KR20180130495A - 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 EUV광을 반사하는 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하고, 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하며, 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막 상에 EUV광을 흡수하는 흡수체막을 성막하고, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 흡수체막을 제거하여 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 형성하고, 상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행한다.

Description

반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은, 반도체 장치의 제조에 이용되는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법 및 반사형 마스크에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정에서는, 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또, 이 미세 패턴의 형성에는 통상 몇 장의 포토마스크라고 불리고 있는 전사용 마스크가 사용된다. 이 전사용 마스크는, 일반적으로 투광성의 유리 기판 상에, 금속 박막 등으로 이루어지는 미세 패턴을 설치한 것이며, 이 전사용 마스크의 제조에 있어서도 포토리소그래피법이 이용되고 있다.
포토리소그래피법에 의한 전사용 마스크의 제조에는, 유리 기판 등의 투광성 기판 상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막(예를 들면 차광막 등)을 갖는 마스크 블랭크가 이용된다. 이 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 원하는 패턴 묘화를 실시하는 묘화 공정과, 묘화 후, 상기 레지스트막을 현상하여 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존하는 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 거쳐 행해지고 있다. 상기 현상 공정에서는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 원하는 패턴 묘화를 실시한 후에 현상액을 공급하고, 현상액에 가용인 레지스트막의 부위를 용해하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 또, 상기 에칭 공정에서는, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 박막이 노출된 부위를 제거하고, 이것에 의해 원하는 마스크 패턴을 투광성 기판 상에 형성한다. 이렇게 하여, 전사용 마스크가 완성된다.
전사용 마스크의 종류로는, 종래의 투광성 기판 상에 크롬계 재료로 이루어지는 차광막 패턴을 갖는 바이너리형 마스크 외에, 위상 시프트형 마스크가 알려져 있다.
또, 최근, 반도체 산업에 있어서, 반도체 디바이스의 고집적화에 수반하여, 종래의 자외광을 이용한 포토리소그래피법의 전사 한계를 웃도는 미세 패턴이 필요시 되어 오고 있다. 이와 같은 미세 패턴 형성을 가능하게 하기 위해, 극자외(Extreme Ultra Violet: 이하, 「EUV」라고 부른다.)광을 이용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있다. 여기에서, EUV광이란, 연X선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장대의 광을 가리키며, 구체적으로는 파장이 0.2∼100㎚ 정도인 광을 말한다. 이 EUV 리소그래피에 있어서 이용되는 마스크로서 반사형 마스크가 제안되어 있다. 이와 같은 반사형 마스크는, 기판 상에 노광광인 EUV광을 반사하는 다층 반사막이 형성되고, 해당 다층 반사막 상에 EUV광을 흡수하는 흡수체막이 패턴상(狀)으로 형성된 것이다.
이상과 같이, 리소그래피 공정에서의 미세화에 대한 요구가 높아짐으로써, 그 리소그래피 공정에서의 과제가 현저해지고 있다. 그 중 하나가, 리소그래피 공정에서 이용되는 마스크 블랭크용 기판 등의 결함 정보에 관한 문제이다.
종래는, 블랭크스 검사 등에 있어서, 기판의 결함의 존재 위치를, 기판 센터를 원점(0,0)으로 하고, 결함 검사 장치가 관리하는 좌표를 이용하여, 원점으로부터의 거리로 특정하고 있었다. 이 때문에, 절대치 좌표의 기준이 명확하지 않아, 위치 정밀도가 낮고, 장치 사이에서도 검출의 편차가 있어, 패턴 묘화 시에, 결함을 피하여 패턴 형성용 박막에 패터닝하는 경우라도 ㎛ 오더에서의 회피는 곤란했다. 이 때문에, 패턴을 전사하는 방향을 바꾸거나, 전사하는 위치를 ㎜ 오더로 러프하게 어긋나게 하거나 하여 결함을 회피하고 있었다.
이와 같은 상황하에, 결함 위치의 검사 정밀도를 올리는 것을 목적으로, 예를 들면 마스크 블랭크용 기판에 기준 마크를 형성하고, 이것을 기준 위치로 하여 결함의 위치를 특정하는 제안이 이루어져 있다.
특허문헌 1에는, 구 상당 직경으로 30㎚ 정도의 미소한 결함의 위치를 정확하게 특정할 수 있도록, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크용 기판의 성막면에, 크기가 구 상당 직경으로 30∼100㎚의 적어도 3개의 마크를 형성하는 것이 개시되어 있다.
국제공개 제2008/129914호 공보
상기 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 결함의 위치를 특정하기 위한 기준 마크를 사용하는 방법에 의해 마스크 블랭크의 결함 위치의 검사 정밀도를 올리는 것은 가능하다.
그런데, EUV광을 노광광으로서 사용하는 반사형 마스크에 있어서는, 특히 다층 반사막에 존재하는 결함은, 수정이 대부분 불가능할 뿐만 아니라, 전사 패턴 상에서 중대한 위상 결함이 될 수 있으므로, 전사 패턴 결함을 저감시키기 위해서는 다층 반사막 상의 결함 정보가 중요하다. 따라서, 적어도 다층 반사막 성막 후에 결함 검사를 행하여 결함 정보를 취득하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는, 기판 상에 다층 반사막을 성막하여 제작한 다층 반사막 부착 기판의, 예를 들면 다층 반사막에 기준 마크를 형성하는 것이 바람직하다고 생각된다.
그러나, 기준 마크를 다층 반사막에 형성하는 경우, 다층 반사막에 형성한 기준 마크를 기준으로 하여 다층 반사막 상에서의 결함 검사를 행하고, 그 후의 마스크 제조에 있어서의 전자선 묘화 공정에서는, 흡수체막이 성막된 후의 기준 마크로 얼라이먼트를 행하기 때문에, 오목 형상의 기준 마크 상에 흡수체막이 성막되는 것에 따른 마크 형상의 변화가 얼라이먼트 오차가 될 가능성이 있다. 또, 다층 반사막 부착 기판의 결함 정보에 더하여, 반사형 마스크 블랭크의 결함 검사를 행하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 취득하는 경우, 상기의 흡수체막이 성막된 후의 기준 마크로 얼라이먼트를 행하면 얼라이먼트 오차가 발생하여, 기준 마크를 기준으로 한 고정밀도의 결함 검사를 행하여도, 반사형 마스크 블랭크의 결함 위치 정보(결함 좌표)의 정밀도가 악화될 우려가 있다.
한편, EUV광을 사용한 리소그래피에 있어서의 급속한 패턴의 미세화에 수반하여, 반사형 마스크인 EUV 마스크에 요구되는 결함 사이즈(Defect Size)도 해마다 미세해지고, 이와 같은 미세 결함을 발견하기 위해, 결함 검사에서 사용하는 검사광원 파장은 노광광(예를 들면 EUV광)의 광원 파장에 가까워지고 있다.
예를 들면, EUV 마스크나, 그 원판(原版)인 EUV 마스크 블랭크, 다층 반사막 부착 기판 및 기판(서브스트레이트)의 결함 검사 장치로는, 예를 들면, 검사광원 파장이 266㎚인 레이저테크사 제조의 EUV 노광용 마스크·서브스트레이트/블랭크 결함 검사 장치 「MAGICSM7360」, 검사광원 파장이 193㎚인 KLA-Tencor사 제조의 EUV·마스크/블랭크 결함 검사 장치 「Teron600 시리즈, 예를 들면 Teron610」 등이 보급되어 있다. 그리고, 최근에는, 검사광원 파장을 노광광원 파장의 13.5㎚로 하는 ABI(Actinic Blank Inspection) 장치가 제안되어 있다.
그러나, 다층 반사막에 기준 마크를 설치한 경우의 상기 문제에 대하여, 흡수체막 형성 후에 흡수체막의 상부에 기준 마크를 형성하고, 해당 기준 마크를 기준으로 하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 검사를 행하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 예를 들면 상기의 ABI 장치를 이용하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 검사를 행한다고 한 경우, 흡수체막은 13.5㎚의 파장에 대한 반사율이 낮기 때문에 고감도로 결함 검출할 수 없다는 다른 문제가 생겨 버린다.
그래서 본 발명은, 이와 같은 종래의 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 첫번째로, 다층 반사막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하여, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 고정밀도로 행하는 것이 가능한 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 목적으로 하는 바는, 두번째로, 이 반사형 마스크 블랭크를 사용하여, 결함을 저감시킨 반사형 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해, 기판 상에 다층 반사막을 성막하고, 다층 반사막에 대하여 결함 검사를 행하며, 그 후, 다층 반사막 상에 흡수체막을 성막하고, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역의 흡수체막의 일부를 제거하여, 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는, 예를 들면 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성된 반사형 마스크 블랭크로 하고, 그 후, 이 얼라이먼트 영역을 이용하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행함으로써 상기 과제를 해결하는 것이 가능한 것을 발견했다.
본 발명자는, 상기의 해명 사실에 의거하여, 예의 연구를 계속한 결과, 이하의 구성 1∼13에 의한 발명을 완성했다.
(구성 1)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하는 공정과, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 제거하여, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정과, 상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 2)
상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 얼라이먼트 영역 내에 형성된 제 1 기준 마크를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 3)
상기 흡수체막에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크를 형성하는 공정을 구비하고, 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표를 검출하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 정보를 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 변환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성 2에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 4)
상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표의 검출은, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 3 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 5)
상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사는, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 6)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크로서, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크이다.
(구성 7)
상기 얼라이먼트 영역 내에 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것으로서 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 6에 기재된 반사형 마스크 블랭크이다.
(구성 8)
상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 7에 기재된 반사형 마스크 블랭크이다.
(구성 9)
구성 1 내지 5 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크 또는 구성 6 내지 8 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 제조 방법이다.
(구성 10)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크로서, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크이다.
(구성 11)
상기 얼라이먼트 영역 내에 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것으로서 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 10에 기재된 반사형 마스크이다.
(구성 12)
상기 흡수체막 패턴에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 11에 기재된 반사형 마스크이다.
(구성 13)
구성 10 내지 12 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명자는 또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 기판 상에 다층 반사막을 성막하고, 다층 반사막에 대하여 결함 검사를 행하며, 그 후, 다층 반사막 상에 흡수체막을 성막하지만, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에는 흡수체막을 성막하지 않고, 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 또한, 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에는 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성된 반사형 마스크 블랭크로 하고, 그 후, 이 얼라이먼트 영역을 이용하여 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행함으로써 상기 과제를 해결하는 것이 가능한 것을 발견했다.
본 발명자는, 상기의 해명 사실에 의거하여, 이하의 구성 14∼23에 의한 발명을 완성했다.
(구성 14)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하여 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정을 포함하고, 상기 흡수체막의 성막은, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 성막하지 않고, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역을 형성하는 공정을 포함하며, 해당 제조 방법은 추가로, 상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에, 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크를 형성하는 공정과, 상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 15)
상기 얼라이먼트 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 흡수체막이 성막되지 않고 상기 다층 반사막이 노출하도록 차폐 부재를 설치하여 상기 흡수체막을 성막하는 것을 특징으로 하는 구성 14에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 16)
상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 얼라이먼트 영역 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 14 또는 15에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 17)
상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표를 검출하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 정보를 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 변환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 구성 14 내지 16 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 18)
상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표의 검출은, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 17에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 19)
상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사는, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 구성 14 내지 18 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법이다.
(구성 20)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크로서, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 또한, 상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크이다.
(구성 21)
구성 14 내지 19 중 어느 것에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크 또는 구성 20에 기재된 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 제조 방법이다.
(구성 22)
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크로서, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 또한, 상기 흡수체막 패턴에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크이다.
(구성 23)
구성 22에 기재된 반사형 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 다층 반사막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하여, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 고정밀도로 행하는 것이 가능한 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 이 반사형 마스크 블랭크를 사용하고, 이들의 결함 정보에 의거하여, 묘화 데이터의 수정을 행함으로써 결함을 저감시킨 반사형 마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내어진 반사형 마스크 블랭크를 구성하는 다층 반사막 부착 기판의 평면도이다.
도 3은 제 1 기준 마크의 형상예를 나타내는 도면이다.
도 4는 제 2 기준 마크의 형상예를 나타내는 도면이다.
도 5는 제 2 기준 마크와 결함 검사광 등의 주사 방향과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7에 나타내어진 반사형 마스크 블랭크를 구성하는 다층 반사막 부착 기판의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 제 2, 제 3 실시 형태에 있어서, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에 얼라이먼트 영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 상술한다.
[제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크]
도 1은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다. 또, 도 2는, 도 1에 나타내어진 반사형 마스크 블랭크를 구성하는 다층 반사막 부착 기판의 평면도이다. 또한, 도 6은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 1, 도 6에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30)는, 기판(10) 상에, 노광광인 EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)과, 해당 다층 반사막(21) 상에, 마찬가지로 EUV광을 흡수하는 흡수체막(31)이 적어도 형성되어 있다(도 6(c) 참조). 이 반사형 마스크 블랭크(30) 주표면 상의 패턴 형성 영역(도 1에 파선으로 나타내는 영역 내)의 외주 가장자리 영역에, 복수의 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있다. 패턴 형성 영역은, 흡수체막(31)에 있어서 전사 패턴을 형성하는 영역이며, 6제곱인치의 기판에서는, 예를 들면 132㎜×132㎜의 영역이다. 얼라이먼트 영역(32)은, 상기 다층 반사막(21) 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 영역(제거 영역)이다. 본 실시 형태에서는, 상기의 결함 정보의 기준이 되는 것의 일례로서, 제 1 기준 마크(22)가 상기 다층 반사막(21)에 형성되어 있다. 또, 얼라이먼트 영역(32)의 근방의 흡수체막(31) 상에, 상기 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 동시에, 마스크 제조에 있어서의 전자선 묘화 공정에 있어서 얼라이먼트를 행하기 위한 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다. 제 2 기준 마크(42)와, 얼라이먼트 영역(32) 내의 제 1 기준 마크는, 예를 들면, 10㎜×10㎜로 둘러싸는 영역 내에 포함되는 위치 관계이면 된다.
또, 제 2 기준 마크(42)는, 제 1 기준 마크(22)보다도 상대적으로 크게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 제 2 기준 마크(42)의 폭 또는 길이가 제 1 기준 마크(22)의 그것보다도 크거나, 및/또는 제 2 기준 마크(42)의 단면 형상의 깊이 또는 높이가 제 1 기준 마크(22)의 그것보다도 큰 것이 바람직하다.
또, 본 실시 형태에서는, 상기의 얼라이먼트 영역(32) 및 제 2 기준 마크(42)는, 일례로서, 반사형 마스크 블랭크(30)의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역으로서, 구체적으로는 패턴 형성 영역의 코너 근방의 4개소에 형성되어 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에서는, 얼라이먼트 영역(32)은, 상기 다층 반사막(21) 상에 형성되어 있는 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 영역이기 때문에, 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있는 위치나 개수는, 다층 반사막(21)에 형성되어 있는 상기 제 1 기준 마크(22)의 위치나 개수에 따라서도 다르다. 또한, 뒤에서도 설명하지만, 본 발명에 있어서는, 제 1 및 제 2 기준 마크의 개수는 특별히 한정되지 않는다. 제 1 및 제 2 기준 마크에 대해서는, 최저 3개 필요하지만, 3개 이상이어도 상관없다.
또, 상기 얼라이먼트 영역(32)은, 적어도 다층 반사막(21)에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역이 노출되고, 다층 반사막 부착 기판(20)의 결함 검사를 행할 때에 이용한 결함 검사 장치로 상기 제 1 기준 마크(22)를 검출할 수 있으면 되므로, 그에 한하여, 상기 얼라이먼트 영역(32)의 형상이나 크기 등은 특별히 제약될 필요는 없다.
얼라이먼트 영역(32)은, 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이, 패턴 형성 영역의 코너에 인접한 L자형으로 할 수 있고, L자형의 외주부의 가로 방향의 길이(L1)가 4.0㎜∼8.0㎜, 세로 방향의 길이(L2)가 4.0㎜∼8.0㎜로 할 수 있다. 또, L자형의 폭(W)은, 1.0㎜∼4.0㎜로 할 수 있다.
이와 같은 본 실시 형태의 반사형 마스크 블랭크(30)에 있어서는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 예를 들면 흡수체막(31)의 일부를 제거하여, 다층 반사막(21)에 형성된 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있기 때문에, 이 얼라이먼트 영역(32)을 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 즉, 이 얼라이먼트 영역(32) 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 후술의 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있다. 그 결과, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다.
또, ABI(Actinic Blank Inspection) 장치를 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 행하는 경우, 이 얼라이먼트 영역(32)은 다층 반사막(21)이 노출되어 있기 때문에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 고정밀도로 검출하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 고정밀도로 행할 수 있고, 그 결과, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 양호하게 행할 수 있다. 본 발명의 제 1 실시 형태의 반사형 마스크 블랭크(30)는, 예를 들면 100㎚보다도 짧은 파장(노광광(예를 들면 EUV광)의 광원 파장에 가까운 파장)의 검사광을 이용하는 상기의 ABI 장치와 같은 결함 검사 장치를 이용하여 제 1 기준 마크(22) 및 제 2 기준 마크(42)의 검사를 행하는 것이 적합하다.
또, 상기 흡수체막(31)이 아직 형성되어 있지 않은 다층 반사막 부착 기판(20)(도 2, 도 6(a) 참조)에 대해서는, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하여 다층 반사막 부착 기판(20)의 결함 검사를 행할 수 있다. 이에 의해, 다층 반사막 부착 기판(20)의 결함 검사에서 얻어지는 결함 좌표와, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 얻어진 제 1 기준 마크(22)의 좌표를 일치시킬 수 있으므로, 양자의 결함 정보 간에서의 좌표 변환을 행할 필요가 없어 유리하다.
다음으로, 상기 제 1 및 제 2 기준 마크(22, 42)에 대해서 설명한다.
도 3은, 제 1 기준 마크(22)의 형상을 나타내는 도면이며, 도 4는, 제 2 기준 마크(42)의 형상을 나타내는 도면이고, 또한 도 5는, 제 2 기준 마크(42)를 이용한 기준점을 결정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
상술의 실시 형태에서는, 일례로서 반사형 마스크 블랭크(30)의 코너 근방의 4개소에 얼라이먼트 영역(32)을 형성하고 있다. 그리고, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 얼라이먼트 영역(32) 내의 다층 반사막(21) 상에 형성되어 있다. 제 1 기준 마크(22)는 모두 반사형 마스크 블랭크(30) 주표면 상의 패턴 형성 영역에 대응하는 다층 반사막 부착 기판(20) 주표면 상의 파선 A로 나타내는 영역(도 2 참조)의 경계선 상, 또는 이 영역보다 외측에 형성하는 것이 적합하다. 단, 제 1 기준 마크(22)가 기판 외주 가장자리에 너무 가까우면, 다른 종류의 인식 마크와 교차할 가능성이 있으므로 바람직하지 않다.
상기 제 1 기준 마크(22)는, 결함 정보에 있어서의 결함 위치의 기준이 되는 것이다. 그리고, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 점 대칭의 형상인 것이 바람직하다. 나아가서는, 예를 들면 100㎚보다도 짧은 단파장광을 결함 검사광으로 하는 전술의 ABI 장치 등을 결함 검사에 이용하는 경우, 제 1 기준 마크(22)는 결함 검사광의 주사 방향에 대하여 30㎚ 이상 1000㎚ 이하의 폭의 부분을 갖는 것이 바람직하다.
도 3에는, 제 1 기준 마크(22)의 몇 가지 형상을 나타내고 있지만, 도 3(a)와 같은 원형의 기준 마크가 대표적인 예이다. 또, 예를 들면 도 3(b)에 나타내는 바와 같은 마름모형, 도 3(c)에 나타내는 바와 같은 팔각형의 형상이나, 도 3(d)에 나타내는 바와 같은 십자 형상이어도 된다. 또, 도시하고 있지 않지만, 상기 제 1 기준 마크는, 정방형이나 정방형의 모서리부가 둥그스름한 형상으로 할 수도 있다. 또한, 본 발명은 이와 같은 제 1 기준 마크의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 기준 마크(22)는 점 대칭의 형상을 가짐으로써, 예를 들면 결함 검사광의 주사에 의해 결정되는 결함 위치의 기준점의 어긋남을 작게 할 수 있어, 제 1 기준 마크(22)를 바탕으로 검사한 결함 검출 위치의 편차를 작게 할 수 있다.
도 4에는, 제 2 기준 마크(42)의 몇 가지 형상을 나타내고 있지만, 도 4(a)와 같은 십자형의 기준 마크가 대표적인 예이다. 또, 예를 들면 도 4(b)에 나타내는 바와 같은 L자 형상이나, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이 메인 마크(42a) 주위에 4개의 보조 마크(42b∼42e)를 배치한 것이나, 도 4(d)에 나타내는 바와 같이 메인 마크(42a) 주위에 2개의 보조 마크(42b, 42c)를 배치한 기준 마크로 할 수도 있다. 또한, 본 발명은 이와 같은 제 2 기준 마크의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
또, 도 4(a)의 십자 형상이나 도 4(b)의 L자 형상, 도 4(c)나 도 4(d)와 같이 상기 메인 마크(42a)의 주변에 배치되는 보조 마크(42b∼42e)(42b, 42c)는, 결함 검사광 또는 전자선 묘화 장치의 주사 방향을 따라 배치되는 것이 바람직하고, 특히 결함 검사광 또는 전자선 묘화 장치의 주사 방향에 대하여 수직인 장변과 평행한 단변을 갖는 직사각형상을 포함하는 것이 적합하다(예를 들면 도 5 참조). 제 2 기준 마크가, 결함 검사광 또는 전자선의 주사 방향에 대하여 수직인 장변과 평행한 단변을 갖는 직사각형상을 포함함으로써, 결함 검사 장치 또는 전자선 묘화 장치의 주사에 의해 제 2 기준 마크를 확실히 검출할 수 있기 때문에, 제 1 기준 마크에 대한 제 2 기준 마크의 위치를 용이하게 특정할 수 있다. 이 경우에, 제 2 기준 마크의 장변은, 결함 검사 장치 또는 전자선 묘화 장치의 가능한 한 최소 횟수의 주사에 의해 검출 가능한 길이인 것이 바람직하고, 전술의 ABI 장치 등을 결함 검사에 이용하는 경우, 예를 들면, 100㎛ 이상 1500㎛ 이하의 길이를 갖는 것이 바람직하다.
또, 본 실시 형태에서는, 상기 제 1, 제 2 기준 마크(22, 42)는, 예를 들면 미소압자(微小壓子)에 의한 인덴테이션(펀치)이나 집속 이온 빔으로 다층 반사막(21) 또는 흡수체막(31)에 원하는 깊이를 갖는, 오목 형상(단면 형상)을 형성하고 있다. 그러나, 제 1, 제 2 기준 마크(22, 42)의 단면 형상은, 오목 형상에 한정되지 않고, 볼록형상이어도 되고, 결함 검사 장치나 전자선 묘화 장치로 정밀도 좋게 검출 가능한 단면 형상이면 된다.
도 3∼도 5를 참조한 제 1, 제 2 기준 마크(22, 42)에 관한 상기 설명은, 후술되는 제 2, 제 3 실시 형태에도 적용된다.
상술의 실시 형태에서는, 상기 얼라이먼트 영역(32) 내에, 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크(22)가 형성되어 있는 경우를 설명했지만, 결함 정보의 기준이 되는 것은, 기준 마크에 한정되는 것은 아니다. 상기 얼라이먼트 영역(32) 내에, 결함 검사 장치의 검사광으로 얼라이먼트 가능한 실(實)결함이 존재하고 있으면, 얼라이먼트 영역(32)을 검사했을 때에, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 실결함의 좌표를 검출하는 것이 가능하다. 이 실시 형태의 경우, 다층 반사막 부착 기판(20)에 대하여 결함 검사를 행하여, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에 실결함이 검출되면, 흡수체막(31)을 형성한 후, 다층 반사막(21) 상의 실결함을 포함하는 영역을 얼라이먼트 영역(32)으로서 형성하면 된다.
상술한 바와 같이, 종래는, 미세 결함을 검출 가능한, 예를 들면 상기 ABI 장치와 같은 결함 검사 장치를 이용하여, 고정밀도의 결함 검사를 행하고자 해도, 흡수체막 상의 EUV광의 반사율이 낮기 때문에, 결함의 신호 강도가 작고, 예를 들면 흡수체막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하는 것이 곤란했다.
이에 대하여, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크는, 이상 설명한 바와 같이, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 다층 반사막 상에 형성된 결함 정보의 기준이 되는, 예를 들면 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있다. 이 때문에, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 이 얼라이먼트 영역(32)을 이용하여, 보다 구체적으로는, 예를 들면 이 얼라이먼트 영역(32) 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여 얼라이먼트하면, 반사형 마스크 블랭크의 고정밀도의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다.
[제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법]
다음으로, 상술의 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법은, 상기 구성 1에 기재한 바와 같이, 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과, 상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하는 공정과, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 제거하여, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정과, 상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
도 6은, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 이하, 도 6에 나타내어진 공정에 따라 설명한다.
우선, 유리 기판(10) 상에, 노광광의 예를 들면 EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)을 성막하여, 다층 반사막 부착 기판(20)을 제작한다(도 6(a) 참조).
EUV 노광용의 경우, 기판으로는 유리 기판(10)이 바람직하고, 특히, 노광 시의 열에 의한 패턴의 왜곡(歪)을 방지하기 위해, 0±1.0×10-7/℃의 범위 내, 보다 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃의 범위 내의 저열팽창 계수를 갖는 것이 바람직하게 이용된다. 이 범위의 저열팽창 계수를 갖는 소재로는, 예를 들면, SiO2-TiO2계 유리, 다성분계 유리 세라믹스 등을 이용할 수 있다.
상기 유리 기판(10)의 전사 패턴이 형성되는 측의 주표면은, 적어도 패턴 전사 정밀도, 위치 정밀도를 향상시키는 관점에서 고평탄도가 되도록 표면 가공되어 있다. EUV 노광용의 경우, 유리 기판(10)의 전사 패턴이 형성되는 측의 주표면 142㎜×142㎜의 영역에 있어서, 평탄도가 0.1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.05㎛ 이하이다. 또, 전사 패턴이 형성되는 측과 반대측의 주표면은, 노광 장치에 세트할 때에 정전 척되는 면으로서, 142㎜×142㎜의 영역에 있어서, 평탄도가 0.1㎛ 이하, 바람직하게는 0.05㎛ 이하이다.
또, 상기 유리 기판(10)으로는, 상기와 같이, SiO2-TiO2계 유리 등의 저열팽창 계수를 갖는 소재가 바람직하게 이용되지만, 이와 같은 유리 소재는, 정밀 연마에 의해, 표면 거칠기로서 예를 들면 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.1㎚ 이하의 고평활성을 실현하는 것이 곤란하다. 그 때문에, 유리 기판(10)의 표면 거칠기의 저감, 또는 유리 기판(10) 표면의 결함을 저감할 목적으로, 유리 기판(10)의 표면에 하지층(下地層)을 형성해도 된다. 이와 같은 하지층의 재료로는, 노광광에 대하여 투광성을 가질 필요는 없고, 하지층 표면을 정밀 연마했을 때에 높은 평활성이 얻어지고, 결함 품질이 양호해지는 재료가 바람직하게 선택된다. 예를 들면, Si 또는 Si를 함유하는 규소 화합물(예를 들면 SiO2, SiON 등)은, 정밀 연마했을 때에 높은 평활성이 얻어지고, 결함 품질이 양호하기 때문에, 하지층의 재료로서 바람직하게 이용된다. 하지층의 재료는, 특히 Si가 바람직하다.
하지층의 표면은, 반사형 마스크 블랭크용 기판으로서 요구되는 평활도가 되도록 정밀 연마된 표면으로 하는 것이 적합하다. 하지층의 표면은, 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.15㎚ 이하, 특히 바람직하게는 0.1㎚ 이하가 되도록 정밀 연마되는 것이 바람직하다. 또, 하지층의 표면은, 하지층 상에 형성하는 다층 반사막(21)의 표면에의 영향을 고려하면, 최대 높이(Rmax)와의 관계에 있어서, Rmax/Rq가 2∼10인 것이 좋고, 특히 바람직하게는, 2∼8이 되도록 정밀 연마되는 것이 바람직하다.
하지층의 막두께는, 예를 들면 10㎚∼300㎚의 범위가 바람직하다.
상기 다층 반사막(21)은, 저굴절률층과 고굴절률층을 교대로 적층시킨 다층막이며, 일반적으로는, 중원소 또는 그 화합물의 박막과, 경원소 또는 그 화합물의 박막이 교대로 40∼60주기 정도 적층된 다층막이 이용된다.
예를 들면, 파장 13∼14㎚의 EUV광에 대한 다층 반사막으로는, Mo 막과 Si 막을 교대로 40주기 정도 적층한 Mo/Si 주기 적층막이 바람직하게 이용된다. 그 외에, EUV광의 영역에서 사용되는 다층 반사막으로서, Ru/Si 주기 다층막, Mo/Be 주기 다층막, Mo 화합물/Si 화합물 주기 다층막, Si/Nb 주기 다층막, Si/Mo/Ru 주기 다층막, Si/Mo/Ru/Mo 주기 다층막, Si/Ru/Mo/Ru 주기 다층막 등이 있다. 노광 파장에 따라서, 재질을 적절히 선택하면 된다.
통상, 흡수체막의 패터닝 또는 패턴 수정 시에 다층 반사막을 보호할 목적으로, 상기 다층 반사막(21) 상에는, 보호막(캡핑층 또는 버퍼막이라고도 불리는 경우가 있다.)을 설치하는 것이 바람직하다. 이와 같은 보호막의 재료로는, 규소 외, 루테늄이나, 루테늄에 니오브, 지르코늄, 로듐 중 1 이상의 원소를 함유하는 루테늄 화합물이 이용되고, 이 외에는, 크롬계 재료가 이용되는 경우도 있다.
또, 보호막의 막두께로는, 예를 들면 1㎚∼5㎚ 정도의 범위가 바람직하다.
이상의 하지층, 다층 반사막(21) 및 보호막의 성막 방법은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 이온 빔 스퍼터링법이나, 마그네트론 스퍼터링법 등이 적합하다.
또한, 이하에서는, 상기 다층 반사막 부착 기판(20)의 일 실시 형태로서, 상기와 같이, 도 6(a)에 나타내는 바와 같은 유리 기판(10) 상에 다층 반사막(21)을 성막한 것에 대해서 설명한다. 그러나, 본 발명에서는, 다층 반사막 부착 기판은, 유리 기판(10) 상에, 상기 다층 반사막(21) 및 보호막을 차례대로 성막한 양태나, 유리 기판(10) 상에, 상기 하지층, 다층 반사막(21) 및 보호막을 이 순서로 성막한 양태를 포함하는 것으로 한다.
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 다층 반사막 부착 기판(20)에 전술의 제 1 기준 마크(22)를 형성한다. 앞에서도 설명한 바와 같이, 이 다층 반사막 부착 기판(20)에 형성하는 제 1 기준 마크(22)는, 이 다층 반사막 부착 기판으로부터 제작되는 반사형 마스크 블랭크의 얼라이먼트 영역 내에 형성된다. 제 1 기준 마크(22)에 대해서는 이미 상세히 설명했으므로, 여기에서는 중복되는 설명은 생략한다.
여기에서는, 다층 반사막 부착 기판(20)의 다층 반사막(21) 상의 소정의 위치에, 예를 들면 미소압자에 의한 인덴테이션(펀치)을 이용하여, 예를 들면 전술의 도 3(a)에 나타내는 바와 같은 형상의 제 1 기준 마크(22)를 형성하고 있다(도 6(a) 참조).
상기 제 1 기준 마크(22)를 형성하는 방법은 상술의 미소압자를 이용하는 방법에 한정되지는 않는다. 예를 들면 기준 마크의 단면 형상이 오목 형상인 경우, 집속 이온 빔, 포토리소법, 레이저광에 의한 오목부 형성, 다이아몬드 바늘을 주사한 가공흔(加工痕), 임프린트법에 의한 엠보싱 등으로 형성할 수 있다.
또한, 기준 마크의 단면 형상이 오목 형상인 경우, 결함 검사광에 의한 검출 정밀도를 향상시키는 관점에서, 오목 형상의 저부(底部)에서 표면측을 향해 넓어지도록 형성된 단면 형상인 것이 바람직하다.
또, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 전술한 바와 같이, 다층 반사막 부착 기판(20)의 주표면 상의 패턴 형성 영역의 경계선 상, 또는 패턴 형성 영역보다 외측의 임의의 위치에 형성되는 것이 적합하다(도 1, 도 2 참조). 이 경우, 에지 기준으로 기준 마크를 형성하거나, 또는 기준 마크를 형성 후, 좌표 계측기로 기준 마크 형성 위치를 특정해도 된다.
예를 들면, 제 1 기준 마크(22)를 집속 이온 빔(FIB)으로 가공하는 경우, 다층 반사막 부착 기판의 에지는, 2차 전자상(像), 2차 이온상, 또는 광학상으로 인식할 수 있다. 또, 기준 마크를 그 외의 방법(예를 들면 압흔)으로 가공하는 경우는, 광학상으로 인식할 수 있다. 예를 들면 다층 반사막 부착 기판의 4변의 8개소의 에지 좌표를 확인하고, 틸트 보정하여, 원점(0,0) 찾기를 행한다. 이 경우의 원점은 임의로 설정 가능하며, 기판의 모서리부여도 중심이어도 된다. 이와 같이 에지 기준으로 설정한 원점으로부터의 소정의 위치에 FIB로 기준 마크를 형성한다.
이와 같은 에지 기준으로 형성한 기준 마크를 결함 검사 장치로 검출할 때, 기준 마크의 형성 위치 정보, 즉 에지로부터의 거리를 알고 있기 때문에, 기준 마크 형성 위치를 용이하게 특정하는 것이 가능하다.
또, 다층 반사막(21) 상의 임의의 위치에 제 1 기준 마크(22)를 형성한 후, 좌표 계측기로 기준 마크 형성 위치를 특정하는 방법을 적용할 수도 있다. 이 좌표 계측기는, 기준 마크의 형성 좌표를 에지 기준으로 계측하는 것이며, 예를 들면 고정밀도 패턴 위치 측정 장치(KLA-Tencor사 제조 LMS-IPRO4)를 사용할 수 있고, 특정한 기준 마크 형성 좌표가 기준 마크의 형성 위치 정보가 된다.
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 제 1 기준 마크(22)가 형성된 다층 반사막 부착 기판(20)에 대하여 결함 검사를 행한다. 즉, 다층 반사막 부착 기판(20)에 대하여, 결함 검사 장치에 의해, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하여 결함 검사를 행하고, 결함 검사에 의해 검출된 결함과 위치 정보를 취득하여, 제 1 기준 마크(22)를 포함한 결함 정보를 얻는다. 또, 이 경우의 결함 검사는, 적어도 패턴 형성 영역의 전면(全面)에 대하여 행한다.
다음으로, 상기 다층 반사막 부착 기판(20)에 있어서의 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막) 상의 전면에, EUV광을 흡수하는 흡수체막(31)을 성막하고, 반사형 마스크 블랭크를 제작한다(도 6(b) 참조).
또한, 도시하고 있지 않지만, 유리 기판(10)의 다층 반사막 등이 형성되어 있는 측과는 반대측에 이면 도전막을 설치해도 된다.
상기 흡수체막(31)은, 노광광인, 예를 들면 EUV광을 흡수하는 기능을 가지는 것으로, 반사형 마스크 블랭크를 사용하여 제작되는 반사형 마스크(40)(도 6(d) 참조)에 있어서, 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막)에 의한 반사광과, 흡수체막 패턴(31a)에 의한 반사광과의 사이에서 원하는 반사율차를 갖는 것이면 된다. 예를 들면, EUV광에 대한 흡수체막(31)의 반사율은, 0.1％ 이상 40％ 이하 사이에서 선정된다. 또, 상기 반사율차에 더하여, 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막)에 의한 반사광과, 흡수체막 패턴(31a)에 의한 반사광과의 사이에서 원하는 위상차를 갖는 것이어도 된다. 또한, 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막)에 의한 반사광과, 흡수체막 패턴(31a)에 의한 반사광과의 사이에서 원하는 위상차를 갖는 경우, 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 흡수체막(31)을 위상 시프트막이라고 칭하는 경우가 있다. 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막)에 의한 반사광과, 흡수체막 패턴(31a)에 의한 반사광과의 사이에서 원하는 위상차를 두어, 콘트라스트를 향상시키는 경우, 위상차는 180도±10도의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 흡수체막(31)의 반사율은, 3％ 이상 40％ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
상기 흡수체막(31)은, 단층이어도 적층 구조여도 된다. 적층 구조의 경우, 동일 재료의 적층막, 이종 재료의 적층막이어도 된다. 적층막은, 재료나 조성이 막두께 방향으로 단계적 및/또는 연속적으로 변화한 것으로 할 수 있다.
상기 흡수체막(31)의 재료로는, 예를 들면, 탄탈(Ta) 단체(單體) 또는 Ta를 포함하는 재료가 바람직하게 이용된다. Ta를 함유하는 재료로는, Ta와 B를 포함하는 재료, Ta와 N을 포함하는 재료, Ta와 B를 포함하고, 추가로 O와 N 중 적어도 한쪽을 포함하는 재료, Ta와 Si를 포함하는 재료, Ta와 Si와 N을 포함하는 재료, Ta와 Ge를 포함하는 재료, Ta와 Ge와 N을 포함하는 재료, Ta와 Pd를 포함하는 재료, Ta와 Ru를 포함하는 재료 등이 이용된다. 또, Ta 이외의 재료로는, Cr 단체 또는 Cr을 함유하는 재료, Ru 단체 또는 Ru를 함유하는 재료, Pd 단체 또는 Pd를 함유하는 재료, Mo 단체 또는 Mo를 함유하는 재료여도 된다. 흡수체막(31)이 적층막인 경우, 상술한 재료를 조합한 적층 구조로 할 수 있다.
상기 흡수체막(31)의 막두께로는, 예를 들면 30㎚∼100㎚ 정도의 범위가 바람직하다. 흡수체막(31)의 성막 방법은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 마그네트론 스퍼터링법이나, 이온 빔 스퍼터링법 등이 적합하다.
다음으로, 상기 반사형 마스크 블랭크의 표면의 소정의 개소, 구체적으로는, 상기 다층 반사막 부착 기판(20)에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역에, 흡수체막(31)을 제거하여 얼라이먼트 영역(32)을 형성한다(도 6(c) 참조). 이 얼라이먼트 영역(32)은, 다층 반사막(21) 상에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출하는 것과 같은 형상, 크기로 형성한다. 또, 흡수체막(31)의 상부의 상기 제 1 기준 마크(22)의 근방에 제 2 기준 마크(42)를 형성한다(도 6(c) 참조).
이 얼라이먼트 영역(32) 및 제 2 기준 마크(42)를 형성하기 위해, 그 영역에 상당하는 흡수체막(31)을 제거하는 방법으로는, 예를 들면 포토리소법을 적용하는 것이 적합하다. 구체적으로는, 흡수체막(31) 상에, 소정의 레지스트 패턴(얼라이먼트 영역 및 제 2 기준 마크에 대응하는 영역에 레지스트가 형성되어 있지 않은 패턴)을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 얼라이먼트 영역 및 제 2 기준 마크에 대응하는 흡수체막에 대하여 드라이 에칭을 행하고, 그 영역에 상당하는 흡수체막(31)을 제거하여 얼라이먼트 영역(32) 및 제 2 기준 마크(42)를 형성한다. 이 경우의 에칭 가스로는, 흡수체막(31)의 패터닝 시에 사용하는 것과 같은 에칭 가스를 이용하면 된다.
이와 같이 하여, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막(31)을 제거하여, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32) 및 제 2 기준 마크(42)가 형성된 반사형 마스크 블랭크(30)를 제작한다(도 6(c) 참조).
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 얼라이먼트 영역(32)과 제 2 기준 마크(42)에 대하여, 상기 다층 반사막 상의 결함 검사를 행한 검사 장치와 마찬가지의 검사광을 이용하여 검사를 행한다.
이 경우, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 상기의 얼라이먼트 영역(32) 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 검사하고, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하는 제 1 기준 마크(22)의 위치 좌표를 검출한다. 그 후, 상술의 결함 검사에 의해 얻어진 다층 반사막 부착 기판(20)의 결함 정보에 의거하여, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)를 작성한다. 계속해서, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 제 1 기준 마크(22)의 좌표를 이용하여, 상기 결함 정보(제 1 결함 맵)를 제 2 기준 마크를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)로 변환한다. 이 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)는, 전술의 ABI 장치와 같은 미세 결함을 고정밀도로 검출 가능한 결함 검사 장치를 이용하여 검사를 행하는 것이 적합하다.
이와 같은 본 실시 형태의 반사형 마스크 블랭크(30)에 있어서는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있기 때문에, 이 얼라이먼트 영역(32)을 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 즉, 이 얼라이먼트 영역(32)을 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있고, 그 결과, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다. 흡수체막(31)은 다층 반사막(21) 상에 형성되기 때문에, 다층 반사막(21)의 결함은 흡수체막(31)에도 반영되므로, 얼라이먼트 영역(32)을 통해 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 다층 반사막(21) 상의 결함을 고정밀도로 관리할 수 있게 된다. 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 행하는 경우, 특히 상기 ABI 장치를 이용함으로써 미세한 결함이라도 고정밀도로 검출할 수 있고, 게다가 정밀도가 좋은 결함 정보를 얻는 것이 가능하다.
또, 반사형 마스크 블랭크(30) 표면의 결함 검사에 대해서는, 행하지 않아도 되지만, 보다 고정밀도의 결함 관리를 행하기 위해, 전면 검사나 검사 시간을 단축한 부분 검사를 행하는 것도 가능하다.
상술의 실시 형태에서는, 상기 얼라이먼트 영역(32) 내에, 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크(22)가 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크에 대해서 설명했다. 그러나, 앞에서도 설명한 바와 같이, 상기 얼라이먼트 영역(32) 내에, 결함 검사 장치의 검사광으로 얼라이먼트 가능한 실결함이 존재하고 있으면, 얼라이먼트 영역(32)을 검사했을 때에, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 실결함의 좌표를 검출하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크(30)는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 예를 들면 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있다. 이 때문에, 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리는 이 얼라이먼트 영역(32)을 이용하여, 구체적으로는, 이 얼라이먼트 영역(32) 내에 형성된, 예를 들면 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 고정밀도의 결함 관리를 행하는 것이 가능하고, 그 결과, 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득할 수 있다.
또, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30)에는, 상기 흡수체막(31) 상에, 하드 마스크막(에칭 마스크막이라고도 한다.)을 형성한 양태도 포함된다. 하드 마스크막은, 흡수체막(31)을 패터닝할 때에 마스크 기능을 갖는 것이며, 흡수체막(31)의 최상층의 재료와 에칭 선택성이 다른 재료에 의해 구성한다. 예를 들면, 흡수체막(31)이 Ta 단체 또는 Ta를 포함하는 재료인 경우, 하드 마스크막은, 크롬이나 크롬 화합물, 또는 규소나 규소 화합물 등의 재료를 사용할 수 있다. 크롬 화합물로는, Cr과 N, O, C, H로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 재료를 들 수 있다. 규소 화합물로는, Si와 N, O, C, H로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 재료나, 규소나 규소 화합물에 금속을 포함하는 금속 규소(금속 실리사이드)나 금속 규소 화합물(금속 실리사이드 화합물) 등의 재료를 들 수 있다. 금속 규소 화합물로는, 금속, Si와 N, O, C, H로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 재료를 들 수 있다. 또, 흡수체막(31)이, 다층 반사막(21)측으로부터 Ta를 포함하는 재료나, Cr을 포함하는 재료의 적층막인 경우, 하드 마스크막의 재료는, Cr을 포함하는 재료와 에칭 선택성이 다른 규소, 규소 화합물, 금속 실리사이드, 금속 실리사이드 화합물 등을 선택할 수 있다.
또, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30)는, 흡수체막을, 서로 에칭 선택성이 다른 재료로 이루어지는 최상층과 그 이외의 층과의 적층막으로 구성하고, 최상층이 그 이외의 층에 대한 하드 마스크막으로서의 기능을 갖도록 한 구성으로 할 수도 있다.
이상과 같이, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30)에 있어서의 흡수체막(31)은, 단층막에는 한정되지 않고, 동일 재료의 적층막, 이종 재료의 적층막으로 구성할 수 있고, 나아가서는, 상기와 같은 적층막 또는 단층막의 흡수체막과 하드 마스크막과의 적층막의 구성으로 할 수 있다.
또, 본 발명의 제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30)에는, 상기 흡수체막(31) 상에 레지스트막을 형성한 양태도 포함된다. 이와 같은 레지스트막은, 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 흡수체막을 포토리소법에 의해 패터닝할 때에 이용된다.
또, 흡수체막(31) 상에 상기 하드 마스크막을 개재하여 또는 개재하지 않고 레지스트막을 설치한 경우, 제 2 기준 마크(42)의 형상은, 레지스트막에 전사되게 된다. 그리고, 레지스트막에 전사된 제 2 기준 마크(42)는, 전자선 묘화 장치에 의한 전자선 주사에 대하여 콘트라스트를 가져, 전자선으로 검출할 수 있다. 이때, 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)로 상대 좌표의 관리를 행하고 있기 때문에, 제 2 기준 마크(42)보다도 상대적으로 작은 제 1 기준 마크(22)의 형상이 레지스트막에 전사되지 않아도 고정밀도의 묘화가 가능해진다.
또한, 전자선 주사에 대한 콘트라스트를 보다 향상시키기 위해, 제 2 기준 마크(42)를 포함하는 영역의 위에 레지스트막을 형성하지 않거나, 또는 제 2 기준 마크(42)를 포함하는 영역의 위의 레지스트막을 제거하는 구성으로 해도 된다.
[제 1 실시 형태에 관한 반사형 마스크]
본 발명은, 상기 구성의 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막이 패터닝된 반사형 마스크 및 그 제조 방법도 제공한다.
즉, 상술의 반사형 마스크 블랭크(30) 상에 전자선 묘화용 레지스트를 도포하고, 베이킹함으로써 레지스트막을 형성하고, 전자선 묘화 장치를 이용하여 레지스트막을 묘화, 현상하여, 레지스트막에 전사 패턴에 대응한 레지스트 패턴을 형성한다. 그 후, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 흡수체막(31)을 패터닝하여 흡수체막 패턴(31a)을 형성함으로써 반사형 마스크(40)가 제작된다(도 6(d) 참조).
반사형 마스크 블랭크(30)에 있어서의, 전사 패턴이 되는 상기 흡수체막(31)을 패터닝하는 방법은, 포토리소법이 가장 적합하다. 또한, 상술의 하드 마스크막을 포함하는 구성의 반사형 마스크 블랭크를 이용하여 반사형 마스크를 제조하는 경우, 하드 마스크막은 최종적으로는 제거해도 되지만, 잔존하고 있어도 반사형 마스크로서 기능에 영향이 없으면, 특별히 제거하지 않지 않아도 된다.
상기 반사형 마스크(40)는, 기판(10) 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)과, 해당 다층 반사막(21) 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴(31a)이 적어도 형성되어 있다. 그리고, 이 반사형 마스크(40) 주표면 상의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 다층 반사막(21) 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32)이 형성되어 있다. 또, 얼라이먼트 영역(32)의 근방의 흡수체막(31) 상에, 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 동시에, 마스크 제조에 있어서의 전자선 묘화 공정에 있어서 얼라이먼트를 행하기 위한 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다. 제 2 기준 마크(42)는, 제 1 기준 마크(22)보다도 상대적으로 크게 형성된다.
상술한 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보에 의거하여, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여, 흡수체막(31)을 패터닝한다.
본 발명에서는, 상술한 바와 같이, 다층 반사막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하여, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 고정밀도로 행할 수 있다. 이 때문에, 마스크의 제조에 있어서는, 이 결함 정보에 의거하여, 미리 설계해 둔 묘화 데이터(마스크 패턴 데이터)와 대조하여, 결함에 의한 영향이 저감하도록 묘화 데이터를 높은 정밀도로 수정(보정)하는 것이 가능해지고, 그 결과로서, 최종적으로 제조되는 반사형 마스크에 있어서 결함을 저감시킨 것이 얻어진다.
또한, 상술의 본 발명의 반사형 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 결함이 적은 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해, 본 발명의 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
양면 연마 장치를 이용하여, 산화 세륨 지립이나 콜로이달 실리카 지립에 의해 단계적으로 연마하고, 저농도의 규불산으로 기판 표면을 표면 처리한 SiO2-TiO2계의 유리 기판(크기가 약 152.0㎜×약 152.0㎜, 두께가 약 6.35㎜)을 준비했다. 얻어진 유리 기판의 표면 거칠기는, 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.25㎚였다. 또한, 표면 거칠기는 원자간력 현미경(AFM)으로 측정하고, 측정 영역은 1㎛×1㎛로 했다.
다음으로, 유리 기판의 주표면에, 이온 빔 스퍼터링 장치를 이용하여, Si 막(막두께: 4.2㎚)과 Mo 막(막두께: 2.8㎚)을 1주기로 하여 40주기 적층하고, 마지막에 Si 막(막두께: 4㎚)을 형성하고, 추가로 그 위에, Ru로 이루어지는 보호막(막두께: 2.5㎚)을 성막하여, 다층 반사막 부착 기판을 얻었다.
다음으로, 상기 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막 표면의 소정의 개소에 이하의 표면 형상이고 단면 형상이 오목 형상인 제 1 기준 마크를 형성했다. 제 1 기준 마크의 형성은 미소압자에 의한 인덴테이션(펀치)에 의해 행하였다. 구체적으로는, 미소압자를 다층 반사막에 소정의 압력으로 꽉 누름으로써, 제 1 기준 마크를 형성했다. 제 1 기준 마크의 형성 후, 세정을 행하였다.
본 실시예에서는, 제 1 기준 마크로서, 전술의 도 3(a)에 나타내는 형상으로 하고, 크기가 직경 500㎚인 원형, 깊이는 60㎚로 했다.
다음으로, 다층 반사막 부착 기판 표면을 전술의 ABI 장치로, 상기 제 1 기준 마크를 포함하여 결함 검사를 행하였다. 이 결함 검사에서는, 볼록부, 오목부의 결함 위치 정보와, 결함 사이즈 정보를 취득하여, 제 1 기준 마크를 포함한 결함 정보를 얻었다.
또, 이 다층 반사막 부착 기판의 보호막 표면의 반사율을, EUV 반사율계에 의해 평가한바, 64％±0.2％로 양호했다.
다음으로, DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 보호막 상에, TaBN 막(막두께: 56㎚)과 TaBO 막(막두께: 14㎚)의 적층막으로 이루어지는 흡수체막을 형성하고, 또, 다층 반사막 부착 기판의 이면에 CrN 도전막(막두께: 20㎚)을 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
다음으로, 상기 반사형 마스크 블랭크의 표면의 소정의 개소에, 흡수체막을 제거한 얼라이먼트 영역과 제 2 기준 마크를 형성했다. 또, 얼라이먼트 영역은, 다층 반사막에 형성된 상기 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출되는 것과 같은 형상, 크기로 형성했다. 제 2 기준 마크로서, 전술의 도 4(a)에 나타내는 십자 형상을 형성했다. 제 2 기준 마크는, 크기가 폭 5㎛이고 길이가 550㎛인 십자 형상, 깊이는 흡수체막을 모두 제거했으므로, 약 70㎚로 했다.
얼라이먼트 영역의 흡수체막을 제거하는 동시에, 상기 제 2 기준 마크를 형성하기 위해, 포토리소법을 적용했다. 구체적으로는, 흡수체막을 성막한 반사형 마스크 블랭크 상에 전자선 묘화용 레지스트를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 베이킹하여 레지스트막을 형성했다. 흡수체막 상에, 얼라이먼트 영역 및 제 2 기준 마크를 제외한 영역에 대응하는 소정의 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 노출한 흡수체막에 대하여 불소계 가스(CF4 가스)에 의해 TaBO 막을, 염소계 가스(Cl2 가스)에 의해 TaBN 막을 에칭 제거하여, 얼라이먼트 영역 및 제 2 기준 마크를 형성했다. 또한, 흡수체막 상에 남은 레지스트 패턴을 열 황산으로 제거하여, 얼라이먼트 영역 및 제 2 기준 마크가 형성된 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
얻어진 반사형 마스크 블랭크에 대해서, 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사와 마찬가지의 전술의 ABI 장치로 얼라이먼트 영역 내의 제 1 기준 마크와 제 2 기준 마크의 검사를 행하였다. 이때, 제 2 기준 마크를 기준으로 제 1 기준 마크를 검사하고, 제 2 기준 마크를 기준으로 하는 제 1 기준 마크의 위치 좌표를 검출했다. 제 2 기준 마크와 제 1 기준 마크의 상대 좌표의 관리를 행함으로써, 다층 반사막 상의 결함을 제 2 기준 마크 기준으로, 고정밀도로 관리할 수 있다.
이와 같이 하여, 제 2 기준 마크를 기준으로 한 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻었다.
또한, 제 2 기준 마크를 좌표 측정기(KLA-Tencor사 제조 LMS-IPRO4)로 계측함으로써, 전자선 묘화 공정의 기준 좌표로 변환하는 보정을 행하였다.
다음으로, 이 결함 정보를 취득한 EUV 반사형 마스크 블랭크를 이용하여, EUV 반사형 마스크를 제작했다.
우선, EUV 반사형 마스크 블랭크 상에 전자선 묘화용 레지스트를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 베이킹하여 레지스트막을 형성했다.
그 때, 제 2 기준 마크에 의거하여 얼라이먼트를 행하였다. 그리고, EUV 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보에 의거하여, 미리 설계해 둔 마스크 패턴 데이터와 대조하여, 노광 장치를 이용한 패턴 전사에 영향이 없는 마스크 패턴 데이터로 수정하거나, 패턴 전사에 영향이 있다고 판단한 경우에는, 예를 들면 결함을 패턴 아래에 숨기도록 수정 패턴 데이터를 추가한 마스크 패턴 데이터로 수정하거나 하여, 상술의 레지스트막에 대하여 전자선에 의해 마스크 패턴을 묘화, 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 형성했다. 본 실시예에서는, 정밀도가 높은 결함 위치 정보를 포함하는 결함 정보가 얻어지고 있었기 때문에, 마스크 패턴 데이터의 수정을 고정밀도로 행할 수 있었다.
이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 흡수체막에 대하여 불소계 가스(CF4 가스)에 의해 TaBO 막을, 염소계 가스(Cl2 가스)에 의해 TaBN 막을 에칭 제거하여, 보호막 상에 흡수체막 패턴을 형성했다.
또한, 흡수체막 패턴 상에 남은 레지스트 패턴을 열 황산으로 제거하여, EUV 반사형 마스크를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 반사형 마스크를 노광 장치에 세트하고, 레지스트막을 형성한 반도체 기판 상에의 패턴 전사를 행한바, 반사형 마스크 기인의 전사 패턴의 결함도 없고, 양호한 패턴 전사를 행할 수 있었다.
(참고예 1)
상기 실시예 1에 있어서, 제 1 기준 마크를 형성한 다층 반사막 부착 기판 상에 상기 흡수체막을 형성한 후, 상술의 얼라이먼트 영역은 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 반사형 마스크 블랭크를 제작했다.
실시예 1과 마찬가지로, ABI 장치로 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사를 행하여, 결함 위치 정보, 결함 사이즈 정보를 취득했다. 또, 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 흡수체막 상의 영역에 대하여 ABI 장치로 검사한바, 다층 반사막에 형성된 제 1 기준 마크는, EUV광에서의 콘트라스트가 낮아, 정밀도 좋게 검출할 수 없었기 때문에, 취득한 결함 좌표의 정밀도가 나빠, 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻는 것이 곤란했다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이 EUV 반사형 마스크 블랭크를 이용하여 EUV 반사형 마스크를 제작했다.
얻어진 EUV 반사형 마스크를 노광 장치에 세트하고, 레지스트막을 형성한 반도체 기판 상에의 패턴 전사를 행한바, 반사형 마스크 기인의 전사 패턴 결함이 보였다. 이 원인은, 상기와 같이, 제 1 기준 마크의 결함 좌표의 정밀도가 나빠, 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻는 것이 곤란했기 때문에, 패턴 묘화 공정에서, EUV 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보에 의거하는 마스크 패턴 데이터의 수정을 높은 정밀도로 행할 수 없고, 다층 반사막 상의 결함을 정밀도 좋게 흡수체막 패턴 아래에 숨길 수 없었던 것에 따른 것이라고 생각된다.
또한, 상술의 실시예 1에서는, 제 1 기준 마크를 미소압자에 의한 인덴테이션에 의해 형성한 예를 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 앞에서도 설명한 바와 같이, 이 방법 이외에도, 집속 이온 빔, 포토리소법, 레이저광 등에 의한 오목부 형성, 다이아몬드 바늘을 주사한 가공흔, 임프린트법에 의한 엠보싱 등으로 형성할 수 있다. 또, 상술의 실시예 1에서는, 얼라이먼트 영역에 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 예를 들어 설명했지만, 제 1 기준 마크 대신에 의사 결함이 형성되어 있어도 된다. 또, 얼라이먼트 영역에 존재하는 실결함이어도 된다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시 형태를 상술한다.
[제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크]
도 7은, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다. 또, 도 8은, 도 7에 나타내어진 반사형 마스크 블랭크를 구성하는 다층 반사막 부착 기판의 평면도이다. 또한, 도 10은, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 개략 단면도이다. 또한, 이후의 설명에 있어서, 제 1 실시 형태에 있어서 설명한 구성요소와 같은 구성요소에는 같은 참조 번호를 붙이고, 자세한 설명을 생략하는 경우가 있다.
도 7, 도 10에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')는, 기판(10) 상에, 노광광인 EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)과, 해당 다층 반사막(21) 상에, 마찬가지로 EUV광을 흡수하는 흡수체막(31)이 적어도 형성되어 있고(도 10(c) 참조), 이 반사형 마스크 블랭크(30') 주표면 상의 패턴 형성 영역(도 7에 파선으로 나타내는 영역 A 내)의 외주 가장자리 영역에, 복수의 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있다. 패턴 형성 영역은, 흡수체막(31)에 있어서 전사 패턴을 형성하는 영역이며, 6제곱인치(약 152.0㎜×약 152.0㎜)의 기판에서는, 예를 들면 132㎜×132㎜의 영역이다. 상기 얼라이먼트 영역(32')은, 상기 다층 반사막(21) 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 영역이다. 본 실시 형태에서는, 상기 제 1 기준 마크(22)는 상기 다층 반사막(21)에 형성되어 있다. 또, 상기 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측 근방의 흡수체막(31)에, 상기 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 동시에, 마스크 제조에 있어서의 전자선 묘화 공정에 있어서 얼라이먼트를 행하기 위한 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다. 이 제 2 기준 마크(42)는, 제 1 기준 마크(22)보다도 상대적으로 크게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 제 2 기준 마크(42)의 전자선의 폭 또는 길이가 제 1 기준 마크(22)의 그것보다도 크거나, 및/또는 제 2 기준 마크(42)의 단면 형상에 있어서의 깊이 또는 높이가 제 1 기준 마크(22)의 그것보다도 큰 것이 바람직하다.
또, 본 실시 형태에서는, 상기의 얼라이먼트 영역(32') 및 제 2 기준 마크(42)는, 일례로서, 반사형 마스크 블랭크(30')의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역으로서, 구체적으로는 반사형 마스크 블랭크(30')의 코너 근방의 4개소에 형성되어 있지만, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역이면 되고, 코너 근방에 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에서는, 얼라이먼트 영역(32')은, 상기 다층 반사막(21) 상에 형성되어 있는 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 영역이다. 이 때문에, 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있는 위치나 개수는, 다층 반사막(21)에 형성되어 있는 상기 제 1 기준 마크(22)의 위치나 개수에 따라서도 다르다. 또한, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 제 1 및 제 2 기준 마크의 개수는 특별히 한정되지 않는다. 제 1 및 제 2 기준 마크에 대해서는, 최저 3개 필요하지만, 본 실시 형태와 같이 3개 이상이어도 상관없다.
또, 상기 얼라이먼트 영역(32')은, 적어도 다층 반사막(21)에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역이 노출되고, 다층 반사막 부착 기판(20')의 결함 검사를 행할 때에 이용한 결함 검사 장치로 상기 제 1 기준 마크(22)를 검출할 수 있으면 되므로, 그에 한하여, 상기 얼라이먼트 영역(32')의 형상이나 크기 등은 특별히 제약될 필요는 없다. 단, 상기 다층 반사막(21) 상에 상기 흡수체막(31)을 성막하여 반사형 마스크 블랭크로 할 때, 얼라이먼트 영역(32')에는 흡수체막(31)이 성막되지 않고 다층 반사막(21)이 노출하도록, 예를 들면 차폐 부재를 설치하여 흡수체막(31)을 성막함으로써 상기 얼라이먼트 영역(32')이 형성된다. 이 때문에, 반사형 마스크 블랭크의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역으로서, 특히 기판 외주 가장자리을 포함하는 영역에 상기 얼라이먼트 영역(32')이 형성되는 것이 적합하다.
예를 들면 본 실시 형태에서는, 얼라이먼트 영역(32')은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크 블랭크(30')의 코너의 4개소에, 각각 코너의 2변을 포함하는 삼각 형상으로 하고 있다. 이 삼각 형상의 외주부의 가로 방향의 길이(L3)는 예를 들면 6.0㎜∼18.0㎜, 세로 방향의 길이(L4)는 예를 들면 6.0㎜∼18.0㎜로 할 수 있다.
이와 같은 본 실시 형태의 반사형 마스크 블랭크(30')에 있어서는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 흡수체막(31)이 성막되지 않고, 다층 반사막(21)에 형성된 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있다. 또, 상기한 바와 같이 이 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측 근방의 흡수체막(31)에, 상기 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 동시에, 마스크 제조에 있어서의 전자선 묘화 공정에 있어서 얼라이먼트를 행하기 위한 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다. 따라서, 이 얼라이먼트 영역(32')을 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 즉, 이 얼라이먼트 영역(32') 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 상기 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있다. 그 결과, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다.
또, 전술의 ABI 장치를 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 행하는 경우, 이 얼라이먼트 영역(32')은 다층 반사막(21)이 노출하고 있기 때문에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 고정밀도로 검출하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 고정밀도로 행할 수 있고, 그 결과, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 양호하게 행할 수 있다. 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')는, 예를 들면 100㎚보다도 짧은 파장(노광광(예를 들면 EUV광)의 광원 파장에 가까운 파장)의 검사광을 이용하는 상기 ABI 장치와 같은 결함 검사 장치를 이용하여 제 1 기준 마크(22) 및 제 2 기준 마크(42)의 검사를 행하는 것이 적합하다.
또, 상기 흡수체막(31)이 아직 형성되어 있지 않은 다층 반사막 부착 기판(20')(도 8, 도 10(a) 참조)에 대해서는, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하여 다층 반사막 부착 기판(20')의 결함 검사를 행할 수 있다. 이에 의해, 다층 반사막 부착 기판(20')의 결함 검사에서 얻어지는 결함 좌표와, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 얻어진 제 1 기준 마크(22)의 좌표를 일치시킬 수 있으므로, 양자의 결함 정보 간에서의 좌표 변환을 행할 필요가 없어 유리하다.
상기 제 1 기준 마크(22) 및 제 2 기준 마크(42)에 대해서는, 제 1 실시 형태에 있어서 도 3∼도 5를 참조하여 설명한 바와 같으므로, 중복하는 설명은 생략한다.
제 2 실시 형태에서는, 일례로서 반사형 마스크 블랭크(30')의 코너의 4개소에 얼라이먼트 영역(32')을 형성하고 있다. 그리고, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 얼라이먼트 영역(32') 내의 다층 반사막(21)에 형성되어 있다. 상기한 바와 같이, 얼라이먼트 영역(32')은, 반사형 마스크 블랭크의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역으로서, 특히 기판 외주 가장자리을 포함하는 영역에 형성되는 것이 적합하다. 이 때문에, 이 얼라이먼트 영역(32') 내의 다층 반사막(21)에 형성되는 상기 제 1 기준 마크(22)에 대해서도, 반사형 마스크 블랭크(30') 주표면 상의 패턴 형성 영역에 대응하는 다층 반사막 부착 기판(20') 주표면 상의 파선 A로 나타내는 영역(도 8 참조)보다 외측에 형성하는 것이 적합하다. 단, 제 1 기준 마크(22)가 기판 외주 가장자리에 너무 가까우면, 다른 종류의 인식 마크와 교차할 가능성이 있으므로 바람직하지 않다. 이와 같은 관점에서는, 상기 제 1 기준 마크(22)(또는 당해 기준 마크를 포함하는 얼라이먼트 영역(32'))는, 6제곱인치(약 152.0㎜×약 152.0㎜)의 기판에서는, 예를 들면 134㎜×134㎜∼146㎜×146㎜의 영역 내에 형성되는 것이 바람직하다.
제 1 실시 형태에 있어서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 결함 정보에 있어서의 결함 위치의 기준이 되는 것이다. 그리고, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 점 대칭의 형상인 것이 바람직하다. 나아가서는, 예를 들면 100㎚보다도 짧은 단파장광을 결함 검사광으로 하는 전술의 ABI 장치 등을 결함 검사에 이용하는 경우, 그 결함 검사광의 주사 방향에 대하여 30㎚ 이상 1000㎚ 이하의 폭의 부분을 갖는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있다. 그 때문에, 이 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측의 근방의 흡수체막(31)에, 상기 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제 2 기준 마크(42)는, 구체적인 일례로서, 기판 코너의 근방으로서 패턴 형성 영역의 코너의 외측 근방에 형성되어 있다. 그러나, 제 2 기준 마크(42)가 형성되는 위치는, 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측의 근방이면 되고, 도 7의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 2 기준 마크(42)와, 얼라이먼트 영역(32') 내의 제 1 기준 마크(22)가, 10㎜×10㎜로 둘러싸는 영역 내에 포함되는 위치 관계이면 된다.
상술의 제 2 실시 형태에서도, 상기 얼라이먼트 영역(32') 내에, 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크(22)가 형성되어 있는 경우를 설명했지만, 상기 얼라이먼트 영역(32') 내에, 결함 검사 장치의 검사광으로 얼라이먼트 가능한 실결함이 존재하고 있으면, 얼라이먼트 영역(32')을 검사했을 때에, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 실결함의 좌표를 검출하는 것이 가능하다. 즉, 제 2 실시 형태에 있어서는, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 얼라이먼트 영역(32') 내에 존재하는 실결함으로 할 수도 있다. 이 실시 형태의 경우, 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하여, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에 실결함이 검출되면, 다층 반사막(21) 상에 흡수체막(31)을 형성할 때, 이 다층 반사막(21) 상의 실결함을 포함하는 영역에는 흡수체막(31)을 성막하지 않고, 얼라이먼트 영역(32')으로서 형성하면 된다.
제 1 실시 형태에서도 설명한 바와 같이, 종래는, 미세한 결함을 검출 가능한 예를 들면 상기 ABI 장치와 같은 결함 검사 장치를 이용하여, 고정밀도의 결함 검사를 행하고자 해도, 흡수체막 상의 EUV광의 반사율이 낮기 때문에, 결함의 신호 강도가 작고, 예를 들면 흡수체막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하는 것이 곤란했다.
이에 대하여, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크도, 이상 설명한 바와 같이, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 다층 반사막 상에 형성된 결함 정보의 기준이 되는 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있다. 이 때문에, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 이 얼라이먼트 영역(32')을 이용하여, 보다 구체적으로는, 예를 들면 이 얼라이먼트 영역(32') 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여 얼라이먼트하면, 반사형 마스크 블랭크의 고정밀도의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 이 얼라이먼트 영역(32') 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 상기 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있으므로, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다.
도 9는, 본 발명의 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크를 나타내는 평면도이다.
도 9에 나타내어지는 실시 형태에서는, 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 얼라이먼트 영역(33)은, 기판의 코너의 4개소에, 각각 코너의 2변을 포함하는 직사각형상으로 하고 있다. 이 직사각형상의 영역의 가로 방향의 길이는 예를 들면 3.0㎜∼9.0㎜, 세로 방향의 길이에 대해서도 예를 들면 3.0㎜∼9.0㎜로 할 수 있다.
앞에서도 설명한 바와 같이, 결함 검사 장치로 상기 제 1 기준 마크(22)를 검출할 수 있으면 되므로, 그에 한하여, 상기 얼라이먼트 영역(33)의 형상이나 크기 등은 상기 실시 형태에 제약될 필요는 없다.
그리고, 본 실시 형태에 있어서도, 이 얼라이먼트 영역(33)의 패턴 형성 영역측 근방의 흡수체막(31)에, 상기 제 1 기준 마크(22)의 기준이 되는 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다.
이 이외의 구성에 관해서는, 상술한 도 7의 제 2 실시 형태와 마찬가지이므로, 중복하는 설명은 생략한다.
본 실시 형태에 있어서도, 상기 얼라이먼트 영역(33)을 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 즉, 이 얼라이먼트 영역(33) 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 상기 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있다. 그 결과, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다.
또, 상기 ABI 장치를 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 행하는 경우, 이 얼라이먼트 영역(33)은 다층 반사막(21)이 노출되어 있기 때문에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 고정밀도로 검출하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 고정밀도로 행할 수 있어, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 양호하게 행할 수 있다.
[제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법]
다음으로, 상술의 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이 설명은, 제 3 실시 형태에도 적용될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법은, 상기 구성 14에 있는 바와 같이,
기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과,
상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과,
상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하여 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정을 포함하고,
상기 흡수체막의 성막은, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 성막하지 않고, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역을 형성하는 공정(이하 「얼라이먼트 영역 형성 공정」이라고 부르는 경우도 있다.)을 포함하며,
해당 제조 방법은 추가로,
상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에, 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크를 형성하는 공정과,
상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
도 10은, 본 발명의 제 2 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 이하, 도 10에 나타내어진 공정에 따라 설명한다.
우선, 기판으로서 유리 기판(10) 상에, 노광광인 예를 들면 EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)을 성막하여, 다층 반사막 부착 기판(20')을 제작한다(도 10(a) 참조).
EUV 노광용의 경우, 기판으로는 유리 기판이 바람직하고, 특히, 노광 시의 열에 의한 패턴의 왜곡을 방지하기 위해, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 0±1.0×10-7/℃의 범위 내, 보다 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃의 범위 내의 저열팽창 계수를 갖는 것이 바람직하게 이용된다. 이 범위의 저열팽창 계수를 갖는 소재로는, 예를 들면, SiO2-TiO2계 유리, 다성분계 유리 세라믹스 등을 이용할 수 있다.
제 1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 상기 유리 기판(10)의 전사 패턴이 형성되는 측의 주표면은, 적어도 패턴 전사 정밀도, 위치 정밀도를 향상시키는 관점에서 고평탄도가 되도록 표면 가공되어 있다. EUV 노광용의 경우, 유리 기판(10)의 전사 패턴이 형성되는 측의 주표면의 142㎜×142㎜의 영역에 있어서, 평탄도가 0.1㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.05㎛ 이하이다. 또, 전사 패턴이 형성되는 측과 반대측의 주표면은, 노광 장치에 세트할 때에 정전 척되는 면으로서, 142㎜×142㎜의 영역에서, 평탄도가 0.1㎛ 이하, 바람직하게는 0.05㎛ 이하이다.
또, 상기 유리 기판(10)으로는, 상기와 같이, SiO2-TiO2계 유리 등의 저열팽창 계수를 갖는 소재가 바람직하게 이용되지만, 이와 같은 유리 소재는, 정밀 연마에 의해, 표면 거칠기로서, 예를 들면 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.1㎚ 이하의 고평활성을 실현하는 것이 곤란하다. 그 때문에, 유리 기판(10)의 표면 거칠기의 저감, 또는 유리 기판(10) 표면의 결함을 저감할 목적으로, 유리 기판(10)의 표면에 하지층을 형성해도 된다. 이와 같은 하지층의 재료로는, 노광광에 대하여 투광성을 가질 필요는 없고, 하지층 표면을 정밀 연마했을 때에 높은 평활성이 얻어지고, 결함 품질이 양호해지는 재료가 바람직하게 선택된다. 예를 들면, Si 또는 Si를 함유하는 규소 화합물(예를 들면 SiO2, SiON 등)은, 정밀 연마했을 때에 높은 평활성이 얻어지고, 결함 품질이 양호하기 때문에, 하지층의 재료로서 바람직하게 이용된다. 하지층은, 특히 Si가 바람직하다.
하지층의 표면은, 반사형 마스크 블랭크용 기판으로서 요구되는 평활도가 되도록 정밀 연마된 표면으로 하는 것이 적합하다. 하지층의 표면은, 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.15㎚ 이하, 특히 바람직하게는 0.1㎚ 이하가 되도록 정밀 연마되는 것이 바람직하다. 또, 하지층의 표면은, 하지층 상에 형성하는 다층 반사막(21)의 표면에의 영향을 고려하면, 최대 높이(Rmax)와의 관계에 있어서, Rmax/Rq가 2∼10인 것이 좋고, 특히 바람직하게는, 2∼8이 되도록 정밀 연마되는 것이 바람직하다.
하지층의 막두께는, 예를 들면 10㎚∼300㎚의 범위가 바람직하다.
제 1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 상기 다층 반사막(21)은, 저굴절률층과 고굴절률층을 교대로 적층시킨 다층막이며, 일반적으로는, 중원소 또는 그 화합물의 박막과, 경원소 또는 그 화합물의 박막이 교대로 40∼60주기 정도 적층된 다층막이 이용된다. 다층 반사막(21)의 구체예는 제 1 실시 형태에 있어서 설명한 바와 같으므로, 설명은 생략한다.
제 1 실시 형태와 마찬가지로, 통상, 흡수체막의 패터닝 또는 패턴 수정 시에 다층 반사막을 보호할 목적으로, 상기 다층 반사막(21) 상에는, 보호막(캡핑층 또는 버퍼막이라고도 불리는 경우가 있다.)을 설치하는 것이 바람직하다. 이와 같은 보호막의 재료로는, 규소 외, 루테늄이나, 루테늄에 니오브, 지르코늄, 로듐 중 1 이상의 원소를 함유하는 루테늄 화합물이 이용되고, 이 밖에는, 크롬계 재료가 이용되는 경우도 있다. 또, 보호막의 막두께로는, 예를 들면 1㎚∼5㎚ 정도의 범위가 바람직하다.
제 1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 이상의 하지층, 다층 반사막(21) 및 보호막의 성막 방법은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 이온 빔 스퍼터링법이나, 마그네트론 스퍼터링법 등이 적합하다.
이하에서는, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')의 실시 형태로서, 상기와 같이, 도 10(a)에 나타내는 바와 같은 유리 기판(10) 상에 다층 반사막(21)을 성막한 것에 대해서 설명하지만, 본 실시 형태에서도, 다층 반사막 부착 기판(20')은, 유리 기판(10) 상에, 상기 다층 반사막(21) 및 보호막을 차례대로 성막한 양태나, 유리 기판(10) 상에, 상기 하지층, 다층 반사막(21) 및 보호막을 이 순서로 성막한 양태를 포함하는 것으로 한다. 또, 기판 단부에서의 발진(發塵) 억제의 관점에서, 유리 기판(10) 상에 다층 반사막(21)을 성막할 때, 기판 외주 단부에서 안쪽으로 소정의 폭(예를 들면 수 ㎜ 정도)의 영역에는 다층 반사막(21)을 성막하지 않도록 할 수도 있다. 본 실시 형태에서는 이와 같은 양태도 포함하는 것으로 한다.
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 다층 반사막 부착 기판(20')에 전술의 제 1 기준 마크(22)를 형성한다. 앞에서도 설명한 바와 같이, 이 다층 반사막 부착 기판(20')에 형성하는 제 1 기준 마크(22)는, 이 다층 반사막 부착 기판으로부터 제작되는 반사형 마스크 블랭크의 얼라이먼트 영역 내에 형성되는 것이다. 제 1 기준 마크(22)에 대해서는 이미 상세히 설명했으므로, 여기에서는 중복된 설명은 생략한다.
여기에서는, 다층 반사막 부착 기판(20')의 다층 반사막(21) 상의 소정의 위치에, 예를 들면 미소압자에 의한 인덴테이션(펀치)을 이용하여, 예를 들면 전술의 도 3(a)에 나타내는 바와 같은 형상의 제 1 기준 마크(22)를 형성하고 있다(도 10(a) 참조).
제 1 실시 형태와 마찬가지로, 상기 제 1 기준 마크(22)를 형성하는 방법은 상술의 미소압자를 이용하는 방법에 한정되지는 않는다. 예를 들면 기준 마크의 단면 형상이 오목 형상인 경우, 집속 이온 빔, 포토리소법, 레이저광에 의한 오목부 형성, 다이아몬드 바늘을 주사한 가공흔, 임프린트법에 의한 엠보싱 등으로 형성할 수 있다.
또한, 제 1 기준 마크(22)의 단면 형상이 오목 형상인 경우, 결함 검사광에 의한 검출 정밀도를 향상시키는 관점에서, 오목 형상의 저부로부터 표면측을 향해 넓어지도록 형성된 단면 형상인 것이 바람직하다.
또, 상기 제 1 기준 마크(22)는, 전술과 같이, 다층 반사막 부착 기판(20')의 주표면 상의 패턴 형성 영역으로부터 외주 가장자리측의 영역의 임의의 위치에 형성되지만(도 7, 도 8, 도 9 참조), 이 경우, 에지 기준으로 제 1 기준 마크를 형성하거나, 또는 제 1 기준 마크를 형성 후, 좌표 계측기로 기준 마크 형성 위치를 특정해도 된다.
예를 들면, 제 1 기준 마크(22)를 집속 이온 빔(FIB)으로 가공하는 경우, 다층 반사막 부착 기판(20')의 에지는, 2차 전자상, 2차 이온상, 또는 광학상으로 인식할 수 있다. 또, 제 1 기준 마크(22)를 그 외의 방법(예를 들면 압흔)으로 가공하는 경우는, 광학상으로 인식할 수 있다. 예를 들면 다층 반사막 부착 기판(20')의 4변의 8개소의 에지 좌표를 확인하고, 틸트 보정하여, 원점(0,0) 찾기를 행한다. 이 경우의 원점은 임의로 설정 가능하고, 기판의 모서리부여도 중심이어도 된다. 이와 같이 에지 기준으로 설정한 원점으로부터의 소정의 위치에 FIB로 제 1 기준 마크(22)를 형성한다.
이와 같은 에지 기준으로 형성한 제 1 기준 마크(22)를 결함 검사 장치로 검출할 때, 기준 마크의 형성 위치 정보, 즉 에지로부터의 거리를 알고 있기 때문에, 기준 마크 형성 위치를 용이하게 특정하는 것이 가능하다.
또, 다층 반사막(21) 상의 임의의 위치에 제 1 기준 마크(22)를 형성한 후, 좌표 계측기로 기준 마크 형성 위치를 특정하는 방법을 적용할 수도 있다. 이 좌표 계측기는, 제 1 기준 마크의 형성 좌표를 에지 기준으로 계측하는 것이며, 예를 들면 고정밀도 패턴 위치 측정 장치(KLA-Tencor사 제조 LMS-IPRO4)를 사용할 수 있고, 특정한 기준 마크 형성 좌표가 기준 마크의 형성 위치 정보가 된다.
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 제 1 기준 마크(22)가 형성된 다층 반사막 부착 기판(20')에 대하여 결함 검사를 행한다. 즉, 다층 반사막 부착 기판(20')에 대하여, 결함 검사 장치에 의해, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하여 결함 검사를 행하고, 결함 검사에 의해 검출된 결함과 위치 정보를 취득하여, 제 1 기준 마크(22)를 포함한 결함 정보를 얻는다. 또, 이 경우의 결함 검사는, 적어도 패턴 형성 영역의 전면에 대하여 행한다. 다층 반사막 부착 기판(20')의 결함 검사 장치로는, 상기의, 예를 들면, 검사광원 파장이 266㎚인 레이저테크사 제조의 EUV 노광용 마스크·서브스트레이트/블랭크 결함 검사 장치 「MAGICS M7360」, 검사광원 파장이 193㎚인 KLA-Tencor사 제조의 EUV·마스크/블랭크 결함 검사 장치 「Teron600 시리즈, 예를 들면 Teron610」, 검사광원 파장을 노광광원 파장의 13.5㎚로 하는 ABI 장치 등을 바람직하게 이용할 수 있다. 특히, 미세 결함을 검출 가능한 상기 ABI 장치와 같은 결함 검사 장치를 이용하여 고정밀도의 결함 검사를 행하는 것이 적합하다.
다음으로, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')에 있어서의 상기 다층 반사막(21)(다층 반사막의 표면에 상기 보호막을 갖는 경우에는, 그 보호막) 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막(31)을 성막하여, 반사형 마스크 블랭크를 제작한다(도 10(b) 참조).
또한, 도시하고 있지 않지만, 유리 기판(10)의 다층 반사막 등이 형성되어 있는 측과는 반대측에 이면 도전막을 설치해도 된다.
본 실시 형태에 있어서는, 상술의 다층 반사막(21) 상에 흡수체막(31)을 성막할 때, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')의 주표면의 소정의 개소, 구체적으로는, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역에는 흡수체막(31)을 성막하지 않고, 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')을 형성한다(도 10(b) 참조). 이 얼라이먼트 영역(32')은, 다층 반사막(21)에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출되는 것과 같은 형상, 크기로 형성한다.
이 얼라이먼트 영역(32')을 형성하는 공정에서는, 상기 흡수체막(31)이 성막되지 않고 상기 다층 반사막(21)이 노출되도록 차폐 부재를 설치하여 흡수체막(31)을 성막한다. 예를 들면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 영역(32')을 형성하는 다층 반사막 부착 기판(20') 주표면의 소정의 개소에 있어서, 기판 주연부(周緣部)로부터 이격하여 차폐 부재(50)를 설치하고, 예를 들면 스퍼터링법에 의해 흡수체막(31)을 성막한다. 기판 주연부 근방에서, 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21) 상을 차폐 부재(50)가 덮도록 하므로, 차폐 부재(50)의 형상, 크기, 차폐 길이(d)에 대해서는, 형성하는 얼라이먼트 영역(32')의 형상, 크기 등을 고려하여 결정되면 된다. 또, 유리 기판(10) 주표면과 차폐 부재(50)와의 이격 거리(h)에 대해서도 적절히 조절하면 되지만, 통상은 9㎜ 정도로 하는 것이 적합하다.
이상의 성막 방법에 의한 얼라이먼트 영역 형성 공정에 의해, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역에는 흡수체막(31)이 성막되지 않고, 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성된다. 이 얼라이먼트 영역(32')을 제외한 다층 반사막 부착 기판(20') 상에는, 상기 흡수체막(31)이 성막되게 된다.
또한, 얼라이먼트 영역(32')의 형성 방법으로는, 예를 들면, 다층 반사막 부착 기판의 전면에 흡수체막을 성막해 두고, 얼라이먼트 영역으로 하는 영역의 흡수체막을 제거(박리)함으로써, 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역을 형성하는 방법도 생각할 수 있다. 그러나, 이 방법에서는, 얼라이먼트 영역의 흡수체막을 제거하는 것에 의한 기준 마크의 변형 등의 리스크가 있다. 또, 흡수체막을 제거할 때의 발진의 우려도 있다. 이에 대하여, 상술한 바와 같은 본 실시 형태에 있어서의 얼라이먼트 영역 형성 공정에 의하면, 다층 반사막 부착 기판(20')에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역에는 흡수체막(31)을 성막하지 않고, 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')을 형성하므로, 기준 마크의 변형 등의 리스크는 피할 수 있고, 상기의 발진의 문제도 발생하지 않는다.
흡수체막(31)에 대해서는 제 1 실시 형태와 완전히 같으므로 중복하는 설명은 생략한다.
다음으로, 상기 흡수체막(31)에 제 2 기준 마크(42)를 형성한다(도 10(c) 참조).
이 제 2 기준 마크(42)는, 상기 제 1 기준 마크(22)와의 상대 좌표 관리를 함에 있어서의 기준이 되는 것이며, 상기 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측의 근방의 흡수체막(31)에 형성된다. 도 7의 실시 형태에서는, 제 2 기준 마크(42)는, 구체적인 일례로서, 기판 코너의 제 1 기준 마크(22)의 근방으로서, 패턴 형성 영역의 코너의 외측 근방에 형성되어 있다. 제 2 기준 마크(42)에 대해서는 이미 상세히 설명했으므로, 여기에서는 중복된 설명은 생략한다.
이 제 2 기준 마크(42)를 형성하기 위해, 그 영역에 상당하는 흡수체막(31)을 제거하는 방법으로는, 예를 들면 집속 이온 빔을 적용하는 것이 적합하다. 또, 포토리소법을 적용할 수도 있다. 이 경우에는, 흡수체막(31) 상에, 소정의 레지스트 패턴(제 2 기준 마크에 대응하는 영역에 레지스트가 형성되어 있지 않은 패턴)을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 제 2 기준 마크에 상당하는 영역이 노출하는 흡수체막에 대하여 드라이 에칭을 행하고, 그 영역에 상당하는 흡수체막(31)을 제거하여 제 2 기준 마크(42)를 형성한다. 이 경우의 에칭 가스로는, 흡수체막(31)의 패터닝 시에 사용하는 것과 같은 에칭 가스를 이용하면 된다.
이상과 같이 하여, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막(31)을 성막하지 않고, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32') 및 제 2 기준 마크(42)가 형성된 반사형 마스크 블랭크(30')를 제작한다(도 10(c) 참조).
다음으로, 이상과 같이 하여 제작한 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 얼라이먼트 영역(32')과 제 2 기준 마크(42)에 대하여, 결함 검사 장치를 이용하여 검사를 행한다. 이 경우에, 전술의 다층 반사막 상의 결함 검사를 행한 검사 장치와 마찬가지의 검사광을 이용하여 검사를 행하는 것이 적합하다. 이것은, 양자의 검사 장치에 의한 좌표 정밀도를 일치시킬 수 있기 때문이다.
이 경우, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 상기의 얼라이먼트 영역(32') 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 검사하고, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하는 제 1 기준 마크(22)의 위치 좌표를 검출한다. 그 후, 전술의 결함 검사에 의해 얻어진 다층 반사막 부착 기판(20')의 결함 정보에 의거하여, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)를 작성하고, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 제 1 기준 마크(22)의 좌표를 이용하여, 상기 결함 정보(제 1 결함 맵)를 제 2 기준 마크를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)로 변환한다. 이 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)는, 전술의 ABI 장치와 같은 미세 결함을 고정밀도로 검출 가능한 결함 검사 장치를 이용하여 검사를 행하는 것이 적합하다.
또한, 이와 같은 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 얼라이먼트 영역(32')과 제 2 기준 마크(42)에 대하여, 결함 검사 장치를 이용하는 대신, 전술의 좌표 계측기로 검사를 행하고, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하는 제 1 기준 마크(22)의 위치 좌표를 검출하도록 해도 된다.
이와 같은 본 실시 형태에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크(30')에 있어서는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있기 때문에, 이 얼라이먼트 영역(32')을 이용하여 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 즉, 이 얼라이먼트 영역(32')을 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있다. 그 결과, 상기 제 1 기준 마크(22)를 기준으로 한 결함 정보(제 1 결함 맵)로부터, 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보(제 2 결함 맵)를 얻는 것이 가능해진다. 흡수체막(31)은 다층 반사막(21) 상에 형성되기 때문에, 다층 반사막(21)의 결함은 흡수체막(31)에도 반영되므로, 얼라이먼트 영역(32')을 통해 상기 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 하여 다층 반사막(21) 상의 결함을 고정밀도로 관리할 수 있게 된다. 반사형 마스크 블랭크(30)의 결함 관리를 행하는 경우, 특히 상기의 ABI 장치를 이용함으로써 미세 결함이라도 고정밀도로 검출할 수 있고, 게다가 정밀도가 좋은 결함 정보를 얻는 것이 가능하다. 또, 본 실시 형태에 의하면, 상기 얼라이먼트 영역(32')의 형성에 기인하는 제 1 기준 마크(22)의 변형은 일어나지 않기 때문에, 제 1 기준 마크(22)를 이용한 얼라이먼트 오차는 발생하지 않는다.
또, 반사형 마스크 블랭크(30') 표면의 결함 검사에 대해서는, 행하지 않아도 되지만, 보다 고정밀도의 결함 관리를 행하기 위해, 전면 검사나 검사 시간을 단축한 부분 검사를 행하는 것도 가능하다.
상술의 제 2, 제 3 실시 형태에서는, 상기 얼라이먼트 영역(32') 내에, 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크(22)가 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크에 대해서 설명했다. 그러나, 앞에서도 설명한 바와 같이, 상기 얼라이먼트 영역(32') 내에, 결함 검사 장치의 검사광으로 얼라이먼트 가능한 실결함이 존재하고 있으면, 상기 제 1 기준 마크(22)는 이와 같은 실결함이어도 되고, 얼라이먼트 영역(32')을 검사했을 때에, 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 실결함의 좌표를 검출하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크(30')는, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되어 있다. 이 때문에, 반사형 마스크 블랭크(30')의 결함 관리는, 이 얼라이먼트 영역(32')을 이용하여, 구체적으로는, 이 얼라이먼트 영역(32') 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 이용하여, 고정밀도의 결함 관리를 행하는 것이 가능하다. 그 결과, 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득할 수 있다. 또, 이 얼라이먼트 영역(32')과 제 2 기준 마크(42)를 이용하여, 상기 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)와의 상대 좌표의 관리를 행할 수 있다.
또, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')에는, 상기 흡수체막(31) 상에, 하드 마스크막(에칭 마스크막이라고도 한다.)을 형성한 양태도 포함된다. 하드 마스크막은, 흡수체막(31)을 패터닝할 때에 마스크 기능을 갖는 것이며, 흡수체막(31)의 최상층의 재료와 에칭 선택성이 다른 재료에 의해 구성한다. 하드 마스크막의 재료는 제 1 실시 형태에서 설명한 바와 같다.
또, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')는, 흡수체막을, 서로 에칭 선택성이 다른 재료로 이루어지는 최상층과 그 이외의 층과의 적층막으로 구성하고, 최상층이 그 이외의 층에 대한 하드 마스크막으로서 기능을 갖도록 한 구성으로 할 수도 있다.
이상과 같이, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')에 있어서의 흡수체막(31)은, 단층막에는 한정되지 않고, 동일 재료의 적층막, 이종 재료의 적층막으로 구성할 수 있고, 나아가서는, 상기와 같은 적층막 또는 단층막의 흡수체막과 하드 마스크막과의 적층막의 구성으로 할 수 있다.
또, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크 블랭크(30')에는, 상기 흡수체막(31) 상에 레지스트막을 형성한 양태도 포함된다. 이와 같은 레지스트막은, 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 흡수체막을 포토리소법에 의해 패터닝할 때에 이용된다.
또, 흡수체막(31) 상에 상기 하드 마스크막을 개재하여 또는 개재하지 않고 레지스트막을 설치한 경우, 제 2 기준 마크(42)의 형상은, 레지스트막에 전사되게 된다. 그리고, 레지스트막에 전사된 제 2 기준 마크(42)는, 전자선 묘화 장치에 의한 전자선 주사에 대하여 콘트라스트를 갖고, 전자선으로 검출할 수 있다. 이때, 제 1 기준 마크(22)와 제 2 기준 마크(42)로 상대 좌표의 관리를 행하고 있으므로, 제 2 기준 마크(42)보다도 상대적으로 작은 제 1 기준 마크(22)의 형상이 레지스트막에 전사되지 않아도 고정밀도의 묘화가 가능해진다.
또한, 전자선 주사에 대한 콘트라스트를 더 향상시키기 위해, 제 2 기준 마크(42)를 포함하는 영역의 위에 레지스트막을 형성하지 않거나, 또는 제 2 기준 마크(42)를 포함하는 영역의 위의 레지스트막을 제거하는 구성으로 해도 된다.
[제 2, 제 3 실시 형태에 관한 반사형 마스크]
본 발명은, 상기 도 7의 구성의 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막이 패터닝된 반사형 마스크 및 그 제조 방법에 대해서도 제공하는 것이다. 이 설명은, 제 3 실시 형태에도 적용될 수 있다.
즉, 상술의 반사형 마스크 블랭크(30') 상에 전자선 묘화용 레지스트를 도포하고, 베이킹함으로써 레지스트막을 형성한다. 이어서, 전자선 묘화 장치를 이용하여 레지스트막을 묘화, 현상하여, 레지스트막에, 전사 패턴에 대응한 레지스트 패턴을 형성한다. 그 후, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 흡수체막(31)을 패터닝하여 흡수체막 패턴(31a)을 형성함으로써 반사형 마스크(40')가 제작된다(도 10(d) 참조).
본 실시 형태에 있어서는, 예를 들면 상술한 반사형 마스크 블랭크(30')에 있어서의 제 2 기준 마크(42)를 기준으로 한 결함 정보에 의거하여 묘화 패턴을 수정하여, 흡수체막(31)을 패터닝할 수 있다.
반사형 마스크 블랭크(30')에 있어서의 전사 패턴이 되는 상기 흡수체막(31)을 패터닝하는 방법은, 상기와 같은 포토리소법이 가장 적합하다. 또한, 상술의 하드 마스크막을 포함하는 구성의 반사형 마스크 블랭크를 이용하여 반사형 마스크를 제조하는 경우, 하드 마스크막은 최종적으로는 제거해도 되지만, 잔존하고 있어도 반사형 마스크로서의 기능에 영향이 없으면, 특별히 제거하지 않지 않아도 된다.
이상과 같이 하여 얻어지는 상기 반사형 마스크(40')는, 기판(10) 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막(21)과, 해당 다층 반사막(21) 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴(31a)이 적어도 형성되어 있고, 이 반사형 마스크(40') 주표면 상의 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 흡수체막(31)이 성막되지 않고 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역의 다층 반사막(21)이 노출된 얼라이먼트 영역(32')이 형성되고, 또한, 얼라이먼트 영역(32')의 패턴 형성 영역측 근방에 제 2 기준 마크(42)가 형성되어 있다.
제 2, 제 3 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 다층 반사막에 있어서의 결함 위치 정보를 포함하는 정밀도가 좋은 결함 정보를 취득하여, 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 고정밀로 행할 수 있다. 이 때문에, 마스크의 제조에 있어서는, 이 결함 정보에 의거하여, 미리 설계해 둔 묘화 데이터(마스크 패턴 데이터)와 대조하여, 결함에 의한 영향이 저감하도록 묘화 데이터를 높은 정밀도로 수정(보정)하는 것이 가능해진다. 그 결과로서, 최종적으로 제조되는 상기 반사형 마스크(40')에 있어서 결함을 저감시킨 것이 얻어진다.
또한, 상술의 반사형 마스크(40')를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 결함이 적은 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해, 본 발명의 제 2, 제 3 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다.
(실시예 2)
양면 연마 장치를 이용하여, 산화 세륨 지립이나 콜로이달 실리카 지립에 의해 단계적으로 연마하고, 저농도의 규불산으로 기판 표면을 표면 처리한 SiO2-TiO2계의 유리 기판(크기가 약 152.0㎜×약 152.0㎜, 두께가 약 6.35㎜)을 준비했다. 얻어진 유리 기판의 표면 거칠기는, 제곱 평균 평방근 거칠기(Rq)로 0.25㎚였다. 또한, 표면 거칠기는 원자간력 현미경(AFM)으로 측정하고, 측정 영역은 1㎛×1㎛로 했다.
다음으로, 유리 기판의 주표면에, 이온 빔 스퍼터링 장치를 이용하여, Si 막(막두께: 4.2㎚)과 Mo 막(막두께: 2.8㎚)을 1주기로 하여, 40주기 적층하고, 마지막에 Si 막(막두께: 4㎚)을 형성하고, 추가로 그 위에, Ru로 이루어지는 보호막(막두께: 2.5㎚)을 성막하여, 다층 반사막 부착 기판을 얻었다.
다음으로, 상기 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막 표면의 소정의 개소(전술의 도 8에 나타내는 위치)에 이하의 표면 형상이고 단면 형상이 오목 형상인 제 1 기준 마크를 형성했다. 제 1 기준 마크의 형성은 미소압자에 의한 인덴테이션(펀치)에 의해 행하였다. 구체적으로는, 미소압자를 다층 반사막에 소정의 압력으로 꽉 누름으로써, 제 1 기준 마크를 형성했다. 제 1 기준 마크의 형성 후, 세정을 행하였다.
본 실시예 2에서는, 제 1 기준 마크로서, 전술의 도 3(a)에 나타내는 형상으로 하고, 크기가 직경 500㎚인 원형, 깊이는 60㎚로 했다.
다음으로, 다층 반사막 부착 기판 표면을 전술의 ABI 장치로, 상기 제 1 기준 마크를 포함하여 결함 검사를 행하였다. 이 결함 검사에서는, 볼록, 오목의 결함 위치 정보와, 결함 사이즈 정보를 취득하여, 제 1 기준 마크를 포함한 결함 정보를 얻었다.
또, 이 다층 반사막 부착 기판의 보호막 표면의 반사율을, EUV 반사율계에 의해 평가한바, 64％±0.2％로 양호했다.
다음으로, DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 보호막 상에, TaBN 막(막두께: 56㎚)과 TaBO 막(막두께: 14㎚)의 적층막으로 이루어지는 흡수체막을 성막하고, 또, 다층 반사막 부착 기판의 이면에 CrN 도전막(막두께: 20㎚)을 성막하여 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
또한, 상술의 흡수체막(31)을 성막할 때, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')의 주표면의 소정의 개소, 구체적으로는, 상기 다층 반사막 부착 기판(20')에 형성된 상기 제 1 기준 마크(22)를 포함하는 영역에는 흡수체막(31)이 성막되지 않도록 하기 위해, 도 11에서 설명한 바와 같이 기판 주연부에 이격하여 차폐 부재를 설치하고, 흡수체막(31)을 성막했다. 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막 상을 차폐 부재로 덮도록 하기 위해, 차폐 부재의 형상, 크기, 차폐 길이(d)에 대해서는, 형성하는 얼라이먼트 영역의 형상, 크기 등을 고려하여 결정했다. 본 실시예 2에서는 도 11에서 설명한 형상, 크기와 마찬가지로 했다. 또, 유리 기판 주표면과 차폐 부재와의 이격 거리(h)에 대해서도 적절히 조절했다.
이상의 방법에 의해, 상기 제 1 기준 마크를 포함하는 영역에는 흡수체막이 성막되지 않고, 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 이 얼라이먼트 영역을 제외한 다층 반사막 부착 기판 상에는, 상기 흡수체막이 성막되었다. 또한, 얼라이먼트 영역 내에 형성되어 있는 제 1 기준 마크의 변형 등은 생기지 않았다.
다음으로, 상기 반사형 마스크 블랭크의 표면의 소정의 개소(전술의 도 7에 나타내는 위치)에, 제 2 기준 마크를 형성했다. 제 2 기준 마크로서, 전술의 도 4(a)에 나타내는 십자 형상이 되도록 형성했다. 제 2 기준 마크는, 크기가 폭 5㎛이고 길이가 550㎛인 십자 형상, 깊이는 흡수체막을 모두 제거했으므로, 약 70㎚로 했다.
상기 제 2 기준 마크를 형성하기 위해, 집속 이온 빔을 이용했다. 이때의 조건은 가속 전압 50kV, 빔 전류치 20pA로 했다. 제 2 기준 마크의 형성 후, 세정을 행하였다. 이와 같이 하여, 제 2 기준 마크가 형성된 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
얻어진 반사형 마스크 블랭크에 대해서, 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사와 마찬가지의 전술의 ABI 장치로 얼라이먼트 영역 내의 제 1 기준 마크와 제 2 기준 마크의 검사를 행하였다. 이때, 제 2 기준 마크를 기준으로 제 1 기준 마크를 검사하여, 제 2 기준 마크를 기준으로 하는 제 1 기준 마크의 위치 좌표를 검출했다. 얼라이먼트 영역에서는 다층 반사막이 노출되어 있기 때문에, ABI 장치로 얼라이먼트 영역 내의 제 1 기준 마크를 정밀도 좋게 검출할 수 있었다. 제 2 기준 마크와 제 1 기준 마크의 상대 좌표의 관리를 행함으로써, 다층 반사막 상의 결함을 제 2 기준 마크 기준으로, 고정밀도로 관리할 수 있다.
이렇게 하여, 제 2 기준 마크를 기준으로 한 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻었다.
또한, 제 2 기준 마크를 좌표 측정기(KLA-Tencor사 제조 LMS-IPRO4)로 계측함으로써, 전자선 묘화 공정의 기준 좌표로 변환하는 보정을 행하였다.
다음으로, 이 결함 정보를 취득한 EUV 반사형 마스크 블랭크를 이용하여, EUV 반사형 마스크를 제작했다.
우선, EUV 반사형 마스크 블랭크 상에 전자선 묘화용 레지스트를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 베이킹하여 레지스트막을 형성했다.
그때, 제 2 기준 마크에 의거하여 얼라이먼트를 행하였다. 그리고, EUV 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보에 의거하여, 미리 설계해 둔 마스크 패턴 데이터와 대조하여, 노광 장치를 이용한 패턴 전사에 영향이 없는 마스크 패턴 데이터로 수정하거나, 패턴 전사에 영향이 있다고 판단한 경우에는, 예를 들면 결함을 패턴 아래에 숨기도록 수정 패턴 데이터를 추가한 마스크 패턴 데이터로 수정하거나 하여, 상술의 레지스트막에 대하여 전자선에 의해 마스크 패턴을 묘화, 현상하여, 레지스트 패턴을 형성했다. 본 실시예 2에서는, 정밀도가 높은 결함 위치 정보를 포함하는 결함 정보가 얻어지고 있었기 때문에, 마스크 패턴 데이터의 수정을 고정밀도로 행할 수 있었다.
이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 흡수체막에 대하여 불소계 가스(CF4 가스)에 의해 TaBO 막을, 염소계 가스(Cl2 가스)에 의해 TaBN 막을 에칭 제거하여, 보호막 상에 흡수체막 패턴을 형성했다.
또한, 흡수체막 패턴 상에 남은 레지스트 패턴을 열 황산으로 제거하여, EUV 반사형 마스크를 얻었다.
이렇게 하여 얻어진 반사형 마스크를 노광 장치에 세트하고, 레지스트막을 형성한 반도체 기판 상에 패턴 전사를 행한바, 반사형 마스크 기인의 전사 패턴의 결함도 없고, 양호한 패턴 전사를 행할 수 있었다.
(참고예 2)
상기 실시예 2에 있어서, 제 1 기준 마크를 형성한 다층 반사막 부착 기판 상에 상기 흡수체막을 형성할 때, 전면에 흡수체막을 성막하여, 상술의 얼라이먼트 영역은 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 반사형 마스크 블랭크를 제작했다.
실시예 2와 마찬가지로, ABI 장치로 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사를 행하여, 결함 위치 정보, 결함 사이즈 정보를 취득했다. 또, 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 흡수체막 상의 영역에 대하여 ABI 장치로 검사한바, 다층 반사막에 형성된 제 1 기준 마크는, EUV광에서의 콘트라스트가 낮아, 정밀도 좋게 검출할 수 없었다. 이 때문에, 취득한 결함 좌표의 정밀도가 나빠, 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻는 것이 곤란했다.
다음으로, 실시예 2와 마찬가지로 하여, 이 EUV 반사형 마스크 블랭크를 이용하여, EUV 반사형 마스크를 제작했다.
얻어진 EUV 반사형 마스크를 노광 장치에 세트하고, 레지스트막을 형성한 반도체 기판 상에의 패턴 전사를 행한바, 반사형 마스크 기인의 전사 패턴 결함이 보였다. 이 원인은, 상기와 같이, 제 1 기준 마크의 결함 좌표의 정밀도가 나빠, 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보를 얻는 것이 곤란했기 때문에, 패턴 묘화 공정에서, EUV 반사형 마스크 블랭크의 결함 정보에 의거하는 마스크 패턴 데이터의 수정을 높은 정밀도로 행할 수 없고, 다층 반사막 상의 결함을 정밀도 좋게 흡수체막 패턴 아래에 숨길 수 없었던 것에 따른 것이라고 생각된다.
또한, 실시예 1과 마찬가지로, 실시예 2에서도, 제 1 기준 마크를 미소압자에 의한 인덴테이션에 의해 형성한 예를 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 앞에서도 설명한 바와 같이, 이 방법 이외에도, 집속 이온 빔, 포토리소법, 레이저광 등에 의한 오목부 형성, 다이아몬드 바늘을 주사한 가공흔, 임프린트법에 의한 엠보싱 등으로 형성할 수 있다. 또, 실시예 2에서도, 얼라이먼트 영역에 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 예를 들어 설명했지만, 얼라이먼트 영역에 존재하는 실결함이어도 된다.
10 : 유리 기판 20, 20' : 다층 반사막 부착 기판
21 : 다층 반사막 22 : 제 1 기준 마크
30, 30' : 반사형 마스크 블랭크 31 : 흡수체막
32, 32', 33 : 얼라이먼트 영역 40, 40' : 반사형 마스크
42 : 제 2 기준 마크 42a : 메인 마크
42b, 42c, 42d, 42e : 보조 마크 50 : 차폐 부재

Claims (23)

  1. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과,
    상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과,
    상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하는 공정과,
    패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 제거하여, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정과,
    상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 얼라이먼트 영역 내에 형성된 제 1 기준 마크를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 흡수체막에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크를 형성하는 공정을 구비하고,
    상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표를 검출하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 정보를 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 변환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표의 검출은, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사는, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  6. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크로서,
    패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 영역 내에 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것으로서 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크 또는 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 제조 방법.
  10. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크로서,
    패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것을 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 영역 내에 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 것으로서 제 1 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 흡수체막 패턴에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  13. 상기 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 반사형 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
    상기 기판 상에, 상기 다층 반사막을 성막하여 다층 반사막 부착 기판을 형성하는 공정과,
    상기 다층 반사막 부착 기판에 대하여 결함 검사를 행하는 공정과,
    상기 다층 반사막 부착 기판의 상기 다층 반사막 상에, 상기 흡수체막을 성막하여 반사형 마스크 블랭크를 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 흡수체막의 성막은, 패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 흡수체막을 성막하지 않고, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역을 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 제조 방법은 추가로,
    상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에, 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크를 형성하는 공정과,
    상기 얼라이먼트 영역을 이용하여 상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 얼라이먼트 영역을 형성하는 공정에 있어서, 상기 흡수체막이 성막되지 않고 상기 다층 반사막이 노출하도록 차폐 부재를 설치하여 상기 흡수체막을 성막하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 얼라이먼트 영역 내에 형성된 상기 제 1 기준 마크를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사형 마스크 블랭크의 결함 관리는, 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표를 검출하여, 상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 정보를 상기 제 2 기준 마크를 기준으로 변환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 기준 마크를 기준으로 한 상기 제 1 기준 마크의 좌표의 검출은, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  19. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다층 반사막 부착 기판의 결함 검사는, 100㎚보다도 짧은 파장의 검사광을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
  20. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크로서,
    패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 또한,
    상기 흡수체막에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.
  21. 제 14 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 의해 얻어지는 반사형 마스크 블랭크 또는 제 20 항에 기재된 반사형 마스크 블랭크에 있어서의 상기 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 제조 방법.
  22. 기판 상에, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에, EUV광을 흡수하는 흡수체막 패턴이 적어도 형성되어 있는 반사형 마스크로서,
    패턴 형성 영역의 외주 가장자리 영역에, 상기 다층 반사막 상의 결함 정보의 기준이 되는 제 1 기준 마크를 포함하는 영역의 상기 다층 반사막이 노출된 얼라이먼트 영역이 형성되고, 또한,
    상기 흡수체막 패턴에 있어서의 상기 얼라이먼트 영역의 패턴 형성 영역측 근방에 상기 제 1 기준 마크의 기준이 되는 제 2 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크.
  23. 제 22 항에 기재된 반사형 마스크를 이용하여, 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사 패턴을 노광 전사함으로써, 반도체 장치를 제조하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210031834A (ko) * 2019-09-13 2021-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684225B (zh) * 2015-08-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 自定向計量和圖樣分類
WO2019078205A1 (ja) * 2017-10-17 2019-04-25 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
DE102017219217B4 (de) * 2017-10-26 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
TWI739376B (zh) * 2019-12-13 2021-09-11 南臺學校財團法人南臺科技大學 光罩之保護膜的檢測方法及檢測系統
US20220308438A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Hoya Corporation Method for manufacturing multilayered-reflective-film-provided substrate, reflective mask blank and method for manufacturing the same, and method for manufacturing reflective mask

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129914A1 (ja) 2007-04-17 2008-10-30 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖマスクブランク
JP2013131728A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
JP2013219339A (ja) * 2012-03-12 2013-10-24 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法
JP2013222811A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Lasertec Corp Ｅｕｖマスクブランクス、マスクの製造方法、及びアライメント方法
JP2014099462A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
US20140302429A1 (en) * 2011-02-10 2014-10-09 Hoya Corporation Multilayer reflective film formed substrate, reflective mask blank, mask blank, methods of manufacturing the same, reflective mask, and mask
JP2015090421A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 Hoya株式会社 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法
WO2015146140A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170948A (ja) * 2002-10-30 2004-06-17 Nikon Corp パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法
US7495307B2 (en) 2003-11-20 2009-02-24 Ideal Star Inc. Columnar electric device
JP2009251412A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
KR101678228B1 (ko) * 2008-05-09 2016-11-21 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
WO2014104276A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法
KR102219307B1 (ko) 2013-02-22 2021-02-23 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크블랭크의 제조방법, 및 반사형 마스크의 제조방법
KR101877896B1 (ko) * 2013-09-27 2018-07-12 호야 가부시키가이샤 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조방법
WO2015141230A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置
SG11201710317RA (en) * 2015-06-17 2018-01-30 Hoya Corp Substrate with electrically conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129914A1 (ja) 2007-04-17 2008-10-30 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖマスクブランク
US20140302429A1 (en) * 2011-02-10 2014-10-09 Hoya Corporation Multilayer reflective film formed substrate, reflective mask blank, mask blank, methods of manufacturing the same, reflective mask, and mask
JP2013131728A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
JP2013219339A (ja) * 2012-03-12 2013-10-24 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法
JP2013222811A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Lasertec Corp Ｅｕｖマスクブランクス、マスクの製造方法、及びアライメント方法
JP2014099462A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
JP2015090421A (ja) * 2013-11-06 2015-05-11 Hoya株式会社 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法
WO2015146140A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210031834A (ko) * 2019-09-13 2021-03-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법

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