TWI566319B - Substrate processing methods and memory media - Google Patents

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Description

基板處理方法及記憶媒體
本發明關於在收納著複數片處理對象基板的基板收納部與處理部之間進行基板之搬送的技術。
於對基板、亦即半導體晶圓(以下稱晶圓)之表面形成積體電路之積層構造的半導體裝置之製造工程中，係利用進行晶圓之成膜處理或蝕刻處理、光微影成像技術工程之阻劑膜之塗布、顯像處理等各種製程處理的基板處理裝置。
例如於專利文獻1所揭示，設置將各種之處理液供給至晶圓而進行液處理或乾燥處理的複數個處理部(晶圓處理單元)，針對彼等處理部，使用晶圓之搬送用搬送機構(第2基板搬送裝置)或收/送機構(第1基板搬送裝置)，將基板收納部、亦即FOUP(Front-Opening Unified Pod)內之晶圓搬送至各處理部的基板處理裝置(基板處理系統)。
於該基板處理裝置，係設置將搬送於FOUP與處理部之間的晶圓暫時載置之同時，於搬送機構與收/送機構之間進行晶圓之收/送，而可將複數片晶圓收容的棚段狀之中間收/送部(基板收容部)。收/送機構係專用於FOUP與中間收/送部之間之晶圓之搬送，使用搬送機構進行中間收/送部-處理部間之晶圓搬送。收/送機構， 係將晶圓依序搬送至空的中間收/送部而提高搬送效率。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕特開2010-129769號公報：請求項1，段落0042~0050，圖1
於專利文獻1記載之基板處理裝置，係於收/送機構設置2片之基板保持構件(勾部)，未處理之晶圓以2片為1組(set)可以同時由FOUP依序搬送至中間收/送部。又，處理完畢之晶圓由中間收/送部搬送至FOUP時，收/送機構，係等待處理終了之同一組之2片晶圓備齊於中間收/送部，而實施晶圓之搬送。
但是，在一部分之處理部產生問題時，或晶圓致使處理時間不同時等，2片之晶圓同時搬送對於晶圓之搬送效率未必較高。關於該點，於專利文獻1針對此種情況下如何搬送晶圓始能實現有效率搬送之判斷手法並未揭示。
本發明係基於此種背景之下完成者，目的在於提供利用具備複數個基板保持構件之收/送機構，可以有效率的進行晶圓之搬送的基板處理裝置、基板處理方法及記憶該方法的記憶媒體。
本發明之基板處理裝置，係由收納複數個基板的基板收納部依序將基板取出，於處理部進行該基板之處理後，回送至基板收納部者；其特徵為具備：中間收/送部，用於載置複數個基板；搬送機構，用於將上述處理部進行處理而處理完畢之基板一片片搬送至上述中間收/送部；收/送機構，具有複數個基板保持構件，用於在上述基板收納部與上述中間收/送部之間進行複數個基板之收/送；及控制部，其進行以下判斷：藉由該收/送機構，由上述基板收納部以群組被取出的複數個基板之中，先處理終了的第1基板被收/送至上述中間收/送部之後，等待後續之處理完畢之基板被收/送至上述中間收/送部，藉由上述收/送機構將兩方之基板同時進行搬送，或者不等待後續之處理完畢之基板之收/送而藉由上述收/送機構進行上述第1基板之搬送。
上述基板處理裝置亦可具備以下之特徵。
(a)於上述控制部進行之判斷，係針對上述後續之處理完畢之基板被收/送至中間收/送部為止之等待時間，與處理完畢之上述第1基板搬送至基板收納部之後，將次一基板載置於上述中間收/送部為止之搬送時間進行比較判斷，當上述等待時間短於上述搬送時間時，上述收/送機構係等待該後續之處理完畢之基板被收/送至中間 收/送部。
(b)上述等待時間，係處理完畢之上述第2基板被收/送至中間收/送部為止之時間。又，較上述第2基板更早處理終了的基板存在於上述處理部時，係以最早被搬入該處理部之基板之被收/送至上述中間收/送部為止之時間設定成為上述等待時間，或以最早處理終了的基板被收/送至上述中間收/送部為止之時間設定成為上述等待時間。
(c)當複數種類之處理以預定的順號於上述處理部被執行時，於上述控制進行之判斷，係針對彼等複數種類之處理之中，順號在預定時序之後之處理是否為對上述後續之基板執行之判斷，當判斷該順號在後之處理被執行時，係等待上述後續之處理完畢之基板被收/送至中間收/送部。
(d)上述控制部，係在處理完畢之上述第1基板被收/送至上述中間收/送部之後，作動計時器，在該計時器之計時終了(time's up)為止使後續之處理完畢之基板等待於上述收/送機構，於上述控制部進行之判斷，係上述計時器是否計時終了之判斷。
(e)上述處理部，係具備：互相上下被積層的上段側之第1處理部與下段側之第2處理部；上述中間收/送部，係具備：和第1處理部呈連通的上段側之第1中間收/送部，及和第2處理部呈連通的下段側之第2中間收/送部；上述收/送機構，係於上述第1中間收/送部與上 述第2中間收/送部之間進行基板之搬送之同時，於上述第2中間收/送部與上述基板收納部之間進行搬送。
(f)上述處理部係葉片式之液處理部，其具備將基板保持於水平，可旋轉自如地構成之基板保持部，及對旋轉之基板供給處理液的噴嘴部。
本發明，係關於在載置複數個基板的中間收/送部，與基板收納部之間進行處理完畢之基板之收/送的收/送機構之動作，可以使用收/送機構更彈性地進行基板之搬送，可實現效率高的搬送。
以下說明實施形態之基板處理裝置之一例、亦即液處理裝置1之構成。本例之液處理裝置1，係具備對基板、亦即晶圓W供給處理液而實施液處理的例如8個液處理部601~608，於4個液處理部601、603、605、607進行晶圓W之表面之處理，於其餘之4個液處理部602、604、606、608進行晶圓W之背面之處理而構成。
圖1係液處理裝置1之全體構成之表示用橫斷平面圖，圖2係其縱斷側面圖，以下彼等之圖中以左側為前方加以說明。液處理裝置1，係於設於載置區塊11的載置台111，將構成基板收納部的FOUP100予以載置，被收納於該FOUP100的例如直徑300mm之複數片晶圓W，係經由 收/送區塊12及中間區塊13而被收/送至後段之處理區塊14(上段處理區塊14a，下段處理區塊14b)。於處理區塊14，係於液處理部601~608進行對晶圓W之表背兩面之液處理及其後之乾燥，處理後之晶圓W再度被收納於FOUP100。
收/送區塊12，其構造為在框體內設有：對設於FOUP100之側面的蓋體進行開閉的開閉扉122，及在FOUP100與中間區塊13之間進行晶圓W之收/送之收/送機構2。
如圖3所示，收/送機構2，係具備：在沿著載置於載置台111的FOUP100之並列方向延伸的軌條26上行走的行走基體21，及由該行走基體21之上面朝上方向延伸設置，伸縮自如、旋轉自如而構成的昇降軸22，及設於該昇降軸22之上端部，經由支撐構件23a、23b而安裝有2片之鉤狀之晶圓保持構件24a、24b(基板保持構件)的基台25。
晶圓保持構件24a、24b，係於基台25之上面側互相隔開間隔重疊配置，使用設於基台25內的未圖示之驅動機構，由基台25看可使各晶圓保持構件24a、24b朝前後方向移動。於此，上述驅動機構，係設於晶圓保持構件24a、24b之各個，例如具備馬達、線性導軌、皮帶。彼等之驅動機構，可使晶圓保持構件24a、24b單獨移動，亦可同時移動。各個晶圓保持構件24a、24b，可將晶圓W由背面側1片片予以保持。
中間區塊13，係在前後進行收/送，而設於被區塊12及液處理區塊14a、14b所挾持位置的框體內之空間，具備：將由FOUP100取出的處理前之晶圓W，及於液處理部601~608進行處理後之晶圓W予以載置的中間收/送部、亦即載置棚41a、41b；於該載置棚41a、41b間進行晶圓W之移載的移載機構3；及為進行表背兩面之液處理而使晶圓W反轉的反轉機構42。
如圖4所示，各載置棚41a、41b，係作為使具備例如3個保持銷(未圖示)的板狀之棚板411於上下方向隔開間隔而予以配置的棚段而構成。本例中，於載置棚41a設置4段，於載置棚41b設置8段之棚板411。如後述說明，本實施形態之處理區塊14a、14b係積層為上下2段之構成，關於載置棚41a、41b，亦於各個處理區塊14a、14b對應的高度位置被上下並列而配置。
詳言之為，如圖1，圖2，圖4所示，載置棚41a係配置於設於上段處理區塊14a(第1處理區塊)的搬送機構5可取用的高度位置。載置棚41b係配置於設於下段處理區塊14b(第2處理區塊)的搬送機構5以及上述之收/送機構2可取用的高度位置。彼等之載置棚41a、41b係構成本實施形態之中間收/送部之同時，上方側之載置棚41a係相當於第1中間收/送部，下方側之載置棚41b係相當於第2中間收/送部。
圖1，圖4所示移載機構3，係於上下配置的載置棚41a、41b間進行晶圓W之上下方向之搬送。移載機構3， 係具備：在構成中間區塊13的框體之床面與天井面之間朝上下方向延伸的軌條33，沿著該軌條33可於上下方向移動的基台32，及由該基台32看可於前後方向進退自如的例如2片之晶圓保持構件31。
如圖1所示，對於上方側之載置棚41a，移載機構3及上段處理區塊14a內之搬送機構5係可由各別方向進行取用，各機構3、5可於互相不干涉之情況下進行晶圓W之載置，取出。又，關於下方側之載置棚41b亦同樣，收/送機構2、移載機構3、及下段處理區塊14b內之搬送機構5係藉由各別方向進行取用，各機構2、3、5可於互相不干涉之情況下進行晶圓W之載置，取出。
如圖2所示，反轉機構42，係和上段處理區塊14a內以2段積層重疊而配置的液處理部601~604，及下段處理區塊14b內以2段積層重疊而配置的液處理部605~608之各高度位置對應，而於各載置棚41a、41b之上下各設置1個，合計設置4個。各反轉機構42係具備將晶圓W之側周面予以，於水平軸周圍旋轉自如而構成的臂部形狀之未圖示之晶圓保持構件，可於晶圓W之表面朝上之狀態，與背面朝上之狀態之間進行180°反轉。
如圖1，圖2所示於處理區塊14，係使具備4個液處理部601~604的上段處理區塊14a，與同樣具備4個液處理部605~608的下段處理區塊14b係依上下被積層。上段處理區塊14a，下段處理區塊14b係具備互相同樣之構成，因此以上段處理區塊14a為例加以說明。
於上段處理區塊14a，係具備可對載置棚41a，其上下之反轉機構42及各液處理部601~604取用而構成的搬送機構5。搬送機構5，係具備可於前後方向移動自如，於鉛直軸周圍可旋轉自如而構成，昇降自如而且進退自如而構成的晶圓保持構件。搬送機構5係和圖3所示之收/送機構2大致同樣構成，例如具備至少2個晶圓保持構件，可由液處理部601~604取出處理完畢之晶圓W，將未處理之晶圓W放入該處理部601~604內。
搬送機構5係挾持其前後移動之空間，由前側看係於左側，將進行晶圓W之表面之液處理的液處理部601、603於上下2段予以積層重疊而配置，於右側係將進行晶圓W之背面之液處理的液處理部602、604於上下2段予以積層重疊而配置。
於各液處理部601~604，設置例如藉由自旋處理而一片片地進行晶圓W之液處理的葉片式之液處理單元6。如圖5之縱斷側面圖之例示，液處理單元6，係藉由配置於外腔室61內的晶圓保持部63(基板保持部)將晶圓W保持於大略水平，藉由使該晶圓保持部63於鉛直軸周圍進行旋轉而使晶圓W旋轉。使噴嘴臂部64進入旋轉的晶圓W之上方，由設於其前端部的噴嘴部641依據預定的順序進行處理液及淋洗液之供給，而於晶圓之上面(表面朝上面保持時為表面，背面朝上面時為背面)之液處理。
液處理，係進行例如藉由鹼性之處理液SC1液(氨與過氧化氫水之混合液)進行微塵或有機性之污染物質之除 去→藉由淋洗液、亦即脫離子水(DeIonized Water：DIW)進行淋洗洗淨→藉由酸性之處理液、亦即稀氟酸水溶液(以下稱DHF(Diluted HydroFluoric acid))進行自然氧化膜之除去→進行DIW之淋洗洗淨。又，彼等之處理時，亦可進行刷洗或液體噴霧之物理洗淨。彼等之處理液或淋洗液係被貯存於外腔室61或配置於其內側的內杯62而由排液口611、621排出。另外，外腔室61內之環境係由排氣口612排氣。液處理終了後，使晶圓W旋轉之同時對其上面供給IPA(IsoPropyl Alcohol)，吹離IPA而進行IPA乾燥。
使用上述液處理單元6之液處理，係於液處理部601、603對晶圓W之表面進行。處理後之晶圓W係藉由搬送機構5被搬出，藉由反轉機構42反轉後，被搬入液處理部602、604，同樣之液處理係對晶圓W之背面進行。
又，關於設於下段處理區塊14b的液處理部605~608亦具備圖5所示液處理單元6，在搬送機構5之前後移動空間之右側被積層重疊而配置的液處理部605、607係對晶圓W之表面進行處理，左側被積層重疊而配置的液處理部606、608係對晶圓W之背面進行處理。
具備以上說明構成的液處理裝置1，係如圖1所示連接於控制部7。控制部7係由具備未圖示之CPU與記憶部的電腦構成，於記憶部記憶著組合有步驟(指令)群的程式，該步驟群係針對彼等液處理裝置1之作用，亦即由 FOUP100依序取出晶圓W，經由載置棚41a、41b搬送至各液處理部601~608，使用複數個液處理部601~608並行進行晶圓W之液處理，之後，以和搬入時相反之路徑進行晶圓W之搬送，而收納於FOUP100為止之動作進行控制者。該程式，係儲存於例如硬碟，光碟，光磁碟，記憶卡等之記憶媒體，由彼等被安裝於電腦。
特別是，本實施形態之液處理裝置1之控制部7，當處理完畢之晶圓W由液處理部601~604被收/送至載置棚41b之後，藉由收/送機構2對FOUP100進行搬送時，係具備判斷執行以下之其中之一之機能，亦即判斷而執行(1)等待後續之處理完畢之晶圓W被收/送至載置棚41b而使用2片之晶圓保持構件24a、24b將兩方之晶圓W同時搬送，或(2)不等待後續之處理完畢之晶圓W而僅搬送先前之晶圓W。
作為上述判斷基準之一例，本例之控制部7，在載置棚41b載置有處理完畢之晶圓W之後，於載置棚41b之其他棚板411未載置有處理完畢之晶圓W時，係針對後續之處理完畢之晶圓W被載置於載置棚41b為止之等待時間，與先前之處理完畢之晶圓W被搬送至FOUP100之後，將次一處理前之晶圓W由FOUP100取出而載置於載置棚41b為止之搬送時間進行比較。
等待時間較搬送時間短時，係判斷為等待後續之處理完畢之晶圓W被載置於載置棚41b，而將兩晶圓W同時搬送。另外，等待時間較搬送時間長時，係判斷為不等待 後續之處理完畢之晶圓W，而僅將先前之處理完畢之晶圓W搬送至FOUP100後，將未處理之晶圓W由FOUP100取出，而載置於載置棚41b。
以下參照圖6、7說明具備以上說明構成的液處理裝置1之動作。於載置台111上將FOUP100予以載置後，連接於收/送區塊12，蓋體被取下。收/送機構2係使晶圓保持構件24a、24b依序進入FOUP100內，將處理前之2片之晶圓W以以群組取出的，於載置棚41b之事先設定的段之棚板411(例如8段之中之下部側4段之棚板411)上將晶圓W予以載置。於圖6，由FOUP100被以群組取出的2片之晶圓W之中，一方之晶圓W之搬送路徑之例係如虛線所示，另一方之晶圓W之搬送路徑之例係如一點鏈線所示。
載置於載置棚41b的晶圓W之中，當一方之晶圓W於下段處理區塊14b進行處理時，下段處理區塊14b內之搬送機構5係進入載置棚41b將晶圓W予以取出，搬入至對表面進行液處理的液處理部605、607(圖6之例為液處理部605)。於液處理單元6之晶圓保持部63上將晶圓W予以保持，依據使用圖5說明之順號進行各種之液處理，IPA乾燥。如此而表面處理終了的晶圓W係由液處理部605、607取出，被搬送至反轉機構42使表背反轉。
表背反轉而背面朝上的晶圓W，係藉由搬送機構5由反轉機構42取出，被搬送至對背面進行液處理的液處理部606、608(圖6之例為液處理部606)。又，於圖6為 避免圖面之煩雜，針對各液處理部605~608與反轉機構42之間之晶圓W搬送之搬送路徑係省略其之記載。
於液處理部606、608內，晶圓W係被保持於液處理單元6之晶圓保持部63上，依據使用圖5說明之順號進行各種之液處理、IPA乾燥。背面之液處理終了的晶圓W係藉由搬送機構5由液處理部606、608取出，被搬送至反轉機構42，再度反轉。
表背兩面之液處理被進行，再度使表面朝上的晶圓W係藉由搬送機構5有反轉機構42取出，被載置於載置棚41b之事先設定的段之棚板411(例如8段之中之上部側4段之棚板411)上。
如上述說明，係說明和依據圖6中虛線所示順序被搬送之一方之晶圓W之進行處理並行地，使另一方之晶圓W於上段處理區塊14a側進行處理之情況。
被載置於下方側之載置棚41b的另一方之晶圓W，係藉由移載機構3被移載至上方側之載置棚41a，藉由上段處理區塊14a內之搬送機構5被取出，被搬送至對表面進行液處理的液處理部601、603(圖6之例為液處理部603)。被保持於液處理單元6之晶圓保持部63上，依據使用圖5說明之順號進行各種之液處理、IPA乾燥後，藉由搬送機構5由液處理部601、603取出，藉由反轉機構42進行表背反轉。
表背反轉而背面朝上的晶圓W，係藉由搬送機構5被搬送至對背面進行液處理的液處理部602、604(圖6之例 為液處理部604)。於液處理部602、604內晶圓W亦被保持於液處理單元6之晶圓保持部63上，依據使用圖5說明之順號進行各種之液處理、IPA乾燥。背面之液處理終了的晶圓W係藉由搬送機構5由液處理部606、608取出，於反轉機構42再度實施反轉。
如此而使表背兩面之液處理被進行，表面朝上的晶圓W係藉由搬送機構5由反轉機構42取出，載置於載置棚41a之棚板411後，藉由移載機構3被移載至載置棚41b之事先設定的段之棚板411(既述之上部側4段之棚板411)上。
如此並行進行晶圓W之處理後，利用收/送機構2而由載置棚41b將處理完畢之晶圓W搬送至FOUP100。此時，係執行以下判斷，亦即等待先前之處理完畢之晶圓W與後續之處理完畢之晶圓W之備齊於載置棚41b，而將兩方之晶圓W同時搬送，或者僅搬送先前被載置於載置棚41b的一片處理完畢之晶圓W。以下參照圖7之流程說明該判斷之動作流程。
於液處理裝置1之動作中，收/送機構2，係於FOUP100與載置棚41b之間重複進行處理前之晶圓W之搬入，處理完畢之晶圓W之搬出。該收/送機構2，係於由載置棚41b取出處理完畢之晶圓W之動作的開始時序的時點(開始)，對載置棚41b是否存在處理完畢之晶圓W進行確認(步驟S101)，無晶圓W時係等待處理完畢之晶圓W被搬送至載置棚41b(步驟S101；否)。此 時，當處理前之晶圓W之載置運的棚板411呈現空的狀態時，可以利用等待時間進行晶圓W之搬入動作。
由FOUP100以群組取出的晶圓W之中，先處理終了的晶圓W(相當於第1基板)被載置於載置棚41b之後(步驟S101；是)，係對後續之晶圓W被搬送為止之等待時間進行計算(步驟S102)。
其中所謂「後續之晶圓W」可考慮幾個圖案。(A)例如將搬入時由FOUP100以群組取出的另一方之晶圓W(相當於第2基板)設為後續之晶圓W時。或者比起該以群組取出的一方之晶圓W更早處理終了的其他晶圓W存在時，(B)將最早搬入處理部601~608的其他晶圓W設為「後續之晶圓W」亦可。或者(c)將處理部601~608進行處理的晶圓W之中最早處理終了的其他晶圓W設為「後續之晶圓W」。如上述說明，可於作動收/送機構2之情況下適當選擇有效的「後續之晶圓W」之決定法。
另外，例如於控制部7之記憶部事先記憶著，將載置於載置棚41b的先前之處理完畢之晶圓W搬送至FOUP100之後，取出次一處理前之晶圓W而載置於載置棚41b為止之搬送時間。對應於後續之晶圓W之處理狀況，針對計算之等待時間與記憶之搬送時間進行比較(步驟S103)，等待時間較短時(步驟S103；是)，係等待後續之處理完畢之晶圓W被搬送至載置棚41b(步驟S104)。
後續之處理完畢之晶圓W被搬送至載置棚41b之後(步驟S105)，將2片之晶圓W予以取出，搬送至FOUP100(步驟S106)。此時，保持於晶圓保持構件24a、24b的晶圓W，不限定於由FOUP100同時取出的晶圓W。個別之晶圓W，係被搬入至搬出時該晶圓W被收納的FOUP100之原來之段。
之後，由FOUP100將處理前之2片之晶圓W以群組取出，搬送至載置棚41b後(步驟S107)，進行次一搬出可能的處理完畢之晶圓W存在否之確認(步驟S101)。
另外，當後續之處理完畢之晶圓W被搬送至載置棚41b為止之等待時間，比起收/送機構2將1片晶圓W搬送至FOUP100並回來為止之搬送時間長時(步驟S103；否)，係不等待後續之晶圓W而將先前之處理完畢之晶圓W由載置棚41b取出搬送至FOUP100(步驟S108)。之後，由FOUP100將處理前之2片之晶圓W以群組取出而搬送至載置棚41b後，進行可否由載置棚41b搬出處理完畢之晶圓W之確認(步驟S101)。
如上述說明，本例之收/送機構2，原則上係由FOUP100將2片之晶圓W以群組取出而搬送至載置棚41b之構成。但例如FOUP100內收容的未處理之晶圓W僅1片時，或者於載置棚41b可載置的未處理之晶圓W的棚板411僅存在1片時等，由FOUP100僅取出1片晶圓W而搬送至載置棚41b亦可。
液處理裝置1，係執行由載置於載置區塊11的 FOUP100依序取出晶圓W，依處理終了的順序，回至原來之FOUP100之動作。FOUP100內之全部晶圓W之處理終了後，切換為取出未處理之晶圓W的載置台111上之FOUP100，重複上述動作。
本實施形態之液處理裝置1具有以下之效果。針對於載置有複數個晶圓W的載置棚41b與FOUP100之間進行處理完畢之晶圓W之收/送之收/送機構2之動作，係進行以下判斷，亦即當晶圓W被載置於載置棚41b後，判斷等待後續之處理完畢之晶圓W被載置於載置棚41b，而將兩方之晶圓W同時搬送者較好，或者不等待而將先前之晶圓W予以搬送者較好。如此則，和必定等待後續之處理完畢之晶圓W而將兩方之晶圓W同時搬送時比較，使用收/送機構2進行晶圓W之搬送可以更圓滑進行，可實現效率高的搬送。
例如1個FOUP100內收納著處理時間不同的2種類以上之晶圓W，或者收納著處理時間不同的晶圓W的FOUP100被並列載置於載置區塊11上之情況存在。該時，處理時間不同的晶圓W於液處理部601~608被並行處理。此時等待2片處理完畢之晶圓W備齊於載置棚41b而對FOUP100進行搬送時，各晶圓W之處理終了時序會偏離，有可能產生浪費之等待時間。
此一情況下，本例之液處理裝置1，係針對等待後續之處理完畢之晶圓W而將兩方之晶圓W同時搬送較好，或者不等待後續之處理完畢之基板而僅搬送先前之處理完 畢之晶圓W較好進行判斷，因此可以減少上述無謂的等待時間。
特別是本例之液處理裝置1，係針對後續之處理完畢之晶圓W被收/送至載置棚41b為止之等待時間，與將先前之處理完畢之晶圓W搬送至FOUP100後，將次一處理前之晶圓W由FOUP100取出而載置於載置棚41b為止之搬送時間進行比較，等待時間較短時等待至可以同時搬送2片之晶圓W。另外，等待時間較長時係不等待後續之晶圓W而僅將先前之晶圓W搬送至FOUP100，因此可減少無謂的等待時間，可實現效率高的搬送。
又，例如於上下被積層重疊而配置的處理區塊14a、14b交互進行晶圓W之搬送處理時等，係設定成為被搬入於彼等處理區塊14a、14b的晶圓W回至載置棚41b之後，收/送機構2始能進行對FOUP100晶圓W之搬送。此時，當一方側之處理區塊14a、14b產生問題，另一方側之處理區塊14b、14a健全時，若等待兩方之處理區塊14a、14b處理的晶圓W回至載置棚41b時，液處理裝置1全體必須停止。
關於該點，本例之液處理裝置1可以圓滑變更同時搬送之處理完畢之晶圓W之組合，即使處理區塊14a、14b之搬送機構5或液處理部601~608等產生問題之情況，亦可使用健全的機器繼續進行晶圓W之處理。
於載置棚41b存在先前之處理完畢之晶圓W時，判斷是否等待後續之處理完畢之晶圓W之手法，並不限定 於針對後續之處理完畢之晶圓W被收/送為止之等待時間，與搬送先前之晶圓W而取出次一處理前之晶圓W並回復為止之搬送時間進行比較之手法(圖7)。
例如圖8之流程圖所示，於載置棚41b有處理完畢之晶圓W時(步驟S101；是)，係對後續之晶圓W之處理狀況進行確認(步驟S111)，其處理狀況為較事先設定的時序以後之處理時(步驟S112；是)，係等待後續之晶圓W而進行2片搬送(步驟S113，S114)，其處理狀況較為事先設定的時序更前之處理時(步驟S112；否)，不等待後續之晶圓W而進行1片之搬送而予以構成(步驟S108)。
使用圖6說明具體例如下，由FOUP100以群組取出的2片之晶圓W之中，下段處理區塊14b處理後的晶圓W係被收/送至載置棚41b，當收/送機構2可由載置棚41b進行晶圓W之搬送時，關於後續之晶圓W，上述步驟S111之「事先設定的時序」係被設定成為晶圓W之背面之IPA乾燥之開始。此時，於上段處理區塊14a之液處理部604開始對晶圓W進行IPA乾燥時，係等待IPA乾燥終了，而該晶圓W被搬送至載置棚41b。另外，比起IPA乾燥之開始為更前之例如DHF處理後之進行淋洗洗淨時，收/送機構2係不等待後續之晶圓W之被搬送，而僅對被收/送至載置棚41b之一片晶圓W進行搬送。本例時「後續之晶圓W」，亦依據第1實施形態說明的(A)~(C)之決定法等加以決定。
又，圖9所示流程圖，係取代如圖7、圖8所示例之對晶圓W被搬送為止之等待時間、處理狀況等後續之晶圓W之狀態進行確認之手法，而依據計時器之時間來判斷進行1片搬送或2片搬送，此點不同。具體言之為，可能搬出的晶圓W存在於載置棚41b時(步驟S101；是)，係作動設於控制部7等的計時器，在事先設定的等待時間經過，而計時終了之前係等待後續之處理完畢之晶圓W之被搬送(步驟S121；否)。
計時終了後，於載置棚41b存在2片之處理完畢之晶圓W時(步驟S122；是)，係進行2片搬送(步驟S106)。另外，計時終了後載置棚41b之晶圓W僅有一片時(步驟S122；否)，係不等待後續之晶圓W而僅進行1片搬送(步驟S108)。此情況下，和無制限繼續等待後續之晶圓W時比較，可以實現有效的搬送。又，於圖9所示步驟S101之階段可以搬送2片之晶圓時，省略計時器之作動(步驟S121)而直接進行2片搬送亦可。又，計時器之作動中而後續之處理完畢之晶圓W被搬送時，係不等待計時終了，而於後續之處理完畢之晶圓W被搬送之時點直接進行2片搬送亦可。
設於收/送機構2的晶圓保持構件24a、24b之數係不限定於2片之例，具備3片以上之晶圓保持構件24亦可。此時，亦可針對設於收/送機構2的全部晶圓保持構件24可以保持的晶圓W，依序進行是否等待後續之處理完畢之晶圓W之判斷。此時，可以考慮由FOUP100依順 取出的晶圓W之中，將連續取出之一晶圓W設為第1基板，將接續於該一晶圓W之後被取出的晶圓W設為第2基板，形成複數組之此種群組。例如3片晶圓W取出時，於第1片晶圓W與第2片晶圓W之間形成群組，於第2片晶圓W與第3片晶圓W之間亦形成群組。
又，亦可將由FOUP100取出的3片以上之晶圓W設為1個群組。該時，以收/送機構2由載置棚41b取出處理完畢之晶圓W之動作設為開始時序時，將載置於載置棚41b，而可被晶圓保持構件24保持的全部晶圓W(可為1片或複數片)統合作為先前之處理完畢之晶圓W(第1基板)予以處理亦可。此時若有空的晶圓保持構件24剩餘時，針對剩餘的全部晶圓保持構件24進行判斷是否等待後續之晶圓W亦可，或對一部分(例如1個)之晶圓保持構件24進行判斷亦可。不等待後續之晶圓W而將先前之處理完畢之晶圓W搬送至FOUP100時，將其後回至載置棚41b之後續之晶圓W統合進行搬送亦可，一片片進行搬送亦可。
又，處理區塊14不限定於區分為上段處理區塊14a與下段處理區塊14b而被積層之情況，例如亦可僅設置1組具備複數個液處理部600的處理區塊14，將複數個處理區塊14並列鄰接於橫方向，使彼等處理區塊14內之搬送機構5可對共通之載置棚41取用的構成亦可。處理區塊14未被積層時，可以取代將載置棚41a、41b並列於上下方向改為設置1個載置棚41，該時無須具備移載機構3。
又，上述各實施形態係說明，在使用處理液的液處理部進行晶圓W之處理例，但本發明適用可能的處理部之種類不限定於此。本發明亦適用於由對晶圓W進行阻劑膜之塗布，顯像處理或其前後之加熱，冷卻處理，蝕刻處理或成膜處理的各種處理部，經由中間收/送部對基板收納部進行處理完畢之晶圓W之搬送，而具備設有複數個基板保持部的收/送機構的基板處理裝置。
又，於該基板處理裝置被處理的基板之種類不限定於晶圓W，亦可為FPD(Flat Panel Display)等之材料之角形玻璃基板等。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧液處理裝置
100‧‧‧FOUP
2‧‧‧收/送機構
24a、24b‧‧‧晶圓保持構件
3‧‧‧移載機構
41a、41b‧‧‧載置棚
5‧‧‧搬送機構
600，601~608‧‧‧液處理部
7‧‧‧控制部
〔圖1〕發明之實施形態相關的液處理裝置之橫斷平面圖。
〔圖2〕上述液處理裝置之縱斷側面圖。
〔圖3〕設於上述液處理裝置的晶圓之收/送機構之斜視圖。
〔圖4〕設於上述液處理裝置的晶圓之載置棚及移載機構之側面圖。
〔圖5〕設於上述液處理裝置的液處理部之縱斷側面圖。
〔圖6〕上述液處理裝置之動作說明圖。
〔圖7〕上述液處理裝置之動作流程之流程圖。
〔圖8〕另一實施形態之液處理裝置之動作流程之表 示用流程圖。
〔圖9〕再另一實施形態之液處理裝置之動作流程之表示用流程圖。
100‧‧‧FOUP
2‧‧‧收/送機構
3‧‧‧移載機構
41a、41b‧‧‧載置棚
5‧‧‧搬送機構
601~608‧‧‧液處理部
6‧‧‧液處理單元
11‧‧‧載置區塊
111‧‧‧載置台
12‧‧‧收/送區塊
13‧‧‧中間區塊
14a‧‧‧上段處理區塊
14b‧‧‧下段處理區塊

Claims (8)

  1. 一種基板處理方法，係由收納複數個基板的基板收納部依序將基板取出，於處理部進行該基板之處理後，回至基板收納部者；其特徵為包含：將上述處理部進行處理而處理完畢之基板一片片搬送至中間收/送部的工程；使用具有複數個基板保持構件，用於在上述基板收納部與上述中間收/送部之間進行複數個基板之收/送的收/送機構，針對由上述基板收納部以群組被取出的複數個基板之中，先處理終了的第1基板被收/送至上述中間收/送部之後，等待後續之處理完畢之基板被收/送至上述中間收/送部，藉由上述收/送機構將兩方之基板同時進行搬送，或者不等待後續之處理完畢之基板之收/送而藉由上述收/送機構進行上述第1基板之搬送，進行判斷的工程。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中上述判斷，係針對上述後續之處理完畢之基板被收/送至中間收/送部為止之等待時間，與處理完畢之上述第1基板搬送至基板收納部之後，將次一基板載置於上述中間收/送部為止之搬送時間進行比較判斷，當上述等待時間短於上述搬送時間時，上述收/送機構係等待該後續之處理完畢之基板被收/送至中間收/送部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中上述等待時間，係上述第1基板與以群組被取出的複 數個基板之中，處理完畢之第2基板被收/送至中間收/送部為止的時間。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中當較上述第2基板更早處理終了的基板存在於上述處理部時，上述等待時間，係最早被搬入該處理部之基板之被收/送至上述中間收/送部為止之時間。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中當較上述第2基板更早處理終了的基板存在於上述處理部時，上述等待時間，係最早處理終了的基板被收/送至上述中間收/送部為止之時間。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中當複數種類之處理以預定的順號於上述處理部被執行時，上述判斷，係針對彼等複數種類之處理之中，順號在預定時序之後之處理是否為對上述後續之基板執行之判斷，當判斷該順號在後之處理被執行時，上述收/送機構係等待上述後續之處理完畢之基板被收/送至中間收/送部。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中包含：在處理完畢之上述第1基板被收/送至上述中間收/送部之後，進行計時之工程，上述判斷，係在事先設定的等待時間經過為止上述後續之處理完畢之基板是否被收/送至上述收/送機構之判斷，當判斷上述後續之處理完畢之基板未被收/送至上述收/送機構時，上述收/送機構係進行上述第1基板之搬 送。
  8. 一種記憶媒體，係儲存著電腦程式的記憶媒體，該電腦程式，係由收納著複數個基板的基板收納部依序將基板取出，使該基板於處理部處理後，回至基板收納部的基板處理裝置所使用者；其特徵為：上述程式，係為執行請求項1~7項中任一項之基板處理方法而將步驟予以組裝者。
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