KR102588845B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 주연부의 상태를 확인하는 것이다.
실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 카세트 적재부와, 처리 유닛과, 반송 영역과, 촬상 유닛을 구비한다. 카세트 적재부는, 복수의 기판을 수용하는 카세트가 적재된다. 처리 유닛은, 카세트로부터 취출된 기판의 주연부를 세정 또는 에칭한다. 반송 영역은, 카세트 적재부와 처리 유닛 사이에 설치되며, 기판이 반송된다. 촬상 유닛은, 반송 영역에 설치되며, 처리 유닛에 의해 처리된 기판의 상면 및 하면 중 한쪽 면의 주연부 및 기판의 단부면을 촬상한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시의 실시 형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 기판의 주연부에 약액을 공급함으로써, 기판의 주연부로부터 막을 제거하는 처리(이하, 「주연부 제거 처리」라 기재함)를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이러한 종류의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판의 주연부의 막이 적절하게 제거되었는지 여부를 확인하기 위해, 주연부 제거 처리가 행해지는 챔버의 내부에, 기판의 주연부를 촬상하기 위한 카메라가 설치되는 경우가 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 기판의 주연부를 촬상하기 위한 촬상부를 챔버에 대하여 고정적으로 설치하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 챔버에 대한 설치 및 제거가 가능한 측정 지그에 대하여 상기 카메라를 설치하는 것도 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-100565호 공보
그러나, 챔버 내에 촬상부를 설치하면 장치가 대형화될 우려가 있다.
실시 형태의 일 양태는, 장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 주연부의 상태를 확인할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일 양태에 관한 기판 처리 시스템은, 카세트 적재부와, 처리 유닛과, 반송 영역과, 촬상 유닛을 구비한다. 카세트 적재부는, 복수의 기판을 수용하는 카세트가 적재된다. 처리 유닛은, 카세트로부터 취출된 기판의 주연부를 세정 또는 에칭한다. 반송 영역은, 카세트 적재부와 처리 유닛 사이에 설치되며, 기판이 반송된다. 촬상 유닛은, 반송 영역에 설치되며, 처리 유닛에 의해 처리된 기판의 상면 및 하면 중 한쪽 면의 주연부 및 기판의 단부면을 촬상한다.
실시 형태의 일 양태에 따르면, 장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 주연부의 상태를 확인할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 평면도.
도 2는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 측면도.
도 3은 주연부 처리 유닛의 모식도.
도 4는 하면 처리 유닛의 모식도.
도 5는 기판 적재부 및 촬상 유닛을 측방으로부터 본 모식도.
도 6은 촬상 유닛을 상방으로부터 본 모식도.
도 7은 촬상 유닛을 측방으로부터 본 모식도.
도 8은 제1 촬상 서브 유닛 및 제2 촬상 서브 유닛을 경사 상방으로부터 본 모식도.
도 9는 제1 촬상 서브 유닛 및 제2 촬상 서브 유닛을 경사 상방으로부터 본 모식도.
도 10은 제1 촬상 서브 유닛을 측방으로부터 본 모식도.
도 11은 조명 모듈 및 미러 부재를 측방으로부터 본 모식도.
도 12는 조명 모듈로부터의 광이 미러 부재에 있어서 반사되는 모습을 도시하는 모식도.
도 13은 웨이퍼로부터의 광이 미러 부재에 있어서 반사되는 모습을 도시하는 모식도.
도 14는 제1 촬상 서브 유닛에 의해 촬상된 촬상 화상의 일례를 도시하는 모식도.
도 15는 제2 촬상 서브 유닛을 측방으로부터 본 모식도.
도 16은 제어 장치의 구성의 일례를 도시하는 블록도.
도 17은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 도시하는 도면.
도 18은 촬상 유닛에 있어서 실행되는 일련의 처리의 흐름을 설명하는 흐름도.
도 19는 촬상 처리의 흐름을 나타내는 타이밍 차트.
도 20은 제1 변형예에 관한 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 도시하는 도면.
도 21은 제2 변형예에 관한 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 도시하는 도면.
도 22는 제3 변형예에 관한 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 도시하는 도면.
<기판 처리 시스템의 구성>
먼저, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다. 또한, 도 2는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다. 또한, 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향이라 한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)은 반출입 스테이션(2)과, 전달 스테이션(3)과, 처리 스테이션(4)을 구비한다. 이들은, 반출입 스테이션(2), 전달 스테이션(3) 및 처리 스테이션(4)의 순서로 나란히 배치된다.
이러한 기판 처리 시스템(1)은 반출입 스테이션(2)으로부터 반입된 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼 W)를 전달 스테이션(3) 경유로 처리 스테이션(4)으로 반송하고, 처리 스테이션(4)에 있어서 처리한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은 처리 후의 웨이퍼 W를 처리 스테이션(4)으로부터 전달 스테이션(3) 경유로 반출입 스테이션(2)으로 되돌려보내고, 반출입 스테이션(2)으로부터 외부로 불출한다.
반출입 스테이션(2)은 카세트 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 카세트 적재부(11)에는, 복수매의 웨이퍼 W를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트 C가 적재된다.
반송부(12)는 카세트 적재부(11)와 전달 스테이션(3) 사이에 배치되며, 내부에 제1 반송 장치(13)를 갖는다. 제1 반송 장치(13)는 1매의 웨이퍼 W를 보유 지지하는 복수(여기서는, 5개)의 웨이퍼 보유 지지부를 구비한다. 제1 반송 장치(13)는 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 복수의 웨이퍼 보유 지지부를 사용하여, 카세트 C와 전달 스테이션(3) 사이에서 복수매의 웨이퍼 W를 동시에 반송할 수 있다.
다음에, 전달 스테이션(3)에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 전달 스테이션(3)의 내부에는, 복수의 기판 적재부(SBU)(14)와, 복수의 촬상 유닛(CAM)(15)이 배치된다. 구체적으로는, 후술하는 처리 스테이션(4)은 상단의 제1 처리 스테이션(4U)과 하단의 제2 처리 스테이션(4L)을 갖고 있고, 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)은 제1 처리 스테이션(4U)에 대응하는 위치 및 제2 처리 스테이션(4L)에 대응하는 위치에 각각 하나씩 배치된다. 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)의 구성에 대해서는 후술한다.
다음에, 처리 스테이션(4)에 대하여 설명한다. 처리 스테이션(4)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 처리 스테이션(4U)과, 제2 처리 스테이션(4L)을 구비한다. 제1 처리 스테이션(4U)과 제2 처리 스테이션(4L)은, 격벽이나 셔터 등에 의해 공간적으로 구획되어 있고, 높이 방향으로 나란히 배치된다.
제1 처리 스테이션(4U) 및 제2 처리 스테이션(4L)은, 마찬가지의 구성을 갖고 있고, 도 1에 도시한 바와 같이, 반송부(16)와, 제2 반송 장치(17)와, 복수의 주연부 처리 유닛(CH1)(18)과, 복수의 하면 처리 유닛(CH2)(19)을 구비한다.
제2 반송 장치(17)는 반송부(16)의 내부에 배치되며, 기판 적재부(14), 촬상 유닛(15), 주연부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19) 사이에 있어서 웨이퍼 W의 반송을 행한다.
제2 반송 장치(17)는 1매의 웨이퍼 W를 보유 지지하는 하나의 웨이퍼 보유 지지부를 구비한다. 제2 반송 장치(17)는 수평 방향 및 연직 방향에 대한 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 보유 지지부를 사용하여 1매의 웨이퍼 W를 반송한다.
복수의 주연부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19)은 반송부(16)에 인접하여 배치된다. 일례로서, 복수의 주연부 처리 유닛(18)은 반송부(16)의 Y축 정방향측에 있어서 X축 방향을 따라서 나란히 배치되고, 복수의 하면 처리 유닛(19)은 반송부(16)의 Y축 부방향측에 있어서 X축 방향을 따라서 나란히 배치된다.
주연부 처리 유닛(18)은 웨이퍼 W의 주연부에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 주연부 처리 유닛(18)은 웨이퍼 W의 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 베벨 제거 처리(주연부 처리의 일례)를 행한다. 베벨부란, 웨이퍼 W의 단부면 및 그 주변에 형성된 경사부를 말한다. 상기 경사부는, 웨이퍼 W의 상면 주연부 및 하면 주연부에 각각 형성된다.
주연부 처리 유닛(18)의 구성예에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 주연부 처리 유닛(18)의 모식도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 주연부 처리 유닛(18)은 챔버(81)와, 기판 보유 지지 기구(82)와, 공급부(83)와, 회수 컵(84)을 구비한다.
챔버(81)는 기판 보유 지지 기구(82), 공급부(83) 및 회수 컵(84)을 수용한다. 챔버(81)의 천장부에는, 챔버(81) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(811)가 설치된다.
기판 보유 지지 기구(82)는 웨이퍼 W를 수평으로 보유 지지하는 보유 지지부(821)와, 연직 방향으로 연장되어 보유 지지부(821)를 지지하는 지주 부재(822)와, 지주 부재(822)를 연직축 주위로 회전시키는 구동부(823)를 구비한다.
보유 지지부(821)는 진공 펌프 등의 흡기 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 이러한 흡기 장치의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여 웨이퍼 W의 하면을 흡착함으로써 웨이퍼 W를 수평으로 보유 지지한다. 보유 지지부(821)로서는, 예를 들어 포러스 척이나 정전 척 등을 사용할 수 있다.
보유 지지부(821)는 웨이퍼 W보다도 소직경의 흡착 영역을 갖는다. 이에 의해, 후술하는 공급부(83)의 하측 노즐(832)로부터 토출되는 약액을 웨이퍼 W의 하면 주연부에 공급할 수 있다.
공급부(83)는 상측 노즐(831)과 하측 노즐(832)을 구비한다. 상측 노즐(831)은 기판 보유 지지 기구(82)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 상방에 배치되고, 하측 노즐(832)은 그 웨이퍼 W의 하방에 배치된다.
상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)에는, 밸브(71) 및 유량 조정기(72)를 거쳐 약액 공급원(73)이 접속된다. 상측 노즐(831)은 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 불산(HF)이나 질산(HNO3) 등의 약액을 기판 보유 지지 기구(82)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 상면 주연부에 토출한다. 또한, 하측 노즐(832)은 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액을 기판 보유 지지 기구(82)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 하면 주연부에 토출한다.
또한, 공급부(83)는 상측 노즐(831)을 이동시키는 제1 이동 기구(833)와, 하측 노즐(832)을 이동시키는 제2 이동 기구(834)를 구비한다. 이들 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)를 사용하여 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 이동시킴으로써, 웨이퍼 W에 대한 약액의 공급 위치를 변경할 수 있다.
회수 컵(84)은 기판 보유 지지 기구(82)를 둘러싸도록 배치된다. 회수 컵(84)의 저부에는, 공급부(83)로부터 공급되는 약액을 챔버(81)의 외부로 배출하기 위한 배액구(841)와, 챔버(81) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(842)가 형성된다.
주연부 처리 유닛(18)은 상기와 같이 구성되어 있고, 웨이퍼 W의 하면을 보유 지지부(821)에 의해 흡착 보유 지지한 후, 구동부(823)를 사용하여 웨이퍼 W를 회전시킨다. 그리고, 주연부 처리 유닛(18)은 상측 노즐(831)로부터 회전하는 웨이퍼 W의 상면 주연부를 향하여 약액을 토출함과 함께, 하측 노즐(832)로부터 회전하는 웨이퍼 W의 하면 주연부를 향하여 약액을 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 베벨부에 부착된 막이 제거된다. 이때, 웨이퍼 W의 베벨부에 부착된 파티클 등의 오염도 막과 함께 제거된다.
또한, 주연부 처리 유닛(18)은 상기의 주연부 제거 처리를 행한 후, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼 W의 베벨부에 잔존하는 약액을 씻어내는 린스 처리를 행해도 된다. 또한, 주연부 처리 유닛(18)은 린스 처리 후, 웨이퍼 W를 회전시킴으로써 웨이퍼 W를 건조시키는 건조 처리를 행해도 된다.
또한, 여기서는, 주연부 처리 유닛(18)이 주연부 처리의 일례로서, 웨이퍼 W의 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 베벨 제거 처리를 행하는 것으로 하지만, 주연부 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리인 것을 요하지는 않는다. 예를 들어, 주연부 처리 유닛(18)은 웨이퍼 W의 베벨부를 세정하는 주연부 세정 처리를 주연부 처리로서 행해도 된다.
하면 처리 유닛(19)은 웨이퍼 W의 하면에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시 형태에 있어서, 하면 처리 유닛(19)은 웨이퍼 W의 하면의 전체면으로부터 막을 에칭 제거하는 하면 제거 처리(하면 처리의 일례)를 행한다.
여기서, 하면 처리 유닛(19)의 구성예에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 하면 처리 유닛(19)의 모식도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 하면 처리 유닛(19)은 챔버(91)와, 기판 보유 지지 기구(92)와, 공급부(93)와, 회수 컵(94)을 구비한다.
챔버(91)는 기판 보유 지지 기구(92), 공급부(93) 및 회수 컵(94)을 수용한다. 챔버(91)의 천장부에는, 챔버(91) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(911)가 설치된다.
기판 보유 지지 기구(92)는 웨이퍼 W를 수평으로 보유 지지하는 보유 지지부(921)와, 연직 방향으로 연장되어 보유 지지부(921)를 지지하는 지주 부재(922)와, 지주 부재(922)를 연직축 주위로 회전시키는 구동부(923)를 구비한다. 보유 지지부(921)의 상면에는, 웨이퍼 W의 주연부를 파지하는 복수의 파지부(921a)가 설치되어 있고, 웨이퍼 W는 이러한 파지부(921a)에 의해 보유 지지부(921)의 상면으로부터 약간 이격된 상태에서 수평으로 보유 지지된다.
공급부(93)는 보유 지지부(921) 및 지주 부재(922)의 중공부에 삽입 관통된다. 공급부(93)의 내부에는 연직 방향으로 연장되는 유로가 형성되어 있다. 유로에는, 밸브(74) 및 유량 조정기(75)를 거쳐 약액 공급원(76)이 접속된다. 공급부(93)는 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액을 웨이퍼 W의 하면에 공급한다.
회수 컵(94)은 기판 보유 지지 기구(92)를 둘러싸도록 배치된다. 회수 컵(94)의 저부에는, 공급부(93)로부터 공급되는 약액을 챔버(91)의 외부로 배출하기 위한 배액구(941)와, 챔버(91) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(942)가 형성된다.
하면 처리 유닛(19)은 상기와 같이 구성되어 있고, 웨이퍼 W의 주연부를 보유 지지부(921)의 복수의 파지부(921a)로 보유 지지한 후, 구동부(923)를 사용하여 웨이퍼 W를 회전시킨다. 그리고, 하면 처리 유닛(19)은 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼 W의 하면 중심부를 향하여 약액을 토출한다. 웨이퍼 W의 하면 중심부에 공급된 약액은, 웨이퍼 W의 회전에 수반하여 웨이퍼 W의 하면의 전체면으로 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 하면의 전체면으로부터 막이 제거된다. 이때, 웨이퍼 W의 하면에 부착된 파티클 등의 오염도 막과 함께 제거된다.
또한, 하면 처리 유닛(19)은, 상기의 하면 제거 처리를 행한 후, 공급부(93)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼 W의 하면에 잔존하는 약액을 씻어내는 린스 처리를 행해도 된다. 또한, 하면 처리 유닛(19)은 린스 처리 후, 웨이퍼 W를 회전시킴으로써 웨이퍼 W를 건조시키는 건조 처리를 행해도 된다.
또한, 여기서는, 하면 처리 유닛(19)이, 하면 처리의 일례로서, 웨이퍼 W의 하면의 전체면으로부터 막을 제거하는 하면 제거 처리를 행하는 것으로 하지만, 하면 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리인 것을 요하지는 않는다. 예를 들어, 하면 처리 유닛(19)은 웨이퍼 W의 하면의 전체면을 세정하는 하면 세정 처리를 하면 처리로서 행해도 된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(5)를 구비한다. 제어 장치(5)는 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(51)와 기억부(52)를 구비한다. 기억부(52)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(51)는 예를 들어 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(52)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록된 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(52)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한, 제어부(51)는 프로그램을 사용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 된다.
그런데, 주연부 제거 처리에 있어서는, 막의 제거폭(웨이퍼 W의 외주연을 일단으로 하는 웨이퍼 W의 직경 방향을 따른 폭, 이하 「커트폭」이라 기재함)이 규정된다. 그러나, 예를 들어 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치가 적절하지 않은 경우, 규정된 커트폭에 대하여 실제의 커트폭이 어긋날 우려가 있다. 또한, 기판 보유 지지 기구(82)의 회전 중심에 대하여 웨이퍼 W의 중심이 어긋나 있는 경우에는, 웨이퍼 W의 주위 방향에 있어서 커트폭에 불균일이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼 W를 카메라로 촬상하고, 얻어진 화상에 기초하여, 주연부 제거 처리가 적절하게 실시되었는지 여부를 확인하는 작업이 행해지는 경우가 있다.
종래, 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼를 촬상하는 카메라는, 각 주연부 처리 유닛의 챔버 내에 설치되어 있었다. 그러나, 각 주연부 처리 유닛의 챔버 내에 카메라를 설치하는 것으로 하면, 기판 처리 시스템이 대형화될 우려가 있다. 또한, 카메라에 약액 등이 부착됨으로써, 적절한 촬상을 행하는 것이 곤란해질 우려도 있다.
또한, 종래, 주연부 제거 처리를 행한 후, 카메라를 탑재한 측정 지그를 주연부 처리 유닛에 설치하여 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼를 촬상하는 것도 제안되어 있다. 그러나, 측정 지그의 설치 및 제거에는 수고를 요한다. 또한, 주연부 처리 유닛간의 개체차에 기인하는 측정 정밀도의 저하가 발생할 우려도 있다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에서는, 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼 W의 베벨부를 촬상하는 촬상 유닛(15)을 주연부 처리 유닛(18)의 외부에, 또한, 복수의 주연부 처리 유닛(18)에 공통으로 하나 설치하는 것으로 하였다. 구체적으로는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서는, 제1 처리 스테이션(4U)에 배치되는 복수의 주연부 처리 유닛(18)에 대응하는 하나의 촬상 유닛(15)과, 제2 처리 스테이션(4L)에 배치되는 복수의 주연부 처리 유닛(18)에 대응하는 하나의 촬상 유닛(15)이 전달 스테이션(3)에 설치된다(도 2 참조).
<촬상 유닛의 구성>
이하, 본 실시 형태에 관한 촬상 유닛(15)의 구성에 대하여 도 5 내지 도 13을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 5는 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)을 측방으로부터 본 모식도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 촬상 유닛(15)은 기판 적재부(14)의 하방에 있어서 기판 적재부(14)에 인접하여 설치된다.
이와 같이, 기판 적재부(14)와 촬상 유닛(15)을 높이 방향으로 겹쳐서 배치함으로써, 기판 처리 시스템(1)의 풋 프린트의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 기판 적재부(14)의 하방에 촬상 유닛(15)을 배치함으로써, 설령 촬상 유닛(15)으로부터 먼지 등이 낙하한 경우라도, 낙하한 먼지 등이 기판 적재부(14)에 적재된 웨이퍼 W에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 촬상 유닛(15)은 반드시 기판 적재부(14)의 하방에 배치되는 것을 요하지는 않고, 기판 적재부(14)의 상방에 배치되어도 된다.
도 6은 촬상 유닛(15)을 상방으로부터 본 모식도이고, 도 7은 촬상 유닛(15)을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 촬상 유닛(15)은 베이스 플레이트(100)와, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)(회전 보유 지지부의 일례)과, 노치 검출 서브 유닛(300)(검출부의 일례)과, 제1 촬상 서브 유닛(400)과, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 구비한다.
본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에서는, 제1 반송 장치(13) 및 제2 반송 장치(17) 중, 제2 반송 장치(17)만이 촬상 유닛(15)에 대하여 액세스하도록 구성된다. 구체적으로는, 촬상 유닛(15)은 반송부(16)를 향하여 개구되는 개구부(110)를 갖고, 제2 반송 장치(17)는, 이러한 개구부(110)를 통해 촬상 유닛(15)에 대한 웨이퍼 W의 반출입을 행한다. 또한, 후술하는 제1 촬상 서브 유닛(400)의 카메라(410), 조명 모듈(420) 및 미러 부재(430) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)의 카메라(510) 및 조명 모듈(520)은 제2 반송 장치(17)에 의한 웨이퍼 W의 반출입의 방해가 되지 않도록, 보유 지지대(201)보다도 개구부(110)로부터 먼 위치에 배치된다.
베이스 플레이트(100)는 예를 들어 판형 부재이며, 각 서브 유닛(200 내지 500)은 베이스 플레이트(100) 상에 설치된다.
회전 보유 지지 서브 유닛(200)은 보유 지지대(201)와, 액추에이터(202)를 구비한다. 보유 지지대(201)는, 예를 들어 흡착 등에 의해 웨이퍼 W를 수평으로 보유 지지하는 흡착 척이다. 보유 지지대(201)는 웨이퍼 W보다도 소직경의 흡착 영역을 갖는다. 액추에이터(202)는 예를 들어 전동 모터이며, 보유 지지대(201)를 회전 구동한다.
노치 검출 서브 유닛(300)은 예를 들어 가로 홈(310)을 구비하고 있고, 가로 홈(310)의 하면에는 발광 소자(320)가 설치되고, 상면에는 수광 소자(330)가 설치된다.
회전 보유 지지 서브 유닛(200)에 웨이퍼 W가 적재된 상태에 있어서, 발광 소자(320)로부터의 조사광은, 웨이퍼 W의 주연부에 의해 차단되어, 수광 소자(330)에는 조사광이 수광되지 않는다. 그러나, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)에 의한 회전에 의해, 웨이퍼 W의 주연부에 형성된 노치가 발광 소자(320)에 대향하는 위치에 오면, 조사광은 노치를 통과하여 수광 소자(330)에 수광된다. 이에 의해, 노치 검출 서브 유닛(300)은 웨이퍼 W에 형성된 노치의 위치를 검출할 수 있다.
도 8 및 도 9는 제1 촬상 서브 유닛(400) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)을 경사 상방으로부터 본 모식도이다. 또한, 도 10은 제1 촬상 서브 유닛(400)을 측방으로부터 본 모식도이고, 도 11은 조명 모듈(420) 및 미러 부재(430)를 측방으로부터 본 모식도이다. 또한, 도 12는 조명 모듈(420)로부터의 광이 미러 부재(430)에 있어서 반사되는 모습을 도시하는 모식도이고, 도 13은 웨이퍼 W로부터의 광이 미러 부재(430)에 있어서 반사되는 모습을 도시하는 모식도이다.
도 6 내지 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 촬상 서브 유닛(400)은 카메라(410)(한쪽 면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(420)과, 미러 부재(430)를 구비한다.
카메라(410)는 렌즈(411)와, 촬상 소자(412)를 구비한다. 카메라(410)의 광축은, 조명 모듈(420)을 향하여 수평으로 연장되어 있다.
도 8 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 조명 모듈(420)은 보유 지지대(201)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 상방에 배치되어 있다. 조명 모듈(420)은 광원(421)과, 광 산란 부재(422)와, 보유 지지 부재(423)를 구비한다.
광원(421)은, 도 11에 도시한 바와 같이, 예를 들어 하우징(421a)과, 하우징(421a) 내에 배치된 복수의 LED 점광원(421b)을 구비한다. 복수의 LED 점광원(421b)은, 웨이퍼 W의 직경 방향을 따라서 일렬로 나란히 배치된다.
광 산란 부재(422)는, 도 9 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 광원(421)과 중첩되도록 광원(421)에 접속된다. 광 산란 부재(422)에는, 광원(421) 및 광 산란 부재(422)가 중첩되는 방향에 있어서 연장되는 관통구(422a)가 형성된다. 관통구(422a)의 내벽면에는 경면 가공이 실시되어 있다. 이에 의해, 광원(421)으로부터의 광이 광 산란 부재(422)의 관통구(422a) 내에 입사되면, 입사광이 관통구(422a) 내의 경면 부분(422b)에서 난반사되어, 산란광이 생성된다.
보유 지지 부재(423)는 광 산란 부재(422)와 중첩되도록 광 산란 부재(422)에 접속된다. 보유 지지 부재(423)에는, 관통구(423a)와, 관통구(423a)에 교차하는 교차 구멍(423b)이 형성되어 있다. 관통구(423a)는 광 산란 부재(422) 및 보유 지지 부재(423)가 중첩되는 방향으로 연장되어 있다. 교차 구멍(423b)은 관통구(423a)에 연통되어 있다.
보유 지지 부재(423)는 하프 미러(424)와, 원주 렌즈(425)와, 광 확산 부재(426)와, 초점 조절 렌즈(427)를 내부에 보유 지지하고 있다. 하프 미러(424)는, 도 10에 도시한 바와 같이, 예를 들어 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사진 상태에서, 관통구(423a) 및 교차 구멍(423b)의 교차 부분에 배치된다. 하프 미러(424)는 직사각형을 나타내고 있다.
원주 렌즈(425)는 광 산란 부재(422)와 하프 미러(424) 사이에 배치된다. 원주 렌즈(425)는 하프 미러(424)를 향하여 돌출되는 볼록형의 원주 렌즈이다. 원주 렌즈(425)의 축은, 복수의 LED 점광원(421b)이 배열되는 방향으로 연장되어 있다. 원주 렌즈(425)에 광 산란 부재(422)로부터의 산란광이 입사되면, 원주 렌즈(425)의 원주면의 주위 방향을 따라서 산란광이 확대된다.
광 확산 부재(426)는 원주 렌즈(425)와 하프 미러(424) 사이에 배치된다. 광 확산 부재(426)는 예를 들어 직사각형을 나타내는 시트 부재이며, 원주 렌즈(425)를 투과한 광을 확산시킨다. 이에 의해, 광 확산 부재(426)에 있어서 확산 광이 생성된다. 예를 들어, 광 확산 부재(426)는 입사된 광을 광 확산 부재(426)의 면의 전체 방향으로 확산시키는 등방성 확산 기능을 갖고 있어도 되고, 입사된 광을 원주 렌즈(425)의 축방향[원주 렌즈(425)의 원주면의 주위 방향과 직교하는 방향]을 향하여 확산시키는 이방성 확산 기능을 갖고 있어도 된다.
초점 조절 렌즈(427)는 교차 구멍(423b) 내에 배치된다. 초점 조절 렌즈(427)는 렌즈(411)와의 합성 초점 거리를 변화시키는 기능을 갖는다.
도 10 내지 도 13에 도시한 바와 같이, 미러 부재(430)는 조명 모듈(420)의 하방에 배치되며, 웨이퍼 W의 단부면 Wc로부터의 반사광을 반사시킨다.
미러 부재(430)는 본체(431)와, 반사면(432)을 구비한다. 본체(431)는 예를 들어 알루미늄 블록에 의해 구성된다.
반사면(432)은 보유 지지대(201)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 단부면 Wc와 하면 Wb의 주연 영역 We에 대향한다. 반사면(432)은 보유 지지대(201)의 회전축에 대하여 경사져 있다.
반사면(432)은 보유 지지대(201)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 단부면 Wc가 이격되는 측을 향하여 움푹 들어간 만곡면이다. 이 때문에, 웨이퍼 W의 단부면 Wc가 반사면(432)에 비치면, 그 거울상은 실상보다도 확대된다. 반사면(432)의 곡률 반경은, 예를 들어 10㎜ 이상 30㎜ 이하이다. 또한, 반사면(432)의 개방각[반사면(432)에 외접하는 2개의 평면이 이루는 각]은, 예를 들어 100도 이상 150도 이하이다.
조명 모듈(420)에 있어서, 광원(421)으로부터 출사된 광은, 광 산란 부재(422)에 의해 산란되고, 원주 렌즈(425)에 의해 확대되고, 또한 광 확산 부재(426)에 의해 확산된 후, 하프 미러(424)를 전체적으로 통과하여 하방을 향하여 조사된다. 하프 미러(424)를 통과한 확산광은, 하프 미러(424)의 하방에 위치하는 미러 부재(430)의 반사면(432)에서 반사된다. 도 12에 도시한 바와 같이, 확산광이 반사면(432)에서 반사된 반사광은, 주로 웨이퍼 W의 단부면 Wc와, 상면 Wa측의 주연 영역 Wd에 조사된다.
웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd에서 반사된 반사광은, 도 13에 도시한 바와 같이, 미러 부재(430)의 반사면(432)으로는 향하지 않고, 하프 미러(424)에 의해 다시 반사되어, 초점 조절 렌즈(427)는 통과하지 않고 카메라(410)의 렌즈(411)를 통과하여, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사된다.
한편, 웨이퍼 W의 단부면 Wc로부터 반사된 반사광은, 미러 부재(430)의 반사면(432)과 하프 미러(424)에 의해 순차적으로 반사되어, 초점 조절 렌즈(427)와 카메라(410)의 렌즈(411)를 순차적으로 통과하여, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사된다.
이와 같이, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에는, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd로부터의 반사광과, 웨이퍼 W의 단부면 Wc 및 미러 부재(430)로부터의 반사광의 양쪽이 입력된다. 따라서, 제1 촬상 서브 유닛(400)에 따르면, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd(상면 주연부를 포함한 영역)와 웨이퍼 W의 단부면 Wc의 양쪽을 동시에 촬상할 수 있다.
도 14는 제1 촬상 서브 유닛(400)에 의해 촬상된 촬상 화상의 일례를 도시하는 모식도이다. 도 14에 도시한 바와 같이, 제1 촬상 서브 유닛(400)에 의해 촬상된 촬상 화상에는, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd를 상방으로부터 본 상과, 웨이퍼 W의 단부면 Wc를 측방으로부터 본 상이 찍혀 있다.
웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd 및 단부면 Wc는, 웨이퍼 W에 형성된 노치 Wn의 위치를 기준으로 360도 이상의 범위에서 촬상된다. 따라서, 도 14에 도시한 바와 같이, 촬상 화상에는, 동일한 노치 Wn이 2개소(촬상 화상의 양단)에 찍히게 된다.
또한, 상술한 바와 같이, 미러 부재(430)의 반사면(432)에서 반사된 반사광이 렌즈(411)에 이를 때까지의 사이에는, 초점 조절 렌즈(427)가 설치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼 W의 단부면 Wc로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 길이와 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 길이 사이에 광로차가 있어도, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd의 결상 위치 및 웨이퍼 W의 단부면 Wc의 결상 위치를 모두 촬상 소자(412)에 맞출 수 있다. 따라서, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd와 웨이퍼 W의 단부면 Wc를 모두 선명하게 찍을 수 있다. 또한, 초점 조절 렌즈(427)는 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 상에는 배치되지 않는다.
계속해서, 제2 촬상 서브 유닛(500)의 구성에 대하여 도 15를 추가로 참조하여 설명한다. 도 15는 제2 촬상 서브 유닛(500)을 측방으로부터 본 모식도이다. 도 15에 도시한 바와 같이, 제2 촬상 서브 유닛(500)은 카메라(510)(다른 쪽 면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(520)을 구비한다.
카메라(510)는 렌즈(511)와, 촬상 소자(512)를 구비한다. 카메라(510)의 광축은, 조명 모듈(520)을 향하여 수평으로 연장되어 있다.
조명 모듈(520)은 조명 모듈(420)의 하방에 있으며, 보유 지지대(201)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 하방에 배치되어 있다. 조명 모듈(520)은 하프 미러(521)와, 광원(522)을 구비한다. 하프 미러(521)는 예를 들어 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사진 상태로 배치되어 있다. 하프 미러(521)는 예를 들어 직사각형을 나타내고 있다.
하프 미러(521)의 하방에 위치하고 있는 광원(522)으로부터 출사된 광은, 하프 미러(521)를 전체적으로 통과하여 상방을 향하여 조사된다. 하프 미러(521)를 통과한 광은, 카메라(510)의 렌즈(511)를 통과하여, 카메라(510)의 촬상 소자(512)에 입사된다. 즉, 카메라(510)는 하프 미러(521)를 통해, 광원(522)의 조사 영역에 존재하는 웨이퍼 W의 하면 Wb를 촬상할 수 있다.
또한, 제1 촬상 서브 유닛(400)의 카메라(410)는, 예를 들어 웨이퍼 W의 외주연으로부터 웨이퍼 W의 직경 방향을 따라서 12㎜ 폭의 범위에서 촬상하는 것에 비해, 제2 촬상 서브 유닛(500)의 카메라(510)는 웨이퍼 W의 외주연으로부터 웨이퍼 W의 직경 방향을 따라서 50㎜ 폭의 범위에서 촬상한다. 이에 의해, 카메라(510)에 의해 촬상된 촬상 화상을 사용하여, 주연부 처리 유닛(18)에 의해 처리되는 영역뿐만 아니라, 하면 처리 유닛(19)에 의해 처리되는 영역의 상태도 확인할 수 있다.
<제어 장치의 구성>
다음에, 제어 장치(5)의 구성에 대하여 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은 제어 장치(5)의 구성의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 제어 장치(5)의 제어부(51)는, 예를 들어 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로컴퓨터와 각종 회로를 포함한다. 제어부(51)는 CPU가 ROM에 기억된 프로그램을, RAM을 작업 영역으로서 사용하여 실행함으로써 기능하는 복수의 처리부를 구비한다. 구체적으로는, 제어부(51)는 레시피 실행부(5101)와, 화상 취득부(5102)와, 해석부(5103)와, 피드백부(5104)와, 표시 제어부(5105)와, 전송부(5106)를 구비한다. 또한, 레시피 실행부(5101), 화상 취득부(5102), 해석부(5103), 피드백부(5104), 표시 제어부(5105) 및 전송부(5106)는, 각각 일부 또는 전부가 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)나 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 하드웨어로 구성되어도 된다.
제어 장치(5)의 기억부(52)는, 예를 들어 RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다. 이러한 기억부(52)는 레시피 데이터(5201)와, 화상 데이터(5202)와, 해석 데이터(5203)를 기억한다.
<레시피 실행부>
레시피 실행부(5101)는 레시피 데이터(5201)에 따라서 제1 반송 장치(13), 제2 반송 장치(17), 복수의 주연부 처리 유닛(18) 및 복수의 하면 처리 유닛(19)을 제어함으로써, 웨이퍼 W에 대한 일련의 기판 처리를 이들에 실행시킨다.
여기서, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 흐름에 대하여 도 17을 참조하여 설명한다. 도 17은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 17에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 제1 반송 장치(13)가 카세트 C로부터 복수의 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 복수의 웨이퍼 W를 기판 적재부(14)에 적재한다(스텝 S01). 계속해서, 제2 반송 장치(17)가 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼 W를 1매 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 주연부 처리 유닛(18)으로 반송한다(스텝 S02).
계속해서, 주연부 처리 유닛(18)이 반입된 웨이퍼 W에 대하여 주연부 제거 처리를 행한다. 구체적으로는, 주연부 처리 유닛(18)에서는, 먼저, 기판 보유 지지 기구(82)의 보유 지지부(821)가 웨이퍼 W를 보유 지지하고, 구동부(823)가 보유 지지부(821)를 회전시킴으로써, 보유 지지부(821)에 보유 지지된 웨이퍼 W를 회전시킨다. 계속해서, 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)가, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 각각 웨이퍼 W의 상방 및 하방의 소정 위치에 배치시킨다.
그 후, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액이, 각각 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터, 회전하는 웨이퍼 W의 상면 주연부 및 하면 주연부에 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 베벨부로부터 막이 제거된다. 그 후, 주연부 처리 유닛(18)은 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼 W의 회전을 정지시킨다.
그 후, 제2 반송 장치(17)가 주연부 처리 유닛(18)으로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 촬상 유닛(15)으로 반송한다(스텝 S03).
계속해서, 촬상 유닛(15)이 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd 및 단부면 Wc 그리고 하면 Wb의 주연 영역 We를 촬상한다.
여기서, 촬상 유닛(15)에 있어서 실행되는 일련의 처리에 대하여 도 18을 참조하여 설명한다. 도 18은 촬상 유닛(15)에 있어서 실행되는 일련의 처리의 흐름을 설명하는 흐름도이다.
도 18에 도시한 바와 같이, 촬상 유닛(15)에서는, 먼저, 노치 얼라인먼트 처리가 행해진다(스텝 S101). 노치 얼라인먼트 처리는, 웨이퍼 W의 노치 Wn의 위치를 미리 정해진 위치에 맞추는 처리이다.
구체적으로는, 먼저, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)이, 보유 지지대(201)를 사용하여 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하고, 액추에이터(202)를 사용하여 보유 지지대(201)를 회전시킴으로써, 보유 지지대(201)에 흡착 보유 지지된 웨이퍼 W를 회전시킨다. 계속해서, 노치 검출 서브 유닛(300)이, 발광 소자(320)로부터의 조사광을 수광 소자(330)에 의해 수광함으로써, 웨이퍼 W에 형성된 노치 Wn을 검출한다. 그리고, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)이, 액추에이터(202)를 사용하여 웨이퍼 W를 소정 각도 회전시킴으로써, 검출한 노치 Wn의 위치를 미리 정해진 위치에 맞춘다. 이와 같이 하여, 웨이퍼 W의 회전 위치가 조정된다.
이와 같이, 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지 서브 유닛(200) 및 웨이퍼 W에 형성된 노치 Wn을 검출하는 노치 검출 서브 유닛(300)은, 촬상 유닛(15)의 촬영 범위에 대한 웨이퍼 W의 회전 위치를 조정하는 조정 기구의 일례이다. 촬상 유닛(15)은 회전 보유 지지 서브 유닛(200)을 사용하여 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하여 회전시키면서, 노치 검출 서브 유닛(300)을 사용하여 노치 Wn을 검출하고, 노치 Wn의 검출 결과에 기초하여 웨이퍼 W의 회전 위치를 조정한다. 또한, 웨이퍼 W에 형성되는 절결부는, 노치 Wn에 한하지 않고, 예를 들어 오리엔테이션 플랫(소위 오리프라)이어도 된다.
또한, 여기서는, 촬상 유닛(15)이 조정 기구의 일례로서 회전 보유 지지 서브 유닛(200) 및 노치 검출 서브 유닛(300)을 구비하는 경우의 예를 나타냈지만, 조정 기구의 구성은 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 W의 회전 위치가 기지인 경우에는, 촬상 유닛(15)은 회전 보유 지지 서브 유닛(200)과, 보유 지지대(201)의 회전 위치를 검출하는 인코더를 조정 기구로서 구비하고 있어도 된다. 이러한 경우, 촬상 유닛(15)은 회전 보유 지지 서브 유닛(200)을 사용하여 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한 후, 보유 지지대(201)를 소정 각도 회전시킴으로써, 웨이퍼 W의 주위 방향에 있어서의 특정 위치로부터 촬상 처리가 개시되도록, 웨이퍼 W의 회전 위치를 조정할 수 있다.
계속해서, 촬상 유닛(15)에서는 촬상 처리가 행해진다(스텝 S102). 촬상 처리는, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd 및 단부면 Wc 그리고 하면 Wb의 주연 영역 We를 촬상하는 처리이다.
여기서, 촬상 처리의 흐름에 대하여 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 촬상 처리의 흐름을 나타내는 타이밍 차트이다. 또한, 여기에서는, 촬상 처리 개시 시에 있어서의 웨이퍼 W의 회전 위치를 0도로 규정한다.
도 19에 도시한 바와 같이, 촬상 처리가 개시되면, 먼저, 조명 모듈(420) 및 조명 모듈(520)의 광원(421, 522)이 점등된다(도 19의 t1 참조). 계속해서, 카메라(410) 및 카메라(510)가 온 상태로 되어, 촬상이 개시된다(도 19의 t2 참조).
계속해서, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)의 액추에이터(202)가 보유 지지대(201)를 회전시킴으로써, 보유 지지대(201)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 회전을 개시시킨다(도 19의 t3 참조). 이때의 웨이퍼 W의 회전 속도는, 노치 얼라인먼트 처리 시에 있어서의 웨이퍼 W의 회전 속도보다도 저속이다.
계속해서, 카메라(510)에 웨이퍼 W의 노치 Wn이 찍히는 타이밍에 카메라(510)에 의해 촬상된 화상의 화상 데이터의 도입을 개시한다(도 19의 t4 참조). 본 예에서는, 웨이퍼 W의 회전 위치가 75도로 된 타이밍에, 화상 데이터의 도입이 개시된다. 도입된 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
계속해서, 카메라(410)에 웨이퍼 W의 노치 Wn이 찍히는 타이밍에, 구체적으로는, 웨이퍼 W의 회전 위치가 90도로 된 타이밍에, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 화상 데이터의 도입을 개시한다(도 19의 t5 참조). 도입된 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 촬상 유닛(15)에서는, 미러 부재(430)의 존재에 따라 하프 미러(521)의 설치 장소가 제한되기 때문에, 웨이퍼 W의 동일한 회전 위치에 있어서의 주연 영역 Wd, We를 카메라(410) 및 카메라(510)에 의해 동시에 촬상하는 것은 곤란하다. 따라서, 카메라(410)와 카메라(510)에서 촬상 범위를 일치시키기 위해, 화상 데이터의 도입의 타이밍을 어긋나게 하고 있다(도 19의 t4, t5 참조). 그러나, 카메라(410)와 카메라(510)에 의해 동일한 회전 위치를 촬상하는 것이 가능한 경우에는, 반드시 카메라(410)와 카메라(510)에서 화상 데이터의 도입의 타이밍을 어긋나게 하는 것을 요하지는 않는다.
계속해서, 웨이퍼 W가 1회전하여 웨이퍼 W의 회전 위치가 다시 75도로 된 타이밍에, 카메라(510)의 화상 데이터의 도입을 수료한다(도 19의 t6 참조). 마찬가지로, 웨이퍼 W의 회전 위치가 다시 90도로 된 타이밍에, 카메라(410)의 화상 데이터의 도입을 수료한다(도 19의 t7 참조). 이에 의해, 웨이퍼 W의 전체 주위에 걸치는 주연 영역 Wd, We 및 단부면 Wc의 화상 데이터가 얻어진다.
계속해서, 웨이퍼 W의 회전 위치가 0도로 된 타이밍에 웨이퍼 W의 회전을 정지시킨다(도 19의 t8 참조). 이에 의해, 웨이퍼 W의 회전 위치를 촬상 처리 개시 시에 있어서의 회전 위치, 즉, 노치 얼라인먼트 처리에 의해 웨이퍼 W의 회전 위치가 조정된 상태로 되돌릴 수 있다. 그 후, 카메라(410, 510)를 오프 상태로 하고(도 19의 t9 참조), 조명 모듈(420) 및 조명 모듈(520)의 광원(421, 522)을 소등하여(도 19의 t10 참조), 촬상 처리를 종료한다.
이와 같이, 촬상 유닛(15)은 노치 얼라인먼트 처리에 있어서 웨이퍼 W의 회전 위치를 조정한 후, 회전 보유 지지 서브 유닛(200)을 사용하여 웨이퍼 W를 회전시키면서, 웨이퍼 W의 상면 주연부와 단부면과 하면 주연부를 웨이퍼 W의 전체 주위에 걸쳐 촬상한다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 상면 주연부, 단부면 및 하면 주연부의 웨이퍼 W 전체 주위에 걸치는 화상 데이터를 얻을 수 있다.
촬상 유닛(15)에 있어서 촬상 처리를 종료하면, 도 17에 도시한 바와 같이, 제2 반송 장치(17)가 촬상 유닛(15)으로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 하면 처리 유닛(19)으로 반송한다(스텝 S04).
계속해서, 하면 처리 유닛(19)이, 반입된 웨이퍼 W에 대하여 하면 제거 처리를 행한다. 구체적으로는, 하면 처리 유닛(19)에서는, 먼저, 기판 보유 지지 기구(92)의 보유 지지부(921)가 웨이퍼 W를 보유 지지하고, 구동부(923)가 보유 지지부(921)를 회전시킴으로써, 보유 지지부(921)에 보유 지지된 웨이퍼 W를 회전시킨다.
그 후, 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액이, 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼 W의 하면 Wb의 중앙부에 공급된다. 웨이퍼 W의 하면 Wb의 중앙부에 공급된 약액은, 웨이퍼 W의 회전에 수반하여 하면 Wb의 전체면으로 퍼진다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 하면 Wb의 전체면으로부터 막이 제거된다. 그 후, 하면 처리 유닛(19)은 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼 W의 회전을 정지시킨다.
하면 처리 유닛(19)이 하면 제거 처리를 종료하면, 제2 반송 장치(17)가 하면 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 촬상 유닛(15)으로 반송한다(스텝 S05). 촬상 유닛(15)에서는, 상술한 얼라인먼트 처리 및 촬상 처리가 다시 행해진다. 촬상 처리에 의해 얻어진 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
계속해서, 제2 반송 장치(17)가 촬상 유닛(15)으로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 기판 적재부(14)에 적재한다(스텝 S06). 그 후, 제1 반송 장치(13)가 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출한 웨이퍼 W를 카세트 C에 수용한다(스텝 S07). 이에 의해, 일련의 기판 처리가 수료된다.
<화상 취득부>
도 16으로 되돌아가, 제어부(51)의 설명을 계속한다. 화상 취득부(5102)는 촬상 유닛(15)으로부터 화상 데이터를 취득하고, 웨이퍼 W의 식별 번호나 촬상 일시 등과 관련지어 화상 데이터(5202)로서 기억부(52)에 기억시킨다.
<해석부>
해석부(5103)는 기억부(52)에 기억된 화상 데이터(5202)에 대하여 화상 해석을 행한다.
예를 들어, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 상면 주연부 및 단부면 Wc에 있어서의 막의 제거 정도를 판정한다. 이 판정은, 예를 들어 약액이 공급된 영역 Wd1과 공급되지 않은 영역 Wd2(도 14 참조)의 색의 차이(화소값의 차)에 기초하여 행해진다.
마찬가지로, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(510)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 하면 Wb의 주연 영역 We에 있어서의 막의 제거 정도를 판정한다.
또한, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 커트폭을 산출한다. 구체적으로는, 해석부(5103)는 웨이퍼 W의 전체 주위에 있어서의 각 위치의 커트폭을 각각 산출한다. 그리고, 해석부(5103)는 산출한 복수의 커트폭의 최댓값 Hmax 및 최솟값 Hmin(도 14 참조)의 평균값을 커트폭으로서 산출한다.
또한, 커트폭의 산출 방법은 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 해석부(5103)는 웨이퍼 W의 전체 주위에 있어서의 각 위치의 커트폭을 산출하고, 산출한 복수의 커트폭의 평균값을 커트폭으로서 산출해도 된다.
또한, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 편심량을 산출한다. 웨이퍼 W의 편심량이란, 웨이퍼 W의 중심과 기판 보유 지지 기구(82)의 회전 중심의 어긋남양이다. 예를 들어, 웨이퍼 W의 중심 위치가 기판 보유 지지 기구(82)의 회전 중심에 대하여 어긋나 있는 경우, 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd에는, 커트폭의 불균일이 발생하게 된다. 이 커트폭의 불균일은, 도 14에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 W의 주위 방향에 대하여 정현파 형상으로 나타난다. 따라서, 해석부(5103)는, 이러한 정현파의 진폭에 기초하여 웨이퍼 W의 편심량을 산출할 수 있다.
또한, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd 및 단부면 Wc의 결함을 검출한다. 웨이퍼 W에 결함이 있는 경우, 결함 부분은 주위와 상이한 색을 나타낸다. 따라서, 해석부(5103)는, 예를 들어 인접하는 화소와의 화소값의 차가 역치 이상인 화소의 영역을 결함 부분으로서 검출할 수 있다.
마찬가지로, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(510)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 하면 Wb의 주연 영역 We의 결함을 검출한다.
또한, 해석부(5103)는 검출한 결함 부분의 형상으로부터 결함의 종류를 특정하는 것도 가능하다. 결함의 종류로서는, 스크래치나 절결 등이 있다.
또한, 해석부(5103)는 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼 W의 휨양을 산출한다. 예를 들어, 해석부(5103)는 웨이퍼 W의 단부면 Wc의 형상으로부터 웨이퍼 W의 휨양을 산출할 수 있다.
해석부(5103)는 이들 해석 결과를 해석 데이터(5203)로서 기억부(52)에 기억시킨다.
<피드백부>
피드백부(5104)는 기억부(52)에 기억된 해석 데이터(5203)에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 주연부 처리에 있어서 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 웨이퍼 W의 상면 주연부 및 하면 주연부에 대한 약액의 토출 시간을 보정한다.
예를 들어, 피드백부(5104)는 웨이퍼 W의 상면 주연부 및 단부면 Wc에 있어서의 막의 제거 정도에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 주연부 제거 처리 시에 있어서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터의 약액의 토출 시간을 길게 한다. 이에 의해, 이후에 처리되는 웨이퍼 W에 대한 약액의 토출 시간을 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는 웨이퍼 W의 하면 Wb에 있어서의 막의 제거 정도에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 하면 제거 처리 시에 있어서의 공급부(93)로부터의 약액의 토출 시간을 길게 한다. 이에 의해, 이후에 처리되는 웨이퍼 W에 대한 약액의 토출 시간을 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는 해석 데이터(5203) 중 커트폭의 정보에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 주연부 제거 처리 시에 있어서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치를 조정한다. 예를 들어, 해석 데이터(5203)에 포함되는 커트폭(최댓값 Hmax와 최솟값 Hmin의 평균값)이 기정의 커트폭보다도 큰 경우에는, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 토출되는 약액이 웨이퍼 W의 보다 외주측에 공급되도록 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치를 보정한다. 바꿔 말하면, 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)에 의한 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 이동량을 변경함으로써 주연부 처리에 있어서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 처리 위치를 보정한다. 이에 의해, 이후에 처리되는 웨이퍼 W에 대한 약액의 토출 위치를 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는 해석 데이터(5203) 중 커트폭의 정보에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 주연부 처리 유닛(18)의 기판 보유 지지 기구(82)에 대한 웨이퍼 W의 수평 위치를 보정한다.
예를 들어, 피드백부(5104)는 0도의 회전 위치에 있어서의 커트폭과 180도의 회전 위치에 있어서의 커트폭의 차가 작아지도록, 또한, 90도의 회전 위치에 있어서의 커트폭과 270도의 회전 위치에 있어서의 커트폭의 차가 작아지도록, 기판 보유 지지 기구(82)에 대하여 흡착 보유 지지시키는 웨이퍼 W의 위치를 보정한다. 이에 의해, 제2 반송 장치(17)에 의한 기판 보유 지지 기구(82)에 웨이퍼 W를 적재하는 동작이 보정되어, 이후에 처리되는 웨이퍼 W의 편심이 억제된다.
또한, 여기에서는, 제2 반송 장치(17)의 동작을 보정함으로써, 웨이퍼 W의 편심을 억제하는 것으로 하였지만, 보정하는 대상은 제2 반송 장치(17)의 동작에 한정되지 않는다. 예를 들어, 주연부 처리 유닛(18)이 웨이퍼 W의 수평 위치를 조정하는 조정 기구를 구비하는 경우, 이러한 조정 기구의 동작을 보정함으로써, 기판 보유 지지 기구(82)에 대하여 흡착 보유 지지시키는 웨이퍼 W의 위치를 보정하는 것이 가능하다.
<표시 제어부>
표시 제어부(5105)는 예를 들어 사용자에 의한 조작부(6)에 대한 조작에 따라서, 기억부(52)로부터 화상 데이터(5202)를 취출하여 표시부(7)에 표시시킨다. 이에 의해, 사용자는, 웨이퍼 W의 상면 Wa 및 하면 Wb의 주연 영역 Wd, We 및 단부면 Wc의 상태를 확인할 수 있다. 또한, 표시 제어부(5105)는 예를 들어 사용자에 의한 조작부(6)에 대한 조작에 따라서, 기억부(52)로부터 해석 데이터(5203)를 취출하여 표시부(7)에 표시시킨다. 이에 의해, 사용자는, 해석부(5103)에 의한 해석 결과를 확인할 수 있다.
또한, 조작부(6)는 예를 들어 키보드나 터치 패널이며, 표시부(7)는 예를 들어 액정 디스플레이이다. 조작부(6) 및 표시부(7)는 기판 처리 시스템(1)에 설치되어 있어도 되고, 기판 처리 시스템(1)으로부터 이격된 장소에 설치되어 있어도 된다.
<전송부>
전송부(5106)는 기억부(52)에 기억된 화상 데이터(5202) 및 해석 데이터(5203)를 예를 들어 LAN(Local Area Network) 등의 네트워크를 통해 외부 장치(8)에 송신한다. 또한, 전송부(5106)는 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)가 기억부(52)에 기억될 때마다, 새롭게 기억된 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)를 외부 장치(8)에 송신해도 된다. 또한, 전송부(5106)는 예를 들어 사용자에 의한 조작부(6)에 대한 조작에 의해 선택된 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)를 외부 장치(8)에 송신해도 된다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치의 일례)은 반출입 스테이션(2)과, 전달 스테이션(3)과, 처리 스테이션(4)과, 촬상 유닛(15)을 구비한다. 반출입 스테이션(2)은 카세트 C로부터 웨이퍼 W(기판의 일례)를 취출하여 반송하는 제1 반송 장치(13)를 갖는다. 전달 스테이션(3)은 반출입 스테이션(2)에 인접하여 배치되며, 제1 반송 장치(13)에 의해 반송된 웨이퍼 W가 적재되는 기판 적재부(14)를 갖는다. 처리 스테이션(4)은 전달 스테이션(3)에 인접하여 배치되며, 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼 W를 취출하여 반송하는 제2 반송 장치(17)와, 제2 반송 장치(17)에 의해 반송된 웨이퍼 W를 처리하는 복수의 주연부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19)(처리 유닛의 일례)을 갖는다. 촬상 유닛(15)은 전달 스테이션(3)에 배치되며, 웨이퍼 W의 상면 Wa 및 하면 Wb 중 한쪽 면의 주연부 및 웨이퍼 W의 단부면 Wc를 촬상한다.
또한, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치의 일례)은, 카세트 적재부(11)와, 주연부 처리 유닛(18)(처리 유닛의 일례)과, 반송부(12), 전달 스테이션(3) 및 반송부(16)(반송 영역의 일례)와, 촬상 유닛을 구비한다. 카세트 적재부(11)는 복수의 웨이퍼 W(기판의 일례)를 수용하는 카세트 C가 적재된다. 주연부 처리 유닛(18)은 카세트 C로부터 취출된 웨이퍼 W의 주연부를 세정 또는 에칭한다. 반송부(12), 전달 스테이션(3) 및 반송부(16)는 카세트 적재부(11)와 주연부 처리 유닛(18) 사이에 설치되며, 웨이퍼 W가 반송된다. 촬상 유닛(15)은 전달 스테이션(3)에 설치되며, 주연부 처리 유닛(18)에 의해 처리된 웨이퍼 W의 상면 Wa 및 하면 Wb 중 한쪽 면의 주연부 및 웨이퍼 W의 단부면 Wc를 촬상한다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템(1)에 따르면, 장치의 대형화를 억제하면서, 웨이퍼 W의 주연부의 상태를 확인할 수 있다.
<변형예>
상술한 실시 형태에서는, 주연부 처리 유닛(18)에 의한 주연부 제거 처리 후와, 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리 후에, 각각 촬상 유닛(15)에 의한 촬상 처리를 행하는 것으로 하였지만, 촬상 처리를 행하는 타이밍은, 상기의 예에 한정되지 않는다.
이하에서는, 촬상 처리를 행하는 타이밍의 변형예에 대하여 도 20 내지 도 22를 참조하여 설명한다. 도 20은 제1 변형예에 관한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 흐름을 도시하는 도면이고, 도 21은 제2 변형예에 관한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 흐름을 도시하는 도면이며, 도 22는 제3 변형예에 관한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 W의 흐름을 도시하는 도면이다.
또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 마찬가지의 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
예를 들어, 도 20에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 주연부 제거 처리 후의 촬상 처리를 행하지 않고, 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리를 종료한 후에, 촬상 처리를 행하는 것으로 해도 된다. 이에 의해, 주연부 제거 처리 및 하면 제거 처리 후의 웨이퍼 W의 상태를 한 번의 촬상 처리에 의해 확인하는 것이 가능하다.
또한, 도 21에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리 후뿐만 아니라, 주연부 처리 유닛(18)에 의한 주연부 제거 처리 전에 촬상 유닛(15)에 의한 촬상 처리를 행해도 된다.
이 경우, 해석부(5103)는 주연부 제거 처리의 전후의 화상 데이터(5202)의 차분에 기초하여, 웨이퍼 W의 결함을 보다 고정밀도로 검출할 수 있다. 예를 들어, 해석부(5103)는 하면 제거 처리 후의 화상 데이터(5202)에 기초하여 결함을 검출한 경우에, 검출된 결함 부분과, 주연부 제거 처리 전의 화상 데이터(5202)에 있어서의 상기 결함이 검출된 부분과 동일한 부분을 비교한다. 그리고, 양자에 변화가 없는 경우, 해석부(5103)는 당해 부분을 결함이 있는 부분으로서 검출한다.
또한, 도 22에 도시한 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 주연부 처리 유닛(18)에 의한 주연부 제거 처리 및 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리를 행하지 않고 촬상 처리만을 행해도 된다. 즉, 기판 처리 시스템(1)에서는, 다른 장치에 있어서 주연부나 하면이 처리된 웨이퍼 W를 촬상 유닛(15)에 반입하고, 이러한 웨이퍼 W에 대하여 촬상 처리를 행한 후, 카세트 C로 되돌리는 것으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 제1 촬상 서브 유닛(400)을 사용하여 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd 및 단부면 Wc를 촬상하고, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 사용하여 웨이퍼 W의 하면 Wb의 주연 영역 We를 촬상하는 것으로 하였다. 그러나, 이에 한하지 않고, 제1 촬상 서브 유닛(400) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)의 배치를 상하 반전시킴으로써, 제1 촬상 서브 유닛(400)을 사용하여 웨이퍼 W의 하면 Wb의 주연 영역 We 및 단부면 Wc를 촬상하고, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 사용하여 웨이퍼 W의 상면 Wa의 주연 영역 Wd를 촬상해도 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 전달 스테이션(3)에 촬상 유닛(15)을 배치하는 것으로 하였지만, 전달 스테이션(3) 이외의 반송 영역, 예를 들어 반송부(12)나 반송부(16)에 촬상 유닛(15)을 배치해도 된다.
또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 특허 청구 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
C : 카세트
W : 웨이퍼
Wa : 웨이퍼의 상면
Wb : 웨이퍼의 하면
Wc : 웨이퍼의 단부면
Wd : 웨이퍼의 상면의 주연 영역
We : 웨이퍼의 하면의 주연 영역
14 : 기판 적재부
15 : 촬상 유닛
17 : 제2 반송 장치
18 : 주연부 처리 유닛
19 : 하면 처리 유닛
200 : 회전 보유 지지 서브 유닛
300 : 노치 검출 서브 유닛
400 : 제1 촬상 서브 유닛
410 : 카메라
420 : 조명 모듈
430 : 미러 부재
500 : 제2 촬상 서브 유닛
510 : 카메라
520 : 조명 모듈

Claims (11)

  1. 복수의 기판을 수용하는 카세트가 적재되는 카세트 적재부와,
    상기 카세트로부터 취출된 상기 기판의 주연부를 세정 또는 에칭하는 처리 유닛으로서, 상기 기판의 주연부 및 단부면을 포함하는 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 주연부 처리 유닛과, 상기 기판의 하면의 막을 에칭 제거하는 하면 처리 유닛을 포함하는 처리 유닛과,
    상기 카세트 적재부와 상기 처리 유닛 사이에 설치되며, 상기 기판이 반송되는 반송 영역으로서, 상기 카세트로부터 취출된 상기 기판이 적재되는 기판 적재부를 갖는 전달 스테이션을 포함하는 반송 영역과,
    상기 반송 영역에 있어서 상기 기판 적재부와 높이 방향으로 겹쳐서 배치되어, 상기 처리 유닛에 의해 처리된 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽 면의 주연부 및 해당 기판의 단부면을 촬상하는 촬상 유닛과,
    상기 전달 스테이션에 인접하여 배치되어, 상기 기판 적재부, 상기 주연부 처리 유닛, 상기 하면 처리 유닛 및 상기 촬상 유닛 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 장치와,
    상기 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 상기 기판의 주연부 및 단부면에 있어서의 막의 제거 정도의 판정, 상기 기판의 상면 주연부에 있어서의 막의 제거 폭의 산출, 상기 기판의 편심량의 산출, 상기 기판의 주연부 및 단부면의 결함 검출, 및 상기 기판의 휨양 산출을 행하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 주연부 처리 유닛을 제어하고, 상기 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 처리와,
    상기 반송 장치를 제어하고, 상기 주연부 처리 유닛으로부터 상기 기판을 취출하고, 취출한 상기 기판을 상기 촬상 유닛으로 반송하는 처리와,
    상기 촬상 유닛을 제어하고, 상기 기판의 상면 주연부 및 해당 기판의 단부면을 촬상하는 처리와,
    상기 반송 장치를 제어하고, 상기 촬상 유닛으로부터 상기 기판을 취출하고, 취출한 상기 기판을 상기 하면 처리 유닛으로 반송하는 처리와,
    상기 하면 처리 유닛을 제어하고, 상기 기판의 하면의 막을 에칭 제거하는 처리와,
    상기 반송 장치를 제어하고, 상기 하면 처리 유닛으로부터 상기 기판을 취출하고, 취출한 상기 기판을 상기 촬상 유닛으로 반송하는 처리와,
    상기 촬상 유닛을 제어하고, 상기 기판의 하면 주연부를 촬상하는 처리를 순차로 실행하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주연부 처리 유닛은, 상기 에칭 제거 처리 후에 상기 기판의 상면 주연부 및 단부면을 세정하고,
    상기 촬상 유닛은,
    상기 주연부 처리 유닛에 의해 에칭 및 세정된 상기 기판의 상면 주연부 및 단부면을 촬상하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 하면 처리 유닛은, 상기 에칭 제거 처리 후에 상기 기판의 하면의 전체면을 세정하고,
    상기 촬상 유닛은,
    상기 하면 처리 유닛에 의해 에칭 및 세정된 상기 기판의 하면 주연부를 촬상하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 주연부 처리 유닛은,
    상기 기판의 상면 주연부에 대하여 약액을 공급하는 노즐과,
    상기 노즐을 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 주연부 처리에 있어서, 상기 이동 기구를 사용하여 상기 노즐을 처리 위치로 이동시킨 후, 상기 노즐로부터 상기 기판의 상면 주연부에 대하여 상기 약액을 공급함으로써 상기 기판의 상면 주연부의 막을 제거하고,
    상기 제어부는,
    산출한 상기 제거 폭에 기초하여, 상기 이동 기구에 의한 상기 노즐의 이동량을 변경함으로써 상기 주연부 처리에 있어서의 상기 처리 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 주연부 처리 유닛은,
    상기 기판의 상면 주연부에 대하여 약액을 공급하는 노즐과,
    상기 노즐을 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 주연부 처리에 있어서, 상기 이동 기구를 사용하여 상기 노즐을 처리 위치로 이동시킨 후, 상기 노즐로부터 상기 기판의 상면 주연부에 대하여 상기 약액을 공급함으로써 상기 기판의 상면 주연부의 막을 제거하고,
    상기 제어부는,
    판정된 상기 기판의 상면 주연부에 있어서의 막의 제거 정도에 기초하여, 상기 주연부 처리에 있어서 상기 노즐로부터 상기 기판의 상면 주연부에 대한 상기 약액의 토출 시간을 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    산출한 상기 기판의 편심량에 기초하여, 상기 주연부 처리에 있어서의 상기 기판의 수평 위치를 보정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 기판의 주연부 및 단부면의 결함 검출은, 상기 주연부 처리 전에, 상기 촬상 유닛에 대하여 상기 촬상 처리를 실행시키고, 상기 주연부 처리 전의 상기 촬상 처리에 의해 촬상된 화상과, 상기 하면 처리 후의 상기 촬상 처리에 있어서 촬상된 화상의 차분에 기초하여 행해지는 것인, 기판 처리 장치.
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