TWI798786B - 描繪方法、母版製造方法及描繪裝置 - Google Patents

描繪方法、母版製造方法及描繪裝置 Download PDF

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Abstract

根據一實施形態，描繪方法包含取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊。上述方法進而包含取得表示上述階差部之高度的階差部高度資訊。上述方法進而包含測定上述基板之高度。上述方法進而包含基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定出之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖。上述方法進而包含藉由基於上述算出之焦點圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。

Description

描繪方法、母版製造方法及描繪裝置
本發明之實施形態係關於一種描繪方法、母版製造方法及描繪裝置。
有藉由使用電子束之圖案描繪來製作半導體製程用之母版之情形。於該情形時，有因母版用之基板之表面形狀，難以適當決定射束聚焦值而高精度地描繪圖案之虞。
一實施形態提供一種不論基板之表面形狀如何，皆可高精度地描繪圖案之描繪方法、母版製造方法及描繪裝置。
根據一實施形態，描繪方法包含取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊。上述方法進而包含取得表示上述階差部之高度的階差部高度資訊。上述方法進而包含測定上述基板之高度。上述方法進而包含基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖。上述方法進而包含藉由基於上述算出之聚焦圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。
根據上述構成，可提供一種不論基板之表面形狀如何，皆可高精度地描繪圖案之描繪方法、母版製造方法及描繪裝置。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。於圖1至圖14E中，對同一或類似之構成標注同一符號，省略重複之說明。
(第1實施形態) 圖1係顯示第1實施形態之描繪裝置1之一例之圖。圖1所示之描繪裝置1例如可用於在製造半導體製程所使用之母版時，藉由照射電子束EB(Electron Beam)而於稍後敘述之基板6上(即基板6上之光阻膜9)描繪圖案。基板6只要為可應用於藉由照射電子束EB來製造母版者，則具體之態樣無特別限定。例如，於圖2A～圖2C中，如稍後敘述，基板6亦可為光罩基底6A、6C或模片基底6B。
圖1所示之描繪裝置1具備電腦2、高度測定部3、控制裝置4、電子照射單元5、及載台7。電子照射單元5配置於電子光學鏡筒(未圖示)內。基板6於與電子光學鏡筒連通之真空腔室內載置於載台7上。載台7藉由馬達等驅動裝置例如可於水平方向(X方向、Y方向)及鉛直方向(Z方向)移動。藉由使載台7移動，可變更電子束EB對載台7上之基板6之照射位置。
此處，於更詳細敘述描繪裝置1之構成部之前，對可應用描繪裝置1之基板6之例進行說明。圖2A係顯示可應用實施形態之描繪裝置1之光罩基底6A之一例之剖視圖。圖2B係顯示可應用實施形態之描繪裝置1之模片基底6B之一例之剖視圖。圖2C係顯示可應用實施形態之描繪裝置1之光罩基底6C之另一例之剖視圖。光罩基底6A、6C係用於製造作為光微影用之母版之光罩之基板6的例。模片基底6B係用於製造作為奈米壓印光微影用母版之模片之基板6的例。
如圖2A及圖2C所示，作為基板6之光罩基底6A、6C具有透光性基板61、與形成於透光性基板61上之遮光膜62。透光性基板61例如可含有石英作為主成分。遮光膜62例如亦可含有鉻(Cr)等金屬作為主成分。另一方面，如圖2B所示，作為基板6之模片基底6B例如含有石英作為主成分，藉此整體具有透光性。
於形成於半導體裝置用之器件基板(晶圓)之被加工膜之表面存在階差或傾斜之情形時，難以與使用具有平坦之表面之光罩或模片之情形同樣精度良好地加工被加工膜。具體而言，於使用光罩之光微影之情形時，因難以使曝光用光聚焦於被加工膜上之光阻膜，而難以適當地將被加工膜上之光阻膜曝光。於使用模片之納奈米壓印光微影之情形時，難以將模片適當按壓於被加工膜即器件基板上之光阻劑而轉印圖案。其結果，難以以期望之精度於被加工膜形成電路圖案。因此，基於精度良好地加工存在階差或傾斜之被加工膜之觀點，光罩或模片用之基板6A～6C之表面具有與被加工膜之表面形狀匹配之表面形狀。具體而言，圖2A所示之光罩基底6A之表面具有沿著面內方向d1(即平坦)之基底部6a、相對於基底部6a具有階差zd(即高度差)之平坦之階差部6b、及連接基底部6a與階差部6b之傾斜部6c。另，於將光罩基底6A載置於載台7上時，面內方向d1與水平方向一致。圖2A所示之傾斜部6c係直線狀之傾斜平面，但亦可如圖2A之符號6c’所示，傾斜部6c’為傾斜曲面。圖2B所示之模片基底6B及圖2C所示之光罩基底6C之表面具有基底部6a與階差部6b。另，模片基底6B亦可具有傾斜部。
此處，為製造母版(光罩、模片)而於基板6上描繪圖案時，於基板6上形成光阻膜9。另，於圖13A中，於作為基板6之一例之光罩基底6A上形成光阻膜9。於圖14A，於作為基板6之一例之模片基底6B上形成光阻膜9。且，藉由對形成有光阻膜9之基板6照射電子束EB，而於光阻膜9描繪圖案。
形成有光阻膜9之基板6因其自重而產生撓曲。第1實施形態之描繪裝置1構成為於具有彎曲，且設置有階差部之基板6之表面，進行聚焦之圖案描繪。
具體而言，如圖1所示，對電腦2輸入表面形狀資料8。表面形狀資料8係基板6之表面形狀相關之資料。表面形狀資料8包含階差部配置資訊與階差部高度資訊。階差部配置資訊係顯示基板6之表面上之階差部之配置狀態(例如位置)之資訊。階差部高度資訊係顯示階差部之高度之資訊。表面形狀資料8係例如基於母版之設計資料由與電腦2不同之電腦制作之資料。又，如圖1所示，對電腦2輸入描繪資料10。描繪資料10係用於藉由照射電子束EB而於基板6上描繪圖案之資料。描繪資料10係例如基於母版之設計資料由與電腦2不同之電腦制作之資料。對電腦2輸入描繪資料10及表面形狀資料8之方法未特別限定，例如可為資料通信之輸入及經由記憶媒體之輸入之任一者。於稍後敘述之描繪方法之實施形態對表面形狀資料8之進一步之細節進行說明。
高度測定部3測定基板6之表面高度。更詳細而言，高度測定部3測定形成於基板6之表面上之光阻膜9之表面之高度。更詳細而言，高度測定部3於基板6之表面上之複數個部位測定基板6之表面之高度。高度測定部3將測定出之基板6之表面之高度輸出至電腦2。高度測定部3例如亦可藉由雷射等光學性測量基板6之表面之高度。
電腦2基於自表面形狀資料8取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與測定出之基板6之表面之高度，算出顯示與基板6之描繪位置相應之電子束之聚焦值之分佈的聚焦圖。電腦2將算出之聚焦圖輸出至控制裝置4。於稍後敘述之描繪方法之實施形態對電腦2之聚焦圖之算出例進行說明。
控制裝置4基於自電腦2輸入之聚焦圖，決定基板6之每個描繪單位(投射)之射束聚焦值。且，控制裝置4以由決定之射束聚焦值之電子束於基板6上描繪圖案之方式控制電子照射單元5。
電子照射單元5將由控制裝置4決定之射束聚焦值之電子束EB照射至基板6上而於基板6上之光阻膜9描繪圖案。電子照射單元5例如具備釋放電子束EB之電子槍、與控制釋放出之電子束EB之軌跡之電子光學系統(偏向器、電磁透鏡等)。
(描繪方法) 以下，對應用第1實施形態之描繪裝置1之描繪方法之實施形態進行說明。圖3係顯示第1實施形態之描繪方法之一例之流程圖。
如圖3所示，首先，電腦2取得描繪資料10(步驟S1)。描繪資料10顯示與基板6之表面對應之二維區域，具有於區域內定義之圖案。描繪資料10上之圖案被描繪於與基板6之表面對應之位置(即座標)。
又，如圖3所示，電腦2取得表面形狀資料8(步驟S2)。表面形狀資料8之取得可與描繪資料10之取得替換前後順序，或者亦可為同時。圖4係用於說明圖3之流程圖所示之表面形狀資料8之取得步驟之一例之說明圖。如圖4所示，表面形狀資料8至少包含階差部配置資訊與階差部高度資訊。階差部配置資訊係顯示基板6之表面上之階差部之配置狀態(例如位置)之資訊。更具體而言，階差部配置資訊顯示與描繪資料對應之二維區域，並具有定義於區域內之階差部。階差部高度資訊係顯示階差部之高度之資訊。階差部高度資訊係顯示以基板之表面中非位在階差部內之平坦之基底部之平均高度為高度基準(0[μm])之相對高度之資訊。另，於圖4所示之例中，階差部係高度低於基底部之凹階差。階差部亦可為高度高於基底部之凸階差。階差部之高度之絕對值可為0.1[μm]以上。表面形狀資料8可為圖表形式之資料。另，階差部之高度亦可使用以1 mm 2為例之每單位面積之平均高度。
於取得描繪資料10及表面形狀資料8之後，如圖3所示，描繪裝置1將基板6裝載至載台7上(步驟S3)。於裝載至載台7上時，於基板6之表面已形成有光阻膜9。
於將基板6裝載至載台7上之後，高度測定部3為了於具有撓曲之基板6之表面上進行聚焦後之描繪，而測定基板6之表面、即光阻膜9之表面之高度(步驟S4)。圖5係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之基板表面之高度之測定步驟之說明圖。另，於圖5中，省略光阻膜9之圖示。為算出基板6之高度分佈，如圖5所示，高度測定部3於基板6之表面上之複數個測定點P測定高度。為不使階差部6b影響高度分佈，測定點P設定於除階差部6b外之基板6之表面即基底部6a上。高度測定部3基於電腦2取得之階差部配置資訊，僅於基底部6a上設定測定點P而進行測定。高度測定部3基於雷射等光自出射部31(光源)出射後至在測定點P被反射而由受光部32(感測器)受光之時間，測定測定點P處之基板6之表面之高度。為於複數個測定點P各者測定高度，高度測定部3沿X方向及Y方向驅動載台7，使複數個測定點P依序移動至來自出射部31之光之照射位置。
於測定基板6之表面之高度之後，如圖3所示，電腦2基於測定出之高度，算出顯示基板6之表面之高度之分佈之高度分佈(步驟S5)。高度分佈顯示基板6之撓曲程度。圖6係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之高度分佈之算出步驟之說明圖。電腦2基於在各測定點P測定出之基板6之表面之高度，使用高次多項式如圖6所示算出基板6之整個表面之高度之分佈作為高度分佈。圖6顯示每個X座標及Y座標之基板6之表面之高度(Z)之分佈。
於算出高度分佈之後，如圖3所示，電腦2藉由將階差部配置資訊及階差部高度資訊合併至算出之高度分佈，而算出聚焦圖(步驟S6)。圖7係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之聚焦圖之算出步驟之說明圖。於圖7所示之例中，電腦2藉由將高度分佈中階差部配置資訊所示之範圍之高度降低階差部高度資訊所示之凹階差之高度，而算出聚焦圖。另，於階差部為凸階差之情形時，只要藉由將高度分佈中階差部配置資訊所示之範圍之高度提高階差部高度資訊所示之凸階差之高度，而算出聚焦圖即可。
於算出聚焦圖之後，如圖3所示，控制裝置4進行基於聚焦圖之射束聚焦值之描繪(步驟S7)。即，控制裝置4基於算出之聚焦圖決定射束聚焦值，藉由決定之射束聚焦值之電子束於基板6上描繪圖案。圖8係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之描繪步驟之說明圖。如圖8所示，基於步驟S6中算出之聚焦圖決定之射束聚焦值之電子束EB於基底部6a及階差部6b之任一者，皆聚焦於基板6之表面。
圖9A係用於說明第1實施形態之描繪方法之作用之說明圖。圖9B係用於說明第1比較例之說明圖。圖9C係用於說明第2比較例之說明圖。若使用僅基於除階差部外而測定出之基板6之表面高度算出之聚焦圖進行描繪，於上述情形時，如圖9B所示，於高度相對於基板6之表面之基底部6a不同之階差部6b中，以矩形之虛線顯示之主偏向區域(可掃描電子束之區域)會產生旋轉成分及倍率成分之偏差。藉此，於階差部6b中未聚焦，從而圖案之描繪精度惡化。又，若使用僅基於包含階差部而測定出之基板6之表面高度算出之聚焦圖進行描繪，於上述情形時，如圖9C所示，於基板6之表面之基底部6a及階差部6b之兩者中，於主偏向區域會產生旋轉成分及倍率成分之偏差。藉此，於階差部6b中未聚焦，從而圖案之描繪精度惡化。
對此，根據第1實施形態之描繪裝置1，使用將階差部配置資訊及階差部高度資訊合併至基於除階差部外而測定出之基板6之表面高度之高度分佈，算出之聚焦圖，藉此不論基板6之表面形狀如何，皆可高精度地描繪圖案。
另，於描繪圖案時，於射束聚焦值之變化較大之部位，與射束聚焦值之變化較小之部位相比，可延長射束趨穩時間。或者，射束聚焦值之變化較大之部位與射束聚焦值之變化較小之部位相比，亦可延遲載置有基板6之載台7之移動時間。藉此，可適當地進行射束聚焦值之變化較大之部位處之圖案之描繪。
又，圖案之描繪亦可自射束聚焦值之變化較小之部位開始依序進行。
如以上所說明，根據第1實施形態，藉由基於階差部配置資訊、階差部高度資訊、及基板6之表面高度之測定結果算出聚焦圖，以基於算出之聚焦圖決定之射束聚焦值進行描繪，不論基板之表面形狀(存在階差部)如何，皆可高精度地描繪圖案。
又，根據第1實施形態，藉由基於除階差部外而測定出之基板6之表面高度算出高度分佈，並將階差部配置資訊及階差部高度資訊合併至算出之高度分佈而產生聚焦圖，即便存在階差部，亦可高精度地描繪圖案。
(第2實施形態) 接著，參照圖10及11，對聚焦圖之算出方法相對於第1實施形態不同之第2實施形態進行說明。圖10係用於說明第2實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之基板表面之高度之測定步驟之說明圖。圖11係用於說明第2實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之高度分佈之算出步驟之說明圖。
如圖5所說明，於第1實施形態中，僅於除階差部6b外之基板6之表面上，即基底部6a上設定測定點P來測定基板6之表面之高度。對此，於第2實施形態中，不進行如刻意將階差部6b除外之特別之測定點P之設定，而依照預先確定之方法(例如等間隔等)設定測定點P。結果，若干個測定點P位於階差部6b上。於第2實施形態中，電腦2基於此種包含階差部6b測定出之基板6之表面之高度算出高度分佈。如圖11所示，算出之高度分佈成為包含階差部6b之影響之高度分佈(步驟S51)。包含階差部6b之影響之高度分佈未準確顯示出基板6之高度分佈。
然而，於第2實施形態中，電腦2基於階差部配置資訊及階差部高度資訊，算出自包含階差部6b之影響之高度分佈去除階差部6b之影響之高度分佈(步驟S51)。例如，使包含階差部6b之影響之高度分佈中階差部配置資訊所示之範圍之高度增加階差部高度資訊所示之高度。另，亦可進而進行使用高次多項式等之必要之形狀補全。
於算出去除階差部6b之影響之高度分佈之後，實施與圖3之步驟S6以後同樣之步驟。
根據第2實施形態，藉由算出事後去除階差部6b之影響之高度分佈，將階差部配置資訊及階差部高度資訊合併至算出之高度分佈來算出聚焦圖，而與第1實施形態同樣，不論基板6之表面形狀如何，皆可高精度地描繪圖案。
(第3實施形態) 接著，參照圖12A及圖12B，對進而考慮傾斜部來算出聚焦圖之第3實施形態進行說明。圖12A係用於說明第3實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之表面形狀資料之取得步驟之說明圖。圖12B係用於說明第3實施形態之描繪方法中，算出傾斜部之傾斜角度及傾斜方向之例之說明圖。
於第3實施形態中，表面形狀資料8中包含有傾斜部配置資訊、傾斜角度資訊、及傾斜方向資訊。傾斜部配置資訊係顯示基板6之表面上之傾斜部之配置狀態之資訊。如圖12A所示，傾斜角度資訊係顯示傾斜部之傾斜角度θ之資訊。傾斜方向資訊係顯示傾斜部之方向之資訊。更具體而言，於圖12A所示之例中，傾斜方向資訊係以與二維上之基準方向d2所成之角度來表現傾斜部之高度降低之二維上之方向之資訊。例如，圖12A所示之傾斜部C1因傾斜部C1之高度降低之二維上之方向與基準方向d2一致，故傾斜方向為0[度]。另一方面，圖12A所示之傾斜部C4因傾斜部C4之高度降低之二維上之方向與基準方向d2相反，故傾斜方向為180[度]。
於第3實施形態中，電腦2對高度分佈，除了添加階差部配置資訊及階差部高度資訊外，進而合併傾斜部配置資訊、傾斜角度資訊及傾斜方向資訊，藉此算出聚焦圖。具體而言，電腦2藉由將高度分佈中階差部配置資訊所示之範圍之高度降低階差部高度資訊所示之高度，又，將傾斜部配置資訊所示之範圍之高度降低傾斜角度資訊及傾斜方向資訊所示之高度，而算出聚焦圖。
圖12B係用於說明第3實施形態之描繪方法中，算出傾斜部之傾斜角度及傾斜方向之例之圖。電腦2於表面形狀資料8中未包含傾斜角度資訊及傾斜方向資訊之情形時，可基於傾斜部配置資訊及階差部高度資訊算出傾斜部之傾斜角度及傾斜方向，並使用算出之傾斜角度及傾斜方向來算出聚焦圖。例如，如圖12B所示，亦可基於傾斜部配置資訊及高度資訊所示之傾斜部之下端之X座標(x1)及Z座標(z1)、與傾斜部之上端之X座標(x2)及Z座標(z2)，算出傾斜角度θ及傾斜方向d3。於圖12B所示之例中，傾斜角度θ係連結傾斜部之下端(x1，z1)與上端(x2，z2)之2點之座標之一次函數之斜率(z2-z1)/(x2-x1)之逆正切(tan -1)。又，於圖12B所示之例中，傾斜方向d3係一次函數之Z值減小之自x2朝x1之方向。
根據第3實施形態，藉由算出除階差部外進而考慮傾斜部之聚焦圖，即便存在階差部及傾斜部，亦可高精度地描繪圖案。
(母版製造方法) 圖3～圖12B說明之實施形態之描繪方法可使用於製造母版。以下，作為應用實施形態之描繪方法之母版製造方法，依序說明光罩之製造方法之實施形態及模片之製造方法之實施形態。
圖13A係顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。於製造光罩時，首先如圖13A所示，於圖2A所說明之光罩基底6A上形成光阻膜9。光阻膜9之形成包含塗布光阻膜9及塗布後之預烘烤。另，於圖13A所示之例中，光阻膜9為正型。光阻膜9亦可為負型。
圖13B係接著圖13A顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。於形成光阻膜9之後，如圖13B所示，藉由描繪裝置1照射使用實施形態之描繪方法決定之射束聚焦值之電子束EB。藉此，將被照射電子束EB之部分之光阻膜9曝光。
圖13C係接著圖13B顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。於將光阻膜9曝光、將經曝光之光阻膜9進行後烘烤之後，如圖13C所示，將光阻膜9進行顯影。光阻膜9之顯影由使用藥液之濕式製程進行。藉由顯影而去除經曝光之部分之光阻膜9，於光阻膜9去除後之位置，遮光膜62局部露出。
圖13D係接著圖13C顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。於將光阻膜9顯影之後，使用顯影之光阻膜9作為遮罩蝕刻(即加工)遮光膜62。蝕刻由乾式製程進行。
圖13E係接著圖13D顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。於蝕刻遮光膜62之後，如圖13E所示，去除光阻膜9。藉此，可獲得光罩60A。
圖14A～圖14E係顯示實施形態之模片60B之製造方法之剖視圖。如圖14A～圖14E所示，模片60B之製造方法與光罩60A之製造方法基本相同。模片60B之製造方法與光罩60A之製造方法之不同點在於，以蝕刻加工之對象物為模片基底6B而非遮光膜62。
根據實施形態之光罩60A、模片60B之製造方法，無論基板之表面形狀如何，皆可高精度地進行描繪。藉由將高精度描繪有圖案之光罩60A、模片60B應用於半導體製程，而可於表面具有階差或傾斜之元件基板形成準確尺寸之圖案，可適當地製造半導體裝置。
圖1所示之電腦2之至少一部分可由硬體構成，亦可由軟體構成。於由軟體構成之情形時，可將實現電腦2之至少一部分功能之程式存儲於軟碟或CD-ROM(Compact Disk-Read Only Memory：光碟唯讀記憶體)等記錄媒體，並使電腦讀入而執行。記錄媒體不限定於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型之記錄媒體。又，可經由網際網路等通信線路(亦包含無線通信)配佈而實現電腦2之至少一部分功能之程式。再者，亦可於將相同程式加密、或加以調變、壓縮之狀態下，經由網際網路等有線線路或無線線路、或存儲於記錄媒體而配佈。
以上，雖已說明若干實施形態，但該等實施形態係僅作為例而提示者，並非意在限定發明之範圍者。本說明書所說明之新穎的裝置及方法可由其他各種形態實施。又，可於不脫離發明主旨之範圍內，對本說明書說明之裝置及方法之形態進行各種省略、置換、變更。隨附之申請專利範圍及其均等之範圍意在包含如發明之範圍或主旨所包含之此種形態或變化例。
(附記) (1)一種描繪方法，其包含：取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊；取得表示上述階差部之高度的階差部高度資訊；測定上述基板之高度；基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定出之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖；及藉由基於上述算出之聚焦圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。(2)根據(1)記載之描繪方法，其中上述高度之測定係將上述階差部除外而進行；上述聚焦圖之算出包含：基於將上述階差部除外而測定出之高度，算出表示上述基板之高度之分佈的高度分佈；對上述算出之高度分佈添加上述階差部配置資訊及上述階差部高度資訊。(3)根據(1)記載之描繪方法，其中上述高度之測定係包含上述階差部而進行；上述聚焦圖之算出包含：基於包含上述階差部測定出之高度，算出表示上述基板之高度之分佈的第1高度分佈；算出自上述算出之第1高度分佈去除上述階差部之高度影響後之第2高度分佈；對上述算出之第2高度分佈添加上述階差部配置資訊及上述階差部高度資訊。(4)如(1)至(3)中任一項記載之描繪方法，其進而包含：取得表示上述基板之傾斜部之配置狀態之傾斜部配置資訊；基於上述取得之傾斜部配置資訊及上述階差部高度資訊，算出上述傾斜部之傾斜角度及傾斜方向。(5)如(1)至(3)中任一項記載之描繪方法，其進而包含：取得表示上述基板之傾斜部之傾斜角度的傾斜角度資訊；取得表示上述傾斜部之傾斜方向的傾斜方向資訊。(6)如(1)至(5)中任一項記載之描繪方法，其中上述圖案之描繪包含：於上述射束聚焦值之變化較大之部位，與上述射束聚焦值之變化較小之部位進行比較，而延長射束趨穩時間。(7)如(1)至(6)中任一項記載之描繪方法，其中上述圖案之描繪包含：於上述射束聚焦值之變化較大之部位，與上述射束聚焦值之變化較小之部位進行比較，而延遲載置有上述基板之載台之移動時間。(8)如(1)至(7)中任一項記載之描繪方法，其中上述圖案之描繪係自上述射束聚焦值之變化較小之部位起依序進行。(9)如(4)或(5)記載之描繪方法，其中上述傾斜部具有傾斜平面。(10)如(4)或(5)記載之描繪方法，其中上述傾斜部具有傾斜曲面。(11)一種母版製造方法，其包含使用(1)至(10)中任一項記載之描繪方法於基板形成圖案。(12)如(11)記載之母版製造方法，其進而包含於上述基板上形成光阻膜，測定上述基板之高度係測定上述光阻膜之表面之高度，上述圖案之描繪於上述光阻膜上進行。(13)如(12)記載之母版製造方法，其進而包含：將描繪有上述圖案之上述光阻膜顯影，使用上述顯影之光阻膜作為遮罩加工上述基板，自上述加工後之基板去除上述光阻膜。(14)如(11)至(13)中任一項記載之母版製造方法，其中上述母版為光罩。(15)如(11)至(13)中任一項記載之母版製造方法，其中上述母版為奈米壓印光微影用模片。(16)一種描繪，其具備：取得部，其取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊、與表示上述階差部之高度的階差部高度資訊；測定部，其測定上述基板之高度；算出部，其基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定出之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖；及描繪部，其由基於上述算出之聚焦圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。
[相關申請案之引用] 本申請案基於2021年3月18日申請之背景日本專利申請案第2021-045152號之優先權之利益，並主張該利益，其之所有內容以引用之方式併入於此。
1:描繪裝置 2:電腦 3:高度測定部 4:控制裝置 5:電子照射單元 6:基板 6A:光罩基底 6a:基底部 6B:模片基底 6b:階差部 6C:光罩基底 6c:傾斜部 6c’:傾斜部 7:載台 8:表面形狀資料 9:光阻膜 10:描繪資料 31:出射部 32:受光部 60A:光罩 60B:模片 61:透光性基板 62:遮光膜 C1:傾斜部 C2:傾斜部 C3:傾斜部 C4:傾斜部 d1:面內方向 d2:基準方向 d3:傾斜方向 EB:電子束 P:測定點 S1~S7:步驟 S51:步驟 S52:步驟 x1:X座標 x2:X座標 z1:Z座標 z2:Z座標 zd:階差 θ:傾斜角度
圖1係顯示第1實施形態之描繪裝置之一例之圖。 圖2A係顯示可應用第1實施形態之描繪裝置之光罩基底之一例之剖視圖。 圖2B係顯示可應用第1實施形態之描繪裝置之模片基底之一例之剖視圖。 圖2C係顯示可應用第1實施形態之描繪裝置之光罩基底之另一例之剖視圖。 圖3係顯示第1實施形態之描繪方法之一例之流程圖。 圖4係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之表面形狀資料之取得步驟之說明圖。 圖5係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之基板表面之高度之測定步驟之說明圖。 圖6係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之高度分佈之算出步驟之說明圖。 圖7係用以說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之聚焦圖之算出步驟之說明圖。 圖8係用於說明第1實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之描繪步驟之說明圖。 圖9A係用於說明第1實施形態之描繪方法之作用之說明圖。 圖9B係用於說明第1比較例之說明圖。 圖9C係用於說明第2比較例之說明圖。 圖10係用於說明第2實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之基板表面高度之測定步驟之說明圖。 圖11係用於說明第2實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之高度分佈之算出步驟之說明圖。 圖12A係用於說明第3實施形態之描繪方法中，圖3之流程圖所示之表面形狀資料之取得步驟之說明圖。 圖12B係用於說明第3實施形態之描繪方法中，算出傾斜部之傾斜角度及傾斜方向之例之說明圖。 圖13A係顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。 圖13B係接著圖13A顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。 圖13C係接著圖13B顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。 圖13D係接著圖13C顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。 圖13E係接著圖13D顯示實施形態之光罩之製造方法之剖視圖。 圖14A係顯示實施形態之模片之製造方法之剖視圖。 圖14B係接著圖14A顯示實施形態之模片之製造方法之剖視圖。 圖14C係接著圖14B顯示實施形態之模片之製造方法之剖視圖。 圖14D係接著圖14C顯示實施形態之模片之製造方法之剖視圖。 圖14E係接著圖14D顯示實施形態之模片之製造方法之剖視圖。
S1~S7:步驟

Claims (10)

  1. 一種描繪方法，其包含：取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊；取得表示上述階差部之高度的階差部高度資訊；測定上述基板之高度；基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定出之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖；及藉由基於上述算出之聚焦圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。
  2. 如請求項1之描繪方法，其中上述高度之測定係將上述階差部除外而進行；上述聚焦圖之算出包含：基於將上述階差部除外而測定出之高度，算出表示上述基板之高度之分佈的高度分佈；對上述算出之高度分佈添加上述階差部配置資訊及上述階差部高度資訊。
  3. 如請求項1之描繪方法，其中上述高度之測定係包含上述階差部而進行；上述聚焦圖之算出包含：基於包含上述階差部而測定出之高度，算出表示上述基板之高度之分佈的第1高度分佈；算出自上述算出之第1高度分佈去除上述階差部之高度影響後之第2高度分佈；對上述算出之第2高度分佈添加上述階差部配置資訊及上述階差部高度資訊。
  4. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其進而包含：取得表示上述基板之傾斜部之配置狀態之傾斜部配置資訊；基於上述取得之傾斜部配置資訊及上述階差部高度資訊，算出上述傾斜部之傾斜角度及傾斜方向。
  5. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其進而包含：取得表示上述基板之傾斜部之傾斜角度的傾斜角度資訊；取得表示上述傾斜部之傾斜方向的傾斜方向資訊。
  6. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其中上述圖案之描繪包含：於上述射束聚焦值之變化較大之部位，與上述射束聚焦值之變化較小之部位進行比較，而延長射束趨穩時間。
  7. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其中上述圖案之描繪包含：於上述射束聚焦值之變化較大之部位，與上述射束聚焦值之變化較小之部位進行比較，而延遲載置有上述基板之載台之移動時間。
  8. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其中上述圖案之描繪係自上述射束聚焦值之變化較小之部位起依序進行。
  9. 一種母版製造方法，其包含使用如請求項1至8中任一項之描繪方法於基板形成圖案。
  10. 一種描繪裝置，其具備：取得部，其取得表示基板之階差部之配置狀態的階差部配置資訊、與表示上述階差部之高度的階差部高度資訊；測定部，其測定上述基板之高度；算出部，其基於上述取得之階差部配置資訊及階差部高度資訊、與上述測定出之高度，算出表示與上述基板之描繪位置相應之電子束之射束聚焦值之分佈的聚焦圖；及描繪部，其由基於上述算出之聚焦圖而決定之射束聚焦值之電子束，於上述基板描繪圖案。
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