JP2015090421A - 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の構成1は、同一の仮想直線に載らない3つ以上の基準マークのパターンが形成されたフォトマスク又はインプリント用プレートと、前記基準マークのパターンを転写する被転写体である少なくとも一つの薄膜付き基板とを準備する薄膜付き基板準備工程と、前記薄膜付き基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に対して前記フォトマスク又は前記インプリント用プレートに形成されている前記基準マークのパターンを転写して、前記基準マークのパターンを有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記薄膜付き基板に形成されている少なくとも1層の薄膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去して、前記薄膜に前記基準マークのパターンを形成する基準マーク形成工程と、前記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、を有することを特徴とする薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成2は、前記薄膜付き基板準備工程において、複数の前記薄膜付き基板を準備し、前記基準マーク形成工程において、複数の前記薄膜付き基板の前記薄膜に対して同時に前記基準マークのパターンを形成することを特徴とする構成1に記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成3は、前記物質が、ClF3ガスであることを特徴とする構成1又は2に記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成4は、前記薄膜付き基板が、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成5は、前記高屈折率材料はシリコンであり、前記低屈折率材料はモリブデンであることを特徴とする構成4記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成6は、前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする構成4又は5に記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成7は、前記薄膜付き基板は、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側に、前記物質により除去可能な材料からなる吸収体膜が形成された反射型マスクブランクであることを特徴とする構成4乃至6のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明の構成8は、前記吸収体膜は、Taを含有する材料からなることを特徴とする構成7記載の薄膜付き基板の製造方法である。
本発明は、本発明の構成9は、構成7又は8に記載の前記薄膜付き基板の製造方法によって得られた前記薄膜付き基板を用いて、前記吸収体膜をパターニングして反射型マスクを作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。
図1は、基準マーク13の配置例を示すフォトマスク80の平面図である。まず、フォトマスク80又はインプリント用プレートに形成される基準マーク13の形状について説明する。
本発明の薄膜付き基板の製造方法は、薄膜付き基板としては、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜31が形成された多層反射膜付き基板30であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることが好ましい。薄膜付き基板が多層反射膜付き基板30であることにより、EUV光に対する反射率特性が良好な多層反射膜31を得ることができ、かつ基準マーク13の形成のために、所定の物質を用いて多層反射膜31を除去することができる。
本発明の薄膜付き基板の製造方法は、上記構成の多層反射膜付き基板30における前記多層反射膜31上に、転写パターンとなる吸収体膜41が形成されている反射型マスクブランク40の製造方法についても提供する。上記多層反射膜付き基板30は、反射型マスク60を製造するための反射型マスクブランク40、すなわち、基板上に露光光(EUV光)を反射する多層反射膜31と、露光光(EUV光)を吸収するパターン形成用の吸収体膜41とを順に備える反射型マスクブランク40用の基板として用いることができる。
本発明は、マスクブランク用ガラス基板11上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。
次に、本発明の薄膜付き基板の製造方法において、薄膜付き基板に基準マーク13を形成する方法について、説明する。
本発明は、上述の薄膜付き基板の製造方法によって得られた薄膜付き基板を用いて、吸収体膜41をパターニングして反射型マスク60を作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。図8は、図6の反射型マスクブランク40における吸収体膜41がパターニングされた吸収体膜41パターン41aを備える反射型マスク60を示す。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したSiO2−TiO2系のガラス基板11(大きさが152mm×152mm、厚さが6.35mm)を準備した。得られたガラス基板11の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ(RMS)で0.25nmであった(原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は1μm×1μm。)。
上記実施例1における基準マーク13を多層反射膜31に形成せず、吸収体膜41に形成した以外は実施例1と同様にして、複数の反射型マスクブランク40を作製した。
上記実施例1における基準マーク13の形成を、電子線描画装置を用いてレジスト膜に描画した以外は実施例1と同様にして、比較例1の反射型マスクブランク40を作製した。
12 ラフアライメントマーク
13 基準マーク(ファインマーク)
13a メインマーク
13b、13c 補助マーク
21 下地層
30 多層反射膜付き基板
31 多層反射膜
32 保護膜
40 反射型マスクブランク
41 吸収体膜
41a 吸収体膜パターン
50 バイナリマスクブランク
51 遮光膜
60 反射型マスク
70 バイナリマスク
80 フォトマスク
110 チャンバー
111 処理基板
112 ステージ
113,114 ガス充填容器
115,116 流量制御器
117 噴出ノズル
118 排気管
119 排気ガス処理装置
Claims (9)
- 同一の仮想直線に載らない3つ以上の基準マークのパターンが形成されたフォトマスク又はインプリント用プレートと、前記基準マークのパターンを転写する被転写体である少なくとも一つの薄膜付き基板とを準備する薄膜付き基板準備工程と、
前記薄膜付き基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に対して前記フォトマスク又は前記インプリント用プレートに形成されている前記基準マークのパターンを転写して、前記基準マークのパターンを有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記薄膜付き基板に形成されている少なくとも1層の薄膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去して、前記薄膜に前記基準マークのパターンを形成する基準マーク形成工程と、
前記レジストパターンを剥離するレジストパターン剥離工程と、を有することを特徴とする薄膜付き基板の製造方法。 - 前記薄膜付き基板準備工程において、複数の前記薄膜付き基板を準備し、前記基準マーク形成工程において、複数の前記薄膜付き基板の前記薄膜に対して同時に前記基準マークのパターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記物質は、ClF3ガスであることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記薄膜付き基板は、基板の主表面上に、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であり、前記高屈折率材料及び前記低屈折率材料は前記物質により除去可能な材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記高屈折率材料はシリコンであり、前記低屈折率材料はモリブデンであることを特徴とする請求項4記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記多層反射膜付き基板は、前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記薄膜付き基板は、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜が形成されている側に、前記物質により除去可能な材料からなる吸収体膜が形成された反射型マスクブランクであることを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 前記吸収体膜は、Taを含有する材料からなることを特徴とする請求項7記載の薄膜付き基板の製造方法。
- 請求項7又は8に記載の前記薄膜付き基板の製造方法によって得られた前記薄膜付き基板を用いて、前記吸収体膜をパターニングして反射型マスクを作製することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
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