TWI760545B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在抑制裝置的大型化，同時確認基板之周緣部的狀態。 依本發明之實施形態的基板處理裝置，包含：卡匣載置部、處理單元、搬送區域及攝像單元。卡匣載置部載置容納有多片基板之卡匣。處理單元清洗或蝕刻從卡匣取出來之基板的周緣部。搬送區域被設置在卡匣載置部與處理單元之間，搬送基板。攝像單元被設置在搬送區域，拍攝由被處理單元處理過之基板的上表面和下表面其中一面的周緣部以及基板的端面。

Description

基板處理裝置
本發明的實施形態係關於基板處理裝置。
迄今，已知的基板處理裝置藉由對矽晶圓或化合物半導體晶圓等基板的周緣部供應液劑，進行處理(以下，稱為「周緣部去除處理」)以從基板的周緣部將膜去除。
為了要確認基板周緣部的膜是否確實被去除，這種基板處理裝置會有在進行周緣部去除處理之處理室的內部裝設攝影機用以拍攝基板的周緣部的情況。
例如，在專利文獻1中記載，將用以拍攝基板的周緣部之攝像部固定裝設在處理室內。另外，在專文利獻1中還記載，在可安裝到處理室和從處理室拆卸之測量夾具上裝設上述攝影機。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-100565號公報
[發明所欲解決的課題]
然而，處理室內裝設攝影機恐會有裝置大型化之虞。
依本發明一實施形態之目的，係提供一種基板處理裝置，可抑制裝置之大型化，同時確認基板在周緣部的狀態。 [解決課題的技術手段]
本發明一實施形態的基板處理系統，包含：卡匣載置部、處理單元、搬送區域及攝像單元。卡匣載置部載置容納有多片基板之卡匣。處理單元清洗或蝕刻從卡匣取出來之基板的周緣部。搬送區域被設置在卡匣載置部與處理單元之間，搬送基板。攝像單元被設置在搬送區域，拍攝由被處理單元處理過之基板的上表面和下表面其中一面的周緣部以及基板的端面。 [發明功效]
依據此一實施形態，可抑制裝置之大型化，同時確認基板在周緣部的狀態。
＜基板處理系統的構成＞
首先，參考圖1和圖2來說明本實施形態中基板處理系統的構成。圖1係本實施形態中基板處理系統之平面示意圖。另外，圖2係本實施形態中基板處理系統之俯視示意圖。此外，以下，為了要使位置關係更明確，限定彼此正交之X軸、Y軸和Z軸，Z軸方向為鉛直向上方向。
如圖1所示，本實施形態中，基板處理系統1具備搬入/搬出站2、轉移站3及處理站4。這些站依搬入/搬出站2、轉移站3及處理站4的順序並排配置。
這種基板處理系統1中，將從搬入/搬出站2搬入的基板，本實施形態則是半導體晶圓(以下，簡稱為晶圓)，經由轉移站3，搬送到處理站4，在處理站4進行處理。另外，基板處理系統1中，將處理後的晶圓W從處理站4經由轉移站3回到搬入/搬出站2，從搬入/搬出站2送到外部。
搬入/搬出站2具備：卡匣載置部11及搬送部12。卡匣載置部11載置呈水平狀態容納有多片晶圓W之多個卡匣C。
搬送部12被配置在卡匣載置部11與轉移站3之間，內部具有第1搬送裝置13。第1搬送裝置13具備多個(此處為5個)晶圓保持部，保持1片的晶圓W。第1搬送裝置13能往水平方向和鉛直方向移動以及以鉛直軸為中心迴旋，可用多個晶圓保持部，在卡匣C與轉移站3之間同時搬送多片晶圓W。
其次，針對轉移站3進行說明。如圖1和圖2所示，轉移站3的內部配置有多個基板載置部(SBU)14及多個攝像單元(CAM)15。具體而言，後述的處理站4具有上排的第1處理站4U及下排的第2處理站4L，基板載置部14和攝像單元15分別逐一配置在與第1處理站4U對應的位置和與第2處理站4L對應的位置。有關基板載置部14和攝像單元15的構成於後述。
其次，針對處理站4進行說明。如圖2所示，處理站4具備第1處理站4U及第2處理站4L。第1處理站4U與第2處理站4L在空間上被分隔壁、閘門等分隔開，在高度方向上被並排配置。
第1處理站4U和第2處理站4L具有相同的構成，如圖1所示，具備：搬送部16、第2搬送裝置17、多個周緣部處理單元(CH1)18及多個下表面處理單元(CH2)19。
第2搬送裝置17被配置在搬送部16的內部，在基板載置部14、攝像單元15、周緣部處理單元18和下表面處理單元19之間進行晶圓W的搬送。
第2搬送裝置17具備1個晶圓保持部，保持1片的晶圓W。第2搬送裝置17可往水平方向和鉛直方向移動以及以鉛直軸為中心迴旋。
多個的周緣部處理單元18和下表面處理單元19與搬送部16相鄰配置。列舉一個例子，多個周緣部處理單元18在搬送部16的Y軸正方向側沿著X軸方向並排配置，多個下表面處理單元19在搬送部16的Y軸負方向側沿著X軸方向並排配置。
多個周緣部處理單元18對晶圓W的周緣部進行預定的處理。本實施形態中，周緣部處理單元18進行斜面去除處理(周緣部處理處理的一個例子)以從晶圓W的斜面部將膜蝕刻去除。斜面部是指晶圓的端面和其周邊形成之傾斜部。上述傾斜部分別形成在晶圓W的上表面周緣部和下表面周緣部。
參考圖3來說明周緣部處理單元18的構成例子。圖3係周緣部處理單元18之示意圖。
如圖3所示，周緣部處理單元18具備：處理室81、基板保持機構82、供應部83及回收杯部84。
處理室81容納有基板保持機構82、供應部83和回收杯部84。處理室81的頂棚部設有FFU(Fun Filter Unit)811以在處理室81內形成降流。
基板保持機構82具備：水平保持晶圓W之保持部821、在鉛直方向上延伸以支撐保持部821之支柱構件822及使支柱構件822繞鉛直軸旋轉之驅動部823。
保持部821被連接到真空泵等的吸氣裝置(未圖示)，利用藉由這種吸氣裝置的吸氣而產生的負壓吸附晶圓W的下表面，藉以水平保持晶圓W。例如，可使用多孔卡盤或靜電卡盤等來作為保持部821。
保持部821具有比晶圓W小口徑的吸附區域。藉此可將從後述之供應部83的下側噴嘴832噴出之液劑供應給晶圓W的下表面周緣部。
供應部83具備上側噴嘴831及下側噴嘴832。上側噴嘴831被配置在被基板保持機構82保持之晶圓W的上方，下側噴嘴832相同被配置在晶圓W的下方。
上側噴嘴831和下側噴嘴832透過開關閥71和流量調節器72連接液劑供應源73。上側噴嘴831將從液劑供應源73供應之氫氟酸(HF)或硝酸(HNO3 )等的液劑噴向被基板保持機構82保持之晶圓W的上表面周緣部。另外，下側噴嘴832將從液劑供應源73供應的液劑噴向被基板保持機構82保持之晶圓W的下表面周緣部。
另外，供應部83具備使上側噴嘴831移動之第1移動機構833及使下側噴嘴832移動之第2移動機構834。使用這兩個第1移動機構833和第2移動機構834使上側噴嘴831和下側噴嘴832移動，可變更液劑對晶圓W的供應位置。
回收杯部84被配置成環繞基板保持機構82。在回收杯部84的底部形成有用以將供應部83供應的液劑排出到處理室81的外部之液體排放口841及用以排出處理室81內的氛圍之氣體排放口842。
周緣部處理單元18以上述方式構成，以保持部821吸持晶圓W的下表面後，用驅動部823使晶圓W旋轉。然後周緣部處理單元18從上側噴嘴831向旋轉之晶圓W的上表面周緣部噴出液劑，並且從下側噴嘴832向旋轉之晶圓W的下表面周緣部噴出液劑。藉此去除附著在晶圓W的斜面部之膜。這時候附著在晶圓W的斜面部之粒子等的污點或膜一併被去除。
此外，周緣部處理單元18進行上述的周緣部去除處理過後，從上側噴嘴831和下側噴嘴832噴出純水等的沖洗液體，進行沖洗處理以洗掉晶圓W的斜面部殘留的液劑亦可。另外，周緣部處理單元18在沖洗處理後，使晶圓W旋轉進行乾燥處理以使晶圓W乾燥亦可。
另外，此處則是以周緣部處理為例，周緣部處理單元18進行斜面去除處理以從晶圓W的斜面部將膜蝕刻去除，但周緣部處理並不一定需要將膜去除的處理。例如，周緣部處理單元18進行周緣部清洗處理以清洗晶圓W的斜面部作為周緣部處理亦可。
下表面處理單元19對晶圓的下表面進行預定的處理。本實施形態中，下表面處理單元19進行下表面去除處理(下表面處理的一個例子)以從晶圓W的整個下表面將膜蝕刻去除。
此處，參考圖4來說明下表面處理單元19的構成例子。圖4為下表面處理單元19之示意圖。
如圖4所示，下表面處理單元19具備：處理室91、基板保持機構92、供應部93及回收杯部94。
處理室91容納有基板保持機構92、供應部93及回收杯部94。處理室91的頂棚部設有FFU911以使處理室91內形成降流。
基板保持機構92具備水平保持晶圓W之保持部921、在鉛直方向上延伸以支撐保持部921之支柱構件922及使支柱構件922繞鉛直軸旋轉之驅動部923。保持部921的上表面設有把持晶圓W的周緣部之多個把持部921a，藉由這種把持部921a以從保持部921的上表面稍微隔開的狀態水平保持晶圓W。
供應部93穿過保持部921和支柱構件922的中空部。供應部93的內部形成有在鉛直方向上延伸的流通路徑。流通路徑透過開關閥74和流量調節器75連接液劑供應源76。供應部93將從液劑供應源76供應的液劑供應給晶圓W的下表面。
回收杯部94被配置成環繞基板保持機構92。回收杯部94的底部形成有液體排放口941，用以將從供應部93供應的液劑排出到處理室91的外部及氣體排放口942，用以將處理室91的氛圍排氣。
下表面處理單元19以上述的方式構成，以保持部921的多個把持部921a保持晶圓W的周緣部後，用驅動部923使晶圓W旋轉。然後下表面處理單元19將來自供應部93的液劑向旋轉之晶圓W的下表面中心部噴出。被供應給晶圓W的下表面中心之液劑，伴隨晶圓W的旋轉擴張到晶圓W的整個下表面。藉此從晶圓W的整個下表面將膜去除。這時候附著在晶圓W的下表面之粒子等的污點或膜一併被去除。
此外，下表面處理單元19進行上述的下表面去除處理後，從供應部93噴出純水等的沖洗液體，進行沖洗處理以洗掉晶圓W的斜下表面殘留的液劑亦可。另外，下表面處理單元19在沖洗處理後，使晶圓W旋轉進行乾燥處理以使晶圓W乾燥亦可。
另外，此處則是以下表面處理為例，下表面處理單元19進行下表面處理，從晶圓W的整個下表面將膜去除，但下面處理並不一定需要將膜去除的處理。例如，下表面處理單元19以下表面處理來進行下表面清洗處理以清洗晶圓W的整個下表面亦可。
如圖1所示，基板處理系統1具備有控制裝置5。例如，控制裝置5為電腦，具備有控制部51及記憶部52。記憶部52儲存有控制各種處理的程式以在基板處理系統1中執行。例如控制部51為CPU(Central Processing Unit)，藉由讀取並執行記憶部52記憶的程式，控制基板處理系統1的動作。
此外，上述程式被記錄在電腦可讀取的記錄媒體，從該記錄媒體安裝到控制裝置5的記憶部52亦可。電腦可讀取的記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。此外，控制部51不用程式只以硬體構成亦可。
然則，周緣部去除處理中，限定膜的去除寬度(以晶圓W的外周緣部為一端之晶圓W沿著徑向的寬度，以下稱為「切割寬度」)。然而，例如上側噴嘴831和下側噴嘴832的位置並不適當時，恐會有實際的切割寬度偏離被限定的切割寬度之虞。另外，晶圓W的中心偏離基板保持機構82的旋轉中心時，恐會有在晶圓W的周向上切割寬度產生不均衡之虞。因而會有以攝影機拍攝周緣部去除處理後之晶圓W，根據獲得的影像，進行確認周緣部去除處理是否適當地實施過之作業的情況。
迄今，拍攝周緣部去除處理後的晶圓W的攝影機被設置在各周緣部處理單元的處理室內。然而，在各周緣部處理單元的處理室內設置攝影機，恐會有基板處理系統大型化之虞。另外，液劑等附著在攝影機，還恐會有難以適當地進行拍攝之虞。
另外，迄今，也提案有進行周緣部去除處理後，將裝設了攝影機之測量夾具安裝在周緣部處理單元以拍攝周緣部去除處理後的晶圓。然而，安裝或拆卸測量夾具會耗費時間。另外，由於周緣部處理單元之間的個體差異，還恐會引起測量精度降低之虞。
於是，本實施形態的基板處理系統1中，拍攝周緣部去除處理後之晶圓W的斜面部之攝像單元15，設置1個在周緣部處理單元18的外部，且在多個周緣部處理單元18共同設置1個。具體而言，基板處理系統1中，在轉移站3設置2個攝像單元15，1個攝像單元15與第1處理站4U配置之多個周緣部處理單元18對應，另1個攝像單元15與第2處理站4L配置之多個周緣部處理單元18對應(參考圖2)。
＜攝像單元的構成＞ 以下，參考圖5~圖13來說明本實施形態中攝像單元15的構成。
圖5係從側面觀看基板載置部14和攝像單元15之示意圖。如圖5所示，攝像單元15在基板載置部14的下方與基板載置部14相鄰設置。
如上所述，經由將基板載置部14與攝像單元15在高度方向上重疊配置，可抑制基板處理系統1的佔用空間增大。另外，經由在基板載置部14的下方配置攝像單元15，如果從攝像單元15掉落灰塵等時，可抑制掉落的灰塵等附著在被基板載置部14載置的晶圓W。
此外，攝像單元15不一定要配置在基板載置部14的下方，配置在基板載置部14的上方亦可。
圖6係從上方觀看攝像單元15之示意圖。圖7係從側面觀看攝像單元15之示意圖。
如圖6所示，攝像單元15具備：底板100、旋轉保持子單元200(旋轉保持部的一個例子)、凹口檢測子單元300(檢測部的一個例子)、第1攝像子單元400及第2攝像子單元500。
本實施形態的基板處理系統1中，被構成為第1搬送裝置13和第2搬送裝置17當中僅第2搬送裝置17會對攝像單元15作動。具體而言，攝像單元15具有朝向搬送部16開口之開口部110，第2搬送裝置17透過這樣的開口部110進行晶圓W的搬入/搬出攝像單元15。另外，後述之第1攝像子單元400的攝影機410、照明模組420和反射鏡構件430以及第2攝像子單元500的攝影機510和照明模組520被配置在比保持台201還遠離開口部110的位置，俾使第2搬送裝置17不致妨礙晶圓W的搬入/搬出。
例如，底板100為板狀的構件，各子單元200~500設置在底板100上。
旋轉保持子單元200具備：保持台201及致動器202。例如，保持台201為藉由吸持等水平保持晶圓W之吸持卡盤。保持台201具有比晶圓W小口徑的吸持區域。例如，致動器202為電動馬達，旋轉驅動保持台201。
例如，凹口檢測子單元300具備橫槽310，橫槽310的下表面設有發光元件320，上表面則設有光接收元件330。
在晶圓W被旋轉保持子單元200載置的狀態下，來自發光元件320的照射光受到晶圓W的周緣部遮擋，照射光不致被光接收元件330接收。但是旋轉保持子單元200的旋轉，使晶圓W的周緣部形成的凹口來到與發光元件320對向的位置時，照射光穿過凹口被光接收元件330接收。藉此凹口檢測子單元300可檢測出晶圓W形成之凹口的位置。
圖8和圖9係從斜上方觀看第1攝像子單元400和第2攝像子單元500之示意圖。另外，圖10係從側面觀看第1攝像子單元400之示意圖。圖11係從側面觀看照明模組420和反射鏡構件430之示意圖。另外，圖12係表示來自照明模組420的光受反射鏡構件430反射的樣子之模式圖。圖13係表示來自晶圓W的光受反射鏡構件430反射的樣子之模式圖。
如圖6~圖10所示，第1攝像子單元400具備：攝影機410(一側攝像部的一個例子)、照明模組420及反射鏡構件430。
攝影機410具備：具備鏡頭411及攝像元件412。攝影機410的光軸朝向照明模組420水平延伸。
如圖8~圖11所示，照明模組420被配置在被保持台201保持之晶圓W的上方。照明模組420具備：光源421、光散射構件422及保持構件423。
例如，如圖11所示，光源421具備：殼體421a及殼體421a內配置之多個LED點光源421b。多個LED點光源421b沿著晶圓W的徑向成一列並排配置。
如圖9~圖11所示，光散射構件422與光源421連接，俾使與光源421重疊。光散射構件422形成有在光源421和光散射構件422重疊的方向上延伸之貫穿口422a。對貫穿口422a的內壁面施予鏡面加工。藉此來自光源421的光射入光散射構件422的貫穿口422a內，入射光會被貫穿口422a內的鏡面部位422b漫反射而產生散射光。
保持構件423與光散射構件422連接，俾使與光散射構件422重疊。保持構件423形成有貫穿口423a及與貫穿口423a交叉之交叉孔423b。貫穿口423a在光散射構件422和保持構件423重疊的方向上延伸。交叉孔423b與貫穿口423a連通。
保持構件423將半反射鏡424、圓柱透鏡425、光擴散構件426及調焦透鏡427保持在內部。例如，如圖10所示，半反射鏡424在與水平方向成45度的夾角傾斜的狀態下，配置在貫穿口423a和交叉孔423b的交叉部位。半反射鏡424呈矩形形狀。
圓柱透鏡425被配置在光散射構件422與半反射鏡424之間。圓柱透鏡425為朝向半反射鏡424突出之凸型的圓柱透鏡。圓柱透鏡425的軸在多個LED點光源421b並排的方向上延伸。來自光散射構件422的散射光射入圓柱透鏡425，則會沿著圓柱透鏡425在圓柱面的周向放大散射光。
光擴散構件426被配置在圓柱透鏡425及半反射鏡424之間。例如，光擴散構件426為呈矩形形狀之片狀構件，使穿過圓柱透鏡425的光擴散。藉此在光擴散構件426產生擴散光。例如，光擴散構件426具有各向同性擴散功能，使射入的光在光擴散構件426的面所有方向上擴散亦可，具有各向異性擴散功能，使射入的光朝向圓柱透鏡425的軸向(與圓柱透鏡425在圓柱面的周向正交的方向)擴散。
調焦透鏡427被配置在交叉孔423b內。調焦透鏡427具有使與鏡頭411的合成焦距改變之功能。
如圖10~圖13所示，反射鏡構件430被配置在照明模組420的下方，使來自晶圓W的端面Wc之反射光反射。
反射鏡構件430具備：本體431及反射面432。例如，本體431由鋁塊構成。
反射面432與被保持台201保持之晶圓W的端面Wc及下表面Wb的周緣部區域We對向。反射面432對保持台201的旋轉軸傾斜。
反射面432為朝向被保持在保持台201之晶圓W的端面Wc分離的一側凹陷之曲面。因而，晶圓W的端面Wc照射在反射面432，則其鏡像會比實像還放大。例如，反射面432的曲率半徑為大於10mm小於30mm。另外，例如，反射面432的張角(與反射面432外切的2個面形成的角度)為大於100度小於150度。
照明模組420中從光源421照射的光，被光散射構件422散射，被圓柱透鏡425放大，再被光擴散構件426擴散過後，全面穿過半反射鏡424朝向下方照射。穿過半反射鏡424的擴散光由位於半反射鏡424下方之反射鏡構件430的反射面432反射。如圖12所示，擴散光由反射面432反射的反射光，主要照射到晶圓W的端面Wc及上表面Wa側的周緣部區域Wd。
如圖13所示，由晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd反射的反射光，不朝向反射鏡構件430的反射面，而是由半反射鏡424再度反射，不穿過調焦透鏡427而是穿過攝影機410的鏡頭411，射入攝影機410的攝像元件412。
另一方面，從晶圓W的端面Wc反射的反射光，由反射鏡構件430的反射面432及半反射鏡424依序反射，依序穿過調焦透鏡427及攝影機410的鏡頭411，射入攝影機410的攝像元件412。
如上所述，對攝影機410的攝像元件412輸入來自晶圓W之上表面的周緣部區域Wd的反射光及來自晶圓W的端面Wc和反射鏡構件430的反射光兩者。因此，依據第1攝像子單元400，可同時拍攝晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd(包含上表面周緣部的區域)及晶圓W的端面Wc兩者。
圖14係表示被第1攝像子單元400拍攝到之攝像影像的一個例子之示意圖。如圖14所示，在被第1攝像子單元400拍攝到之攝像影像中，入鏡了從上方觀看晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd的像及從側面觀看晶圓W的端面Wc的像
晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd和端面Wc，以晶圓W上形成之凹口Wn的位置為基準在大於360度的範圍內被拍攝。因此，如圖14所示，攝像影像中，相同的凹口Wn入鏡在2個部位(攝像影像的兩端)。
此外，如上所述，在被反射鏡構件430的反射面432反射的反射光到達鏡頭411為止之間設有調焦透鏡427。因而，即使在從晶圓W的端面Wc到達攝影機410的攝像元件412之光的光程長度與從晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd到達攝影機410的攝像元件412之光的光程長度之間有光程差，仍可將晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd的成像位置和晶圓W的端面Wc的成像位置均對準攝像元件412。因此，可使晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd與晶圓W的端面Wc均清楚地拍攝。此外，調焦透鏡427沒有在從晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd到達攝影機410的攝像元件412之光的光程上配置。
接著再參考圖15來說明第2攝像子單元500的構成。圖15係從側面觀看第2攝像子單元500之示意圖。如圖15所示，第2攝像子單元500具備：攝影機510(另一側攝像部的一個例子)及照明模組520。
攝影機510具備：鏡頭511及攝像元件512。攝影機510的光軸朝向照明模組520水平延伸。
照明模組520位於照明模組420的下方被配置在被保持台201保持之晶圓W的下方。照明模組520具備：半反射鏡521及光源522。例如，半反射鏡521在對水平方向傾斜45度的角度的狀態下配置。例如，半反射鏡521呈矩形形狀。
從位於半反射鏡521的下方之光源522射出的光，整體穿過半反射鏡521朝向上方照射。穿過半反射鏡521的光穿過攝影機510的鏡頭511射入攝影機510的攝像元件512。即攝影機510透過半反射鏡521，可拍攝存在於光源522的照射區域之晶圓W的下表面Wb。
此外，例如，第1攝像子單元400的攝影機410是從晶圓W的外周緣部沿著晶圓W的徑向在12mm寬度的範圍內拍攝，相對於這點，第2攝像子單元500的攝影機510則是從晶圓W的外周緣部沿著晶圓W的徑向在50mm寬度的範圍內拍攝。藉此用被攝影機510拍攝到的攝像影像，不僅由周緣部處理單元18處理的區域，就連由下表面處理單元19處理之區域的狀態仍可確認。
＜控制裝置的構成＞ 其次，參考圖16來說明控制裝置5的構成。圖16係表示構成控制裝置5的一個例子之方塊圖。
如圖16所示，例如，控制裝置5的控制部51包含微電腦或各種電路，而微電腦具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)及輸出/輸入埠等。控制部51具備多個處理部，其功能是使CPU以RAM為作業區域使用來執行ROM記憶的程式。具體而言，控制部51具備：配方執行部5101、影像取得部5102、解析部5103、回饋部5104、顯示控制部5105及傳送部5106。此外，配方執行部5101、影像取得部5102、解析部5103、回饋部5104、顯示控制部5105及傳送部5106分別局部或全部由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)或FPGA(Field Programmable Gate Array)等的硬體構成亦可。
例如，控制裝置5的記憶部52由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶元件或硬碟、光碟等的記憶裝置形成。這種記憶部52記憶配方資料5201、影像資料5202及解析資料5203。
＜配方執行部＞ 配方執行部5101依照配方資料控制第1搬送裝置13、第2搬送裝置17、多個周緣部處理單元18和多個下表面處理單元19，藉以使這些裝置執行對晶圓W的一系列基板處理。
此處，參考圖17來說明本實施形態的基板處理系統1內執行一系列基板處理的流程。圖17係本實施形態的基板處理系統1內晶圓W的流程之圖。
如圖17所示，實施形態的基板處理系統1中，首先第1搬送裝置13從卡匣C取出多片晶圓W，將取出來的多片晶圓W載置在基板載置部14(步驟S01)。接著第2搬送裝置17從基板載置部14取出1片晶圓W，取出來的晶圓W搬送到周緣部處理單元18(步驟S02)。
接著周緣部處理單元18對搬入的晶圓W進行周緣部去除處理。具體而言，周緣部處理單元18中，首先基板保持機構82的保持部821保持晶圓W，驅動部823使保持部821旋轉，藉以使被保持在保持部821的晶圓W旋轉。接著第1移動機構833和第2移動機構834使上側噴嘴831和下側噴嘴832分別配置在晶圓W的上方和下方的預定位置。
之後從液劑供應源73供應的液劑分別從上側噴嘴831和下側噴嘴832供應給旋轉之晶圓W的上表面周緣部和下表面周緣部。藉此從晶圓W的斜面部去除膜。之後周緣部處理單元18進行沖洗處理和乾燥處理，使晶圓W停止旋轉。
之後第2搬送裝置17從周緣部處理單元18取出晶圓W，將取出來的晶圓W搬送到攝像單元15(步驟S03)。
接著攝像單元15拍攝晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd和端面Wc以及下表面Wb的周緣部區域We。
此處參考圖18來說明攝像單元15執行之一系列的處理。圖18係攝像單元15執行一系列的處理流程之流程圖。
如圖18所示，攝像單元15中，首先進行凹口對準處理(步驟S101)，凹口對準處理為使晶圓W的凹口Wn位置對準預先決定的位置之處理。
具體而言，首先旋轉保持子單元200用保持台201吸持晶圓W，用致動器202使保持台201旋轉，藉以使被吸持在保持台201的晶圓W旋轉。接著凹口檢測子單元300由光接收元件330接收來自發光元件320的照射光，藉以檢測被形成在晶圓W上的凹口Wn。然後旋轉保持子單元200用致動器202使晶圓W旋轉預定角度，將檢測出之凹口Wn的位置對準預先決定的位置。以這種方式調整晶圓W的旋轉位置。
如上所述，吸持晶圓W並旋轉之旋轉保持子單元200和檢測被形成在晶圓W上的凹口Wn之凹口檢測子單元300為調整攝像單元15的攝像範圍內晶圓W的旋轉位置之調節機構的一個例子。攝像單元15用旋轉保持子單元200吸持晶圓W並旋轉，同時用凹口檢測子單元300檢測凹口Wn，根據凹口Wn的檢測結果調整晶圓W的旋轉位置。此外，晶圓W上形成切口部並不限於凹口Wn，例如為定向平面(orientation flat)亦可。
另外，此處則是以攝像單元15具備旋轉保持子單元200和凹口檢測子單元300時的例子作為調節機構的一個例子，但調節機構的構成並非被限定在上述的例子。例如，晶圓W的旋轉位置已知時，攝像單元15具備旋轉保持子單元200、檢測保持台201的旋轉位置之編碼器作為調節機構亦可。在這種情況下，攝像單元15可用旋轉保持子單元200吸持晶圓W後，使保持台201旋轉預定角度，藉以調整晶圓W的旋轉位置，俾使在晶圓W的周向上從指定的位置開始攝像處理。
接著攝像單元15中，進行攝像處理(步驟S102)。攝像處理為拍攝晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd和端面Wc以及下表面Wb的周緣部區域We之處理。
此處參考圖19來說明攝像處理的流程。圖19係表示攝像處理的流程之時間圖。此外，此處則是開始攝像處理時晶圓W的旋轉位置限定為0度。
如圖19所示，開始攝像處理，首先照明模組420和照明模組520的光源421、522亮燈(參考圖19的t1)。接著攝影機410和攝影機510成為啟動狀態，開始拍攝(參考圖19的t2)。
接著旋轉保持子單元200的致動器202使保持台201旋轉，藉以被保持在保持台201的晶圓W開始旋轉(參考圖19的t3)。此時晶圓W的旋轉速度低於凹口對準處理時晶圓W的旋轉速度。
接著在攝影機510入鏡晶圓W的凹口Wn的時間點開始擷取由攝影機510拍攝到之影像的影像資料(參考圖19的t4)。本例子則是在晶圓W的旋轉位置成為75度的時間點，開始擷取影像資料。擷取到影像資料被記憶在控制裝置5的記憶部52。
接著在攝影機410入鏡晶圓W的凹口Wn的時間點，具體而言，在晶圓W的旋轉角度成為90度的時間點，開始擷取被攝影機410拍攝到之影像的影像資料(參考圖19的t5)。擷取到的影像資料被記憶在控制裝置5的記憶部52。
此外，本實施形態的攝像單元15中，因設有反射鏡構件430致使半反射鏡521的設置地方受到限制，因而難以用攝影機410和攝影機510同時拍攝晶圓W在晶圓W的相同旋轉位置處的周緣部區域Wd、We。於是為了要使攝影機410及攝影機510的拍攝範圍一致，錯開擷取影像資料的時間點(參考圖19的t4、t5)。但是在可用攝影機410及攝影機510拍攝相同旋轉位置的情況，不一定要錯開攝影機410與攝影機510擷取影像資料的時間點。
接著在晶圓W旋轉1圈使晶圓W的旋轉位置再度成為75度的時間點，結束擷取攝影機510的影像資料。(參考圖19的t6)。同樣在晶圓W的旋轉位置再度成為90度的時間點，結束擷取攝影機410的影像資料(參考圖19的t7)。藉此獲得晶圓W整個圓周的周緣部區域Wd、We和端面Wc的影像資料。
接著在晶圓W的旋轉位置成為0度的時間點，使晶圓W停止旋轉(參考圖19的t8)。藉此晶圓W的旋轉位置能夠回到攝像處理開始時的旋轉位置，也就是由凹口對準處理調整過晶圓W的旋轉位置的狀態。之後攝影機410、510為切斷狀態(參考圖19的t9)，照明模組420和照明模組520的光源421、522熄燈(參考圖19的t10)，結束攝像處理。
如上所述，攝像單元15在凹口對準處理調整了晶圓W的旋轉位置後，用旋轉保持子單元200使晶圓W旋轉，同時拍攝晶圓W的整個圓周上晶圓W的上表面周緣部、端面及下表面周緣部。藉此可獲得晶圓W的上表面周緣部、端面及下表面周緣部在晶圓W整個圓周上的影像資料。
在攝像單元15結束攝影處理，則如圖17所示，第2搬送裝置17從攝像單元取出晶圓W，將取出來的晶圓W搬送到下表面處理單元19(步驟S04)。
接著下表面處理單元19對被搬入的晶圓W進行下表面去除處理。具體而言，下表面處理單元19中，首先基板保持機構92的保持部921保持晶圓W，驅動部923使保持部921旋轉，藉以使被保持部921保持的晶圓W旋轉。
之後從液劑供應源76供應的液劑從供應部93供應給旋轉之晶圓W的下表面Wb的中央部。供應給晶圓W的下表面Wb的中央部之液劑，伴隨晶圓W的旋轉擴張到整個下表面Wb。藉此從晶圓W的整個下表面Wb去除膜。之後下表面處理單元19進行沖洗處理和乾燥處理，使晶圓W停止旋轉。
下表面處理單元19結束下表面去除處理，則第2搬送裝置17從下表面處理單元19取出晶圓W，將取出來的晶圓W搬送到攝像單元15(步驟S05)。攝像單元15中，再度進行上述過的對準處理和攝像處理。藉由攝像處理得到的影像資料被記憶在控制裝置5的記憶部52。
接著第2搬送裝置17從攝像單元15取出晶圓W，將取出來的晶圓W載置在基板載置部14(步驟S06)。之後第1搬送裝置13從基板載置部14取出晶圓W，將取出來的晶圓W容納於卡匣C內(步驟S07)。藉此結束一系列的基板處理。
＜影像取得部＞ 回到圖16，繼續說明控制部51。影像取得部5102從攝像單元15取得影像資料，賦予與晶圓W的識別碼或攝影時間等關連以作為影像資料5202，記憶在記憶部52。
＜解析部＞ 解析部5103對記憶部52記憶之影像資料5202進行影像解析。
例如，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機410拍攝到之影像的資料，判定晶圓W的上表面周緣部和端面Wc處膜的去除程度。例如，該判定根據供應過液劑的區域Wd1與未供應的區域Wd2(參考圖14)之色差(像素值的差)進行。
同樣，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機510攝影到之影像的資料，判定晶圓W之下表面Wb的周緣部區域We中膜的去除程度。
另外，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機410攝影到之影像的資料，計算切割寬度。具體而言，解析部5103分別計算晶圓W整個圓周上各位置的切割寬度。然後解析部5103計算已計算出之多個切割寬度的最大值Hmax和最小值Hmin(參考圖14)的平均值，作為切割寬度。
此外，切割寬度的計算方法並非被限定在上述的例子。例如，解析部5103計算晶圓W整個圓周上各位置的切割寬度，計算已計算出之多個切割寬度的平均值作為切割寬度亦可。
另外，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機410拍攝到之影像的資料計算晶圓W的偏心量。晶圓W的偏心量是指晶圓W的中心與基板保持基構82的旋轉中心之偏離量。例如，晶圓W的中心位置偏離基板保持機構82的旋轉中心時，會在晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd發生切割寬度的不均衡。如圖14所示，該切割寬度的不均衡會在晶圓W的周向上顯現正弦波狀。於是解析部5103可根據這種正弦波的振幅計算出晶圓W的偏心量。
另外，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機410拍攝到之影像的資料檢測晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd和端面Wc的缺陷。晶圓W有缺陷時，缺陷部分會呈現與周圍不同的顏色。於是例如，解析部5103可檢測出與相鄰的像素之像素值的差大於閾值之像素的區域作為缺陷部位。
同樣，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機510拍攝到之影像的資料檢測晶圓W之下表面Wb的周緣部區域We的缺陷。
此外，解析部5103還可由檢測出之缺陷部位的形狀來指定缺陷的類型。缺陷的類型有劃痕或裂痕等。
另外，解析部5103根據影像資料5202當中被攝影機410拍攝到之影像的資料計算出晶圓W的翹曲量。例如，解析部5103可由晶圓W之端面Wc的形狀來計算晶圓W的翹曲量。
解析部5103以這些的解析結果作為解析資料5203記憶在記憶部52。
＜回饋部＞ 回饋部5104根據記憶部52記憶的解析資料5203變更配方資料5201，藉以修正周緣部處理時從上側噴嘴831和下側噴嘴832噴向晶圓W的上表面周緣部和下表面周緣部之藥劑的噴出時間。
例如，回饋部5104根據晶圓W的上表面周緣部和端面Wc處膜的去除程度變更配方資料5201，藉以加長周緣部去除處理時液劑從上側噴嘴831和下側噴嘴832的噴出時間。藉此可將液劑對後面處理之晶圓W的噴出時間最佳化。
另外，回饋部5104根據晶圓W的下表面Wb處膜的去除程度變更配方資料5201，藉以加長下表面去除處理時液劑從供應部93的噴出時間。藉此可將液劑對後面處理之晶圓W的噴出時間最佳化。
另外，回饋部5104經由根據解析資料5203當中切割寬度的資訊變更配方資料5201，調整周緣部去除處理時上側噴嘴831和下側噴嘴832的位置。例如，解析資料5203中含有的切割寬度(最大值Hmax和最小值Hmin的平均值)大於既有的切割寬度時，修正上側噴嘴831和下側噴嘴832的位置，俾使從上側噴嘴831和下側噴嘴832噴出的液劑供應給晶圓W的更外周側。換言之，藉由第1移動機構833和第2移動機構834變更上側噴嘴831和下側噴嘴832的移動量，以修正周緣部處理時上側噴嘴831和下側噴嘴832的處理位置。藉此可將液劑對後面處理之晶圓W的噴出時間最佳化。
另外，回饋部5104經由根據解析資料5203當中切割寬度的資訊變更配方資料5201，修正周緣部處理單元18的基板保持機構82上晶圓W的水平位置。
例如，回饋部5104修正基板保持機構82吸持之晶圓W的位置，俾使0度的旋轉位置上的切割寬度與180度的旋轉位置上的切割寬度之差變小，且使90度的旋轉位置上的切割寬度與270度的旋轉位置上的切割寬度之差變小。藉此修正由第2搬送裝置將晶圓W載在置基板保持機構82的動作，抑制以後處理之晶圓W的偏心。
此外，此處則是修正第2搬送裝置17的動作，藉以抑制晶圓W的偏心，但修正的對象並不限定在第2搬送裝置17的動作。例如，周緣部處理單元18具備調整晶圓W的水平位置之調節機構時，可修正這種調節機構，藉以修正基板保持機構82吸持之晶圓W的位置。
＜顯示控制部＞ 例如，顯示控制部5105因應使用者對操作部6進行的操作，使影像資料5202從記憶部52取出顯示在顯示部7。藉此使用者可確認晶圓W之上表面Wa和下表面Wb的周緣部區域Wd、We以及端面Wc的狀態。另外，例如，顯示控制部5105因應使用者對操作部6進行的操作，使解析資料5203從記憶部52取出顯示在顯示部7。藉此使用者可確認藉由解析部5103的解析結果。
此外，操作部6例如為鍵盤或觸控面板，顯示部7例如為液晶顯示器。操作部6和顯示部7安裝在基板處理系統1亦可，設置在離基板處理系統1較遠處亦可。
＜傳送部＞ 傳送部5106例如透過LAN(Local Area Network)等的網路將被記憶在記憶部52之影像資料5202和解析資料5203發送給外部裝置8。此外，傳送部5106在每一影像資料5202或解析資料5203被記憶在記憶部52時，將新被記憶之影像資料5202或解析資料5203發送給外部裝置8亦可。另外，例如傳送部5106將藉由使用者對操作部6的操作選出之影像資料5202或解析資料5203發送給外部裝置8亦可。
如上所述，本實施形態的基板處理系統1(基板處理裝置的一個例子)具備：搬入/搬出站2、轉移站3、處理站4及攝像單元15。搬入/搬出站2具有第1搬送裝置13，以從卡匣C取出晶圓W(基板的一個例子)進行搬送。轉移站3具有基板載置部14，以載置被第1搬送裝置13搬送過來的晶圓W。處理站4具有第2搬送裝置17、及多個周緣部處理單元18和下表面處理單元19(處理單元的一個例子)，而第2搬送裝置17與轉移站3相鄰配置，從基板載置部14取出晶圓W進行搬送，多個周緣部處理單元18和下表面處理單元19處理被第2搬送裝置17搬送過來的晶圓W。攝像單元15被配置在轉移站3，拍攝晶圓W的上表面Wa和下表面Wb其中一面的周緣部以及晶圓W的端面Wc。
另外，本實施形態的基板處理系統1(基板處理裝置的一個例子)具備：卡匣載置部11、周緣部處理單元18(處理單元的一個例子)、搬送部12、轉移站3和搬送部16(搬送區域的一個例子)及攝像單元。卡匣載置部11載置容納有多個晶圓W(基板的一個例子)之卡匣C。周緣部處理單元18清洗或蝕刻從卡匣C取出來之晶圓W的周緣部。搬送部12、轉移站3和搬送部16被設置在卡匣載置部11與周緣部處理單元18之間，搬送晶圓W。攝像單元15被設置在轉移站3，拍攝由周緣部處理單元18處理過之晶圓W的上表面Wa和下表面Wb其中一面的周緣部以及晶圓W的端面Wc。
因此，依據本實施形態的基板處理系統1，可抑制裝置之大型化，同時確認晶圓W在周緣部的狀態。
＜變形例＞ 上述過的實施形態中，雖在周緣部處理單元18的周緣部去除處理後及藉由下表面處理單元19的下表面去除處理後，分別進行藉由攝像單元15的攝像處理，但進行攝像處理的時間點並不被限定在上述的例子。
以下，參考圖20~圖22來說明進行攝像處理的時間點之變形例。圖20係表示第1變形例中在基板處理系統1內晶圓W的流程之圖。圖21係表示第2變形例中在基板處理系統1內晶圓W的流程之圖。圖22係表示第3變形例中在基板處理系統1內晶圓W的流程之圖。
此外，以下的說明中，針對與已說明過的部位相同之部位，附註與已說明過的部位相同的圖號，其重複說明則省略。
例如，如圖20所示，基板處理系統1不進行周緣部去除處理後的攝像處理，而在結束藉由下表面處理單元19的下表面去除處理後才進行攝像處理亦可。藉此經由一次的攝像處理，即可確認周緣部去除處理和下表面去除處理後晶圓W的狀態。
另外，如圖21所示，基板處理系統1不僅是在下表面處理單元19的下表面去除處理後，在藉由周緣部處理單元18的周緣部去除處理之前進行藉由攝像單元15的攝像處理亦可。
在此情況下，解析部5103根據的周緣部去除處理前後之影像資料5202的差分，可更精確地檢測晶圓W的缺陷。例如，解析部5103在根據下表面去除處理後的影像資料5202檢測缺陷時，被檢測到的缺陷部位與相同於周緣部去除處理前的影像資料5202中被檢測到上述缺陷的部位之部位兩者進行比較。然後在兩者並沒有變動的情況，解析部5103檢測該部位作為有缺陷的部位。
另外，如圖22所示，基板處理系統1不進行藉由周緣部處理單元18的周緣部去除處理和藉由下表面處理單元19的下表面處理，僅進行攝像處理亦可。即基板處理系統1中，周緣部或下表面被其他的裝置處理過之晶圓W搬入攝像單元15，針對這個晶圓W進行攝像處理過後，回到卡匣C亦可。
上述過的實施形態中，用第1攝像子單元400拍攝晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd和端面Wc，用第2攝像子單元500拍攝晶圓W之下表面Wb的周緣部區域We。但是並不受限於此，使第1攝像子單元400和第2攝像子單元500的配置上下反轉，用第1攝像子單元400拍攝晶圓W之下表面Wb的周緣部區域We和端面Wc，用第2攝像子單元500拍攝晶圓W之上表面Wa的周緣部區域Wd亦可。
另外，上述過的實施形態中，雖是在轉移站3配置攝像單元15，但在轉移站3之外的搬送區域，例如在搬送部12或搬送部16配置攝像單元15亦可。
本領域相關業者可輕易地導出進一步的效果和變形例。因而，本發明更廣泛的樣態並非被限定在以上所述且記述過的具體細節和具代表性之實施形態。因此，在不脫離申請權利的範圍及其等同物定義的總體性發明概念的精神或範圍的情況下，可施予種種變更。
C‧‧‧卡匣S01~S07、S101~S102‧‧‧步驟W‧‧‧晶圓Wa‧‧‧晶圓的上表面Wb‧‧‧晶圓的下表面Wc‧‧‧晶圓的端面Wd‧‧‧晶圓之上表面的周緣部區域We‧‧‧晶圓之下表面的周緣部區域14‧‧‧基板載置部15‧‧‧攝像單元17‧‧‧第2搬送裝置18‧‧‧周緣部處理單元19‧‧‧下表面處理單元200‧‧‧旋轉保持子單元300‧‧‧凹口檢測子單元400‧‧‧第1攝像子單元410‧‧‧攝影機420‧‧‧照明模組430‧‧‧反射鏡構件500‧‧‧第2攝像子單元510‧‧‧攝影機520‧‧‧照明模組
[圖1]係本實施形態中基板處理系統之平面示意圖。 [圖2]係本實施形態中基板處理系統之側視示意圖。 [圖3]係周緣部處理單元之示意圖。 [圖4]係下表面處理單元之示意圖。 [圖5]係從側面觀看基板載置部和攝像單元之示意圖。 [圖6]係從上方觀看攝像單元之示意圖。 [圖7]係從側面觀看攝像單元之示意圖。 [圖8]係從斜上方觀看第1攝像子單元和第2攝像子單元之示意圖。 [圖9]係從斜上方觀看第1攝像子單元和第2攝像子單元之示意圖。 [圖10]係從側面觀看第1攝像子單元之示意圖。 [圖11]係從側面觀看照明模組和反射鏡構件之示意圖。 [圖12]係表示來自照明模組的光受反射鏡構件反射的樣子之模式圖。 [圖13]係表示來自晶圓的光受反射鏡構件反射的樣子之模式圖。 [圖14]係表示被第1攝像子單元拍攝到之攝像影像的一個例子之示意圖。 [圖15]係從側面觀看第2攝像子單元之示意圖。 [圖16]係表示構成控制裝置的一個例子之方塊圖。 [圖17]係表示本實施形態中在基板處理系統內晶圓的流程之圖。 [圖18]係表示受攝像單元執行之一系列的處理流程之流程圖。 [圖19]係表示攝像處理的流程之時間圖。 [圖20]係表示第1變形例中在基板處理系統內晶圓的流程之圖。 [圖21]係表示第2變形例中在基板處理系統內晶圓的流程之圖。 [圖22]係表示第3變形例中在基板處理系統內晶圓的流程之圖。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入/搬出站
3‧‧‧轉移站
4‧‧‧處理站
11‧‧‧卡匣載置部
12‧‧‧搬送部
14‧‧‧基板載置部
15‧‧‧攝像單元
19‧‧‧下表面處理單元
4U‧‧‧第1處理站
4L‧‧‧第2處理站
W‧‧‧晶圓
C‧‧‧卡匣

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為包含：卡匣載置部，載置著容納有多片基板之卡匣；處理單元，清洗或蝕刻從該卡匣取出來之該基板的周緣部；搬送區域，設在該卡匣載置部與該處理單元之間，用以搬送該基板；及攝像單元，設在該搬送區域，用以水平保持由該處理單元處理過之該基板，同時拍攝該基板的上表面與下表面其中一面的周緣部以及該基板的端面；該攝像單元包含：光源，從該基板的上方往該基板的上表面照射光；傾斜半反射鏡，設於該光源和該基板之間；及反射鏡構件，設於該光源之下且該基板的側方，並具有彎曲的反射面；該攝像單元的光軸，於水平方向延伸；該反射鏡構件，使從該光源照射的光朝該基板的端面反射，且使由該基板的端面反射的光，朝該傾斜半反射鏡往上方反射；該基板的上表面，將從該光源照射的光朝該傾斜半反射鏡往上方反射，該傾斜半反射鏡，使由該基板的上表面往上方反射的光和由該反射鏡構件往上方反射的光，朝該攝像單元水平反射。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，該處理單元包含清洗或蝕刻該基板的上表面周緣部之周緣部處理單元；該攝像單元拍攝由該周緣部處理單元清洗或蝕刻過之該基板的上表面周緣部和端面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中，該周緣部處理單元清洗或蝕刻該基板的上表面周緣部和下表面周緣部。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之基板處理裝置，其中，該處理單元包含清洗或蝕刻該基板的整個下表面之下表面處理單元；該攝像單元拍攝由該下表面處理單元清洗或蝕刻過之該基板的下表面周緣部。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板處理裝置，其中，更包含控制部，用以控制該周緣部處理單元、該下表面處理單元和該攝像單元；該控制部使該周緣部處理單元執行清洗或蝕刻該基板的上表面周緣部和下表面周緣部之周緣部處理；於該周緣部處理後，使該下表面處理單元執行清洗或蝕刻該基板的整個下表面之下表面處理；於該下表面處理後，使該攝像單元執行拍攝該基板的上表面周緣部與端面以及下表面周緣部的攝像處理。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中，該周緣部處理單元在該周緣部處理時蝕刻該基板的上表面周緣部；該控制部根據由該攝像處理拍攝到之影像，計算在該基板的上表面周緣部之膜的去除寬度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中，該周緣部處理單元包含：噴嘴，對該基板的上表面周緣部供應液劑；及移動機構，使該噴嘴移動； 該周緣部處理時，於利用該移動機構使該噴嘴移動到處理位置後，從該噴嘴對該基板的上表面周緣部供應該液劑，以去除該基板的上表面周緣部之膜；該控制部根據計算出來的該去除寬度，變更藉由該移動機構之該噴嘴的移動量，以修正該周緣部處理的該處理位置。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中，該控制部根據由該攝像處理拍攝到之影像，判定該基板的上表面周緣部處膜的去除程度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，其中，該周緣部處理單元包含：噴嘴，對該基板的上表面周緣部供應液劑；及移動機構，使該噴嘴移動；於該周緣部處理時，利用該移動機構使該噴嘴移動到處理位置後，從該噴嘴對該基板的上表面周緣部供應該液劑，以去除該基板的上表面周緣部之膜；該控制部根據由該攝像處理拍攝到之影像，修正該周緣部處理時從該噴嘴噴向該基板的上表面周緣部之該液劑的噴出時間。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中，該控制部根據由該攝像處理拍攝到之影像，修正該周緣部處理時該基板的水平位置。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中，該控制部在該周緣部處理前，使該攝像單元執行該攝像處理，根據該周緣部處理前由該攝像處理拍攝到之影像與該下表面處理後由該攝像處理拍攝到之影像的差分，檢測該基板的缺陷。
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