CN113871329A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。在包括进行周缘部处理的处理部和对基板的周缘部进行检查的检查部的基板处理装置中，抑制由基板输送引起的生产率的降低。本公开的基板处理装置包括处理部、交接部、对处理部输送装置、检查部以及对检查部输送装置。处理部对基板的周缘部进行处理。在交接部进行基板的交接。对处理部输送装置在交接部与处理部之间进行基板的送入送出。检查部检查基板的周缘部的处理状态。对检查部输送装置自检查部取出基板并将其向交接部送入。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，公知有一种包括对硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的周缘部进行处理的处理部的基板处理装置。
在这种基板处理装置中，为了确认是否适当地进行了对基板的周缘部的处理，存在设置对基板的周缘部进行检查的检查部的情况。
在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置在位于进行基板的相对于盒的送入送出的送入送出站与进行周缘部去除处理的处理站之间的交接站配置有上述检查部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-062011号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够在包括进行周缘部处理的处理部和对基板的周缘部进行检查的检查部的基板处理装置中抑制由基板输送引起的生产率的降低的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括处理部、交接部、对处理部输送装置、检查部以及对检查部输送装置。处理部对基板的周缘部进行处理。在交接部进行基板的交接。对处理部输送装置在交接部与处理部之间进行基板的送入送出。检查部检查基板的周缘部的处理状态。对检查部输送装置自检查部取出基板并将其向交接部送入。
发明的效果
根据本公开，能够在包括进行周缘部处理的处理部和对基板的周缘部进行检查的检查部的基板处理装置中谋求生产率的提高。
附图说明
图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。
图2是从侧方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。
图3是从侧方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。
图4是从后方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。
图5是周缘部处理单元的示意图。
图6是从侧方观察第1交接部和检查部的示意图。
图7是从上方观察第1实施方式的检查部的示意图。
图8是从侧方观察第1实施方式的检查部的示意图。
图9是从斜上方观察第1拍摄副单元和第2拍摄副单元的示意图。
图10是从斜上方观察第1拍摄副单元和第2拍摄副单元的示意图。
图11是从侧方观察第1拍摄副单元的示意图。
图12是表示第1实施方式的基板处理系统执行的处理的步骤的流程图。
图13是表示第1实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图14是表示第1实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图15是表示第1实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图16是从上方观察第2实施方式的基板处理系统的布局图。
图17是从侧方观察第2实施方式的基板处理系统的布局图。
图18是从后方观察第2实施方式的基板处理系统的交接站的布局图。
图19是从上方观察第2实施方式的检查部的示意图。
图20是从上方观察第2实施方式的第1交接部的示意图。
图21是从上方观察第2实施方式的第2交接部的示意图。
图22是表示第2实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图23是表示第2实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图24是表示第2实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图25是从上方观察第3实施方式的基板处理系统的布局图。
图26是从侧方观察第3实施方式的基板处理系统的布局图。
图27是从侧方观察第3实施方式的基板处理系统的布局图。
图28是表示第3实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图29是表示第3实施方式的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图30是表示第1变形例的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图31是表示第1变形例的基板处理系统中的晶圆的输送流程的图。
图32是从上方观察第1变形例的整面检查部的剖视图。
图33是从侧方观察第1变形例的整面检查部的剖视图。
图34是从上方观察第2变形例的基板处理系统的布局图。
图35是第2变形例的下表面处理单元的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明用于实施本公开的基板处理装置和基板处理方法的方式(以下记载为“实施方式”)。此外，本公开并不限定于该实施方式。另外，各实施方式能够在不使处理内容相矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
另外，在以下所示的实施方式中，存在使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表述的情况，但这些表述并不需要是严格意义上的“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表述例如容许制造精度、设置精度等的偏差。
另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，存在示出规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系的情况。另外，存在将以铅垂轴线为旋转中心的旋转方向称作θ方向的情况。
(第1实施方式)
＜基板处理系统的结构＞
首先，参照图1～图4说明第1实施方式的基板处理系统的结构。图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。图2和图3是从侧方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。在图2中，省略各种输送装置，而主要示出第1交接部14、检查部15以及周缘部处理单元19的配置。在图3中，主要示出各主输送装置的配置。图4是从后方观察第1实施方式的基板处理系统的布局图。
如图1所示，第1实施方式的基板处理系统1包括送入送出站2和处理站4。
在送入送出站2，将半导体晶圆等基板(以下记载为晶圆W)自盒C取出并将其向处理站4输送。然后，在处理站4，进行对晶圆W的处理。具体而言，在处理站4，进行对晶圆W的周缘部进行处理的周缘部处理。
然后，将晶圆W自处理站4向送入送出站2输送并将其收纳于盒C。此时，在送入送出站2，在将晶圆W收纳于盒C之前，进行对晶圆W的周缘部进行检查的检查处理，以确认是否适当地去除了晶圆W的周缘部的膜。
(送入送出站)
送入送出站2包括盒载置部11和输送室12。在盒载置部11载置有将多张晶圆W收纳为水平状态的多个盒C。
输送室12配置于盒载置部11与处理站4之间。如图1～图3所示，在输送室12包括第1输送装置13(对盒输送装置的一个例子)、多个第1交接部14、多个检查部15以及多个第2输送装置16(对检查部输送装置)。
第1输送装置13在盒C与第1交接部14之间进行晶圆W的送入送出。第1输送装置13包括多个用于自下方支承一张晶圆W的支承部。例如，第1输送装置13包括3个以上的支承部。第1输送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心旋转，能够在盒C与第1交接部14之间成批地输送多个晶圆W。如图3所示，在输送室12配置有一个第1输送装置13。
在多个第1交接部14载置相对于盒C送入送出的晶圆W。即，在多个第1交接部14载置自盒C送出的晶圆W和向盒C送入的晶圆W。各第1交接部14能够将多个晶圆W沿着铅垂方向收纳为多层。
多个检查部15检查晶圆W的周缘部的处理状态。随后叙述检查部15的具体的结构。
一个第1交接部14和一个检查部15在高度方向上层叠。而且，在基板处理系统1中，这些包含第1交接部14和检查部15的组件在高度方向上与按照层数层叠。具体而言，后述的处理站4具有上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L，它们层叠为多层。包含第1交接部14和检查部15的组件在与上层处理组件4U对应的位置、与中层处理组件4M对应的位置以及与下层处理组件4L对应的位置各配置有一个。
在此，示出了在第1交接部14的下部配置检查部15的情况的例子，但也可以在检查部15的下部配置第1交接部14。
多个第2输送装置16与多个由第1交接部14和检查部15构成的组件对应地设为多层。各第2输送装置16自配置于对应的组件的检查部15取出晶圆W，并将其向配置于对应的组件的第1交接部14送入。
第2输送装置16配置于第1交接部14的侧方。具体而言，第2输送装置16在与送入送出站2和处理站4的排列方向(X轴方向)正交的水平方向(Y轴方向)上与第1交接部14相邻。此外，第1输送装置13和后述的第3输送装置18在X轴方向上与第1交接部14相邻。
第2输送装置16包括多个用于自下方支承一张晶圆W的支承部。例如，第2输送装置16包括两个支承部，能够以每个支承部为单位进行晶圆W的送入送出。第2输送装置16能够沿铅垂方向移动，能够在上下层叠着的第1交接部14和检查部15之间输送晶圆W。
(处理站)
如图2～图4所示，处理站4包括上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L。上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L利用分隔壁、闸门等在空间上被分隔，并沿高度方向排列地配置。
上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L具有相同的结构。具体而言，如图1所示，各处理组件4U、4M、4L包括输送室17和多个周缘部处理单元19。
输送室17与送入送出站2的输送室12相邻设置。具体而言，输送室17与配置于输送室12的第1交接部14相邻设置。另外，在输送室17的两侧方(Y轴正方向和Y轴负方向)分别配置有多个周缘部处理单元19。
例如，在图示的例子中，在输送室17的Y轴正方向侧沿着X轴方向横向排列地配置有两个周缘部处理单元19。另外，在输送室17的Y轴负方向侧也沿着X轴方向横向排列地配置有两个周缘部处理单元19。因而，在上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L均配置有共计4个周缘部处理单元19。
在输送室17配置有在第1交接部14与周缘部处理单元19之间进行晶圆W的送入送出的第3输送装置18(对处理部输送装置的一个例子)。第3输送装置18包括多个用于自下方支承一张晶圆W的支承部。例如，第3输送装置18包括两个支承部，能够以每个支承部为单位进行晶圆W的送入送出。
第3输送装置18能够沿水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，该第3输送装置18在与同一个处理组件4U、4M、4L对应的第1交接部14和周缘部处理单元19之间进行晶圆W的送入送出。另外，第1实施方式的第3输送装置18还进行将在周缘部处理单元19进行了处理的晶圆W向检查部15送入的处理。
周缘部处理单元19进行对晶圆W的周缘部进行处理的周缘部处理。具体而言，周缘部处理单元19进行自晶圆W的斜面部蚀刻去除膜的周缘部去除处理。在此，斜面部是指晶圆W的端面以及形成于其周边的倾斜部。倾斜部分别形成于晶圆W的上表面周缘部和下表面周缘部。
此外，周缘部处理并非必须为去除膜的处理。例如，周缘部处理单元19也可以进行对晶圆W的斜面部进行清洗的周缘部清洗处理作为周缘部处理。
在此，参照图5说明周缘部处理单元19的结构例。图5是周缘部处理单元19的示意图。
如图5所示，周缘部处理单元19包括腔室81、基板保持机构82、供给部83以及回收杯84。
腔室81收纳基板保持机构82、供给部83以及回收杯84。在腔室81的顶部设有用于在腔室81内形成下降流的FFU(Fun Filter Unit：风机过滤单元)811。
基板保持机构82包括：保持部821，其将晶圆W保持为水平；支柱构件822，其沿铅垂方向延伸并支承保持部821；以及驱动部823，其使支柱构件822绕铅垂轴线旋转。
保持部821连接于真空泵等抽气装置(未图示)，利用由该抽气装置的抽气产生的负压来吸附晶圆W的下表面，从而将晶圆W保持为水平。作为保持部821，例如能够使用多孔卡盘、静电卡盘等。
保持部821具有直径小于晶圆W的直径的吸附区域。由此，能够将自后述的供给部83的下侧喷嘴832喷出的药液向晶圆W的下表面周缘部供给。
供给部83包括上侧喷嘴831和下侧喷嘴832。上侧喷嘴831配置于被基板保持机构82保持着的晶圆W的上方，下侧喷嘴832配置于该晶圆W的下方。
在上侧喷嘴831和下侧喷嘴832经由阀71和流量调整器72连接有药液供给源73。上侧喷嘴831将自药液供给源73供给的氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)等药液向被基板保持机构82保持着的晶圆W的上表面周缘部喷出。另外，下侧喷嘴832将自药液供给源73供给的药液向被基板保持机构82保持着的晶圆W的下表面周缘部喷出。
另外，供给部83包括使上侧喷嘴831移动的第1移动机构833和使下侧喷嘴832移动的第2移动机构834。通过使用该第1移动机构833使上侧喷嘴831移动，使用该第2移动机构834使下侧喷嘴832移动，从而能够改变药液的相对于晶圆W的供给位置。
回收杯84以包围基板保持机构82的方式配置。在回收杯84的底部形成有用于将自供给部83供给的药液向腔室81的外部排出的排液口841和用于对腔室81内的气氛进行排气的排气口842。
周缘部处理单元19如上所述地构成，在利用保持部821吸附保持了晶圆W的下表面之后，使用驱动部823使晶圆W旋转。然后，周缘部处理单元19自上侧喷嘴831朝向旋转的晶圆W的上表面周缘部喷出药液，并且自下侧喷嘴832朝向旋转的晶圆W的下表面周缘部喷出药液。由此，将附着于晶圆W的斜面部的膜去除。此时，附着于晶圆W的斜面部的微粒等污物也与膜一起被去除。
此外，周缘部处理单元19还可以在进行了上述的周缘部去除处理之后，进行冲洗处理，该冲洗处理通过自上侧喷嘴831和下侧喷嘴832喷出纯水等冲洗液，从而对残留于晶圆W的斜面部的药液进行冲洗。另外，周缘部处理单元19也可以在冲洗处理后，进行干燥处理，该干燥处理通过使晶圆W旋转，从而使晶圆W干燥。
如图1所示，基板处理系统1包括控制装置6。控制装置6例如为计算机，包括控制部61和存储部62。在存储部62存储有控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部61例如为CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)，通过读取并执行存储于存储部62的程序，从而控制基板处理系统1的动作。
此外，上述程序既可以是存储于能够由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质加载到控制装置6的存储部62的程序。作为能够由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，控制部61也可以不使用程序而仅由硬件构成。
在周缘部去除处理中，规定了膜的去除宽度(以晶圆W的外周缘为一端的沿着晶圆W的径向的宽度，以下记载为“切割宽度”)。然而，例如在上侧喷嘴831和下侧喷嘴832的位置不恰当的情况下，可能导致实际的切割宽度相对于所规定的切割宽度产生偏差的情况。另外，在晶圆W的中心相对于基板保持机构82的旋转中心偏移了的情况下，可能导致在晶圆W的周向上切割宽度产生不均。因此，存在进行如下作业的情况：利用照相机拍摄周缘部去除处理后的晶圆W，基于得到的图像，确认是否适当地实施了周缘部去除处理。
在第1实施方式的基板处理系统1中，在周缘部处理单元19的外部且针对多个周缘部处理单元19共用地设有一个用于检查周缘部去除处理后的晶圆W的斜面部的检查部15。
＜检查部的结构＞
以下，参照图6～图11具体地说明第1实施方式的检查部15的结构。
图6是从侧方观察第1交接部14和检查部15的示意图。如图6所示，检查部15在第1交接部14的下方与第1交接部14相邻地设置。
如此，通过在高度方向上重叠地配置第1交接部14和检查部15，能够抑制基板处理系统1的占地面积的增大。另外，通过在第1交接部14的下方配置检查部15，从而假设即使在自检查部15落下了灰尘等的情况下，也能够抑制落下的灰尘等在载置于第1交接部14的晶圆W附着。
图7是从上方观察第1实施方式的检查部15的示意图，图8是从侧方观察第1实施方式的检查部15的示意图。此外，在图8中，省略了缺口检测副单元300而示出。
如图7所示，检查部15包括基座板100、旋转保持副单元200(旋转保持部的一个例子)、缺口检测副单元300(检测部的一个例子)、第1拍摄副单元400以及第2拍摄副单元500。
在第1实施方式的基板处理系统1中，第1输送装置13、第2输送装置16以及第3输送装置18中的第2输送装置16和第3输送装置18接入检查部15。
具体而言，检查部15包括向互相不同的方向开口的送入部110和送出部120。送入部110朝向输送室17开口，送出部120朝向第2输送装置16开口。第3输送装置18经由送入部110将晶圆W向检查部15送入，第2输送装置16经由送出部120将晶圆W自检查部15送出。
基座板100例如为板状的构件，各副单元200～500设于基座板100上。
旋转保持副单元200包括保持台201和致动器202。保持台201例如为利用吸附等将晶圆W保持为水平的吸附卡盘。保持台201具有直径小于晶圆W的直径的吸附区域。致动器202例如为电动马达，用于驱动保持台201旋转。
缺口检测副单元300检测形成于晶圆W的缺口的位置。例如，缺口检测副单元300包括未图示的横槽。在横槽的下表面设有发光元件，在横槽的上表面设有受光元件。在晶圆W载置于旋转保持副单元200的状态下，来自发光元件的照射光被晶圆W的周缘部遮挡，而受光元件未接收到照射光。但是，当利用旋转保持副单元200的旋转而使形成于晶圆W的周缘部的缺口来到与发光元件相对的位置时，照射光穿过缺口而被受光元件接收。由此，缺口检测副单元300能够检测形成于晶圆W的缺口的位置。
图9和图10是从斜上方观察第1拍摄副单元400和第2拍摄副单元500的示意图。另外，图11是从侧方观察第1拍摄副单元400的示意图，图11是从侧方观察照明模块420和镜构件430的示意图。
如图7～图11所示，第1拍摄副单元400包括照相机410(一面侧拍摄部的一个例子)、照明模块420以及镜构件430。
照相机410包括透镜411和拍摄元件412。照相机410的光轴朝向照明模块420水平地延伸。
照明模块420配置于被保持台201保持着的晶圆W的上方。照明模块420包括光源421、光散射构件422以及保持构件423。
光源421例如包括壳体421a和配置于壳体421a内的多个LED点光源421b(图11中仅图示出一个)。多个LED点光源421b沿着晶圆W的径向排成一列地配置。
光散射构件422以与光源421重叠的方式连接于光源421。在光散射构件422形成有在光源421与光散射构件422重叠的方向上延伸的贯通口422a。在贯通口422a的内壁面实施有镜面加工。由此，当来自光源421的光向光散射构件422的贯通口422a内入射时，入射光在贯通口422a内的镜面部分漫反射，而生成散射光。
保持构件423以与光散射构件422重叠的方式连接于光散射构件422。在保持构件423形成有贯通口423a和与贯通口423a交叉的交叉孔423b。贯通口423a沿光散射构件422与保持构件423重叠的方向延伸。交叉孔423b与贯通口423a连通。
保持构件423在内部保持有半透半反镜424、圆柱透镜425、光扩散构件426以及焦点调节透镜427。如图11所示，半透半反镜424例如以相对于水平方向呈45度的角度倾斜的状态配置于贯通口423a与交叉孔423b之间的交叉部分。半透半反镜424呈矩形状。
圆柱透镜425配置于光散射构件422与半透半反镜424之间。圆柱透镜425为朝向半透半反镜424突出的凸型的圆柱透镜。圆柱透镜425的轴线沿多个LED点光源421b排列的方向延伸。当来自光散射构件422的散射光向圆柱透镜425入射时，散射光沿着圆柱透镜425的圆柱面的周向扩大。
光扩散构件426配置于圆柱透镜425与半透半反镜424之间。光扩散构件426例如为呈矩形状的片状构件，该光扩散构件426使透过了圆柱透镜425的光扩散。由此，在光扩散构件426生成扩散光。例如，光扩散构件426也可以具有使入射来的光在光扩散构件426的面的所有方向上扩散的各向同性扩散功能。另外，光扩散构件426还可以具有使入射来的光朝向圆柱透镜425的轴向(与圆柱透镜425的圆柱面的周向正交的方向)扩散的各向异性扩散功能。
焦点调节透镜427配置于交叉孔423b内。焦点调节透镜427具有使与透镜411的合成焦距变化的功能。
镜构件430配置于照明模块420的下方，该镜构件430使来自晶圆W的端面Wc的反射光反射。镜构件430包括主体431和反射面432。主体431例如由铝块构成。反射面432与被保持台201保持着的晶圆W的端面Wc和下表面Wb的周缘区域We相对。反射面432相对于保持台201的旋转轴线倾斜。
反射面432为朝向远离被保持台201保持着的晶圆W的端面Wc的一侧凹陷的弯曲面。因此，当晶圆W的端面Wc映射在反射面432时，其镜像比实像大。反射面432的曲率半径例如为10mm以上且30mm以下。另外，反射面432的张角(外接于反射面432的两个平面所成的角)例如为100度以上且150度以下。
在照明模块420中，自光源421射出的光在被光散射构件422散射，被圆柱透镜425扩大，再被光扩散构件426扩散了之后，整体穿过半透半反镜424而朝向下方照射。穿过了半透半反镜424的扩散光在位于半透半反镜424的下方的镜构件430的反射面432反射。扩散光在反射面432反射而成的反射光主要向晶圆W的端面Wc和上表面Wa侧的周缘区域Wd照射。
在晶圆W的上表面Wa的周缘区域Wd反射而成的反射光不去向镜构件430的反射面432，而在半透半反镜424再次反射，不穿过焦点调节透镜427而穿过照相机410的透镜411，向照相机410的拍摄元件412入射。
另外，自晶圆W的端面Wc反射而成的反射光在镜构件430的反射面432和半透半反镜424依次反射，并依次穿过焦点调节透镜427和照相机410的透镜411，而向照相机410的拍摄元件412入射。
如此，向照相机410的拍摄元件412输入有来自晶圆W的上表面Wa的周缘区域Wd的反射光以及来自晶圆W的端面Wc和镜构件430的反射光这两者。因而，根据第1拍摄副单元400，能够同时拍摄晶圆W的上表面Wa的周缘区域Wd(包含上表面周缘部在内的区域)和晶圆W的端面Wc这两者。
接着，说明第2拍摄副单元500的结构。第2拍摄副单元500包括照相机510(另一面侧拍摄部的一个例子)和照明模块520。
照相机510包括透镜511和拍摄元件512。照相机510的光轴朝向照明模块520水平地延伸。
照明模块520配置于照明模块420的下方且是被保持台201保持着的晶圆W的下方。照明模块520包括半透半反镜521和未图示的光源。半透半反镜521例如以相对于水平方向呈45度的角度倾斜的状态配置。半透半反镜521例如呈矩形状。
光源位于半透半反镜521的下方。自光源射出的光整体穿过半透半反镜521而朝向上方照射。穿过了半透半反镜521的光穿过照相机510的透镜511，并向照相机510的拍摄元件512入射。即，照相机510能够借助半透半反镜521拍摄存在于光源的照射区域的晶圆W的下表面Wb。
＜基板处理系统的具体动作＞
接着，参照图12～图15说明第1实施方式的基板处理系统1的具体动作。图12是表示第1实施方式的基板处理系统1所执行的处理的步骤的流程图。另外，图13～图15是表示第1实施方式的基板处理系统1中的晶圆W的输送流程的图。在图13～图15中，由箭头表示晶圆W的流动。
如图12所示，在基板处理系统1中，首先，进行送入处理(步骤S101)。送入处理为将收纳于盒C的晶圆W向周缘部处理单元19送入的处理。
具体而言，如图13所示，首先，第1输送装置13自盒C取出晶圆W并将其收纳于第1交接部14。此时，第1输送装置13将多个晶圆W自盒C一次性取出，并将取出来的多个晶圆W一次性收纳于第1交接部14。然后，第3输送装置18自第1交接部14将晶圆W取出并将其向周缘部处理单元19送入。此时，第3输送装置18也可以自第1交接部14取出多个(例如两张)晶圆W，并将取出来的多个晶圆W向多个周缘部处理单元19送入。
接着，在基板处理系统1中，在周缘部处理单元19进行周缘部处理(步骤S102)。具体而言，在周缘部处理单元19中，首先，基板保持机构82的保持部821保持晶圆W，驱动部823使保持部821旋转，从而使被保持部821保持着的晶圆W旋转。接着，第1移动机构833使上侧喷嘴831配置于晶圆W的上方的规定位置，第2移动机构834使下侧喷嘴832配置于晶圆W的下方的规定位置。
然后，自药液供给源73供给的药液自上侧喷嘴831供给到旋转的晶圆W的上表面周缘部，自下侧喷嘴832供给到旋转的晶圆W的下表面周缘部。由此，自晶圆W的斜面部去除膜。然后，周缘部处理单元19进行冲洗处理和干燥处理，使晶圆W的旋转停止。
接着，在基板处理系统1中，进行检查处理(步骤S103)。如图14所示，首先，第3输送装置18自周缘部处理单元19取出晶圆W并将其向检查部15送入。
在检查部15，首先，进行缺口对准处理。缺口对准处理为将晶圆W的缺口的位置与预定位置对齐的处理。接着，在检查部15，进行拍摄处理。拍摄处理为拍摄晶圆W的上表面Wa的周缘区域Wd、端面Wc以及下表面Wb的周缘区域We的处理。检查部15一边使用旋转保持副单元200使晶圆W旋转，一边遍及晶圆W的整周地拍摄晶圆W的上表面周缘部、端面以及下表面周缘部。由此，能够得到晶圆W的上表面周缘部、端面以及下表面周缘部的遍及晶圆W整周的图像数据。
接着，在基板处理系统1中，进行送出处理(步骤S104)。送出处理为将结束了在检查部15进行的检查的晶圆W送回盒C的处理。
具体而言，如图14所示，第2输送装置16自检查部15取出晶圆W，接着，如图15所示，将取出来的晶圆W向第1交接部14送入。然后，第1输送装置13自第1交接部14取出晶圆W并将其收纳于盒C。此时，第1输送装置13也可以将载置于第1交接部14的多个晶圆W一次性取出，并将取出来的多个晶圆W一次性收纳于盒C。
在专利文献1的基板处理装置中，配置于处理站的对检查部输送装置进行基板的相对于处理部的送入送出和基板的相对于检查部的送入送出。因此，可能导致对检查部输送装置的处理负荷较高，基板处理装置中的处理的生产率受限于对检查部输送装置。
相对于此，在第1实施方式的基板处理系统1中，通过设置自检查部15将晶圆W取出并将其向第1交接部14送入的第2输送装置，从而降低了第3输送装置18的处理负荷。由此，能够抑制基板处理系统1的生产率受限于第3输送装置18。换言之，能够谋求基板处理系统1中的基板处理的生产率的提高。
(第2实施方式)
接着，说明第2实施方式的基板处理系统的结构。在第2实施方式中，第2输送装置16不仅负责晶圆W的自检查部15的送出，还负责晶圆W的向检查部15的送入。图16是从上方观察第2实施方式的基板处理系统的布局图。图17是从侧方观察第2实施方式的基板处理系统的布局图。在图17中，省略了各种输送装置，而主要示出第1交接部14A、检查部15A、第2交接部20以及周缘部处理单元19的配置。图18是从后方观察第2实施方式的基板处理系统的交接站的布局图。
如图16～图18所示，第2实施方式的基板处理系统1A在送入送出站2与处理站4之间包括交接站3。
在交接站3配置有多个第2交接部20。另外，在交接站3配置有作为对检查部输送装置的一个例子的多个第2输送装置16A和作为交接部间输送装置的一个例子的第4输送装置21。
第2交接部20能够收纳多个晶圆W，该第2交接部20载置相对于周缘部处理单元19送入送出的晶圆W。第2交接部20配置于与处理站4的输送室17相邻的位置。第1交接部14A和第2交接部20沿着送入送出站2、交接站3以及处理站4的排列方向(X轴方向)配置。
多个(此处为3个)第2交接部20在高度方向上层叠，分别对应于上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L(参照图17)。随后叙述第2交接部20的具体的结构。
第2输送装置16A和第4输送装置21配置于第1交接部14A与第2交接部20之间。具体而言，在从第1交接部14A观察时，第2输送装置16A和第4输送装置21配置于斜后方，且在从第2交接部20观察时，第2输送装置16A和第4输送装置21配置于斜前方。
第2输送装置16A和第4输送装置21包括多个用于自下方支承一张晶圆W的支承部。例如，第2输送装置16A包括两个支承部，能够以每个支承部为单位进行晶圆W的送入送出。另外，第4输送装置21包括多于第2输送装置16A的支承部。例如，第4输送装置21包括5个支承部。
第2输送装置16A和第4输送装置21能够沿铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心旋转。第2输送装置16A进行第2交接部20与检查部15A之间的晶圆W的输送以及检查部15A与第1交接部14A之间的晶圆W的输送。另外，第4输送装置21进行第1交接部14A与第2交接部20之间的晶圆W的输送。
如图18所示，多个第2输送装置16A在高度方向上层叠，分别对应于上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L。另外，第4输送装置21在交接站3仅配置有一个，对应于所有的上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L。即，第4输送装置21能够将自第1交接部14A取出来的晶圆W向与上层处理组件4U、中层处理组件4M和下层处理组件4L中的任一者对应的第2交接部20送入。第4输送装置21能够自第1交接部14A一次性取出多个(例如5张)晶圆W，并将取出来的多个晶圆W向第2交接部20一次性送入。
第2输送装置16A倾斜地接入检查部15A。图19是从上方观察第2实施方式的检查部15A的示意图。如图19所示，第2实施方式的检查部15A包括朝向第2输送装置16A开口的送入送出部130。具体而言，送入送出部130相对于送入送出站2、交接站3以及处理站4的排列方向倾斜地开口。第2输送装置16A经由该送入送出部130进行晶圆W的相对于检查部15A的送入送出。
另外，第1交接部14A和第2交接部20构成为能够从不同的3个方向接入。图20是从上方观察第2实施方式的第1交接部14A的示意图。另外，图21是从上方观察第2实施方式的第2交接部20的示意图。
如图20所示，第1交接部14A包括例如3个支承构件141。在各支承构件141沿着高度方向形成有多个槽，在各槽支承晶圆W的下表面。
3个支承构件141例如以120度间隔配置。第1输送装置13、第2输送装置16A以及第4输送装置21自两个支承构件141之间的间隙接入第1交接部14A，而进行晶圆W的相对于第1交接部14A的送入送出。
具体而言，第1输送装置13经由朝向第1输送装置13开口的送入送出部142沿着送入送出站2、交接站3以及处理站4的排列方向(X轴方向)接入第1交接部14A。第4输送装置21经由向相对于送入送出部142开口的方向(X轴方向)倾斜的方向开口的送出部143自倾斜的方向接入第1交接部14A。第2输送装置16A也同样地经由向相对于送入送出部142开口的方向(X轴方向)倾斜的方向开口的送入部144自倾斜的方向接入第1交接部14A。
图21所示的第2交接部20也具有与第1交接部14A同样的结构。即，第2交接部20包括以120度间隔配置的3个支承构件211，在各支承构件211之间分别具有送入送出部212、送入部213以及送出部214。
第3输送装置18经由朝向处理站4的输送室17开口的送入送出部212沿着送入送出站2、交接站3以及处理站4的排列方向(X轴方向)接入第2交接部20。第4输送装置21经由向相对于送入送出部212开口的方向(X轴方向)倾斜的方向开口的送入部213自倾斜的方向接入第2交接部20。第2输送装置16A也同样地经由向相对于送入送出部212开口的方向(X轴方向)倾斜的方向开口的送出部214自倾斜的方向接入第2交接部20。
接着，参照图22～图24说明第2实施方式的基板处理系统1A的晶圆W的输送流程。图22～图24是表示第2实施方式的基板处理系统1A的晶圆W的输送流程的图。在图22～图24中，由箭头表示晶圆W的流动。在图22和图23中，在处理部之间存在两个箭头的情况下，由实线表示最初的(前进的)箭头，由虚线表示之后的(返回的)箭头。此外，第2实施方式的一系列的基板处理的处理步骤也与第1实施方式同样地如图12所示。
如图22所示，首先，第1输送装置13自盒C取出晶圆W并将其向第1交接部14A送入。第1输送装置13将多个晶圆W成批地向第1交接部14A送入。接着，第4输送装置21自第1交接部14A一次性取出多个晶圆W，并将其向与上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L中的任一者对应的第2交接部20一次性送入。此外，第4输送装置21也可以将晶圆W的送入目的地在上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L之间依次切换。
接着，第3输送装置18自第2交接部20取出晶圆W并将其向周缘部处理单元19送入，周缘部处理单元19对晶圆W进行周缘部去除处理。当周缘部处理单元19的处理完成时，第3输送装置18自周缘部处理单元19取出晶圆W并将其向第2交接部20送入。
接着，如图23所示，第2输送装置16A自第2交接部20取出晶圆W，并将其向检查部15A送入，检查部15A对晶圆W进行检查处理。当检查部15A的检查处理完成时，第2输送装置16A自检查部15A取出晶圆W。
接着，如图24所示，第2输送装置16A将晶圆W向第1交接部14A送入。然后，第1输送装置13将载置于第1交接部14A的多个晶圆W取出并将其收纳于盒C。
如此，根据第2实施方式的基板处理系统1A，能够降低第3输送装置18的处理负荷中的向检查部15A送入晶圆W和自检查部15A送出晶圆W所需要的处理负荷。
另外，根据第2实施方式的基板处理系统1A，由于包括第4输送装置21，因而能够提高晶圆W的自第1交接部14A向第2交接部20的输送效率。
(第3实施方式)
接着，参照图25～图27说明第3实施方式的基板处理系统的结构。图25是从上方观察第3实施方式的基板处理系统的布局图。图26和图27是从侧方观察第3实施方式的基板处理系统的布局图。
如图25～图27所示，第3实施方式的基板处理系统1B在送入送出站2的输送室12包括第3交接部14_1和多个第4交接部14_2。
在第3交接部14_1载置利用周缘部处理单元19进行处理前的晶圆W。第3交接部14_1配置于与第4输送装置21对应的位置，具体而言，配置于第4输送装置21的前方(X轴负方向)。如图26所示，在送入送出站2的输送室12仅设有一个第3交接部14_1。
在多个第4交接部14_2载置利用周缘部处理单元19进行了处理后的晶圆W。多个第4交接部14_2配置于与多个第2输送装置16对应的位置，具体而言，配置于各第2输送装置16的前方(X轴负方向)。即，如图27所示，各第4交接部14_2与检查部15一起形成一个组件，各组件配置于与上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L对应的高度。
接着，参照图28和图29说明第3实施方式的基板处理系统1B的晶圆W的输送流程。图28和图29是表示第3实施方式的基板处理系统1B的晶圆W的输送流程的图。
如图28所示，首先，第1输送装置13自盒C取出晶圆W并将其向第3交接部14_1送入。第1输送装置13将多个晶圆W成批地向第3交接部14_1送入。接着，第4输送装置21自第3交接部14_1一次性取出多个晶圆W，并将其向与上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L中的任一者对应的第2交接部20一次性送入。
接着，第3输送装置18自第2交接部20取出晶圆W并将其向周缘部处理单元19送入，周缘部处理单元19对晶圆W进行周缘部去除处理。当周缘部处理单元19的处理完成时，第3输送装置18自周缘部处理单元19取出晶圆W并将其向第2交接部20送入。
接着，第2输送装置16自第2交接部20取出晶圆W并将其向检查部15送入，检查部15对晶圆W进行检查处理。当检查部15的检查处理完成时，第2输送装置16自检查部15将晶圆W取出。
接着，如图29所示，第2输送装置16将晶圆W向第4交接部14_2送入。然后，第1输送装置13将载置于第4交接部14_2的多个晶圆W取出并将其收纳于盒C。
如此，根据第3实施方式的基板处理系统1B，与第2实施方式同样地，能够降低第3输送装置18的处理负荷中的向检查部15送入晶圆W和自检查部15送出晶圆W所需要的处理负荷。
另外，根据第3实施方式的基板处理系统1B，由于包括第3交接部14_1，因而能够并行地进行第2输送装置16的向第4交接部14_2的接入以及第4输送装置21的向第3交接部14_1的接入。因而，根据第3实施方式的基板处理系统1B，能够谋求生产率的进一步的提高。
(第1变形例)
在上述的各实施方式中，说明了基板处理系统包括仅对晶圆W的局部区域即周缘部进行检查的检查部的情况的例子。但并不限定于此，基板处理系统也可以包括对晶圆W的整个面进行检查的检查部。参照图30和图31说明该情况的例子。图30和图31是表示第1变形例的基板处理系统的晶圆W的输送流程的图。此外，在图30和图31中，作为一个例子，示出了在第2实施方式的基板处理系统1A设有整面检查部22的情况。
如图30和图31所示，第1变形例的基板处理系统1C还包括整面检查部22。整面检查部22例如跨过送入送出站2的输送室12和交接站3地配置。另外，整面检查部22例如配置于第4输送装置21的侧方(Y轴正方向侧)。
在此，参照图32和图33说明整面检查部22的结构。图32是从上方观察第1变形例的整面检查部22的剖视图。另外，图33是从侧方观察第1变形例的整面检查部22的剖视图。
如图32和图33所示，整面检查部22具有外壳51。在外壳51内设有保持晶圆W的保持部52。保持部52例如为真空卡盘，该保持部52吸附保持晶圆W的背面中央部。
在外壳51的底面设有沿着Y轴方向延伸的导轨53。在导轨53上设有使保持部52旋转并且沿着导轨53移动自如的驱动部54。
在外壳51内的侧面设有拍摄部55。作为拍摄部55，例如使用广角型CCD照相机。在外壳51的上部中央附近设有半透半反镜56。半透半反镜56以如下状态设于与拍摄部55相对的位置：镜面从朝向铅垂下方的状态朝向拍摄部55的方向呈45度向上方倾斜。
在半透半反镜56的上方设有照明装置57。半透半反镜56和照明装置57固定于外壳51内部的上表面。来自照明装置57的照明穿过半透半反镜56而朝向下方照射。因而，由位于照明装置57的下方的物体反射出的光在半透半反镜56再次反射，而被拍摄部55获取。即，拍摄部55能够对位于照明装置57的照射区域的物体进行拍摄。
整面检查部22一边使用驱动部54使保持部52沿着导轨53移动一边利用拍摄部55进行拍摄。由此，整面检查部22能够得到晶圆W的表面整体的图像。
基板处理系统1C例如对利用周缘部处理单元19进行处理前的晶圆W进行使用了整面检查部22的检查处理(参照图30)。然后，基板处理系统1C对利用周缘部处理单元19进行了处理后的晶圆W进行使用了检查部15A的检查处理(参照图31)。
首先，如图30所示，第1输送装置13自盒C取出晶圆W并将其向第1交接部14A送入。接着，第4输送装置21自第1交接部14A取出晶圆W并将其向整面检查部22送入，整面检查部22对晶圆W进行检查处理。具体而言，整面检查部22对晶圆W的表面整体进行拍摄。由此，能够掌握利用周缘部处理单元19进行处理前的晶圆W的表面整体的状态，例如，微粒的有无、膜厚等。
当整面检查部22的检查处理完成时，第4输送装置21自整面检查部22取出晶圆W并将其向第2交接部20送入。然后，像在第2实施方式中所说明了的那样，如图31所示，第2输送装置16A将利用周缘部处理单元19进行了处理后的晶圆W自第2交接部20取出并将其向检查部15A送入，检查部15A对晶圆W进行检查处理。具体而言，检查部15A对晶圆W的周缘部进行拍摄。
如此，基板处理系统1C也可以除了包括仅对晶圆W的周缘部进行拍摄的检查部15A以外，还包括对晶圆W的整个面进行拍摄的整面检查部22。
此外，整面检查部22也可以与上层处理组件4U、中层处理组件4M以及下层处理组件4L对应地配置为多层。该情况下，第4输送装置21也可以同样地配置为多层。由此，能够提高生产率。
另外，在此，说明了基板处理系统1C包括检查部15A和整面检查部22这两者的情况的例子，但基板处理系统1C也可以是仅包括整面检查部22的结构。该情况下，整面检查部22例如也可以配置于第2输送装置16A的侧方(Y轴负方向侧)，对利用周缘部处理单元19进行了处理后的晶圆W进行检查处理。
(第2变形例)
在上述的各实施方式中，说明了基板处理系统包括周缘部处理单元19的情况的例子。但并不限定于此，基板处理系统也可以除了包括周缘部处理单元19以外，还包括对晶圆W的下表面整体进行处理的下表面处理单元(下表面处理部的一个例子)。参照图34和图35说明该情况的例子。图34是从上方观察第2变形例的基板处理系统1D的布局图。另外，图35是第2变形例的下表面处理单元的示意图。
如图34所示，第2变形例的基板处理系统1D在处理站4包括多个周缘部处理单元19和多个下表面处理单元23。具体而言，在输送室17的Y轴正方向侧沿着X轴方向横向排列配置有周缘部处理单元19和下表面处理单元23。另外，在输送室17的Y轴负方向侧也同样地沿着X轴方向横向排列配置有周缘部处理单元19和下表面处理单元23。
下表面处理单元23对晶圆W的下表面进行预定的处理。例如，下表面处理单元23进行自晶圆W的下表面的整个面蚀刻去除膜的下表面去除处理(下表面处理的一个例子)。
如图35所示，下表面处理单元23包括腔室91、基板保持机构92、供给部93以及回收杯94。腔室91收纳基板保持机构92、供给部93以及回收杯94。在腔室91的顶部设有用于在腔室91内形成下降流的FFU911。
基板保持机构92包括：保持部921，其将晶圆W保持为水平；支柱构件922，其沿铅垂方向延伸并支承保持部921；以及驱动部923，其使支柱构件922绕铅垂轴线旋转。在保持部921的上表面设有把持晶圆W的周缘部的多个把持部921a，利用该把持部921a将晶圆W水平地保持为略远离保持部921的上表面的状态。
供给部93贯穿于保持部921和支柱构件922的中空部。在供给部93的内部形成有沿铅垂方向延伸的流路。在流路经由阀74和流量调整器75连接有药液供给源76。供给部93将自药液供给源76供给的药液向晶圆W的下表面供给。
回收杯94以包围基板保持机构92的方式配置。在回收杯94的底部形成有用于将自供给部93供给的药液向腔室91的外部排出的排液口941和用于对腔室91内的气氛进行排气的排气口942。
下表面处理单元23如上所述地构成，在利用保持部921的多个把持部921a保持了晶圆W的周缘部之后，使用驱动部923使晶圆W旋转。然后，下表面处理单元23自供给部93朝向旋转的晶圆W的下表面中心部喷出药液。供给到晶圆W的下表面中心部的药液伴随晶圆W的旋转而在晶圆W的下表面的整个面展开。由此，自晶圆W的下表面的整个面去除膜。此时，附着于晶圆W的下表面的微粒等污物也与膜一起被去除。
此外，下表面处理单元23也可以在进行了上述的下表面去除处理之后，进行冲洗处理，该冲洗处理通过自供给部93喷出纯水等冲洗液，从而冲洗在晶圆W的下表面残留的药液。另外，下表面处理单元23还可以在冲洗处理后进行干燥处理，该干燥处理通过使晶圆W旋转，从而使晶圆W干燥。
另外，在此，下表面处理单元23进行自晶圆W的下表面的整个面去除膜的下表面去除处理来作为下表面处理的一个例子，但下表面处理并非必须是去除膜的处理。例如，下表面处理单元23也可以进行清洗晶圆W的下表面的整个面的下表面清洗处理来作为下表面处理。
在第2变形例的基板处理系统1D中，例如，对结束了周缘部处理单元19的处理的晶圆W进行下表面处理单元23的处理。具体而言，第3输送装置18自周缘部处理单元19取出晶圆W并将其向下表面处理单元23送入。然后，下表面处理单元23对送入了的晶圆W进行下表面去除处理。具体而言，在下表面处理单元23中，首先，基板保持机构92的保持部921保持晶圆W，驱动部923使保持部921旋转，从而使被保持部921保持着的晶圆W旋转。
然后，自药液供给源76供给的药液自供给部93向旋转的晶圆W的下表面Wb的中央部供给。供给到晶圆W的下表面Wb的中央部的药液伴随晶圆W的旋转而在下表面Wb的整个面展开。由此，自晶圆W的下表面Wb的整个面去除膜。然后，下表面处理单元23进行冲洗处理和干燥处理，使晶圆W的旋转停止。当下表面处理单元23结束下表面去除处理时，第3输送装置18自下表面处理单元23取出晶圆W，并将取出来的晶圆W向第1交接部14送入。
如此，基板处理系统还可以包括对晶圆W的下表面整体进行处理的下表面处理单元23。
如上所述，实施方式的基板处理装置(作为一个例子，基板处理系统1、1A～1D)包括处理部(作为一个例子，周缘部处理单元19)、交接部(作为一个例子，第1交接部14、14A、第2交接部20、第3交接部14_1、第4交接部14_2)、对处理部输送装置(作为一个例子，第3输送装置18)、检查部(作为一个例子，检查部15、15A)以及对检查部输送装置(作为一个例子，第2输送装置16、16A)。处理部对基板(作为一个例子，晶圆W)的周缘部进行处理。在交接部，进行基板的交接。对处理部输送装置在交接部与处理部之间进行基板的送入送出。检查部检查基板的周缘部的处理状态。对检查部输送装置自检查部取出基板并将其向交接部送入。
因而，根据实施方式的基板处理装置，在包括进行周缘部处理的处理部和检查基板的周缘部的检查部的基板处理装置中，能够抑制由基板输送引起的生产率的降低。
对处理部输送装置也可以自处理部取出基板并将其向检查部送入。该情况下，检查部(作为一个例子，检查部15)也可以具有向互相不同的方向开口的送入部(作为一个例子，送入部110)和送出部(作为一个例子，送出部120)，基板的利用对处理部输送装置的送入经由送入部来进行，基板的利用对检查部输送装置(作为一个例子，第2输送装置16)的送出经由送出部来进行。
由此，能够降低对处理部输送装置的处理负荷中的自检查部向交接部输送基板所需要的处理负荷。
实施方式的基板处理装置也可以包括多个处理部、多个交接部(作为一个例子，第1交接部14)、多个检查部(作为一个例子，检查部15)、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置(作为一个例子，第2输送装置16)。该情况下，多个处理部、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置也可以分别层叠为多层。另外，包含一个交接部和一个检查部的组件也可以按照层数层叠。另外，多个对检查部输送装置也可以自对应的组件的检查部取出基板并将其向该组件的交接部送入。
通过构成为多层，能够提高基板处理装置整体的生产率。另外，通过与各层对应地设置对检查部输送装置，能够抑制由基板输送导致的生产率的降低。
交接部也可以包含：第1交接部(作为一个例子，第1交接部14A)，其载置相对于盒(作为一个例子，盒C)送入送出的基板，该盒能够收纳多个基板；以及第2交接部(作为一个例子，第2交接部20)，其载置相对于处理部送入送出的基板。另外，实施方式的基板处理装置(作为一个例子，基板处理系统1A)也可以还包括对盒输送装置(作为一个例子，第1输送装置13)，该对盒输送装置在盒与第1交接部之间进行基板的送入送出。该情况下，对检查部输送装置也可以自第2交接部取出基板并将其向检查部(作为一个例子，检查部15A)送入，自检查部取出基板并将其向第1交接部送入。
由此，能够降低对处理部输送装置的处理负荷中的向检查部送入基板以及自检查部送出基板所需要的处理负荷。
实施方式的基板处理装置也可以还包括交接部间输送装置(作为一个例子，第4输送装置21)，该交接部间输送装置自第1交接部取出基板并将其向第2交接部送入。通过包括第4输送装置，能够提高基板的自第1交接部向第2交接部的输送效率。
实施方式的基板处理装置也可以包括多个处理部、多个第1交接部、多个第2交接部、多个检查部、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置。该情况下，多个处理部、多个第2交接部、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置也可以分别层叠为多层。另外，包含一个第1交接部和一个检查部的组件也可以层叠为多层。另外，对检查部输送装置也可以与多个组件中的一个组件对应，自对应的组件的检查部取出基板并将其向该组件的第1交接部送入。另外，交接部间输送装置也可以对应于多个第1交接部和多个第2交接部。
第1交接部也可以包含：第3交接部(作为一个例子，第3交接部14_1)，其载置利用处理部进行处理前的基板；以及第4交接部(作为一个例子，第4交接部14_2)，其载置利用处理部进行了处理后的基板。该情况下，交接部间输送装置也可以将利用处理部进行处理前的基板自第3交接部取出并将其向第2交接部输送。另外，对检查部输送装置也可以将利用处理部进行了处理后的基板自第2交接部取出并将其向第4交接部输送。
通过包括第3交接部，能够并行地进行对检查部输送装置的向第4交接部的接入和交接部间输送装置的向第3交接部的接入。由此，能够谋求生产率的进一步的提高。
实施方式的基板处理装置也可以包括多个处理部、多个第2交接部、多个第4交接部、多个检查部、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置。该情况下，多个处理部、多个第2交接部、多个对处理部输送装置以及多个对检查部输送装置也可以分别层叠为多层。另外，包含一个第4交接部和一个检查部的组件也可以层叠为多层。另外，对检查部输送装置也可以与多个组件中的一个组件对应，自对应的组件的检查部取出基板并将其向该组件的第4交接部送入。另外，交接部间输送装置也可以自一个第3交接部取出基板并将其向多个第2交接部中的任一者送入。
第2交接部包括送入送出部(作为一个例子，送入送出部212)、送入部(作为一个例子，送入部213)以及送出部(作为一个例子，送出部214)。送入送出部朝向配置有对处理部输送装置的输送室(作为一个例子，输送室17)开口。送入部向相对于送入送出部开口的方向倾斜的第1倾斜方向开口，在该送入部进行基板的利用交接部间输送装置的送入。送出部向相对于送入送出部开口的方向倾斜的第2倾斜方向开口，在该送出部进行基板的利用对检查部输送装置的送出。
通过将交接部间输送装置和对检查部输送装置的向第2交接部的接入方向设为倾斜方向，能够相对于设置面将基板处理装置所占据的面积即占地面积抑制得较小。
应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种形态来具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
处理部，其对基板的周缘部进行处理；
交接部，其进行所述基板的交接；
对处理部输送装置，其在所述交接部与所述处理部之间进行所述基板的送入送出；
检查部，其检查所述基板的周缘部的处理状态；以及
对检查部输送装置，其自所述检查部取出所述基板并将其向所述交接部送入。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述对处理部输送装置自所述处理部取出所述基板并将其向所述检查部送入，
所述检查部具有向互相不同的方向开口的送入部和送出部，所述基板的利用所述对处理部输送装置的送入经由所述送入部来进行，所述基板的利用所述对检查部输送装置的送出经由所述送出部来进行。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括多个所述处理部、多个所述交接部、多个所述检查部、多个所述对处理部输送装置以及多个所述对检查部输送装置，
所述多个处理部、所述多个对处理部输送装置以及所述多个对检查部输送装置分别层叠为多层，
包含一个所述交接部和一个所述检查部的多个组件按照层数层叠，
所述多个对检查部输送装置自对应的所述组件的所述检查部取出所述基板并将其向该组件的所述交接部送入。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述交接部包含：
第1交接部，其载置相对于盒送入送出的所述基板，该盒能够收纳多个所述基板；以及
第2交接部，其载置相对于所述处理部送入送出的所述基板，
该基板处理装置还包括对盒输送装置，该对盒输送装置在所述盒与所述第1交接部之间进行所述基板的送入送出，
所述对检查部输送装置自所述第2交接部取出所述基板并将其向所述检查部送入，自所述检查部取出所述基板并将其向所述第1交接部送入。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括交接部间输送装置，该交接部间输送装置自所述第1交接部取出所述基板并将其向所述第2交接部送入。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括多个所述处理部、多个所述第1交接部、多个所述第2交接部、多个所述检查部、多个所述对处理部输送装置以及多个所述对检查部输送装置，
所述多个处理部、所述多个第2交接部、所述多个对处理部输送装置以及所述多个对检查部输送装置分别层叠为多层，
包含一个所述第1交接部和一个所述检查部的多个组件层叠为多层，
所述对检查部输送装置对应于多个所述组件中的一者，该对检查部输送装置自所对应的所述组件的所述检查部取出所述基板并将其向该组件的所述第1交接部送入，
所述交接部间输送装置对应于所述多个第1交接部和所述多个第2交接部。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述第1交接部包含：
第3交接部，其载置利用所述处理部进行处理前的所述基板；以及
第4交接部，其载置利用所述处理部进行了处理后的所述基板，
所述交接部间输送装置将利用所述处理部进行处理前的所述基板自所述第3交接部取出并将其向所述第2交接部输送，
所述对检查部输送装置将利用所述处理部进行了处理后的所述基板自所述第2交接部取出并将其向所述第4交接部输送。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括多个所述处理部、多个所述第2交接部、多个所述第4交接部、多个所述检查部、多个所述对处理部输送装置以及多个所述对检查部输送装置，
所述多个处理部、所述多个第2交接部、所述多个对处理部输送装置以及所述多个对检查部输送装置分别层叠为多层，
包含一个所述第4交接部和一个所述检查部的多个组件层叠为多层，
所述对检查部输送装置对应于多个所述组件中的一者，该对检查部输送装置自所对应的所述组件的所述检查部取出所述基板并将其向该组件的所述第4交接部送入，
所述交接部间输送装置自一个所述第3交接部取出所述基板并将其向所述多个第2交接部中的任一者送入。
9.根据权利要求5～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第2交接部包括：
送入送出部，其朝向配置所述对处理部输送装置的输送室开口；
送入部，其向相对于所述送入送出部开口的方向倾斜的第1倾斜方向开口，在该送入部进行所述基板的利用所述交接部间输送装置的送入；以及
送出部，其向相对于所述送入送出部开口的方向倾斜的第2倾斜方向开口，在该送出部进行所述基板的利用所述对检查部输送装置的送出。
10.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包含以下工序：
使用对基板的周缘部进行处理的处理部，来对所述基板进行处理；
使用在所述处理部与进行所述基板的交接的交接部之间进行所述基板的送入送出的对处理部输送装置，来将所述基板自所述交接部取出并将其向所述处理部送入；
使用对所述基板的周缘部的处理状态进行检查的检查部，来检查利用所述处理部进行了处理的所述基板的周缘部的处理状态；以及
使用自所述检查部取出所述基板并将其向所述交接部送入的对检查部输送装置，来将结束了所述检查的工序的所述基板自所述检查部取出并将其向所述交接部送入。
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