JP2010003904A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上の同じ膜に対して複数回にわたってパターンを形成する際に各パターン形成処理の品質のばらつきを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理ユニットＳＣと、露光機１６と、現像処理ユニットＳＤと、エッチング部１７とにこの順番で基板Ｗを搬送して行うパターン形成処理を２回以上繰り返し行わせて基板Ｗ上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させ、かつ、同じ基板Ｗに２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の塗布処理ユニットＳＣおよび現像処理ユニットＳＤに基板Ｗを搬送させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対してレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの各処理を行うことが可能な基板処理装置に関する。

基板にパターンを形成するパターン形成処理は、（１）レジスト膜形成、（２）露光、（３）現像、（４）エッチングの各処理に大別される。従来、（１）、（３）の各処理は塗布現像装置で行われ、（２）の処理は露光機で行われ、（４）の処理ははエッチング装置で行われる。

塗布現像装置は、レジスト膜材料を基板に塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を現像する複数の現像処理ユニットとを備えている。なお、上記「（１）レジスト膜形成」の処理は塗布処理ユニットにおける処理を含む。上記「（３）現像」の処理は現像処理ユニットにおける処理を含む。このような塗布現像装置では複数枚の基板を並行して処理する。

「（３）露光」の主たる処理を行う露光機は塗布現像装置と連結されており、互いにインラインにて基板を受け渡し可能である。このような塗布現像装置と露光機では、各基板に対して上記（１）から（３）までの処理を一連に行う。

「（４）エッチング」を行うエッチング装置は塗布現像装置と分離して設けられている。塗布現像装置からエッチング装置への基板搬送は、一旦基板をカセットに収容し、カセット搬送機構によってカセットを搬送することによって行われる。

ところで、パターンの線幅寸法のさらなる微細化のために、２種類のマスクを使用して異なるパターンで露光を２回行う方法がある（いわゆる２重露光である）。例えば、一方のマスクを縦方向のパターン用とし、他方のマスクを横方向のパターン用として使い分ける方法がある。また、一方のマスクによって投影されたパターンとパターンとの間に、他方のマスクに応じたパターンが位置するように露光する方法がある。このような２重露光を行う手順としては、基板上の同じ膜、例えば酸化膜等によって形成される絶縁膜等に対して、上記（１）から（４）までの一連のパターン形成処理を複数回繰り返すことが例示される（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報 特開平１１−１５４６３７号公報

しかしながら、同じ基板上の一の膜にパターン形成処理を複数回行う際、パターン形成処理間で塗布処理ユニットが異なると、各パターン形成処理で形成したパターンの線幅がばらつくおそれがあるという不都合がある。

同様に、基板上の同じ膜にパターン形成処理を複数回行う際、パターン形成処理間で現像処理ユニットが異なる場合も、各パターン形成処理で形成したパターンの線幅がばらつくおそれがあるという不都合がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板上の同じ膜に対して複数回にわたってパターンを形成する際に各パターン形成処理の品質のばらつきを抑制することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を露光する露光機と、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、基板をエッチングするエッチング処理ユニットと、塗布処理ユニットと露光機と現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送して行うパターン形成処理を２回以上繰り返し行わせて基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに基板を搬送させる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は塗布処理ユニットと露光機と現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送させ、各処理ユニットおよび露光機においてそれぞれ所定の処理を基板に行わせる。これにより、基板上の膜にパターンが形成される。制御部は、このようなパターン形成処理を基板上の同じ膜に対して複数回にわたって行わせる。ここで、２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において基板を搬送させ、処理させた塗布処理ユニットに再び基板を搬送させる。同様に２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において使用した現像処理ユニットに基板を搬送させる。このように、同じ基板の同じ膜に対して行う複数のパターン形成処理の間で、使用する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。よって、より微細でかつ品質のよいパターンを膜に形成することができる。

各発明において、露光された基板に露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行う複数の露光後熱処理ユニットと、を備え、制御部は、パターン形成処理では露光機への搬送後で現像処理ユニットへの搬送前に露光後熱処理ユニットに基板を搬送させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の露光後熱処理ユニットに基板を搬送させることが好ましい（請求項２）。パターン形成処理では、基板を露光機に搬送し露光した後、当該基板を露光後熱処理ユニットに搬送して露光後熱処理を行う。この露光後熱処理の後、基板を現像処理ユニットに搬送して基板を現像する。このようなパターン形成処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各パターン形成処理間で使用する露光後熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

各発明において、１回目のパターン形成処理において各基板を処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する第１履歴情報を記憶する記憶部を有し、制御部は、２回目以降のパターン形成処理では記憶部に記憶されている第１履歴情報を参照して、基板ごとに搬送する塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを選択することが好ましい（請求項３）。第１履歴情報を記憶する記憶部を備えているので、同じ基板の同じ膜に対して行う各パターン形成処理において、塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを同じとすることができる。

各発明において、１回目のパターン形成処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットは、基板を搬送する順番に対応付けて予め設定されていることが好ましい（請求項４）。１回目のパターン形成処理では、複数の塗布処理ユニット／現像処理ユニットに順番に基板を搬送させるだけであるため、制御部による制御を簡略化することができる。

各発明において、制御部は、１回目のパターン形成処理では任意の塗布処理ユニットと任意の現像処理ユニットとに基板を搬送させることが好ましい（請求項５）。１回目のパターン形成処理では、各基板を任意の塗布処理ユニット／現像処理ユニットに搬送させるだけであるため、制御部による制御を簡略化することができる。

各発明において、基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、カセットが載置台に載置されている状態でカセットに収容される基板に関する第１履歴情報を記憶媒体に記憶させるアクセス部と、を備えていることが好ましい（請求項６）。アクセス部を備えることで、カセットに付設される記憶媒体に当該基板に関する第１履歴情報を記憶させることができる。よって、基板がカセットに収容されて本装置の外部へ搬送された際、外部の装置がカセット内の基板に関する情報を好適に参照することができる。

各発明において、基板を収容するとともに、収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、カセットが載置台に載置されている状態で、記憶媒体から情報を読み出すアクセス部と、を備え、制御部は、アクセス部が読み出した情報に基づいて１回目のパターン形成処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを選択することが好ましい（請求項７）。アクセス部を備えていることで、制御部はカセット内の基板に関する情報を好適に参照することができる。よって、基板ごとにそれぞれ適切なパターン形成処理を行わせることができる。

各発明において、アクセス部はさらに、カセットに収容される基板に関する第１履歴情報を記憶媒体に記憶させることが好ましい（請求項８）。基板がカセットに収容されて本装置の外部へ搬送された際、外部の装置がカセット内の基板に関する情報を好適に参照することができる。

また、請求項９に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、カセットが載置台に載置されている状態で記憶媒体に対して情報を読み書きするアクセス部と、基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、本装置とは別体の露光機に隣接して設けられ、露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該記憶媒体が付設されるカセットに収容されている基板に対して、塗布処理ユニットにおける処理と、露光機への搬送と、現像処理ユニットにおける処理とを含む塗布現像処理を行わせ、少なくとも塗布現像処理が基板上の膜に対して１回目である場合は、当該塗布現像処理において各基板上の膜を処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する第２履歴情報をアクセス部によって記憶媒体に記憶させ、塗布現像処理が基板上の膜に対して２回目以降である場合は、既に行われた塗布現像処理と同一の塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに基板を搬送させる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項９に記載の発明によれば、アクセス部を備えることで、制御部はカセット内の各基板に関する情報を参照し、各基板上の膜に対してそれぞれ適切な塗布現像処理を行わせる。これにより、基板上の膜にパターンを形成するためのマスク（レジストパターン）が形成される。制御部は、このような塗布現像処理を基板上の同じ膜に対して複数回にわたって行わせる。ここで、２回目以降の塗布現像処理では、１回目の塗布現像処理において基板を処理させた塗布処理ユニットに再び基板を搬送させる。同様に２回目以降の塗布現像処理では、１回目の塗布現像処理において使用した現像処理ユニットに基板を搬送させる。このように、同じ基板の同じ膜に対して行う複数の塗布現像処理の間で、使用する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各塗布現像処理間で品質のばらつきを抑制することができる。よって、より微細でかつ品質のよいパターンを膜に形成することが可能である。

各発明において、制御部は塗布現像処理を行う際、当該塗布現像処理が基板上の膜に対して１回目であるか２回目以降であるかを、アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて判断することが好ましい（請求項１０）。記憶媒体に記憶されている情報を参照して各基板について判断するため、各基板に適切な塗布現像処理を行うことができる。

各発明において、塗布現像処理が基板上の膜に対して２回目以降である場合、制御部はアクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該塗布現像処理において基板を搬送する塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを基板ごとに選択することが好ましい（請求項１１）。記憶媒体に記憶されている情報を参照して各基板について搬送する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを選択するため、制御部はカセット内の各基板に対してついて好適に判断することができる。

各発明において、露光された基板に露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行う複数の露光後熱処理ユニットと、を備え、制御部は、塗布現像処理では露光機への搬送の後であって現像処理ユニットにおける処理の前に露光後熱処理ユニットにおける処理を基板に行わせ、かつ、基板上の同じ膜に２回目以降の塗布現像処理を行う際は１回目の塗布現像処理と同一の露光後熱処理ユニットに基板を搬送させることが好ましい（請求項１２）。塗布現像処理では、基板を露光機に搬送し露光した後、当該基板を露光後熱処理ユニットに搬送して露光後熱処理を行う。この露光後熱処理の後、基板を現像処理ユニットに搬送して基板を現像する。このような塗布現像処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各塗布現像処理間で使用する露光後熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各塗布現像処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

各発明において、１回目の塗布現像処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットは、基板を搬送する順番に対応付けて予め設定されていることが好ましい（請求項１３）。１回目の塗布現像処理では、複数の塗布処理ユニット／現像処理ユニットに順番に基板を搬送させるだけであるため、制御部による制御を簡略化することができる。

各発明において、制御部は、１回目の塗布現像処理では任意の塗布処理ユニットと任意の現像処理ユニットとに基板を搬送させることが好ましい（請求項１４）。１回目の塗布現像処理では、各基板を任意の塗布処理ユニット／現像処理ユニットに搬送させるだけであるため、制御部による制御を簡略化することができる。

各発明において、制御部は、塗布現像処理を行うためにカセットから基板を搬出させるとともに、本装置とは別体のエッチング装置へ基板を搬送可能にするために塗布現像処理が行われた基板をもとのカセットに収容させることが好ましい（請求項１５）。塗布現像処理により膜の上にマスク（レジストパターン）が形成された基板を、装置の外部（エッチング装置）へ搬送することが可能である。

また、請求項１６に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理方法において、基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を露光する露光機と、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、基板をエッチングするエッチング処理ユニットと、を有し、いずれかの塗布処理ユニットと露光機といずれかの現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送して基板上の膜に１回目のパターン形成処理を行い、１回目のパターン形成処理を行った基板を、１回目のパターン形成処理と同じ塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットと、露光機とエッチング処理ユニットとに１回目のパターン形成処理と同じ順番で１回以上搬送して、基板上の同じ膜に２回目以降のパターン形成処理を行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１６に記載の発明によれば、１回目のパターン形成処理では、いずれかの塗布処理ユニットと露光機といずれかの現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送させる。続いて、１回目のパターン形成処理と同じ塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットと、露光機とエッチング処理ユニットとに１回目のパターン形成処理と同じ順番で搬送してパターン形成処理を繰り返し行う。これにより、少なくとも１回目と２回目の２度にわたってパターン形成処理が同じ膜に対して行われる。ここで、同じ基板の同じ膜に対して行う複数のパターン形成処理の間で、使用する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを一致しているので、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。よって、より微細でかつ品質のよいパターンを膜に形成することができる。

また、請求項１７に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理方法において、基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、を有し、基板上の処理対象の膜に対して、既に本装置のいずれかの塗布処理ユニット及び現像処理ユニットにおける各処理を含む塗布現像処理が１回以上行われているか否かを判断し、基板上の処理対象の膜に塗布現像処理が１回以上行われていると判断したときは、当該基板を既に行われた塗布現像処理において処理を行った塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに搬送して、同一の膜に２回目以降の塗布現像処理を行うことを特徴とするものである。

各発明において、基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、カセットが載置台に載置されている状態で、記憶媒体に対して情報を読み書きするアクセス部と、を有し、アクセス部が記憶媒体から基板ごとの情報を読み出し、アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該記憶媒体が付設されるカセットに収容される基板上の膜に対して既に塗布現像処理が１回以上行われているか否かを判断することが好ましい（請求項１８）。塗布現像処理の処理対象である膜に対して当該塗布現像処理が１回目であるか２回目以降であるかを判断するので、当該塗布現像処理を好適に行うことができる。さらに、好ましくは、当該塗布現像処理が２回目以降である場合には既に行われた塗布現像処理において使用された塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを特定することが好ましい。

各発明において本装置とは別体のエッチング装置へ基板を搬送するために、カセットから搬出され、塗布現像処理が行われた基板をもとのカセットに収容することが好ましい（請求項１９）。塗布現像処理により膜の上にマスク（レジストパターン）が形成された基板を、装置の外部（エッチング装置）へ搬送することが可能である。

なお、本明細書は、次のような基板処理システムに係る発明も開示している。

（１）基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を露光する露光機と、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、基板をエッチングするエッチング処理ユニットと、塗布処理ユニット、露光機、現像処理ユニットおよびエッチング処理ユニットにおける各処理を含むパターン形成処理を同じ基板に２回以上繰り返し行わせ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理の際に搬送した塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに搬送させて、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１）に記載の発明によれば、塗布処理ユニットと露光機と現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにおける各処理を基板に行い、基板上の膜にパターンを形成する。このパターン形成処理を、基板上の同じ膜に対して複数回に分けて行う。ここで、２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において基板を搬送させ、処理させた塗布処理ユニットに再び基板を搬送させる。同様に２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において使用した塗布処理ユニットに基板を搬送させる。このように、同じ基板の同じ膜に対して行う複数のパターン形成処理の間で、使用する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。よって、膜により微細なパターンを品質よく形成することができる。

（２）請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、基板にレジスト膜材料を塗布する処理に関連する熱処理を行う塗布用熱処理ユニットと、を備え、制御部は、パターン形成処理では塗布処理ユニットへの搬送前、および、塗布処理ユニットへの搬送後であって露光機へ搬送前の少なくともいずれかにおいて基板を塗布用熱処理ユニットに搬送させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の塗布用熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。

前記（２）に記載の発明によれば、パターン形成処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各パターン形成処理間で使用する塗布用熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

（３）請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、基板を現像する処理に関連する熱処理を行う現像用熱処理ユニットと、を備え、制御部は、パターン形成処理では、露光機への搬送後であって現像処理ユニットへの搬送前、および、現像処理ユニットの搬送後の少なくともいずれかにおいて基板を現像用熱処理ユニットに搬送させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の現像用熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。

前記（３）に記載の発明によれば、パターン形成処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各パターン形成処理間で使用する現像用熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

（４）請求項３から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、第１履歴情報は、各基板を識別する基板情報に当該基板を処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する処理ユニット情報が関係付けられていることを特徴とする基板処理装置。

前記（４）に記載の発明によれば、第１履歴情報によって、各基板に対するパターン形成処理の履歴を好適に管理することができる。

（５）請求項９から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、塗布現像処理は、塗布処理ユニットにおける処理と、露光機への搬送と、現像処理ユニットにおける処理とをこの順番で行うことを特徴とする基板処理装置。

前記（５）に記載の発明によれば、塗布現像処理を好適に行うことができる。

（６）請求項９から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、第２履歴情報は、各基板の膜を識別する膜情報に、当該膜に対して処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する処理ユニット情報が関係付けられていることを特徴とする基板処理装置。

前記（６）に記載の発明によれば、第２履歴情報において、膜情報に関係付けられた処理ユニット情報がある場合は、膜に対して塗布現像処理が既に行われていること、および、既に行われた塗布現像処理では当該処理ユニット情報によって特定される塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットが使用されたと判断することができる。また、膜情報に関係付けられた処理ユニット情報がない場合は、膜に対して塗布現像処理が１回も行われていないと判断することができる。このため、制御部は基板上の膜に対して塗布現像処理を適切に行わせることができる。

（７）請求項９から請求項１５のいずかに記載の基板処理装置において、基板にレジスト膜材料を塗布する処理に関連する熱処理を行う塗布用熱処理ユニットと、を備え、制御部は、塗布現像処理では塗布処理ユニットにおける処理の前、および、塗布処理ユニットにおける処理の後であって露光機への搬送の前の少なくともいずれかにおいて塗布用熱処理ユニットにおける処理を基板に行わせ、かつ、基板上の同じ膜に２回目以降の塗布現像処理を行う際は１回目の塗布現像処理と同一の塗布用熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。

前記（７）に記載の発明によれば、塗布現像処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各塗布現像処理間で使用する塗布用熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各塗布現像処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

（８）請求項９から請求項１５のいずかに記載の基板処理装置において、基板を現像する処理に関連する熱処理を行う現像用熱処理ユニットと、を備え、制御部は、塗布現像処理では、露光機への搬送の後であって現像処理ユニットにおける処理の前、および、現像処理ユニットにおける処理の後の少なくともいずれかにおいて基板を現像用熱処理ユニットにおける処理を行わせ、かつ、基板上の同じ膜に２回目以降の塗布現像処理を行う際は１回目の塗布現像処理と同一の現像用熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。

前記（８）に記載の発明によれば、塗布現像処理を同一の膜に対して２回以上行う際、各塗布現像処理間で使用する現像用熱処理ユニットを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各塗布現像処理間で品質のばらつきを抑制することができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、制御部は塗布処理ユニットと露光機と現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送させ、各処理ユニットおよび露光機においてそれぞれ所定の処理を基板に行わせる。これにより、基板上の膜にパターンが形成される。制御部は、このようなパターン形成処理を基板上の同じ膜に対して複数回にわたって行わせる。ここで、２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において基板を搬送させ、処理させた塗布処理ユニットに再び基板を搬送させる。同様に２回目以降のパターン形成処理では、１回目のパターン形成処理において使用した現像処理ユニットに基板を搬送させる。このように、同じ基板の同じ膜に対して行う複数のパターン形成処理の間で、使用する塗布処理ユニットと現像処理ユニットとを一致させる。これにより、同一の膜に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきを抑制することができる。よって、より微細でかつ品質のよいパターンを膜に形成することができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は基板処理装置の断面図であり、図３は塗布現像ブロックの熱処理ユニットの配置を示す要部側面図である。

本実施例に係る基板処理装置１は、基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ）についてレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの処理を行う装置である。本装置１は、ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とエッチング部１７とに大きく分けられる。塗布現像ブロック１４はさらに塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂとに分けられる。ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３と塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂと露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とは、平面視でこの順番に一列に並べて構成されている。以下では、これら各部の並び方向を適宜「ｘ軸方向」と記載する。エッチング部１７はエッチング用ＩＦ部１３に対してｘ軸方向と交差する方向に並ぶように配置されている。エッチング用ＩＦ部１３とエッチング部１７との間にはロードロック室１８が設けられている。各部１１−１８は互いに一体に連結されているとともに、各部１１−１８間は基板Ｗをインラインで搬送可能に接続されている。

ＩＤ部１１では、装置１の外部との間でカセットＣの受け渡しが行われる。カセットＣは基板Ｗを収容するとともに、収容する基板Ｗごとの情報を記憶するＩＣタグＭが付設されている。ＩＤ部１１はカセットＣと測定部１２との間で基板を搬送する。

ＩＤ部１１はカセットＣを載置する載置台２１を備えている。載置台２１は、複数（３個）のカセットＣをｘ軸方向と水平に交差する方向に並べて載置可能である。載置台２１にはＩＣタグＭと無線通信で情報のやりとりを行うリーダライタ部２２が設けられている。ＩＣタグＭとリーダライタ部２２とは、載置台２１にカセットＣが載置されたときに互いに対向する位置関係となるように配置されていることが好ましい。本実施例では、ＩＣタグＭが各カセットＣの底面に埋設されているとともに、リーダライタ部２２は載置台２１の上面3箇所に埋設されている。ＩＣタグＭはこの発明における記憶媒体に相当する。リーダライタ部２２はこの発明におけるアクセス部に相当する。

ＩＤ部１１はカセットＣと測定部１２との間で基板Ｗを搬送するインデクサ用搬送機構（以下、「ＩＤ用搬送機構」と略記する）２３を備えている。ＩＤ用搬送機構２３は載置台２１に沿って移動して各カセットＣに対向可能に構成されている。ＩＤ用搬送機構２３は基板Ｗを保持する保持アーム２５を有する。ＩＤ用搬送機構２３は保持アーム２５を略鉛直方向に昇降させるとともに水平方向に進退させて、カセットＣに対して基板Ｗを搬送可能に構成されている。さらに、ＩＤ用搬送機構２３は保持アーム２５を略鉛直軸周りに旋回させることで測定部１２に対向可能に構成されている。

ＩＤ部１１と測定部１２との間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ１が設けられている。この載置部Ｐ１を介してＩＤ用搬送機構２３は、測定部１２の測定用搬送機構３７との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

測定部１２は、線幅測定ユニット３１と測定用搬送機構３７とを備えている。また、測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３との間には基板Ｗの受け渡しを行うための載置部Ｐ２が設けられている。測定部１２はこの発明における線幅測定部に相当する。

線幅測定ユニット３１は基板Ｗに形成されているパターンの線幅（CD: Critical Dimension）を測定する。図４を参照する。図４は線幅測定ユニット３１を模式的に示す正面図である。線幅測定ユニット３１は基板Ｗを水平面内で移動可能なステージ３３と、基板Ｗの表面を撮像する撮像部３４と、基板Ｗに光を照射する照明部３５とを備えて構成されている。撮像部３４としては、例えばＣＣＤカメラや拡大撮像する顕微鏡などが例示される。

測定用搬送機構３７は基板Ｗを保持する保持アーム３９を備えている。保持アーム３９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。測定用搬送機構３７はこの保持アーム３９を適宜の位置に移動させて、線幅測定ユニット３１と載置部Ｐ１、Ｐ２とに対して基板Ｗを搬送する。

エッチング用ＩＦ部１３はエッチング用搬送機構４１を備えている。エッチング用ＩＦ部１３と塗布ブロック１４ａとの間には載置部Ｐ３が設けられている。エッチング用搬送機構４１は測定用搬送機構３３と略同様に構成されて、載置部Ｐ２、Ｐ３とロードロック室１８に設けられる載置部Ｐ７に対して基板Ｗを搬送する。

塗布ブロック１４ａには、ｘ軸方向からの正面視において両側部にそれぞれ複数の処理ユニットが積層配置されており、両側の処理ユニットで囲まれる中央に基板Ｗの搬送領域が形成されている。搬送領域の一方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する複数（３台）の塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３である。以下、特に各塗布処理ユニットＳＣ１−ＳＣ３を区別しない場合は適宜に「塗布処理ユニットＳＣ」と記載する（後述する他の処理ユニットも同様とする）。各塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部５１と、基板Ｗにレジスト膜材料を吐出するノズル５３とを備え、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する処理を行う。

搬送領域の他方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを加熱する複数（４台）の加熱ユニットＨＰａ１、ＨＰａ２、ＨＰａ３、ＨＰａ４と、基板Ｗを冷却する複数（４台）の冷却ユニットＣＰａ１、ＣＰａ２、ＣＰａ３、ＣＰａ４とである。加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａはそれぞれ温度調節可能なプレート５５を有し、これらプレート５５に載置された基板Ｗに対して所定の熱処理を行う。なお、加熱処理ユニットＨＰａと冷却処理ユニットＣＰａで行われる熱処理は、ともに基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する処理に関連する熱処理である。また、加熱処理ユニットＨＰａと冷却処理ユニットＣＰａとはこの発明における塗布用熱処理ユニットに相当する。

搬送領域には塗布用主搬送機構５７が設けられている。また、塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂの各搬送領域にまたがるように載置部Ｐ４が配置されている。塗布用主搬送機構５７は基板Ｗを保持する保持アーム５９を備えている。保持アーム５９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。塗布用主搬送機構５７はこの保持アーム５９を適宜の位置に移動させて、各種処理ユニットＳＣ、ＨＰａ、ＣＰａと載置部Ｐ３、Ｐ４とに対して基板Ｗを搬送する。

現像ブロック１４ｂにも、ｘ軸方向からの正面視において両側部にそれぞれ複数の処理ユニットが積層配置され、中央に搬送領域が形成されている。搬送領域の一方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを現像する複数（３台）の現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３である。現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部６１と、基板Ｗに現像液を吐出するノズル６３とを備え、基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する処理を行う。

搬送領域の他方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを加熱する複数（２台）の加熱ユニットＨＰｂ１、ＨＰｂ２と、基板Ｗを冷却する複数（２台）の冷却ユニットＣＰｂ１、ＣＰｂ２と、複数（３台）の加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１、ＰＨＰｂ２、ＰＨＰｂ３である。このうち、露光機用ＩＦ部１５と面する側には複数の加熱冷却ユニットＰＨＰｂが配置されるとともに、加熱冷却ユニットＰＨＰｂの上方に載置部Ｐ５が配置されている。

加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂはそれぞれ温度調節可能なプレート６５を有し、これらプレート６５に載置された基板Ｗに対して所定の熱処理を行う。加熱処理ユニットＨＰｂと冷却処理ユニットＣＰｂで行われる熱処理は、ともに基板Ｗを現像する処理に関連する熱処理である。また、加熱処理ユニットＨＰｂと冷却処理ユニットＣＰｂとはこの発明における現像用熱処理ユニットに相当する。

また、加熱冷却ユニットＰＨＰｂは加熱用と冷却用とで２つのプレート６５を備え、基板Ｗに加熱処理と冷却処理とを続けて行う。加熱冷却ユニットＰＨＰｂで行われる処理は露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理である。加熱冷却ユニットＰＨＰｂはこの発明における露光後熱処理ユニットに相当する。

搬送領域には現像用主搬送機構６７が設けられている。現像用主搬送機構６７は基板Ｗを保持する保持アーム６９を備えている。保持アーム６９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。現像用主搬送機構６７はこの保持アーム６９を適宜の位置に移動させて、処理ユニットＳＤ、ＨＰｂ、ＣＰｂと載置部Ｐ４、Ｐ５とに対して基板Ｗを搬送する。

露光機用ＩＦ部１５はインターフェイス用搬送機構（以下、「ＩＦ用搬送機構」と略記する）７１を備えている。ＩＦ用搬送機構７１は、現像ブロック１４ｂと露光機１６との間で基板Ｗを搬送する。ＩＦ用搬送機構７１は相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとで構成されている。第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとはｘ軸方向と略直交する方向に並んでおり、第１搬送機構７１ａが載置部Ｐ５および加熱冷却ユニットＰＨＰｂと対向する側に配置されている。第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとの間には載置部Ｐ６が設けられている。第１搬送機構７１ａは載置部Ｐ５、Ｐ６と加熱冷却ユニットＰＨＰｂとに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７１ｂは載置部Ｐ６と露光機１６に対して基板Ｗを搬送する。

露光機１６は基板Ｗを露光する。露光機１６は、基板Ｗを載置するステージ７３と、照明系７５と、マスク７７と、マスク７７のパターンの像をステージ７３上の基板Ｗに投影する投影光学像７９と、を備えている。照明系７５の光源としては、ＡｒＦ等が例示される。また、マスク７７は複数であり、マスク７７を切り換えるマスク切換機構（図示省略）を備えている。

ロードロック室１８には載置部Ｐ７が設けられている。ロードロック室１８の内部は、Ｎ_２パージ可能に、かつ、真空排気可能に構成されている。また、ロードロック室１８と、エッチング用ＩＦ部１３およびエッチング部１７との間には、それぞれ気密に閉塞可能なゲート８１、８２が設置されている。

エッチング部１７は基板Ｗをエッチングする。エッチングは、プラズマを用いたドライエッチングである。図５を参照する。図５はエッチング部の要部を模式的に示す図である。エッチング部１７は、たとえば、気密性を有するチャンバ８３と、このチャンバ８３内において互いに対向するように設置される複数の電極８４ａ、８４ｂと、チャンバ８３内に反応性ガスを供給するガス供給系８５と、チャンバ８３からガスを排気する排気系８６とを備えて構成される。そして、反応性ガスをチャンバ８３内に導入しつつ電極８４、８５間に高周波電力を印加することによって発生させたプラズマによって、一の電極８５に載置した基板Ｗをエッチングする。エッチング部１７はこの発明におけるエッチング処理ユニットに相当する。

次に、図６を参照して本装置１の制御系について説明する。図６は、基板処理装置の制御ブロック図である。制御系は、制御部８７と記憶部１０１とを備えている。制御部８７は、メインコントローラ８９と第１−第９コントローラ９１−９９とを備えている。

メインコントローラ８９は装置内の搬送機構および処理ユニットを統括的に制御するほか、各基板Ｗについて処理条件や処理した処理ユニットを管理する。また、制御部８７は各リーダライタ部２２と通信可能に接続されている。制御部８７は、各リーダライタ部２２を介して各カセットＣのＩＣタグＭにアクセスする。

第１コントローラ９１は、ＩＤ用搬送機構２３を制御する。第２コントローラ９２は線幅測定ユニット３１と測定用搬送機構３７とを制御するとともに、線幅測定ユニット３１の測定結果を受ける。第３コントローラ９３はエッチング用搬送機構４１を制御する。第４コントローラ９４は塗布処理ユニットＳＣ１−ＳＣ３と加熱ユニットＨＰａ１−ＨＰａ４と冷却ユニットＣＰａ１−ＣＰａ４と塗布用主搬送機構５７とを制御する。第５コントローラ９５は現像処理ユニットＳＤ１−ＳＤ３と加熱ユニットＨＰｂ１−ＨＰｂ２と冷却ユニットＣＰｂ１−ＣＰｂ２とを制御する。第６コントローラ９６は加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１−ＰＨＰｂ３と第１搬送機構７１ａとを制御する。第７コントローラ９７は第２搬送機構７１ｂを制御する。第８コントローラ９８は露光機１６を制御する。第９コントローラ９９はエッチング部１７とロードロック室１８とゲート８１、８２とを制御する。上述した第１〜第９コントローラ９１〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。メインコントローラ８９および第１〜第９コントローラ９１〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や記憶媒体等で構成されている。

記憶部１０１は予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報のほか、各基板Ｗについて処理の履歴を記憶する。記憶部１０１は固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。本装置では、同じ基板Ｗにパターン形成処理を複数回連続して行う。以下では、１回目と２回目とのパターン形成処理のそれぞれについてレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの各処理に分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部８７による制御に基づいて行われる。

［１回目のパターン形成処理］
＜レジスト膜形成＞
ＩＤ用搬送機構２３はカセットＣから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ１に載置する。載置部Ｐ１に載置された基板Ｗを測定用搬送機構３７が載置部Ｐ２に搬送する。載置部Ｐ２に載置された基板Ｗをエッチング用搬送機構４１が載置部Ｐ３に搬送する。

ＩＤ用搬送機構２３、測定用搬送機構３７およびエッチング用搬送機構４１は、上述の動作を繰り返し行うことで、カセットＣから載置部Ｐ３へ基板Ｗを１枚ずつ搬送する。載置部Ｐ３に載置される基板Ｗの順序は、カセットＣから搬出した基板Ｗの順番どおりである。

この際、制御部８７は各搬送機構２３、３７、４１によって搬送させる複数の基板Ｗを互いに区別して管理する。管理は、基板Ｗを識別するための情報（基板情報）を各基板Ｗに対応付けることによって行う。

本実施例では、制御部８７が各基板Ｗに任意の基板情報を割り当て、この基板情報によって各基板Ｗを管理する。具体的には、各基板Ｗに対して、カセットＣから搬出させた順に基板情報「Ｗ１」、「Ｗ２」、「Ｗ３」、……を与える。

そこで、以下の説明において各基板Ｗを区別するときは、適宜、基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……と記載する。載置部Ｐ３には基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……の順に１枚ずつ載置される。

塗布用主搬送機構５７は載置部Ｐ３に載置された基板Ｗを各冷却ユニットＣＰａに搬送する。この際、制御部８７は塗布用主搬送機構５７を制御して、基板Ｗ１を冷却ユニットＣＰａ１に搬送させ、基板Ｗ２を冷却ユニットＣＰａ２に搬送させ、基板Ｗ３は冷却ユニットＣＰａ３に搬送させる。各冷却ユニットＣＰａではそれぞれ基板Ｗに冷却処理を行う。

冷却ユニットＣＰａにおける処理が終わると、塗布用主搬送機構５７は冷却ユニットＣＰａから塗布処理ユニットＳＣに基板Ｗを搬送する。この際も、制御部８７は塗布用主搬送機構５７を制御して、基板Ｗ１を塗布処理ユニットＳＣ１に、基板Ｗ２を塗布処理ユニットＳＣ２に、基板Ｗ３を塗布処理ユニットＳＣ３にそれぞれ搬送させる。各塗布処理ユニットＳＣでは基板Ｗに基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する処理を行う。

塗布処理ユニットＳＣにおける処理が終わると、塗布用主搬送機構５７は塗布処理ユニットＳＣから加熱ユニットＨＰａへ基板Ｗを搬送する。制御部８７の制御により、基板Ｗ１は加熱ユニットＨＰａ１に、基板Ｗ２は加熱ユニットＨＰａ２に、基板Ｗ３は加熱ユニットＨＰａ３にそれぞれ搬送される。各加熱ユニットＨＰａでは基板Ｗに加熱処理を行う。加熱ユニットＨＰａにおける処理が終わると、塗布用主搬送機構５７は各加熱ユニットＨＰａから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ４に載置する。

このような一連の処理によって基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３にそれぞれレジスト膜が形成される。より詳しくは、基板Ｗ１の膜上にレジスト膜が形成される。

また、制御部８７は、パターン形成処理において各基板Ｗを処理させた処理ユニットを識別する第１履歴情報を作成し、この第１履歴情報を記憶部１０１に記憶させる。

図７を参照する。図７は、第１履歴情報の構成を例示する模式図であり、（ａ）はレジスト膜の形成に関連した処理ユニットのみが特定されている第１履歴情報であり、（ｂ）はパターン形成処理に関連した全ての処理ユニットが特定されている第１履歴情報を示す。

処理ユニット情報は塗布処理ユニットＳＣ、現像処理ユニットＳＤ、冷却ユニットＣＰａ、ＣＰｂ、加熱ユニットＨＰａ、ＨＰｂおよび加熱冷却ユニットＰＨＰｂ（以下、単に「処理ユニット」と総称する）を識別するための情報である。図７において、処理ユニット情報「ＳＣ１」、「ＳＣ２」、「ＳＣ３」は、それぞれ塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３に対応する。加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａについても同様である。

処理ユニット情報は、当該処理ユニット情報に対応する処理ユニットが処理を行った基板Ｗの基板情報に関係付けられている。なお、図７（ａ）に示すように、処理ユニット情報が特定の現像処理ユニットＳＤに対応していない「ブランク」等である場合は、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３は未だ現像処理ユニットＳＤで処理されていないことを示す。

＜露光＞
現像用主搬送機構６７は載置部Ｐ４に載置される基板Ｗを保持し、載置部Ｐ５に搬送する。第２搬送機構７１ｂは、載置部Ｐ５に載置された基板Ｗを載置部Ｐ６に移す。第２搬送機構７１ｂは載置部Ｐ６に載置された基板Ｗを露光機１６に搬送する。このように、現像用主搬送機構６７と第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとが基板Ｗを受け渡すことによって、塗布ブロック１４ａから露光機１６に基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……を順に搬送する。

露光機１６では各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……を露光する。露光が終わると、露光機１６は基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……を順番に払い出す。払い出された基板Ｗを第２搬送機構７１ｂが受け取って載置部Ｐ６に載置する。第１搬送機構７１ａは載置部Ｐ６に載置された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰｂへ搬送する。ここで、制御部８７の制御により、基板Ｗ１は加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１に、基板Ｗ２は加熱冷却ユニットＰＨＰｂ２に、基板Ｗ３は加熱冷却ユニットＰＨＰｂ３にそれぞれ搬送される。

加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１では基板Ｗに加熱処理と冷却処理とが続けて行う（すなわち、露光後熱処理を行う）。この冷却処理により、露光された部分のレジスト膜の反応が停止する。

加熱冷却ユニットＰＨＰｂにおける処理が終わると、第１搬送機構７１ａは各加熱冷却ユニットＰＨＰｂから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ５に載置する。このような一連の処理によって各基板Ｗに対して「露光」を行う。

また、制御部８７は、第１履歴情報を更新し、この第１履歴情報を記憶部１０１に記憶させる。具体的には、各基板Ｗ１，Ｗ２、Ｗ３、……を処理した加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１、ＰＨＰ２、ＰＨＰ３、……を識別する処理ユニット情報を、当該基板Ｗ１，Ｗ２、Ｗ３、……に対応する基板情報に関係付けて記憶部１０１に記憶させる。

図７（ｂ）を参照する。各基板Ｗの基板情報には、それぞれ当該基板Ｗを処理した加熱冷却ユニットＰＨＰｂに対応する処理ユニット情報が関係付けられている。図７（ｂ）において、処理ユニット情報「ＰＨＰｂ１」、「ＰＨＰｂ２」、「ＰＨＰｂ３」は、それぞれ加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１、ＰＨＰｂ２、ＰＨＰｂ３に対応する。

＜現像＞
現像用主搬送機構６７は載置部Ｐ５に載置された各基板Ｗを冷却ユニットＣＰｂと現像処理ユニットＳＤと加熱ユニットＨＰｂとにこの順で搬送する。この際、制御部８７の制御により、基板Ｗ１を冷却ユニットＣＰｂ１、現像処理ユニットＳＤ１および加熱ユニットＨＰｂ１に搬送する。同様に基板Ｗ２、Ｗ３についても所定の処理ユニットに搬送する。これにより、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……に対して冷却処理と現像と加熱処理とを行う。

各加熱ユニットＨＰｂにおける処理が終わると、現像用主搬送機構６７は各加熱ユニットＨＰｂから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ４に載置する。このような一連の処理によって各基板Ｗに対して「現像」を行う。

また、制御部８７は、第１履歴情報を更新し、この第１履歴情報を記憶部１０１に記憶させる。具体的には、上記「現像」において各基板Ｗ１，Ｗ２、Ｗ３、……を処理した処理ユニットを識別する処理ユニット情報を、当該基板Ｗ１，Ｗ２、Ｗ３、……に対応する基板情報に関係付けて記憶部１０１に記憶させる。

図７（ｂ）を参照する。各基板Ｗの基板情報には、それぞれ当該基板Ｗを処理した加熱冷却ユニットＰＨＰｂに対応する処理ユニット情報が関係付けられている。図７（ｂ）において、処理ユニット情報「ＣＰｂ１」、「ＣＰｂ２」、……等は、同符号を付した冷却ユニットＣＰｂ１、冷却ユニットＣＰｂ２等にそれぞれ対応する。

＜エッチング＞
塗布用主搬送機構５７は載置部Ｐ４に載置された基板Ｗを載置部Ｐ３に搬送する。エッチング用搬送機構４１は載置部Ｐ３に載置された基板Ｗ１を保持すると、ゲート８１によって開放されているロードロック室１８内に進入し、載置部Ｐ７に載置する。エッチング用搬送機構４１がロードロック室１８から退避すると、ゲート８１はロードロック室１８を閉塞する。ロードロック室１８が閉塞されると、ロードロック室１８内を真空排気し、ロードロック室１８内の圧力がエッチング部１７内と略等しくなるように調整する。ロードロック室１８が所定の圧力まで低下すると、ゲート８２によってロードロック室１８をエッチング部１７に対して開放する。そして載置部Ｐ７に載置される基板Ｗをエッチング部１７に搬送し、再びゲート８２によってロードロック室１８とエッチング部１７との間を遮断する。

エッチング部１７では基板Ｗをエッチングする。エッチングが終了すると、ゲート８２を移動させてロードロック室１８をエッチング部１７に対して開放し、エッチング部１７から載置部Ｐ７に基板Ｗを払い出す。再びゲート８２を移動させてロードロック室１８を閉塞し、ロードロック室１８内をＮ_２パージする。ロードロック室１８の内部が大気圧程度まで復帰すると、ゲート８１を移動させてロードロック室１８をエッチング用ＩＦ部１３に対して開放する。エッチング用搬送機構４１は載置部Ｐ７に載置された基板Ｗを受け取ると、再びゲート８１を閉じる。

このような一連の処理によって各基板Ｗに対して「エッチング」を行う。これにより、基板Ｗ上のレジストパターンをマスクとして、レジストパターンの下地である膜にパターンが形成される。なお、「エッチング」における処理はこれに限られず、レジストパターンの除去処理や洗浄処理などを含むように変更してもよい。

以上に説明したレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの一連の処理が、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……の膜に対して行う１回目のパターン形成処理である。なお、レジスト膜の下地となる「膜」としては、例えば酸化膜等の絶縁膜、ポリシリコン膜、タングステンやアルミ等のメタル膜、反射防止膜としての窒化膜等が例示される。

そして、１回目のパターン形成処理が行われることによって、記憶部１０１に記憶される第１履歴情報に含まれる処理ユニット情報は、全て特定の処理ユニットに対応する情報となる。このような第１履歴情報から、１回目のパターン形成処理において基板Ｗごとに各種の処理を行った処理ユニットが特定される。制御部８７は記憶部１０１から読み出した第１履歴情報をリーダライタ部２２によってＩＣタグＭに記憶させる。

以下、１回目のパターン形成処理が終了した後に行う検査について説明する。エッチング用搬送機構４１は受け取った基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する。載置部Ｐ２に載置された基板Ｗを測定用搬送機構３７が線幅測定ユニット３１に搬送する。線幅測定ユニット３１では基板Ｗ１に形成されているパターンの線幅を測定する。線幅測定ユニット３１は測定結果を第２コントローラ９２に与え、第２コントローラ９２は測定結果をメインコントローラ８９に転送する。測定が終了すると、測定用搬送機構３７は線幅測定ユニット３１から基板Ｗを搬出して載置部Ｐ２に載置する。エッチング用搬送機構４１は載置部Ｐ２から載置部Ｐ３へ基板Ｗを移す。

［２回目のパターン形成処理］
１回目のパターン形成処理を行った基板Ｗを、装置１の外部に搬出することなく続けて２回目のパターン形成処理を行う。２回目のパターン形成処理を行う際は、制御部８７は記憶部１０１に記憶させた第１履歴情報を参照して、基板Ｗごとに１回目のパターン形成処理と同一の処理ユニットを選択する。

＜レジスト膜形成＞
塗布用主搬送機構５７は載置部Ｐ３に載置された各基板Ｗを、１回目のパターン形成処理と同様の手順で基板Ｗを搬送する。このとき、制御部８７は塗布用主搬送機構５７を制御して、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……をそれぞれ選択した処理ユニットに搬送させる。これにより、基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３は１回目の「レジスト膜形成」と同じ処理ユニットに同じ順番で搬送される。たとえば、基板Ｗ１については、冷却ユニットＣＰａ１と塗布処理ユニットＳＣ１と加熱ユニットＨＰａ１とにこの順番で搬送する。これにより、各基板Ｗにレジスト膜を形成する。

＜露光＞
現像用主搬送機構６７と第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとが互いに基板Ｗを受け渡すことで、露光機１６と加熱冷却ユニットＰＨＰｂとに基板Ｗを搬送する。ここで、制御部８７は、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……を１回目のパターン形成処理と同じ加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１、２、３に搬送させるように制御する。すなわち、基板Ｗ１を加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１に搬送し、基板Ｗ２を加熱冷却ユニットＰＨＰｂ２に搬送し、基板Ｗ３を加熱冷却ユニットＰＨＰｂ３に搬送する。これにより、各基板Ｗを露光する。

＜現像＞
現像用主搬送機構６７は、１回目のパターン形成処理と同じ処理ユニットに各基板Ｗを搬送する。たとえば、基板Ｗ１については、冷却ユニットＣＰｂ１と現像処理ユニットＳＤ１と加熱ユニットＨＰｂ１とにこの順番で搬送する。これにより、各基板Ｗを現像する。

＜エッチング＞
各基板Ｗを現像ブロック１４ｂからエッチング部１７に搬送する。エッチング部１７では各基板Ｗをエッチングする。エッチングが終わると、エッチング部１７からＩＤ部１１へ各基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構２３は基板ＷをカセットＣへ搬入する。

このように、本実施例に係る基板処理装置によれば、制御部８７の制御のもと、塗布処理ユニットＳＣ、露光機１６、現像処理ユニットＳＤおよびエッチング部１７における各処理を含むパターン形成処理を同じ基板に２回繰り返すので、基板Ｗ上の酸化膜等に微細なパターンを形成することができる。また、同じ基板Ｗに２回目のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理の際に搬送した塗布処理ユニットＳＣおよび現像処理ユニットＳＤに搬送させるので、同一の酸化膜等に対して１回目と２回目のパターン形成処理で形成する各パターンの線幅等の外形状を均一にすることができる。すなわち、基板Ｗ上の酸化膜等に微細なパターンを品質よく形成することができる。

また、パターン形成処理は、露光機１６への搬送後で現像処理ユニットＳＤへの搬送前に加熱冷却ユニットＰＨＰｂにおいて行う露光後熱処理を含む。そして、基板Ｗに２回目のパターン形成処理を行う際は、１回目で露光後熱処理をさせた加熱冷却ユニットＰＨＰｂに基板Ｗを搬送させる。このため、基板Ｗ上の同一の酸化膜等に対して行う各パターン形成処理間で品質の均一性をより向上させることができる。

さらに、パターン形成処理は、加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａにおける熱処理と、加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂにおける処理を含む。そして、基板Ｗに２回目のパターン形成処理を行う際は、１回目で各熱処理をさせた処理ユニットと同じ処理ユニットに基板Ｗを搬送する。このため、基板Ｗ上の同一の酸化膜等に対して行う各パターン形成処理間で品質のばらつきをさらに抑制できる。

また、第１履歴情報を記憶する記憶部１０１を有し、制御部８７は記憶部に記憶されている第１履歴情報を参照可能に構成されている。このため、２回目のパターン形成処理において基板Ｗごとに搬送する処理ユニットを好適に選択することができる。

また、第１履歴情報は、各基板Ｗを識別する基板情報に、当該基板Ｗを処理させた処理ユニットを識別する処理ユニット情報が関係付けられている。このため、第１履歴情報によって、各基板Ｗに対するパターン形成処理の履歴を好適に管理することができる。

また、基板処理装置１は塗布現像ブロック１４と露光機１６とエッチング部１７とを備え、装置１内でパターン形成処理を行うことができる。このため、同じ基板Ｗに２回以上パターン形成処理を行う場合でも、制御部８７は基板処理装置１内部において基板Ｗを識別するだけで足りるので、各基板Ｗを簡易に管理することができる。

また、線幅測定ユニット３１の測定結果を第２コントローラ９２およびメインコントローラ８９に与えるので、制御部８７は線幅測定ユニット３１の測定結果に基づいて、各処理ユニット、露光機１６、エッチング部１７の処理条件を必要に応じて変更、調整することができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。図８は実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

本実施例に係る基板処理装置２は、基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ）についてレジスト膜形成および現像の処理を行う装置である。本装置２は、平面視でＩＤ部１１と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５とを一列に並べて構成されている。露光機用ＩＦ部１５には、本装置２とは別体の露光機ＥＸＰが隣接している。露光機ＥＸＰは、実施例１で説明した露光機１６と同様な構成を備えている。露光機用ＩＦ部１５はこの発明における露光機用インターフェイス部に相当する。

カセットＣのＩＣタグＭには第２履歴情報が記憶されている。図９を参照する。図９は、第２履歴情報の構成を例示する模式図である。

第２履歴情報は、一例として、各基板Ｗの酸化膜を識別する酸化膜情報に、当該酸化膜に対して処理を行った処理ユニットを識別する処理ユニット情報が関係付けられている。酸化膜情報は基板Ｗを識別するための情報と酸化膜を識別するための情報とを含んで構成される。本実施例では、図９に示す酸化膜情報「C001_W01_OFi」のうち「C001」によって収容されるカセットを識別可能であり（すなわち、「C001」はロット情報であり）、「W01」から基板Ｗを識別可能である。なお、酸化膜に対して処理が行われていない場合は、当該酸化膜の酸化膜情報に関係付けられる処理ユニット情報は、いずれの処理ユニットも特定しない情報（図９（ａ）では「ブランク」）となる。酸化膜情報は、この発明における膜情報に相当する。

ＩＤ部１１は塗布ブロック１４ａと隣接している。ＩＤ部１１と塗布ブロック１４ａとの間には載置部Ｐ８が設けられている。この載置部Ｐ８を介してＩＤ用搬送機構２３は、塗布用主搬送機構５７との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

塗布現像ブロック１４の構成は実施例１と同様である。すなわち、塗布ブロック１４ａは、３台の塗布処理ユニットＳＣと４台の加熱ユニットＨＰａと４台の冷却ユニットＣＰａとを備えている。また、現像ブロック１４ｂは、３台の現像処理ユニットＳＤと２台の加熱ユニットＨＰｂと２台の冷却ユニットＣＰｂと３台の加熱冷却ユニットＰＨＰｂとを備えている。

本装置２の制御系は、図示を省略するが、実施例１の制御系から第２、第３、第８、第９コントローラ９２、９３、９８、９９を省いたものに相当する。

次に、実施例に係る基板処理装置２の動作について説明する。本装置２では、同じ基板Ｗに塗布現像処理を複数回行う。なお、以下の各動作は、制御部８７による制御に基づいて行われる。

載置台２１に載置されたカセットＣ内の基板Ｗに対して塗布現像処理を行う際、リーダライタ部２２はＩＣタグＭに記憶されている情報を読み出して制御部８７に与える。制御部８７はこの情報を参照する。

図９（ａ）に示すように第２履歴情報の処理ユニット情報がブランクである場合は、制御部８７はこれから行う塗布現像処理が処理対象の酸化膜に対して１回目であると判断する。そして、１回目の塗布現像処理を基板Ｗに行わせる。また、図９（ｂ）に示すように第２履歴情報の処理ユニット情報によっていずれかの処理ユニットが特定されている場合は、基板Ｗ上の酸化膜に対して既に１回以上塗布現像処理が行われており、これから行う塗布現像処理は処理対象の酸化膜にとって２回目以降であると判断する。この場合は、制御部８７は２回目以降の塗布現像処理を基板Ｗに行わせる。

以下では、１回目と２回目以降との塗布現像処理とに分けて説明する。

［１回目の塗布現像処理］
＜レジスト膜形成＞
ＩＤ用搬送機構２３はカセットＣから載置部Ｐ８に基板Ｗを１枚ずつ搬送する。塗布用主搬送機構５７は載置部Ｐ８に載置された基板Ｗを、冷却ユニットＣＰａと塗布処理ユニットＳＣと加熱ユニットＨＰａとに順次搬送する。これにより、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行う。

基板Ｗを搬送する際、制御部８７は酸化膜情報と対応付けて各基板Ｗを管理している。また、各基板Ｗの酸化膜に対して処理ユニットで処理させた際には、当該酸化膜の酸化膜情報に関係付けられる処理ユニット情報の内容を、当該処理ユニットを識別する情報に書き換える。たとえば、基板Ｗ１の酸化膜に対して塗布処理ユニットＳＣ１で処理した場合は、酸化膜情報「C001_W01_OFi」に関係付けられる一の処理ユニット情報を「ＳＣ１」に変更する。制御部８７は変更した第２履歴情報を記憶部１０１に記憶させる。また、ＩＣタグＭに対してもリーダライタ部２２を介して変更後の第２履歴情報を記憶させる。この際、ＩＣタグＭに当初記憶されていた第２履歴情報を上記変更後の第２履歴情報に更新させてもよい。

＜露光機への搬送＞
レジスト膜が形成された基板Ｗを現像用主搬送機構６７と第１搬送機構７１ａとを経由して第２搬送機構７１ｂに受け渡す。第２搬送機構７１ｂは露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。本装置２とは別体の露光機ＥＸＰでは基板Ｗを露光し、露光済みの基板Ｗを搬入された順に払い出す。このため、制御部８７は、露光機ＥＸＰから払い出される複数の基板Ｗについても酸化膜情報と対応付けた管理を継続することができる。

第２搬送機構７１ｂは露光機ＥＸＰから払い出された基板Ｗを受け取ると、第１搬送機構７１ａに受け渡す。第１搬送機構７１ａは加熱冷却ユニットＰＨＰｂに各基板Ｗを搬送する。加熱冷却ユニットＰＨＰｂでは基板Ｗに露光後熱処理を行う。

加熱冷却ユニットＰＨＰｂの処理に伴い、制御部８７は第２履歴情報を更新する。たとえば、基板Ｗ１の酸化膜に対して加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１で処理した場合は、酸化膜情報「C001_W01_OFi」に関係付けられる一の処理ユニット情報を「ＰＨＰｂ１」に変更する。そして、このように更新した第２履歴情報を記憶部１０１とＩＣタグＭとにそれぞれ記憶させる。

＜現像＞
現像用主搬送機構６７が冷却ユニットＣＰｂと現像処理ユニットＳＤと加熱ユニットＨＰｂとへ基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗを現像する処理を行う。現像が終了すると、現像用主搬送機構６７から塗布用主搬送機構５７を介してＩＤ用搬送機構２３に基板Ｗを受け渡す。ＩＤ用搬送機構２３は基板ＷをカセットＣへ搬入する。基板Ｗが搬入されると、載置台２１上のカセットＣは図示省略の外部カセット搬送機構によって、本装置２とは別体のエッチング装置へ基板Ｗを搬送可能な状態となる。

また、制御部８７は、処理ユニットＣＰｂ、ＳＤ、ＨＰｂに関する処理ユニット情報を追加した第２履歴情報に更新する。更新された第２履歴情報は、１回目の塗布現像処理を行うことにより最終的に得られるものであり、図９（ｂ）に例示されるものに相当する。このような第２履歴情報によれば、一回目の塗布現像処理が行われたことが判別可能であり、また、１回目の塗布現像処理で各基板Ｗに処理を行った全ての処理ユニットが識別可能である。制御部８７は、最終的な第２履歴情報を記憶部１０１とＩＣタグＭとに記憶させる。

［２回目以降の塗布現像処理］
制御部８７は、リーダライタ部２２を介してＩＣタグＭから読み出された第２履歴情報を参照する。そして、酸化膜情報に対応する基板Ｗごとに、当該酸化膜情報に関係付けられる処理ユニット情報に対応する処理ユニットを選択して、各基板Ｗに２回目以降の塗布現像処理を行わせる。

２回目の塗布現像処理においても、「レジスト膜の形成」、「露光機への搬送」および「現像」の一連の手順は１回目と同じである。よって、以下に簡略に説明する。

＜レジスト膜の形成＞
冷却ユニットＣＰａと塗布処理ユニットＳＣと加熱ユニットＨＰｂとに各基板Ｗを搬送して、基板Ｗにレジスト膜を形成する。ここで、制御部８７は、基板Ｗごとに選択した処理ユニットに各基板Ｗを搬送させるように制御する。たとえば、基板Ｗ１は、冷却ユニットＣＰａ１と塗布処理ユニットＳＣ１と加熱ユニットＨＰａ１とに搬送させる。

「露光」では、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送するとともに、露光済みの各基板Ｗをそれぞれ選択した加熱冷却ユニットＰＨＰｂで露光後熱処理する。たとえば、第２履歴情報によれば基板Ｗ１に対しては加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１が選択されるので（図９（ｂ）参照）、制御部８７は基板Ｗ１を加熱冷却ユニットＰＨＰｂ１に搬送させる。

「現像」では、各基板Ｗを冷却ユニットＣＰｂと現像処理ユニットＳＤと加熱ユニットＨＰｂとに基板Ｗを搬送する。ここでも、制御部８７は、第２履歴情報に基づいて基板Ｗごとに搬送させる処理ユニットを制御する。たとえば、基板Ｗ１は、冷却ユニットＣＰｂ１と現像処理ユニットＳＤ１と加熱ユニットＨＰｂ１とに搬送させる。

現像が終了すると、現像用主搬送機構６７から塗布用主搬送機構５７を介してＩＤ用搬送機構２３に基板Ｗを受け渡す。ＩＤ用搬送機構２３は基板ＷをカセットＣへ搬入する。そして、図示省略の外部カセット搬送機構により、本装置２とは別体のエッチング装置へ基板Ｗを搬送可能な状態にする。

このように、実施例２に係る基板処理装置２によれば、ＩＣタグＭに記憶されている第２履歴情報を読み出すリーダライタ部２２と、リーダライタ部２２が読み出した第２履歴情報を参照する制御部８７とを備え、制御部８７は第２履歴情報に基づいて、塗布現像処理が基板Ｗ上の酸化膜に対して１回目であるか２回目以降であるかを判断するので、塗布現像処理を好適に行うことができる。

すなわち、塗布現像処理が１回目の場合は、塗布現像処理を行うとともにこの塗布現像処理において各基板Ｗ上の酸化膜を処理させた処理ユニットが特定可能な第２履歴情報に更新し、更新した第２履歴情報をＩＣタグＭに記憶させる。

よって、塗布現像処理の終了後、基板ＷをもとのカセットＣに収容させて、装置２の外部に搬送させることができる。たとえば、装置２とは別体のエッチング装置において、塗布現像処理により形成したレジストパターンをマスクとして基板Ｗをエッチングし、酸化膜にパターンを形成させてもよい。

他方、塗布現像処理が２回目以降の場合は、制御部８７はＩＣタグＭに記憶されている第２履歴情報を参照して、既に行われた塗布現像処理と同一の処理ユニットに各基板Ｗを搬送させて塗布現像処理を行わせる。このように、同じ基板Ｗの同じ酸化膜に対して行う複数の塗布現像処理の間で使用する処理ユニットを一致させるので、各塗布現像処理間で品質のばらつきを抑制することができる。このため、品質のよい微細なパターンを酸化膜に形成できる。

また、上述のように２回目以降の塗布現像処理を行う前に基板Ｗが一旦装置２の外部に搬送された場合であっても、制御部８７はカセットＣに付設されるＩＣタグＭに記憶されている第２履歴情報に基づいて、基板Ｗに対して２回目以降の塗布現像処理を好適に行うことができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、基板Ｗにパターン形成処理／塗布現像処理を２回行ったが、これに限られない。３回以上行うように変更してもよい。

（２）上述した各実施例では、２回目のパターン形成処理における処理ユニットは全て、１回目のパターン形成処理と同一であったが、これに限られない。１回目と２回目の各パターン形成処理において、少なくとも塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとが一致していればよい。したがって、冷却ユニットＣＰａ、ＣＰｂや加熱ユニットＨＰａ、ＨＰｂや加熱冷却ユニットＰＨＰｂなどについては、各パターン形成処理において異なるように変更してもよい。同様に実施例２で説明した塗布現像処理においても同様である。

この場合、第１履歴情報は、１回目のパターン形成処理において処理した塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとが識別可能であれば足りる。よって、第１履歴情報に含まれる処理ユニット情報は、塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとに対応する情報のみに減らしてもよい。第２実施例で説明した第２履歴情報についても同様である。

（３）上述した各実施例では、１回目のパターン形成処理において、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、……を搬送させる処理ユニットを具体的に説明した（例えば、「基板Ｗ１は冷却ユニットＣＰａ１に搬送する」など）。しかしながら、１回目のパターン形成処理では、各基板Ｗを任意に処理ユニットに搬送させてよい。たとえば、カセットＣから基板Ｗを搬出した順番に、上段の冷却ユニットＣＰａから下段の冷却ユニットＣＰａに割り振ってもよい。第２実施例で説明した１回目の塗布現像処理においても同様である。

（４）上述した実施例１において、制御部８７は各基板Ｗを装置１内でローカル管理するために、基板情報（たとえば「Ｗ１」など）を適宜に与え、この基板情報に対応付けて各基板Ｗを管理したが、これに限られない。各基板Ｗに固有の基板識別情報は通常ＩＣタグＭに記憶されているので、この基板識別情報を用いて各基板Ｗを管理するように変更してもよい。

（５）上述した各実施例では、「レジスト膜の形成」は冷却ユニットＣＰａと塗布処理ユニットＳＣと加熱ユニットＨＰａとにおける各処理を一連に基板Ｗに行うものであったが、これに限られない。すなわち、「レジスト膜の形成」に含まれる各種の処理や処理の順番などは適宜に設計選択される。たとえば、「レジスト膜の形成」において、反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布する処理等を含むように変更してもよい。なお、レジスト膜と膜（酸化膜）とは、レジスト膜に形成するレジストパターンが膜（酸化膜）にパターンを形成するためのマスクとして機能する関係にあれば足りる。このため、両者の位置関係が直接接している場合に限定されず、両者の間に反射防止膜などを挟んで積層されている場合を含む。

また、「現像」についても、各実施例で例示した処理に限られない。すなわち、「現像」に含まれる各種の処理や処理の順番などは適宜に設計選択される。

（６）上述した実施例１では、１回目のパターン形成処理を行った基板Ｗを、装置１の外部に搬出することなく続けて２回目のパターン形成処理を行ったが、これに限られない。たとえば、１回目と２回目のパターン形成処理の間に、基板Ｗを一旦カセットＣに搬入してもよい。カセットＣが載置台２１上に載置されていれば、制御部８７はカセットＣ内の基板Ｗを管理することができる。

さらに、１回目と２回目のパターン形成処理の間に、基板Ｗを一旦装置１の外部に搬送させてもよい。１回目のパターン形成処理が終了した際に、制御部８７はＩＣタグＭに第１履歴情報を記憶させる。このため、２回目のパターン形成処理を行う際に制御部８７がＩＣタグＭに記憶される第１履歴情報を参照するように変更することで、制御部８７は好適に２回目のパターン形成処理を行うことができる。

なお、実施例１で説明したように、装置１の外部に基板Ｗを搬出することなく複数回にわたってパターン形成処理を基板Ｗに行う場合には、リーダライタ部２２等を省略するように変更してもよい。この場合であっても、制御部８７は好適に各基板Ｗを管理することができる。

（７）実施例２において、酸化膜情報は基板情報を含むものであったが、これに限られない。たとえば、酸化膜情報に基板情報が関係付けられていれば、酸化膜情報に基板情報を含まないように変更してもよい。

（８）実施例２において、ＩＣタグＭは第２履歴情報を記憶していたが、これに限られない。たとえば、ＩＣタグＭは酸化膜情報のみを記憶し、記憶部１０１が第２履歴情報を記憶し、制御部８７はＩＣタグＭに記憶される酸化膜情報に関連付けられる第２履歴情報を記憶部１０１から読み出し可能に変更してもよい。このように変更しても、当該ＩＣタグＭが付設されるカセットＣ内の基板Ｗの処理履歴を制御部８７が取得でき、２回目以降の塗布現像処理を好適に行うことができる。実施例２において、第２履歴情報の一例として、「酸化膜情報」を含む場合を例として説明したが、これに限られるものではなく、前述したポリシリコン膜、メタル膜または窒化膜等の情報を処理ユニット情報と関係付けて第２履歴情報を構成してもよい。

また、記憶部１０１が記憶した第１履歴情報をＩＣタグＭに書き込むリーダライタ部２２を備えている。このため、基板ＷがカセットＣに収容されて本装置２の外部へ搬送された場合においては、リーダライタ部２２を介してＩＣタグＭに記憶されている第１履歴情報を制御部８７が参照することで、カセットＣ内の基板Ｗに対して２回目のパターン形成処理を好適に行うことができる。

（９）上述した実施例では、測定部１２を備えていたが、省略してもよい。この場合、ＩＤ部１１とエッチング用ＩＦ部１３とを直接インラインにて接続するように構成される。また、測定部１２はエッチングされた基板Ｗに形成されているパターンの線幅を測定したが、これに限られない。たとえば、エッチングされる前の基板Ｗに対してレジストパターンを測定する測定部に変更してもよい。

（１０）上述した実施例において、さらに基板Ｗ上のレジストパターンを除去するレジスト除去ユニットが配備されたブロックや、または、基板Ｗを洗浄する洗浄ユニットが配備されたブロックを追加してもよい。

（１１）上述した各実施例では、カセットＣにＩＣタグＭが付設されるともに載置台２１にリーダライタ部２２が設けられると説明したが、これに限られない。ＩＣタグＭに換えて種々の記憶媒体に変更してもよい。また、リーダライタ部２２についても、カセットＣに付設される記憶媒体に対応して適宜に選択変更される。なお、実施例では両者の間での無線通信を行うと説明したが、有線によって情報通信可能に変更してもよい。

（１１）各実施例および上記（１）から（１１）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置の断面図である。 塗布現像ブロックの熱処理ユニットの配置を示す要部側面図である。 線幅測定ユニットを模式的に示す正面図である。 エッチング部の要部を模式的に示す図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 第１履歴情報の構成を例示する模式図であり、（ａ）はレジスト膜の形成に関連した処理ユニットのみが特定されている第１履歴情報であり、（ｂ）はパターン形成処理に関連した全ての処理ユニットが特定されている第１履歴情報である。 実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ第２履歴情報の構成を例示する模式図である。

符号の説明

１、２ …基板処理装置
１１ …ＩＤ部
１２ …測定部
１３ …エッチング用ＩＦ部
１４ …塗布現像ブロック
１４ａ …塗布ブロック
１４ｂ…現像ブロック
１５ …露光機用ＩＦ部
１６ …露光機
ＥＸＰ …露光機
１７ …エッチング部
２１ …載置台
２２ …リーダライタ部
ＳＣ …塗布処理ユニット
ＳＤ …現像処理ユニット
ＣＰａ、ＣＰｂ …冷却ユニット
ＨＰａ、ＨＰｂ …加熱ユニット
ＰＨＰｂ …加熱冷却ユニット
８７ …制御部
１０１ …記憶部
Ｗ …基板
Ｃ …カセット
Ｍ …ＩＣタグ

Claims (19)

1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、
   基板を露光する露光機と、
   基板を現像する複数の現像処理ユニットと、
   基板をエッチングするエッチング処理ユニットと、
   塗布処理ユニットと露光機と現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送して行うパターン形成処理を２回以上繰り返し行わせて基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに基板を搬送させる制御部と、
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   露光された基板に露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行う複数の露光後熱処理ユニットと、
   を備え、
   制御部は、パターン形成処理では露光機への搬送後で現像処理ユニットへの搬送前に露光後熱処理ユニットに基板を搬送させ、かつ、同じ基板に２回目以降のパターン形成処理を行う際は１回目のパターン形成処理と同一の露光後熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   １回目のパターン形成処理において各基板を処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する第１履歴情報を記憶する記憶部を有し、
   制御部は、２回目以降のパターン形成処理では記憶部に記憶されている第１履歴情報を参照して、基板ごとに搬送する塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを選択することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   １回目のパターン形成処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットは、基板を搬送する順番に対応付けて予め設定されていることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   制御部は、１回目のパターン形成処理では任意の塗布処理ユニットと任意の現像処理ユニットとに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の基板処理装置において、
   基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、
   カセットが載置台に載置されている状態でカセットに収容される基板に関する第１履歴情報を記憶媒体に記憶させるアクセス部と、
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項３に記載の基板処理装置において、
   基板を収容するとともに、収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、
   カセットが載置台に載置されている状態で、記憶媒体から情報を読み出すアクセス部と、
   を備え、
   制御部は、アクセス部が読み出した情報に基づいて１回目のパターン形成処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを選択することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   アクセス部はさらに、カセットに収容される基板に関する第１履歴情報を記憶媒体に記憶させることを特徴とする基板処理装置。
9. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、
   カセットが載置台に載置されている状態で記憶媒体に対して情報を読み書きするアクセス部と、
   基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、
   基板を現像する複数の現像処理ユニットと、
   露光機に隣接して設けられ、露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、
   アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該記憶媒体が付設されるカセットに収容されている基板に対して、塗布処理ユニットにおける処理と、露光機への搬送と、現像処理ユニットにおける処理とを含む塗布現像処理を行わせ、
   少なくとも塗布現像処理が基板上の膜に対して１回目である場合は、当該塗布現像処理において各基板上の膜を処理させた塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを識別する第２履歴情報をアクセス部によって記憶媒体に記憶させ、
   塗布現像処理が基板上の膜に対して２回目以降である場合は、既に行われた塗布現像処理と同一の塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに基板を搬送させる制御部と、
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    制御部は塗布現像処理を行う際、当該塗布現像処理が基板上の膜に対して１回目であるか２回目以降であるかを、アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて判断することを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置において、
    塗布現像処理が基板上の膜に対して２回目以降である場合、制御部はアクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該塗布現像処理において基板を搬送する塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットを基板ごとに選択することを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項９から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    露光された基板に露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を行う複数の露光後熱処理ユニットと、
    を備え、
    制御部は、塗布現像処理では露光機への搬送の後であって現像処理ユニットにおける処理の前に露光後熱処理ユニットにおける処理を基板に行わせ、かつ、基板上の同じ膜に２回目以降の塗布現像処理を行う際は１回目の塗布現像処理と同一の露光後熱処理ユニットに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項９から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    １回目の塗布現像処理において各基板を処理させる塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットは、基板を搬送する順番に対応付けて予め設定されていることを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項９から請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    制御部は、１回目の塗布現像処理では任意の塗布処理ユニットと任意の現像処理ユニットとに基板を搬送させることを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項９から請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    制御部は、塗布現像処理を行うためにカセットから基板を搬出させるとともに、本装置とは別体のエッチング装置へ基板を搬送可能にするために塗布現像処理が行われた基板をもとのカセットに収容させることを特徴とする基板処理方法。
16. 基板に処理を行う基板処理方法において、
    基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を露光する露光機と、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、基板をエッチングするエッチング処理ユニットと、を有し、
    いずれかの塗布処理ユニットと露光機といずれかの現像処理ユニットとエッチング処理ユニットとにこの順番で基板を搬送して基板上の膜に１回目のパターン形成処理を行い、
    １回目のパターン形成処理を行った基板を、１回目のパターン形成処理と同じ塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットと、露光機とエッチング処理ユニットとに１回目のパターン形成処理と同じ順番で１回以上搬送して、基板上の同じ膜に２回目以降のパターン形成処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
17. 基板に処理を行う基板処理方法において、
    基板にレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットと、基板を現像する複数の現像処理ユニットと、を有し、
    基板上の処理対象の膜に対して、既に本装置のいずれかの塗布処理ユニット及び現像処理ユニットにおける各処理を含む塗布現像処理が１回以上行われているか否かを判断し、
    基板上の処理対象の膜に塗布現像処理が１回以上行われていると判断したときは、当該基板を既に行われた塗布現像処理において処理を行った塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットに搬送して、同一の膜に２回目以降の塗布現像処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
18. 請求項１７に記載の基板処理方法において、
    基板を収容するとともに収容する基板ごとの情報を記憶する記憶媒体が付設されているカセットを載置する載置台と、カセットが載置台に載置されている状態で、記憶媒体に対して情報を読み書きするアクセス部と、を有し、
    アクセス部が記憶媒体から基板ごとの情報を読み出し、
    アクセス部によって記憶媒体から読み出された情報に基づいて、当該記憶媒体が付設されるカセットに収容される基板上の膜に対して既に塗布現像処理が１回以上行われているか否かを判断することを特徴とする基板処理装置。
19. 請求項１８に記載の基板処理方法において、
    本装置とは別体のエッチング装置へ基板を搬送するために、カセットから搬出され、塗布現像処理が行われた基板をもとのカセットに収容することを特徴とする基板処理方法。

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