JP2010003903A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を好適に管理しつつレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト膜を形成し、基板Ｗを現像する塗布現像ブロック１４と、基板を露光する露光機１６と、基板をエッチングするエッチング部１７とは一体に構成されている。よって、塗布現像ブロック１４と露光機１６とエッチング部１７とに順次を搬送することで基板Ｗにパターン形成処理を行うことができる。このように基板Ｗを好適に管理しつつ基板Ｗにパターンを形成できる。よって、同じ基板Ｗに対して２回以上パターン形成処理を繰り返して、基板Ｗの同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対してレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの各処理を行うことが可能な基板処理装置に関する。

リソグラフィー工程の概略フローは、（１）レジスト膜形成、（２）露光、（３）現像、（４）エッチングに大別される。このようなリソグラフィー工程によって基板にパターンが形成される。このうち、（１）レジスト膜形成から（３）現像までの一連の工程は塗布現像装置に露光機が連結された第１の装置で行われ、（４）エッチングの工程は第１の装置とは分離して設けられる第２の装置で行われる。第１の装置から第２の装置への基板搬送は、一旦基板をカセットに収容し、カセット搬送機構によってカセットを搬送することによって行われる。

ところで、パターンの線幅寸法のさらなる微細化のために、２種類のマスクを使用して異なるパターンで露光を２回行う方法がある（いわゆる２重露光である）。例えば、一方のマスクを縦方向のパターン用とし、他方のマスクを横方向のパターン用として使い分ける方法がある。また、一方のマスクによって投影されたパターンとパターンとの間に、他方のマスクに応じたパターンが位置するように露光する方法がある。このような２重露光を行う手順としては、基板上の同じ膜、例えば酸化膜等によって形成される絶縁膜等に対して、（１）レジスト膜形成から（４）エッチングまでの一連のパターン形成処理を複数回繰り返すことが例示される（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報 特開平１１−１５４６３７号公報

しかしながら、従来の装置によってパターン形成処理を繰り返す際、基板を複数の装置間で搬送するため、第１、第２の装置はいずれも基板を好適に管理することが困難であるという不都合がある。このため、同一の膜に対して複数回にわたってパターンを形成することが精度よく行うことができないという不都合を招く。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を好適に管理しつつレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を基板に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、基板を露光する露光機と、基板をエッチングするエッチング部と、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とに順次基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、を備え、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とは一体に構成されていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とが一体に構成されているので、レジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を一の基板処理装置内で行うことができる。よって、基板を好適に管理しつつ、基板上の膜にパターンを形成することができる。したがって、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。

また、請求項２に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、基板を露光する露光機と、基板をエッチングするエッチング部と、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とに順次基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、を備え、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とはインラインにて接続されていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とがインラインにて接続されているので、一の基板処理装置内において基板を受け渡すことによってレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を行うことができる。よって、基板を好適に管理しつつ、基板上の膜にパターンを形成することができる。したがって、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。

各発明において、塗布現像ブロックは、基板にレジスト膜を形成する塗布ブロックと、基板を現像する現像ブロックとを備えていることが好ましい（請求項３）。塗布現像ブロックは処理内容に応じて塗布ブロックと現像ブロックとに分けて構成されているため、基板管理を好適に行うことができる。

各発明において、露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、を備え、平面視で塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とはこの順番で一列に並んでいることが好ましい（請求項４）。露光機用インターフェイス部を備えるため、塗布現像ブロックと露光機との間で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、塗布現像ブロックの露光機用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることが好ましい（請求項５）。エッチング用インターフェイス部を備えているため、塗布現像ブロックとエッチング部との間で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、平面視でエッチング部がエッチング用インターフェイス部に対して並ぶ方向は、エッチング用インターフェイス部に対して塗布現像ブロックが並ぶ方向と略直交していることが好ましい（請求項６）。このように配置することでエッチング用インターフェイス部は、塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側にも基板を払い出すことができる。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられているインデクサ部と、を備えていることが好ましい（請求項７）。インデクサ部とエッチング用インターフェイス部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられ、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることが好ましい（請求項８）。エッチングされる前の基板または／およびエッチングされた後の基板に形成されているパターンの線幅を好適に測定することができる。

各発明において、線幅測定部は、エッチング用インターフェイス部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることが好ましい（請求項９）。線幅測定部を、エッチング用インターフェイス部や塗布現像ブロックなどと同じ列に並ぶので、装置内で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、線幅測定部に隣接して設けられているインデクサ部と、を備えていることが好ましい（請求項１０）。インデクサ部を備えることで、本装置は外部との間で好適に基板を受け渡しすることができる。

各発明において、平面視で塗布ブロックと露光機と現像ブロックとはこの順番で一列に並んでいることが好ましい（請求項１１）。各ブロックと露光機とを処理の順に並ぶため、基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、現像ブロックの露光機が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることが好ましい（請求項１２）。各ブロックと露光機とエッチング部とを処理の順に並ぶため、基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、エッチング部は、エッチング用インターフェイス部の現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることが好ましい（請求項１３）。各ブロックと露光機とエッチング部とが一列に並ぶため、基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、塗布ブロックに隣接して設けられているインデクサ部と、インデクサ部からエッチング用インターフェイス部にわたって設けられ、インデクサ部とエッチング用インターフェイス部とに対して基板を直接搬送する迂回搬送部と、を備えていることが好ましい（請求項１４）。インデクサ部は最初に基板に処理を行う塗布ブロックに隣接するとともに、迂回搬送部によってインデクサ部とはエッチング部との間で基板を直接受け渡しすることができるので、基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、エッチング部のエッチング用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることが好ましい（請求項１５）。線幅測定部と各ブロックと露光機とエッチング部とが一列に並ぶため、基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、塗布ブロックに隣接して設けられているインデクサ部と、インデクサ部から線幅測定部にわたって設けられ、インデクサ部と線幅測定部とに対して基板を直接搬送する迂回搬送部と、を備えていることが好ましい（請求項１６）。インデクサ部を線幅測定部側に設けるとともに、迂回搬送部によってインデクサ部とはエッチング部との間で基板を直接受け渡しすることができるので、基板を好適に搬送させることができる。

また、請求項１７に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、本装置とは別体の露光機に隣接して設けられ、露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、本装置とは別体のエッチング装置に隣接して設けられ、エッチング装置に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、塗布現像ブロックで基板を処理し、かつ、露光機とエッチング装置とに対して基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項１７に記載の発明によれば、露光用インターフェイス部およびエッチング用インターフェイス部を介してそれぞれ露光機とエッチング部とインラインにて接続可能に塗布現像ブロックが構成されているので、基板を受け渡すことによってレジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を行うことが可能である。よって、基板を好適に管理しつつ、基板上の膜にパターンを形成することができる。したがって、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。

各発明において、平面視でエッチング用インターフェイス部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部とはこの順番で一列に並んでいることが好ましい（請求項１８）。基板を好適に搬送させることができる。

各発明において、平面視でエッチング部がエッチング用インターフェイス部に対して並ぶ方向は、エッチング用インターフェイス部に対して塗布現像ブロックが並ぶ方向と略直交していることが好ましい（請求項１９）。このように配置することでエッチング用インターフェイス部は、塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側にも基板を払い出すことが可能である。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、エッチング用インターフェイス部に隣接して配置されているインデクサ部と、を備えていることが好ましい（請求項２０）。インデクサ部とエッチング用インターフェイス部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられ、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることが好ましい（請求項２１）。エッチングされる前の基板または／およびエッチングされた後の基板に形成されているパターンの線幅を好適に測定することができる。

各発明において、線幅測定部は、エッチング用インターフェイス部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることが好ましい（請求項２２）。線幅測定部を、エッチング用インターフェイス部や塗布現像ブロックなどと同じ列に並ぶので、装置内で基板を好適に搬送することができる。

各発明において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、線幅測定部に隣接して設けられているインデクサ部と、を備えていることが好ましい（請求項２３）。インデクサ部を備えることで、本装置は外部との間で好適に基板を受け渡しすることができる。

なお、本明細書は、次のような基板処理システムに係る発明も開示している。

（１）請求項５に記載の基板処理装置において、エッチング部は、エッチング用インターフェイス部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１）に記載の発明によれば、エッチング部とエッチング用インターフェイス部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（２）前記（１）に記載の基板処理装置において、エッチング部のエッチング用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（２）に記載の発明によれば、エッチングされる前の基板または／およびエッチングされた後の基板に形成されているパターンの線幅を好適に測定することができる。

（３）前記（２）に記載の基板処理装置において、エッチング部を経由せずに線幅測定部とエッチング用インターフェイス部との間で基板を搬送する迂回搬送部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（３）に記載の発明によれば、迂回搬送部を備えることで、線幅測定部とエッチング部との間にさらに第２のエッチング用インターフェイス部を備えなくても、基板を好適に搬送することができる。

（４）前記（１）に記載の基板処理装置において、エッチング部のエッチング用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送する第２のエッチング用インターフェイス部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（４）に記載の発明によれば、エッチング部の両側にエッチング用インターフェイス部および第２のエッチング用インターフェイス部を備えているので、基板を好適に搬送することができる。

（５）請求項４に記載の基板処理装置において、エッチング部は塗布現像ブロックの露光機用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（５）に記載の発明によれば、エッチング部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（６）前記（５）に記載の基板処理装置において、エッチング部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（６）に記載の発明によれば、エッチング用インターフェイス部とエッチング部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（７）前記（６）に記載の基板処理装置において、エッチング用インターフェイス部のエッチング部が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（７）に記載の発明によれば、線幅測定部とエッチング用インターフェイス部とエッチング部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（８）請求項４に記載の基板処理装置において、塗布現像ブロックの露光機用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（８）に記載の発明によれば、線幅測定部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（９）前記（８）に記載の基板処理装置において、線幅測定部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることを特徴とする基板処理装置。

前記（９）に記載の発明によれば、エッチング用インターフェイス部と線幅測定部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（１０）前記（９）に記載の基板処理装置において、エッチング部は、エッチング用インターフェイス部の線幅測定部が設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１０）に記載の発明によれば、エッチング部とエッチング用インターフェイス部と線幅測定部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（１１）前記（８）に記載の基板処理装置において、エッチング部は、線幅測定部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１１）に記載の発明によれば、エッチング部と線幅測定部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（１２）前記（１１）に記載の基板処理装置において、エッチング部の線幅測定部が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１２）に記載の発明によれば、エッチング用インターフェイス部とエッチング部と線幅測定部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とがこの順番で一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（１３）前記（１２）に記載の基板処理装置において、エッチング部を経由せずにエッチング用インターフェイス部と線幅測定部との間で基板を搬送する迂回搬送部を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１３）に記載の発明によれば、迂回搬送部を備えることで、エッチング部と線幅測定部との間にさらに第２のエッチング用インターフェイス部を備えなくても、基板を好適に搬送することができる。

（１４）請求項１１に記載の基板処理装置において、塗布ブロックと露光機との間に設けられ、塗布ブロックと露光機との間で基板を搬送する第１露光機用インターフェイス部と、露光機と現像ブロックとの間に設けられ、露光機と現像ブロックとの間で基板を搬送する第２露光機用インターフェイス部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１４）に記載の発明によれば、露光機の両側に第１、第２の露光機用インターフェイス部を設けているため、露光機は塗布ブロック及び現像ブロックとの間で好適に基板を搬送することができる。

（１５）請求項１１に記載の基板処理装置において、現像ブロックの露光機が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

（１６）前記（１５）に記載の基板処理装置において、線幅測定部の現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることを特徴とする基板処理装置。

（１７）前記（１６）に記載の基板処理装置において、エッチング部は、エッチング用インターフェイス部の線幅測定部が設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１５）から前記（１７）に記載の発明によれば、塗布ブロックと露光機と現像ブロックと線幅測定部とが一列に並び、さらにエッチング用インターフェイス部とエッチング部も併せて一列に並ぶため、装置内で基板を好適に搬送することができる。

（１８）前記（１６）または前記（１７）に記載の基板処理装置において、複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、塗布ブロックに隣接して設けられているインデクサ部と、インデクサ部からエッチング部にわたって設けられ、インデクサ部とエッチング部とに対して基板を直接搬送する迂回搬送部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。

前記（１８）に記載の発明によれば、インデクサ部を塗布ブロック側に設けるとともに、迂回搬送部によってインデクサ部とはエッチング部との間で基板を直接受け渡しすることができるので、基板を好適に搬送させることができる。

（１９）請求項１から請求項１６に記載の基板処理装置において、エッチング部は基板にドライエッチングを行うことを特徴とする基板処理装置。

前記（１９）に記載の発明によれば、エッチングを精度よく行うことができる。

この発明に係る基板処理装置によれば、塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とが一体に構成されているので、レジスト膜形成からエッチングまでの一連の処理を一の基板処理装置内で行うことができる。よって、基板を好適に管理しつつ、基板上の膜にパターンを形成することができる。したがって、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを精度よく形成することができる。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２は基板処理装置の断面図であり、図３は塗布現像ブロックの熱処理ユニットの配置を示す要部側面図である。

本実施例に係る基板処理装置１は、基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ）についてレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの処理を行う装置である。本装置１は、ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とエッチング部１７とに大きく分けられる。塗布現像ブロック１４はさらに塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂとに分けられる。ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３と塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂと露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とは、平面視でこの順番に一列に並べて構成されている。図１では、これら各部１１−１６が並ぶ水平一方向を「ｘ軸」とし、ｘ軸と水平に直交する方向を「ｙ軸」と記載する。以下では、各部１１−１６が並ぶ水平一方向を適宜「ｘ軸方向」と記載する。

エッチング部１７はエッチング用ＩＦ部１３に対してｘ軸方向と交差する方向に並ぶように、エッチング用ＩＦ部１３の一側方に配置されている。エッチング用ＩＦ部１３とエッチング部１７との間にはロードロック室１８が設けられている。各部１１−１８は互いに一体に連結されているとともに、各部１１−１８間は基板Ｗをインラインで搬送可能に接続されている。ここで、ＩＤ部１１はこの発明におけるインデクサ部に相当する。エッチング用ＩＦ部１３はこの発明におけるエッチング用インターフェイス部に相当する。露光機用ＩＦ部１５はこの発明における露光機用インターフェイス部に相当する。

ＩＤ部１１では、装置１の外部との間で基板Ｗを収容するカセットＣの受け渡しが行われる。ＩＤ部１１はカセットＣ内の基板Ｗを測定部１２へ搬送する。ＩＤ部１１はカセットＣを載置する載置台２１を備えている。載置台２１は、複数（３個）のカセットＣをｘ軸方向と水平に交差する方向に並べて載置可能である。ＩＤ部１１はカセットＣと線幅測定部１２との間で基板Ｗを搬送するインデクサ用搬送機構（以下、「ＩＤ用搬送機構」と略記する）２３を備えている。ＩＤ用搬送機構２３は載置台２１に沿って移動して各カセットＣに対向可能に構成されている。ＩＤ用搬送機構２３は基板Ｗを保持する保持アーム２５を有する。ＩＤ用搬送機構２３は保持アーム２５を略鉛直方向に昇降させるとともに水平方向に進退させて、カセットＣに対して基板Ｗを搬送可能に構成されている。さらに、ＩＤ用搬送機構２３は保持アーム２５を略鉛直軸周りに旋回させることで測定部１２に対向可能に構成されている。

ＩＤ部１１と測定部１２との間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ１が設けられている。この載置部Ｐ１を介してＩＤ用搬送機構２３は、測定部１２の測定用搬送機構３７との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

測定部１２は、線幅測定ユニット３１と測定用搬送機構３７とを備えている。また、測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３との間には基板Ｗの受け渡しを行うための載置部Ｐ２が設けられている。測定部１２はこの発明における線幅測定部に相当する。

線幅測定ユニット３１は基板Ｗに形成されているパターンの線幅（CD: Critical Dimension）を測定する。図４を参照する。図４は線幅測定ユニット３１を模式的に示す正面図である。線幅測定ユニット３１は基板Ｗを水平面内で移動可能なステージ３３と、基板Ｗの表面を撮像する撮像部３４と、基板Ｗに光を照射する照明部３５とを備えて構成されている。撮像部３４としては、例えばＣＣＤカメラや拡大撮像する顕微鏡などが例示される。

測定用搬送機構３７は基板Ｗを保持する保持アーム３９を備えている。保持アーム３９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。測定用搬送機構３７はこの保持アーム３９を適宜の位置に移動させて、線幅測定ユニット３１と載置部Ｐ１、Ｐ２とに対して基板Ｗを搬送する。

エッチング用ＩＦ部１３はエッチング用搬送機構４１を備えている。エッチング用ＩＦ部１３と塗布ブロック１４ａとの間には載置部Ｐ３が設けられている。エッチング用搬送機構４１は測定用搬送機構３３と略同様に構成されて、載置部Ｐ２、Ｐ３とロードロック室１８に設けられる載置部Ｐ７に対して基板Ｗを搬送する。

塗布ブロック１４ａには、ｘ軸方向からの正面視において両側部にそれぞれ複数の処理ユニットが積層配置されており、両側の処理ユニットで囲まれる中央に基板Ｗの搬送領域が形成されている。搬送領域の一方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する複数の塗布処理ユニットＳＣである。各塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部５１と、基板Ｗにレジスト膜材料を吐出するノズル５３とを備え、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する処理を行う。

搬送領域の他方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニットＨＰａと基板Ｗを冷却する複数の冷却ユニットＣＰａとである。加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａはそれぞれ温度調節可能なプレート５５を有し、これらプレート５５に載置された基板Ｗに対して所定の熱処理を行う。なお、加熱処理ユニットＨＰａと冷却処理ユニットＣＰａで行われる熱処理は、ともに基板Ｗにレジスト膜を形成する処理に関連する熱処理である。

搬送領域には塗布用主搬送機構５７が設けられている。また、塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂの各搬送領域にまたがるように載置部Ｐ４が配置されている。塗布用主搬送機構５７は基板Ｗを保持する保持アーム５９を備えている。保持アーム５９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。塗布用主搬送機構５７はこの保持アーム５９を適宜の位置に移動させて、各種処理ユニットＳＣ、ＨＰａ、ＣＰａと載置部Ｐ３、Ｐ４とに対して基板Ｗを搬送する。

現像ブロック１４ｂにも、ｘ軸方向からの正面視において両側部にそれぞれ複数の処理ユニットが積層配置され、中央に搬送領域が形成されている。搬送領域の一方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを現像する複数の現像処理ユニットＳＤである。現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で回転可能に保持する基板保持部６１と、基板Ｗに現像液を吐出するノズル６３とを備え、基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する処理を行う。

搬送領域の他方側に配置される処理ユニットは、基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニットＨＰｂと基板Ｗを冷却する複数の冷却ユニットＣＰｂと加熱冷却ユニットＰＨＰｂである。このうち、露光機用ＩＦ部１５と面する側には複数の加熱冷却ユニットＰＨＰｂが配置されるとともに、加熱冷却ユニットＰＨＰｂの上方に載置部Ｐ５が配置されている。加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂはそれぞれ温度調節可能なプレート６５を有し、これらプレート６５に載置された基板Ｗに対して所定の熱処理を行う。加熱処理ユニットＨＰｂと冷却処理ユニットＣＰｂで行われる熱処理は、ともに基板Ｗを現像する処理に関連する熱処理である。また、加熱冷却ユニットＰＨＰｂは加熱用と冷却用とで２つのプレート６５を備え、基板Ｗに加熱処理と冷却処理とを続けて行う。加熱冷却ユニットＰＨＰｂで行われる処理は露光後熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）である。

搬送領域には現像用主搬送機構６７が設けられている。現像用主搬送機構６７は基板Ｗを保持する保持アーム６９を備えている。保持アーム６９は略鉛直方向に昇降可能であり、水平方向に移動可能であり、かつ、略鉛直軸周りに回転可能である。現像用主搬送機構６７はこの保持アーム６９を適宜の位置に移動させて、処理ユニットＳＤ、ＨＰｂ、ＣＰｂと載置部Ｐ４、Ｐ５とに対して基板Ｗを搬送する。

露光機用ＩＦ部１５はインターフェイス用搬送機構（以下、「ＩＦ用搬送機構」と略記する）７１を備えている。ＩＦ用搬送機構７１は、現像ブロック１４ｂと露光機１６との間で基板Ｗを搬送する。ＩＦ用搬送機構７１は相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとで構成されている。第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとはｘ軸方向と略直交する方向に並んでおり、第１搬送機構７１ａが載置部Ｐ５および加熱冷却ユニットＰＨＰｂと対向する側に配置されている。第１搬送機構７１ａと第２搬送機構７１ｂとの間には載置部Ｐ６が設けられ、両者の間で受け渡される基板Ｗが載置される。第１搬送機構７１ａは載置部Ｐ５と加熱冷却ユニットＰＨＰｂとに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７１ｂは露光機１６に対して基板Ｗを搬送する。

露光機１６は、基板Ｗを載置するステージ７３と、照明系７５と、マスク７７と、マスク７７のパターンの像をステージ７３上の基板Ｗに投影する投影光学像７９と、を備え、基板Ｗを露光する処理を行う。照明系７５の光源としては、ＡｒＦ等が例示される。また、マスク７７は複数であり、マスク７７を切り換えるマスク切換機構（図示省略）を備えている。

ロードロック室１８には載置部Ｐ７が設けられている。ロードロック室１８の内部は、Ｎ_２パージ可能に、かつ、真空排気可能に構成されている。また、ロードロック室１８と、エッチング用ＩＦ部１３およびエッチング部１７との間には、それぞれ気密に閉塞可能なゲート８１、８２が設置されている。

エッチング部１７はプラズマを用いたドライエッチングを基板Ｗに行う。図５を参照する。図５はエッチング部の要部を模式的に示す図である。エッチング部１７は、たとえば、気密性を有するチャンバ８３と、このチャンバ８３内において互いに対向するように設置される複数の電極８４ａ、８４ｂと、チャンバ８３内に反応性ガスを供給するガス供給系８５と、チャンバ８３からガスを排気する排気系８６とを備えて構成される。そして、反応性ガスをチャンバ８３内に導入しつつ電極８４、８５間に高周波電力を印加することによって発生させたプラズマによって、一の電極８５に載置した基板Ｗをエッチングする。

次に、図６を参照して本装置１の制御系について説明する。図６は、基板処理装置の制御ブロック図である。制御部８７は、メインコントローラ８９と第１−第９コントローラ９１−９９を備えている。メインコントローラ８９は装置１内の搬送機構および処理ユニットを統括的に制御するほか、各基板Ｗを管理する。第１コントローラ９１は、ＩＤ用搬送機構２３を制御する。第２コントローラ９２は線幅測定ユニット３１と測定用搬送機構３７とを制御するとともに、線幅測定ユニット３１の測定結果を受ける。第３コントローラ９３はエッチング用搬送機構４１を制御する。第４コントローラ９４は塗布処理ユニットＳＣと加熱ユニットＨＰａと冷却ユニットＣＰａと塗布用主搬送機構５７とを制御する。第５コントローラ９５は現像処理ユニットＳＤと加熱ユニットＨＰｂと冷却ユニットＣＰｂとを制御する。第６コントローラ９６は加熱冷却ユニットＰＨＰｂと第１搬送機構７１ａとを制御する。第７コントローラ９７は第２搬送機構７１ｂを制御する。第８コントローラ９８は露光機１６を制御する。第９コントローラ９９はエッチング部１７とロードロック室１８とを制御する。上述した第１〜第９コントローラ９１〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。

メインコントローラ８９および第１〜第９コントローラ９１〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。本装置１では、同じ基板Ｗにパターン形成処理を複数回行う。以下では、１回目と２回目とのパターン形成処理のそれぞれについてレジスト膜形成、露光、現像およびエッチングの各処理に分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部８７による制御に基づいて行われる。

［１回目のパターン形成処理］
＜レジスト膜形成＞
ＩＤ用搬送機構２３はカセットＣから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ１に載置する。載置部Ｐ１に載置された基板Ｗを測定用搬送機構３７が載置部Ｐ２に搬送する。載置部Ｐ２に載置された基板Ｗをエッチング用搬送機構４１が載置部Ｐ３に搬送する。

塗布用主搬送機構５７は載置部Ｐ３に載置された基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣへ搬送する。塗布処理ユニットＳＣでは基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する処理を行う。なお、塗布処理ユニットＳＣにおける処理の前または／および後に、加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａに基板Ｗを適宜に搬送し、レジスト膜を形成する処理に関連した熱処理を基板Ｗに行う。これにより、基板Ｗにレジスト膜が形成される。

＜露光＞
塗布用主搬送機構５７は基板Ｗを載置部Ｐ４に載置する。載置部Ｐ４に載置された基板Ｗを現像用主搬送機構６７が載置部Ｐ５に搬送する。載置部Ｐ５に載置された基板Ｗを第１搬送機構７１ａが載置部Ｐ６に搬送する。載置部Ｐ６に搬送された基板Ｗを第２搬送機構７１ｂが露光機１６に搬送する。露光機１６では基板Ｗを露光する。

露光機１６は露光が済んだ基板Ｗを第２搬送機構７１ｂに受け渡す。第２搬送機構７１ｂは載置部Ｐ６に載置する。載置部Ｐ６に載置された基板Ｗを第１搬送機構７１ａが加熱冷却ユニットＰＨＰｂへ搬送する。加熱冷却ユニットＰＨＰｂでは基板Ｗに加熱処理と冷却処理とが続けて行う。この冷却処理により、露光された部分のレジスト膜の反応が停止する。その後、第１搬送機構７１ａは加熱冷却ユニットＰＨＰｂから基板Ｗを搬出して載置部Ｐ５に載置する。

＜現像＞
現像用主搬送機構６７は載置部Ｐ５に載置された基板Ｗを現像処理ユニットＳＤに搬送する。現像処理ユニットＳＤでは基板Ｗを現像する。なお、現像処理ユニットＳＤにおける処理の前または／および後に、加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂに基板Ｗが適宜に搬送される。そして、加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂにおいて基板Ｗを現像する処理に関連した熱処理が行われる。

＜エッチング＞
現像用主搬送機構６７は載置部Ｐ４に基板Ｗを載置する。載置部Ｐ４に載置された基板Ｗを塗布用主搬送機構５７が載置部Ｐ３に搬送する。載置部Ｐ３に載置された基板Ｗをエッチング用搬送機構４１が載置部Ｐ７に載置する。エッチング用搬送機構４１がロードロック室１８から退避すると、ゲート８１を閉じる。ロードロック室１８内を真空排気する。ロードロック室１８内が所定の圧力になると、ゲート８２を開放し、載置部Ｐ７に載置される基板Ｗをエッチング部１７に搬送し、再びゲート８２を閉じる。エッチング部１７では、基板Ｗにエッチングを行う。エッチングが終了すると、ゲート８２を開放して、エッチング部１７から載置部Ｐ７に基板Ｗを払い出し、再びゲート８２を閉塞する。ロードロック室１８内をＮ_２パージする。ロードロック室１８の内部が大気圧程度まで復帰すると、ゲート８１を開放する。エッチング用搬送機構４１は載置部Ｐ７に載置された基板Ｗを受け取ると、再びゲート８１を閉じる。

エッチング用搬送機構４１は受け取った基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する。載置部Ｐ２に載置された基板Ｗを測定用搬送機構３７が線幅測定ユニット３１に搬送する。線幅測定ユニット３１では基板Ｗに形成されているパターンの線幅を測定し、その測定結果を第２コントローラ９２に与える。第２コントローラ９２は測定結果をメインコントローラ８９に転送する。測定が終了すると、測定用搬送機構３７は線幅測定ユニット３１から基板Ｗを搬出して載置部Ｐ２に載置する。エッチング用搬送機構４１は載置部Ｐ２に載置された基板Ｗを載置部Ｐ３へ搬送する。

制御部８７は線幅測定ユニット３１の測定結果に基づいて、塗布処理ユニットＳＣ等の各処理条件を必要に応じて変更する。

［２回目のパターン形成処理］
＜レジスト膜形成＞
エッチング用搬送機構４１は測定が終了した基板Ｗを載置部Ｐ２から載置部Ｐ３へ搬送する。載置部Ｐ３に載置された基板Ｗを、塗布用主搬送機構５７が塗布処理ユニットＳＣ、加熱ユニットＨＰａおよび冷却ユニットＣＰａへ基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗにレジスト膜を形成する。

＜露光＞
塗布用主搬送機構５７から現像ブロック１４ｂ、露光機用ＩＦ部１５の各搬送機構を経由して露光機１６に基板Ｗを搬送する。露光機１６では基板Ｗを露光する。露光が済んだ基板Ｗを、第２搬送機構７１ｂと第１搬送機構７１ａとが受け渡して、加熱冷却ユニットＰＨＰｂへ搬送する。加熱冷却ユニットＰＨＰｂでは露光後加熱処理を基板Ｗに行う。第１搬送機構７１ａは露光後加熱処理が済んだ基板Ｗを載置部Ｐ５に載置する。

＜現像＞
現像用主搬送機構６７は載置部Ｐ５に載置された基板Ｗを、現像処理ユニットＳＤ、加熱ユニットＨＰｂおよび冷却ユニットＣＰｂへ搬送する。これにより、基板Ｗを現像する。

＜エッチング＞
現像された基板Ｗを、現像ブロック１４ｂから塗布ブロック１４ａ、エッチング用ＩＦ部１３およびロードロック室１８を経由してエッチング部１７へ搬送する。そして、エッチング部１７で基板Ｗにエッチング処理を行う。エッチング処理が済んだ基板Ｗを、エッチング部１７からロードロック室１８、エッチング用ＩＦ部１３および測定部１２を経由してＩＤ部１１へ搬送する。ＩＤ用搬送機構２３は基板ＷをカセットＣへ搬入する。

このように、本実施例に係る基板処理装置１によれば、塗布現像ブロック１４と露光機１６とエッチング部１７とが一体に構成されているので、レジスト膜形成、露光、現像、エッチングを含む一連のパターン形成処理を基板処理装置１内で行うことができる。また、塗布現像ブロック１４と露光機１６とエッチング部１７とはインラインにて接続されているため、基板Ｗ自体を受け渡しし、当然ながら基板ＷをカセットＣに収容した状態で搬送することがない。このため、制御部８７は装置１内で基板Ｗを搬送している限り、常に各基板Ｗを好適かつ容易に管理することができる。

よって、同じ基板Ｗに対してパターン形成処理を２回繰り返し行い、基板上の同一の膜に２回に分けてパターンを形成する際も、常に各基板Ｗを管理し続けることができ、基板Ｗ上の膜に精度よくパターンを形成することができる。ここで、「膜」としては、例えば酸化膜等の絶縁膜、ポリシリコン膜、タングステンやアルミ等のメタル膜、反射防止膜としての窒化膜等が例示される。また、露光機１６やエッチング部１７に基板Ｗが搬送されるタイミング、スケジュールも、パターン形成処理を開始する時点（たとえば、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を開始する時点）から得られるので、露光機１６やエッチング部１７における処理をスムーズに行うことができる。

また、露光機用ＩＦ部１５を備えているので、塗布現像ブロック１４と露光機１６との間で基板Ｗを好適に搬送することができる。同様に、エッチング用ＩＦ部１３を備えているので、塗布現像ブロック１４とエッチング部１７との間で基板Ｗを好適に搬送することができる。さらに、エッチング用ＩＦ部１３とエッチング部１７との間にロードロック室１８を備えているので、エッチング部１７において好適にドライエッチングを基板Ｗに行うことができる。

また、ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とをこの順番でｘ軸方向に一列に並べ、エッチング部１７をエッチング用ＩＦ部１３に対してｘ軸方向と交差する方向に並ぶように配置しているので、基板Ｗの搬送距離を比較的短く抑えることができる。また、ＩＤ部１１を端部に配置しているので、装置１の外部との間でカセットＣの受け渡しを好適に行うことができる。また、露光機１６およびエッチング部１７も端部とし、露光機用ＩＦ部１５およびエッチング用ＩＦ部１３が単一で済むように配置しているので、装置構成を比較的簡略にすることができる。

また、測定部１２を備えることで、基板Ｗに形成したパターンの品質、精度を好適に評価できるとともに、各処理ユニットの処理条件を的確に設定、変更することができる。

また、塗布現像ブロック１４を塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂとで構成しているため、塗布用主搬送機構５７と現像用主搬送機構６７の基板搬送動作を簡略化することができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、測定部１２を備えていたが、省略してもよい。この場合、ＩＤ部１１とエッチング用ＩＦ部１３とを直接インラインにて接続するように構成される。

（２）上述した実施例では、測定部１２をＩＤ部１１とエッチング用ＩＦ部１３との間に設けていたが、エッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４との間に配置するように変更してもよい。

（３）上述した実施例では、塗布現像ブロック１４を塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂとで構成していたが、これに限られない。塗布処理ユニットＳＣおよび現像処理ユニットＳＤとこれらに付随する加熱ユニットＨＰや冷却ユニットＣＰを備える単一のブロックに変更してもよい。

（４）上述した実施例において、エッチング用ＩＦ部１３や露光機用ＩＦ部１５に基板Ｗを載置するバッファＢＦを設けるように変更してもよい。これにより、基板処理装置１内の基板Ｗの搬送を柔軟かつ円滑に行うことができる。

（５）上述した実施例の各部１１−１８レイアウトは一例であり、これに限られない。図７を参照する。図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。図７（ａ）〜（ｃ）に示す各図は、いずれも各部を一列に並べて配置される基板処理装置１を例示している。

図７（ａ）に示す基板処理装置は、ＩＤ部１１と測定部１２とエッチング部１７とエッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とをこの順番で横方向に並べて構成される。エッチング部１７と測定部１２とは隣接しているが、インラインにて接続されていない。そのかわりに、エッチング部１７を迂回して、測定部１２とエッチング用ＩＦ部１３との間で基板Ｗを直接搬送する迂回搬送部１０１を備えている。この迂回搬送部１０１はエッチング部１７の側方に設けるように構成してもよいし、エッチング部１７の上下方向に設けるように構成してもよい。

図７（ｂ）に示す基板処理装置は、ＩＤ部１１と第２のエッチング用ＩＦ部１９とエッチング部１７とエッチング用ＩＦ部１３と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とをこの順番で並べて構成されている。この変形例のように、エッチング部１７の両側にエッチング用ＩＦ部１３、１９を設けているので、ＩＤ部１１および塗布現像ブロック１４との間で好適に基板Ｗを搬送することができる。第２のエッチング用ＩＦ部１９は、この発明における第２のエッチング用インターフェイス部に相当する。

図７（ｃ）は、ＩＤ部１１とエッチング用ＩＦ部１３とエッチング部１７と測定部１２と塗布現像ブロック１４と露光機用ＩＦ部１５と露光機１６とをこの順番で並べて構成されている。この変更例に示すように、測定部１２は適宜な位置に配置することができる。また、この変形例では測定部１２とエッチング部１７とがインラインにて直接接続されている。

次に、図８を参照する。図８は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図で
ある。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。図示するように、ＩＤ部１１と塗布ブロック１４ａと第１露光機用ＩＦ部１５ａと露光機１６と第２露光機用ＩＦ部１５ｂと現像ブロック１４ｂとエッチング用ＩＦ部１３とエッチング部１７とがこの順番で一列に並んで基板処理装置が構成されている。塗布ブロック１４ａと現像ブロック１４ｂとはパターン形成処理の順番にしたがって露光機１６の両側に分離して配置されている。露光機１６の両側には第１、第２露光機用ＩＦ部１５ａ、１５ｂがそれぞれ設けられているので、露光機１６を塗布ブロック１４ａ及び現像ブロック１４ｂとの間でそれぞれ基板Ｗの受け渡しを好適に行うことができる。なお、第１、第２露光機用ＩＦ部１５ａ、１５ｂは、それぞれこの発明における第１露光機用インターフェイス部と第２露光機用インターフェイス部に相当する。

また、ＩＤ部１１からエッチング用ＩＦ部１３にわたって迂回搬送部１０３が設けられている。迂回搬送部１０３は基板Ｗを載置して水平移動可能に構成されている。そして、迂回搬送部１０３は、ＩＤ用搬送機構２３とエッチング用搬送機構４１との間でそれぞれ直接基板Ｗの受け渡しを行う。これにより、基板Ｗを一方向に搬送することで、塗布ブロック１４ａ、露光機１６、現像ブロック１４ｂ、エッチング部１７においてそれぞれ所定の処理を基板Ｗに行うことができる。そして、一連のパターン形成処理が終了すると、迂回搬送部１０３は当該基板Ｗを塗布ブロック１４ａや露光機１６や現像ブロック１４ｂなどを迂回してＩＤ部１１へ搬送することができる。このように基板Ｗにリソグラフィー工程を行う際の基板Ｗの搬送経路と、リソグラフィー工程が終了したあとの基板Ｗの搬送経路とを異なるので、基板処理装置内で好適に基板Ｗを搬送することができる。

（６）上述した実施例では、露光機１６およびエッチング部１７を備えた基板処理装置１を説明したが、基板処理装置１としてはこのような構成に限られない。すなわち、本装置１は露光機用ＩＦ部１５を備えている限り、露光機１６を省略するように変更してもよい。装置が露光機１６を備えていなくても露光機用ＩＦ部１５を備えていれば、基板処理装置は別体の露光機とインラインにて接続可能であり、当該露光機と接続すれば実施例と同じ作用効果を奏する。したがって、実施例１で説明した基板処理装置１から露光機１６を省略した基板処理装置も、本発明における基板処理装置に相当する。

同様に、本装置１はエッチング用ＩＦ部１３を備えている限り、エッチング部１７を省略するように変更してもよい。本装置がエッチング部１７を備えていなくてもエッチング用ＩＦ部１３を備えていれば、基板処理装置は別体のエッチング装置とインラインにて接続可能であり、当該エッチング装置と接続すれば実施例と同じ作用効果を奏する。したがって、実施例１で説明した基板処理装置１からエッチング部１７を省略した基板処理装置も、本発明における基板処理装置に相当する。

（７）上述した実施例では、塗布ブロック１４ａは塗布処理ユニットＳＣや加熱ユニットＨＰａや冷却ユニットＣＰａを備えていたが、これに限られない。たとえば、基板Ｗに反射防止膜を形成する処理ユニットなどをさらに備えるように変更してもよい。

（８）上述した実施例において、さらに基板Ｗ上のレジストパターンを除去するレジスト除去ユニットが配備されたブロックや、または、基板Ｗを洗浄する洗浄ユニットが配備されたブロックを追加してもよい。

（８）上述した実施例では、同じ基板Ｗにパターン形成処理を２回繰り返すように動作させたが、これに限られず、パターン形成処理を３回以上繰り返すように動作させてもよい。

（９）上述した実施例では、測定部１２はエッチングされた基板Ｗに形成されているパターンの線幅を測定したが、これに限られない。たとえば、現像された後であってエッチングされる前の基板Ｗについて測定部１２で測定するように変更してもよい。

（１０）上記（１）から（９）で説明した基板処理システムの各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置の断面図である。 塗布現像ブロックの熱処理ユニットの配置を示す要部側面図である。 線幅測定ユニットを模式的に示す正面図である。 エッチング部の要部を模式的に示す図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

符号の説明

１ …基板処理装置
１１ …ＩＤ部
１２ …測定部
１３ …エッチング用ＩＦ部
１４ …塗布現像ブロック
１４ａ …塗布ブロック
１４ｂ …現像ブロック
１５ …露光機用ＩＦ部
１５ａ …第１露光機用ＩＦ部
１５ｂ …第２露光機用ＩＦ部
１６ …露光機
１７ …エッチング部
１９ …第２のエッチング用ＩＦ部
２１ …載置台
８７ …制御部
１０１、１０３ …迂回搬送部
Ｗ …基板
Ｃ …カセット

Claims (23)

1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、
   基板を露光する露光機と、
   基板をエッチングするエッチング部と、
   塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とに順次基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、
   を備え、
   塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とは一体に構成されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、
   基板を露光する露光機と、
   基板をエッチングするエッチング部と、
   塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とに順次基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、
   を備え、
   塗布現像ブロックと露光機とエッチング部とはインラインにて接続されていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   塗布現像ブロックは、基板にレジスト膜を形成する塗布ブロックと、基板を現像する現像ブロックとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、
   を備え、
   平面視で塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部と露光機とはこの順番で一列に並んでいることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   塗布現像ブロックの露光機用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、
   を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   平面視でエッチング部がエッチング用インターフェイス部に対して並ぶ方向は、エッチング用インターフェイス部に対して塗布現像ブロックが並ぶ方向と略直交していることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、
   複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられているインデクサ部と、
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、
   エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられ、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
   線幅測定部は、エッチング用インターフェイス部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、線幅測定部に隣接して設けられているインデクサ部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項３に記載の基板処理装置において、
    平面視で塗布ブロックと露光機と現像ブロックとはこの順番で一列に並んでいることを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置において、
    現像ブロックの露光機が設けられている側とは反対側に配置され、エッチング部に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、
    を備え、エッチング部はエッチング用インターフェイス部に隣接していることを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    エッチング部は、エッチング用インターフェイス部の現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項１２または請求項１３に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、塗布ブロックに隣接して設けられているインデクサ部と、
    インデクサ部からエッチング部にわたって設けられ、インデクサ部とエッチング部とに対して基板を直接搬送する迂回搬送部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項１２または請求項１３に記載の基板処理装置において、
    エッチング部のエッチング用インターフェイス部が設けられている側とは反対側に配置され、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
16. 請求項１５に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、塗布ブロックに隣接して設けられているインデクサ部と、
    インデクサ部から線幅測定部にわたって設けられ、インデクサ部と線幅測定部とに対して基板を直接搬送する迂回搬送部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
17. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    基板にレジスト膜を形成し、基板を現像する塗布現像ブロックと、
    本装置とは別体の露光機に隣接して設けられ、露光機に対して基板を搬送する露光機用インターフェイス部と、
    本装置とは別体のエッチング装置に隣接して設けられ、エッチング装置に対して基板を搬送するエッチング用インターフェイス部と、
    塗布現像ブロックで基板を処理し、かつ、露光機とエッチング装置とに対して基板を搬送して行うパターン形成処理を同じ基板に対して２回以上繰り返して、基板上の同じ膜に複数回にわたってパターンを形成させる制御部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
18. 請求項１７に記載の基板処理装置において、
    平面視でエッチング用インターフェイス部と塗布現像ブロックと露光機用インターフェイス部とはこの順番で一列に並んでいることを特徴とする基板処理装置。
19. 請求項１８に記載の基板処理装置において、
    平面視でエッチング部がエッチング用インターフェイス部に対して並ぶ方向は、エッチング用インターフェイス部に対して塗布現像ブロックが並ぶ方向と略直交していることを特徴とする基板処理装置。
20. 請求項１８または請求項１９に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、エッチング用インターフェイス部に隣接して配置されているインデクサ部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
21. 請求項１８または請求項１９に記載の基板処理装置において、
    エッチング用インターフェイス部に隣接して設けられ、基板に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
22. 請求項２１に記載の基板処理装置において、
    線幅測定部は、エッチング用インターフェイス部の塗布現像ブロックが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
23. 請求項２２に記載の基板処理装置において、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置する載置台を有し、線幅測定部に隣接して設けられているインデクサ部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。

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