KR20210031834A - 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
[해결 수단] 기판의 하나의 주 표면 위에, 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성되고, 다른 주 표면측에 좌표 기준 마크가 형성된 반사형 마스크 블랭크.
[효과] 본 발명에 의하면, 기판 상에 다층 반사막을 형성한 후, 게다가, 다층 반사막 상에 흡수체막을 형성한 후에도, 반사형 마스크 블랭크로 제조되는 반사형 마스크에 있어서 영향이 있는 위상 결함 등의 결함에 대해서, 다층 반사막 중 결함의 위치, 특히, 보다 미세한 결함이어도, 이들 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
[효과] 본 발명에 의하면, 기판 상에 다층 반사막을 형성한 후, 게다가, 다층 반사막 상에 흡수체막을 형성한 후에도, 반사형 마스크 블랭크로 제조되는 반사형 마스크에 있어서 영향이 있는 위상 결함 등의 결함에 대해서, 다층 반사막 중 결함의 위치, 특히, 보다 미세한 결함이어도, 이들 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
Description
본 발명은 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 특히, 위상 결함이 저감된 반사형 마스크를 제조하기에 바람직한 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 반사형 마스크 블랭크를 이용하여 위상 결함이 저감된 반사형 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스(반도체 장치)의 제조 공정에서는, 전사용 마스크에 노광 광을 조사하고, 마스크에 형성되어 있는 회로 패턴을, 축소 광학계를 거쳐서 반도체 기판(반도체 웨이퍼) 상에 전사하는 포토리소그래피 기술이 이용된다. 현 시점에서는 노광 광의 파장은 불화아르곤(ArF) 엑시머 레이저 광을 이용한 193㎚가 주류로 되어 있고, 노광 프로세스나 가공 프로세스를 복수 회 조합한 멀티 패터닝이라고 하는 프로세스를 채용하는 것에 의해, 최종적으로는 노광 파장보다 작은 치수의 패턴을 형성할 수 있다.
그러나, 새로운 미세 패턴의 형성이 필요하게 되어 오고 있으므로, 노광 광으로서 ArF 엑시머 레이저 광보다 더욱 파장이 짧은 극단 자외(Extreme Ultraviolet; 이하 「EUV」라고 칭함)광을 이용한 EUV 리소그래피 기술이 유망시되고 있다. EUV 광이란, 파장이 0.2㎚ 내지 100㎚ 정도인 광이며, 보다 구체적으로는, 파장이 13.5㎚ 정도인 광이다. 이 EUV 광은 물질에 대한 투과성이 극히 낮고, 종래의 투과형의 투영 광학계나 마스크를 사용할 수 없으므로, 반사형의 광학 소자가 이용된다. 그 때문에, 패턴 전사용의 마스크도 반사형 마스크가 제안되고 있다. 반사형 마스크는, 기판 상에 EUV 광을 반사하는 다층 반사막이 형성되고, 다층 반사막 위에 EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 패턴 형상으로 형성된 것이다. 한편, 흡수체막으로 패터닝하기 전의 상태의 것이 반사형 마스크 블랭크라고 불리고, 이것이 반사형 마스크의 소재로서 이용된다.
반사형 마스크의 제조 과정에 있어서는, 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 에칭 가공함으로써 패턴을 형성한 후, 통상, 패턴을 검사하여, 결함이 발견된 경우에는 결함을 수정한다. 그러나, 반사형 마스크의 경우, 흡수체막이나 흡수체 패턴에 유래하는 결함 이외에, 다층 반사막의 구조의 혼란에 기인하여 반사율이 저하하는, 이른바 위상 결함이라 불리는 결함이 존재하는 경우가 있다. 그리고, 흡수체 패턴을 형성한 후에, 다층 반사막의 위상 결함을 직접적으로 수정하는 것은 극히 곤란하다.
이러한 상황으로부터, 반사형 마스크 블랭크의 위상 결함을 검출하는 기술에 대한 많은 검토가 이루어져 왔다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제 2003-114200 호 공보(특허문헌 1)에는, EUV 광을 이용하여 다층 반사막 내부의 위상 결함을 검출하는 방법으로서, 암시야 검사상을 이용하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제 평6-349715 호 공보(특허문헌 2)에는, EUV 광을 이용하여 다층 반사막 내부의 위상 결함을 검출하는 방법으로서, X선 현미경법에 있어서 명시야를 이용하는 기술이 개시되어 있다. 이들은, 다층 반사막의 위상 결함을 정밀하게 검출하는 방법이며, 특히, 일본 특허 공개 제 2003-114200 호 공보(특허문헌 1)에 기재되어 있는 EUV 광을 이용한 암시야 검출법으로는, 다층 반사막을 갖는 반사형 마스크 블랭크에 고유로 되는 위상 결함을, 휘점 신호로서 높은 감도로 검출할 수 있다. 따라서, 다층 반사막을 형성한 후에 위상 결함의 유무를 식별하는 극히 유효한 수법이다.
한편, 반사형 마스크 블랭크에 위상 결함이 잔존하여 있어도, 반사형 마스크를 제조하는 단계에서 최종적으로 위상 결함의 저감을 실현하는 방법으로서, 예를 들면, 일본 특허 공표 제 2002-532738 호 공보(특허문헌 3)에는, 위상 결함이 존재하는 반사형 마스크 블랭크로부터, 위상 결함을 수정하지 않고 흡수체 패턴을 형성한 경우, 흡수체 패턴의 윤곽을 수정하여, 노광 장치로 패턴을 전사했을 때의 투 영상을 개선하는 기술이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 흡수체 패턴을 형성한 후에, 흡수체 패턴의 좌표를 기준으로 하여, 다층 반사막의 위상 결함의 위치를 정확하게 취득할 필요가 있지만, 위상 결함의 위치를 패턴 형성 후에 특정하는 것은 매우 곤란하다.
또한, 국제 공개 제 2014/129527 호(특허문헌 4)에는, 흡수체막에 기준 마크를 형성하는 동시에, 다층 반사막의 위상 결함의 위치를 그 위의 흡수체막의 표면의 요철의 위치로서 파악하여, 기준 마크에 대한 결함 위치 정보로 변환하고, 게다가, 결함 위치 정보에 근거하여 흡수체막의 패터닝을 위한 묘화 데이터의 수정을 실행하는 것에 의해, 위상 결함의 위치를 피해서 흡수체막의 패터닝을 실행하는 기술이 개시되어 있다. 이 방법은, 다층 반사막에 기준 마크를 새겨넣을 필요가 없으므로, 기준 마크를 형성할 때의 파티클 발생 등의 리스크를 저감할 수 있다. 그러나, 위상 결함 중에는, 반사율을 저하시키는 다층 반사막의 구조의 혼란이 다층 반사막의 표면의 요철로 나타나기 어려운 것이 있고, 흡수체막의 검사에 있어서, 모든 위상 결함의 위치 정보를 정확하게 얻는 것이 곤란하다. 그 때문에, 이 방법에 의해 얻은 반사형 마스크 블랭크에서는, 영향이 있는 모든 위상 결함을 피해서 흡수체 패턴을 묘화할 수 없고, 위상 결함을 높은 정밀도로 피해서, 흡수체 패턴을 형성할 수 없다.
위상 결함을 검출하여, 보다 고정밀도로 위상 결함을 회피하기 위한 수단으로서, 예를 들면, 오목 형상 또는 볼록 형상의 마크를 기판에 마련하여 이를, 좌표를 정하기 위한 기준 마크로 하는 방법이 생각된다. 이와 같이 하면, 기판에 형성된 기준 마크 위에, 다층 반사막을 형성하고, 그 후의 위상 결함의 검사에 있어서, 기준 마크에 근거하여 다층 반사막 중 위상 결함의 위치를 특정할 수 있고, 게다가, 기준 마크 상의 다층 반사막 위에 흡수체막을 형성하고, 기준 마크에 근거하여 특정된 다층 반사막의 위상 결함의 위치를 참조하여, 흡수체 패턴을 형성하기 위한 패턴 묘화 위치를 결정하면, 동일한 기준 마크를 이용하여 위상 결함을 피해서 흡수체 패턴을 형성할 수 있다.
그러나, 기준 마크 위에, 다층 반사막을 구성하는 층이 적층되고, 게다가, 흡수체막이 적층되면, 막 전체의 두께는 통상, 300㎚를 넘고, 막에 깊게 파묻힌 기준 마크로는, 위치의 특정에 있어서, 높은 정밀도를 기대할 수 없다. 한편, 다층 반사막을 형성한 후, 흡수체막을 형성하기 전에, 다층 반사막에 기준 마크를 새겨넣어서 형성하는 것도 생각되지만, 다층 반사막의 형성과 흡수체막의 형성은, 연속하여 실행하는 것이 바람직하고, 특히, 이 시점에 기준 마크를 다층 반사막에 새겨넣어서 형성하면, 얻어지는 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 파티클 결함의 발생 리스크를 높이게 된다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 기판 상에 다층 반사막을 형성한 후, 게다가, 다층 반사막 상에 흡수체막을 형성한 후에도, 반사형 마스크 블랭크로 제조되는 반사형 마스크에 있어서 영향이 있는 위상 결함 등의 결함에 대해서, 다층 반사막 중 결함의 위치, 특히, 보다 미세한 결함에 있어서도, 이들의 위치를 정확하게 파악할 수 있고, 결함을 높은 정밀도로 피해서, 다층 반사막의 결함의 영향을 저감할 수 있는 흡수체 패턴을 효율적으로 형성할 수 있는 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법을 제공하는 것, 게다가, 이러한 반사형 마스크 블랭크로부터, 결함을 높은 정밀도로 피해서, 다층 반사막의 결함의 영향을 저감하여, 흡수체 패턴을 효율적으로 형성하는 반사형 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 기판의 하나의 주 표면 위에, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 형성되고, 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성된 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 다른 주 표면측, 특히, 도전막에 좌표 기준 마크를 형성하는 것에 의해, 좌표 기준 마크가 기판의 하나의 주 표면측에 형성되는 두꺼운 막에 파묻히지 않고, 다층 반사막의 위상 결함 등의 결함의 위치를, 높은 정밀도로 특정할 수 있는 것을 발견하였다.
또한, 기판의 다른 주 표면측에, 좌표 기준 마크가 형성된 반사형 마스크 블랭크를 제조할 때, 다층 반사막 및 보호막을 형성한 단계에서, 일단, 다층 반사막 및 보호막의 결함을 검사하고, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서 기록 매체에 보존하고, 그 후, 상기 흡수체막을 형성하여, 흡수체막의 결함을 검사하고, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서 기록 매체에 보존하면, 기록 매체에 보존된 정보로부터, 결함의 위치를 정확하게 파악할 수 있고, 게다가, 기록 매체에 보존된 결함의 위치 정보에 근거하여, 반사형 마스크 블랭크로부터, 위상 결함 등의 결함을 높은 정밀도로 피해서, 다층 반사막의 결함의 영향을 저감할 수 있는 흡수체 패턴을 효율적으로 형성하여, 반사형 마스크를 얻을 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 이하의 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법을 제공한다.
1. 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 있어서,
(A1) 상기 다른 주 표면 아래에 상기 도전막을 형성하는 공정과,
(A2) 상기 다른 주 표면측에 좌표 기준 마크를 형성하는 공정과,
(B1) 상기 하나의 주 표면 위에, 상기 다층 반사막 및 보호막을 형성하는 공정과,
(B2) 상기 (B1) 공정에서 형성된 상기 다층 반사막 및 보호막의 결함을 검사하고, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서, 해당 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정과,
(C1) 상기 (B2) 공정 후에, 상기 보호막 위에 상기 흡수체막을 형성하는 공정과,
(C2) 상기 (C1) 공정에서 형성된 상기 흡수체막의 결함을 검사하고, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서, 해당 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정을 포함하는 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법.
2. 상기 (A2) 공정에 있어서, (A1) 공정에서 형성된 상기 도전막에 상기 좌표 기준 마크를 마련하는 제조 방법.
3. 상기 (B1) 공정 후, 또한 상기 (B2) 공정 전에, 상기 기판의 평탄도를 계측하는 공정을 포함하는 제조 방법.
4. 상기 (C1) 공정 후, 또한 상기 (C2) 공정 전에, 상기 기판의 평탄도를 계측하는 공정을 포함하는 제조 방법.
5. 상기 (B2) 공정에 있어서, 결함을 검출한 경우, 상기 결함에 대해서 처리 순위를 부여하고, 해당 처리 순위를 상기 위치 정보와 함께 상기 기록 매체에 보존하는 제조 방법.
6. 상기 처리 순위가, 검출된 결함의 피전사성에 근거하여 결정되는 상기 결함에 대한 처치의 우선 순위인 제조 방법.
7. 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성된 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 상기 도전막에 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 반사형 마스크 블랭크.
8. 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성되고, 해당 도전막에, 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 마스크 블랭크 본체와, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하는 결함의 위치 정보가 기록된 기록 매체를 구비하는 반사형 마스크 블랭크.
9. 상기 기록 매체에, 검출된 결함의 피전사성에 근거하여 결정되는 상기 결함에 대한 처치의 우선 순위가 또한 기록되어 있는 반사형 마스크 블랭크.
10. 상기 반사형 마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
상기 마스크 블랭크 본체에 형성된 상기 좌표 기준 마크로부터 좌표를 설정하여, 상기 기록 매체에 보존된 결함의 위치 정보로부터, 상기 마스크 블랭크 본체의 결함의 상기 좌표 상의 위치를 특정하는 공정과,
상기 흡수체막을 패터닝하여 흡수체 패턴을 형성하기 위한 묘화 패턴을 준비하는 공정과,
상기 흡수체막을 흡수체 패턴으로서 잔존시키는 것에 의해 상기 결함의 처치가 가능한지 아닌가를, 상기 기록 매체에 보존된 상기 우선 순위에 따라서 순서대로 판단하는 공정과,
결함의 상기 좌표 상의 위치에 근거하여, 상기 처치가 가능하다고 판단된 결함 부분에 상기 흡수체막이 잔존하도록, 상기 마스크 블랭크 본체의 상기 흡수체막을 부분적으로 에칭 제거하여, 흡수체 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반사형 마스크의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 기판 상에 다층 반사막을 형성한 후, 게다가, 다층 반사막 상에 흡수체막을 형성한 후에도, 반사형 마스크 블랭크로 제조되는 반사형 마스크에 있어서 영향이 있는 위상 결함 등의 결함에 대해서, 다층 반사막 중 결함의 위치, 특히, 보다 미세한 결함이어도, 이들의 위치를 정확하게 파악할 수 있다. 또한, 결함을 높은 정밀도로 피해서, 다층 반사막의 결함의 영향을 저감할 수 있는 흡수체 패턴을 효율적으로 형성하여, 반사형 마스크를 제조할 수 있다.
도 1은 반사형 마스크의 일례를 도시하는 도면이며, (A)는 반사형 마스크의 흡수체 패턴이 형성된 면측의 개요를 도시하는 평면도, (B)는 (A)의 디바이스 패턴 영역의 확대 단면도이다.
도 2는 반사형 마스크의 위상 결함의 설명도이며, (A)는 흡수체막을 형성하기 전의 다층 반사막에 위상 결함이 존재하여 있는 상태를 도시하는 단면도, (B)는 위상 결함이 노출하여 있는 상태를 도시하는 단면도, (C)는 위상 결함이 흡수체 패턴으로 피복되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 좌표 기준 마크의 평면 형상의 일례를 도시하는 도면이며, (A)는 십자형 마크, (B)는 종라인 마크, (C)는 횡라인 마크를 도시한다.
도 4는 반사형 마스크 블랭크의 도전막에 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 상태를 도시하는 저면도이다.
도 5는 본 발명의 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 각 공정을 설명하기 위한 도면이며, (A)는 기판의 단면도, (B)는 도전막을 형성한 상태를 도시하는 단면도, (C)는 도전막에 좌표 기준 마크를 형성한 상태를 도시하는 단면도, (D)는 다층 반사막과 보호막을 형성한 상태를 도시하는 단면도, (E)는 흡수체막을 형성한 상태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 막의 결함을 검출하는 광학계와, 좌표 기준 마크를 검출하는 광학계를 포함하는 검사 장치의 개념도이다.
도 7은 기판의 주 표면의 휨 또는 굽힘 상태를 2차 곡면으로 나타낸 설명도이다.
도 8은 막이 형성된 기판이 국소적으로 각도(θ) 경사하여 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 패터닝하여 반사형 마스크를 제조하는 방법의 일례의 플로우 차트이다.
도 10은 (A) 및 (B)는 모두, 반사형 마스크의 흡수체 패턴과, 다층 반사막에 존재하는 위상 결함의 위치를 도시하는 개념도이다.
도 2는 반사형 마스크의 위상 결함의 설명도이며, (A)는 흡수체막을 형성하기 전의 다층 반사막에 위상 결함이 존재하여 있는 상태를 도시하는 단면도, (B)는 위상 결함이 노출하여 있는 상태를 도시하는 단면도, (C)는 위상 결함이 흡수체 패턴으로 피복되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 좌표 기준 마크의 평면 형상의 일례를 도시하는 도면이며, (A)는 십자형 마크, (B)는 종라인 마크, (C)는 횡라인 마크를 도시한다.
도 4는 반사형 마스크 블랭크의 도전막에 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 상태를 도시하는 저면도이다.
도 5는 본 발명의 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 각 공정을 설명하기 위한 도면이며, (A)는 기판의 단면도, (B)는 도전막을 형성한 상태를 도시하는 단면도, (C)는 도전막에 좌표 기준 마크를 형성한 상태를 도시하는 단면도, (D)는 다층 반사막과 보호막을 형성한 상태를 도시하는 단면도, (E)는 흡수체막을 형성한 상태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 막의 결함을 검출하는 광학계와, 좌표 기준 마크를 검출하는 광학계를 포함하는 검사 장치의 개념도이다.
도 7은 기판의 주 표면의 휨 또는 굽힘 상태를 2차 곡면으로 나타낸 설명도이다.
도 8은 막이 형성된 기판이 국소적으로 각도(θ) 경사하여 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 패터닝하여 반사형 마스크를 제조하는 방법의 일례의 플로우 차트이다.
도 10은 (A) 및 (B)는 모두, 반사형 마스크의 흡수체 패턴과, 다층 반사막에 존재하는 위상 결함의 위치를 도시하는 개념도이다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 반사형 마스크 블랭크는, 기판의 하나의 주 표면(표측(表側)의 면) 위에, 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막(다층 반사막의 보호막)과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 형성되고, 기판의 하나의 주 표면과 반대측의 면인 다른 주 표면(이측(裏側)의 면) 아래에, 도전막이 형성되어 있다. 이 도전막은 반사형 마스크를 노광 장치의 마스크 스테이지에 정전적으로 고정시키기 위해서 형성된다. 도전막의 막 두께는 통상 10㎚ 내지 40㎚ 정도이다. 본 명세서에서는, 기판의 하나의 주 표면을 표측의 면 또한 상측, 다른 주 표면을 이측의 면 또는 하측으로 하고 있지만, 양자의 표리 및 상하는 편의상 정한 것이며, 하나의 주 표면과 다른 주 표면이란, 기판에 있어서의 2개의 주 표면(막 형성면) 중 어느 하나이며, 표리 및 상하는 치환 가능이다. 한편, 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체 패턴(흡수체막의 패턴)으로 한 것이 반사형 마스크이다.
도 1에, 본 발명의 반사형 마스크의 전형적인 예로서, EUV 노광용의 반사형 마스크의 일례를 도시한다. 도 1의 (A)는 반사형 마스크의 흡수체 패턴이 형성된 면측의 개요를 도시하는 평면도, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 디바이스 패턴 영역의 확대 단면도이다. 도 1의 (A) 및 (B)에 도시되는 바와 같이, 반사형 마스크(RM)에는, 반사형 마스크(RM)의 기판(101)의 하나의 주 표면측의 중앙부의 소정의 위치에, 반도체 집적 회로 장치의 회로 패턴을 이루는 디바이스 패턴 영역(MDA)이 형성되어 있고, 디바이스 패턴 영역(MDA) 이외의, 주연부에는, 반사형 마스크(RM)의 위치 맞춤을 위한 마크 또는 웨이퍼 정렬 마크 등을 포함하는 정렬 마크 에어리어(MA1, MA2, MA3, MA4)가 마련되어 있다. 또한, 기판(101)의 하나의 주 표면 위에, 기판(101)측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막(102)과, 보호막(103)과, EUV 광을 흡수하는 흡수체 패턴(114)이 이 순서대로 형성되고, 기판(101)의 다른 주 표면 아래에, 도전막(105)이 형성되어 있다.
기판은, 표면이 충분히 평탄화된 저열팽창 재료로 이루어지는 것을 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 열팽창 계수가 ±3×10-8/℃ 이내, 특히 ±1×10-8/℃ 이내의 범위 내의 것이 바람직하다. 또한, 기판의 주 표면의 표면 거칠기, 특히, 흡수체막이 형성되는 측의 주 표면의, 적어도 흡수체 패턴이 형성되는 영역(예를 들면, 도 1의 (A)에 있어서의 디바이스 패턴 영역(MDA)), 바람직하게는 흡수체막이 형성되는 측의 주 표면 전체에 있어서, 표면 거칠기가 RMS 값으로 0.1㎚ 이하, 특히 0.05㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 표면 거칠기는 기판의 연마 등에 의해 얻을 수 있다.
다층 반사막은, 저굴절률 재료로 이루어지는 층과, 고굴절률 재료로 이루어지는 층을 교대로 적층시킨 다층막이며, 노광 파장인 파장 13㎚ 내지 14㎚(통상, 파장 13.5㎚ 정도)의 EUV 광에 대해서는, 예를 들면, 저굴절률 재료로서 몰리브덴(Mo)층과, 고굴절률 재료로서 실리콘(Si)층을 교대로, 예를 들면, 40주기(각각 40층씩)정도 적층한 Mo/Si 적층막 등이 이용된다. 다층 반사막의 막 두께는 통상 280㎚ 내지 300㎚ 정도이다.
보호막은, 캡핑층이라고도 불리고, 그 위에 형성되는 흡수체 패턴의 형성이나, 흡수체 패턴의 수정 시에, 다층 반사막을 보호하기 위해서 마련된다. 보호막의 재료로서는, 규소(Si), 루테늄(Ru), 루테늄(Ru)에 니오븀(Nb)이나 지르코늄(Zr)을 첨가한 화합물 등이 이용된다. 보호막의 막 두께는 통상 2㎚ 내지 5㎚ 정도이다.
흡수체 패턴은, EUV 광을 흡수하는 마스크 패턴이며, 흡수체막을 패터닝하는 것에 의해 형성된다. 흡수체막의 재료로서는, 예를 들면, 탄탈럼(Ta)을 주성분으로 하는 화합물이나, 크롬(Cr)을 주성분으로 하는 화합물 등이 이용된다. 흡수체막은 단층으로 구성해도 다층으로 구성해도 좋다. 흡수체막의 막 두께는 통상 70㎚ 내지 90㎚ 정도이다.
반사형 마스크 블랭크는, 흡수체막 위에, 흡수체막의 패터닝을 보조하기 위한 하드 마스크막을 갖고 있어도 좋다. 이 하드 마스크막은 흡수체 패턴을 형성한 후에는 제거되어서, 반사형 마스크 상에는 잔존시키지 않는 것이 통상이다. 또한, 반사형 마스크 블랭크는 흡수체막의 패터닝에 이용하는 레지스트막(포토레지스트막)이 형성되어 있어도 좋다.
반사형 마스크의 경우, 다층 반사막의 구조의 혼란에 기인하여 반사율이 저하하는, 이른바 위상 결함이라 불리는 결함이 존재하는 경우가 있다. 이 다층 반사막에 생기는 위상 결함에 대해서 설명한다. 도 2는 EUV 노광용의 반사형 마스크의 위상 결함을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 2의 (A)는 흡수체막을 형성하기 전의 다층 반사막에 위상 결함이 존재하여 있는 상태를 도시하는 단면도, 도 2의 (B)는 위상 결함이 노출하여 있는 상태를 도시하는 단면도, 도 2의 (C)는 위상 결함이 흡수체 패턴으로 피복되어 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 2의 (A)에서는, 기판(101)의 표면에 다층 반사막(102)을 형성할 때에, 기판(101)의 주 표면에 미세한 볼록부가 존재한 채로 다층 반사막(102)을 형성한 결과, 그 위에 형성한 다층 반사막(102)으로부터 보호막(103)에 이르기까지 볼록 형상의 위상 결함(120)이 형성되어 버린 상태를 도시하고 있다. 또한, 105는 도전막을 나타낸다. 도 2의 (A)에서는, 기판(101)의 주 표면에 미세한 볼록부가 존재한 경우를 도시하였지만, 기판(101)의 주 표면에 미세한 오목부가 존재하는 경우는, 오목 형상의 위상 결함(120)이 형성된다. 기판(101)의 주 표면에 미세한 볼록부 또는 오목부가 존재하여 있어도, 다층 반사막(102)의 각 층을 형성하는 과정에서, 스무징 효과에 의해, 볼록 형상 또는 오목 형상이 완만하게 평탄화하여, 최종적으로는 다층 반사막(102)이나 보호막(103)의 표면에 볼록 형상 또는 오목 형상이 나타나기 어려운 경우도 있지만, 그러한 경우여도, 다층 반사막(102) 내에 미소한 볼록 형상 또는 오목 형상이 존재하여 있으면, 반사광에 어느 정도의 위상차를 주어서 반사율을 저하시키는 위상 결함이 된다.
도 2의 (A)에 도시되는 위상 결함(120)이 존재한 상태에서, 보호막(103) 위에 흡수체막을 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 제조하고, 그 후, 흡수체막을 패터닝 가공하여 흡수체 패턴을 형성했을 때, 도 2의 (B)에 도시되는 바와 같이, 이웃하는 흡수체 패턴(114) 사이에 위상 결함(120)이 노출한 상태로 존재하고, 볼록부의 높이 또는 오목부의 깊이가 예를 들면, 2㎚ 내지 3㎚ 정도 이상이면, 반사광의 위상이 혼란하여 반사율이 저하하고, 패턴 투영상의 배치에 결함이 생긴다. 한편, 도 2의 (C)에 도시되는 바와 같이, 위상 결함(120)이 흡수체 패턴(114)으로 피복되고, 위상 결함(120) 부분의 반사율이 충분히 낮아져 있으면, 반사형 마스크의 패턴 전사에 있어서 결함이 생기지 않는다. 따라서, 반사형 마스크의 제조에서는, 위상 결함이 존재하는 부분이 흡수체 패턴으로 피복되도록 회로 패턴을 형성하면, 위상 결함에 의한 패턴 투영상의 배치의 결함을 회피할 수 있게 된다. 그러기 위해서는, 반사형 마스크 블랭크에 존재하는 위상 결함의 위치(좌표)를 정확하게 특정할 수 있는 것, 게다가, 흡수체막의 패터닝 시에, 위상 결함의 위치(좌표)를 정확하게 파악할 수 있고, 흡수체 패턴 형성의 묘화 패턴의 좌표와의 대응이 취해지는 것이 중요하다.
본 발명의 반사형 마스크 블랭크는 기판의 다른 주 표면측(이측), 즉, 다층 반사막, 보호막 및 흡수체막이 형성되어 있는, 기판의 하나의 주 표면측(표측)과는 반대측에 좌표 기준 마크가 형성되어 있다. 좌표 기준 마크는 반사형 마스크 블랭크 또는 반사형 마스크 블랭크로부터 얻어지는 반사형 마스크에 있어서, 결함이 존재하는 개소 등의 특정의 개소의 위치를, 2차원 좌표 상 또는 3차원 좌표 상에서 특정하기 위한 기준(좌표 기준)이다. 따라서, 좌표 기준 마크는 통상, 2개소 이상 마련되고, 3개소 이상, 특히 4개소 이상 마련되는 것이 바람직하다. 좌표 기준 마크는 볼록 형상이어도 좋지만, 기판이나 막에 새겨넣어서 오목 형상으로 형성하는 것이 간편하고, 바람직하며, 특히, 다른 주 표면측이 정전 척을 적용하기 위한 흡착면이 되는 경우는, 오목 형상으로 형성하는 것이 보다 바람직하다.
좌표 기준 마크의 평면 형상은, 그 위치를 광학식 검사 장치의 검사광으로 검지할 수 있는 형상이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 도 3의 (A)에 도시되는 바와 같은 십자형 마크(106a), 도 3의 (B)에 도시되는 바와 같은 복수(본 경우는, 6개)의 스페이스 패턴으로 구성된 종라인 마크(106b), 도 3의 (C)에 도시되는 바와 같은 복수(본 경우는, 6개)의 스페이스 패턴으로 구성된 횡라인 마크(106c) 등을 들 수 있다. 마크의 사이즈도 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 폭을 50㎚ 내지 10㎛, 길이를 50㎛ 내지 200㎛로 할 수 있다.
본 발명의 반사형 마스크 블랭크는, 좌표 기준 마크는 도전막에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 반사형 마스크 블랭크에서는, 통상, 기판의 다른 주 표면측에, 반사형 마스크 블랭크로부터 얻어진 반사형 마스크를 노광 장치에 장착할 때에, 정전 척을 적용할 수 있도록 하기 위해서, 도전막이 형성된다. 좌표 기준 마크는 기판에 직접 형성할 수도 있지만, 도전막을 가공하여 좌표 기준 마크를 형성하는 것이 좌표 기준 마크의 가공성의 관점에서 유리하다. 또한, 좌표 기준 마크를 도전막에 형성해도, 반사형 마스크를 노광 장치에 장착하는 단계에서, 도전막의 기능이 손상되지 않는 점도, 좌표 기준 마크를 도전막에 형성하는 것의 장점이다. 도전막에는, 통상, 도전막의 일부분, 특히, 도전막의 외주연부의 일부분을 새겨넣어서, 오목 형상의 좌표 기준 마크가 형성된다. 또한, 이 좌표 기준 마크는 반사형 마스크의 노광 장치에의 장착시에는, 통상, 사용되지 않는다.
도 4는 EUV 노광용의 반사형 마스크 블랭크의 도전막에 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 상태를 도시하는 저면도이다. 본 경우, 기판(101)의 다른 주 표면측에 도전막(105)이 형성되어 있고, 도전막(105)의 외주연부의 일부분(본 경우, 도전막(105)의 4개의 코너 근방의 마크 형성 영역(116)) 내에, 도전막(105)을 새겨넣어서 형성한, 오목 형상의 4개의 좌표 기준 마크(106)가 형성되어 있다.
회로 패턴이 형성되는 측과는 반대의 측에 좌표 기준 마크를 형성하는 것에 의해, 좌표 기준 마크 위에 다층 반사막, 보호막, 흡수체막 등의 회로 패턴을 형성하기 위한 막을 적층하지 않고, 좌표 기준 마크를, 다층 반사막에 존재하는 위상 결함 등의 결함의 검출에 있어서의 위치의 기준, 흡수체 패턴의 묘화에 있어서의 위치의 기준, 흡수체 패턴의 결함 검사에 있어서의 위치의 기준 등에 공통되어 이용할 수 있다. 또한, 좌표 기준 마크 위에, 두꺼운 막이 적층되어서, 좌표 기준 마크가 막에 깊게 파묻히지 않으므로, 위치의 특정에 있어서, 높은 정밀도가 얻어진다. 게다가, 회로 패턴이 형성되는 측과는 반대의 측에 좌표 기준 마크를 형성하고 있으므로, 좌표 기준 마크를 다층 반사막이나 보호막에 형성한 후, 흡수체막을 형성하는 방법과는 달리, 다층 반사막 또는 보호막을 형성한 후, 파티클 발생의 리스크가 있는 좌표 기준 마크의 가공을 실행할 필요가 없다.
다음에, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서, 반사형 마스크 블랭크는,
(A1) 다른 주 표면 아래에 도전막을 형성하는 공정,
(A2) 다른 주 표면측에 좌표 기준 마크를 형성하는 공정,
(B1) 하나의 주 표면 위에, 다층 반사막 및 보호막을 형성하는 공정,
(B2) (B1) 공정에서 형성된 다층 반사막 및 보호막의 결함을 검사하고, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서, 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정,
(C1) (B2) 공정 후에, 보호막 위에 흡수체막을 형성하는 공정, 및
(C2) (C1) 공정에서 형성된 흡수체막의 결함을 검사하고, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서, 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정의 각 공정을 포함하는 방법에 의해 바람직하게 제조할 수 있다.
본 방법에 대해서, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 5는 본 발명의 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 각 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (A)는 기판의 단면도, 도 5의 (B)는 기판의 다른 주 표면에 도전막을 형성한 상태를 도시하는 단면도, 도 5의 (C)는 도전막에 좌표 기준 마크를 형성한 상태를 도시하는 단면도, 도 5의 (D)는 기판의 하나의 주 표면에 다층 반사막과 보호막을 순서대로 형성한 상태를 도시하는 단면도, 도 5의 (E)는 보호막 위에 흡수체막을 형성한 상태를 도시하는 단면도이다.
(A1) 공정에서는, 도 5의 (A)에 도시되는 바와 같이, 기판(101)을 준비한다. 이 기판(101)은 하나의 및 다른 주 표면이 소정의 표면 거칠기를 갖고 있는 것이 준비된다. 다음에, 도 5의 (B)에 도시되는 바와 같이, 기판의 다른 주 표면 아래에 도전막(105)을 형성한다.
(A2) 공정에서는, 기판의 다른 주 표면측에 좌표 기준 마크를 형성한다. 도 5의 (C)에 도시되는 경우는, 도전막(105)의 외주연부의 소정의 위치에 좌표 기준 마크(106)가 형성되어 있다. 이 좌표 기준 마크(106)는 도전막(105)의 일부를 에칭 제거하는 것에 의해 형성할 수 있다. 좌표 기준 마크(106)의 형상은 일반적인 반사형 마스크로 이용되는 정렬 마크나 피듀셜 마크(fiducial mark)와 동등한 형상을 적용할 수 있다. 도전막의 형성 및 좌표 기준 마크의 형성에 있어서는, 특히, 기판의 하나의 주 표면이 청정하게 유지될 필요가 있다. 그 때문에, 필요에 따라 도전막 형성 후 또는 좌표 기준 마크 형성 후에, 기판을 세정해도 좋다. 또한, 좌표 기준 마크를 형성할 때, 기판의 하나의 주 표면이 오염되어 버려도, 기판 자체의 표면이면 세정에 의해 용이하게 청정화가 가능하기 때문에, (A1) 공정 및 (A2) 공정은 (B1) 공정 전에 실시하는 것이 바람직하다.
(B1) 공정에서는, 도 5의 (C)에 도시되는 바와 같이, 기판(101)의 하나의 주 표면 위에, 다층 반사막(102) 및 보호막(103)을 형성한다. 다층 반사막 및 보호막의 성막은 각각, 이온빔 스퍼터법, DC 스퍼터법 또는 RF 스퍼터법으로 실시할 수 있다. 도 5의 (C)에는, 다층 반사막(102) 및 보호막(103)에, 볼록 형상의 위상 결함(120)이 형성되어 있는 예를 도시하고 있다.
(B2) 공정에서는, 다층 반사막(102) 및 보호막(103)의 결함을 검사하고, 좌표 기준 마크(106)에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함(본 경우는 위상 결함(120))의 위치 정보를 얻어서, 위치 정보를 기록 매체에 보존한다. 본 공정에 있어서의 결함 검출의 구체적인 방법에 대해서는 후술한다. 본 결함 검출에서는, 위치 정보와 함께, 결함 검출 신호의 크기의 정보를 얻는 것이 바람직하고, 또한,이 결함 검출 신호의 크기의 정보를, 위치 정보와 함께, 기록 매체에 보존하는 것이 바람직하다. 또한, (B1) 공정 후, 또한 (B2) 공정 전에, 기판의 평탄도(평면도)를 계측하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서, 평탄도는 예를 들면, 후술하는 도 6에 도시되는 검사 장치의 좌표 기준 마크 검출 광학계의 초점 맞춤 기능을 이용하여 측정할 수 있다.
(C1) 공정에서는, 도 5의 (E)에 도시되는 바와 같이, 보호막(103) 위에, 흡수체막(104)을 형성한다. 흡수체막의 성막도, 이온빔 스퍼터법, DC 스퍼터법 또는 RF 스퍼터법으로 실시할 수 있다. 도 5의 (E)에는, 다층 반사막(102) 및 보호막(103)에 형성되어 있는 볼록 형상의 위상 결함(120)에 의해, 흡수체막(104)도 위상 결함(120)의 위치에서 표면이 볼록 형상으로 되어 있고, 또한, 본 경우는 흡수체막(104)의 표면에 파티클(121)이 부착하여 있는 예를 도시하고 있다.
(C2) 공정에서는, 형성된 흡수체막의 결함(본 결함에는, 다층 반사막의 위상 결함 등의 결함, 흡수체막 상에 존재하는 파티클 등의 결함 등이 포함됨)을 검사하고, 좌표 기준 마크(106)에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻어서, 위치 정보를 기록 매체에 보존한다. 본 공정에 있어서의 결함 검출은 종래 공지의 방법으로 실시할 수 있다. 여기서, 예를 들어, 도 5의 (E)에 도시되는 바와 같이, 흡수체막의 표면에 파티클이 부착하여 있는 경우는, 파티클이 결함으로서 검출되고, 그 위치 정보를 얻어서, 위치 정보가 기록 매체에 보존된다. 또한, (C1) 공정 후, 또한 (C2) 공정 전에, 기판의 평탄도(평면도)를 계측하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.
(C2) 공정 후에는, 흡수체막 위에 레지스트막(포토레지스트막)을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 이와 같이 하여 도 5의 (E)에 도시되는 반사형 마스크 블랭크(RMB)가 얻어지고, 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 패터닝하는 것에 의해, 예를 들면, 도 2의 (C)에 도시되는 반사형 마스크를 제조할 수 있다.
다음에, (B2) 공정 및 (C2) 공정에 있어서의 결함 검출법으로 바람직한 방법에 대해서 설명한다. 도 6은 기판의 하나의 주 표면측에 형성된 막의 결함((B2) 공정에 있어서는, 다층 반사막의 결함, 특히 위상 결함, (C2) 공정에 있어서는, 흡수체막의 결함)을 검출하는 광학계와, 기판의 다른 주 표면측에 형성된 좌표 기준 마크를 검출하는 광학계를 포함하는 검사 장치의 개념도이다. 이 검사 장치(200)는 막이 형성된 기판(FFS)을 지지하는 지지부(SPT)와, 마스크 스테이지(STG)와, 스테이지 구동부(201)와, 결함 검사 광학계(202)와, 결함 검사의 제어 촬상부(203)와, 좌표 기준 마크 검출 광학계(204)와, 좌표 기준 마크 검출의 제어 촬상부(205)와, 제어 장치(206)로 구성되고, 제어 장치(206)에 의해 결함 검출의 전체가 제어된다. 또한, 막이 형성된 기판(FFS)은 (B2) 공정 및 (C2) 공정에 있어서는, 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 과정의 중간품, 또는 반사형 마스크 블랭크이지만, 반사형 마스크를 제조하는 과정의 중간품이나 반사형 마스크를 대상으로 해도 좋다.
결함 검사 광학계(202) 및 좌표 기준 마크 검출 광학계(204)에는, 도시는 생략하여 있지만, 검사광을 조사하는 조명 광학계나 초점 맞춤을 실행하는 시스템 등이 포함된다. 결함 검사 광학계(202)에서 이용하는 검사광으로서는, 통상 이용되는 파장 190㎚ 내지 540㎚의 검사광 외, 파장 13㎚ 내지 15㎚의 EUV 광을 이용할 수 있다. EUV 광을 이용하는 경우는, 조명 광학계 및 검사 광학계는 모두 반사형 미러가 이용된다. 또한, 기판의 다른 주 표면측에 형성된 좌표 기준 마크를 검출하는 광학계로서는, 예를 들면, 일본 특허 공개 제 2007-200953 호 공보(특허문헌 5)에 나타나 있는 웨이퍼 기판을 대상으로 한 광학계 등이 있으며, 이 광학계를 이용하는 것도 가능하다.
도 6에 도시되는 검사 장치의 경우, 결함 검사 광학계(202)와 좌표 기준 마크 검출 광학계(204)는 양자의 광축이 동축이 되도록 배치되어 있고, 좌표 기준 마크 검사 광학계(204)에서, 막이 형성된 기판(FFS)의 다른 주 표면측에 형성된 좌표 기준 마크(106)를 검출한 후, 결함 검사 광학계(202)에서 막의 결함을 검출하면, 그 결함의 위치를, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하는 위치 정보로서 얻을 수 있고, 얻어진 위치 정보를 기록 매체에 보존(기록)할 수 있다. 또한, 결함의 위치 정보와 함께, 결함 검출 신호의 크기의 정보를 얻는 것도 가능하며, 그 경우, 결함의 위치 정보와 함께, 결함 검출 신호의 크기의 정보를 기록 매체에 보존(기재)하면 좋다. 이 좌표는 2차원 좌표여도 3차원 좌표여도 좋다.
특히, 결함, 특히 위상 결함을 검출한 경우, 결함에 대해서 처리 순위를 부여하고, 처리 순위를, 위치 정보와 함께 기록 매체에 보존(기록)하는 것이 바람직하다. 이 처리 순위는 예를 들면, 검출된 위상 결함 등의 결함의 피전사성에 근거하여 결정되는 결함에 대한 처치의 우선 순위로 할 수 있다. 예를 들어, (B2) 공정에 있어서, 다층 반사막에 위상 결함을 검출한 경우, 위상 결함의 결함 검출 신호의 크기의 정보로부터, 다층 반사막의 위상 결함에 의한 반사율 저하의 영향(반사형 마스크로서 이용했을 때의 결함의 전사되기 쉬움 정도)을 평가할 수 있다. 그리고, 반사율 저하의 영향이 크다고 평가된 결함으로부터 순서대로 처리 순위를 부여할 수 있다. 본 경우, 이 처리 순위는 결함에 대한 처치의 우선 순위, 예를 들면, 반사형 마스크의 제조에 있어서, 흡수체막을 패터닝하여 흡수체 패턴을 형성할 때에, 위상 결함을 흡수체 패턴으로 피복하는 우선 순위로 할 수 있다.
도 6에 도시되는 검사 장치의 경우, 지지부(SPT)는 막이 형성된 기판(FFS)을 가압하여 고정하는 구조는 아니며, 막이 형성된 기판(FFS)은 지지부(SPT)로 단순 지지되어 있고, 막이 형성된 기판(FFS)에는, 그 형상이 변형하는 압력은 주어지지 않았다.
기판에 다층 반사막, 보호막, 흡수체막 등의 막을 형성하면, 응력에 기인하는 휨을 일으킨다. 또한, 도 6에 도시되는 검사 장치와 같이, 막이 형성된 기판을 단순 지지하여 검사하면, 굽힘이 생기고, 굽힘을 가진 채로 검사되게 된다. 대부분의 경우, 휨이나 굽힘의 형상은 예를 들면, 도 7에 도시되는 바와 같은 2차 곡면으로 나타낼 수 있다. 도 7 중, 곡선(P-P')은 휨이나 굽힘을 갖는 기판의 주 표면 상태를 나타내고 있고, L는 기판의 주 표면의 대각으로부터 기판 중앙까지의 거리(즉, 2×L이 기판의 대각 길이), H는 기판 중앙에 있어서의 휨이나 굽힘의 양(높이)이며, 이들로부터, 기판의 주 표면의 형상을 2차 곡면으로 한 경우의 곡률 반경(R)(곡률 중심을 O으로 했을 때의 거리)을 산출할 수 있다. 이 거리(L) 및 높이(H)는 기판의 평탄도의 계측에 의해 구할 수 있다.
결함 검사에서는, 막이 형성된 기판의 국소적인 경사가 기판의 하나의 주 표면과 다른 주 표면의 위치의 차이를 일으키게 하는 요인이 된다. 그 때문에, 다층 반사막, 보호막, 흡수체막 등의 막을 형성한 기판의 휨이나 굽힘을 파악하여, 휨이나 굽힘에 기인하는 국소적인 경사의 영향을 보정하는 것이 바람직하다. 도 8은 막이 형성된 기판이 국소적으로 각도(θ) 경사하여 있는 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 이 경우, 하나의 주 표면과 다른 주 표면 사이에는, 기판(101), 다층 반사막(102), 보호막(103) 및 도전막(105)의 전체의 두께를 T로 하여, T×sinθ만큼, 좌표 상의 위치에 차이가 생기기 때문에, 이 차이를 보정하면 좋다. 각도(θ)는 2차 곡면으로 나타나는 휨이나 굽힘의 형상과, 검출되는 결함의 개략 위치로부터 산출할 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 제 2007-200953 호 공보(특허문헌 5)에 기재되어 있는 방법에 근거하여, 각도(θ)를 직접적으로 산출해도 좋다.
보정 값은 예를 들면, 다음과 같이 산출할 수 있다. 2차 곡면의 곡률 반경을 R, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 이차원 좌표의 원점(x=0, y=0)에 대한 결함의 좌표를 x, y로 하면, 각도(θ)의 경사에 대한 x방향의 보정 값(Δx), y방향의 보정 값(Δy)은, 각각 Δx=(T/R)x, Δy=(T/R)y로 할 수 있다. 이러한 보정을 적용한 경우, 결함의 위치 정보와 함께, 결함 위치의 보정의 정보를 기록 매체에 보존(기록)할 수도 있다.
반사형 마스크 블랭크의 결함의 위치 정보는 결함 검출 신호의 크기의 정보, 처리 순위(우선 순위), 결함 위치의 보정의 정보 등과 함께 기록 매체에 보존(기록)된다. 본 발명의 반사형 마스크 블랭크는 반사형 마스크 블랭크 본체와, 기록 매체로 구성할 수 있고, 이에 의해, 반사형 마스크 블랭크로부터 반사형 마스크를 제조할 때, 흡수체막의 패터닝에 있어서, 결함의 위치나 처리 순위를 기록 매체에 보존(기록)되어 있는 정보에 의해 특정할 수 있다.
다음에, 반사형 마스크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 명세서에서는, 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막을 패터닝하여 반사형 마스크를 제조하는 방법의 일례로서, 도 9에 도시되는 플로우 차트를 참조하여 설명한다.
우선, 반사형 마스크 블랭크를 준비한다(단계(S101)). 이 반사형 마스크 블랭크에는, 기판의 하나의 및 다른 주 표면에 소정의 막이 형성되고, 기판의 다른 주 표면에, 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 마스크 블랭크 본체와, 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하는 위상 결함 등의 결함의 위치 정보, 결함 검출 신호의 크기의 정보, 처리 순위(우선 순위), 결함 위치의 보정의 정보 등이 보존(기록)된 기록 매체가 포함되어 있다. 기록 매체로서는, 정보를 전기적으로 기록하는 것, 자기적으로 기록하는 것 등을 예로 들 수 있지만, 기록 매체는 정보가 기재된 종이 매체여도 좋다. 다음에, 마스크 블랭크 본체에 형성된 좌표 기준 마크로부터 좌표를 설정하고, 기록 매체에 보존된 결함의 위치 정보로부터, 마스크 블랭크 본체의 결함의 좌표 상의 위치를 특정한다(단계(S102)). 이 좌표는 2차원 좌표여도 3차원 좌표여도 좋다.
다음에, 흡수체막을 패터닝하여 흡수체 패턴을 형성하기 위한 묘화 패턴을 준비한다(단계(S103)). 다음에, 결함의 위치와, 묘화 패턴의 위치를 비교하여, 흡수체막을 흡수체 패턴으로서 잔존시키는 것에 의해 결함의 처치가 가능한지 여부, 구체적으로는, 결함이 흡수체 패턴으로 피복되는지 여부를, 기록 매체에 보존된 우선 순위에 따라서 순서대로 판단한다(단계(S104)). 이 단계에서, 결함의 처치가 가능하다고 여겨지는 결함이 없는 경우나, 상대적으로 적다고 판단되는 경우에는, 흡수체 패턴을 형성하기 위한 묘화 패턴 전체를 소정 방향으로 이동시키는 재배치를 하여 단계(S103)로 되돌아오고, 재차 단계(S104)를 실시하여, 묘화 패턴의 묘화 위치의 최적화를 도모할 수 있다. 이와 같이 하면, 결함 중, 치명도가 높고, 우선적으로 흡수체 패턴으로 피복해야 할 결함(우선 순위가 높은 결함)을, 흡수체 패턴으로 최대한으로 피복할 수 있도록, 흡수체 패턴의 배치를 최적화할 수 있다. 또한, 이 묘화 패턴의 위치에 대해서도, 막이 형성된 기판의 국소적인 경사에 대한 결함 위치의 보정과 마찬가지로, 기판의 휨이나 굽힘에 기인하는 국소적인 경사의 영향을 보정할 수 있다.
묘화 패턴의 위치는 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여 설정할 수 있고, 그러기 위해서는, 묘화 패턴의 묘화 장치에는, 좌표 기준 마크를 검출하는 기능을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 묘화 장치에 좌표 기준 마크를 검출하는 기능이 없는 경우나, 좌표 기준 마크를 검출할 수 없는 경우는, 일단, 묘화 장치로 흡수체막의 주변부에 좌표 기준의 보조 마크를 형성하여, 이를 이용해도 좋다. 또한, 보조 마크는 피듀셜 마크를 이용할 수도 있다. 본 경우, 좌표 기준 마크와 보조 마크의 상대적 위치 관계를, 예를 들면, 도 6에 도시되는 검사 장치 등을 이용하여 구하고, 보조 마크를 거쳐서 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표를 설정하면 좋다.
다음에, 흡수체막을 패터닝하여, 흡수체 패턴을 형성한다(단계(S105)). 구체적으로는, 결함의 좌표 상의 위치에 근거하여, 처치가 가능하다고 판단된 결함 부분에 흡수체막이 잔존하도록, 마스크 블랭크 본체의 흡수체막을 부분적으로 에칭 제거하여, 흡수체 패턴을 형성하면 좋다.
이러한 방법으로 반사형 마스크를 제조하는 것에 의해, 위상 결함 등의 결함의 영향이 가능한 한 저감되도록 흡수체 패턴을 형성할 수 있고, 결함의 영향을 저감한 반사형 마스크를 제조할 수 있다. 또한, 이러한 방법으로 반사형 마스크를 제조할 수 있으면, 반사형 마스크 블랭크의 위상 결함 등의 결함을 완전히 제로로 하는 것은, 반드시 요구되진 않기 때문에, 반사형 마스크의 제조에 사용할 수 있는 반사형 마스크 블랭크의 수율이 실효적으로 높아져서, 양호한 생산성으로 반사형 마스크 블랭크를 제공할 수 있게 된다.
흡수체막을 패터닝하여, 흡수체 패턴을 형성하여 얻어진 반사형 마스크는, 통상, 흡수체 패턴의 패턴 결함 검사가 실행되고(단계(S106)), 필요하면, 흡수체 패턴의 수복 또는 형상 보정이 실행된다. 이러한 방법은, 종래 공지의 방법이 적용되지만, 흡수체 패턴의 결함 검사나, 흡수체 패턴의 수복 및 형상 보정에 있어서도, 본 발명의 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표를 이용하는 것이 바람직하다.
흡수체 패턴의 패턴 결함 검사 후에, 예를 들면, 도 9에 나타내는 바와 같이, 흡수체 패턴의 결함 검사 정보와, 기록 매체에 기록되어 있던 결함의 위치 정보 및 묘화 패턴의 위치 정보를 참조하여, 반사형 마스크에 치명적인 결함, 특히, 치명적인 위상 결함이 잔존하는지 여부를 판단하고(단계(S107)), 치명적인 결함이 잔존하는 경우는, 흡수체 패턴의 형상을 보정하기 위한 보정량을 계산하여(단계(S108)), 흡수체 패턴의 결함 검사 정보에 근거하는 흡수체 패턴의 수복, 및 치명적인 결함에 대한 흡수체 패턴의 형상 보정이 필요한지 여부를 판단한다(단계(S109)). 한편, 단계(S107)에서 치명적인 결함이 잔존하지 않는다고 판단되었을 경우는, 직접 단계(S109)로 진행되어, 흡수체 패턴의 결함 검사 정보에 근거하는 흡수체 패턴의 수복이 필요한지 여부를 판단한다. 다음에, 흡수체 패턴의 결함 검사 정보에 근거하는 흡수체 패턴의 수복, 또는 치명적인 결함에 대한 흡수체 패턴의 형상 보정이 필요하다고 판단된 경우는, 흡수체 패턴의 수복 또는 형상 보정이 실행된다(단계(S110)).
여기서, 흡수체 패턴의 형상 보정에 대해서, 반사형 마스크의 흡수체 패턴과, 다층 반사막에 존재하는 위상 결함의 위치를 나타내서 설명한다. 도 10은 (A) 및 (B) 모두, 반사형 마스크의 흡수체 패턴과, 다층 반사막에 존재하는 위상 결함의 위치를 모식적으로 도시하고 있다. 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)에 있어서는, 모두, 우선 순위가 높은 위상 결함(120a)은 흡수체 패턴(114)으로 완전히 피복되어 있고, 우선 순위가 높은 위상 결함(120a)은 반사형 마스크를 사용할 때에 결함으로서 전사되지 않는 상태에 있다. 한편, 예를 들면, 우선 순위가 낮고, 흡수체 패턴(114)으로 피복되지 않은 위상 결함(120b)이 잔존하는 경우가 있으며, 결함의 수가 많은 경우는, 흡수체 패턴(114)으로 피복되지 않은 위상 결함(120b)이 잔존할 확률이 높아진다. 또한, 흡수체 패턴의 형성시의 위치에 오차가 생겼을 경우에도, 흡수체 패턴(114)으로 피복되어 있지 않은 위상 결함(120b)이 잔존하는 일이 있다.
이러한 잔존한 위상 결함은 이웃하는 흡수체 패턴 사이에 잔존하는 위상 결함이면, 예를 들면, 일본 특허 공표 제 2002-532738 호 공보(특허문헌 3)에 나타나 있는 방법, 구체적으로는, 위상 결함과 이웃하는 흡수체 패턴의 윤곽을 수정하는 방법에 의해, 노광 장치로 마스크 패턴을 전사했을 때의 영향을 저감할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내서 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
우선, 기판을 준비하고, 기판의 다른 주 표면에 Cr계 재료의 도전막(막 두께 20㎚)을 형성하였다. 다음에, 도전막의 도 4에 도시되는 4개의 마크 형성 영역의 각각 중에, 좌표 기준 마크로서, 도 3의 (A)에 도시되는 십자형 마크를 형성하였다. 좌표 기준 마크는 광 리소그래피의 수법에 의해, 도전막을 에칭 제거하여 형성한 깊이 20㎚의 오목 형상의 마크이며, 폭 2㎛, 종횡의 길이가 각각 100㎛의 십자형 마크로 하였다.
다음에, 기판을 세정 후, 기판의 하나의 주 표면에 몰리브덴(Mo)층과, 실리콘(Si)층을 교대로, 각각 40층씩 적층한 다층 반사막(막 두께 280㎚)을 형성하고, 게다가, 다층 반사막 위에 루테늄을 주성분으로 하는 재료의 보호막(막 두께 2.5㎚)을 형성하였다.
다음에, 다층 반사막 및 보호막을 형성한 기판에 대해서, 도 6에 도시되는 바와 같은 검사 장치를 이용하여 결함을 검사하였다. 우선, 형성한 좌표 기준 마크를 이용하여, 기판의 다른 주 표면의 중앙부에, 2차원 XY 좌표의 원점(x=0, y=0)을 설정하였다. 다음에, 다층 반사막 및 보호막의 결함 검사에 앞서, 좌표 기준 마크 검출 광학계의 초점 맞춤 기능을 이용하여, 기판의 휨 또는 굽힘을 평탄도로서 측정하였다. 그 결과, 기판의 중앙이 외주부와 비교하여 상향으로 휘어져 있는 것을 알 수 있었다. 측정한 기판에서는, 도 7에 있어서의 L가 106㎜, H가 400㎚였으므로, 곡률 반경(R)은 1.4045×107㎜였다.
본 결함 검사에서는, 우선, 다층 반사막의 위상 결함을 검사하고, 다른 주 표면에 있어서의 2차원 XY 좌표 상의 결함의 위치를 구하고, 기판의 휨 또는 굽힘의 보정을 위해서 구한 곡률 반경(R)으로부터, 결함의 위치를 보정하여, 결함의 위치 정보를, 결함 검출 신호의 크기의 정보와 함께, 기록 매체에 보존하였다. 다음에, 다층 반사막의 소정 영역 내를 모두 검사한 후, 기록 매체에 보존되어 있는 결함의 정보로부터, 우선 순위를 결정하고, 이것도 기록 매체에 보존하였다.
다음에, 탄탈럼(Ta)을 주성분으로 하는 화합물의 흡수체막(막 두께 70㎚)을 보호막 위에 형성하였다.
다음에, 흡수체막을 형성한 기판에 대해서, 도 6에 도시되는 검사 장치를 이용하여 결함을 검사하였다. 우선, 흡수체막의 결함 검사에 앞서, 좌표 기준 마크 검출 광학계의 초점 맞춤 기능을 이용하여, 기판의 휨 또는 굽힘을 평탄도로서 측정하였다. 그 결과, 기판의 중앙이 외주부와 비교하여 상향으로 휘어져 있는 것을 알 수 있었다. 측정한 기판에서는, 도 7에 있어서의 L가 106㎜, H가 550㎚였으므로, 곡률 반경(R)은 1.0214×107㎜였다.
본 결함 검사에서는, 우선, 흡수체막의 결함을 검사하고, 다른 주 표면에 있어서의 2차원 XY 좌표 상의 결함의 위치를 구하고, 기판의 휨 또는 굽힘의 보정을 위해서 구한 곡률 반경(R)으로부터, 결함의 위치를 보정하여, 결함의 위치 정보를, 결함 검출 신호의 크기의 정보와 함께, 기록 매체에 보존하였다. 이상의 방법에 의해 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
다음에, 도 9에 나타내는 플로우를 따라서, 반사형 마스크를 제조하였다. 우선, 얻어진 반사형 마스크 블랭크(블랭크 본체 및 기록 매체)를 준비하고, 블랭크 본체의 표면에, 전자선 레지스트를 도포하고, 전자선 묘화 장치의 마스크 스테이지에 탑재하였다. 다음에, 좌표 기준 마크로부터, 기록 매체에 보존되어 있던 결함의 좌표 위치를 특정하였다. 다음에, 흡수체의 묘화 패턴을 준비하고, 기록 매체에 보존되어 있는 우선 순위에 따라서, 위상 결함이 최대한으로 피복되도록 흡수체 패턴의 묘화 위치를 최적화하고, 최적으로 배치된 묘화 패턴으로 전자선 레지스트에 흡수체 패턴을 묘화하고, 상법(常法)에 의해 흡수체막의 패턴을 형성하였다.
본 경우, 기판의 다른 주 표면에 형성된 좌표 기준 마크를 공통으로 이용하여, 반사형 마스크 블랭크의 제조로부터 반사형 마스크의 제조까지를 실시하였으므로, 결함 등의 위치의 특정 정밀도가 높고, 검출 위치 오차는 10㎚ 이하였다.
[비교예 1]
기판의 다른 주 표면에 실시예 1과 마찬가지의 도전막을 형성한 후, 이 도전막에는 좌표 기준 마크를 형성하지 않고, 기판의 하나의 주 표면에, 실시예 1와 마찬가지의 좌표 기준 마크를, 통상의 리소그래피법을 이용하여 형성하였다. 다음에, 기판의 하나의 주 표면에, 실시예 1와 마찬가지의 다층 반사막, 보호막 및 흡수체막을 형성하여, 반사형 마스크 블랭크를 얻었다. 반사형 마스크 블랭크의 제조에 있어서의 기판의 평탄도의 측정(휨 또는 굽힘의 보정) 및 결함 검사는, 실시예 1과 마찬가지로 실시하였다. 얻어진 반사형 마스크 블랭크를 이용하여, 실시예 1와 마찬가지의 방법으로, 반사형 마스크를 제조하였다.
본 경우, 다층 반사막 및 보호막을 형성한 단계에서, 좌표 기준 마크 위에, 두께의 합계가 약 280㎚의 막이 형성되고, 또한, 더욱 흡수체막을 형성한 단계에서는, 좌표 기준 마크 위에 두께 합계가 약 350㎚의 막이 형성되어 있고, 반사형 마스크의 제조에 있어서는, 흡수체막 위에 레지스트막이 형성되도록 되기 때문에, 결함 등의 위치의 특정 정밀도가 실시예 1과 비교하여 낮고, 검출 위치 오차 10㎚ 이하의 정밀도를 얻을 수 없었다.
101 : 기판
102 : 다층 반사막
103 : 보호막 104 : 흡수체막
105 : 도전막 106 : 좌표 기준 마크
106a : 십자형 마크 106b : 종라인 마크
106c : 횡라인 마크 114 : 흡수체 패턴
116 : 마크 형성 영역 120, 120a, 120b : 위상 결함
121 : 파티클 200 : 검사 장치
201 : 스테이지 구동부 202 : 결함 검사 광학계
203 : 결함 검사의 제어 촬상부
204 : 좌표 기준 마크 검출 광학계
205 : 좌표 기준 마크 검출의 제어 촬상부
206 : 제어 장치 FFS : 막이 형성된 기판
MDA : 디바이스 패턴 영역
MA1, MA2, MA3, MA4 : 정렬 마크 에어리어 RM : 반사형 마스크
RMB : 반사형 마스크 블랭크 SPT : 지지부
STG : 마스크 스테이지
103 : 보호막 104 : 흡수체막
105 : 도전막 106 : 좌표 기준 마크
106a : 십자형 마크 106b : 종라인 마크
106c : 횡라인 마크 114 : 흡수체 패턴
116 : 마크 형성 영역 120, 120a, 120b : 위상 결함
121 : 파티클 200 : 검사 장치
201 : 스테이지 구동부 202 : 결함 검사 광학계
203 : 결함 검사의 제어 촬상부
204 : 좌표 기준 마크 검출 광학계
205 : 좌표 기준 마크 검출의 제어 촬상부
206 : 제어 장치 FFS : 막이 형성된 기판
MDA : 디바이스 패턴 영역
MA1, MA2, MA3, MA4 : 정렬 마크 에어리어 RM : 반사형 마스크
RMB : 반사형 마스크 블랭크 SPT : 지지부
STG : 마스크 스테이지
Claims (10)
- 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성된 반사형 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 있어서,
(A1) 상기 다른 주 표면 아래에 상기 도전막을 형성하는 공정과,
(A2) 상기 다른 주 표면측에 좌표 기준 마크를 형성하는 공정과,
(B1) 상기 하나의 주 표면 위에, 상기 다층 반사막 및 보호막을 형성하는 공정과,
(B2) 상기 (B1) 공정에서 형성된 상기 다층 반사막 및 보호막의 결함을 검사하고, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻고, 상기 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정과,
(C1) 상기 (B2) 공정 후에, 상기 보호막 위에, 상기 흡수체막을 형성하는 공정과,
(C2) 상기 (C1) 공정에서 형성된 상기 흡수체막의 결함을 검사하고, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하여, 검출된 결함의 위치 정보를 얻고, 상기 위치 정보를 기록 매체에 보존하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 (A2) 공정에 있어서, (A1) 공정에서 형성된 상기 도전막에 상기 좌표 기준 마크를 마련하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B1) 공정 후, 또한 상기 (B2) 공정 전에, 상기 기판의 평탄도를 계측하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (C1) 공정 후, 또한 상기 (C2) 공정 전에, 상기 기판의 평탄도를 계측하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B2) 공정에 있어서, 결함을 검출한 경우, 상기 결함에 대해서 처리 순위를 부여하고, 상기 처리 순위를 상기 위치 정보와 함께 상기 기록 매체에 보존하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 처리 순위가, 검출된 결함의 피전사성에 근거하여 결정되는 상기 결함에 대한 처치의 우선 순위인 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크의 제조 방법. - 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성된 반사형 마스크 블랭크에 있어서,
상기 도전막에, 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크. - 기판의 하나의 주 표면 위에, 상기 기판측으로부터, EUV 광을 반사하는 다층 반사막과, 보호막과, EUV 광을 흡수하는 흡수체막이 순서대로 형성되고, 상기 기판의 다른 주 표면 아래에, 도전막이 형성되고, 상기 도전막에, 좌표 기준 마크가 형성되어 있는 마스크 블랭크 본체와, 상기 좌표 기준 마크에 의해 정해지는 좌표에 근거하는 결함의 위치 정보가 기록된 기록 매체를 구비하는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크. - 제 8 항에 있어서,
상기 기록 매체에, 검출된 결함의 피전사성에 근거하여 결정되는 상기 결함에 대한 처치의 우선 순위가 또한 기록되어 있는 것을 특징으로 하는
반사형 마스크 블랭크. - 제 9 항에 기재된 반사형 마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
상기 마스크 블랭크 본체에 형성된 상기 좌표 기준 마크로부터 좌표를 설정하여, 상기 기록 매체에 보존된 결함의 위치 정보로부터, 상기 마스크 블랭크 본체의 결함의 상기 좌표 상의 위치를 특정하는 공정과,
상기 흡수체막을 패터닝하여 흡수체 패턴을 형성하기 위한 묘화 패턴을 준비하는 공정과,
상기 흡수체막을 흡수체 패턴으로서 잔존시키는 것에 의해 상기 결함의 처치가 가능한지 여부를, 상기 기록 매체에 보존된 상기 우선 순위에 따라서 순서대로 판단하는 공정과,
결함의 상기 좌표 상의 위치에 근거하여, 상기 처치가 가능하다고 판단된 결함 부분에 상기 흡수체막이 잔존하도록, 상기 마스크 블랭크 본체의 상기 흡수체막을 부분적으로 에칭 제거하여, 흡수체 패턴을 형성하는 공정을 포함하는
반사형 마스크의 제조 방법.
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