KR20220002112A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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타츠히코 츠지하시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

주연부 처리를 행하는 처리부 및 기판의 주연부를 검사하는 검사부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송에 기인하는 스루풋의 저하를 억제한다. 본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 처리부와, 전달부와, 대처리부 반송 장치와, 검사부와, 대검사부 반송 장치를 구비한다. 처리부는, 기판의 주연부를 처리한다. 전달부에서는, 기판의 전달이 행해진다. 대처리부 반송 장치는, 전달부와 처리부와의 사이에서 기판의 반입반출을 행한다. 검사부는, 기판의 주연부의 처리 상태를 검사한다. 대검사부 반송 장치는, 검사부로부터 기판을 취출하여 전달부로 반입한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼 및 화합물 반도체 웨이퍼 등의 기판의 주연부를 처리하는 처리부를 구비한 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이런 종류의 기판 처리 장치에 있어서는, 기판의 주연부의 처리가 적절하게 행해졌는지 여부를 확인하기 위하여, 기판의 주연부를 검사하는 검사부가 마련되는 경우가 있다.
특허 문헌 1에는, 카세트에 대한 기판의 반입반출이 행해지는 반입반출 스테이션과 주연부 제거 처리가 행해지는 처리 스테이션과의 사이에 위치하는 전달 스테이션에 상기 검사부가 배치된 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
특허공개공보 2019-062011호
본 개시는, 주연부 처리를 행하는 처리부 및 기판의 주연부를 검사하는 검사부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송에 기인하는 스루풋의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 처리부와, 전달부와, 대처리부 반송 장치와, 검사부와, 대검사부 반송 장치를 구비한다. 처리부는, 기판의 주연부를 처리한다. 전달부에서는, 기판의 전달이 행해진다. 대처리부 반송 장치는, 전달부와 처리부와의 사이에서 기판의 반입반출을 행한다. 검사부는, 기판의 주연부의 처리 상태를 검사한다. 대검사부 반송 장치는, 검사부로부터 기판을 취출하여 전달부로 반입한다.
본 개시에 따르면, 주연부 처리를 행하는 처리부 및 기판의 주연부를 검사하는 검사부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 3은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 4는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 후방에서 본 레이아웃도이다.
도 5는 주연부 처리 유닛의 모식도이다.
도 6은 제 1 전달부 및 검사부를 측방에서 본 모식도이다.
도 7은 제 1 실시 형태에 따른 검사부를 상방에서 본 모식도이다.
도 8은 제 1 실시 형태에 따른 검사부를 측방에서 본 모식도이다.
도 9는 제 1 촬상 서브 유닛 및 제 2 촬상 서브 유닛을 기울기 상방에서 본 모식도이다.
도 10은 제 1 촬상 서브 유닛 및 제 2 촬상 서브 유닛을 기울기 상방에서 본 모식도이다.
도 11은 제 1 촬상 서브 유닛을 측방에서 본 모식도이다.
도 12는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 13은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 14는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 15는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 16은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다.
도 17은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 18은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 전달 스테이션을 후방에서 본 레이아웃도이다.
도 19는 제 2 실시 형태에 따른 검사부를 상방에서 본 모식도이다.
도 20은 제 2 실시 형태에 따른 제 1 전달부를 상방에서 본 모식도이다.
도 21은 제 2 실시 형태에 따른 제 2 전달부를 상방에서 본 모식도이다.
도 22는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 23은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 24는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 25는 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다.
도 26은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 27은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 28은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 29는 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 30은 제 1 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 31은 제 1 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 32는 제 1 변형예에 따른 전면 검사부를 상방에서 본 단면도이다.
도 33은 제 1 변형예에 따른 전면 검사부를 측방에서 본 단면도이다.
도 34는 제 2 변형예에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다.
도 35는 제 2 변형예에 따른 하면 처리 유닛의 모식도이다.
이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명은 생략된다.
또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있지만, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.
[제 1 실시 형태]
<기판 처리 시스템의 구성>
먼저, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 도 1 ~ 도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다. 도 2 및 도 3은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다. 도 2에서는, 각종 반송 장치를 생략하고, 제 1 전달부(14), 검사부(15) 및 주연부 처리 유닛(19)의 배치를 주로 나타내고 있다. 도 3에서는, 각 주반송 장치의 배치를 주로 나타내고 있다. 도 4는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 후방에서 본 레이아웃도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(4)을 구비한다.
반입반출 스테이션(2)에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 웨이퍼(W)라 기재함)이 카세트(C)로부터 취출되어 처리 스테이션(4)으로 반송된다. 그리고, 처리 스테이션(4)에서는, 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다. 구체적으로, 처리 스테이션(4)에서는, 웨이퍼(W)의 주연부를 처리하는 주연부 처리가 행해진다.
이 후, 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(4)으로부터 반입반출 스테이션(2)으로 반송되어, 카세트(C)에 수용된다. 이 때, 반입반출 스테이션(2)에서는, 웨이퍼(W)를 카세트(C)에 수용하기 전에, 웨이퍼(W)의 주연부의 막이 적절하게 제거되었는지 여부를 확인하기 위하여, 웨이퍼(W)의 주연부를 검사하는 검사 처리가 행해진다.
(반입반출 스테이션)
반입반출 스테이션(2)은, 카세트 배치부(11)와, 반송실(12)을 구비한다. 카세트 배치부(11)에는, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 카세트(C)가 배치된다.
반송실(12)은, 카세트 배치부(11)와 처리 스테이션(4)과의 사이에 배치된다. 도 1 ~ 도 3에 나타내는 바와 같이, 반송실(12)에는, 제 1 반송 장치(13)(대카세트 반송 장치의 일례)와, 복수의 제 1 전달부(14)와, 복수의 검사부(15)와, 복수의 제 2 반송 장치(16)(대검사부 반송 장치)를 구비한다.
제 1 반송 장치(13)는, 카세트(C)와 제 1 전달부(14)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다. 제 1 반송 장치(13)는, 1 매의 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 지지부를 복수 구비한다. 예를 들면, 제 1 반송 장치(13)는, 3 개 이상의 지지부를 구비한다. 제 1 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 카세트(C)와 제 1 전달부(14)와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 반송할 수 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반송실(12)에는, 1 개의 제 1 반송 장치(13)가 배치된다.
복수의 제 1 전달부(14)에는, 카세트(C)에 대하여 반입반출되는 웨이퍼(W)가 배치된다. 즉, 복수의 제 1 전달부(14)에는, 카세트(C)로부터 반출된 웨이퍼(W) 및 카세트(C)로 반입되는 웨이퍼(W)가 배치된다. 각 제 1 전달부(14)는, 연직 방향을 따라 복수의 웨이퍼(W)를 다단으로 수용 가능하다.
복수의 검사부(15)는, 웨이퍼(W)의 주연부의 처리 상태를 검사한다. 검사부(15)의 구체적인 구성에 대하여는 후술한다.
1 개의 제 1 전달부(14)와 1 개의 검사부(15)는, 높이 방향으로 적층되어 있다. 그리고, 기판 처리 시스템(1)에서는, 이들 제 1 전달부(14) 및 검사부(15)를 포함하는 블록이, 높이 방향으로 단수로 적층된다. 구체적으로, 후술하는 처리 스테이션(4)은, 다단으로 적층된 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)을 가지고 있다. 제 1 전달부(14) 및 검사부(15)를 포함하는 블록은, 상단 처리 블록(4U)에 대응하는 위치, 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에 대응하는 위치에 1 개씩 배치된다.
여기서는, 제 1 전달부(14)의 하부에 검사부(15)가 배치되는 경우의 예를 나타내고 있지만, 검사부(15)의 하부에 제 1 전달부(14)가 배치되어도 된다.
복수의 제 2 반송 장치(16)는, 제 1 전달부(14) 및 검사부(15)로 이루어지는 복수의 블록에 대응하여 다단으로 마련된다. 각 제 2 반송 장치(16)는, 대응하는 블록에 배치되는 검사부(15)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 대응하는 블록에 배치되는 제 1 전달부(14)로 반입한다.
제 2 반송 장치(16)는, 제 1 전달부(14)의 측방에 배치된다. 구체적으로, 제 2 반송 장치(16)는, 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(4)의 배열 방향(X축 방향)과 직교하는 수평 방향(Y축 방향)에 있어서 제 1 전달부(14)와 인접한다. 또한, 제 1 반송 장치(13) 및 후술하는 제 3 반송 장치(18)는, X축 방향에 있어서 제 1 전달부(14)와 인접한다.
제 2 반송 장치(16)는, 1 매의 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 지지부를 복수 구비한다. 예를 들면, 제 2 반송 장치(16)는, 2 개의 지지부를 구비하고 있고, 지지부마다 웨이퍼(W)의 반입반출을 행할 수 있다. 제 2 반송 장치(16)는, 연직 방향으로의 이동이 가능하며, 상하로 적층된 제 1 전달부(14) 및 검사부(15) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
(처리 스테이션)
처리 스테이션(4)은, 도 2 ~ 도 4에 나타내는 바와 같이, 상단 처리 블록(4U)과, 중단 처리 블록(4M)과, 하단 처리 블록(4L)을 구비한다. 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)은, 격벽 및 셔터 등에 의해 공간적으로 구획되어 있고, 높이 방향으로 배열되어 배치된다.
상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)은, 동일한 구성을 가지고 있다. 구체적으로, 각 처리 블록(4U, 4M, 4L)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송실(17)과, 복수의 주연부 처리 유닛(19)을 구비한다.
반송실(17)은, 반입반출 스테이션(2)의 반송실(12)에 인접하여 마련된다. 구체적으로, 반송실(17)은, 반송실(12)에 배치된 제 1 전달부(14)에 인접하여 마련된다. 또한, 반송실(17)의 양 측방(Y축 정방향 및 Y축 부방향)에는, 주연부 처리 유닛(19)이 각각 복수 배치된다.
예를 들면, 도시의 예에 있어서, 반송실(17)의 Y축 정방향측에는 2 개의 주연부 처리 유닛(19)이 X축 방향을 따라 횡 배열로 배치된다. 또한, 반송실(17)의 Y축 부방향측에도 2 개의 주연부 처리 유닛(19)이 X축 방향을 따라 횡 배열로 배치된다. 따라서, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에는, 각각 합계 4 개의 주연부 처리 유닛(19)이 배치된다.
반송실(17)에는, 제 1 전달부(14)와 주연부 처리 유닛(19)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입반출을 행하는 제 3 반송 장치(18)(대처리부 반송 장치의 일례)가 배치된다. 제 3 반송 장치(18)는, 1 매의 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 지지부를 복수 구비한다. 예를 들면, 제 3 반송 장치(18)는, 2 개의 지지부를 구비하고 있고, 지지부마다 웨이퍼(W)의 반입반출을 행할 수 있다.
제 3 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 동일한 처리 블록(4U, 4M, 4L)에 대응하는 제 1 전달부(14) 및 주연부 처리 유닛(19) 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다. 또한, 제 1 실시 형태에 따른 제 3 반송 장치(18)는, 주연부 처리 유닛(19)에 있어서 처리된 웨이퍼(W)를 검사부(15)로 반입하는 처리도 행한다.
주연부 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 주연부를 처리하는 주연부 처리를 행한다. 구체적으로, 주연부 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 베벨부로부터 막을 에칭 제거하는 주연부 제거 처리를 행한다. 여기서, 베벨부란, 웨이퍼(W)의 단면 및 그 주변에 형성된 경사부를 말한다. 경사부는, 웨이퍼(W)의 상면 주연부 및 하면 주연부에 각각 형성된다.
또한, 주연부 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리인 것을 요하지 않는다. 예를 들면, 주연부 처리 유닛(19)은, 웨이퍼(W)의 베벨부를 세정하는 주연부 세정 처리를 주연부 처리로서 행해도 된다.
여기서, 주연부 처리 유닛(19)의 구성예에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 주연부 처리 유닛(19)의 모식도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 주연부 처리 유닛(19)은, 챔버(81)와, 기판 유지 기구(82)와, 공급부(83)와, 회수 컵(84)을 구비한다.
챔버(81)는, 기판 유지 기구(82), 공급부(83) 및 회수 컵(84)을 수용한다. 챔버(81)의 천장부에는, 챔버(81) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(811)가 마련된다.
기판 유지 기구(82)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 유지부(821)와, 연직 방향으로 연장되어 유지부(821)를 지지하는 지주 부재(822)와, 지주 부재(822)를 연직축둘레로 회전시키는 구동부(823)를 구비한다.
유지부(821)는, 진공 펌프 등의 흡기 장치(도시하지 않음)에 접속되고, 이러한 흡기 장치의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여 웨이퍼(W)의 하면을 흡착함으로써 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 유지부(821)로서는, 예를 들면 포러스 척 또는 정전 척 등을 이용할 수 있다.
유지부(821)는, 웨이퍼(W)보다 소경의 흡착 영역을 가진다. 이에 의해, 후술하는 공급부(83)의 하측 노즐(832)로부터 토출되는 약액을 웨이퍼(W)의 하면 주연부에 공급할 수 있다.
공급부(83)는, 상측 노즐(831)과 하측 노즐(832)을 구비한다. 상측 노즐(831)은, 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치되고, 하측 노즐(832)은, 동일 웨이퍼(W)의 하방에 배치된다.
상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)에는, 밸브(71) 및 유량 조정기(72)를 개재하여 약액 공급원(73)이 접속된다. 상측 노즐(831)은, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 불산(HF) 또는 질산(HNO3) 등의 약액을 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 상면 주연부에 토출한다. 또한, 하측 노즐(832)은, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액을 기판 유지 기구(82)에 유지된 웨이퍼(W)의 하면 주연부에 토출한다.
또한, 공급부(83)는, 상측 노즐(831)을 이동시키는 제 1 이동 기구(833)와, 하측 노즐(832)을 이동시키는 제 2 이동 기구(834)를 구비한다. 이들 제 1 이동 기구(833) 및 제 2 이동 기구(834)를 이용하여 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)에 대한 약액의 공급 위치를 변경할 수 있다.
회수 컵(84)은, 기판 유지 기구(82)를 둘러싸도록 배치된다. 회수 컵(84)의 저부에는, 공급부(83)로부터 공급되는 약액을 챔버(81)의 외부로 배출하기 위한 배액구(841)와, 챔버(81) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(842)가 형성된다.
주연부 처리 유닛(19)은, 상기와 같이 구성되어 있으며, 웨이퍼(W)의 하면을 유지부(821)로 흡착 유지한 후, 구동부(823)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 주연부 처리 유닛(19)은, 상측 노즐(831)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 상면 주연부를 향해 약액을 토출하고, 또한 하측 노즐(832)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면 주연부를 향해 약액을 토출한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 베벨부에 부착된 막이 제거된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 베벨부에 부착된 파티클 등의 오염도 막과 함께 제거된다.
또한, 주연부 처리 유닛(19)은, 상기의 주연부 제거 처리를 행한 후, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 베벨부에 잔존하는 약액을 씻어내는 린스 처리를 행해도 된다. 또한, 주연부 처리 유닛(19)은, 린스 처리 후, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리를 행해도 된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(6)를 구비한다. 제어 장치(6)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(61)와 기억부(62)를 구비한다. 기억부(62)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(61)는, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(62)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(6)의 기억부(62)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한 제어부(61)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 된다.
주연부 제거 처리에 있어서는, 막의 제거폭(웨이퍼(W)의 외주연을 일단으로 하는 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따른 폭, 이하 '컷 폭'이라 기재함)이 규정된다. 그러나, 예를 들면 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)의 위치가 적절하지 않은 경우, 규정된 컷 폭에 대하여 실제의 컷 폭이 어긋날 우려가 있다. 또한, 기판 유지 기구(82)의 회전 중심에 대하여 웨이퍼(W)의 중심이 어긋나 있는 경우에는, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서 컷 폭에 불균일이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼(W)를 카메라로 촬상하고, 얻어진 화상에 기초하여, 주연부 제거 처리가 적절하게 실시되었는지 여부를 확인하는 작업이 행해지는 경우가 있다.
제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 주연부 제거 처리 후의 웨이퍼(W)의 베벨부를 검사하는 검사부(15)가, 주연부 처리 유닛(19)의 외부에, 또한, 복수의 주연부 처리 유닛(19)에 공통으로 1 개 마련된다.
<검사부의 구성>
이하, 제 1 실시 형태에 따른 검사부(15)의 구성에 대하여 도 6 ~ 도 11을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 6은 제 1 전달부(14) 및 검사부(15)를 측방에서 본 모식도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 검사부(15)는, 제 1 전달부(14)의 하방에 있어서 제 1 전달부(14)에 인접하여 마련된다.
이와 같이, 제 1 전달부(14)와 검사부(15)를 높이 방향으로 중첩하여 배치함으로써, 기판 처리 시스템(1)의 풋프린트의 증대를 억제할 수 있다. 또한, 제 1 전달부(14)의 하방에 검사부(15)를 배치함으로써, 가령 검사부(15)로부터 먼지 등이 낙하한경우라도, 낙하한 먼지 등이 제 1 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)에 부착하는 것을 억제할 수 있다.
도 7은 제 1 실시 형태에 따른 검사부(15)를 상방에서 본 모식도이며, 도 8은 제 1 실시 형태에 따른 검사부(15)를 측방에서 본 모식도이다. 또한 도 8에서는, 노치 검출 서브 유닛(300)을 생략하여 나타내고 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 검사부(15)는, 베이스 플레이트(100)와, 회전 유지 서브 유닛(200)(회전 유지부의 일례)과, 노치 검출 서브 유닛(300)(검출부의 일례)과, 제 1 촬상 서브 유닛(400)과, 제 2 촬상 서브 유닛(500)을 구비한다.
제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 제 1 반송 장치(13), 제 2 반송 장치(16) 및 제 3 반송 장치(18) 중, 제 2 반송 장치(16) 및 제 3 반송 장치(18)가 검사부(15)에 대하여 액세스한다.
구체적으로, 검사부(15)는, 서로 상이한 방향으로 개구되는 반입부(110) 및 반출부(120)를 구비한다. 반입부(110)는, 반송실(17)을 향해 개구되고, 반출부(120)는, 제 2 반송 장치(16)를 향해 개구된다. 제 3 반송 장치(18)는, 반입부(110)를 거쳐 웨이퍼(W)를 검사부(15)로 반입하고, 제 2 반송 장치(16)는, 반출부(120)를 거쳐 웨이퍼(W)를 검사부(15)로부터 반출한다.
베이스 플레이트(100)는, 예를 들면 판 형상의 부재이며, 각 서브 유닛(200 ~ 500)은, 베이스 플레이트(100) 상에 마련된다.
회전 유지 서브 유닛(200)은, 유지대(201)와, 액츄에이터(202)를 구비한다. 유지대(201)는, 예를 들면, 흡착 등에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 흡착 척이다. 유지대(201)는, 웨이퍼(W)보다 소경의 흡착 영역을 가진다. 액츄에이터(202)는, 예를 들면 전동 모터이며, 유지대(201)를 회전 구동한다.
노치 검출 서브 유닛(300)은, 웨이퍼(W)에 형성된 노치의 위치를 검출한다. 예를 들면, 노치 검출 서브 유닛(300)은, 도시하지 않는 횡방향 부재를 구비한다. 횡방향 부재의 하면에는 발광 소자가 마련되고, 상면에는 수광 소자가 마련된다. 회전 유지 서브 유닛(200)에 웨이퍼(W)가 배치된 상태에 있어서, 발광 소자로부터의 조사광은, 웨이퍼(W)의 주연부에 의해 차단되어, 수광 소자에는 조사광이 수광되지 않는다. 그러나, 회전 유지 서브 유닛(200)에 의한 회전에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 노치가 발광 소자에 대향하는 위치에 오면, 조사광은 노치를 통과하여 수광 소자에 수광된다. 이에 의해, 노치 검출 서브 유닛(300)은, 웨이퍼(W)에 형성된 노치의 위치를 검출할 수 있다.
도 9 및 도 10은 제 1 촬상 서브 유닛(400) 및 제 2 촬상 서브 유닛(500)을 기울기 상방에서 본 모식도이다. 또한, 도 11은 제 1 촬상 서브 유닛(400)을 측방에서 본 모식도이며, 도 11은 조명 모듈(420) 및 미러 부재(430)를 측방에서 본 모식도이다.
도 7 ~ 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 촬상 서브 유닛(400)은, 카메라(410)(일방면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(420)과, 미러 부재(430)를 구비한다.
카메라(410)는, 렌즈(411)와, 촬상 소자(412)를 구비한다. 카메라(410)의 광축은, 조명 모듈(420)을 향해 수평으로 연장되어 있다.
조명 모듈(420)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있다. 조명 모듈(420)은, 광원(421)과, 광 산란 부재(422)와, 유지 부재(423)를 구비한다.
광원(421)은, 예를 들면, 하우징(421a)과, 하우징(421a) 내에 배치된 복수의 LED 점 광원(421b)(도 11에서는 1 개만 도시)을 구비한다. 복수의 LED 점 광원(421b)은, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 일렬로 배열되어 배치된다.
광 산란 부재(422)는, 광원(421)과 중첩되도록 광원(421)에 접속된다. 광 산란 부재(422)에는, 광원(421) 및 광 산란 부재(422)가 중첩되는 방향에 있어서 연장되는 관통구(422a)가 형성된다. 관통구(422a)의 내벽면에는, 경면 가공이 실시되어 있다. 이에 의해, 광원(421)으로부터의 광이 광 산란 부재(422)의 관통구(422a) 내에 입사하면, 입사광이 관통구(422a) 내의 경면 부분에서 난반사하여, 산란광이 생성된다.
유지 부재(423)는, 광 산란 부재(422)와 중첩되도록 광 산란 부재(422)에 접속된다. 유지 부재(423)에는, 관통구(423a)와, 관통구(423a)에 교차하는 교차홀(423b)이 형성되어 있다. 관통구(423a)는, 광 산란 부재(422) 및 유지 부재(423)가 중첩되는 방향으로 연장되어 있다. 교차홀(423b)은, 관통구(423a)에 연통하고 있다.
유지 부재(423)는, 하프 미러(424)와, 원주 렌즈(425)와, 광 확산 부재(426)와, 초점 조절 렌즈(427)를 내부에 유지하고 있다. 하프 미러(424)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사진 상태로, 관통구(423a) 및 교차홀(423b)의 교차 부분에 배치된다. 하프 미러(424)는 직사각형 형상을 나타내고 있다.
원주 렌즈(425)는, 광 산란 부재(422)와 하프 미러(424)와의 사이에 배치된다. 원주 렌즈(425)는, 하프 미러(424)를 향해 돌출되는 볼록형의 원주 렌즈이다. 원주 렌즈(425)의 축은, 복수의 LED 점 광원(421b)이 배열되는 방향으로 연장되어 있다. 원주 렌즈(425)에 광 산란 부재(422)로부터의 산란광이 입사하면, 원주 렌즈(425)의 원주면의 둘레 방향을 따라 산란광이 확대된다.
광 확산 부재(426)는, 원주 렌즈(425)와 하프 미러(424)와의 사이에 배치된다. 광 확산 부재(426)는, 예를 들면 직사각형 형상을 나타내는 시트 부재이며, 원주 렌즈(425)를 투과한 광을 확산시킨다. 이에 의해, 광 확산 부재(426)에 있어서 확산광이 생성된다. 예를 들면, 광 확산 부재(426)는, 입사한 광을 광 확산 부재(426)의 면의 전방향으로 확산시키는 등방성(等方性) 확산 기능을 가지고 있어도 된다. 또한, 광 확산 부재(426)는, 입사한 광을 원주 렌즈(425)의 축 방향(원주 렌즈(425)의 원주면의 둘레 방향과 직교하는 방향)을 향해 확산시키는 이방성(異方性) 확산 기능을 가지고 있어도 된다.
초점 조절 렌즈(427)는, 교차홀(423b) 내에 배치된다. 초점 조절 렌즈(427)는, 렌즈(411)와의 합성 초점 거리를 변화시키는 기능을 가진다.
미러 부재(430)는, 조명 모듈(420)의 하방에 배치되어, 웨이퍼(W)의 단면(Wc)으로부터의 반사광을 반사시킨다. 미러 부재(430)는, 본체(431)와, 반사면(432)을 구비한다. 본체(431)는, 예를 들면 알루미늄 블록에 의해 구성된다. 반사면(432)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 단면(Wc)과 하면(Wb)의 주연 영역(We)에 대향한다. 반사면(432)은, 유지대(201)의 회전축에 대하여 경사져 있다.
반사면(432)은, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 단면(Wc)이 멀어지는 측을 향해 오목한 만곡면이다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 단면(Wc)이 반사면(432)에 비치면, 그 경상은 실상보다 확대된다. 반사면(432)의 곡률 반경은, 예를 들면, 10 mm 이상 30 mm 이하이다. 또한, 반사면(432)의 개구각(반사면(432)에 외접하는 2 개의 평면이 이루는 각)은, 예를 들면, 100도 이상 150도 이하이다.
조명 모듈(420)에 있어서, 광원(421)으로부터 출사된 광은, 광 산란 부재(422)로 산란되어, 원주 렌즈(425)로 확대되고, 또한 광 확산 부재(426)로 확산된 후, 하프 미러(424)를 전체적으로 통과하여 하방을 향해 조사된다. 하프 미러(424)를 통과한 확산광은, 하프 미러(424)의 하방에 위치하는 미러 부재(430)의 반사면(432)에서 반사된다. 확산광이 반사면(432)에서 반사된 반사광은, 주로 웨이퍼(W)의 단면(Wc)과, 상면(Wa)측의 주연 영역(Wd)에 조사된다.
웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 주연 영역(Wd)에서 반사된 반사광은, 미러 부재(430)의 반사면(432)으로는 향하지 않고, 하프 미러(424)에서 다시 반사되어, 초점 조절 렌즈(427)는 통과하지 않고 카메라(410)의 렌즈(411)를 통과하여, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사한다.
한편, 웨이퍼(W)의 단면(Wc)으로부터 반사된 반사광은, 미러 부재(430)의 반사면(432)과 하프 미러(424)에서 순차 반사되어, 초점 조절 렌즈(427)와 카메라(410)의 렌즈(411)를 순차 통과하여, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에 입사한다.
이와 같이, 카메라(410)의 촬상 소자(412)에는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 주연 영역(Wd)으로부터의 반사광과, 웨이퍼(W)의 단면(Wc) 및 미러 부재(430)로부터의 반사광의 쌍방이 입력된다. 따라서, 제 1 촬상 서브 유닛(400)에 의하면, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 주연 영역(Wd)(상면 주연부를 포함한 영역)과 웨이퍼(W)의 단면(Wc)의 쌍방을 동시에 촬상할 수 있다.
이어서, 제 2 촬상 서브 유닛(500)의 구성에 대하여 설명한다. 제 2 촬상 서브 유닛(500)은, 카메라(510)(타방면측 촬상부의 일례)와, 조명 모듈(520)을 구비한다.
카메라(510)는, 렌즈(511)와, 촬상 소자(512)를 구비한다. 카메라(510)의 광축은, 조명 모듈(520)을 향해 수평으로 연장되어 있다.
조명 모듈(520)은, 조명 모듈(420)의 하방에 있고, 유지대(201)에 유지된 웨이퍼(W)의 하방에 배치되어 있다. 조명 모듈(520)은, 하프 미러(521)와, 도시하지 않는 광원을 구비한다. 하프 미러(521)는, 예를 들면 수평 방향에 대하여 45도의 각도로 경사진 상태로 배치되어 있다. 하프 미러(521)는, 예를 들면 직사각형 형상을 나타내고 있다.
광원은, 하프 미러(521)의 하방에 위치하고 있다. 광원으로부터 출사된 광은, 하프 미러(521)를 전체적으로 통과하여 상방을 향해 조사된다. 하프 미러(521)를 통과한 광은, 카메라(510)의 렌즈(511)를 통과하여, 카메라(510)의 촬상 소자(512)에 입사한다. 즉, 카메라(510)는, 하프 미러(521)를 개재하여, 광원의 조사 영역에 존재하는 웨이퍼(W)의 하면(Wb)을 촬상할 수 있다.
<기판 처리 시스템의 구체적 동작>
이어서, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구체적인 동작에 대하여 도 12 ~ 도 15를 참조하여 설명한다. 도 12는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 13 ~ 도 15는 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 나타내는 도이다. 도 13 ~ 도 15에서는, 웨이퍼(W)의 흐름을 화살표로 나타내고 있다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 처리가 행해진다(단계(S101)). 반입 처리는, 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)를 주연부 처리 유닛(19)으로 반입하는 처리이다.
구체적으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 먼저, 제 1 반송 장치(13)가 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(14)에 수용한다. 이 때, 제 1 반송 장치(13)는, 복수의 웨이퍼(W)를 카세트(C)로부터 한 번에 취출하고, 취출한 복수의 웨이퍼(W)를 한 번에 제 1 전달부(14)에 수용한다. 그리고, 제 3 반송 장치(18)가, 제 1 전달부(14)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 주연부 처리 유닛(19)으로 반입한다. 이 때, 제 3 반송 장치(18)는, 제 1 전달부(14)로부터 복수(예를 들면 2 매)의 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 복수의 웨이퍼(W)를 복수의 주연부 처리 유닛(19)으로 반입해도 된다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 주연부 처리 유닛(19)에 있어서 주연부 처리가 행해진다(단계(S102)). 구체적으로, 주연부 처리 유닛(19)에서는, 먼저, 기판 유지 기구(82)의 유지부(821)가 웨이퍼(W)를 유지하고, 구동부(823)가 유지부(821)를 회전시킴으로써, 유지부(821)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이어서, 제 1 이동 기구(833) 및 제 2 이동 기구(834)가, 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)을 각각 웨이퍼(W)의 상방 및 하방의 정해진 위치에 배치시킨다.
이 후, 약액 공급원(73)으로부터 공급되는 약액이, 각각 상측 노즐(831) 및 하측 노즐(832)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 상면 주연부 및 하면 주연부에 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 베벨부로부터 막이 제거된다. 이 후, 주연부 처리 유닛(19)은, 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 검사 처리가 행해진다(단계(S103)). 도 14에 나타내는 바와 같이, 먼저, 제 3 반송 장치(18)가, 주연부 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 검사부(15)로 반입한다.
검사부(15)에서는, 먼저, 노치 얼라이먼트 처리가 행해진다. 노치 얼라이먼트 처리는, 웨이퍼(W)의 노치의 위치를 미리 정해진 위치에 맞추는 처리이다. 이어서, 검사부(15)에서는, 촬상 처리가 행해진다. 촬상 처리는, 웨이퍼(W)의 상면(Wa)의 주연 영역(Wd) 및 단면(Wc) 그리고 하면(Wb)의 주연 영역(We)을 촬상하는 처리이다. 검사부(15)는, 회전 유지 서브 유닛(200)을 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면 주연부와 단면과, 하면 주연부를 웨이퍼(W)의 전둘레에 걸쳐 촬상한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 주연부, 단면 및 하면 주연부의 웨이퍼(W) 전둘레에 걸쳐 화상 데이터를 얻을 수 있다.
이어서, 기판 처리 시스템(1)에서는, 반출 처리가 행해진다(단계(S104)). 반출 처리는, 검사부(15)에서의 검사를 끝낸 웨이퍼(W)를 카세트(C)로 되돌리는 처리이다.
구체적으로, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(16)가, 검사부(15)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 이어서, 도 15에 나타내는 바와 같이, 취출한 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(14)로 반입한다. 이 후, 제 1 반송 장치(13)가, 제 1 전달부(14)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 카세트(C)에 수용한다. 이 때, 제 1 반송 장치(13)는, 제 1 전달부(14)에 배치된 복수의 웨이퍼(W)를 한 번에 취출하고, 취출한 복수의 웨이퍼(W)를 카세트(C)에 한 번에 수용해도 된다.
특허 문헌 1에 따른 기판 처리 장치에서는, 처리 스테이션에 배치되는 대검사부 반송 장치가, 처리부에 대한 기판의 반입반출과, 검사부에 대한 기판의 반입반출을 행하고 있다. 이 때문에, 대검사부 반송 장치의 처리 부하가 높아, 기판 처리 장치에 있어서의 처리의 스루풋이, 대검사부 반송 장치에 있어서 율속(律速)할 우려가 있다.
이에 대하여, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 검사부(15)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(14)로 반입하는 제 2 반송 장치를 마련함으로써, 제 3 반송 장치(18)의 처리 부하를 저감하는 것으로 했다. 이에 의해, 기판 처리 시스템(1)의 스루풋이 제 3 반송 장치(18)에 있어서 율속하는 것을 억제할 수 있다. 환언하면, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 기판 처리의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
[제 2 실시 형태]
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 제 2 실시 형태에서는, 검사부(15)로부터의 웨이퍼(W)의 반출뿐 아니라, 검사부(15)로의 웨이퍼(W)의 반입도 제 2 반송 장치(16)가 담당한다. 도 16은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다. 도 17은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다. 도 17에서는, 각종 반송 장치를 생략하고, 제 1 전달부(14A), 검사부(15A), 제 2 전달부(20) 및 주연부 처리 유닛(19)의 배치를 주로 나타내고 있다. 도 18은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 전달 스테이션을 후방에서 본 레이아웃도이다.
도 16 ~ 도 18에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(4)과의 사이에, 전달 스테이션(3)을 구비한다.
전달 스테이션(3)에는, 복수의 제 2 전달부(20)가 배치된다. 또한, 전달 스테이션(3)에는, 대검사부 반송 장치의 일례인 복수의 제 2 반송 장치(16A)와, 전달부간 반송 장치의 일례인 제 4 반송 장치(21)가 배치된다.
제 2 전달부(20)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능하며, 주연부 처리 유닛(19)에 대하여 반입반출되는 웨이퍼(W)가 배치된다. 제 2 전달부(20)는, 처리 스테이션(4)의 반송실(17)에 인접하는 위치에 배치된다. 제 1 전달부(14A)와 제 2 전달부(20)는, 반입반출 스테이션(2), 전달 스테이션(3) 및 처리 스테이션(4)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 배치된다.
복수(여기서는, 3 개)의 제 2 전달부(20)는, 높이 방향으로 적층되어 있고, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에 각각 대응한다(도 17 참조). 제 2 전달부(20)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
제 2 반송 장치(16A) 및 제 4 반송 장치(21)는, 제 1 전달부(14A)와 제 2 전달부(20)와의 사이에 배치된다. 구체적으로, 제 2 반송 장치(16A) 및 제 4 반송 장치(21)는, 제 1 전달부(14A)에서 봤을 때 기울기 후방, 또한, 제 2 전달부(20)에서 봤을 때 기울기 전방에 배치된다.
제 2 반송 장치(16A) 및 제 4 반송 장치(21)는, 1 매의 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 지지부를 복수 구비한다. 예를 들면, 제 2 반송 장치(16A)는, 2 개의 지지부를 구비하고 있고, 지지부마다 웨이퍼(W)의 반입반출을 행할 수 있다. 한편, 제 4 반송 장치(21)는, 제 2 반송 장치(16A)보다 많은 지지부를 구비한다. 예를 들면, 제 4 반송 장치(21)는, 5 개의 지지부를 구비하고 있다.
제 2 반송 장치(16A) 및 제 4 반송 장치(21)는, 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 제 2 반송 장치(16A)는, 제 2 전달부(20) 및 검사부(15A) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송과, 검사부(15A) 및 제 1 전달부(14A) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 제 4 반송 장치(21)는, 제 1 전달부(14A) 및 제 2 전달부(20) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 2 반송 장치(16A)는, 높이 방향으로 적층되어 있고, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에 각각 대응한다. 한편, 제 4 반송 장치(21)는, 전달 스테이션(3)에 1 개만 배치되어 있고, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)의 모두에 대응하고 있다. 즉, 제 4 반송 장치(21)는, 제 1 전달부(14A)로부터 취출한 웨이퍼(W)를 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L) 중 어느 하나에 대응하는 제 2 전달부(20)로도 반입 가능하다. 제 4 반송 장치(21)는, 제 1 전달부(14A)로부터 복수(예를 들면 5 매)의 웨이퍼(W)를 한 번에 취출하고, 취출한 복수의 웨이퍼(W)를 한 번에 제 2 전달부(20)로 반입할 수 있다.
제 2 반송 장치(16A)는, 검사부(15A)에 대하여 비스듬하게 액세스한다. 도 19는 제 2 실시 형태에 따른 검사부(15A)를 상방에서 본 모식도이다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 검사부(15A)는, 제 2 반송 장치(16A)를 향해 개구되는 반입반출부(130)를 구비한다. 구체적으로, 반입반출부(130)는, 반입반출 스테이션(2), 전달 스테이션(3) 및 처리 스테이션(4)의 배열 방향에 대하여 비스듬하게 개구되어 있다. 제 2 반송 장치(16A)는, 이러한 반입반출부(130)를 개재하여 검사부(15A)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다.
또한, 제 1 전달부(14A) 및 제 2 전달부(20)는, 상이한 3 방향으로부터 액세스 가능하게 구성된다. 도 20은 제 2 실시 형태에 따른 제 1 전달부(14A)를 상방에서 본 모식도이다. 또한, 도 21은 제 2 실시 형태에 따른 제 2 전달부(20)를 상방에서 본 모식도이다.
도 20에 나타내는 바와 같이, 제 1 전달부(14A)는, 예를 들면 3 개의 지지 부재(141)를 구비한다. 각 지지 부재(141)에는, 높이 방향을 따라 복수의 홈이 형성되어 있고, 각 홈에 있어서 웨이퍼(W)의 하면을 지지한다.
3 개의 지지 부재(141)는, 예를 들면, 120도 간격으로 배치된다. 제 1 반송 장치(13), 제 2 반송 장치(16A) 및 제 4 반송 장치(21)는, 2 개의 지지 부재(141) 사이의 간극으로부터 제 1 전달부(14A)에 액세스하여, 제 1 전달부(14A)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 행한다.
구체적으로, 제 1 반송 장치(13)는, 제 1 반송 장치(13)를 향해 개구되는 반입반출부(142)를 개재하여, 각 스테이션(2 ~ 4)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 제 1 전달부(14A)에 액세스한다. 제 4 반송 장치(21)는, 반입반출부(142)가 개구되는 방향(X축 방향)에 대하여 기울기의 방향으로 개구되는 반출부(143)를 개재하여 제 1 전달부(14A)에 대하여 기울기의 방향으로부터 액세스한다. 제 2 반송 장치(16A)도 마찬가지로, 반입반출부(142)가 개구되는 방향(X축 방향)에 대하여 기울기의 방향으로 개구되는 반입부(144)를 개재하여 제 1 전달부(14A)에 대하여 기울기의 방향으로부터 액세스한다.
도 21에 나타내는 제 2 전달부(20)도 제 1 전달부(14A)와 동일한 구성을 가진다. 즉, 제 2 전달부(20)는, 120도 간격으로 배치된 3 개의 지지 부재(211)를 구비하고 있고, 각 지지 부재(211)의 사이에 각각 반입반출부(212), 반입부(213) 및 반출부(214)를 가진다.
제 3 반송 장치(18)는, 처리 스테이션(4)의 반송실(17)을 향해 개구되는 반입반출부(212)를 개재하여, 각 스테이션(2 ~ 4)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 제 2 전달부(20)에 액세스한다. 제 4 반송 장치(21)는, 반입반출부(212)가 개구되는 방향(X축 방향)에 대하여 기울기의 방향으로 개구되는 반입부(213)를 개재하여 제 2 전달부(20)에 대하여 기울기의 방향으로부터 액세스한다. 제 2 반송 장치(16A)도 마찬가지로, 반입반출부(212)가 개구되는 방향(X축 방향)에 대하여 기울기의 방향으로 개구되는 반출부(214)를 개재하여 제 2 전달부(20)에 대하여 기울기의 방향으로부터 액세스한다.
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 22 ~ 도 24를 참조하여 설명한다. 도 22 ~ 도 24는 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 나타내는 도이다. 도 22 ~ 도 24에서는, 웨이퍼(W)의 흐름을 화살표로 나타내고 있다. 도 22 및 도 23에서는, 처리부 간에 2 개의 화살표가 존재하는 경우, 최초의(가는) 화살표를 실선으로, 후의(돌아오는) 화살표를 파선으로 나타내고 있다. 또한, 제 2 실시 형태에 따른 일련의 기판 처리의 처리 순서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 도 12에 나타내는 바와 같다.
도 22에 나타내는 바와 같이, 먼저, 제 1 반송 장치(13)가, 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(14A)로 반입한다. 제 1 반송 장치(13)는, 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 제 1 전달부(14A)로 반입한다. 이어서, 제 4 반송 장치(21)가, 제 1 전달부(14A)로부터 복수의 웨이퍼(W)를 한 번에 취출하여, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L) 중 어느 하나에 대응하는 제 2 전달부(20)로 한 번에 반입한다. 또한 제 4 반송 장치(21)는, 웨이퍼(W)의 반입처를 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L) 사이에서 순서대로 전환해도 된다.
이어서, 제 3 반송 장치(18)가, 제 2 전달부(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 주연부 처리 유닛(19)으로 반입하고, 주연부 처리 유닛(19)이, 웨이퍼(W)에 대하여 주연부 제거 처리를 행한다. 주연부 처리 유닛(19)에 의한 처리가 완료되면, 제 3 반송 장치(18)가, 주연부 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 제 2 전달부(20)로 반입한다.
이어서, 도 23에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(16A)가, 제 2 전달부(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 검사부(15A)로 반입하고, 검사부(15A)가, 웨이퍼(W)에 대하여 검사 처리를 행한다. 검사부(15A)에 의한 검사 처리가 완료되면, 제 2 반송 장치(16A)가, 검사부(15A)로부터 웨이퍼(W)를 취출한다.
이어서, 도 24에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(16A)가, 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(14A)로 반입한다. 그리고, 제 1 반송 장치(13)가, 제 1 전달부(14A)에 배치된 복수의 웨이퍼(W)를 취출하여 카세트(C)에 수용한다.
이와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 의하면, 제 3 반송 장치(18)의 처리 부하 중, 검사부(15A)로의 웨이퍼(W)의 반입 및 검사부(15A)로부터의 웨이퍼(W)의 반출에 요하는 처리 부하를 저감시킬 수 있다.
또한, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 의하면, 제 4 반송 장치(21)를 구비함으로써, 제 1 전달부(14A)로부터 제 2 전달부(20)로의 웨이퍼(W)의 반송 효율을 높일 수 있다.
[제 3 실시 형태]
이어서, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 도 25 ~ 도 27을 참조하여 설명한다. 도 25는 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 상방에서 본 레이아웃도이다. 도 26 및 도 27은 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 측방에서 본 레이아웃도이다.
도 25 ~ 도 27에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)은, 반입반출 스테이션(2)의 반송실(12)에 제 3 전달부(14_1)와 복수의 제 4 전달부(14_2)를 구비한다.
제 3 전달부(14_1)에는, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리되기 전의 웨이퍼(W)가 배치된다. 제 3 전달부(14_1)는, 제 4 반송 장치(21)에 대응하는 위치, 구체적으로, 제 4 반송 장치(21)의 전방(X축 부방향)에 배치된다. 도 26에 나타내는 바와 같이, 제 3 전달부(14_1)는, 반입반출 스테이션(2)의 반송실(12)에 1 개만 마련된다.
복수의 제 4 전달부(14_2)에는, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리된 후의 웨이퍼(W)가 배치된다. 복수의 제 4 전달부(14_2)는, 복수의 제 2 반송 장치(16)에 대응하는 위치, 구체적으로, 각 제 2 반송 장치(16)의 전방(X축 부방향)에 배치된다. 즉, 도 27에 나타내는 바와 같이, 각 제 4 전달부(14_2)는, 검사부(15)와 함께 1 개의 블록을 형성하고 있고, 각 블록은, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에 대응하는 높이에 배치된다.
이어서, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우에 대하여 도 28 및 도 29를 참조하여 설명한다. 도 28 및 도 29는 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 28에 나타내는 바와 같이, 먼저, 제 1 반송 장치(13)가, 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 3 전달부(14_1)로 반입한다. 제 1 반송 장치(13)는, 복수의 웨이퍼(W)를 일괄하여 제 3 전달부(14_1)로 반입한다. 이어서, 제 4 반송 장치(21)가, 제 3 전달부(14_1)로부터 복수의 웨이퍼(W)를 한 번에 취출하여, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L) 중 어느 하나에 대응하는 제 2 전달부(20)로 한 번에 반입한다.
이어서, 제 3 반송 장치(18)가, 제 2 전달부(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 주연부 처리 유닛(19)로 반입하고, 주연부 처리 유닛(19)이, 웨이퍼(W)에 대하여 주연부 제거 처리를 행한다. 주연부 처리 유닛(19)에 의한 처리가 완료되면, 제 3 반송 장치(18)가, 주연부 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 제 2 전달부(20)로 반입한다.
이어서, 제 2 반송 장치(16)가, 제 2 전달부(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 검사부(15)로 반입하고, 검사부(15)가, 웨이퍼(W)에 대하여 검사 처리를 행한다. 검사부(15)에 의한 검사 처리가 완료되면, 제 2 반송 장치(16)가, 검사부(15)로부터 웨이퍼(W)를 취출한다.
이어서, 도 29에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(16)가, 웨이퍼(W)를 제 4 전달부(14_2)로 반입한다. 그리고, 제 1 반송 장치(13)가, 제 4 전달부(14_2)에 배치된 복수의 웨이퍼(W)를 취출하여 카세트(C)에 수용한다.
이와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 의하면, 제 2 실시 형태와 같이, 제 3 반송 장치(18)의 처리 부하 중, 검사부(15)로의 웨이퍼(W)의 반입 및 검사부(15)로부터의 웨이퍼(W)의 반출에 요하는 처리 부하를 저감시킬 수 있다.
또한, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 의하면, 제 3 전달부(14_1)를 구비함으로써, 제 2 반송 장치(16)의 제 4 전달부(14_2)로의 액세스와, 제 4 반송 장치(21)의 제 3 전달부(14_1)로의 액세스를 병행하여 행할 수 있다. 따라서, 제 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)에 의하면, 스루풋의 가일층의 향상을 도모할 수 있다.
(제 1 변형예)
상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템이, 웨이퍼(W)의 일부의 영역인 주연부만을 검사하는 검사부를 구비하는 경우의 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 기판 처리 시스템은, 웨이퍼(W)의 전면을 검사하는 검사부를 구비하고 있어도 된다. 이 경우의 예에 대하여 도 30 및 도 31을 참조하여 설명한다. 도 30 및 도 31은, 제 1 변형예에 따른 기판 처리 시스템에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 플로우를 나타내는 도이다. 또한 도 30 및 도 31에서는, 일례로서, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에 전면 검사부(22)가 마련되는 경우를 나타내고 있다.
도 30 및 도 31에 나타내는 바와 같이, 제 1 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1C)은, 전면 검사부(22)를 더 구비한다. 전면 검사부(22)는, 예를 들면, 반입반출 스테이션(2)의 반송실(12) 및 전달 스테이션(3)에 걸쳐 배치된다. 또한, 전면 검사부(22)는, 예를 들면, 제 4 반송 장치(21)의 측방(Y축 정방향측)에 배치된다.
여기서, 전면 검사부(22)의 구성에 대하여 도 32 및 도 33을 참조하여 설명한다. 도 32는 제 1 변형예에 따른 전면 검사부(22)를 상방에서 본 단면도이다. 또한, 도 33은, 제 1 변형예에 따른 전면 검사부(22)를 측방에서 본 단면도이다.
도 32 및 도 33에 나타내는 바와 같이, 전면 검사부(22)는, 케이싱(51)을 가지고 있다. 케이싱(51) 내에는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부(52)가 마련되어 있다. 유지부(52)는, 예를 들면 진공 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지한다.
케이싱(51)의 저면에는, Y축 방향을 따라 연장되는 가이드 레일(53)이 마련되어 있다. 가이드 레일(53) 상에는, 유지부(52)를 회전시키고, 또한 가이드 레일(53)을 따라 이동 가능한 구동부(54)가 마련되어 있다.
케이싱(51) 내의 측면에는, 촬상부(55)가 마련되어 있다. 촬상부(55)로서는, 예를 들면 광각형의 CCD 카메라가 이용된다. 케이싱(51)의 상부 중앙 부근에는, 하프 미러(56)가 마련되어 있다. 하프 미러(56)는, 촬상부(55)와 대향하는 위치에, 경면이 연직 하방을 향한 상태로부터 촬상부(55)의 방향을 향해 45도 상방으로 경사진 상태로 마련된다.
하프 미러(56)의 상방에는, 조명 장치(57)가 마련되어 있다. 하프 미러(56)와 조명 장치(57)는, 케이싱(51) 내부의 상면에 고정되어 있다. 조명 장치(57)로부터의 조명은, 하프 미러(56)를 통과하여 하방을 향해 비추어진다. 따라서, 조명 장치(57)의 하방에 있는 물체에 의해 반사된 광은, 하프 미러(56)에서 더 반사되어, 촬상부(55)로 받아들여진다. 즉, 촬상부(55)는, 조명 장치(57)에 의한 조사 영역에 있는 물체를 촬상할 수 있다.
전면 검사부(22)는, 구동부(54)를 이용하여 유지부(52)를 가이드 레일(53)을 따라 이동시키면서 촬상부(55)에 의한 촬상을 행한다. 이에 의해, 전면 검사부(22)는, 웨이퍼(W)의 표면 전체의 화상을 얻을 수 있다.
기판 처리 시스템(1C)은, 예를 들면, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리되기 전의 웨이퍼(W)에 대하여, 전면 검사부(22)를 이용한 검사 처리를 행한다(도 30 참조). 이 후, 기판 처리 시스템(1C)은, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리된 후의 웨이퍼(W)에 대하여, 검사부(15A)를 이용한 검사 처리를 행한다(도 31 참조).
먼저, 도 30에 나타내는 바와 같이, 제 1 반송 장치(13)가, 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(14A)로 반입한다. 이어서, 제 4 반송 장치(21)가, 제 1 전달부(14A)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 전면 검사부(22)로 반입하고, 전면 검사부(22)가 웨이퍼(W)에 대하여 검사 처리를 행한다. 구체적으로, 전면 검사부(22)는, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 촬상한다. 이에 의해, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리되기 전의 웨이퍼(W)의 표면 전체의 상태, 예를 들면, 파티클의 유무 및 막 두께 등을 파악할 수 있다.
전면 검사부(22)에 의한 검사 처리가 완료되면, 제 4 반송 장치(21)가, 전면 검사부(22)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 전달부(20)로 반입한다. 이 후에는 제 2 실시 형태에 있어서 설명한 바와 같으며, 도 31에 나타내는 바와 같이, 제 2 반송 장치(16A)가, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리된 후의 웨이퍼(W)를 제 2 전달부(20)로부터 취출하여 검사부(15A)로 반입하고, 검사부(15A)가 웨이퍼(W)에 대하여 검사 처리를 행한다. 구체적으로, 검사부(15A)는, 웨이퍼(W)의 주연부를 촬상한다.
이와 같이, 기판 처리 시스템(1C)은, 웨이퍼(W)의 주연부만을 촬상하는 검사부(15A) 외에, 웨이퍼(W)의 전면을 촬상하는 전면 검사부(22)를 구비하고 있어도 된다.
또한, 전면 검사부(22)는, 상단 처리 블록(4U), 중단 처리 블록(4M) 및 하단 처리 블록(4L)에 대응하여 다단으로 배치되어도 된다. 이 경우, 제 4 반송 장치(21)도 마찬가지로 다단으로 배치되어도 된다. 이에 의해, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기서는, 기판 처리 시스템(1C)이, 검사부(15A) 및 전면 검사부(22)의 양방을 구비하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 기판 처리 시스템(1C)은, 전면 검사부(22)만을 구비하는 구성이어도 된다. 이 경우, 전면 검사부(22)는, 예를 들면, 제 2 반송 장치(16A)의 측방(Y축 부방향측)에 배치되고, 주연부 처리 유닛(19)에 의해 처리된 후의 웨이퍼(W)에 대하여 검사 처리를 행해도 된다.
(제 2 변형예)
상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 시스템이, 주연부 처리 유닛(19)을 구비하는 경우의 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 기판 처리 시스템은, 주연부 처리 유닛(19)에 더하여, 웨이퍼(W)의 하면 전체를 처리하는 하면 처리 유닛(하면 처리부의 일례)을 구비하고 있어도 된다. 이 경우의 예에 대하여 도 34 및 도 35를 참조하여 설명한다. 도 34는 제 2 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1D)을 상방에서 본 레이아웃도이다. 또한, 도 35는 제 2 변형예에 따른 하면 처리 유닛의 모식도이다.
도 34에 나타내는 바와 같이, 제 2 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1D)은, 처리 스테이션(4)에 복수의 주연부 처리 유닛(19) 및 복수의 하면 처리 유닛(23)을 구비한다. 구체적으로, 반송실(17)의 Y축 정방향측에는 주연부 처리 유닛(19)과 하면 처리 유닛(23)이 X축 방향을 따라 횡 배열로 배치된다. 또한, 반송실(17)의 Y축 부방향측도 마찬가지로, 주연부 처리 유닛(19)과 하면 처리 유닛(23)이 X축 방향을 따라 횡 배열로 배치된다.
하면 처리 유닛(23)은, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 정해진 처리를 행한다. 예를 들면, 하면 처리 유닛(23)은, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막을 에칭 제거하는 하면 제거 처리(하면 처리의 일례)를 행한다.
도 35에 나타내는 바와 같이, 하면 처리 유닛(23)은, 챔버(91)와, 기판 유지 기구(92)와, 공급부(93)와, 회수 컵(94)을 구비한다. 챔버(91)는, 기판 유지 기구(92), 공급부(93) 및 회수 컵(94)을 수용한다. 챔버(91)의 천장부에는, 챔버(91) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(911)가 마련된다.
기판 유지 기구(92)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하는 유지부(921)와, 연직 방향으로 연장되어 유지부(921)를 지지하는 지주 부재(922)와, 지주 부재(922)를 연직축둘레로 회전시키는 구동부(923)를 구비한다. 유지부(921)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 복수의 파지부(921a)가 마련되어 있고, 웨이퍼(W)는 이러한 파지부(921a)에 의해 유지부(921)의 상면으로부터 약간 이간된 상태로 수평으로 유지된다.
공급부(93)는, 유지부(921) 및 지주 부재(922)의 중공부에 삽입 관통된다. 공급부(93)의 내부에는 연직 방향으로 연장되는 유로가 형성되어 있다. 유로에는, 밸브(74) 및 유량 조정기(75)를 개재하여 약액 공급원(76)이 접속된다. 공급부(93)는, 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액을 웨이퍼(W)의 하면에 공급한다.
회수 컵(94)은, 기판 유지 기구(92)를 둘러싸도록 배치된다. 회수 컵(94)의 저부에는, 공급부(93)로부터 공급되는 약액을 챔버(91)의 외부로 배출하기 위한 배액구(941)와, 챔버(91) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(942)가 형성된다.
하면 처리 유닛(23)은, 상기와 같이 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 주연부를 유지부(921)의 복수의 파지부(921a)로 유지한 후, 구동부(923)를 이용하여 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 하면 처리 유닛(23)은, 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면 중심부를 향해 약액을 토출한다. 웨이퍼(W)의 하면 중심부에 공급된 약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 웨이퍼(W)의 하면의 전면에 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막이 제거된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 하면에 부착된 파티클 등의 오염도 막과 함께 제거된다.
또한, 하면 처리 유닛(23)은, 상기의 하면 제거 처리를 행한 후, 공급부(93)로부터 순수 등의 린스액을 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 하면에 잔존하는 약액을 씻어내는 린스 처리를 행해도 된다. 또한, 하면 처리 유닛(23)은, 린스 처리 후, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조 처리를 행해도 된다.
또한, 여기서는, 하면 처리 유닛(23)이, 하면 처리의 일례로서, 웨이퍼(W)의 하면의 전면으로부터 막을 제거하는 하면 제거 처리를 행하는 것으로 하지만, 하면 처리는, 반드시 막을 제거하는 처리인 것을 요하지 않는다. 예를 들면, 하면 처리 유닛(23)은, 웨이퍼(W)의 하면의 전면을 세정하는 하면 세정 처리를 하면 처리로서 행해도 된다.
제 2 변형예에 따른 기판 처리 시스템(1D)에서는, 예를 들면, 주연부 처리 유닛(19)에 의한 처리를 끝낸 웨이퍼(W)에 대하여 하면 처리 유닛(23)에 의한 처리가 행해진다. 구체적으로, 제 3 반송 장치(18)가, 주연부 처리 유닛(19)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 하면 처리 유닛(23)으로 반입한다. 그리고, 하면 처리 유닛(23)이, 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 하면 제거 처리를 행한다. 구체적으로, 하면 처리 유닛(23)에서는, 먼저, 기판 유지 기구(92)의 유지부(921)가 웨이퍼(W)를 유지하고, 구동부(923)가 유지부(921)를 회전시킴으로써, 유지부(921)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
이 후, 약액 공급원(76)으로부터 공급되는 약액이, 공급부(93)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 중앙부에 공급된다. 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 중앙부에 공급된 약액은, 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여 하면(Wb)의 전면에 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 하면(Wb)의 전면으로부터 막이 제거된다. 이 후, 하면 처리 유닛(23)은, 린스 처리 및 건조 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다. 하면 처리 유닛(23)이 하면 제거 처리를 끝내면, 제 3 반송 장치(18)가 하면 처리 유닛(23)으로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 제 1 전달부(14)로 반입한다.
이와 같이, 기판 처리 시스템은, 웨이퍼(W)의 하면 전체를 처리하는 하면 처리 유닛(23)을 구비하고 있어도 된다.
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(일례로서, 기판 처리 시스템(1, 1A ~ 1D))는, 처리부(일례로서, 주연부 처리 유닛(19))와, 전달부(일례로서, 제 1 전달부(14, 14A), 제 2 전달부(20), 제 3 전달부(14_1), 제 4 전달부(14_2))와, 대처리부 반송 장치(일례로서, 제 3 반송 장치(18))와, 검사부(일례로서, 검사부(15, 15A))와, 대검사부 반송 장치(일례로서, 제 2 반송 장치(16, 16A))를 구비한다. 처리부는, 기판(일례로서, 웨이퍼(W))의 주연부를 처리한다. 전달부에서는, 기판의 전달이 행해진다. 대처리부 반송 장치는, 전달부와 처리부와의 사이에서 기판의 반입반출을 행한다. 검사부는, 기판의 주연부의 처리 상태를 검사한다. 대검사부 반송 장치는, 검사부로부터 기판을 취출하여 전달부로 반입한다.
따라서, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 주연부 처리를 행하는 처리부 및 기판의 주연부를 검사하는 검사부를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 반송에 기인하는 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
대처리부 반송 장치는, 처리부로부터 기판을 취출하여 검사부로 반입해도 된다. 이 경우, 검사부(일례로서, 검사부(15))는, 서로 상이한 방향으로 개구되는 반입부(일례로서, 반입부(110)) 및 반출부(일례로서, 반출부(120))를 가지고, 대처리부 반송 장치에 의한 기판의 반입이 반입부를 개재하여 행해지고, 대검사부 반송 장치(일례로서, 제 2 반송 장치(16))에 의한 기판의 반출이 반출부를 개재하여 행해져도 된다.
이에 의해, 대처리부 반송 장치의 처리 부하 중, 검사부로부터 전달부로의 기판의 반송에 요하는 처리 부하를 저감시킬 수 있다.
실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 처리부, 복수의 전달부(일례로서, 제 1 전달부(14)), 복수의 검사부(일례로서, 검사부(15)), 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치(일례로서, 제 2 반송 장치(16))를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 복수의 처리부, 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되어도 된다. 또한, 1 개의 전달부 및 1 개의 검사부를 포함하는 블록은, 단수로 적층되어도 된다. 또한, 복수의 대검사부 반송 장치는, 대응하는 블록의 검사부로부터 기판을 취출하여 당해 블록의 전달부로 반입해도 된다.
다단으로 구성함으로써, 기판 처리 장치 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 각 단에 대응하여 대검사부 반송 장치를 마련함으로써, 기판 반송에 의한 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
전달부는, 복수의 기판을 수용 가능한 카세트(일례로서, 카세트(C))에 반입반출되는 기판이 배치되는 제 1 전달부(일례로서, 제 1 전달부(14A))와, 처리부에 반입반출되는 기판이 배치되는 제 2 전달부(일례로서, 제 2 전달부(20))를 포함하고 있어도 된다. 또한, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(일례로서, 기판 처리 시스템(1A))는, 카세트와 제 1 전달부와의 사이에서 기판의 반입반출을 행하는 대카세트 반송 장치(일례로서, 제 1 반송 장치(13))를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 대검사부 반송 장치는, 제 2 전달부로부터 기판을 취출하여 검사부(일례로서, 검사부(15A))로 반입하고, 검사부로부터 기판을 취출하여 제 1 전달부로 반입해도 된다.
이에 의해, 대처리부 반송 장치의 처리 부하 중, 검사부로의 기판의 반입 및 검사부로부터의 기판의 반출에 요하는 처리 부하를 저감시킬 수 있다.
실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 제 1 전달부로부터 기판을 취출하여 제 2 전달부로 반입하는 전달부간 반송 장치(일례로서, 제 4 반송 장치(21))를 더 구비하고 있어도 된다. 제 4 반송 장치를 구비함으로써, 제 1 전달부로부터 제 2 전달부로의 기판의 반송 효율을 높일 수 있다.
실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 처리부, 복수의 제 1 전달부, 복수의 제 2 전달부, 복수의 검사부, 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 복수의 처리부, 복수의 제 2 전달부, 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되어도 된다. 또한, 1 개의 제 1 전달부 및 1 개의 검사부를 포함하는 블록은, 다단으로 적층되어도 된다. 또한, 대검사부 반송 장치는, 복수의 블록 중 1 개에 대응하고, 대응하는 블록의 검사부로부터 기판을 취출하여 당해 블록의 제 1 전달부로 반입해도 된다. 또한, 전달부간 반송 장치는, 복수의 제 1 전달부 및 복수의 제 2 전달부에 대응해도 된다.
제 1 전달부는, 처리부에 의해 처리되기 전의 기판이 배치되는 제 3 전달부(일례로서, 제 3 전달부(14_1))와, 처리부에 의해 처리된 후의 기판이 배치되는 제 4 전달부(일례로서, 제 4 전달부(14_2))를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 전달부간 반송 장치는, 처리부에 의해 처리되기 전의 기판을 제 3 전달부로부터 취출하여 제 2 전달부로 반송해도 된다. 또한, 대검사부 반송 장치는, 처리부에 의해 처리된 후의 기판을 제 2 전달부로부터 취출하여 제 4 전달부로 반송해도 된다.
제 3 전달부를 구비함으로써, 대검사부 반송 장치의 제 4 전달부로의 액세스와, 전달부간 반송 장치의 제 3 전달부로의 액세스를 병행하여 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋의 가일층의 향상을 도모할 수 있다.
실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 처리부, 복수의 제 2 전달부, 복수의 제 4 전달부, 복수의 검사부, 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 복수의 처리부, 복수의 제 2 전달부, 복수의 대처리부 반송 장치 및 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되어도 된다. 또한, 1 개의 제 4 전달부 및 1 개의 검사부를 포함하는 블록은, 다단으로 적층되어도 된다. 또한, 대검사부 반송 장치는, 복수의 블록 중 1 개에 대응하고, 대응하는 블록의 검사부로부터 기판을 취출하여 당해 블록의 제 4 전달부로 반입해도 된다. 또한, 전달부간 반송 장치는, 1 개의 제 3 전달부로부터 기판을 취출하여 복수의 제 2 전달부 중 어느 하나로 반입해도 된다.
제 2 전달부는, 반입반출부(일례로서, 반입반출부(212))와, 반입부(일례로서, 반입부(213))와, 반출부(일례로서, 반출부(214))를 구비한다. 반입반출부는, 대처리부 반송 장치가 배치되는 반송실(일례로서, 반송실(17))을 향해 개구된다. 반입부는, 반입반출부가 개구되는 방향에 대하여 제 1 경사 방향으로 개구되어, 전달부간 반송 장치에 의한 기판의 반입이 행해진다. 반출부는, 반입반출부가 개구되는 방향에 대하여 제 2 경사 방향으로 개구되어, 대검사부 반송 장치에 의한 기판의 반출이 행해진다.
전달부간 반송 장치 및 대검사부 반송 장치에 의한 제 2 전달부로의 액세스 방향을 경사 방향으로 함으로써, 설치면에 대하여 기판 처리 장치가 차지하는 면적인 풋프린트를 적게 억제할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

Claims (10)

  1. 기판의 주연부를 처리하는 처리부와,
    상기 기판의 전달이 행해지는 전달부와,
    상기 전달부와 상기 처리부와의 사이에서 상기 기판의 반입반출을 행하는 대처리부 반송 장치와,
    상기 기판의 주연부의 처리 상태를 검사하는 검사부와,
    상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 전달부로 반입하는 대검사부 반송 장치
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 대처리부 반송 장치는, 상기 처리부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 검사부로 반입하고,
    상기 검사부는, 서로 상이한 방향으로 개구되는 반입부 및 반출부를 가지고, 상기 대처리부 반송 장치에 의한 상기 기판의 반입이 상기 반입부를 개재하여 행해지고, 상기 대검사부 반송 장치에 의한 상기 기판의 반출이 상기 반출부를 개재하여 행해지는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    복수의 상기 처리부, 복수의 상기 전달부, 복수의 상기 검사부, 복수의 상기 대처리부 반송 장치 및 복수의 상기 대검사부 반송 장치
    를 구비하고,
    상기 복수의 처리부, 상기 복수의 대처리부 반송 장치 및 상기 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되고,
    1 개의 상기 전달부 및 1 개의 상기 검사부를 포함하는 복수의 블록은, 단수로 적층되고,
    상기 복수의 대검사부 반송 장치는,
    대응하는 상기 블록의 상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 블록의 상기 전달부로 반입하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달부는,
    복수의 상기 기판을 수용 가능한 카세트에 반입반출되는 상기 기판이 배치되는 제 1 전달부와,
    상기 처리부에 반입반출되는 상기 기판이 배치되는 제 2 전달부
    를 포함하고,
    상기 카세트와 상기 제 1 전달부와의 사이에서 상기 기판의 반입반출을 행하는 대카세트 반송 장치
    를 더 구비하고,
    상기 대검사부 반송 장치는, 상기 제 2 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 검사부로 반입하고, 상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 1 전달부로 반입하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 제 2 전달부로 반입하는 전달부간 반송 장치를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    복수의 상기 처리부, 복수의 상기 제 1 전달부, 복수의 상기 제 2 전달부, 복수의 상기 검사부, 복수의 상기 대처리부 반송 장치 및 복수의 상기 대검사부 반송 장치
    를 구비하고,
    상기 복수의 처리부, 상기 복수의 제 2 전달부, 상기 복수의 대처리부 반송 장치 및 상기 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되고,
    1 개의 상기 제 1 전달부 및 1 개의 상기 검사부를 포함하는 복수의 블록은, 다단으로 적층되고,
    상기 대검사부 반송 장치는, 복수의 상기 블록 중 1 개에 대응하고, 대응하는 상기 블록의 상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 블록의 상기 제 1 전달부로 반입하고,
    상기 전달부간 반송 장치는, 상기 복수의 제 1 전달부 및 상기 복수의 제 2 전달부에 대응하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 전달부는,
    상기 처리부에 의해 처리되기 전의 상기 기판이 배치되는 제 3 전달부와,
    상기 처리부에 의해 처리된 후의 상기 기판이 배치되는 제 4 전달부
    를 포함하고,
    상기 전달부간 반송 장치는,
    상기 처리부에 의해 처리되기 전의 상기 기판을 상기 제 3 전달부로부터 취출하여 상기 제 2 전달부로 반송하고,
    상기 대검사부 반송 장치는, 상기 처리부에 의해 처리된 후의 상기 기판을 상기 제 2 전달부로부터 취출하여 상기 제 4 전달부로 반송하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    복수의 상기 처리부, 복수의 상기 제 2 전달부, 복수의 상기 제 4 전달부, 복수의 상기 검사부, 복수의 상기 대처리부 반송 장치 및 복수의 상기 대검사부 반송 장치
    를 구비하고,
    상기 복수의 처리부, 상기 복수의 제 2 전달부, 상기 복수의 대처리부 반송 장치 및 상기 복수의 대검사부 반송 장치는, 각각 다단으로 적층되고,
    1 개의 상기 제 4 전달부 및 1 개의 상기 검사부를 포함하는 복수의 블록은, 다단으로 적층되고,
    상기 대검사부 반송 장치는, 복수의 상기 블록 중 1 개에 대응하고, 대응하는 상기 블록의 상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 블록의 상기 제 4 전달부로 반입하고,
    상기 전달부간 반송 장치는, 1 개의 상기 제 3 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 복수의 제 2 전달부 중 어느 하나로 반입하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 전달부는,
    상기 대처리부 반송 장치가 배치되는 반송실을 향해 개구되는 반입반출부와,
    상기 반입반출부가 개구되는 방향에 대하여 제 1 경사 방향으로 개구되고, 상기 전달부간 반송 장치에 의한 상기 기판의 반입이 행해지는 반입부와,
    상기 반입반출부가 개구되는 방향에 대하여 제 2 경사 방향으로 개구되고, 상기 대검사부 반송 장치에 의한 상기 기판의 반출이 행해지는 반출부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판의 주연부를 처리하는 처리부를 이용하여 상기 기판을 처리하는 공정과,
    상기 기판의 전달이 행해지는 전달부와 상기 처리부와의 사이에서 상기 기판의 반입반출을 행하는 대처리부 반송 장치를 이용하여, 상기 전달부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 처리부로 반입하는 공정과,
    상기 기판의 주연부의 처리 상태를 검사하는 검사부를 이용하여, 상기 처리부에 의해 처리된 상기 기판의 주연부의 처리 상태를 검사하는 공정과,
    상기 검사부로부터 상기 기판을 취출하여 상기 전달부로 반입하는 대검사부 반송 장치를 이용하여, 상기 검사하는 공정을 끝낸 상기 기판을 상기 검사부로부터 취출하여 상기 전달부로 반입하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
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