KR102568076B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102568076B1
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사토시 모리타
료지 이케베
야스아키 노다
노리히사 고가
게이스케 하마모토
마사토 호사카
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 둘레 가장자리부의 상태를 확인하는 것을 과제로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 반입출 스테이션과, 전달 스테이션과, 처리 스테이션과, 촬상 유닛을 구비한다. 반입출 스테이션은, 카세트로부터 기판을 추출하여 반송하는 제1 반송 장치를 갖는다. 전달 스테이션은, 반입출 스테이션에 인접하여 배치되고, 제1 반송 장치에 의해서 반송된 기판이 적재되는 기판 적재부를 갖는다. 처리 스테이션은, 전달 스테이션에 인접하여 배치되고, 기판 적재부로부터 기판을 추출하여 반송하는 제2 반송 장치와, 제2 반송 장치에 의해서 반송된 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛을 갖는다. 촬상 유닛은, 전달 스테이션에 배치되고, 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 기판의 단부면을 촬상한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시의 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 기판의 둘레 가장자리부에 약액을 공급함으로써, 기판의 둘레 가장자리부로부터 막을 제거하는 처리(이하, 「둘레 가장자리부 제거 처리」라고 기재함)를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이 종류의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판의 둘레 가장자리부의 막이 적절하게 제거되었는지 아닌지를 확인하기 위해서, 둘레 가장자리부 제거 처리가 행해지는 챔버의 내부에, 기판의 둘레 가장자리부를 촬상하기 위한 카메라가 설치되는 경우가 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 기판의 둘레 가장자리부를 촬상하기 위한 촬상부를 챔버에 대하여 고정적으로 설치하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 챔버로의 부착 및 제거가 가능한 측정 지그에 대하여 상기 카메라를 설치하는 것도 기재되어 있다.
일본 특허 공개 공보 제2016-100565호
그러나, 챔버 내에 촬상부를 설치하면 장치가 대형화될 우려가 있다.
실시형태의 일 양태는, 장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 둘레 가장자리부의 상태를 확인할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 반입출 스테이션과, 전달 스테이션과, 처리 스테이션과, 촬상 유닛을 구비한다. 반입출 스테이션은, 카세트로부터 기판을 추출하여 반송하는 제1 반송 장치를 갖는다. 전달 스테이션은, 반입출 스테이션에 인접하여 배치되고, 제1 반송 장치에 의해서 반송된 기판이 적재되는 기판 적재부를 갖는다. 처리 스테이션은, 전달 스테이션에 인접하여 배치되고, 기판 적재부로부터 기판을 추출하여 반송하는 제2 반송 장치와, 제2 반송 장치에 의해서 반송된 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛을 갖는다. 촬상 유닛은, 전달 스테이션에 배치되고, 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 기판의 단부면을 촬상한다.
실시형태의 일 양태에 따르면, 장치의 대형화를 억제하면서, 기판의 둘레 가장자리부의 상태를 확인할 수 있다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다.
도 2는, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다.
도 3은, 둘레 가장자리부 처리 유닛의 모식도이다.
도 4는, 하면 처리 유닛의 모식도이다.
도 5는, 기판 적재부 및 촬상 유닛을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 6은, 촬상 유닛을 위쪽으로부터 본 모식도이다.
도 7은, 촬상 유닛을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 8은, 제1 촬상 서브 유닛 및 제2 촬상 서브 유닛을 경사 위쪽으로부터 본 모식도이다.
도 9는, 제1 촬상 서브 유닛 및 제2 촬상 서브 유닛을 경사 위쪽으로부터 본 모식도이다.
도 10은, 제1 촬상 서브 유닛을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 11은, 조명 모듈 및 미러 부재를 측방으로부터 본 모식도이다.
도 12는, 조명 모듈로부터의 광이 미러 부재에 있어서 반사하는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 13은, 웨이퍼로부터의 광이 미러 부재에 있어서 반사하는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 14는, 제1 촬상 서브 유닛에 의해서 촬상된 촬상 화상의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 15는, 제2 촬상 서브 유닛을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 16은, 제어 장치의 구성의 일례를 나타내는 블럭도이다.
도 17은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 18은, 촬상 유닛에 있어서 실행되는 일련의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 19는, 촬상 처리의 흐름을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 20은, 제1 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 21은, 제2 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 22는, 제3 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 흐름을 나타내는 도면이다.
<기판 처리 시스템의 구성>
우선, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 관해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 평면도이다. 또한, 도 2는, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식 측면도이다. 또, 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 플러스 방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 전달 스테이션(3)과, 처리 스테이션(4)을 구비한다. 이들은, 반입출 스테이션(2), 전달 스테이션(3) 및 처리 스테이션(4)의 순서로 나란하여 배치된다.
이러한 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)으로부터 반입된 기판, 본 실시형태에서는 반도체웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 전달 스테이션(3) 경유로 처리 스테이션(4)으로 반송하고, 처리 스테이션(4)에 있어서 처리한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 처리 후의 웨이퍼(W)를 처리 스테이션(4)으로부터 전달 스테이션(3) 경유로 반입출 스테이션(2)으로 되돌리고, 반입출 스테이션(2)으로부터 외부로 인출한다.
반입출 스테이션(2)은, 카세트 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 카세트 적재부(11)에는, 복수장의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 적재된다.
반송부(12)는, 카세트 적재부(11)와 전달 스테이션(3)과의 사이에 배치되고, 내부에 제1 반송 장치(13)를 갖는다. 제1 반송 장치(13)는, 1장의 웨이퍼(W)를 유지하는 복수(여기서는, 5개)의 웨이퍼 유지부를 구비한다. 제1 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 복수의 웨이퍼 유지부를 이용하여, 카세트(C)와 전달 스테이션(3)과의 사이에서 복수매의 웨이퍼(W)를 동시에 반송할 수 있다.
다음에, 전달 스테이션(3)에 관해서 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 전달 스테이션(3)의 내부에는, 복수의 기판 적재부(SBU)(14)와, 복수의 촬상 유닛(CAM)(15)이 배치된다. 구체적으로는, 후술하는 처리 스테이션(4)은, 상단의 제1 처리 스테이션(4U)과 하단의 제2 처리 스테이션(4L)을 갖고 있고, 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)은, 제1 처리 스테이션(4U)에 대응하는 위치 및 제2 처리 스테이션(4L)에 대응하는 위치에 각각 하나씩 배치된다. 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)의 구성에 관해서는, 후술한다.
다음에, 처리 스테이션(4)에 관해서 설명한다. 처리 스테이션(4)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 처리 스테이션(4U)과, 제2 처리 스테이션(4L)을 구비한다. 제1 처리 스테이션(4U)과 제2 처리 스테이션(4L)은, 격벽이나 셔터 등에 의해서 공간적으로 구획되고 있고, 높이 방향으로 나란하여 배치된다.
제1 처리 스테이션(4U) 및 제2 처리 스테이션(4L)은, 동일한 구성을 갖고 있고, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송부(16)와, 제2 반송 장치(17)와, 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(CH1)(18)과, 복수의 하면 처리 유닛(CH2)(19)을 구비한다.
제2 반송 장치(17)는, 반송부(16)의 내부에 배치되고, 기판 적재부(14), 촬상 유닛(15), 둘레 가장자리부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19) 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
제2 반송 장치(17)는, 1장의 웨이퍼(W)를 유지하는 하나의 웨이퍼 유지부를 구비한다. 제2 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지부를 이용하여 1장의 웨이퍼(W)를 반송한다.
복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19)은, 반송부(16)에 인접하여 배치된다. 일례로서, 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 반송부(16)의 Y축 플러스 방향측에 있어서 X축 방향을 따라서 나란하여 배치되고, 복수의 하면 처리 유닛(19)은, 반송부(16)의 Y축 마이너스 방향측에 있어서 X축 방향을 따라서 나란하여 배치된다.
둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시형태에 있어서, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 웨이퍼(W)의 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 베벨 제거 처리(둘레 가장자리부 처리의 일례)를 행한다. 베벨부란, 웨이퍼(W)의 단부면 및 그 주변에 형성된 경사부를 말한다. 상기 경사부는, 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부 및 하면 둘레 가장자리부에 각각 형성된다.
둘레 가장자리부 처리 유닛(18)의 구성예에 관해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)의 모식도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 챔버(81)와, 기판 유지 기구(82)와, 공급부(83)와, 회수컵(84)을 구비한다.
챔버(81)는, 기판 유지 기구(82), 공급부(83) 및 회수컵(84)을 수용한다. 챔버(81)의 천장부에는, 챔버(81) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(811)가 설치된다.
기판 유지 기구(82)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 유지부(821)와, 수직 방향으로 연장하여 유지부(821)를 지지하는 지주 부재(822)와, 지주 부재(822)를 수직축 둘레로 회전시키는 구동부(823)를 구비한다.
유지부(821)는, 진공 펌프 등의 흡기 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 이러한 흡기 장치의 흡기에 의해서 발생하는 마이너스압을 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 흡착함으로써 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 유지부(821)로서는, 예를 들면 다공성 척이나 정전 척 등을 이용할 수 있다.
유지부(821)는, 웨이퍼(W)보다도 소직경의 흡착 영역을 갖는다. 이에 따라, 후술하는 공급부(83)의 하측 노즐(832)로부터 토출되는 약액을 웨이퍼(W)의 하면 둘레 가장자리부에 공급할 수 있다.
공급부(83)는, 상측 노즐(831)과 하측 노즐(832)을 구비한다. 상측 노즐(831)은, 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 위쪽에 배치되고, 하측 노즐(832)은, 동일 웨이퍼(W)의 아래쪽에 배치된다.
상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)에는, 밸브(71) 및 유량 조정기(72)를 개재하여 약액 공급원(73)이 접속된다. 상측 노즐(831)은, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 플루오르화수소산(HF)이나 질산(HNO3) 등의 약액을 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부에 토출한다. 또한, 하측 노즐(832)은, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액을 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 하면 둘레 가장자리부에 토출한다.
또한, 공급부(83)는, 상측 노즐(831)을 이동시키는 제1 이동 기구(833)와, 하측 노즐(832)을 이동시키는 제2 이동 기구(834)를 구비한다. 이들 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)를 이용하여 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)에 대한 약액의 공급 위치를 변경할 수 있다.
회수컵(84)은, 기판 유지 기구(82)를 둘러싸도록 배치된다. 회수컵(84)의 바닥부에는, 공급부(83)로부터 공급되는 약액을 챔버(81)의 외부로 배출하기 위한 배액구(841)와, 챔버(81) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(842)가 형성된다.
둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 하면을 유지부(821)에서 흡착 유지한 후, 구동부(823)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 상측 노즐(831)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부를 향해서 약액을 토출함과 함께, 하측 노즐(832)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면 둘레 가장자리부를 향해서 약액을 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 베벨부에 부착된 막이 제거된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 베벨부에 부착된 파티클 등의 오물도 막과 함께 제거된다.
또, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 상기의 둘레 가장자리부 제거 처리를 행한 후, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 베벨부에 잔존하는 약액을 씻어 버리는 린스 처리를 행해도 좋다. 또한, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 린스 처리 후, 웨이퍼(W)를 회전시키는 것에 따라 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리를 행해도 좋다.
또한, 여기서는, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)이, 둘레 가장자리부 처리의 일례로서, 웨이퍼(W)의 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 베벨 제거 처리를 행하는 것으로 하지만, 둘레 가장자리부 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리일 필요는 없다. 예를 들면, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 웨이퍼(W)의 베벨부를 세정하는 둘레 가장자리부 세정 처리를 둘레 가장자리부 처리로서 행해도 좋다.
하면 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 소정의 처리를 행한다. 본 실시형태에 있어서, 하면 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막을 에칭 제거하는 하면 제거 처리(하면 처리의 일례)를 행한다.
여기서, 하면 처리 유닛(19)의 구성예에 관해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는, 하면 처리 유닛(19)의 모식도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 하면 처리 유닛(19)은, 챔버(91)와, 기판 유지 기구(92)와, 공급부(93)와, 회수컵(94)을 구비한다.
챔버(91)는, 기판 유지 기구(92), 공급부(93) 및 회수컵(94)을 수용한다. 챔버(91)의 천장부에는, 챔버(91) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(911)가 설치된다.
기판 유지 기구(92)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 유지부(921)와, 수직 방향으로 연장하여 유지부(921)를 지지하는 지주 부재(922)와, 지주 부재(922)를 수직축 둘레로 회전시키는 구동부(923)를 구비한다. 유지부(921)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 파지하는 복수의 파지부(921a)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)는 이러한 파지부(921a)에 의해서 유지부(921)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평으로 유지된다.
공급부(93)는, 유지부(921) 및 지주 부재(922)의 중공부에 삽입 관통된다. 공급부(93)의 내부에는 수직 방향으로 연장하는 유로가 형성되어 있다. 유로에는, 밸브(74) 및 유량 조정기(75)를 개재하여 약액 공급원(76)이 접속된다. 공급부(93)는, 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액을 웨이퍼(W)의 하면으로 공급한다.
회수컵(94)은, 기판 유지 기구(92)를 둘러싸도록 배치된다. 회수컵(94)의 바닥부에는, 공급부(93)로부터 공급되는 약액을 챔버(91)의 외부로 배출하기 위한 배액구(941)와, 챔버(91) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(942)가 형성된다.
하면 처리 유닛(19)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 유지부(921)의 복수의 파지부(921a)에서 유지한 후, 구동부(923)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 하면 처리 유닛(19)은, 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면 중심부를 향해서 약액을 토출한다. 웨이퍼(W)의 하면 중심부에 공급된 약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로 넓어진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막이 제거된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 하면에 부착된 파티클 등의 오물도 막과 함께 제거된다.
또, 하면 처리 유닛(19)은, 상기의 하면 제거 처리를 행한 후, 공급부(93)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 하면에 잔존하는 약액을 씻어 버리는 린스 처리를 행해도 좋다. 또한, 하면 처리 유닛(19)은, 린스 처리 후, 웨이퍼(W)를 회전시키는 것에 따라 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리를 행해도 좋다.
또한, 여기서는, 하면 처리 유닛(19)이, 하면 처리의 일례로서, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막을 제거하는 하면 제거 처리를 행하는 것으로 하지만, 하면 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리일 필요는 없다. 예를 들면, 하면 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 하면의 전면을 세정하는 하면 세정 처리를 하면 처리로서 행해도 좋다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(5)를 구비한다. 제어 장치(5)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(51)와 기억부(52)를 구비한다. 기억부(52)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(51)는, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(52)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(5)의 기억부(52)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또, 제어부(51)는, 프로그램을 이용하지 않고서 하드웨어만으로 구성되어도 좋다.
그런데, 둘레 가장자리부 제거 처리에 있어서는, 막의 제거폭(웨이퍼(W)의 외주 가장자리를 일단으로 하는 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따른 폭, 이하「컷트폭」이라고 기재함)이 규정된다. 그러나, 예를 들면 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치가 적절하지 않은 경우, 규정된 컷트폭에 대하여 실제의 컷트폭이 어긋날 우려가 있다. 또한, 기판 유지 기구(82)의 회전 중심에 대하여 웨이퍼(W) 의 중심이 어긋나고 있는 경우에는, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서 컷트폭에 불균일이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 둘레 가장자리부 제거 처리 후의 웨이퍼(W)를 카메라로 촬상하고, 얻어진 화상에 기초하여, 둘레 가장자리부 제거 처리가 적절하게 실시되었는지 아닌지를 확인하는 작업이 행해지는 경우가 있다.
종래, 둘레 가장자리부 제거 처리 후의 웨이퍼를 촬상하는 카메라는, 각 둘레 가장자리부 처리 유닛의 챔버 내에 설치되어 있었다. 그러나, 각 둘레 가장자리부 처리 유닛의 챔버 내에 카메라를 설치하는 것으로 하면, 기판 처리 시스템이 대형화될 우려가 있다. 또한, 카메라에 약액 등이 부착함으로써, 적절한 촬상을 행하는 것이 곤란해질 우려도 있다.
또한, 종래, 둘레 가장자리부 제거 처리를 행한 후, 카메라를 탑재한 측정 지그를 둘레 가장자리부 처리 유닛에 부착하여 둘레 가장자리부 제거 처리 후의 웨이퍼를 촬상하는 것도 제안되어 있다. 그러나, 측정 지그의 부착 및 제거에는 시간이 걸린다. 또한, 둘레 가장자리부 처리 유닛 사이의 개체차에 기인하는 측정 정밀도의 저하가 생길 우려도 있다.
따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 둘레 가장자리부 제거 처리 후의 웨이퍼(W)의 베벨부를 촬상하는 촬상 유닛(15)을 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)의 외부에, 그리고, 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 공통으로 하나 설치하는 것으로 했다. 구체적으로는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서는, 제1 처리 스테이션(4U)에 배치되는 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 대응하는 하나의 촬상 유닛(15)과, 제2 처리 스테이션(4L)에 배치되는 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 대응하는 하나의 촬상 유닛(15)이 전달 스테이션(3)에 설치된다(도 2 참조).
<촬상 유닛의 구성>
이하, 본 실시형태에 따른 촬상 유닛(15)의 구성에 관해서 도 5∼도 13을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 5는, 기판 적재부(14) 및 촬상 유닛(15)을 측방으로부터 본 모식도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 촬상 유닛(15)은, 기판 적재부(14)의 아래쪽에 있어서 기판 적재부(14)에 인접하여 설치된다.
이와 같이, 기판 적재부(14)와 촬상 유닛(15)을 높이 방향으로 거듭 배치함으로써, 기판 처리 시스템(1)의 풋 프린트의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 기판 적재부(14)의 아래쪽에 촬상 유닛(15)을 배치함으로써, 만일 촬상 유닛(15)으로부터 먼지 등이 낙하한 경우라도, 낙하한 먼지 등이 기판 적재부(14)에 적재된 웨이퍼(W)에 부착하는 것을 억제할 수 있다.
또, 촬상 유닛(15)은, 반드시 기판 적재부(14)의 아래쪽에 배치되는 것을 필요로 하지 않고, 기판 적재부(14)의 위쪽에 배치되어도 좋다.
도 6은, 촬상 유닛(15)을 위쪽으로부터 본 모식도이며, 도 7은 촬상 유닛(15)을 측방으로부터 본 모식도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 촬상 유닛(15)은, 베이스 플레이트(100)와, 회전 유지 서브 유닛(200)(회전 유지부의 일례)과, 노치 검출 서브 유닛(300)(검출부의 일례)과, 제1 촬상 서브 유닛(400)과, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 구비한다.
본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제1 반송 장치(13) 및 제2 반송 장치(17) 중, 제2 반송 장치(17)만이 촬상 유닛(15)에 대하여 액세스하도록 구성된다. 구체적으로는, 촬상 유닛(15)은, 반송부(16)로 향해서 개구하는 개구부(110)를 갖고, 제2 반송 장치(17)는, 이러한 개구부(110)를 개재하여 촬상 유닛(15)에 대한 웨이퍼(W)의 반입출을 행한다. 또한, 후술하는 제1 촬상 서브 유닛(400)의 카메라(410), 조명 모듈(420) 및 미러 부재(430) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)의 카메라(510) 및 조명 모듈(520)은, 제2 반송 장치(17)에 의한 웨이퍼(W)의 반입출의 방해가 되지 않도록, 유지대(201)보다도 개구부(110)로부터 먼 위치에 배치된다.
베이스 플레이트(100)는, 예를 들면 판형상의 부재이며, 각 서브 유닛(200∼500)은, 베이스 플레이트(100)상에 설치된다.
회전 유지 서브 유닛(200)은, 유지대(201)와, 액츄에이터(202)를 구비한다. 유지대(201)는, 예를 들면, 흡착 등에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 흡착 척이다. 유지대(201)는, 웨이퍼(W)보다도 소직경인 흡착 영역을 갖는다. 액츄에이터(202)는, 예를 들면 전동 모터이며, 유지대(201)를 회전 구동한다.
노치 검출 서브 유닛(300)은, 예를 들면 가로 홈(310)을 구비하고 있고, 가로 홈(310)의 하면에는 발광 소자(320)가 설치되며, 상면에는 수광 소자(330)가 설치된다.
회전 유지 서브 유닛(200)에 웨이퍼(W)가 적재된 상태에 있어서, 발광 소자(320)로부터의 조사광은, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 의해서 차단되고, 수광 소자(330)에는 조사광이 수광되지 않는다. 그러나, 회전 유지 서브 유닛(200)에 의한 회전에 의해서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 형성된 노치가 발광 소자(320)에 대향하는 위치에 오면, 조사광은 노치를 통과하여 수광 소자(330)에 수광된다. 이에 따라, 노치 검출 서브 유닛(300)은, 웨이퍼(W)에 형성된 노치의 위치를 검출할 수 있다.
도 8 및 도 9는, 제1 촬상 서브 유닛(400) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)을 경사 위쪽으로부터 본 모식도이다. 또한, 도 10은, 제1 촬상 서브 유닛(400)을 측방으로부터 본 모식도이며, 도 11은, 조명 모듈(420) 및 미러 부재(430)를 측방으로부터 본 모식도이다. 또한, 도 12는, 조명 모듈(420)로부터의 광이 미러 부재(430)에 있어서 반사하는 모습을 나타내는 모식도이며, 도 13은, 웨이퍼(W)로부터의 광이 미러 부재(430)에 있어서 반사하는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 6∼도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 촬상 서브 유닛(400)은, 카메라(410)(일방면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(420)과, 미러 부재(430)를 구비한다.
카메라(410)는, 렌즈(411)와, 촬상 소자(412)를 구비한다. 카메라(410)의 광축은, 조명 모듈(420)을 향하여 수평으로 연장되고 있다.
도 8∼도 11에 나타내는 바와 같이, 조명 모듈(420)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 위쪽에 배치되어 있다. 조명 모듈(420)은, 광원(421)과, 광산란 부재(422)와, 유지 부재(423)를 구비한다.
광원(421)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 케이스(421a)와, 케이스(421a) 내에 배치된 복수의 LED 점광원(421b)을 구비한다. 복수의 LED 점광원(421b)은, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 일렬로 나란하여 배치된다.
광산란 부재(422)는, 도 9∼도 11에 나타내는 바와 같이, 광원(421)과 중합되도록 광원(421)에 접속된다. 광산란 부재(422)에는, 광원(421) 및 광산란 부재(422)가 중합되는 방향에 있어서 연장되는 관통구(422a)가 형성된다. 관통구(422a)의 내벽면에는, 경면 가공이 실시되어 있다. 이에 따라, 광원(421)으로부터의 광이 광산란 부재(422)의 관통구(422a) 내에 입사하면, 입사광이 관통구(422a) 내의 경면 부분(422b)에서 난반사하여 산란광이 생성된다.
유지 부재(423)는, 광산란 부재(422)와 중합되도록 광산란 부재(422)에 접속된다. 유지 부재(423)에는, 관통구(423a)와, 관통구(423a)에 교차하는 교차 구멍(423b)이 형성되어 있다. 관통구(423a)는, 광산란 부재(422) 및 유지 부재(423)가 중합되는 방향으로 연장되어 있다. 교차 구멍(423b)은 관통구(423a)에 연통하고 있다.
유지 부재(423)는, 하프 미러(424)와, 원주 렌즈(425)와, 광확산 부재(426)와, 촛점 조절 렌즈(427)를 내부에 유지하고 있다. 하프 미러(424)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사한 상태로, 관통구(423a) 및 교차 구멍(423b)의 교차 부분에 배치된다. 하프 미러(424)는 직사각형상을 나타내고 있다.
원주 렌즈(425)는, 광산란 부재(422)와 하프 미러(424)와의 사이에 배치된다. 원주 렌즈(425)는, 하프 미러(424)를 향해서 돌출하는 볼록형의 원주 렌즈이다. 원주 렌즈(425)의 축은, 복수의 LED점 광원(421b)이 나란하는 방향으로 연장되어 있다. 원주 렌즈(425)에 광산란 부재(422)로부터의 산란광이 입사하면, 원주 렌즈(425)의 원주면의 둘레 방향을 따라서 산란광이 확대된다.
광확산 부재(426)는, 원주 렌즈(425)와 하프 미러(424)와의 사이에 배치된다. 광확산 부재(426)는, 예를 들면 직사각형상을 나타내는 시트 부재이며, 원주 렌즈(425)를 투과한 광을 확산시킨다. 이에 따라, 광확산 부재(426)에 있어서 확산광이 생성된다. 예를 들면, 광확산 부재(426)는, 입사한 광을 광확산 부재(426)의 면의 전체 방향으로 확산시키는 등방성 확산 기능을 갖고 있어도 좋고, 입사한 광을 원주 렌즈(425)의 축방향(원주 렌즈(425)의 원주면의 둘레 방향과 직교하는 방향)을 향해서 확산시키는 이방성 확산 기능을 갖고 있어도 좋다.
촛점 조절 렌즈(427)는, 교차 구멍(423b) 내에 배치된다. 촛점 조절 렌즈(427)는, 렌즈(411)와의 합성 촛점 거리를 변화시키는 기능을 갖는다.
도 10∼도 13에 나타내는 바와 같이, 미러 부재(430)는, 조명 모듈(420)의 아래쪽에 배치되고, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)으로부터의 반사광을 반사시킨다.
미러 부재(430)는, 본체(431)와, 반사면(432)을 구비한다. 본체(431)는, 예를 들면 알루미늄 블록에 의해서 구성된다.
반사면(432)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)과 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)에 대향한다. 반사면(432)은, 유지대(201)의 회전축에 대하여 경사하고 있다.
반사면(432)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)이 떨어지는 측을 향해서 우묵하게 들어간 만곡면이다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)이 반사면(432)에 찍히면, 그 경상(鏡像)은 실상보다도 확대된다. 반사면(432)의 곡률 반경은, 예를 들면, 10 mm 이상 30 mm 이하이다. 또한, 반사면(432)의 개방각(반사면(432)에 외접하는 2개의 평면이 이루는 각)은, 예를 들면, 100도 이상 150도 이하이다.
조명 모듈(420)에 있어서, 광원(421)으로부터 출사된 광은, 광산란 부재(422)에서 산란되고, 원주 렌즈(425)에서 확대되며, 또한 광확산 부재(426)에서 확산된 후, 하프 미러(424)를 전체적으로 통과하여 아래쪽을 향해서 조사된다. 하프 미러(424)를 통과한 확산광은, 하프 미러(424)의 아래쪽에 위치하는 미러 부재(430)의 반사면(432)에서 반사한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 확산광이 반사면(432)에서 반사한 반사광은, 주로 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)과, 상면(Wa)측의 둘레 가장자리 영역(Wd)에 조사된다.
웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)에서 반사한 반사광은, 도 13에 나타내는 바와 같이, 미러 부재(430)의 반사면(432)에는 향하지 않고, 하프 미러(424)에서 재차 반사하고, 촛점 조절 렌즈(427)는 통과하지 않고서 카메라(410)의 렌즈(411)를 통과하여 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사한다.
한편, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)으로부터 반사한 반사광은, 미러 부재(430)의 반사면(432)과 하프 미러(424)에서 순차 반사하여, 촛점 조절 렌즈(427)와 카메라(410)의 렌즈(411)를 순차 통과하고, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사한다.
이와 같이, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)으로부터의 반사광과, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc) 및 미러 부재(430)로부터의 반사광의 쌍방이 입력된다. 따라서, 제1 촬상 서브 유닛(400)에 따르면, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)(상면 둘레 가장자리부를 포함한 영역)과 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)의 쌍방을 동시에 촬상할 수 있다.
도 14는, 제1 촬상 서브 유닛(400)에 의해서 촬상된 촬상 화상의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 제1 촬상 서브 유닛(400)에 의해서 촬상된 촬상 화상에는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)을 위쪽으로부터 본 상과, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)을 측방으로부터 본 상이 찍히고 있다.
웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd) 및 단부면(Wc)은, 웨이퍼(W)에 형성된 노치(Wn)의 위치를 기준으로 360도 이상의 범위에서 촬상된다. 따라서, 도 14에 나타내는 바와 같이, 촬상 화상에는, 동일한 노치(Wn)가 2개소(촬상 화상의 양단)에 찍히게 된다.
또, 전술한 바와 같이, 미러 부재(430)의 반사면(432)에서 반사된 반사광이 렌즈(411)에 이르기까지의 사이에는, 촛점 조절 렌즈(427)가 설치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)으로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 길이와 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)으로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 길이의 사이에 광로차가 있어도, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)의 결상 위치 및 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)의 결상 위치를 함께 촬상 소자(412)에 맞출 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)과 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)을 함께 선명하게 찍을 수 있다. 또, 촛점 조절 렌즈(427)는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)으로부터 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 도달하는 광의 광로 상에는 배치되지 않는다.
계속해서, 제2 촬상 서브 유닛(500)의 구성에 관해서 도 15를 더욱 참조하여 설명한다. 도 15는, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 측방에서 본 모식도이다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 제2 촬상 서브 유닛(500)은, 카메라(510)(타방면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(520)을 구비한다.
카메라(510)는, 렌즈(511)와, 촬상 소자(512)를 구비한다. 카메라(510)의 광축은, 조명 모듈(520)을 향하여 수평으로 연장되고 있다.
조명 모듈(520)은, 조명 모듈(420)의 아래쪽에 있고, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 아래쪽에 배치되어 있다. 조명 모듈(520)은, 하프 미러(521)와, 광원(522)을 구비한다. 하프 미러(521)는, 예를 들면 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사된 상태로 배치되어 있다. 하프 미러(521)는, 예를 들면 직사각형상을 나타내고 있다.
광원(522)은, 하프 미러(521)의 아래쪽에 위치하고 있는 광원(522)으로부터 출사된 광은, 하프 미러(521)를 전체적으로 통과하여 위쪽을 향해서 조사된다. 하프 미러(521)를 통과한 광은, 카메라(510)의 렌즈(511)를 통과하고, 카메라(510)의 촬상 소자(512)에 입사한다. 즉, 카메라(510)는, 하프 미러(521)를 개재하여, 광원(522)의 조사 영역에 존재하는 웨이퍼(W)의 하면(Wb)를 촬상할 수 있다.
또, 제1 촬상 서브 유닛(400)의 카메라(410)는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 외주 가장자리로부터 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 12 mm 폭의 범위에서 촬상하는 데 대하여, 제2 촬상 서브 유닛(500)의 카메라(510)는, 웨이퍼(W)의 외주 가장자리로부터 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 50 mm 폭의 범위에서 촬상한다. 이에 따라, 카메라(510)에 의해서 촬상된 촬상 화상을 이용하여, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 의해서 처리되는 영역뿐만 아니라, 하면 처리 유닛(19)에 의해서 처리되는 영역의 상태도 확인할 수 있다.
<제어 장치의 구성>
다음에, 제어 장치(5)의 구성에 관해서 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은 제어 장치(5)의 구성의 일례를 나타내는 블럭도이다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(5)의 제어부(51)는, 예를 들면, CPU(Central Proce ssing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로 컴퓨터나 각종의 회로를 포함한다. 제어부(51)는, CPU가 ROM에 기억된 프로그램을, RAM을 작업 영역으로서 사용하여 실행함으로써 기능하는 복수의 처리부를 구비한다. 구체적으로는, 제어부(51)는, 레시피 실행부(5101)와, 화상 취득부(5102)와, 해석부(5103)와, 피드백부(5104)와, 표시 제어부(5105)와, 전송부(5106)를 구비한다. 또, 레시피 실행부(5101), 화상 취득부(5102), 해석부(5103), 피드백부(5104), 표시 제어부(5105) 및 전송부(5106)는, 각각 일부 또는 전부가 ASIC(Application Specific Integrate d Circuit)나 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 하드웨어로 구성되어도 좋다.
제어 장치(5)의 기억부(52)는, 예를 들면, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다. 이러한 기억부(52)는, 레시피 데이터(5201)와, 화상 데이터(5202)와, 해석 데이터(5203)를 기억한다.
<레시피 실행부>
레시피 실행부(5101)는, 레시피 데이터(5201)에 따라서 제1 반송 장치(13), 제2 반송 장치(17), 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18) 및 복수의 하면 처리 유닛(19)을 제어함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 일련의 기판 처리를 이들에 실행시킨다.
여기서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리의 흐름에 관해서 도 17을 참조하여 설명한다. 도 17은, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 제1 반송 장치(13)가, 카세트(C)로부터 복수의 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 복수의 웨이퍼(W)를 기판 적재부(14)에 적재한다(스텝 S01). 계속해서, 제2 반송 장치(17)가, 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼(W)를 1장 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)으로 반송한다(스텝 S02).
계속해서, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)이, 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 둘레 가장자리부 제거 처리를 행한다. 구체적으로는, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에서는, 우선, 기판 유지 기구(82)의 유지부(821)가 웨이퍼(W)를 유지하고, 구동부(823)가 유지부(821)를 회전시킴으로써 유지부(821)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 계속해서, 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)가, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 각각 웨이퍼(W)의 위쪽 및 아래쪽의 소정 위치에 배치시킨다.
그 후, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액이, 각각 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부 및 하면 둘레 가장자리부에 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 베벨부로부터 막이 제거된다. 그 후, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다.
그 후, 제2 반송 장치(17)가 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)으로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 촬상 유닛(15)으로 반송한다(스텝 S03).
계속해서, 촬상 유닛(15)이, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd) 및 단부면(Wc) 및 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)을 촬상한다.
여기서, 촬상 유닛(15)에 있어서 실행되는 일련의 처리에 관해서 도 18을 참조하여 설명한다. 도 18은, 촬상 유닛(15)에 있어서 실행되는 일련의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 촬상 유닛(15)에서는, 우선, 노치 얼라인먼트 처리가 행해진다(스텝 S101). 노치 얼라인먼트 처리는, 웨이퍼(W)의 노치(Wn)의 위치를 미리 정해진 위치에 맞추는 처리이다.
구체적으로는, 우선, 회전 유지 서브 유닛(200)이, 유지대(201)를 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착 유지하고, 액츄에이터(202)를 이용하여 유지대(201)를 회전시킴으로써, 유지대(201)에 흡착 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 계속해서, 노치 검출 서브 유닛(300)이, 발광 소자(320)로부터의 조사광을 수광 소자(330)로 수광함으로써, 웨이퍼(W)에 형성된 노치(Wn)를 검출한다. 그리고, 회전 유지 서브 유닛(200)이, 액츄에이터(202)를 이용하여 웨이퍼(W)를 소정 각도 회전시킴으로써, 검출한 노치(Wn)의 위치를 미리 정해진 위치에 맞춘다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 조정된다.
이와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 회전시키는 회전 유지 서브 유닛(200) 및 웨이퍼(W)에 형성된 노치(Wn)를 검출하는 노치 검출 서브 유닛(300)은, 촬상 유닛(15)의 촬영 범위에 대한 웨이퍼(W)의 회전 위치를 조정하는 조정 기구의 일례이다. 촬상 유닛(15)은, 회전 유지 서브 유닛(200)을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착 유지하여 회전시키면서, 노치 검출 서브 유닛(300)을 이용하여 노치(Wn)를 검출하고, 노치(Wn)의 검출 결과에 기초하여 웨이퍼(W)의 회전 위치를 조정한다. 또, 웨이퍼(W)에 형성되는 절결부는, 노치(Wn)에 한정하지 않고, 예컨대, 오리엔테이션·플랫(소위 오리플라)라도 좋다.
또한, 여기서는, 촬상 유닛(15)이, 조정 기구의 일례로서 회전 유지 서브 유닛(200) 및 노치 검출 서브 유닛(300)을 구비하는 경우의 예를 나타냈지만, 조정 기구의 구성은, 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 기지인 경우에는, 촬상 유닛(15)은, 회전 유지 서브 유닛(200)과, 유지대(201)의 회전 위치를 검출하는 인코더를 조정 기구로서 구비하고 있어도 좋다. 이러한 경우, 촬상 유닛(15)은, 회전 유지 서브 유닛(200)를 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착 유지한 후, 유지대(201)를 소정 각도 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서의 특정한 위치로부터 촬상 처리가 개시되도록, 웨이퍼(W)의 회전 위치를 조정할 수 있다.
계속해서, 촬상 유닛(15)에서는, 촬상 처리가 행해진다(스텝 S102). 촬상 처리는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd) 및 단부면(Wc) 및 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)을 촬상하는 처리이다.
여기서, 촬상 처리의 흐름에 관해서 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는, 촬상 처리의 흐름을 나타내는 타이밍 차트이다. 또, 여기서는, 촬상 처리 개시 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 위치를 0도로 규정한다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 촬상 처리가 개시되면, 우선, 조명 모듈(420) 및 조명 모듈(520)의 광원(421, 522)이 점등한다(도 19의 t1 참조). 계속해서, 카메라(410) 및 카메라(510)가 온 상태가 되고, 촬상이 개시된다(도 19의 t2 참조).
계속해서, 회전 유지 서브 유닛(200)의 액츄에이터(202)가 유지대(201)를 회전시킴으로써, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 회전을 개시시킨다(도 19의 t3 참조). 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 노치 얼라인먼트 처리시에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 속도보다도 저속이다.
계속해서, 카메라(510)에 웨이퍼(W)의 노치(Wn)가 찍히는 타이밍으로 카메라(510)에 의해서 촬상된 화상의 화상 데이터의 취득을 개시한다(도 19의 t4 참조). 본 예에서는, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 75도가 된 타이밍으로, 화상 데이터의 취득이 개시된다. 취득한 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
계속해서, 카메라(410)에 웨이퍼(W)의 노치(Wn)가 찍히는 타이밍으로, 구체적으로는, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 90도가 된 타이밍으로, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 화상 데이터의 취득을 개시한다(도 19의 t5 참조). 취득한 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
또, 본 실시형태에 따른 촬상 유닛(15)에서는, 미러 부재(430)의 존재에 의해서 하프 미러(521)의 설치 장소가 제한되기 때문에, 웨이퍼(W)의 동일한 회전 위치에 있어서의 둘레 가장자리 영역(Wd, We)을 카메라(410) 및 카메라(510)로 동시에 촬상하는 것은 곤란하다. 따라서, 카메라(410)와 카메라(510)로 촬상 범위를 맞추기 위해서, 화상 데이터의 취득의 타이밍을 어긋난 것으로 하고 있다(도 19의 t4, t5 참조). 그러나, 카메라(410)와 카메라(510)로 동일한 회전 위치를 촬상하는 것이 가능한 경우에는, 반드시 카메라(410)와 카메라(510)로 화상 데이터의 취득의 타이밍을 어긋나게 할 필요는 없다.
계속해서, 웨이퍼(W)가 1회전하여 웨이퍼(W)의 회전 위치가 재차 75도가 된 타이밍으로, 카메라(510)의 화상 데이터의 취득을 수료한다(도 19의 t6 참조). 동일하게, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 재차 90도가 된 타이밍으로, 카메라(410)의 화상 데이터의 취득을 수료한다(도 19의 t7 참조). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸친 둘레 가장자리 영역(Wd, We) 및 단부면(Wc)의 화상 데이터가 얻어진다.
계속해서, 웨이퍼(W)의 회전 위치가 0도가 된 타이밍으로 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다(도 19의 t8 참조). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 회전 위치를 촬상 처리 개시 시에 있어서의 회전 위치, 즉, 노치 얼라인먼트 처리에 의해서 웨이퍼(W)의 회전 위치가 조정된 상태로 되돌릴 수 있다. 그 후, 카메라(410, 510)를 오프 상태로 하고(도 19의 t9 참조), 조명 모듈(420) 및 조명 모듈(520)의 광원(421, 522)을 소등하여(도 19의 t10 참조), 촬상 처리를 끝낸다.
이와 같이, 촬상 유닛(15)은, 노치 얼라인먼트 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 회전 위치를 조정한 후, 회전 유지 서브 유닛(200)을 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부와 단부면과 하면 둘레 가장자리부를 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐 촬상한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부, 단부면 및 하면 둘레 가장자리부의 웨이퍼(W) 전체 둘레에 걸친 화상 데이터를 얻을 수 있다.
촬상 유닛(15)에 있어서 촬상 처리를 끝내면, 도 17에 나타내는 바와 같이, 제2 반송 장치(17)가 촬상 유닛(15)으로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 하면 처리 유닛(19)으로 반송한다(스텝 SS04).
계속해서, 하면 처리 유닛(19)이, 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 하면 제거 처리를 행한다. 구체적으로는, 하면 처리 유닛(19)에서는, 우선, 기판 유지 기구(92)의 유지부(921)가 웨이퍼(W)를 유지하고, 구동부(923)가 유지부(921)를 회전시킴으로써 유지부(921)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
그 후, 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액이, 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 중앙부에 공급된다. 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 중앙부에 공급된 약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 하면(Wb)의 전면으로 넓어진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 전면으로부터 막이 제거된다. 그 후, 하면 처리 유닛(19)은 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다.
하면 처리 유닛(19)이 하면 제거 처리를 끝내면, 제2 반송 장치(17)가 하면 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 촬상 유닛(15)으로 반송한다(스텝 S05). 촬상 유닛(15)에서는, 전술한 얼라인먼트 처리 및 촬상 처리가 재차 행해진다. 촬상 처리에 의해 얻어진 화상 데이터는, 제어 장치(5)의 기억부(52)에 기억된다.
계속해서, 제2 반송 장치(17)가 촬상 유닛(15)으로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 기판 적재부(14)에 적재한다(스텝 S06). 그 후, 제1 반송 장치(13)가 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼(W)를 추출하고, 추출한 웨이퍼(W)를 카세트(C)에 수용한다(스텝 S07). 이에 따라, 일련의 기판 처리가 수료된다.
<화상취득부>
도 16에 되돌아가, 제어부(51)의 설명을 계속한다. 화상 취득부(5102)는, 촬상 유닛(15)으로부터 화상 데이터를 취득하고, 웨이퍼(W)의 식별 번호나 촬상 일시 등과 관련시켜 화상 데이터(5202)로서 기억부(52)에 기억시킨다.
<해석부>
해석부(5103)는, 기억부(52)에 기억된 화상 데이터(5202)에 대하여 화상 해석을 행한다.
예를 들면, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부 및 단부면(Wc)에서의 막의 제거 정도를 판정한다. 이 판정은, 예를 들면, 약액이 공급된 영역 Wd1과 공급되어 있지 않은 영역 Wd2(도 14 참조)과의 색의 차이(화소치의 차)에 기초하여 행해진다.
동일하게, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(510)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)에서의 막의 제거 정도를 판정한다.
또한, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 컷트폭을 산출한다. 구체적으로는, 해석부(5103)는, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 있어서의 각 위치의 컷트폭을 각각 산출한다. 그리고, 해석부(5103)는, 산출한 복수의 컷트폭의 최대치 Hmax 및 최소치 Hmin(도 14 참조)의 평균치를 컷트폭으로서 산출한다.
또, 컷트폭의 산출 방법은 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 해석부(5103)는, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 있어서의 각 위치의 컷트폭을 산출하고, 산출한 복수의 컷트폭의 평균치를 컷트폭으로서 산출해도 좋다.
또한, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 편심량을 산출한다. 웨이퍼(W)의 편심량이란, 웨이퍼(W)의 중심과 기판 유지 기구(82)의 회전 중심과의 편차량이다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 중심 위치가 기판 유지 기구(82)의 회전 중심에 대하여 어긋나 있는 경우, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)에는, 컷트폭의 불균일이 생기게 된다. 이 컷트폭의 불균일은, 도 14에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 대하여 정현파형상으로 표시된다. 따라서, 해석부(5103)는, 이러한 정현파의 진폭에 기초하여 웨이퍼(W)의 편심량을 산출할 수 있다.
또한, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd) 및 단부면(Wc)의 결함을 검출한다. 웨이퍼(W)에 결함이 있는 경우, 결함 부분은 주위와 상이한 색을 나타낸다. 따라서, 해석부(5103)는, 예를 들면, 인접하는 화소와의 화소치의 차가 임계치 이상인 화소의 영역을 결함 부분으로서 검출할 수 있다.
동일하게, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(510)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)의 결함을 검출한다.
또, 해석부(5103)는, 검출한 결함 부분의 형상으로부터 결함의 종류를 특정하는 것도 가능하다. 결함의 종류로서는, 상처나 빠짐 등이 있다.
또한, 해석부(5103)는, 화상 데이터(5202) 중, 카메라(410)에 의해서 촬상된 화상의 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 휘어짐량을 산출한다. 예를 들면, 해석부(5103)는, 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)의 형상으로부터 웨이퍼(W)의 휘어짐량을 산출할 수 있다.
해석부(5103)는, 이러한 해석 결과를 해석 데이터(5203)로서 기억부(52)에 기억시킨다.
<피드백부>
피드백부(5104)는, 기억부(52)에 기억된 해석 데이터(5203)에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 둘레 가장자리부 처리에 있어서 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부 및 하면 둘레 가장자리부로의 약액의 토출 시간을 보정한다.
예를 들면, 피드백부(5104)는, 웨이퍼(W)의 상면 둘레 가장자리부 및 단부면(Wc)에서의 막의 제거 정도에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 둘레 가장자리부 제거 처리시에서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터의 약액의 토출 시간을 길게 한다. 이에 따라, 이후에 처리되는 웨이퍼(W)에 대한 약액의 토출 시간을 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)에서의 막의 제거 정도에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 하면 제거 처리시에서의 공급부(93)로부터의 약액의 토출 시간을 길게 한다. 이에 따라, 이후에 처리되는 웨이퍼(W)에 대한 약액의 토출 시간을 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는, 해석 데이터(5203) 중 컷트폭의 정보에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 둘레 가장자리부 제거 처리시에서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치를 조정한다. 예를 들면, 해석 데이터(5203)에 포함되는 컷트폭(최대치 Hmax와 최소치 Hmin의 평균치)이 이미 정해진 컷트폭보다도 큰 경우에는, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 토출되는 약액이 웨이퍼(W)의 보다 외주측에 공급되도록 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치를 보정한다. 바꿔 말하면, 제1 이동 기구(833) 및 제2 이동 기구(834)에 의한 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 이동량을 변경함으로써 둘레 가장자리부 처리에 있어서의 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 처리 위치를 보정한다. 이에 따라, 이후에 처리되는 웨이퍼(W)에 대한 약액의 토출 위치를 최적화할 수 있다.
또한, 피드백부(5104)는, 해석 데이터(5203) 중 컷트폭의 정보에 기초하여 레시피 데이터(5201)를 변경함으로써, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)의 기판 유지 기구(82)에 대한 웨이퍼(W)의 수평 위치를 보정한다.
예를 들면, 피드백부(5104)는, 0도의 회전 위치에 있어서의 컷트폭과 180도의 회전 위치에 있어서의 컷트폭과의 차가 작아지도록, 그리고, 90도의 회전 위치에 있어서의 컷트폭과 270도의 회전 위치에 있어서의 컷트폭과의 차가 작아지도록, 기판 유지 기구(82)에 대하여 흡착 유지시키는 웨이퍼(W)의 위치를 보정한다. 이에 따라, 제2 반송 장치(17)에 의한 기판 유지 기구(82)에 웨이퍼(W)를 적재하는 동작이 보정되고, 이후에 처리되는 웨이퍼(W)의 편심이 억제된다.
또, 여기서는, 제2 반송 장치(17)의 동작을 보정함으로써, 웨이퍼(W)의 편심을 억제하는 것으로 했지만, 보정하는 대상은 제2 반송 장치(17)의 동작에 한정되지 않는다. 예를 들면, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)이, 웨이퍼(W)의 수평 위치를 조정하는 조정 기구를 구비하는 경우, 이러한 조정 기구의 동작을 보정함으로써, 기판 유지 기구(82)에 대하여 흡착 유지시키는 웨이퍼(W)의 위치를 보정하는 것이 가능하다.
<표시 제어부>
표시 제어부(5105)는, 예를 들면 사용자에 의한 조작부(6)로의 조작에 따라서, 기억부(52)로부터 화상 데이터(5202)를 추출하여 표시부(7)에 표시시킨다. 이에 따라, 사용자는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa) 및 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(Wd, We) 및 단부면(Wc)의 상태를 확인할 수 있다. 또한, 표시 제어부(5105)는, 예를 들면 사용자에 의한 조작부(6)로의 조작에 따라서, 기억부(52)로부터 해석 데이터(5203)를 추출하여 표시부(7)에 표시시킨다. 이에 따라, 사용자는, 해석부(5103)에 의한 해석 결과를 확인할 수 있다.
또, 조작부(6)는, 예를 들면 키보드나 터치 패널이며, 표시부(7)는, 예를 들면 액정 디스플레이이다. 조작부(6) 및 표시부(7)는, 기판 처리 시스템(1)에 부착되어 있어도 좋고, 기판 처리 시스템(1)으로부터 떨어진 장소에 설치되어 있어도 좋다.
<전송부>
전송부(5106)는, 기억부(52)에 기억된 화상 데이터(5202) 및 해석 데이터(5203)를 예를 들면 LAN(Local Area Network) 등의 네트워크를 개재하여 외부 장치(8)로 송신한다. 또, 전송부(5106)는, 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)가 기억부(52)에 기억될 때마다, 새롭게 기억된 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)를 외부 장치(8)로 송신해도 좋다. 또한, 전송부(5106)는, 예를 들면 사용자에 의한 조작부(6)로의 조작에 의해서 선택된 화상 데이터(5202) 또는 해석 데이터(5203)를 외부 장치(8)로 송신해도 좋다.
전술해 온 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치의 일례)은 반입출 스테이션(2)과, 전달 스테이션(3)과, 처리 스테이션(4)과, 촬상 유닛(15)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)은, 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 추출하여 반송하는 제1 반송 장치(13)를 갖는다. 전달 스테이션(3)은, 반입출 스테이션(2)에 인접하여 배치되고, 제1 반송 장치(13)에 의해서 반송된 웨이퍼(W)가 적재되는 기판 적재부(14)를 갖는다. 처리 스테이션(4)은, 전달 스테이션(3)에 인접하여 배치되고, 기판 적재부(14)로부터 웨이퍼(W)를 추출하여 반송하는 제2 반송 장치(17)와, 제2 반송 장치(17)에 의해서 반송된 웨이퍼(W)를 처리하는 복수의 둘레 가장자리부 처리 유닛(18) 및 하면 처리 유닛(19)(처리 유닛의 일례)을 갖는다. 촬상 유닛(15)은, 전달 스테이션(3)에 배치되고, 웨이퍼(W)의 상면(Wa) 및 하면(Wb) 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)을 촬상한다.
또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치의 일례)은, 카세트 적재부(11)와, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)(처리 유닛의 일례)과, 반송부(12), 전달 스테이션(3) 및 반송부(16)(반송 영역의 일례)와, 촬상 유닛을 구비한다. 카세트 적재부(11)는, 복수의 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 수용하는 카세트(C)가 적재된다. 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)은, 카세트(C)로부터 추출된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 세정 또는 에칭한다. 반송부(12), 전달 스테이션(3) 및 반송부(16)는, 카세트 적재부(11)와 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)과의 사이에 설치되고, 웨이퍼(W)가 반송된다. 촬상 유닛(15)은, 전달 스테이션(3)에 설치되고, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 의해서 처리된 웨이퍼(W)의 상면(Wa) 및 하면(Wb) 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 웨이퍼(W)의 단부면(Wc)을 촬상한다.
따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 따르면, 장치의 대형화를 억제하면서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 상태를 확인할 수 있다.
<변형예>
전술한 실시형태에서는, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 의한 둘레 가장자리부 제거 처리 후와, 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리 후에, 각각 촬상 유닛(15)에 의한 촬상 처리를 행하는 것으로 했지만, 촬상 처리를 행하는 타이밍은, 상기의 예에 한정되지 않는다.
이하에서는, 촬상 처리를 행하는 타이밍의 변형예에 관해서 도 20∼도 22를 참조하여 설명한다. 도 20은, 제1 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름을 나타내는 도면이며, 도 21은, 제2 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름을 나타내는 도면이며, 도 22는, 제3 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 흐름을 나타내는 도면이다.
또, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 관해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다.
예를 들면, 도 20에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 둘레 가장자리부 제거 처리 후의 촬상 처리를 행하지 않고, 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리를 끝낸 후에, 촬상 처리를 행하는 것으로 해도 좋다. 이에 따라, 둘레 가장자리부 제거 처리 및 하면 제거 처리 후의 웨이퍼(W)의 상태를 한번의 촬상 처리로 확인하는 것이 가능하다.
또한, 도 21에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리의 후뿐만 아니라, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 의한 둘레 가장자리부 제거 처리의 전에 촬상 유닛(15)에 의한 촬상 처리를 행해도 좋다.
이 경우, 해석부(5103)는, 둘레 가장자리부 제거 처리의 전후의 화상 데이터(5202)의 차분에 기초하여, 웨이퍼(W)의 결함을 보다 정밀하게 검출할 수 있다. 예를 들면, 해석부(5103)는, 하면 제거 처리 후의 화상 데이터(5202)에 기초하여 결함을 검출한 경우에, 검출된 결함 부분과, 둘레 가장자리부 제거 처리 전의 화상 데이터(5202)에 있어서의 상기 결함이 검출된 부분과 동일한 부분을 비교한다. 그리고, 양자에 변화가 없는 경우, 해석부(5103)는, 해당 부분을 결함이 있는 부분으로서 검출한다.
또한, 도 22에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 둘레 가장자리부 처리 유닛(18)에 의한 둘레 가장자리부 제거 처리 및 하면 처리 유닛(19)에 의한 하면 제거 처리를 행하지 않고 촬상 처리만을 행해도 좋다. 즉, 기판 처리 시스템(1)에서는, 다른 장치에 있어서 둘레 가장자리부나 하면이 처리된 웨이퍼(W)를 촬상 유닛(15)에 반입하고, 이러한 웨이퍼(W)에 관해서 촬상 처리를 행한 후, 카세트(C)로 되돌리는 것으로 해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 제1 촬상 서브 유닛(400)을 이용하여 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd) 및 단부면(Wc)을 촬상하고, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 이용하여 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We)을 촬상하는 것으로 했다. 그러나, 이것에 한정하지 않고, 제1 촬상 서브 유닛(400) 및 제2 촬상 서브 유닛(500)의 배치를 상하 반전시킴으로써, 제1 촬상 서브 유닛(400)을 이용하여 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 둘레 가장자리 영역(We) 및 단부면(Wc)을 촬상하고, 제2 촬상 서브 유닛(500)을 이용하여 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 둘레 가장자리 영역(Wd)를 촬상해도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 전달 스테이션(3)에 촬상 유닛(15)을 배치하는 것으로 했지만, 전달 스테이션(3) 이외의 반송 영역, 예를 들면, 반송부(12)나 반송부(16)에 촬상 유닛(15)을 배치해도 좋다.
한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해서 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범한 양태는, 이상과 같이 나타내고 그리고 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해서 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.
C : 카세트, W : 웨이퍼, Wa : 웨이퍼의 상면, Wb : 웨이퍼의 하면, Wc : 웨이퍼의 단부면, Wd : 웨이퍼의 상면의 둘레 가장자리 영역, We : 웨이퍼의 하면의 둘레 가장자리 영역, 14 : 기판 적재부, 15 : 촬상 유닛, 17 : 제2 반송 장치, 18 : 둘레 가장자리부 처리 유닛, 19 : 하면 처리 유닛, 200 : 회전 유지 서브 유닛, 300 : 노치 검출 서브 유닛, 400 : 제1 촬상 서브 유닛, 410 : 카메라, 420 : 조명 모듈, 430 : 미러 부재, 500 : 제2 촬상 서브 유닛, 510 : 카메라, 520 : 조명 모듈

Claims (10)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    카세트로부터 기판을 추출하여 반송하는 제1 반송 장치를 갖는 반입출 스테이션과,
    상기 반입출 스테이션에 인접하여 배치되고, 상기 제1 반송 장치에 의해서 반송된 상기 기판이 적재되는 기판 적재부를 갖는 전달 스테이션과,
    상기 전달 스테이션에 인접하여 배치되고, 상기 기판 적재부로부터 상기 기판을 추출하여 반송하는 제2 반송 장치와, 상기 제2 반송 장치에 의해서 반송된 상기 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛을 갖는 처리 스테이션과,
    상기 전달 스테이션에서 상기 기판 적재부와 높이 방향으로 겹쳐서 배치되고, 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 그 기판의 단부면을 촬상하는 촬상 유닛과,
    상기 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상을 해석하는 해석부
    를 포함하고,
    상기 복수의 처리 유닛 중 적어도 하나는, 상기 기판의 둘레 가장자리부 및 단부면을 포함하는 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 둘레 가장자리부 처리 유닛이고,
    상기 촬상 유닛은,
    상기 제2 반송 장치가 수용되는 반송부를 향해서 개구하고, 상기 제2 반송 장치에 의한 상기 촬상 유닛에 대한 상기 기판의 반입출이 행해지는 개구부와,
    상기 기판을 회전 가능하게 유지하는 회전 유지 서브 유닛과,
    상기 제2 반송 장치 및 상기 회전 유지 서브 유닛 사이에 있어서의 상기 기판의 전달 위치의 주위에 배치되고, 상기 전달 위치에서 상기 회전 유지 서브 유닛에 유지된 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 그 기판의 단부면을 촬상하는 촬상 서브 유닛
    을 포함하고,
    상기 해석부는,
    상기 화상에 기초하여, 상기 기판의 상면 및 하면 중 한쪽의 면의 둘레 가장자리부 및 그 기판의 단부면에서의 상기 막의 제거 정도의 판정 및 제거폭의 산출 중 적어도 한쪽을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 촬상 유닛은, 상기 기판 적재부의 아래쪽에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 처리 유닛 중 적어도 하나는, 상기 기판의 하면을 처리하는 하면 처리 유닛이고,
    상기 촬상 유닛은, 상기 촬상 서브 유닛으로서, 상기 기판의 상면의 둘레 가장자리부 및 그 기판의 단부면을 촬상하는 제1 촬상 서브 유닛과, 상기 기판의 하면의 둘레 가장자리부를 촬상하는 제2 촬상 서브 유닛을 포함하고 있고,
    상기 제1 촬상 서브 유닛 및 상기 제2 촬상 서브 유닛은, 상기 전달 위치의 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 반송 장치, 상기 둘레 가장자리부 처리 유닛 및 상기 촬상 유닛을 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 둘레 가장자리부 처리 유닛을 제어하여, 상기 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 처리와,
    상기 제2 반송 장치를 제어하여, 상기 둘레 가장자리부 처리 유닛으로부터 상기 기판을 추출하고, 추출한 상기 기판을 상기 촬상 유닛에 반송하는 처리와,
    상기 제1 촬상 서브 유닛을 제어하여, 상기 기판의 상면 및 그 기판의 단부면을 촬상하는 처리와,
    상기 제2 반송 장치를 제어하여, 상기 촬상 유닛으로부터 상기 기판을 추출하고, 추출한 상기 기판을 상기 하면 처리 유닛에 반송하고,
    상기 하면 처리 유닛을 제어하여, 상기 기판의 하면을 처리하는 처리와,
    상기 제2 반송 장치를 제어하여, 상기 하면 처리 유닛으로부터 상기 기판을 추출하고, 추출한 상기 기판을 상기 촬상 유닛에 반송하는 처리와,
    상기 제2 촬상 서브 유닛을 제어하여, 상기 기판의 하면의 둘레 가장자리부를 촬상하는 처리와,
    상기 제2 반송 장치를 제어하여, 상기 촬상 유닛으로부터 상기 기판을 추출하고, 추출한 상기 기판을 상기 기판 적재부에 적재하는 처리
    를 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 해석부에 의한 해석 결과에 기초하여, 상기 둘레 가장자리부 처리 유닛에 있어서의 상기 기판에의 약액의 토출 시간을 변경하는 피드백부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 촬상 유닛은,
    상기 기판의 단부면으로부터의 반사광을 반사시키는 미러 부재와,
    상기 기판에 있어서의 상기 한쪽의 면의 둘레 가장자리부로부터의 반사광과, 상기 미러 부재로부터의 반사광을 각각 수광함으로써, 상기 기판에 있어서의 상기한쪽의 면의 둘레 가장자리부와 단부면을 동시에 촬상하는 일방면측 촬상부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 촬상 유닛은, 상기 기판의 상면 및 하면 중 다른쪽의 면의 둘레 가장자리부를 촬상하는 타방면측 촬상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 촬상 유닛의 촬영 범위에 대한 상기 기판의 회전 위치를 조정하는 조정 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 조정 기구는,
    상기 기판을 흡착 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 기판에 형성된 절결부(切欠部)를 검출하는 검출부
    를 포함하고,
    상기 촬상 유닛은, 상기 회전 유지부를 이용하여 상기 기판을 흡착 유지하여 회전시키면서, 상기 검출부를 이용하여 상기 절결부를 검출하고, 검출 결과에 기초하여 상기 기판의 회전 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 촬상 유닛은, 상기 기판의 회전 위치를 조정한 후, 상기 회전 유지부를 이용하여 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판에 있어서의 한쪽의 면의 둘레 가장자리부와 단부면을 상기 기판의 전체 둘레에 걸쳐 촬상하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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