TW202218022A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 在具備進行周緣部處理之處理部及檢查基板之周緣部之檢查部的基板處理裝置中，抑制由於基板搬運引起之處理量之下降。 [解決手段] 本揭示所涉及的基板處理裝置具備處理部、收授部、對處理部搬運裝置、檢查部和對檢查部搬運裝置。處理部係對基板之周緣部進行處理。在收授部中，進行基板之收授。對處理部搬運裝置係在收授部和處理部之間進行基板之搬入搬出。檢查部係檢查基板之周緣部之處理狀態。對檢查部搬運裝置係從檢查部取出基板而搬入至收授部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示係關於基板理裝置及基板處理方法。
以往，已知具備對矽晶圓或化合物半導體晶圓等之基板之周緣部進行處理的處理部之基板處理裝置。
在此種的基板處理裝置中，為了確認是否適當地進行基板之周緣部之處理，有設置檢查基板之周緣部的檢查部之情況。
在專利文獻1揭示在收授站配置上述檢查部的基板處理裝置，該收授站係位於進行基板朝卡匣搬入搬出之搬入搬出站，和進行周緣部除去處理之處理站之間。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2019-062011號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供在具備進行周緣部處理之處理部及檢查基板之周緣部之檢查部的基板處理裝置中，可以抑制由於基板搬運引起之處理量之下降的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所涉及的基板處理裝置具備處理部、收授部、對處理部搬運裝置、檢查部和對檢查部搬運裝置。處理部係對基板之周緣部進行處理。在收授部中，進行基板之收授。對處理部搬運裝置係在收授部和處理部之間進行基板之搬入搬出。檢查部係檢查基板之周緣部之處理狀態。對檢查部搬運裝置係從檢查部取出基板而搬入至收授部。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，在具備進行周緣部處理之處理部及基板之周緣部的檢查部之基板處理裝置中，可以謀求處理量之提升。
以下，針對用以實行根據本揭示的基板處理裝置及基板處理方法之型態(以下，記載為「實施型態」)一面參照圖面一面予以詳細說明。另外，並非藉由該實施型態，限定本揭示者。再者，各實施型態可以在不使處理內容矛盾的範圍下適當組合。再者，在以下之各實施型態中，針對相同的部位標示相同的符號，省略重複的說明。
再者，在以下的實施型態中，雖然有使用如「一定」、「正交」、「垂直」或「平行」般之表現的情形，但是該些表現不必嚴格為「一定」、「正交」、「垂直」或「平行」。即是，上述各表現為容許例如製造精度、設置精度等的偏差。
再者，在以下參照的各圖面中，為了使說明容易理解，有表示規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，將Z軸正方向設為垂直向上方向的直角座標系統的情況。再者，有將以垂直軸為旋轉中心的旋轉方向稱為θ方向之情形。
(第1實施型態) [基板處理系統之構成] 首先，針對第1實施型態所涉及的基板處理系統之構成，參照圖1～圖4進行說明。圖1為從上方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。圖2及圖3為從側方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。在圖2中，省略各種搬運裝置，主要表示第1收授部14、檢查部15及周緣部處理單元19之配置。在圖3中，主要表示各主搬運裝置之配置。圖4為從後方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。
如圖1所示般，第1實施型態所涉及之基板處理系統1具備搬入搬出站2和處理站4。
在搬入搬出站2中，半導體晶圓等之基板(以下，記載為晶圓W)從卡匣C被取出而朝處理站4被搬運。而且，在處理站4中，進行晶圓W之處理。具體而言，在處理站4中，進行處理晶圓W之周緣部的周緣部處理。
之後，晶圓W係從處理站4朝搬入搬出站2被搬運，而被收容在卡匣C。此時，在搬入搬出站2中，為了在卡匣C收容晶圓W之前，確認晶圓W之周緣部之膜是否被適當地除去，進行檢查晶圓W之周緣部的檢查處理。
(搬入搬出站) 搬入搬出站2具備卡匣載置部11和搬運室12。在卡匣載置部11被載置以水平狀態收容複數片之晶圓W之複數卡匣C。
搬運室12係被配置在卡匣載置部11和處理站4之間。如圖1～圖3所示般，在搬運室12，具備第1搬運裝置13(對卡匣搬運裝置之一例)，和複數第1收授部14、複數檢查部15和複數第2搬運裝置16(對檢查部檢查裝置)。
第1搬運裝置13係在卡匣C和第1收授部14之間進行晶圓W之搬入搬出。第1搬運裝置13具備複數從下方支持1片晶圓W之支持部。例如，第1搬運裝置13具備3個以上之支持部。第1搬運裝置13係能夠朝水平方向及垂直方向移動及以垂直軸為中心旋轉，可以在卡匣C和第1收授部14之間一次搬運複數晶圓W。如圖3所示般，在搬運室12配置1個第1搬運裝置13。
在複數第1收授部14載置對卡匣C被搬入搬出的晶圓W。即是，在複數第1收授部14載置從卡匣C被搬出的晶圓W及朝卡匣C被搬入的晶圓W。各第1收授部14能夠沿著垂直方向多層地收容複數晶圓W。
複數檢查部15係檢查晶圓W之周緣部之處理狀態。針對檢查部15之具體構成於後述。
1個第1收授部14和1個檢查部15被疊層在高度方向。而且，在基板處理系統1中，包含該些第1收授部14及檢查部15之區塊係按層數被疊層在高度方向。具體而言，後述處理站4具有被疊層為多層的上層處理區塊4U，和中層處理區塊4M及下層處理區塊4L。包含第1收授部14及檢查部15的區塊係一個一個地被配置在與上層處理區塊4U對應的位置、與中層處理區塊4M及下層處理區塊4L對應的位置。
在此，雖然表示在第1收授部14之下部配置檢查部15之情況的例，但是即使在檢查部15之下部配置第1收授部14亦可。
複數第2搬運裝置16係與由第1收授部14及檢查部15構成的複數區塊對應而設置多層。各第2搬運裝置16係從被配置在對應的區塊之檢查部15取出晶圓W，搬入至被配置在對應的區塊的第1收授部14。
第2搬運裝置16係被配置在第1收授部14之側方。具體而言，第2搬運裝置16係在與搬入搬出站2及處理站4之並列方向(X軸方向)正交之水平方向(Y軸方向)與第1收授部14鄰接。另外，第1搬運裝置13及後述的第3搬運裝置18係在X軸方向中與第1收授部14鄰接。
第2搬運裝置16具備複數從下方支持1片晶圓W之支持部。例如，第2搬運裝置16具備2個支持部，可以對每個支持部進行晶圓W之搬入搬出。第2搬運裝置16能夠朝垂直向移動，可以在被上下疊層的第1收授部14及檢查部15之間搬運晶圓W。
(處理站) 處理站4係如圖2～圖4所示般，具備上層處理區塊4U、中層處理區塊4M、下層處理區塊4L。上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L係藉由隔牆或擋板等被空間性地區隔，並列配置在高度方向。
上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L具有相同的構成。具體而言，各處理區塊4U、4M、4L係如圖1所示般，具備搬運室17和複數周緣部處理單元19。
搬運室17係與搬入搬出站2之搬運室12鄰接而被設置。具體而言，搬運室17係與被配置在搬運室12的第1收授部14鄰接而被設置。再者，在搬運室17之兩側方(Y軸正方向及Y軸負方向)分別配置複數周緣部處理單元19。
例如，在圖示之例中，在搬運室17之Y軸正方向側，沿著X軸方向橫向並列配置2個周緣部處理單元19。再者，在搬運室17之Y軸負方向側，沿著X軸方向橫向並列配置2個周緣部處理單元19。因此，上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L，分別配置合計4個的周緣部處理單元19。
在搬運室17，配置在第1收授部14和周緣部處理單元19之間進行晶圓W之搬入搬出的第3搬運裝置18(對處理部搬運裝置之一例)。第3搬運裝置18具備複數從下方支持1片晶圓W之支持部。例如，第3搬運裝置18具備2個支持部，可以對每個支持部進行晶圓W之搬入搬出。
第3搬運裝置18係能夠朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心旋轉，同樣在與處理區塊4U、4M、4L對應的第1收授部14及周緣部處理單元19間進行晶圓W之搬入搬出。再者，第1實施型態所涉及之第3搬運裝置18也進行將在周緣部處理單元19中被處理的晶圓W朝檢查部15搬入的處理。
周緣部處理單元19係進行處理晶圓W之周緣部的周緣部處理。具體而言，周緣部處理單元19係進行從晶圓W之斜面部蝕刻除去膜的周緣部除去處理。在此，斜面部係指被形成在晶圓W之端面及其周邊的傾斜部。傾斜部分別被形成在晶圓W之上面周緣部及下面周緣部。
另外，周緣部處理不一定需要除去膜的處理。例如，即使周緣部處理單元19作為周緣部處理而進行洗淨晶圓W之斜面部的周緣部洗淨處理亦可。
在此，針對周緣部處理單元19之構成例參照圖5予以說明。圖5為周緣部處理單元19之示意圖。
如圖5所示般，周緣部處理單元19具備腔室81、基板保持機構82、供給部83和回收杯84。
腔室81收容基板保持機構82、供給部83及回收杯84。在腔室81之頂棚部，設置在腔室81內形成下向流之FFU(Fun Filter Unit)811。
基板保持機構82具有將晶圓W保持水平的保持部821、在垂直方向延伸而支持保持部821的支柱構件822、使支柱構件822繞垂直軸旋轉的驅動部823。
保持部821被連接於真空泵等之吸氣裝置(無圖示)，利用藉由如此之吸氣裝置之吸氣而產生之負壓而吸附晶圓W之背面而水平保持晶圓W。作為保持部821，可以使用例如多孔夾具或靜電夾具等。
保持部821具有直徑較晶圓W小的吸附區域。依此，可以對晶圓W之下面周緣部供給從後述供給部83之下側噴嘴832被吐出的藥液。
供給部83具備上側噴嘴831和下側噴嘴832。上側噴嘴831係被配置在被保持於基板保持機構82的晶圓W之上方，下側噴嘴832係被配置在同晶圓W之下方。
在上側噴嘴831及下側噴嘴832，經由閥體71及流量調整器72而連接藥液供給源73。上側噴嘴831係對被保持於基板保持機構82之晶圓W之上面周緣部吐出從藥液供給源73被供給之氫氟酸(HF)或硝酸(HNO3)等之藥液。再者，下側噴嘴832係對被保持於基板保持機構82的晶圓W之下面周緣部，吐出從藥液供給源73被供給的藥液。
再者，供給部83具有使上側噴嘴831移動的第1移動機構833，和使下側噴嘴832移動的第2移動機構834。藉由使用該些第1移動機構833及第2移動機構834，使上側噴嘴831及下側噴嘴832移動，可以變更對晶圓W供給藥液的位置。
回收杯84被配置成包圍基板保持機構82。在回收杯84之底部，形成用以將從供給部83被供給的藥液朝腔室81之外部排出的排液口841，和用以將腔室81內之氛圍予以排氣的排氣口842。
周緣部處理單元19係被構成上述般，以保持部821吸附保持晶圓W之下面之後，使用驅動部823使晶圓W旋轉。而且，周緣部處理單元19係從上側噴嘴831朝向旋轉的晶圓W之上面周緣部吐出藥液，並且從下側噴嘴832朝向旋轉的晶圓W之下面周緣部吐出藥液。依此，附著於晶圓W之斜面部的膜被除去。此時，附著於晶圓W之斜面部的微粒等的髒污和膜同時被除去。
另外，即使周緣部處理單元19於進行上述周緣部除去處理之後，藉由從上側噴嘴831及下側噴嘴832吐出純水等的沖洗液，進行沖洗殘存在晶圓W之斜面部的藥液的沖洗處理亦可。再者，即使周緣部處理單元19於沖洗處理後，藉由使晶圓W旋轉而進行使晶圓W乾燥的乾燥處理亦可。
如圖1所示般，基板處理系統1具備控制裝置6。控制裝置6為例如電腦，具備控制部61和記憶部62。在記憶部62儲存控制在基板處理系統1中被實行之各種處理的程式。控制部61係例如CPU(Central Processing Unit)，藉由讀出並實行被記憶於記憶部62之程式，控制基板處理系統1之動作。
另外，如此之程式係被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置6之記憶部62者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。另外，控制部61即使不使用程式，僅由硬體構成亦可。
在周緣部除去處理中，規定膜之除去寬度(沿著將晶圓W之外周緣設為一端之晶圓W之徑向的寬度，以下記載為「切割寬度」)。但是，例如在上側噴嘴831及下側噴嘴832之位置不適當之情況，有實際的切割寬度相對於被規定的切割寬度偏移之虞。再者，晶圓W之中心相對於基板保持機構82之旋轉中心偏移之情況，有在晶圓W之周方向，於切割寬度產生不均勻之虞。因此，有以攝影機攝像周緣部除去處理後之晶圓W，根據所獲得的畫像，進行確認周緣部除去處理是否適當地被實施之作業的情況。
在第1實施型態所涉及之基板處理系統1中，檢查周緣部除去處理後之晶圓W之斜面部的檢查部15，係被設置在周緣部處理單元19之外部，並且複數周緣部處理單元19共用1個。
[檢查部之構成] 以下，針對第1實施型態所涉及之檢查部15之構成參照圖6～圖11而具體性地說明。
圖6為從側方觀看第1收授部14及檢查部15之示意圖。如圖6所示般，檢查部15係在第1收授部14之下方與第1收授部14鄰接而設置。
如此一來，藉由在高度方向重複配置第1收授部14和檢查部15，可以抑制基板處理系統1之佔地面積的增大，再者，藉由在第1收授部14之下方配置檢查部15，即使在假如灰塵等從檢查部15落下之情況，落下的灰塵等附著於第1收授部14之晶圓W的情形。
圖7係從上方觀看第1實施型態所涉及之檢查部15的示意圖，圖8為從側方觀看第1實施型態所涉及之檢查部15的示意圖。另外，在圖8中，省略表示溝槽檢測次單元300。
如圖7所示般，檢查部15具備底板100、旋轉保持次單元200(旋轉保持部之一例))、溝槽檢測次單元300(檢測部之一例)、第1攝像次單元400和第2攝像次單元500。
在第1實施型態所涉及之基板處理系統1中，第1搬運裝置13、第2搬運裝置16及第3搬運裝置18之中，第2搬運裝置16及第3搬運裝置18係對檢查部15存取。
具體而言，檢查部15具備朝彼此不同的方向開口的搬入部110及搬出部120。搬入部110係朝向搬運室17開口，搬出部120係朝向第2搬運裝置16開口。第3搬運裝置18係經由搬入部110而將晶圓W朝檢查部15搬入，第2搬運裝置16係經由搬出部120而從檢查部15搬出晶圓W。
底板100係例如板狀之構件，各次單元200～500係被設置在底板100上。
旋轉保持次單元200具備保持台201和致動器202。保持台201係藉由例如吸附等而將晶圓W保持水平的吸附夾具。保持台201具有直徑較晶圓W小的吸附區域。致動器202係例如電動馬達，使保持台201旋轉驅動。
溝槽檢測次單元300係檢測被形成在晶圓W之溝槽的位置。例如，溝槽檢測次單元300具備無圖示的橫溝。在橫溝之下面設置發光元件，在上面設置受光元件。在旋轉保持次單元200載置晶圓W之狀態，來自發光元件之照射光係藉由晶圓W之之周緣部被遮蔽，受光元件不接收照射光。但是，若藉由旋轉保持次單元200所致的旋轉，被形成在晶圓W之周緣部的溝槽來到與發光元件相向之位置時，照射光通過溝槽而被受光元件接收。依此，溝槽檢測次單元300可以檢測被形成在晶圓W之溝槽的位置。
圖9及圖10為從斜上方觀看第1攝像次單元400及第2攝像次單元500之示意圖。再者，圖11為從側方觀看第1攝像次單元400之示意圖，圖11為從側方觀看照明模組420及鏡構件430之示意圖。
如圖7～圖11所示般，第1攝像次單元400具備攝影機410(一方面側攝像部之一例)，和照明模組420，和鏡構件430。
攝影機410具備透鏡411和攝像元件412。攝影機410之光軸係朝向照明模組420而水平延伸。
照明模組420係被配置在被保持於保持台201之晶圓W之上方。照明模組420具備光源421、光散射構件422、保持構件423。
光源421例如具備框體421a，和被配置在框體421a之複數LED點光源421b(在圖11中僅圖示1個)。複數LED點光源421b係沿著晶圓W之徑向而並列配置成一列。
光散射構件422係以與光源421重疊之方式被連接於光源421。在光散射構件422，形成在光源421及光散射構件422重疊之方向延伸的貫通孔422a。在貫通孔422a之內壁面施予鏡面加工。依此，當來自光源421之光射入至光散射構件422之貫通口422a內時，入射光在貫通口422a內之鏡面部分散射，生成散射光。
保持構件423係以與光散射構件422重疊之方式被連接於光散射構件422。在保持構件423形成貫通孔423a，和與貫通孔423a交叉之交叉孔423b。貫通孔423a係在光散射構件422及保持構件423重疊的方向延伸。交叉孔423b係與貫通口423a連通。
保持構件423係在內部保持半透鏡424、圓柱透鏡425、光擴散構件426和焦點調節透鏡427。半透鏡424係在如圖11所示般，例如以相對於水平方向呈45度的角度傾斜之狀態，被配置在貫通孔423a及交叉孔423b之交叉部分。半透鏡424呈矩形狀。
圓柱透鏡425係被配置在光散射構件422和半透鏡424之間。圓柱透鏡425係朝向半透鏡424突出的凸型的圓柱透鏡。圓柱透鏡425之軸係在複數LED點光源421b並列的方向延伸。當來自光散射構件422的散射光射入至圓柱透鏡425時，散射光沿著圓柱透鏡425之圓柱面之周方向擴大。
光擴散構件426係被配置在圓柱透鏡425和半透鏡424之間。光擴散構件426係例如呈矩形狀之薄片構件，使穿透圓柱透鏡425之光擴散。依此，在光擴散構件426生成擴散光。例如，即使光擴散構件426具有使射入的光擴散至光擴散構件426之面的全方向的各向等性亦可。再者，即使光擴散構件426具有使射入的光朝向圓柱透鏡425之軸方向(與圓柱透鏡425之圓柱面之周方向正交之方向)擴散的各向異性擴散功能亦可。
焦點調節透鏡427係被配置在交叉孔423b內。焦點調節透鏡427具有使與透鏡411之合成焦點距離變化的功能。
鏡構件430係被配置在照明模組420之下方，使來自晶圓W之端面Wc之反射光反射。鏡構件430具備本體431，和反射面432。本體431係藉由例如鋁塊構成。反射面432係被保持於保持台201之晶圓W之端面Wc和下面Wb之周緣區域We相向。反射面432係對保持台201之旋轉軸傾斜。
反射面432係朝向被保持於保持台201之晶圓W之端面Wc分離之側凹陷的彎曲面。因此，當晶圓W之端面Wc映射在反射面432時，其鏡像比實像更擴大。反射面432之曲率半徑為例如10mm以上30mm以下。再者，反射面432之開口角(與反射面432外接的2個平面構成的角度)為例如100度以上150度以下。
在照明模組420中，從光源421被射出的光在光散射構件422被散射，在圓柱透鏡425被擴大，並且在光擴散構件426被擴散之後，全體性地通過半透鏡424而朝下方被照射。通過半透鏡424的擴散光係在位於半透鏡424之下方的鏡構件430之反射面432反射。擴散光在反射面432反射的反射光主要被照射至晶圓W之端面Wc，和上面Wa側之周緣區域Wd。
在晶圓W之上面Wa之周緣區域Wd反射的反射光不朝向鏡構件430之反射面432，而在半透鏡424再次反射，不通過焦點調節透鏡427而通過攝影機410之透鏡411，射入至攝影機410之攝像元件412。
另一方面，從晶圓W之端面Wc反射的反射光在鏡構件430之反射面432和半透鏡424依序反射，而依序通過焦點調節透鏡427和攝影機410之透鏡411，射入至攝影機410之攝像元件412。
如此一來，攝影機410之攝像元件412，被輸入來自晶圓W之上面Wa之周緣區域Wd的反射光，和來自晶圓W之端面Wc及鏡構件430之反射光的雙方。因此，若藉由第1攝像次單元400時，可以同時攝像晶圓W之上面Wa之周緣區域Wd(包含上面周緣部的區域)和晶圓W之端面Wc之雙方。
接著，針對第2攝像次單元500之構成予以說明。第2攝像次單元500具備攝影機510(另一面側攝像部之一例)，和照明模組520。
攝影機510具備透鏡511和攝像元件512。攝影機510之光軸係朝向照明模組520而水平延伸。
照明模組520係被配置在照明模組420之下方，且被保持於保持台201之晶圓W之下方。照明模組520具備半透鏡521和無圖示的光源。半透鏡521係在例如相對於水平方向以45度之角度傾斜之狀態被配置。半透鏡521呈例如矩形狀。
光源位於半透鏡521之下方。從光源被射出的光全體性地通過半透鏡521而朝上方被照射。通過半透鏡521之光通過攝影機510之透鏡 511，射入至攝影機510之攝像元件512。即是，攝影機510可以經由半透鏡521而攝像存在於光源之照射區域的晶圓W之下面Wb。
[基板處理系統之具體動作] 接著，針對與第1實施型態所涉及之基板處理系統1之具體動作，參照圖12～圖15予以說明。圖12為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統1實行之處理程序的流程圖。再者，圖13～圖15為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統1中之晶圓W之搬運流程的圖。在圖13～圖15中，以箭號表示晶圓W之流程。
如圖12所示般，在基板處理系統1中，首先進行搬入處理(步驟S101)。搬入處理係將被收容在卡匣C之晶圓W搬入至周緣部處理單元19的處理。
具體而言，如圖13所示般，首先，第1搬運裝置13從卡匣C取出晶圓W而收容在第1收授部14。此時，第1搬運裝置13係一次地從卡匣C取出複數晶圓W，將取出的複數晶圓W一次地收容在第1收授部14。而且，第3搬運裝置18係從第1收授部14取出晶圓W而朝周緣部處理單元19搬入。此時，即使第3搬運裝置18從第1收授部14取出複數(例如兩片)之晶圓W，朝複數周緣部處理單元19搬入取出的複數晶圓W亦可。
接著，在基板處理系統1中，在周緣部處理單元19，進行周緣部處理(步驟S102)。具體而言，在周緣部處理單元19中，基板保持機構82之保持部821保持晶圓W，藉由驅動部823使保持部821旋轉，使被保持於保持部821之晶圓W旋轉。接著，第1移動機構833及第2移動機構834係使上側噴嘴831及下側噴嘴832分別配置在晶圓W之上方及下方之特定位置。
之後，從藥液供給源73被供給的藥液分別從上側噴嘴831及下側噴嘴832被供給至旋轉的晶圓W之上面周緣部及下面周緣部。依此，膜從晶圓W之斜面部被除去。之後，周緣部處理單元19進行沖洗處理及乾燥處理，使晶圓W之旋轉停止。
接著，在基板處理系統1中，進行檢查處理(步驟S103)。如圖14所示般，首先，第3搬運裝置18係從周緣部處理單元19取出晶圓W而朝檢查部15搬入。
在檢查部15中，首先進行溝槽對準處理。溝槽對準處理係將晶圓W之溝槽之位置對準於事先設定的位置。接著，在檢查部15中進行攝像處理。攝像處理係攝像晶圓W之上面Wa之周緣區域Wd及端面Wc以及下面Wb之周緣區域We的處理。檢查部15係一面使用旋轉保持次單元200使晶圓W旋轉，一面涵蓋晶圓W之全周而攝像晶圓W之上面周緣部和端面和下面周緣部。依此，可以取得涵蓋晶圓W之上面周緣部、端面及下面周緣部之晶圓W全周的畫像資料。
接著，在基板處理系統1中，進行搬出處理(步驟S104)。搬出處理係將結束在檢查部15的檢查的晶圓W返回至卡匣C的處理。
具體而言，如圖14所示般，第2搬運裝置16係從檢查部15取出晶圓W，接著如圖15所示般，將取出的晶圓W搬入至第1收授部14。之後，第1搬運裝置13係從第1收授部14取出晶圓W而收容至卡匣C。此時，第1搬運裝置13係一次地取出被載置於第1收授部14的複數晶圓W，將取出的複數晶圓W一次地收容在卡匣C。
在專利文獻1所涉及的基板處理裝置中，被配置在處理站的對檢查部搬運裝置進行基板對處理部的搬入搬出，和基板對檢查部的搬入搬出。因此，對檢查部搬運裝置之處理負載高，有基板處理裝置中之處理的處理量在對檢查部搬運裝置中限速之虞。
對此，在第1實施型態所涉及之基板處理系統1中，藉由設置從檢查部15取出晶圓W而搬入至第1收授部14之第2搬運裝置，來減少第3搬運裝置18之處理負載。依此，可以抑制基板處理系統1之處理量在第3搬運裝置18中限速之情形。換言之，可以謀求基板處理系統1中之基板處理的處理量的提升。
(第2實施型態) 接著，針對第2實施型態所涉及之基板處理系統之構成予以說明。在第2實施型態中，不僅自檢查部15搬出晶圓W，第2搬運裝置16也擔當朝檢查部15搬入晶圓W。圖16為從上方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。圖17為從側方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。在圖17中，省略各種搬運裝置，主要表示第1收授部14A、檢查部15A、第2收授部20及周緣部處理單元19之配置。圖18為從後方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之收授站的配置圖。
如圖16～圖18所示般，第2實施型態所涉及之基板處理系統1A在搬入搬出站2和處理站4之間具備收授站3。
在收授站3配置複數第2收授部20。再者，在收授站3，配置作為對檢查部搬運裝置之一例的複數第2搬運裝置16A，和作為收授部間搬運裝置之一例的第4搬運裝置21。
第2收授部20能夠收容複數晶圓W，載置對周緣部處理單元19被搬入搬出的晶圓W。第2收授部20係被配置在與處理站4之搬運室17鄰接的位置。第1收授部14A和第2收授部20係沿著搬入搬出站2、收授站3及處理站4之並列方向(X軸方向)而被配置。
複數(在此，3個)第2收授部20被疊層於高度方向，分別對應於上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L(參照圖17)。針對第2收授部20之具體構成於後述。
第2搬運裝置16A及第4搬運裝置21被配置在第1收授部14A和第2收授部20之間。具體而言，第2搬運裝置16A及第4搬運裝置21係從第1收授部14A觀看被配置在斜後方，並且從第2收授部20觀看被配置在斜前方。
第2搬運裝置16A及第4搬運裝置21具備複數從下方支持1片晶圓W之支持部。例如，第2搬運裝置16A具備2個支持部，可以對每個支持部進行晶圓W之搬入搬出。另一方面，第4搬運裝置21具備比第2搬運裝置16A更多的支持部。例如，第4搬運裝置21具備5個支持部。
第2搬運裝置16A及第4搬運裝置21能夠朝垂直方向移動及以垂直軸為中心的旋轉。第2搬運裝置16A係進行在第2收授部20及檢查部15A之間的晶圓W之搬運，和在檢查部15A及第1收授部14A間的晶圓W之搬運。再者，第4搬運裝置21係進行在第1收授部14A及第2收授部20之間的晶圓W之搬運。
如圖18所示般，複數第2搬運裝置16A被疊層於高度方向，分別對應於上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L。另一方面，第4搬運裝置21在收授站3僅配置1個，與上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L之全部對應。即是，第4搬運裝置21也能將從第1收授部14A取出的晶圓W，搬入至與上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L中之任一者對應的第2收授部20。第4搬運裝置21可以從第1收授部14A一次地取出複數(例如5片)之晶圓W，將取得的複數晶圓W一次地搬入至第2收授部20。
第2搬運裝置16A係對檢查部15A傾斜地存取。圖19為從上方觀看第2實施型態所涉及之檢查部15A之示意圖。如圖19所示般，第2實施型態所涉及之檢查部15A具備朝向第2搬運裝置16A開口的搬入搬出部130。具體而言，搬入搬出部130相對於搬入搬出站2、收授站3及處理站4之並列方向傾斜地開口。第2搬運裝置16A係經由如此的搬入搬出部130而進行晶圓W對檢查部15A的搬入搬出。
再者，第1收授部14A及第2收授部20被構成能從不同的3方向存取。圖20為從上方觀看第2實施型態所涉及之第1收授部14A之示意圖。再者，圖21為從上方觀看第2實施型態所涉及之第2收授部20的示意圖。
如圖20所示般，第1收授部14A具備例如3個支持構件141。在各支持構件141，沿著高度方向形成複數的溝部，在各溝支持晶圓W之下面。
3個支持構件141係以例如120度間隔配置。第1搬運裝置13、第2搬運裝置16A及第4搬運裝置21係從2個支持構件141間的間隙對第1收授部14A存取，進行晶圓W對第1收授部14A的搬入搬出。
具體而言，第1搬運裝置13係經朝向第1搬運裝置13開口的搬入搬出部142，沿著各站2～4之並列方向(X軸方向)對第1收授部14A存取。第4搬運裝置21係經由相對於搬入搬出部142開口之方向(X軸方向)朝傾斜方向開口的搬出部143，相對於第1收授部14A從傾斜的方向存取。第2搬運裝置16A也相同係經由相對於搬入搬出部142開口之方向(X軸方向)朝傾斜方向開口的搬入部144，相對於第1收授部14A從傾斜的方向存取。
圖21所示的第2收授部20也具有與第1收授部14A相同的構成。即是，第2收授部20具備以120度間隔配置的3個支持構件211，在各支持構件211之間分別具有搬入搬出部212、搬入部213及搬出部214。
第3搬運裝置18係經朝向處理站4之搬運室17開口的搬入搬出部212，沿著各站2～4之並列方向(X軸方向)對第2收授部20存取。第4搬運裝置21係經由相對於搬入搬出部212開口之方向(X軸方向)朝傾斜方向開口的搬入部213，相對於第2收授部20從傾斜的方向存取。第2搬運裝置16A係經由相對於搬入搬出部212開口之方向(X軸方向)朝傾斜方向開口的搬出部214，相對於第2收授部20從傾斜的方向存取。
接著，針對與第2實施型態有關之基板處理系統1A中之晶圓W之搬運流程，參照圖22～圖24進行說明。圖22～圖24為表示第2實施型態所涉及之基板處理系統1A中之晶圓W之搬運流程的圖。在圖22～圖24中，以箭號表示晶圓W之流程。在圖22及圖23中，在處理部間存在2個箭號之情況，以實線表示最初的(前進之)箭號，以虛線表示之後(返回的)箭號。另外，第2實施型態所涉及之一連串之基板處理的處理順序也與第1實施型態相同，如同圖12所示般。
如圖22所示般，首先，第1搬運裝置13從卡匣C取出晶圓W而搬入至第1收授部14A。第1搬運裝置13係將複數晶圓W整批搬入至第1收授部14A。接著，第4搬運裝置21係從第1收授部14A一次地取出複數晶圓W，而一次地搬入至與上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L中之任一者對應的第2收授部20。另外，即使第4搬運裝置21係在上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L間依序切換晶圓W之搬入目的地亦可。
接著，第3搬運裝置18係從第2收授部20取出晶圓W而搬入至周緣部處理單元19，周緣部處理單元19係對晶圓W進行周緣部除去處理。周緣部處理單元19所致的處理完成時，第3搬運裝置18係從周緣部處理單元19取出晶圓W，而搬入至第2收授部20。
接著，如圖23所示般，第2搬運裝置16A係從第2收授部20取出晶圓W，搬入至檢查部15A，檢查部15A係對晶圓W進行檢查處理。當檢查部15A所致的檢查處理完成時，第2搬運裝置16A係從檢查部15A取出晶圓W。
接著，如圖24所示般，第2搬運裝置16A係將晶圓W搬入至第1收授部14A。而且，第1搬運裝置13係取出被載置於第1收授部14A之複數晶圓W而收容於卡匣C。
如此一來，若藉由第2實施型態所涉及之基板處理系統1A時，可以降低第3搬運裝置18之處理負載之中，朝檢查部15A搬入晶圓W及從檢查部15A搬出晶圓W所需的處理負載。
再者，若藉由第2實施型態所涉及之基板處理系統1A時，藉由具備第4搬運裝置21，可以提升晶圓W從第1收授部14A朝第2收授部20之搬運效率。
(第3實施型態) 接著，針對第3實施型態所涉及之基板處理系統的構成，參照圖25～圖27予以說明。圖25為從上方觀看第3實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。圖26及圖27為從側方觀看第3實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。
如圖25～圖27所示般，第3實施型態所涉及之基板處理系統1B係在搬入搬出站2之搬運室12具備第3收授部14_1和複數第4收授部14_2。
在第3收授部14_1載置藉由周緣部處理單元19被處理之前的晶圓W。第3收授部14_1係被配置在與第4搬運裝置21對應的位置，具體而言，第4搬運裝置21之前方(X軸負方向)。如圖26所示般，第3收授部14_1在搬入搬出站2之搬運室12僅設置1個。
在複數第4收授部14_2載置藉由周緣部處理單元19被處理之後的晶圓W。複數第4收授部14_2係被配置在與第2搬運裝置16對應的位置，具體而言，各第2搬運裝置16之前方(X軸負方向)。即是，如圖27所示般，各第4收授部14_2與檢查部15一起形成1個區塊，各區塊被配置在與上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L對應的高度。
接著，針對與第3實施型態有關之基板處理系統1B中之晶圓W之搬運流程，參照圖28及圖29進行說明。圖28及圖29為表示第3實施型態所涉及之基板處理系統1B中之晶圓W之搬運流程的圖。
如圖28所示般，首先，第1搬運裝置13從卡匣C取出晶圓W而搬入至第3收授部14_1。第1搬運裝置13係將複數晶圓W整批搬入至第3收授部14_1。接著，第4搬運裝置21係從第3收授部14_1一次地取出複數晶圓W，而一次地搬入至與上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L中之任一者對應的第2收授部20。
接著，第3搬運裝置18係從第2收授部20取出晶圓W而搬入至周緣部處理單元19，周緣部處理單元19係對晶圓W進行周緣部除去處理。周緣部處理單元19所致的處理完成時，第3搬運裝置18係從周緣部處理單元19取出晶圓W，而搬入至第2收授部20。
接著，第2搬運裝置16係從第2收授部20取出晶圓W而搬入至檢查部15，檢查部15係對晶圓W進行檢查處理。當檢查部15所致的檢查處理完成時，第2搬運裝置16係從檢查部15取出晶圓W。
接著，如圖29所示般，第2搬運裝置16係將晶圓W搬入至第4收授部14_2。而且，第1搬運裝置13係取出被載置於第4收授部14_2的複數晶圓W而收容於卡匣C。
如此一來，若藉由第3實施型態所涉及之基板處理系統1B時，與第2實施型態相同，可以降低第3搬運裝置18之處理負載之中，朝檢查部15搬入晶圓W及從檢查部15搬出晶圓W所需的處理負載。
再者，若藉由第3實施型態所涉及之基板處理系統1B時，藉由具備第3收授部14_1，可以同時進行第2搬運裝置16朝第4收授部14_2的存取，和第4搬運裝置21朝第3收授部14_1的存取。因此，若藉由第3實施型態所涉及之基板處理系統1B時，可以謀求更提升處理量。
(第1變形例) 在上述各實施型態中，針對基板處理系統具備僅檢查晶圓W之一部分的區域的周緣部之檢查部的情況的一例予以說明。不限定於此，即使基板處理系統具備檢查晶圓W之全面的檢查部亦可。針對此情況之例，參照圖30及圖31予以說明。圖30及圖31為表示第1變形例所涉及之基板處理系統中之晶圓W之搬運流程的圖。另外，在圖30及圖31中，作為一例，表示在第2實施型態所涉及之基板處理系統1A設置全面檢查部22之情況。
如圖30及圖31所示般，第1變形例所涉及之基板處理系統1C進一步具備全面檢查部22。全面檢查部22係例如跨越搬入搬出站2之搬運室12及收授站3而被配置。再者，全面檢查部22係例如被配置在第4搬運裝置21之側方(Y軸正方向側)。
在此，針對全面檢查部22之構成參照圖32及圖33進行說明。圖32為從上方觀看第1變形例所涉及之全面檢查部22之剖面圖。再者，圖33為從側方觀看第1變形例所涉及之全面檢查部22之剖面圖。
如圖32及圖33所示般，全面檢查部22具有殼體51。在殼體51內設置保持晶圓W之保持部52。保持部52係例如真空挾盤，吸附保持晶圓W之背面中央部。
在殼體51之底面，設置沿著Y軸方向而延伸的導軌53。在導軌53上，設置使保持部52旋轉，同時沿著導軌53而移動自如的驅動部54。
在殼體51內之側面設置攝像部55。作為攝像部55使用例如廣角型之CCD攝影機。在殼體51之上部中央附近設置有半透鏡56。半透鏡56係在與攝像部55相向之位置，在鏡面朝向垂直下方的狀態朝向攝像部55之方向往45度上方傾斜之狀態下被設置。
在半透鏡56之上方設置照明裝置57。半透鏡56和照明裝置57被固定在殼體51內部之上面。來自照明裝置57之照明係通過半透鏡56而朝向下方照射。因此，藉由位於照明裝置57之下方的物體而反射之光係在半透鏡56又反射，而被截取至攝像部55。即是，攝像部55係可以攝像位於照明裝置57所致的照射區域的物體。
全面檢查部22係一面使用驅動部54而使保持部52沿著導軌53移動，一面進行攝像部55所致的攝像。依此，全面檢查部22可以取得晶圓W之表面全體的畫像。
基板處理系統1C係例如對藉由周緣部處理單元19被處理之前的晶圓W，進行使用全面檢查部22之檢查處理(參照圖30)。之後，基板處理系統1C係例如對藉由周緣部處理單元19被處理之後的晶圓W，進行使用檢查部15A之檢查處理(參照圖31)。
首先，如圖30所示般，第1搬運裝置13從卡匣C取出晶圓W而搬入至第1收授部14A。接著，第4搬運裝置21係從第1收授部14A取出晶圓W而搬入至全面檢查部22，全面檢查部22係對晶圓W進行檢查處理。具體而言，全面檢查部22係攝像晶圓W之表面全體。依此，可以掌握藉由周緣部處理單元19被處理之前的晶圓W之表面全體的狀態，例如有無微粒或膜厚等。
全面檢查部22所致的檢查處理完成時，第4搬運裝置21係從全面檢查部22取出晶圓W，而搬入至第2收授部20。之後，在如同在第2實施型態中說明般，如圖31所示般，第2搬運裝置16A係從第2收授部20取出藉由周緣部處理單元19被處理之後的晶圓W而搬入至檢查部15A，檢查部15A係對晶圓W進行檢查處理。具體而言，檢查部15A係攝像晶圓W之周緣部。
如此一來，基板處理系統1C除了僅攝像晶圓W之周緣部分的檢查部15A之外，即使具備攝像晶圓W之全面的全面檢查部22亦可。
另外，即使全面檢查部22對應於上層處理區塊4U、中層處理區塊4M及下層處理區塊4L而配置多層亦可。在此情況，即使第4搬運裝置21也同樣配置多層亦可。依此，可以提升處理量。
再者，在此，雖然針對基板處理系統1C具備檢查部15A及全面檢查部22之雙方之情況的例予以說明，但是，即使基板處理系統1C為僅具備全面檢查部22的構成亦可。在此情況，即使全面檢查部22被配置在例如第2搬運裝置16A之側方(Y軸負方向側)，對藉由周緣部處理單元19被處理之後的晶圓W進行檢查處理亦可。
(第2變形例) 在上述各實施型態中，針對基板處理系統具備周緣部處理單元19之情況的例予以說明。不限定於此，基板處理系統除了周緣部處理單元19之外，即使具備對晶圓W之下面全體進行處理的下面處理單元(下面處理部之一例)亦可。針對此情況之例，參照圖34及圖35予以說明。圖34為從上方觀看第2變形例所涉及之基板處理系統1D之配置圖。再者，圖35為第2變形例所涉及的下面處理單元之示意圖。
如圖34所示般，第2變形例所涉及之基板處理系統1D係在處理站4具備複數周緣部處理單元19及複數下面處理單元23。具體而言，在搬運室17之Y軸正方向側沿著X軸方向橫向並列地配置周緣部處理單元19和下面處理單元23。再者，搬運室17之Y軸負方向側也相同沿著X軸方向橫向並列地配置周緣部處理單元19和下面處理單元23。
下面處理單元23係對晶圓W之下面進行特定處理。例如，下面處理單元23係進行從晶圓W之下面的全面蝕刻除去膜的下面除去處理(下面處理之一例)。
如圖35所示般，下面處理單元23具備腔室91、基板保持機構92、供給部93和回收杯94。腔室91收容基板保持機構92、供給部93及回收杯94。在腔室91之頂棚部，設置在腔室91內形成下向流之FFU(Fun Filter Unit) 911。
基板保持機構92具有將晶圓W保持水平的保持部921、在垂直方向延伸而支持保持部921的支柱構件922、使支柱構件922繞垂直軸旋轉的驅動部923。在保持部921之上面，設置把持晶圓W之周緣部的把持部921a，晶圓W在藉由如此的把持部921a從保持部921之上面些許離開之狀態下被水平保持。
供給部93係被插通於保持部921及支柱構件922之中空部。在供給部93之內部形成在垂直方向延伸的流路。在流路經由閥體74及流量調整器75而連接藥液供給源76。供給部93係朝晶圓W之下面供給從藥液供給源76被供給的藥液。
回收杯94被配置成包圍基板保持機構92。在回收杯94之底部，形成用以將從供給部93被供給的藥液朝腔室91之外部排出的排液口941，和用以將腔室91內之氛圍予以排氣的排氣口942。
下面處理單元23係被構成上述般，以保持部921之複數把持部921a保持晶圓W之周緣部之後，使用驅動部923使晶圓W旋轉。而且，下面處理單元23係從供給部93朝向旋轉的晶圓W之下面中心部吐出藥液。被供給至晶圓W之下面中心部的藥液係隨著晶圓W之旋轉而在晶圓W之下面的全面擴散。依此，膜從晶圓W之下面的全面被除去。此時，附著於晶圓W之下面的微粒等的髒污和膜同時被除去。
另外，即使下面處理單元23於進行上述下面除去處理之後，藉由從供給部93吐出純水等的沖洗液，進行沖洗殘存在晶圓W之下面的藥液的沖洗處理亦可。再者，即使下面處理單元23於沖洗處理後，藉由使晶圓W旋轉而進行使晶圓W乾燥的乾燥處理亦可。
再者，在此，下面處理單元23作為下面處理之一例，雖然設為進行從晶圓W之下面之全面除去膜之下面除去處理，但是下面處理不一定需要除去膜的處理。例如，即使下面處理單元23作為下面處理而進行洗淨晶圓W之全面的下面洗淨處理亦可。
在第2變形例所涉及之基板處理系統1D中，例如對結束周緣部處理單元19所致的處理的晶圓W，進行下面處理單元23所致的處理。具體而言，第3搬運裝置18係從周緣部處理單元19取出晶圓W而搬入至下面處理單元23。而且，下面處理單元23係對被搬入的晶圓W進行下面除去處理。具體而言，在下面處理單元23中，首先，基板保持機構92之保持部921保持晶圓W，藉由驅動部923使保持部921旋轉，使被保持於保持部921之晶圓W旋轉。
之後，從藥液供給源76被供給的藥液從供給部93被供給至旋轉的晶圓W之下面Wb的中央部。被供給至晶圓W之下面Wb之中央部的藥液係隨著晶圓W之旋轉而在下面Wb的全面擴散。依此，膜從晶圓W之下面Wb的全面被除去。之後，下面處理單元23進行沖洗處理及乾燥處理，使晶圓W之旋轉停止。下面處理單元23係當結束下面除去處理時，第3搬運裝置18從下面處理單元23取出晶圓W，將取出的晶圓W搬入至第1收授部14。
如此一來，即使基板處理系統具備對晶圓W之下面全體進行處理的下面處理單元23亦可。
如上述般，實施型態所涉及之基板處理裝置(以基板處理系統1、1A～1D作為一例)具備處理部(以周緣部處理單元19作為一例)、收授部(以第1收授部14、14A、第2收授部20、第3收授部14_1、第4收授部14_2作為一例）、對處理部搬運裝置(以第3搬運裝置18作為一例)、檢查部(以檢查部15、15A作為一例)、對檢查部搬運裝置(以第2搬運裝置16、16A作為一例)。處理部係對基板(以晶圓W作為一例)之周緣部進行處理。在收授部中，進行基板之收授。對處理部搬運裝置係在收授部和處理部之間進行基板之搬入搬出。檢查部係檢查基板之周緣部之處理狀態。對檢查部搬運裝置係從檢查部取出基板而搬入至收授部。
因此，若藉由實施型態所涉及之基板處理裝置，則在具備進行周緣部處理之處理部及檢查基板之周緣部之檢查部的基板處理裝置中，可以抑制基板搬運引起之處理量之下降。
即使對處理部搬運裝置從處理部取出基板而朝檢查部搬入亦可。在此情況，即使檢查部(以檢查部15作為一例)具有朝彼此不同方向開口的搬入部(以搬入部110作為一例)及搬出部(以搬出部120作為一例)，經由搬入部進行藉由對處理部搬運裝置搬入基板，經由搬出部進行藉由對檢查部搬運裝置(以第2搬運裝置16作為一例)搬出基板亦可。
依此，可以減少在對處理部搬運裝置之處理負載中，從檢查部朝收授部搬運基板所需的處理負載。
即使實施型態所涉及之基板處理裝置具備複數處理部、複數收授部(以第1收授部14作為一例)、複數檢查部(以檢查部15作為一例)、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置(以第2搬運裝置16作為一例)亦可。在此情況，複數處理部、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層亦可。再者，包含1個收授部及1個檢查部的區塊係按層數被疊層。再者，即使複數對檢查部搬運裝置從對應的區塊的檢查部取出基板而搬入至該區塊之收授部亦可。
藉由構成為多層，可以提升基板處理裝置全體之處理量。再者，藉由對應於各層而設置對檢查部搬運裝置，可以抑制基板搬運所致的處理量之下降。
即使收授部包含載置被搬入搬出至能夠收容複數基板的卡匣(以卡匣C作為一例)的基板的第1收授部(以第1收授部14A作為一例)，和載置被搬入搬出至處理部之基板的第2收授部(以第2收授部20作為一例)亦可。再者，即使實施型態所涉及之基板處理裝置(以基板處理系統1A作為一例)進一步具備在卡匣和第1收授部之間進行基板之搬入搬出的對卡匣搬運裝置(以第1搬運裝置13作為一例)亦可。在此情況，即使對檢查部搬運裝置係從第2收授部取出基板而搬入至檢查部(以檢查部15A作為一例)，從檢查部取出基板而搬入至第1收授部亦可。
依此，可以減少對處理部搬運裝置之處理負載之中，對檢查部搬入基板及從檢查部搬出基板所需的處理負載。
即使實施型態所涉及之基板處理裝置進一步具備從第1收授部取出基板而搬入至第2收授部的收授部間搬運裝置(以第4搬運裝置21作為一例)亦可。藉由具備第4搬運裝置，可以提升基板從第1收授部朝第2收授部的搬運效率。
即使實施型態所涉及之基板處理裝置具備複數處理部、複數第1收授部、複數第2收授部、複數檢查部、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置亦可。在此情況，即使複數處理部、複數第2收授部、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層亦可。再者，即使包含1個第1收授部及1個檢查部的區塊係被疊層為多層亦可。再者，即使對檢查部搬運裝置與複數區塊中之1個對應，從對應的區塊的檢查部取出基板而搬入至該區塊之第1收授部亦可。再者，即使收授部間搬運裝置與複數第1收授部及複數第2收授部對應亦可。
即使第1收授部包含載置藉由處理部被處理之前的基板的第3收授部(以第3收授部14_1作為一例)，和載置藉由處理部被處理之後的基板的第4收授部(以第4收授部14_2作為一例)亦可。在此情況，即使收授部間搬運裝置從第3收授部取出藉由處理部被處理之前的基板而搬運至第2收授部亦可。再者，即使對檢查部搬運裝置從第2收授部取出藉由處理部被處理之後的基板而搬運至第4收授部亦可。
藉由具備第3收授部，可以同時進行對檢查部搬運裝置朝第4收授部的存取，和收授部間搬運裝置朝第3收授部的存取。依此，可以謀求更提升處理量。
即使實施型態所涉及之基板處理裝置具備複數處理部、複數第2收授部、複數第4收授部、複數檢查部、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置亦可。在此情況，即使複數處理部、複數第2收授部、複數對處理部搬運裝置及複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層亦可。再者，即使包含1個第4收授部及1個檢查部的區塊係被疊層為多層亦可。再者，即使對檢查部搬運裝置與複數區塊中之1個對應，從對應的區塊的檢查部取出基板而搬入至該區塊之第4收授部亦可。再者，即使收授部間搬運裝置從1個第3收授部取出基板而搬入至複數第2收授部中之任一者亦可。
第2收授部具備搬入搬出部(以搬入搬出部212作為一例)、搬入部(以搬入部213作為一例)和搬出部(以搬出部214作為一例)。搬入搬出部係朝向配置對處理部搬運裝置之搬運室(以搬運室17作為一例)開口。搬入部係相對於搬入搬出部開口的方向朝第1傾斜方向開口，進行藉由收授部間搬運裝置搬入基板。搬出部係相對於搬入搬出部開口的方向朝第2傾斜方向開口，進行藉由對檢查部搬運裝置搬出基板。
將藉由收授部間搬運裝置及對檢查部搬運裝置朝第2收授部的存取方向設為傾斜方向，可以將基板處理裝置對設置面所佔的面積亦即佔地面積抑制成較小。
應理解成此次揭示的實施型態係所有的點皆為例示，並非用以限制者。實際上，上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者，上述實施型態可不脫離附件的申請專利範圍及其主旨地以各種型態進行省略、替換或變更。
1:基板處理系統 2:搬入搬出站 3:收授站 4:處理站 4U:上層處理區塊 4M:中層處理區塊 4L:下層處理區塊 6:控制裝置 11:卡匣載置部 12:搬運室 13:第1搬運裝置 14:第1收授部 15:檢查部 16:第2搬運裝置 17:搬運室 18:第3搬運裝置 19:周緣部處理單元 20:第2收授部 21:第4搬運裝置 22:全面檢查部 23:下面處理單元 C:卡匣 W:晶圓
[圖1]為從上方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖2]為從側方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖3]為從側方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖4]為從後方觀看第1實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖5]為周緣部處理單元之示意圖。 [圖6]為從側方觀看第1收授部及檢查部之示意圖。 [圖7]為從上方觀看第1實施型態所涉及之檢查部之示意圖。 [圖8]為從側方觀看第1實施型態所涉及之檢查部之示意圖。 [圖9]為從斜上方觀看第1攝像次單元及第2攝像次單元之示意圖。 [圖10]為從斜上方觀看第1攝像次單元及第2攝像次單元之示意圖。 [圖11]為從側方觀看第1攝像次單元之示意圖。 [圖12]為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統實行的處理之順序的流程圖。 [圖13]為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖14]為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖15]為表示第1實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖16]為從上方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖17]為從側方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖18]為從後方觀看第2實施型態所涉及之基板處理系統之收授站的配置圖。 [圖19]為從上方觀看第2實施型態所涉及之檢查部之示意圖。 [圖20]為從上方觀看第2實施型態所涉及之第1收授部的示意圖。 [圖21]為從上方觀看第2實施型態所涉及之第2收授部的示意圖。 [圖22]為表示第2實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖23]為表示第2實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖24]為表示第2實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖25]為從上方觀看第3實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖26]為從側方觀看第3實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖27]為從側方觀看第3實施型態所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖28]為表示第3實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖29]為表示第3實施型態所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖30]為表示第1變形例所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖31]為表示第1變形例所涉及之基板處理系統中之晶圓之搬運流程的圖。 [圖32]為從上方觀看第1變形例所涉及之全面檢查部之示意圖。 [圖33]為從上方觀看第1變形例所涉及之全面檢查部之剖面圖。 [圖34]為從上方觀看第2變形例所涉及之基板處理系統之配置圖。 [圖35]為第2變形例所涉及的下面處理單元之示意圖。
1A:基板處理裝置
2:搬入搬出站
3:收授站
4:處理站
11:卡匣載置部
12:搬運室
13:第1搬運裝置
14A:第1收授部
16A,17:搬運室
18:第3搬運裝置
19:周緣部處理單元
20:第2收授部
21:第4搬運裝置
C:卡匣
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，具備： 處理部，其係對基板之周緣部進行處理； 收授部，其係進行上述基板之收授； 對處理部搬運裝置，其係在上述收授部和上述處理部之間進行上述基板之搬入搬出； 檢查部，其係檢查上述基板之周緣部之處理狀態；及 對檢查部搬運裝置，其係從上述檢查部取出上述基板而搬入至上述收授部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述對處理部搬運裝置從上述處理部取出上述基板而朝上述檢查部搬入， 上述檢查部具有朝彼此不同方向開口的搬入部及搬出部，經由上述搬入部進行藉由上述對處理部搬運裝置搬入上述基板，經由上述搬出部進行藉由上述對檢查部搬運裝置搬出上述基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 具備複數上述處理部、複數上述收授部、複數上述檢查部、複數上述對處理部搬運裝置及複數上述對檢查部搬運裝置， 上述複數處理部、上述複數對處理部搬運裝置及上述複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層， 包含1個上述收授部及1個上述檢查部的複數區塊按層數被疊層， 上述複數對檢查部搬運裝置係 從對應的上述區塊的上述檢查部取出上述基板而搬入至該區塊的上述收授部。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述收授部包含 第1收授部，其係載置被搬入搬出至能夠收容複數上述基板的卡匣；和 第2收授部，其係載置被搬入搬出至上述處理部的上述基板， 進一步具備對卡匣搬運裝置，其係在上述卡匣和上述第1收授部之間進行上述基板之搬入搬出， 上述對檢查部搬運裝置係從上述第2收授部取出上述基板而搬入至上述檢查部，從上述檢查部取出上述基板而搬入至上述第1收授部。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 進一步具備收授部間搬運裝置，其係從上述第1收授部取出上述基板而搬入至上述第2收授部。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中 具備複數上述處理部、複數上述第1收授部、複數上述第2收授部、複數上述檢查部、複數上述對處理部搬運裝置及複數上述對檢查部搬運裝置， 上述複數處理部、上述複數第2收授部、上述複數對處理部搬運裝置及上述複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層， 包含1個上述第1收授部及1個上述檢查部的複數區塊按層數被疊層， 上述對檢查部搬運裝置與複數上述區塊中之1個對應，從對應的上述區塊的上述檢查部取出上述基板而搬入至該區塊之上述第1收授部， 上述收授部間搬運裝置係與上述複數第1收授部及上述複數第2收授部對應。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中 上述第1收授部包含 第3收授部，其係載置藉由上述處理部被處理之前的上述基板；和 第4收授部，其係載置藉由上述處理部被處理之後的上述基板；和 上述收授部間搬運裝置係 從上述第3收授部取出藉由上述處理部被處理之前的上述基板而搬運至上述第2收授部， 上述對檢查部搬運裝置係 從上述第2收授部取出藉由上述處理部被處理之後的上述基板而搬運至上述第4收授部。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中 具備複數上述處理部、複數上述第2收授部、複數上述第4收授部、複數上述檢查部、複數上述對處理部搬運裝置及複數上述對檢查部搬運裝置， 上述複數處理部、上述複數第2收授部、上述複數對處理部搬運裝置及上述複數對檢查部搬運裝置分別被疊層為多層， 包含1個上述第4收授部及1個上述檢查部的複數區塊按層數被疊層， 上述對檢查部搬運裝置與複數上述區塊中之1個對應，從對應的上述區塊的上述檢查部取出上述基板而搬入至該區塊之上述第4收授部， 上述收授部間搬運裝置係從1個上述第3收授部取出上述基板而搬入至上述複數第2收授部中之任一者。
  9. 如請求項5至8中之任一項之基板處理裝置，其中 上述第2收授部具備： 搬入搬出部，其係朝向配置上述對處理部搬運裝置的搬運室開口； 搬入部，其係相對於上述搬入搬出部開口的方向朝第1傾斜方向開口，進行上述收授部間搬運裝置搬入上述基板；及 搬出部，其係相對於上述搬入搬出部開口的方向朝第2傾斜方向開口，進行上述對檢查部搬運裝置搬出上述基板。
  10. 一種基板處理方法，包含： 使用對基板之周緣部進行處理的處理部而對上述基板進行處理之工程； 使用在進行上述基板之收授的收授部和上述處理部之間進行上述基板之搬入搬出的對處理部搬運裝置，從上述收授部取出上述基板而搬入至上述處理部的工程； 使用檢查上述基板之周緣部之處理狀態的檢查部，檢查藉由上述處理部被處理之上述基板之周緣部之處理狀態的工程；及 使用從上述檢查部取出上述基板而搬入至上述收授部的對檢查部搬運裝置，從上述檢查部取出結束上述檢查之工程的上述基板而搬入至上述收授部的工程。
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