JP2010087188A - 転写原版の製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、被転写材料に接触させてパターンを前記被転写材料に転写する転写原版用の基板材料の表面の高さ分布情報に基づいて、前記基板材料の前記表面の平坦度が所定の値以下の基板領域を求める工程と、前記平坦度が所定の値以下の基板領域に凹部パターンを形成する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る測定装置の概略の構成を示す図である。図2は、計算機が処理する情報を示す図である。
測定部3は、レーザ光30aを出射する光源30と、レーザ光30aの光軸上に配置された、レンズ31、ハーフミラー32、コリメータレンズ33及び基準板34と、テンプレート用基板材料2が静置されるステージ35と、ハーフミラー32及び結像レンズ36を介してテンプレート用基板材料2側を撮像するカメラ37とを備える。
計算機4は、高さ分布情報受付部40、平坦領域抽出部41及び切り出し領域決定部42Aを備える。計算機4は、測定装置1全体を制御するCPUと、データやCPUのプログラムを記憶するメモリとを有するコンピュータによって構成することができる。CPUは、プログラムに従って動作することにより、高さ分布情報受付部40、平坦領域抽出部41及び切り出し領域決定部42Aとして機能する。なお、高さ分布情報受付部40、平坦領域抽出部41及び切り出し領域決定部42Aは、それらの全て又は一部がASIC(Application Specific IC)等のハードウェアによって構成されていてもよい。
次に、テンプレートの製造方法の一例と、そのテンプレートを用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。
図1に示す測定装置1を用いてテンプレート用基板材料2の表面2aの高さ分布情報を測定する。すなわち、光源30からレーザ光30aを出射すると、レーザ光30aは、レンズ31、ハーフミラー32、コリメータレンズ33及び基準板34を介してテンプレート用基板材料2に入射し、テンプレート用基板材料2の表面2aで反射した光が物体光30bとしてハーフミラー32及び結像レンズ36を介してカメラ37に入射する。
計算機4の高さ分布情報受付部40がカメラ37から高さ分布情報40aを受け付けると、平坦領域抽出部41は、高さ分布情報40aから平坦度が所定の値以下の平坦領域41aを抽出する。平坦領域41aを抽出できない場合は、別のテンプレート用基板材料2について、前述したのと同様に高さ分布情報の測定、及び平坦領域の抽出を行う。
図3(a)〜(d)は、テンプレート用基板の切り出し工程を説明するための図である。テンプレート用基板材料2は、例えば、25×25cmのサイズを有し、図3(a)に示すように、表面2aに平坦度が所定の値以下の平坦領域2cが存在しているとする。
図4は、テンプート用基板からテンプートを作製する工程を示し、(a)は断面図、(b)は平面図、(c)は(b)のA−A断面図である。
図5は、加工装置の概略の構成を示し、(a)は加工前の状態を示す全体図、(b)は加工中の状態を示す要部断面図である。なお、図5(a)において、X,Y,Zは、互いに直交する方向を示す。
第1の実施の形態によれば、平坦度が良好なテンプレートを用いてパターンを転写しているので、ウェハや基板に形成される溝の深さや幅のばらつきを抑えることができる。本実施の形態を配線パターンに適用した場合には、配線抵抗のばらつきを抑えることができる。特に、幅が50nm以下、あるいは20nm以下のパターンに顕著な効果を奏する。また、切り出し領域全体の平坦度が良好であるので、パターンの周辺も含めて微細なパターンを高精度に転写することができる。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る測定装置の構成を示すブロック図である。図7は、計算機が処理する情報を示す図である。
この第2の実施の形態によれば、図7(b)に示すように、平坦領域41a内にテンプレート22のサイズに対応する領域を配置できないが、パターン形成領域42bを配置できる場合には、テンプレート用基板材料2から平坦度の良好なテンプレート用基板12を切り出すことができ、テンプレート用基板材料2の有効利用を図ることができる。
本発明の第3の実施の形態に係る測定装置は、第2の実施の形態と同様であるので、測定装置の図示を省略する。本実施の形態は、第2の実施の形態とは、テンプレート用基板の切り出し工程とパターン形成工程のタイミングが異なる。
第3の実施の形態によれば、第2の実施の形態と同様に、テンプレート用基板材料2の有効利用を図ることができる。なお、平坦領域内に切り出し領域を配置できるようにパターン形成領域を決定してもよい。
Claims (5)
- 被転写材料に接触させてパターンを前記被転写材料に転写する転写原版用の基板材料の表面の高さ分布情報に基づいて、前記基板材料の前記表面の平坦度が所定の値以下の基板領域を求める工程と、
前記平坦度が所定の値以下の基板領域に凹部パターンを形成する工程と、
を含む転写原版の製造方法。 - 前記平坦度が所定の値以下の基板領域を求めた後、前記平坦度が所定の値以下の基板領域に前記凹部パターンを形成する前に、前記凹部パターンが形成される基板領域を含む基板領域を切り出す工程を含む請求項1に記載の転写原版の製造方法。
- 前記平坦度が所定の値以下の基板領域に前記凹部パターンを形成した後、前記凹部パターンが形成された前記基板領域を含む基板領域を切り出す工程を含む請求項1に記載の転写原版の製造方法。
- 前記平坦度の所定の値は、1〜10nmの範囲で設定された請求項1に記載の転写原版の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された転写原版を、被加工膜上に形成された被転写材料に接触させて前記被転写材料にパターンを転写する工程と、
前記被転写材料を加工して前記被加工膜の一部を露出させる工程と、
前記被転写材料をマスクとして用いて、露出した前記被加工膜を加工する工程とを含む半導体装置の製造方法。
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