JP4312248B2 - プロキシミティ露光装置及び基板製造方法 - Google Patents

プロキシミティ露光装置及び基板製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4312248B2
JP4312248B2 JP2008026231A JP2008026231A JP4312248B2 JP 4312248 B2 JP4312248 B2 JP 4312248B2 JP 2008026231 A JP2008026231 A JP 2008026231A JP 2008026231 A JP2008026231 A JP 2008026231A JP 4312248 B2 JP4312248 B2 JP 4312248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
exposure
chuck
stage
moved
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008026231A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008124506A (ja
Inventor
伸壽 小松
聡 高橋
一政 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2008026231A priority Critical patent/JP4312248B2/ja
Publication of JP2008124506A publication Critical patent/JP2008124506A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4312248B2 publication Critical patent/JP4312248B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、表示用パネル等の基板の製造において、ガラス基板上にパターンを形成する露光装置及びそれを用いた基板製造方法に係り、特にプロキシミティ方式を用いたプロキシミティ露光装置及びそれを用いた基板製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術によりガラス基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク(以下、「マスク」と称す)のパターンをガラス基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクとガラス基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きなガラス基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚のガラス基板から1枚又は複数枚の表示用パネルの基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、ガラス基板の一面を一括して露光しようとすると、ガラス基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、ガラス基板より比較的小さなマスクを用い、ガラス基板をXY方向にステップ移動させながら、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。
プロキシミティ露光装置は、露光時にガラス基板を真空吸着等により固定するチャックを備えている。チャックは、マスクとガラス基板とのギャップ合わせ及びガラス基板のアライメントを行うステージ上に搭載されている。チャックに対するガラス基板のロード/アンロードは、通常、ロボット等のハンドリングアームにより行われる。そして、ステージによりチャック上のガラス基板のプリアライメント、ギャップ合わせ及びアライメントが行われた後、ショットが行われる。ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合は、プリアライメント後に、XY方向のステップ移動、ギャップ合わせ、アライメント及びショットが繰り返される。従来は、ガラス基板のロード/アンロードを含むこれらの一連の作業の総時間が、タクトタイムとなっていた。
一方、半導体デバイス製造時の半導体ウェーハの露光では、一般にプロジェクション方式が採用されている。この場合、半導体ウェーハの熱膨張率が比較的低く、またプロジェクション方式で露光倍率が調整可能なため、露光時の半導体ウェーハの温度管理はあまり問題とはならない。しかしながら、プロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光では、ガラス基板の熱膨張率が半導体ウェーハや石英等から成るマスクに比べて高く、かつプロキシミティ方式でマスクのパターンを1対1に転写するため、ガラス基板の温度管理を行わないとパターンのトータルピッチ精度が劣化する。従来は、チャック自体に温度調節機構を設けることにより、チャックに接触するガラス基板の冷却を行っていた。また、特許文献1には、チャックへのガラス基板の搬送前又は搬送中に、ガラス基板の冷却を行う技術が開示されている。
特開平11−26364号公報
従来のプロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光では、チャックに対してガラス基板のロード/アンロードを行う時間、及びプリアライメントに要する時間がそのままタクトタイムに影響を与え、スループットの向上を妨げていた。
また、チャック自体に温度調節機構を設けても、ガラス基板のロード後ショットを開始するまでの時間では、ガラス基板を十分に冷却することができなかった。一方、ガラス基板のロード後にガラス基板を冷却する時間を設けると、スループットが低下するという問題があった。このため、従来は、例えば特許文献1に記載のような冷却設備が別途必要であった。
さらに、チャックに対するガラス基板のロード/アンロードをマスクの下で行うと、ロード/アンロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊する。プロキシミティ方式では、ガラス基板をマスクに極めて接近させて露光を行うため、このような塵埃が問題となる。これを回避するため、ガラス基板のロード/アンロードをマスクの下から離れた位置で行うと、チャックの移動に時間を要する分だけスループットが低下する。
本発明の課題は、プロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光において、スループットを向上させることである。さらに、本発明の課題は、パターンのトータルピッチ精度の劣化を防止することである。また、本発明の課題は、プロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光において、スループットを向上させ、かつガラス基板のロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するのを防止することである。
本発明のプロキシミティ露光装置は、マスクとガラス基板との間に微小なギャップを設けて、マスクのパターンをガラス基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、マスクの下でマスクのパターンをガラス基板に露光する露光位置と、ガラス基板の温度を調節する機構を有する複数のステージと、マスクの下の露光位置とは別の位置であって、各ステージ上にガラス基板をロードする第1及び第2のロード位置とを備え、複数のステージが、第1及び第2のロード位置から露光位置に向けて交互にガラス基板を移動し、露光位置に移動されるガラス基板を順次露光するように構成され、複数のステージのうち一つが、ステージ上にガラス基板を固定するチャックを搭載し、チャックに温度調節機構を内蔵し、露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間内に第1のロード位置でロードしたガラス基板を温度調節して露光位置へ移動し、他の一つのステージが、ステージ上にガラス基板を固定するチャックを搭載し、チャックに温度調節機構を内蔵し、露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間内に第2のロード位置でロードしたガラス基板を温度調節して露光位置へ移動するように構成され、露光位置における露光は、ガラス基板をX軸又はY軸方向へ複数回ステップ移動させ、マスクのパターンを単一のガラス基板に対して複数回露光するものである。
さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、各ステージが、露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間に応じて、第1又は第2のロード位置でガラス基板の冷却を行うものである(請求項2)。また、本発明のプロキシミティ露光装置は、複数のステージが、ロード位置と露光位置との間でガラス基板を移動するXステージと、当該Xステージ上に設置され、ガラス基板移動方向と交差する方向に当該ガラス基板を移動するYステージとを有し、当該X及びYステージ上であって、ガラス基板を固定する位置にチャックを配置したものである(請求項3)。
露光位置でガラス基板の露光を行っている間に、ロード位置で露光前のガラス基板のロードを行う。タクトタイムには、ガラス基板のロードを行う時間が含まれず、代わりにロード位置と露光位置との間でチャックを移動するわずかな時間が含まれる。そして、露光位置でガラス基板の露光を行っている間に、ロード位置で露光前のガラス基板の冷却を行う時間が確保される。また、露光位置とは別に設けたロード位置でガラス基板のロードを行うので、ガラス基板のロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊しない。
特に、露光位置でガラス基板をXY方向にステップ移動させて、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、1枚のガラス基板の露光時間が比較的長く、その間に露光前のガラス基板を十分に冷却することができる。
また、露光位置で1つのチャック上のガラス基板の露光を行っている間に、ロード位置でさらに他のチャック上のガラス基板のプリアライメントを行うと、タクトタイムにはプリアライメントに要する時間も含まれなくなる。
本発明の基板製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて、ガラス基板上にパターンを形成するものである。
本発明のプロキシミティ露光装置によれば、プロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光において、タクトタイムを短縮してスループットを向上させることができる。さらに、ガラス基板を冷却してパターンのトータルピッチ精度の劣化を防止することができる。
また、本発明のプロキシミティ露光装置によれば、プロキシミティ方式を用いたガラス基板の露光において、タクトタイムを短縮してスループットを向上させ、かつガラス基板のロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するのを防止することができる。
本発明の基板製造方法によれば、パターンの形成を高いスループットで行い、パターンのトータルピッチ精度の劣化を防止し、またガラス基板のロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するのを防止することができる。従って、高品質な基板の製造が、高いスループットで可能となる。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。露光装置は、チャック10a,10b、マスク20、マスクホルダ21、ハンドリングアーム30a,30b、及び搬送ライン40を含んで構成されている。露光装置は、その他にも露光用光源及び照射光学系、マスクチェンジャ、ギャップセンサー、アライメント用センサー等を含んでいるが、これらは図1では省略されている。
図1は露光装置の一部を上から見た図であって、マスクホルダ21に保持されたマスク20が、ガラス基板の露光を行う露光位置の上空に配置されている。露光位置の左右には、チャックに対してガラス基板のロード/アンロードを行うロード/アンロード位置a,bが配置されている。後述するXステージの移動によって、チャック10aはロード/アンロード位置aと露光位置との間を移動され、チャック10bはロード/アンロード位置bと露光位置との間を移動される。図1は、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置bにある状態を示している。
チャック10aがロード/アンロード位置aにある時、ハンドリングアーム30aは、搬送ライン40から露光前のガラス基板を受け取ってチャック10aにロードし、またチャック10aから露光後のガラス基板をアンロードして搬送ライン40へ受け渡す。同様に、チャック10bがロード/アンロード位置bにある時、ハンドリングアーム30bは、搬送ライン40から露光前のガラス基板を受け取ってチャック10bにロードし、またチャック10bから露光後のガラス基板をアンロードして搬送ライン40へ受け渡す。図1は、ハンドリングアーム30aがチャック10aからガラス基板1aのアンロードを行うために待機しており、ハンドリングアーム30bがチャック10bに対してガラス基板1bのロード又はアンロードを行っている状態を示している。
図2は、本発明の一実施の形態による露光装置のチャックの概略構成を示す図である。図2はチャックを横から見た図であって、Xステージ12の上にYステージ14、Yステージ14の上にθ,Zステージ15が搭載され、θ,Zステージ15の上にチャック10aが搭載されている。チャック10bも同様である。Xステージ12はXガイド11に沿ってX軸方向へ移動し、Yステージ14はYガイド13に沿ってY軸方向へ移動する。θ,Zステージ15は、θ方向に回転し、またZ軸方向に移動及びチルトする。Xステージ12の移動によって、チャック10aはロード/アンロード位置aと露光位置との間を移動され、チャック10bはロード/アンロード位置bと露光位置との間を移動される。図2は、図1と同様に、チャック10aが露光位置にあり、チャック10bがロード/アンロード位置bにある状態を示している。
ロード/アンロード位置a,bにおいて、Xステージ12及びYステージ14の移動、並びにθ,Zステージ15の回転によって、チャック10a,10b上のガラス基板のプリアライメントが行われる。また、露光位置において、Xステージ12及びYステージ14の移動によって、チャック10a,10b上のガラス基板のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、θ,Zステージ15の移動及びチルトによって、マスク20とガラス基板とのギャップ合わせが行われ、Xステージ12及びYステージ14の移動、並びにθ,Zステージ15の回転によって、ガラス基板のアライメントが行われる。
ロード/アンロード位置a,bにおいて、ガラス基板のロードが行われる際、チャック10a,10bは、内部に収納されている複数のピン16を上昇させ、ハンドリングアーム30a,30bがガラス基板をピン16の先端に搭載した後、ピン16を下降させてガラス基板をチャック面に接触させる。また、ロード/アンロード位置a,bにおいて、ガラス基板のアンロードが行われる際、チャック10a,10bは、ピン16を上昇させてガラス基板をチャック面から離し、ハンドリングアーム30a,30bがピン16の先端からガラス基板を受け取る。ガラス基板のロード/アンロードを行う時間には、ハンドリングアーム30a,30bがガラス基板を保持して移動する時間の他に、これらのピン16の上昇/下降動作の時間が含まれる。
チャック10a,10bは、例えば水冷方式等の温度調節機構を内部に備え、チャック面に接触しているガラス基板からチャック10a,10bへ熱伝導が行われることにより、ガラス基板の冷却が行われる。
図3は、本発明の一実施の形態による露光方法を示すフローチャートである。まず、ロード/アンロード位置おいて、一方のチャックにガラス基板のロードを行う(ステップ101)。続いて、ロード/アンロード位置おいて、一方のチャック上のガラス基板のプリアライメントを行う(ステップ102)。プリアライメントが終了すると、一方のチャックをロード/アンロード位置で待機させ、ガラス基板の冷却を行う(ステプ103)。これらの間、露光位置では、他方のチャック上のガラス基板の露光が行われている。
他方のチャック上のガラス基板の露光が終了すると、他方のチャックを露光位置からロード/アンロード位置へ移動させ、一方のチャックをロード/アンロード位置から露光位置へ移動させる(ステップ104)。そして、露光位置において、一方のチャック上のガラス基板の露光を行う(ステップ105〜109)。
本実施の形態は、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光する例を示している。まずガラス基板をXY方向へのステップ移動させ(ステップ105)、次にマスク20とガラス基板とのギャップ合わせを行い(ステップ106)、続いてガラス基板のアライメントを行う(ステップ107)。アライメント後、アライメント用センサーをマスク20の上空から退避させて、ショットを行う(ステップ108)。そして、全ショットが終了したか否を判断して(ステップ109)、全ショットが終了するまで、これらのステップを繰り返す。
全ショットが終了すると、一方のチャックを露光位置からロード/アンロード位置へ移動させ(ステップ110)、他方のチャックをロード/アンロード位置から露光位置へ移動させる。
ロード/アンロード位置において、一方のチャックからガラス基板のアンロードを行い(ステップ111)、始めに戻る。この間、露光位置では、他方のチャック上のガラス基板の露光が行われている。
図4は、本発明の一実施の形態による露光方法のタイムチャートの一例である。図4(a)はチャック10aに搭載されるガラス基板1aについて、図4(b)はチャック10bに搭載されるガラス基板1bについてのタイムチャートである。本実施の形態では、図4(a),(b)に示すように、一方のチャック上のガラス基板のステップ移動、ギャップ合わせ、アライメント及びショット(ステップ105〜109)を行っている間に、他方のチャックに対するガラス基板のロード/アンロード(ステップ111,101)、他方のチャック上のガラス基板のプリアライメント(ステップ102)及び冷却(ステップ103)を行う。従って、図4(c)に示すように、タクトタイムにはガラス基板のロード/アンロード、プリアライメント及び冷却の時間が含まれない。
図5は、従来の露光方法を示すフローチャートである。従来は、ガラス基板を固定しながら冷却するチャックが1つで、露光位置おいて、ガラス基板のロード(ステップ201)及びプリアライメント(ステップ202)が行われていた。ガラス基板の露光は、図3と同様であった。(ステップ203〜207)。そして、露光終了後、露光位置において、ガラス基板のアンロードが行われていた
(ステップ208)。
図6は、従来の露光方法のタイムチャートの一例である。従来、タクトタイムには、ガラス基板のロード/アンロード(ステップ208,201)及びプリアライメント(ステップ202)の時間が含まれていた。ショット前のガラス基板の冷却は、プリアライメント(ステップ202)からアライメント(ステップ205)の間に行われていたが、これらの間ではガラス基板を十分に冷却することができなかった。また、露光位置でガラス基板のロード/アンロードを行っていたため、ロード/アンロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するという問題があった。
図3と図5を比較すると、本発明では、従来に対し、ガラス基板の冷却(ステップ103)、チャックの露光位置への移動(ステップ104)及びチャックのロード/アンロード位置への移動(ステップ110)の各工程が追加されている。しかしながら、チャックの移動は比較的短時間で行うことができ、またガラス基板の冷却はタクトタイムに含まれない。従って、図4と図6を比較すると分かるように、本発明のタクトタイムは、従来に比べて短縮されている。
以上説明した実施の形態によれば、ガラス基板のロード/アンロード、プリアライメント及び冷却の時間がタクトタイムに含まれないので、タクトタイムを短縮して、スループットを向上させることができる。そして、露光前にチャック上でガラス基板の冷却を行うことができるので、パターンのトータルピッチ精度の劣化を防止することができる。
特に、本実施の形態では、ガラス基板の一面を複数のショットに分けて露光するため、1枚のガラス基板の露光時間が比較的長く、その間にガラス基板を十分に冷却することができる。
また、露光位置とは別に設けたロード/アンロード位置でガラス基板のロード/アンロードを行うので、ガラス基板のロード/アンロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するのを防止することができる。
なお、以上説明した実施の形態では、ガラス基板を固定しながら冷却するチャックを2つ設けていたが、本発明はこれに限らず、チャックを3つ以上設けてもよい。
本発明の露光方法及び露光装置を用いてガラス基板上にパターンを形成することにより、パターンの形成を高いスループットで行い、かつパターンのトータルピッチ精度の劣化を防止し、またガラス基板のロード/アンロード時に発生した塵埃がマスクとガラス基板との間に浮遊するのを防止することができる。従って、高品質な基板の製造が、高いスループットで可能となる。
本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光装置のチャックの概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施の形態による露光方法のタイムチャートの一例である。 従来の露光方法を示すフローチャートである。 従来の露光方法のタイムチャートの一例である。
符号の説明
1a,1b ガラス基板
10a,10b チャック
11 Xガイド
12 Xステージ
13 Yガイド
14 Yステージ
15 θ,Zステージ
16 ピン
20 マスク
21 マスクホルダ
30a,30b ハンドリングアーム
40 搬送ライン

Claims (4)

  1. フォトマスクとガラス基板との間に微小なギャップを設けて、フォトマスクのパターンをガラス基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、
    フォトマスクの下でフォトマスクのパターンをガラス基板に露光する露光位置と、
    前記ガラス基板の温度を調節する機構を有する複数のステージと、
    フォトマスクの下の前記露光位置とは別の位置であって、前記各ステージ上に前記ガラス基板をロードする第1及び第2のロード位置とを備え、
    前記複数のステージは、前記第1及び第2のロード位置から前記露光位置に向けて交互にガラス基板を移動し、当該露光位置に移動されるガラス基板を順次露光するように構成され、
    前記複数のステージのうち一つは、当該ステージ上に前記ガラス基板を固定するチャックを搭載し、当該チャックに温度調節機構を内蔵し、前記露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間内に前記第1のロード位置でロードしたガラス基板を温度調節して前記露光位置へ移動し、他の一つのステージは、当該ステージ上に前記ガラス基板を固定するチャックを搭載し、当該チャックに温度調節機構を内蔵し、前記露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間内に前記第2のロード位置でロードしたガラス基板を温度調節して前記露光位置へ移動するように構成され、
    前記露光位置における露光は、前記ガラス基板をX軸又はY軸方向へ複数回ステップ移動させ、前記フォトマスクのパターンを単一のガラス基板に対して複数回露光することを特徴とするプロキシミティ露光装置。
  2. 前記各ステージは、前記露光位置に移動されたガラス基板の露光が行われている時間に応じて、前記第1又は第2のロード位置でガラス基板の冷却を行うことを特徴とする請求項1に記載のプロキシミティ露光装置。
  3. 前記複数のステージは、前記ロード位置と前記露光位置との間で前記ガラス基板を移動するXステージと、当該Xステージ上に設置され、ガラス基板移動方向と交差する方向に当該ガラス基板を移動するYステージとを有し、当該X及びYステージ上であって、前記ガラス基板を固定する位置に前記チャックを配置したことを特徴とする請求項2に記載のプロキシミティ露光装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のプロキシミティ露光装置を用いて、ガラス基板上にパターンを形成することを特徴とする基板製造方法。
JP2008026231A 2008-02-06 2008-02-06 プロキシミティ露光装置及び基板製造方法 Expired - Fee Related JP4312248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008026231A JP4312248B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 プロキシミティ露光装置及び基板製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008026231A JP4312248B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 プロキシミティ露光装置及び基板製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007211211A Division JP2007306034A (ja) 2007-08-14 2007-08-14 露光装置及び基板製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008124506A JP2008124506A (ja) 2008-05-29
JP4312248B2 true JP4312248B2 (ja) 2009-08-12

Family

ID=39508853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008026231A Expired - Fee Related JP4312248B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 プロキシミティ露光装置及び基板製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4312248B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5236362B2 (ja) * 2008-06-17 2013-07-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板搬送方法
JP2011158718A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN102819195B (zh) * 2011-06-10 2015-01-07 恩斯克科技有限公司 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法
WO2013151146A1 (ja) 2012-04-06 2013-10-10 Nskテクノロジー株式会社 露光装置及び露光方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63261850A (ja) * 1987-04-20 1988-10-28 Fujitsu Ltd 縦型x−yステ−ジ
JP3163636B2 (ja) * 1991-02-07 2001-05-08 株式会社ニコン 処理装置、ステージ装置、及び露光装置
JPH04318851A (ja) * 1991-04-18 1992-11-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd 基板露光装置
JPH0822948A (ja) * 1994-07-08 1996-01-23 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH09127702A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Dainippon Printing Co Ltd 大サイズ基板用露光装置および露光方法
JP4029180B2 (ja) * 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11219896A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP3571243B2 (ja) * 1999-02-22 2004-09-29 日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社 プロキシミティ露光方法及び装置
JP2000250227A (ja) * 1999-03-02 2000-09-14 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
JP2001093808A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4538884B2 (ja) * 2000-03-08 2010-09-08 凸版印刷株式会社 大型基板の露光装置
JP2002057095A (ja) * 2000-08-14 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置
JP4544761B2 (ja) * 2001-02-26 2010-09-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティギャップ制御方法、プロキシミティギャップ制御装置及びプロキシミティ露光装置
JP2003068600A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Canon Inc 露光装置、および基板チャックの冷却方法
JP4002429B2 (ja) * 2001-12-18 2007-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法
JP3959283B2 (ja) * 2002-02-19 2007-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置及び露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008124506A (ja) 2008-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7658560B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2007293376A (ja) 露光装置及び基板製造方法
JP2006031025A (ja) 平板表示装置の製造システム及び製造方法
JP4312247B2 (ja) プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP4020261B2 (ja) 露光方法、露光装置、及び基板製造方法
JP4312248B2 (ja) プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
US7789576B2 (en) PEB embedded exposure apparatus
CN102169826B (zh) 基板处理方法
JP5743437B2 (ja) 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
JP5241368B2 (ja) 処理装置及びデバイス製造方法
JP2007306034A (ja) 露光装置及び基板製造方法
JP2008146098A (ja) プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP2008122996A (ja) プロキシミティ露光装置及び基板製造方法
JP4674467B2 (ja) 基板搬送方法、基板搬送装置、露光方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP5945211B2 (ja) 露光装置
JP2009014805A (ja) 露光装置および露光方法
TWI833460B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2007035706A (ja) 搬送装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP5306020B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US20110116070A1 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
JP5537063B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010192559A (ja) 基板処理システム
JP5441770B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011123102A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080222

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20080704

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090512

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090512

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4312248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150522

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees