め方向に開口し、前記対検査部搬送装置による前記基板の搬出が行われる搬出部と
   を備える、基板処理装置。

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