JP2009049053A - 基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】、基板処理システムは、レジスト塗布ユニットSCおよび現像ユニットSDを有する塗布現像装置1と、露光機37がインラインでPEBブロック33と接続された露光装置3とが別体で設けられている。また、両装置1、3のインデクサブロック11、31との間で、基板Wを収容する収容器Cを搬送する上方搬送機構5を備えている。そして、両装置1、3は、互いに連携しつつ基板Wに対して所定の処理を行う。よって、露光機37の処理時間が増大した場合であっても、塗布現像装置1の稼働率は影響を受けることなく、塗布現像装置1を効率よく稼働させることができる。
【選択図】図1
Description
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理システムにおいて、基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有する塗布装置と、前記塗布装置とは別体に設けられ、レジスト膜が形成された基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、前記塗布装置および前記露光装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記レジスト塗布ユニットと前記露光機と前記熱処理ユニットを制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図であり、図2は、塗布現像装置の概略構成を示す平面図と断面図であり、図3は、露光装置の概略構成を示す平面図と断面図である。
<塗布現像装置と露光装置の調整>
まず、第1制御部71は、第2制御部73に対して露光処理のスケジュールを問い合わせる。例えば、レジスト膜が形成された基板Wを露光装置3に搬送する最適な時刻または期間について問い合わせる。あるいは、レジスト膜を形成する処理に要する時間から逆算して今から所定時間後に露光装置3に基板Wを新たに搬送すると、速やかにその基板Wを露光することができるか否かについて問い合わせる。
上記レジスト膜を形成する処理を開始する時刻になると、塗布現像装置1は次のように動作する。すなわち、搬送系TR1は、収容器載置台21に載置される収容器Cから基板Wを取り出し、レジスト塗布ユニットSCに搬送する。レジスト塗布ユニットSCは、基板Wの表面に所定の膜厚のレジスト膜を形成する。搬送系TR1は、レジスト膜が形成された基板Wを再び収容器C内の元の位置に収納する。ここで、レジスト塗布ユニットSCにおける処理の前後に、加熱、冷却ユニットHP、CPにおいて基板Wに熱処理を適宜に行ってもよい。このような処理をその他の基板Wに対しても行い、レジスト膜が形成された基板Wを予め特定した枚数分だけ得る。なお、以上の動作はすべて第1制御部71の制御による。
第1制御部71は、上方搬送機構5を操作する。これにより、上方搬送機構5は、収容器載置台21に載置される所定の収容器Cを露光装置3の収容器載置台45へ搬送する。
収容器載置台45に収容器Cが載置されると、露光装置3は次のように動作する。すなわち、搬送系TR2は、収容器載置台45に載置された収容器Cから基板Wを取り出し、露光機37に搬送する。露光機37は、基板Wを続けて2回露光する。搬送系TR2は露光機37から加熱ユニットHPに基板Wを搬送し、加熱ユニットHPは基板Wを所定の時間、加熱処理する(ポストエクスポージャベーク)。さらに、搬送系TR2は加熱ユニットHPから冷却ユニットCPに基板Wを搬送し、冷却ユニットCPは基板Wを冷却処理する。これにより、露光された部分のレジスト膜の反応は停止する。最後に、搬送系TR2は、冷却ユニットCPから基板Wを搬出し、再び収容器C内の元の位置に収納する。なお、以上の動作はすべて第2制御部73の制御による。
第2制御部73は、上方搬送機構5を操作する。これにより、上方搬送機構5は、収容器載置台45から塗布現像装置1の収容器載置台21へに所定の収容器Cを搬送する。
収容器載置台21に収容器Cが載置されると、塗布現像装置1は次のように動作する。すなわち、搬送系TR1は、収容器載置台21に載置される収容器Cから基板Wを取り出し、現像ユニットSDに搬送する。現像ユニットSDは、基板Wに現像液を供給して現像処理を行う。搬送系TR1は、現像された基板Wを再び収容器C内の元の位置に収納する。ここで、現像ユニットSDにおける処理の前後に、加熱、冷却ユニットHP、CPにおいて基板Wに熱処理を適宜に行ってもよい。
なお、塗布現像装置1は、第1制御部71と第2制御部73との連携の結果、レジスト塗布ユニットSCや現像ユニットSDの稼働予定が空いている場合には、露光装置3以外の装置(不図示)に対応した処理を行なうことができる。具体的には、第1制御部71が、露光装置3以外の装置に渡すために基板Wを処理するようにスケジュール調整を行うことが許容されており、レジスト塗布ユニットSCや現像ユニットSDについて露光装置3以外の装置(不図示)に対応した稼働予定を決定することができる。
3、4 …露光装置
5 …上方搬送機構
11、31 …インデクサブロック
37 …露光機
71 …第1制御部
73 …第2制御部
75 …塗布装置
77 …現像装置
W …基板
C …収容器
SC …レジスト塗布ユニット
SD …現像ユニット
HP …加熱ユニット
Claims (11)
- 基板に処理を行う基板処理システムにおいて、
基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニットを有する塗布装置と、
前記塗布装置とは別体に設けられ、レジスト膜が形成された基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、
前記塗布装置および前記露光装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記レジスト塗布ユニットと前記露光機と前記熱処理ユニットを制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記制御手段は、前記塗布装置において、前記露光装置に渡すための基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置に渡すための基板を処理することを許容することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理システムにおいて、
前記塗布装置は、前記塗布ユニットを制御する第1制御部を備え、
前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第1制御部と通信可能な第2制御部を備え、
前記制御手段は、前記第1、第2制御部で構成されていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項3に記載の基板処理システムにおいて、
前記制御手段は、さらに、前記第1、第2制御部と通信するホストコンピュータを含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記塗布装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、
さらに、前記システムは、
前記塗布装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、
前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記塗布装置は、さらに、露光された基板に現像処理を行う現像ユニットを有することを特徴とする基板処理システム。 - 基板に処理を行う基板処理システムにおいて、
基板を露光する露光機と、露光された基板を加熱する熱処理ユニットと、を有する露光装置と、
前記露光装置とは別体に設けられ、露光された基板を現像する現像ユニットを有する現像装置と、
前記露光装置および前記現像装置における各処理のスケジュールを調整しつつ、前記露光機と前記熱処理ユニットと前記現像ユニットとを制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項7に記載の基板処理システムにおいて、
前記制御手段は、前記現像装置において、前記露光装置から受け渡された基板を処理していないときは、前記露光装置以外の装置から受け渡された基板を処理することを許容することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項7または請求項8に記載の基板処理システムにおいて、
前記現像装置は、前記現像ユニットを制御する第1制御部を備え、
前記露光装置は、前記露光機と前記熱処理ユニットを制御し、かつ、前記第1制御部と通信可能な第2制御部を備え、
前記制御手段は、前記第1、第2制御部で構成されていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項9に記載の基板処理システムにおいて、
前記制御手段は、さらに、前記第1、第2制御部と通信するホストコンピュータを含むことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項7から請求項10のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
前記現像装置および前記露光装置はそれぞれ、複数枚の基板を収容する収容器に対して基板を出し入れするインデクサブロックを備え、
さらに、前記システムは、
前記現像装置および前記露光装置の各インデクサブロックの間で前記収容器を搬送する搬送手段を備え、
前記制御手段は、さらに、前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007211273A JP5148944B2 (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム |
US12/191,603 US8746171B2 (en) | 2007-08-14 | 2008-08-14 | Substrate treating system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007211273A JP5148944B2 (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009049053A true JP2009049053A (ja) | 2009-03-05 |
JP5148944B2 JP5148944B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40361968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007211273A Expired - Fee Related JP5148944B2 (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8746171B2 (ja) |
JP (1) | JP5148944B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177672A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Semes Co Ltd | 基板処理システム及び基板処理方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5160204B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-03-13 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR20150020757A (ko) * | 2013-08-19 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 시스템 및 이의 제어 방법 |
US10504760B2 (en) * | 2017-06-28 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | System for a semiconductor fabrication facility and method for operating the same |
JP7221048B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2023-02-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板搬送方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142356A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sony Corp | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム |
JPH08262699A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Canon Inc | レジスト組成物、レジスト処理方法及び装置 |
JPH10275847A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | N T T Advance Technol Kk | ウェハローダ |
JP2003257834A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2005101029A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理装置のための機能ブロック組合せシステム |
JP2005294460A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2006032555A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 収容装置、マスク、及び露光装置 |
JP2006147638A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Canon Inc | 露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2007165778A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007180238A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システム |
WO2007080779A1 (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Nikon Corporation | 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007201214A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008300578A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW301037B (ja) * | 1993-11-19 | 1997-03-21 | Sony Co Ltd | |
JPH07297258A (ja) * | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の搬送装置 |
JP3915205B2 (ja) | 1997-11-20 | 2007-05-16 | 株式会社ニコン | リソグラフィー装置 |
US6203617B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-03-20 | Tokyo Electron Limited | Conveying unit and substrate processing unit |
JP3455458B2 (ja) * | 1999-02-01 | 2003-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム |
JP2002057100A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Canon Inc | 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP4342147B2 (ja) | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US7245350B2 (en) * | 2005-11-11 | 2007-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
-
2007
- 2007-08-14 JP JP2007211273A patent/JP5148944B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-14 US US12/191,603 patent/US8746171B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142356A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sony Corp | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム |
JPH08262699A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Canon Inc | レジスト組成物、レジスト処理方法及び装置 |
JPH10275847A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | N T T Advance Technol Kk | ウェハローダ |
JP2003257834A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2005101029A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理装置のための機能ブロック組合せシステム |
JP2005294460A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2006032555A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 収容装置、マスク、及び露光装置 |
JP2006147638A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Canon Inc | 露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2007165778A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007180238A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システム |
WO2007080779A1 (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-19 | Nikon Corporation | 物体搬送装置、露光装置、物体温調装置、物体搬送方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007201214A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008300578A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177672A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Semes Co Ltd | 基板処理システム及び基板処理方法 |
US8289496B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-10-16 | Semes Co., Ltd. | System and method for treating substrate |
US9059224B2 (en) | 2009-01-30 | 2015-06-16 | Semes Co., Ltd. | System and method for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8746171B2 (en) | 2014-06-10 |
JP5148944B2 (ja) | 2013-02-20 |
US20090044747A1 (en) | 2009-02-19 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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