JP2022028437A - 原版製造方法、描画データ作成方法、及びパターン欠陥の修正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターンの欠陥修正が可能なパターン欠陥の修正方法を提供する。【解決手段】パターン欠陥の修正方法は、所定のパターンを含む第１図形パターンと第２図形パターンに関し、第１図形パターンに対応する第１図形データと、第２図形パターンに対応する第２図形データとを用意し、パターン形成対象物上に形成された第１膜に、第１図形データに基づいてレーザー又は荷電粒子のビームを照射して第１図形パターンを描画し、第１図形パターンが描画された第１膜を用い、パターン形成対象物に第１図形パターンを形成し、第１図形パターンが形成されたパターン形成対象物を検査し、検査結果に基づいて第３図形データを生成し、第３図形データに基づいて第２図形データを補正し、第１図形パターンが形成されたパターン形成対象物上に形成された第２膜に、補正された第２図形データに基づいてビームを照射することを含む。【選択図】図７

Description

本発明の実施形態は、原版製造方法、描画データ作成方法、及びパターン欠陥の修正方法に関する。

半導体デバイスの製造工程の一つに、所定のパターンを基板に転写する工程がある。この工程に利用される技術としては、例えばフォトリソグラフィ技術やインプリント技術がある。フォトリソグラフィ技術によれば、フォトマスクと呼ばれる原版に描画されたパターンが基板上の感光性高分子材料に転写されてエッチングマスクが形成される。一方、インプリント技術によれば、テンプレートと呼ばれるパターンを有する原版が基板上のレジストに押し当てられてエッチングマスクが形成される。このように形成されたエッチングマスクにより下地層がエッチングされ、基板に対してパターンが転写される。

半導体デバイスの高集積化のため、パターンはますます微細化されており、半導体デバイスの製造だけでなく、原版の製造もまた難しくなっている。

特開２０１４－２３２８０９号公報

本発明の一つの実施形態は、原版に微細なパターンを形成する際に生じ得る、原版上のパターンの欠陥を修正することが可能な原版製造方法、描画データ作成方法、及びパターン欠陥の修正方法を提供する。

本開示の一つの実施形態によれば、原版製造方法が提供される。この原版製造方法は、所定のパターンを含む第１の図形パターンと第２の図形パターンについて、当該第１の図形パターンに対応する第１の図形データと、当該第２の図形パターンに対応する第２の図形データとを用意し、パターン形成対象物に、前記第１の図形データに基づいて前記第１の図形パターンを形成し、前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物に対する検査を行い、前記検査の結果に基づいて第３の図形データを生成し、前記第３の図形データに基づいて前記第２の図形データを補正し、補正された前記第２の図形データに基づいて、前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物をパターニングすることを含む。

図１（Ａ）から図１（Ｄ）は、実施形態による原版製造方法の主な工程におけるテンプレートの断面を模式的に示す断面図である。 図２（Ａ）から図２（Ｄ）は、図１に引き続いて、実施形態による原版製造方法の主な工程におけるテンプレートの断面を模式的に示す断面図である。 図３（Ａ）から図３（Ｄ）は、図２に引き続いて、実施形態による原版製造方法の主な工程におけるテンプレートの断面を模式的に示す断面図である。 図４（Ａ）は、第１の図形データによる第１の図形パターンの一部を模式的に示す図であり、図４（Ｂ）は、電子顕微鏡や原子間力顕微鏡などの検査装置により観察された表面画像を模式的に示す上面図であり、図４（Ｃ）は、比較結果に基づいて生成された第３の図形パターンを示す図である。 図５（Ａ）は、本実施形態による、第２の図形パターンを模式的に示す図であり、図５（Ｂ）は、補正された第２の図形パターンを模式的に示した図である。 図６（Ａ）は、変形例による、補正された第２の図形パターンを模式的に示す図であり、図６（Ｂ）は、所定の表面検査装置により観察された、表面画像を模式的に示す上面図である。 図７は、第２の実施形態によるパターン欠陥の修正方法を説明するフローチャートである。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間、または、種々の層の厚さの間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な厚さや寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されてよい。

（第１の実施形態）
図１から図３までを参照しながら、第１の実施形態による原版製造方法を説明する。以下の説明では、原版としてテンプレートを例にとる。図１から図３は、第１の実施形態による原版製造方法の主な工程におけるテンプレートの断面を模式的に示す断面図である。

本実施形態による原版製造方法においては、まず、図１（Ａ）に示すように、テンプレートの出発材料１０が用意される。出発材料１０は、石英基板１２と、石英基板１２上に形成された金属膜１４とを有している。金属膜１４は、石英基板１２に所定のパターンを形成するためのハードマスクとしての役割を有しており、パターンが形成された石英基板１２がテンプレートとして用いられることとなる。

また、出発材料１０にはアライメントマーク１６が設けられている。アライメントマーク１６は、金属膜１４に形成された開口部と、その開口部に対応して形成された、石英基板１２の凹部として実現される。アライメントマーク１６は、テンプレート製造において図形パターンを描画する際に利用される。また、完成後のテンプレートをレジスト膜に押し付けるときに、基板に対してテンプレートを位置決めするために利用されても良い。なお、以下の説明においては、図示の便宜上、２つのアライメントマーク１６を図示するが、４つのアライメントマーク１６が石英基板１２の四隅に一つずつ配置されて良い。また、出発材料１０は、石英基板１２の代わりに例えば樹脂基板を有しても良い。樹脂基板は、石英基板１２と同様に、紫外光を透過する材料により形成され得る。また、金属膜１４は、これに限定されることなく例えばクロム（Ｃｒ）で形成されて良い。さらには、金属膜１４に代わって、ダイヤモンドライクカーボンなどの有機系のハードマスクを用いてもよい。

次に、用意された出発材料１０に対して、図１（Ｂ）に示すように、金属膜１４を覆うようにフォトレジスト膜ＰＦ１が塗布される。本実施形態では、フォトレジスト膜ＰＦ１は、ポジタイプの感光性材料で形成されている。続けて、図１（Ｃ）に示すように、不図示の描画装置により、このフォトレジスト膜ＰＦ１に対して、例えばアルゴンイオンレーザーなどのレーザービームや、または電子ビームなどの荷電粒子ビームが照射され、フォトレジスト膜ＰＦ１に第１の図形パターンＣＰ１が描画される。第１の図形パターンＣＰ１は、図示のとおり、荷電粒子ビームが照射された領域ＰＦＥ１を有している。描画装置としては、例えばレーザービーム描画装置や電子ビーム（ＥＢ）描画装置を用いることができる。ＥＢ描画装置は、電子銃から発せられる電子ビームを電子レンズによってフォトレジスト膜ＰＦ１上に集束し、集束された電子ビームを電子ビーム偏向制御系によりフォトレジスト膜ＰＦ１上で走査することにより、フォトレジスト膜ＰＦ１上に第１の図形パターンＣＰ１を描くことができる。

ＥＢ描画装置は例えば中央演算装置（ＣＰＵ）等を含む制御部を有し、制御部によって、電子銃、電子レンズ、及び電子ビーム偏向制御系に対して、予め用意された図形データに基づく制御が行われる。本実施形態においては、図形データは、テンプレートが有することになるパターン（以下、テンプレートパターンと言う）を描画するためのデータである。また、図形データには、第１の図形パターンＣＰ１に対応する第１の図形データと、後述する第２の図形パターンＣＰ２に対応する第２の図形データとが含まれる。第１の図形データは、第１の図形パターンＣＰ１の形状や線幅に関する情報、及び電子ビーム強度（照射量）などに関する情報を含み、第２の図形データもまた、第２の図形パターンＣＰ２の形状や線幅に関する情報、及び電子ビーム強度（照射量）などに関する情報を含む。

第１の図形パターンＣＰ１と第２の図形パターンＣＰ２は、テンプレートパターンのピッチ（ライン・アンド・スペースパターンにおいては、ライン幅とスペース幅の合計）の２倍のピッチを有しており、これら２つの図形パターンＣＰ１、ＣＰ２が組み合わされることにより、より微細なテンプレートパターンが実現される。

第１の図形パターンＣＰ１が描画されたフォトレジスト膜ＰＦ１が、現像装置（不図示）により現像されると、第１の図形パターンＣＰ１に対応したパターンを有するフォトレジストマスクが形成される。ここで、図１（Ｄ）に示すように、現像の前にフォトレジスト膜ＰＦ１上にパーティクルＰが偶発的に付着していた場合には、パーティクルＰが付着した部分に現像液が触れることが無いため、図２（Ａ）に示すように、その部分のフォトレジストは溶出することなく残ってしまうこととなる。すなわち、フォトレジストマスクＰＭ１に欠陥Ｄが発生してしまう。このため、フォトレジストマスクＰＭ１を用いて金属膜１４をエッチングし、金属膜１４上に残ったフォトレジスト膜ＰＦ１をアッシングにより除去した後には、図２（Ｂ）に示すように、金属膜１４においても、本来は開口すべき部分が開口せずに残ってしまう。言い換えると、金属膜１４にも欠陥Ｄが転写されてしまうこととなる。

次に、図２（Ｂ）に示す欠陥Ｄを含んだ金属膜１４に対して、以下のように検査が行われる。この検査には光学顕微鏡や電子顕微鏡や原子間力顕微鏡などの検査装置を用いることができる。具体的には、これらの検査装置により、金属膜１４の表面が観察され、そのパターンを示す画像データが取得される。

図４（Ａ）は、第１の図形データによる第１の図形パターンＣＰ１の一部を示す図であり、図４（Ｂ）は、所定の表面検査装置により観察された、金属膜１４の欠陥Ｄを含む領域の表面画像を模式的に示す上面図であり、図４（Ｃ）は、比較結果に基づいて生成された第３の図形パターンＣＰ３を示す図である。

図４（Ａ）を参照すると、第１の図形パターンＣＰ１は、荷電粒子ビーム（例えば電子ビーム（ＥＢ））が照射されるべき複数の部分Ｐ１を有している。これらの部分Ｐ１の各々は、一の方向にライン状に延びた形状を有している。また、これらの部分Ｐ１は、一の方向（長手方向）と直交する方向に所定のピッチ（テンプレートパターンの２倍のピッチ）で並んでいる。一方、金属膜１４の表面観察像においては、図４（Ｂ）に示すように、部分Ｐ１に対応した部分が開口部ＯＰとなり、石英基板１２が露出している。ただし、上述のようにパーティクルＰ（図１（Ｄ））に由来した欠陥Ｄもまた観察されている。欠陥Ｄのような欠陥は、例えば光学顕微鏡や電子顕微鏡や原子間力顕微鏡などの表面検査装置による観察像の画像データに基づき、例えばパターン認識技術を利用することにより検出することができる。また、欠陥の形状や座標位置は、観察像の画像データに基づいて特定することができる。また、観察像の画像データと、第１の図形データとを比較することにより、欠陥の形状や座標位置を求めても良い。すなわち、第１の図形データに無い構造が画像データにあることから、その構造は、本来存在しない欠陥として把握され得る。この場合、両データを比較したときに見出された差異によって、欠陥に対応する形状や座標位置が把握され得る。以上のようにして、欠陥の形状や座標位置を示す第３の画像データが生成される。図４（Ｃ）は、第３の画像データに基づく第３の図形パターンＣＰ３を示している。第３の図形パターンＣＰ３は、欠陥Ｄに対応した部分Ｐ２を有しており、部分Ｐ２は、部分Ｐ１と同様に荷電粒子ビームが照射されるべき部分として設けられる。

次いで、第３の図形データに基づいて、第２の図形データが補正される。図５（Ａ）は、第２の図形データに基づく本来の第２の図形パターンＣＰ２を模式的に示す図である。図示のとおり、第２の図形パターンＣＰ２は、第１の図形パターンＣＰ１と同様に複数の部分Ｐ１を有している。ただし、第１の図形パターンＣＰ１と第２の図形パターンＣＰ２との間では、部分Ｐ１は、長手方向に直交する方向に沿って互いに１／２ピッチだけずれている。この第２の図形パターンＣＰ２に第３の図形パターンＣＰ３を重ね合わせることにより、第２の図形パターンＣＰ２が補正される。図５（Ｂ）は、このように補正された第２の図形パターンＣＣＰ２を模式的に示した図であり、複数の部分Ｐ１に加えて、部分Ｐ２が示されている。補正された第２の図形パターンＣＣＰ２に対応する、補正された第２の図形データは、例えば、描画装置の記憶部に保存される。

続けて、図２（Ｃ）に示すように、欠陥Ｄを含むものの第１の図形パターンＣＰ１が形成された金属膜１４の上にフォトレジスト膜ＰＦ２が塗布される。次いで、このフォトレジスト膜ＰＦ２に対して、補正された第２の図形パターンＣＣＰ２に対応する図形データに基づいて、荷電粒子ビームが照射される。これにより、図２（Ｄ）に示すように、フォトレジスト膜ＰＦ２に、補正された第２の図形パターンＣＣＰ２が形成される。この第２の図形パターンＣＣＰ２は、荷電粒子ビームにより照射された領域ＰＦＥ２を有している。

次に、このフォトレジスト膜ＰＦ２が現像されると、図３（Ａ）のようにフォトレジストマスクＰＭ２が得られる。補正された第２の図形パターンＣＣＰ２は、上述のとおり、部分Ｐ１だけでなく部分Ｐ２を有しており（図５（Ｂ））、よって、部分Ｐ２にも荷電粒子ビームが照射されたため、部分Ｐ２も現像により溶出する。したがって、フォトレジストマスクＰＭ２は、部分Ｐ１に対応する部分にだけでなく、部分Ｐ２の上方にも開口を有している。

次に、図３（Ｂ）に示すように、フォトレジストマスクＰＭ２により金属膜１４がエッチングされ、残余のフォトレジストマスクＰＭ２が除去されると、ハードマスクＨＭが得られる。ハードマスクＨＭは、補正された第２の図形パターンＣＣＰ２を有することとなり、したがって、ハードマスクＨＭにおいても部分Ｐ１だけでなく部分Ｐ２が開口している。

続けて、ハードマスクＨＭを用いて、石英基板１２をエッチングする（図３（Ｃ））と、テンプレートパターンを有するテンプレートＴＰが完成する（図３（Ｄ））。ここで、ハードマスクＨＭは、部分Ｐ２に対応した開口部を有しているため、第１の図形パターンＣＰ１を金属膜１４に転写したときに生じた欠陥Ｄが修正されることとなる。

以上説明したように、本実施形態による原版製造方法においては、まず、テンプレートに形成されるべきテンプレートパターンを構成する第１の図形パターンＣＰ１と第２の図形パターンＣＰ２にそれぞれ対応した第１の図形データと第２の図形データが生成される。次に、第１の図形パターンＣＰ１が転写された金属膜１４の表面を観察することにより、金属膜１４の欠陥が検出される。検出された欠陥を修正するための第３の図形データが生成され、これに基づいて、第２の図形パターンＣＰ２が補正される。補正された第２の図形パターンＣＣＰ２に対応する図形データに基づいて、金属膜１４上に塗布されたフォトレジスト膜ＰＦ２に荷電粒子ビームが照射され、補正された第２の図形パターンＣＣＰ２が金属膜１４に転写される。これにより、ハードマスクＨＭが得られる。ハードマスクＨＭは、第２の図形パターンＣＰ２だけでなく、検出された欠陥を修正するための第３の図形パターンＣＰ３も有している。したがって、ハードマスクＨＭは、テンプレートパターンに対応するパターンを有することができ、ハードマスクＨＭを用いて石英基板１２をエッチングすることにより、テンプレートが得られる。

すなわち、本実施形態による原版製造方法によれば、第１の図形パターンＣＰ１が転写された金属膜１４に対して、補正された第２の図形パターンＣＣＰ２が転写されるため、第１の図形パターンＣＰ１の転写時に金属膜１４に発生した欠陥を修正することができる。したがって、欠陥が低減された所望のテンプレートパターンを有するテンプレートを製造することが可能となる。

また、第１の図形パターンＣＰ１の転写時に金属膜１４に発生した欠陥が、補正された第２の図形パターンＣＰ２を転写する際に修正することができるため、第１の図形パターンＣＰ１の転写後にリワークを行う必要がない。よって、余計な工程を避けることができ、短時間でのテンプレート製造が可能となる。

なお、第１の図形パターンＣＰ１が形成された金属膜１４の表面観察において、欠陥が見いだされなかった場合には、第２の図形パターンＣＰ２に対応する第２の図形データに基づいて、フォトレジスト膜ＰＦ２に対して荷電粒子ビームが照射されて良い。

（変形例）
次に、第１の実施形態による原版製造方法の変形例について説明する。本変形例では、上述の原版製造方法における第２の図形パターンＣＰ２が異なる方法で補正される。図６（Ａ）は、変形例による原版製造方法において、補正された第２の図形パターンＣＣＰ４の一部を模式的に示す上面図である。また、図６（Ｂ）は、第１の図形パターンＣＰ１と、補正された第２の図形パターンＣＣＰ４が転写された金属膜１４を模式的に示す上面図である。

図示のとおり、補正された第２の図形パターンＣＣＰ４もまた、上述の補正された第２の図形パターンＣＣＰ２と同様に、欠陥Ｄを修正するための部分Ｐ２を有している。また、部分Ｐ２の両側のライン状に延びた部分Ｐ１０には、部分Ｐ２に対向する狭幅部ＮＷを有している。この狭幅部ＮＷは、いわゆる近接効果という現象を考慮して設けられている。

近接効果とは、照射した荷電粒子ビームがフォトレジスト膜（ＰＦ２）内で散乱したり、反射したりするために、照射領域が拡大してしまう現象であり、照射領域が近接する場合に特に顕著になる。補正された第２の図形パターンＣＣＰ４のように、本来の第２の図形パターンＣＰ２には無かったパターン（部分Ｐ２）が追加された場合には、部分Ｐ２と部分Ｐ１０との間は、部分Ｐ１間の間隔よりも狭くなる上に、近接効果によって更に狭くなるおそれがある。そのため、部分Ｐ１０にはパターン幅の小さい狭幅部ＮＷを設けることにより、部分Ｐ２との距離を大きくすることにより、近接効果による影響を低減することとしている。すなわち、第２の図形パターンＣＰ２は、第３の図形パターンＣＰ３に基づいて、補正されるだけでなく、狭幅部ＮＷを設ける補正が行われる。このようにして得た、補正された第２の図形パターンＣＣＰ４を用いて、第１のパターンＣＰが転写された金属膜１４（欠陥Ｄを含む）をパターニングすると、ハードマスクＨＭが得られる。図６（Ｂ）に示すように、ハードマスクＨＭには、第１の図形パターンＣＰ１及び第２の図形パターンＣＰ２の部分Ｐ１と同様に、ほぼ同一形状を有する開口部ＯＰが形成されている。

なお、狭幅部ＮＷの幅や長さ（部分Ｐ１０の長手方向に沿った長さ）は、例えば特開平９－２８９１６４号公報に開示される照射量補正法などにより決定されて良い。この公報は、荷電ビーム描画方法において近接効果の影響を効率よく低減するため、（欠陥等を考慮するわけではなく）パターンのサイズや密度、間隔などに基づいて、最適なビーム照射量を計算する方法を開示している。このような計算は、一般に、チップの全体に相当するパターンについて行われるため、計算量が多くなるが、変形例による原版製造法においては、表面検査で検出された欠陥Ｄの周囲でのみ計算を行えば良いため、短時間で簡便に狭幅部ＮＷの幅や長さを決定することができる。また、計算精度の向上も期待される。

また、部分Ｐ１０をフォトレジスト膜（ＰＦ２）上に実現する場合には、上述のように幅や長さが決定された狭幅部ＮＷに荷電粒子ビームが到達したときに、荷電粒子ビームの集束径を小さくするとともにシフトするようにして良い。また、荷電粒子ビームを部分Ｐ１０の長手方向に沿って複数回往復させることにより部分Ｐ１０に照射する場合には、荷電粒子ビームが狭幅部ＮＷに至った時に、荷電粒子ビームを所定の期間停止させ、再び照射を開始しても良い。さらに、荷電粒子ビームの照射量を低減することにより、狭幅部ＮＷを実現するようにしても良い。これによれば、荷電粒子ビームのフォトレジスト膜（ＰＦ２）内での散乱や反射が低減されるため、近接効果の影響が低減される。すなわち、低い照射量で照射された部分を狭幅部ＮＷとすることができる。もちろん、計算により求めた狭幅部ＮＷに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を低減するようにしても良い。

（第２の実施形態）
これまで第１の実施形態による原版製造方法を説明したが、本開示は、描画データ作成方法やパターン欠陥の修正方法としても実施することが可能である。図８は、第２の実施形態によるパターン修正方法（描画データ作成方法）の手順の一例を示すフローチャートである。

本実施形態によるパターン欠陥の修正方法においては、まず、ステップＳ１において、形成されるパターンを構成する第１の図形パターンと第２の図形パターンにそれぞれ対応した第１の図形データと第２の図形データが生成される。第１の図形データは、第１の図形パターンＣＰ１の形状や線幅に関する情報、及び、荷電粒子ビームが使用される場合には、その強度（照射量）などに関する情報を含み、第２の図形データもまた、第２の図形パターンＣＰ２の形状や線幅に関する情報、及び電子ビーム強度（照射量）等に関する情報を含む。

次に、ステップＳ２において、パターンが形成されるべき形成対象物に、第１の図形データに基づいて第１の図形パターンが形成され、ステップＳ３において、形成された第１の図形パターンが観察され、画像データが取得される。次いで、本実施形態においては、ステップＳ４にて第１の図形データと画像データとが比較される。

続けて、第１の図形データと画像データとの間の差異が検出される（ステップＳ５）。差異が無い場合には（ステップＳ５：ＮＯ）、第１の図形パターンが形成された形成対象物に対して、第２の図形データに基づき、第２の図形パターンが形成され（ステップＳ９）、一連のプロセスが終了する。

一方、第１の図形データと画像データとの間に差異がある場合には（ステップＳ５：ＹＥＳ）、その差異に基づいて、第３の図形パターンに対応する第３の図形データが生成される（ステップＳ６）。次いで、ステップＳ７において第３の図形データに基づいて、第２の図形データが補正され、ステップＳ８において、補正された第２の図形データに基づいて、第１の図形パターンが形成された形成対象物がパターニングされる。以上により、一連のプロセスが終了する。

なお、第２の実施形態の変形例として、ステップＳ４からステップＳ６までに代わり、ステップＳ３で取得された画像データに基づき、パターン認識技術等を利用して第３の図形データを生成しても良い。

本発明の実施形態（変形例を含む、以下同じ）を説明したが、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

更なる変形例としては、例えば以下のものが例示される。例えば、上述の実施形態においては、テンプレートパターンに対応する図形データには、第１の図形パターンＣＰ１に対応する第１の図形データと、後述する第２の図形パターンＣＰ２に対応する第２の図形データとの２つの個別の図形データが含まれていたが、２つに限らず、３つの個別の図形データが含まれても良い。この場合、補正された第２の図形データに基づいて、第１の図形パターンが修正されつつ第２の図形パターンが金属膜１４に形成されるが（図３（Ｂ））、この後に、その金属膜１４の検査が行われて良い。そして、この検査に基づいて、３つ目の個別の図形データが補正され、補正された図形データに基づいて、金属膜１４が更にパターニングされて良い。

また、上述の実施形態において、第１の図形パターンと観察像との間の差異に相当する第３の図形パターンを示す第３の図形データが生成されたが、第３の図形データは、必ずしも図形パターンを示すデータでなくて良い。例えば、第３の図形データは、第１の図形パターンに対応する第１の図形データと、観察像の画像データとの比較により得られる、座標位置と、その座標位置における欠陥の有無を示す情報とが対応付けられたデータであっても良い。換言すると、第３の図形データは、第２の図形データを補正可能であれば良い。

また、上述の実施形態においては、補正された第２の図形データに基づいて金属膜１４をパターニングすることによりハードマスクＨＭを得、このハードマスクＨＭを用いて石英基板１２をエッチングした。しかし、金属膜１４に第１の図形パターンが形成された後に（図２（Ｂ）の後に）、石英基板１２をエッチングしても良い。この場合であっても、第１の図形パターンが形成された金属膜１４の検査に基づいて、第３の図形パターンを生成し、これにより、第２の図形パターンが補正されるから、第１の図形パターンが形成された金属膜１４に欠陥があっても、これを修正することが可能である。また、これによれば、石英基板１２が２回エッチングされるため、１回目のエッチングと、２回目のエッチングとにおいて、エッチング量（深さ）を変えることにより、３次元的なパターンを形成することも可能となる。

また、上述の実施形態においては、原版としてのテンプレートを製造する場合を例にとって説明したが、原版してのフォトマスク（レチクル）の製造にも本実施形態を応用することができる。この場合、図３（Ｂ）に示すように、第１の図形パターンＣＰ１と第２の図形パターンＣＰ２を金属膜１４に転写することにより形成されたハードマスクＨＭが得られたところでプロセスを停止すれば、フォトマスクを製造することができる。すなわち、金属膜１４は光の透過を阻害するため、石英基板１２と、その上に形成される所定のパターンを有する金属膜１４（ハードマスクＨＭ）とにより、フォトマスクが実現される。

また、第３の図形パターンＣＰ３の生成の際に、第１の図形パターンＣＰ１が転写された金属膜１４の画像データと、第１の図形パターンＣＰ１に対応する第１の図形データとが比較されたが、さらに第２の図形パターンＣＰ２に対応する第２の図形データを用いても良い。画像データと第１の図形データと間で差異が生じたとしても、その部分と第２の図形パターンＣＰ２が重複する場合には、その差異は無視されても良い。

１２…石英基板、１４…金属膜、１６…アライメントマーク、ＰＦ１，ＰＦ２…フォトレジスト膜、Ｄ…欠陥、ＣＰ１…第１の図形パターン、ＣＰ２…第２の図形パターン、ＣＰ３…第３の図形パターン、ＣＣＰ２…補正された第２の図形パターン、ＨＭ…ハードマスク。

Claims (10)

1. 所定のパターンを含む第１の図形パターンと第２の図形パターンについて、当該第１の図形パターンに対応する第１の図形データと、当該第２の図形パターンに対応する第２の図形データとを用意し、
   パターン形成対象物に、前記第１の図形データに基づいて前記第１の図形パターンを形成し、
   前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物に対する検査を行い、
   前記検査の結果に基づいて第３の図形データを生成し、
   前記第３の図形データに基づいて前記第２の図形データを補正し、
   補正された前記第２の図形データに基づいて、前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物をパターニングすることを含む、原版製造方法。
2. 前記パターン形成対象物に、前記第１の図形データに基づいて前記第１の図形パターンを形成することが、
   前記パターン形成対象物の上に第１の膜を形成し、
   前記第１の図形データに基づいて前記第１の膜へレーザービームまたは荷電粒子ビームを照射することにより第１のマスクを形成し、
   前記第１のマスクを用いて、前記パターン形成対象物をエッチングすることを含む、請求項１に記載の原版製造方法。
3. 補正された前記第２の図形データに基づいて、前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物をパターニングすることが、
   前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物の上に第２の膜を形成し、
   補正された前記第２の図形データに基づいて前記第２の膜へレーザービームまたは荷電粒子ビームを照射することにより第２のマスクを形成し、
   前記第２のマスクを用いて、前記パターン形成対象物をエッチングすることを含む、請求項１又は２に記載の原版製造方法。
4. 前記パターン形成対象物が、紫外光を透過可能な基板の表面に形成されたハードマスク膜である、請求項１から３のいずれか一項に記載の原版製造方法。
5. 前記パターン形成対象物としての前記ハードマスク膜をマスクとして前記基板を加工することを更に含む、請求項４に記載の原版製造方法。
6. 前記第２の図形データの補正において、補正前の前記第２の図形パターンと異なる第３の図形パターンを追加する場合、前記第３の図形パターンの周囲における前記第２の図形パターンが部分的に縮小化される、請求項１から５のいずれか一項に記載の原版製造方法。
7. 前記第２の図形パターンの縮小化が、レーザービームまたは荷電粒子ビームが照射される領域を縮小化することにより行われる、請求項６に記載の原版製造方法。
8. 前記第２の図形パターンの縮小化が、レーザービームまたは荷電粒子ビームの照射量を低下させることにより行われる、請求項６に記載の原版製造方法。
9. 所定のパターンを含む第１の図形パターンと第２の図形パターンについて、当該第１の図形パターンに対応する第１の図形データと、当該第２の図形パターンに対応する第２の図形データとを用意し、
   パターン形成対象物の上に形成された第１の膜に、前記第１の図形データに基づいてレーザービームまたは荷電粒子ビームを照射して、前記第１の図形パターンを描画し、
   前記第１の図形パターンが描画された前記第１の膜を用いて、前記パターン形成対象物に前記第１の図形パターンを形成し、
   前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物に対する検査を行い、
   前記検査の結果に基づいて第３の図形データを生成し、
   前記第３の図形データに基づいて前記第２の図形データを補正し、
   前記第１の図形パターンが形成された前記パターン形成対象物の上に形成された第２の膜に、補正された前記第２の図形データに基づいてレーザービームまたは荷電粒子ビームを照射することを含む、パターン欠陥の修正方法。
10. 所定のパターンを含む第１の図形パターンと第２の図形パターンについて、当該第１の図形パターンに対応する第１の図形データと、当該第２の図形パターンに対応する第２の図形データとを用意し、
    形成された前記第１の図形パターンの検査結果に基づいて第３の図形データを生成し、
    前記第３の図形データに基づいて、前記第２の図形データを補正することを含む、描画データ作成方法。

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