TW201802571A - 反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

於基板上成膜反射EUV光之多層反射膜而形成附多層反射膜之基板，對附多層反射膜之基板進行缺陷檢查，於附多層反射膜之基板之多層反射膜上成膜吸收EUV光之吸收體膜，形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於圖案形成區域之外周緣區域形成有去除吸收體膜而使包含成為多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之多層反射膜露出的對準區域，使用上述對準區域進行反射型光罩基底之缺陷管理。

Description

反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種半導體裝置之製造中所使用之反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法及反射型光罩。
通常，於半導體裝置之製造步驟中，使用光微影法而進行微細圖案之形成。又，該微細圖案之形成通常要使用多片被稱為光罩之轉印用遮罩。該轉印用遮罩通常係於透光性之玻璃基板上設置有包含金屬薄膜等之微細圖案者，於該轉印用遮罩之製造中亦使用光微影法。 藉由光微影法製造轉印用遮罩時，使用包含用以於玻璃基板等透光性基板上形成轉印圖案(光罩圖案)之薄膜(例如遮光膜等)的光罩基底。使用該光罩基底之轉印用遮罩之製造係經由如下步驟而進行：描繪步驟，對形成於光罩基底上之抗蝕膜實施所期望之圖案描繪；顯影步驟，描繪後，對上述抗蝕膜進行顯影而形成所期望之抗蝕圖案；蝕刻步驟，以該抗蝕圖案作為遮罩而對上述薄膜進行蝕刻；及剝離去除殘留之抗蝕圖案之步驟。於上述顯影步驟中，對形成於光罩基底上之抗蝕膜實施所期望之圖案描繪後供給顯影液，將可溶於顯影液之抗蝕膜之部位溶解，形成抗蝕圖案。又，於上述蝕刻步驟中，以該抗蝕圖案作為遮罩，藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻，而去除未形成抗蝕圖案之薄膜露出之部位，藉此將所期望之光罩圖案形成於透光性基板上。如此，完成轉印用遮罩。 作為轉印用遮罩之種類，已知有先前之於透光性基板上具有包含鉻系材料之遮光膜圖案之二元型光罩，除此以外，已知有相位偏移型光罩。 又，近年來，於半導體產業中，伴隨半導體器件之高積體化，逐漸需要超出先前之使用紫外光之光微影法之轉印界限的微細圖案。為了可形成此種微細圖案，而期待使用極紫外(Extreme Ultra Violet：以下稱為「EUV」)光之曝光技術即EUV微影術。此處，EUV光係指軟X射線區域或真空紫外線區域之波長帶之光，具體而言係波長為0.2～100 nm左右之光。作為該EUV微影術中所使用之光罩，提出有反射型光罩。此種反射型光罩係於基板上形成有反射作為曝光之光之EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上呈圖案狀地形成有吸收EUV光之吸收體膜者。 如上所述，由於對微影術步驟中之微細化之要求提高，因此該微影術步驟中之問題正不斷變得顯著。其中之一為關於微影術步驟中所使用之光罩基底用基板等之缺陷資訊之問題。 先前，於基底檢查等中，將基板中心設為原點(0，0)，使用缺陷檢查裝置所管理之座標，根據距原點之距離而特定出基板之缺陷之存在位置。因此，絕對值座標之基準不明確，位置精度較低，裝置間亦存在檢測之偏差，於圖案描繪時，於避開缺陷而對圖案形成用薄膜進行圖案化之情形時亦難以實現μm級之回避。因此，改變轉印圖案之方向，或以mm級粗略地使轉印之位置偏移而回避缺陷。 於此種狀況下，為了提高缺陷位置之檢查精度，提出例如於光罩基底用基板形成基準標記，將其作為基準位置而特定缺陷之位置。 於專利文獻1中，揭示有為了可準確地特定以球相當直徑計為30 nm左右之微小之缺陷之位置，而於EUV微影術用反射型光罩基底用基板之成膜面形成大小以球相當直徑計為30～100 nm之至少3個標記。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：國際公開第2008/129914號公報
[發明所欲解決之問題] 藉由如上述專利文獻1所揭示之使用用以特定缺陷之位置之基準標記之方法，可提高光罩基底之缺陷位置之檢查精度。 且說，於將EUV光用作曝光之光之反射型光罩中，尤其是存在於多層反射膜之缺陷幾乎無法修正，而且可能於轉印圖案上成為重大之相位缺陷，因此為了減少轉印圖案缺陷，重要的是多層反射膜上之缺陷資訊。所以，較理想為於至少多層反射膜成膜後進行缺陷檢查，獲取缺陷資訊。因此，認為較佳為於在基板上成膜多層反射膜而製作之附多層反射膜之基板的例如多層反射膜形成基準標記。 然而，於將基準標記形成於多層反射膜之情形時，以形成於多層反射膜之基準標記為基準進行多層反射膜上之缺陷檢查，其後之光罩製造中之電子束描繪步驟中，以成膜吸收體膜之後之基準標記進行對準，因此可能由於在凹形狀之基準標記上成膜吸收體膜而導致標記形狀之變化成為對準誤差。又，於不僅獲取附多層反射膜之基板之缺陷資訊，還進行反射型光罩基底之缺陷檢查而獲取反射型光罩基底之缺陷資訊之情形時，若以上述成膜吸收體膜後之基準標記進行對準，則會產生對準誤差，即便進行了以基準標記為基準之高精度之缺陷檢查，亦有反射型光罩基底之缺陷位置資訊(缺陷座標)之精度惡化之虞。 另一方面，伴隨使用EUV光之微影術中之急速之圖案之微細化，對作為反射型光罩之EUV光罩所要求之缺陷尺寸(Defect Size)亦逐年變得微細，為了發現此種微細缺陷，而缺陷檢查所使用之檢查光源波長正不斷接近曝光之光(例如EUV光)之光源波長。 例如，作為EUV光罩、或其原版即EUV光罩基底、附多層反射膜之基板、及基板(substrate)之缺陷檢查裝置，例如檢查光源波長為266 nm之Lasertec公司製造之EUV曝光用光罩·基板/基底缺陷檢查裝置「MAGICSM7360」、檢查光源波長為193 nm之KLA-Tencor公司製造之EUV·光罩/基底缺陷檢查裝置「Teron600系列，例如Teron610」等已經普及。而且，近年來，提出有將檢查光源波長設為曝光光源波長之13.5 nm之ABI(Actinic Blank Inspection，光化基底檢查)裝置。 然而，對於在多層反射膜設置基準標記之情形時之上述問題，考慮於吸收體膜形成後在吸收體膜之上部形成基準標記，以該基準標記為基準而進行反射型光罩基底之缺陷檢查。然而，例如於使用上述ABI裝置進行反射型光罩基底之缺陷檢查之情形時，由於吸收體膜對於13.5 nm之波長之反射率較低，因此會產生無法高感度地進行缺陷檢測之另一問題。 因此，本發明係鑒於此種先前之問題而完成者，其目的在於：第1，提供可獲取包含多層反射膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊，而高精度地進行反射型光罩基底之缺陷管理的反射型光罩基底及其製造方法。 本發明之目的在於：第2，提供使用該反射型光罩基底而減少缺陷之反射型光罩。 [解決問題之技術手段] 本發明者為了解決上述問題，發現：於基板上成膜多層反射膜，對多層反射膜進行缺陷檢查，其後，於多層反射膜上成膜吸收體膜，設為反射型光罩基底，該反射型光罩基底係形成有去除圖案形成區域之外周緣區域之吸收體膜之一部分而使包含成為多層反射膜上之缺陷資訊之基準之例如第1基準標記之區域之多層反射膜露出的對準區域，其後，使用該對準區域進行反射型光罩基底之缺陷管理，藉此可解決上述問題。 本發明者基於上述解明事實，繼續進行銳意研究，結果完成了以下之構成1～13之發明。 (構成1) 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟：於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上成膜上述吸收體膜；形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於圖案形成區域之外周緣區域形成有去除上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜露出的對準區域；及使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。 (構成2) 如構成1所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述反射型光罩基底之缺陷管理係使用形成於上述對準區域內之第1基準標記進行。 (構成3) 如構成2所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：包含於上述吸收體膜形成成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記的步驟，且上述反射型光罩基底之缺陷管理包含：檢測以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標，以上述第2基準標記為基準而轉換上述附多層反射膜之基板之缺陷資訊。 (構成4) 如構成1至3中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標之檢測係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。 (構成5) 如構成1至4中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。 (構成6) 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜者，且於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的區域之上述多層反射膜露出之對準區域。 (構成7) 如構成6所記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述對準區域內，形成有作為成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的第1基準標記。 (構成8) 如構成7所記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述吸收體膜中之上述對準區域之附近，形成有成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記。 (構成9) 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：對藉由如構成1至5中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法而獲得之反射型光罩基底或如構成6至8中任一項所記載之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化，而形成吸收體膜圖案。 (構成10) 一種反射型光罩，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案者，且於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的區域之上述多層反射膜露出之對準區域。 (構成11) 如構成10所記載之反射型光罩，其特徵在於：於上述對準區域內，形成有作為成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的第1基準標記。 (構成12) 如構成11所記載之反射型光罩，其特徵在於：於上述吸收體膜圖案中之上述對準區域之附近形成有成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記。 (構成13) 一種半導體裝置之製造方法，其係藉由使用如構成10至12中任一項所記載之反射型光罩將轉印圖案曝光轉印於半導體基板上之抗蝕膜，而製造半導體裝置。 本發明者為了進一步解決上述問題，發現：於基板上成膜多層反射膜，對多層反射膜進行缺陷檢查，其後，於多層反射膜上成膜吸收體膜，但不於圖案形成區域之外周緣區域成膜吸收體膜，而設為如下之反射型光罩基底，該反射型光罩基底係形成有使包含成為多層反射膜上之缺陷資訊之基準之第1基準標記之區域之多層反射膜露出的對準區域，且於吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近形成有成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記，其後，使用該對準區域進行反射型光罩基底之缺陷管理，藉此可解決上述問題。 本發明者基於上述解明事實，完成了以下之構成14～23之發明。 (構成14) 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟：於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；及於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上，成膜上述吸收體膜而形成反射型光罩基底；且上述吸收體膜之成膜係包含如下步驟：於圖案形成區域之外周緣區域，形成未成膜上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準之第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域；且該製造方法進而包含如下步驟：於上述吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近，形成成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記；及使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。 (構成15) 如構成14所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：於形成上述對準區域之步驟中，以不成膜上述吸收體膜而使上述多層反射膜露出之方式設置遮蔽構件從而成膜上述吸收體膜。 (構成16) 如構成14或15所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述反射型光罩基底之缺陷管理係使用形成於上述對準區域內之上述第1基準標記進行。 (構成17) 如構成14至16中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述反射型光罩基底之缺陷管理包含：檢測以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標，以上述第2基準標記為基準而轉換上述附多層反射膜之基板之缺陷資訊。 (構成18) 如構成17所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標之檢測係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。 (構成19) 如構成14至18中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。 (構成20) 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜者，且於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準之第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域，且於上述吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近形成有成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記。 (構成21) 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：對藉由如構成14至19中任一項所記載之反射型光罩基底之製造方法而獲得之反射型光罩基底或如構成20所記載之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體膜圖案。 (構成22) 一種反射型光罩，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案者，且於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準之第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域，且於上述吸收體膜圖案中之上述對準區域之圖案形成區域側附近形成有成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記。 (構成23) 一種半導體裝置之製造方法，其係藉由使用如構成22所記載之反射型光罩將轉印圖案曝光轉印於半導體基板上之抗蝕膜，而製造半導體裝置。 [發明之效果] 根據本發明，可提供可獲取包含多層反射膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊，從而高精度地進行反射型光罩基底之缺陷管理的反射型光罩基底及其製造方法。 又，根據本發明，可提供藉由使用該反射型光罩基底，基於該等缺陷資訊，進行描繪資料之修正而減少缺陷之反射型光罩。
以下，對本發明之實施形態進行詳細敍述。 [第1實施形態之反射型光罩基底] 圖1係表示本發明之第1實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。又，圖2係構成圖1所示之反射型光罩基底之附多層反射膜之基板之俯視圖。進而，圖6係表示本發明之第1實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之概略剖視圖。 如圖1、圖6所示，本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30至少於基板10上形成有反射作為曝光之光之EUV光之多層反射膜21，且於該多層反射膜21上又形成有吸收EUV光之吸收體膜31(參照圖6(c))。於該反射型光罩基底30主表面上之圖案形成區域(圖1中虛線所示之區域內)之外周緣區域，形成有複數個對準區域32。圖案形成區域係吸收體膜31上之欲形成轉印圖案之區域，且係6英吋見方之基板中之例如132 mm×132 mm之區域。對準區域32係使包含成為上述多層反射膜21上之缺陷資訊之基準者之區域之多層反射膜21露出的區域(去除區域)。於本實施形態中，作為上述成為缺陷資訊之基準者之一例，於上述多層反射膜21形成有第1基準標記22。又，於對準區域32附近之吸收體膜31上，形成有成為上述第1基準標記22之基準並且用以於光罩製造中之電子束描繪步驟中進行對準之第2基準標記42。第2基準標記42與對準區域32內之第1基準標記例如為包含於以10 mm×10 mm包圍之區域內之位置關係即可。 又，第2基準標記42較理想為較第1基準標記22形成為相對較大。即，較佳為第2基準標記42之寬度或長度大於第1基準標記22之寬度或長度，及/或第2基準標記42之截面形狀之深度或高度大於第1基準標記22之截面形狀之深度或高度。 又，於本實施形態中，作為一例，上述對準區域32及第2基準標記42係形成於反射型光罩基底30之圖案形成區域之外周緣區域、具體而言為圖案形成區域之角隅附近之4個部位，但並不限定於此。於本實施形態中，由於對準區域32為使包含形成於上述多層反射膜21上之第1基準標記22之區域的多層反射膜21露出的區域，因此形成對準區域32之位置或個數亦根據形成於多層反射膜21之上述第1基準標記22之位置或個數而不同。再者，亦於下文進行說明，於本發明中，第1及第2基準標記之個數並無特別限定。關於第1及第2基準標記，最少需要3個，亦可為3個以上。 又，上述對準區域32只要使至少包含形成於多層反射膜21之上述第1基準標記22之區域露出，且可藉由進行附多層反射膜之基板20之缺陷檢查時使用之缺陷檢查裝置檢測上述第1基準標記22即可，因此在此條件下，上述對準區域32之形狀或大小等無須特別制約。 例如如圖1所示，對準區域32可設為鄰接於圖案形成區域之角隅之L字型，且可設為L字型之外周部之橫向之長度L1 為4.0 mm～8.0 mm，縱向之長度L2 為4.0 mm～8.0 mm。又，L字型之寬度W可設為1.0 mm～4.0 mm。 於此種本實施形態之反射型光罩基底30中，於圖案形成區域之外周緣區域，形成有例如去除吸收體膜31之一部分而使包含形成於多層反射膜21之第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32，因此可使用該對準區域32進行反射型光罩基底30之缺陷管理。即，可使用形成於該對準區域32內之上述第1基準標記22，進行上述第1基準標記22與下述第2基準標記42之相對座標之管理。其結果為，可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。 又，於使用ABI(Actinic Blank Inspection)裝置進行反射型光罩基底30之缺陷管理之情形時，該對準區域32由於使多層反射膜21露出，因此可高精度地檢測上述第1基準標記22。因此，可高精度地進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理，其結果為，可良好地進行以上述第2基準標記42為基準之反射型光罩基底30之缺陷管理。本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30例如較佳為使用如利用波長短於100 nm(接近曝光之光(例如EUV光)之光源波長之波長)之檢查光之上述ABI裝置的缺陷檢查裝置進行第1基準標記22及第2基準標記42之檢查。 又，對於尚未形成上述吸收體膜31之附多層反射膜之基板20(參照圖2、圖6(a)參照)，可進行包含上述第1基準標記22在內之附多層反射膜之基板20之缺陷檢查。藉此，可使藉由附多層反射膜之基板20之缺陷檢查所得之缺陷座標與以第2基準標記42為基準而獲得之第1基準標記22之座標一致，因此無須進行兩者之缺陷資訊間之座標轉換而較為有利。 其次，對上述第1及第2基準標記22、42進行說明。 圖3係表示第1基準標記22之形狀之圖，圖4係表示第2基準標記42之形狀之圖，又，圖5係用以對使用第2基準標記42之決定基準點之方法進行說明的圖。 於上述實施形態中，作為一例，於反射型光罩基底30之角隅附近之4個部位形成有對準區域32。而且，上述第1基準標記22係形成於對準區域32內之多層反射膜21上。較佳為第1基準標記22均形成於與反射型光罩基底30主表面上之圖案形成區域對應的附多層反射膜之基板20主表面上之虛線A所示之區域(參照圖2)之邊界線上，或形成於較該區域更外側。但，若第1基準標記22過於接近基板外周緣，則可能與其他種類之識別標記交叉，因此欠佳。 上述第1基準標記22係成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準者。而且，上述第1基準標記22較佳為點對稱之形狀。進而，例如於將以波長短於100 nm之短波長光作為缺陷檢查光的上述ABI裝置等用於缺陷檢查之情形時，較佳為第1基準標記22相對於缺陷檢查光之掃描方向具有30 nm以上且1000 nm以下之寬度的部分。 於圖3中，表示有第1基準標記22之若干形狀，如圖3(a)之圓形之基準標記為代表例。又，例如亦可為如圖3(b)所示之菱型、如圖3(c)所示之八邊形之形狀、或如圖3(d)所示之十字形狀。又，雖未圖示，但上述第1基準標記亦可設為正方形或正方形之角部帶弧度之形狀。再者，本發明並不限定於此種第1基準標記之實施形態。 上述第1基準標記22藉由具有點對稱之形狀，可使例如藉由缺陷檢查光之掃描而決定之缺陷位置之基準點之偏移變小，從而可使基於第1基準標記22而檢查出之缺陷檢測位置之偏差變小。 於圖4中，表示有第2基準標記42之若干形狀，如圖4(a)之十字形之基準標記為代表例。又，例如亦可設為如圖4(b)所示之L字形狀、或如圖4(c)所示般於主標記42a之周圍配置4個輔助標記42b～42e者、或如圖4(d)所示般於主標記42a之周圍配置2個輔助標記42b、42c的基準標記。再者，本發明並不限定於此種第2基準標記之實施形態。 又，圖4(a)之十字形狀或圖4(b)之L字形狀、如圖4(c)或圖4(d)般配置於上述主標記42a之周圍之輔助標記42b～42e(42b、42c)較佳為沿缺陷檢查光或電子束描繪裝置之掃描方向而配置，尤其較佳為包含具有相對於缺陷檢查光或電子束描繪裝置之掃描方向垂直之長邊與相對於其平行之短邊之矩形狀(例如參照圖5)。藉由使第2基準標記包含具有相對於缺陷檢查光或電子束之掃描方向垂直之長邊與相對於其平行之短邊之矩形狀，而可藉由缺陷檢查裝置或電子束描繪裝置之掃描而確實地檢測第2基準標記，因此可容易地特定出第2基準標記相對於第1基準標記之位置。於該情形時，第2基準標記之長邊較理想為可藉由缺陷檢查裝置或電子束描繪裝置之儘可能最小次數之掃描而檢測的長度，於將上述ABI裝置等用於缺陷檢查之情形時，例如較理想為具有100 μm以上且1500 μm以下之長度。 又，於本實施形態中，上述第1、第2基準標記22、42例如係以利用微小壓頭之壓痕(沖孔)或以聚焦離子束於多層反射膜21或吸收體膜31形成具有所期望之深度之凹形狀(截面形狀)。然而，第1、第2基準標記22、42之截面形狀並不限定於凹形狀，亦可為凸形狀，只要為可藉由缺陷檢查裝置或電子束描繪裝置而精度良好地檢測之截面形狀即可。 關於參照圖3～圖5之第1、第2基準標記22、42之上述說明亦適用於下述第2、第3實施形態。 於上述實施形態中，對在上述對準區域32內形成有成為缺陷資訊之基準之第1基準標記22之情形進行了說明，但成為缺陷資訊之基準者不限定於基準標記。若於上述對準區域32內存在可藉由缺陷檢查裝置之檢查光而對準之實際缺陷，則於檢查對準區域32時，可檢查以第2基準標記42為基準之實際缺陷之座標。於該實施形態之情形時，對附多層反射膜之基板20進行缺陷檢查，若於圖案形成區域之外周緣區域檢測到實際缺陷，則於形成吸收體膜31後，將多層反射膜21上之包含實際缺陷之區域形成為對準區域32即可。 如上所述，先前即便欲使用可檢查微細缺陷之例如如上述ABI裝置般之缺陷檢查裝置進行高精度之缺陷檢查，由於吸收體膜上之EUV光之反射率較低，因此缺陷之信號強度較小，難以獲取例如包含吸收體膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊。 與此相對，如以上說明所述，本發明之第1實施形態之反射型光罩基底於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含形成於多層反射膜上之成為缺陷資訊之基準之例如上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32。因此，反射型光罩基底之缺陷管理若使用該對準區域32、更具體而言、例如使用形成於該對準區域32內之上述第1基準標記22進行對準，則可進行反射型光罩基底之高精度之缺陷管理。 [第1實施形態之反射型光罩基底之製造方法] 其次，對上述本發明之第1實施形態之反射型光罩基底之製造方法進行說明。 如上述構成1所記載般，本發明之第1實施形態之反射型光罩基底之製造方法之特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟：於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板；對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上成膜上述吸收體膜；形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於圖案形成區域之外周緣區域形成有去除上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜露出的對準區域；及使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。 圖6係表示本發明之第1實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之剖視圖。以下，根據圖6所示之步驟進行說明。 首先，於玻璃基板10上，成膜反射曝光之光之例如EUV光之多層反射膜21，製作附多層反射膜之基板20(參照圖6(a))。 於EUV曝光用之情形時，作為基板較佳為玻璃基板10，尤其，為了防止因曝光時之熱產生之圖案之變形，宜使用具有0±1.0×10-7 /℃之範圍內、更佳為0±0.3×10-7 /℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2 -TiO2 系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。 自至少提昇圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，上述玻璃基板10之欲形成轉印圖案之側之主表面以成為高平坦度之方式進行表面加工。於EUV曝光用之情形時，於玻璃基板10之欲形成轉印圖案之側之主表面142 mm×142 mm之區域，較佳平坦度為0.1 μm以下，尤其較佳為0.05 μm以下。又，與欲形成轉印圖案之側為相反側之主表面係當設置於曝光裝置時被靜電吸附之面，且於142 mm×142 mm之區域，平坦度為0.1 μm以下，較佳為0.05 μm以下。 又，作為上述玻璃基板10，如上所述，宜使用SiO2 -TiO2 系玻璃等具有低熱膨脹係數之素材，但此種玻璃素材難以藉由精密研磨而實現就表面粗糙度而言例如以均方根粗糙度(Rq)計為0.1 nm以下之高平滑性。因此，為了降低玻璃基板10之表面粗糙度，或減少玻璃基板10表面之缺陷，亦可於玻璃基板10之表面形成基底層。作為此種基底層之材料，無須相對於曝光之光具有透光性，較佳為選擇於已對基底層表面進行精密研磨時獲得較高之平滑性，而使缺陷品質變得良好之材料。例如，Si或含有Si之矽化合物(例如SiO2 、SiON等)由於當經過精密研磨時獲得較高之平滑性，而使缺陷品質變得良好，因此較佳用作基底層之材料。基底層之材料尤其較佳為Si。 基底層之表面較佳為設為以成為作為反射型光罩基底用基板而要求之平滑度之方式進行精密研磨之表面。基底層之表面較理想為以成為以均方根粗糙度(Rq)計為0.15 nm以下、尤其較佳為0.1 nm以下之方式進行精密研磨。又，考慮到對形成於基底層上之多層反射膜21表面的影響，較理想為基底層之表面以成為就與最大高度(Rmax)之關係而言，Rmax/Rq較佳為2～10，尤其較佳為2～8之方式進行精密研磨。 基底層之膜厚較佳為例如10 nm～300 nm之範圍。 上述多層反射膜21為交替地積層低折射率層與高折射率層而成之多層膜，通常，使用交替地積層40～60週期左右的重元素或其化合物之薄膜與輕元素或其化合物之薄膜而成之多層膜。 例如，作為對於波長13～14 nm之EUV光之多層反射膜，宜使用交替地積層40週期左右的Mo膜與Si膜而成之Mo/Si週期積層膜。除此以外，作為EUV光之區域所使用之多層反射膜，有Ru/Si週期多層膜、Mo/Be週期多層膜、Mo化合物/Si化合物週期多層膜、Si/Nb週期多層膜、Si/Mo/Ru週期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo週期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru週期多層膜等。根據曝光波長而適當選擇材質即可。 通常，於吸收體膜之圖案化或圖案修正時，為了保護多層反射膜，較佳為於上述多層反射膜21上設置保護膜(有時亦稱為封蓋層或緩衝膜)。作為此種保護膜之材料，除使用矽以外、還使用釕、或含有釕及鈮、鋯、銠中之1種以上元素之釕化合物，除此以外，亦存在使用鉻系材料之情況。 又，作為保護膜之膜厚，較佳為例如1 nm～5 nm左右之範圍。 以上之基底層、多層反射膜21、及保護膜之成膜方法並無特別限定，通常較佳為離子束濺鍍法或、磁控濺鍍法等。 再者，以下，作為上述附多層反射膜之基板20之一實施形態，如上所述，對如圖6(a)所示之於玻璃基板10上成膜多層反射膜21者進行說明。然而，於本發明中，附多層反射膜之基板設為包含於玻璃基板10上依序成膜上述多層反射膜21、及保護膜之態樣、或於玻璃基板10上依序成膜上述基底層、多層反射膜21、及保護膜之態樣。 其次，於如上所述般製作之附多層反射膜之基板20形成上述第1基準標記22。如上文說明，形成於該附多層反射膜之基板20之第1基準標記22係形成於由該附多層反射膜之基板製作之反射型光罩基底之對準區域內。由於已對第1基準標記22進行了詳細說明，因此此處省略重複說明。 此處，於附多層反射膜之基板20之多層反射膜21上之特定位置，使用例如利用微小壓頭之壓痕(沖孔)，形成如例如上述圖3(a)所示之形狀之第1基準標記22(參照圖6(a))。 形成上述第1基準標記22之方法並不限定於使用上述微小壓頭之方法。例如於基準標記之截面形狀為凹形狀之情形時，可藉由利用聚焦離子束、光微影法、雷射光之凹部形成、掃描金剛石針而產生之加工痕、利用壓印法之壓紋等而形成。 再者，於基準標記之截面形狀為凹形狀之情形時，自提昇缺陷檢查光之檢測精度之觀點而言，較佳為以自凹形狀之底部朝向表面側而變寬之方式形成之截面形狀。 又，如上所述，上述第1基準標記22較佳為形成於附多層反射膜之基板20之主表面上之圖案形成區域之邊界線上、或較圖案形成區域更外側之任意位置(參照圖1、圖2)。於該情形時，亦可以邊緣為基準形成基準標記，或於形成基準標記後，以座標測量器特定出基準標記形成位置。 例如，於以聚焦離子束(FIB)加工第1基準標記22之情形時，附多層反射膜之基板之邊緣可藉由2次電子像、2次離子像、或光學像而識別。又，於以其他方法(例如壓痕)加工基準標記之情形時，可藉由光學像進行識別。例如確認附多層反射膜之基板之四邊之8個部位之邊緣座標，進行傾斜修正，從而進行原點(0，0)定位。該情形時之原點可任意設定，可為基板之角部或中心。於距如此以邊緣為基準設定之原點之特定位置，以FIB形成基準標記。 當以缺陷檢查裝置檢測此種以邊緣為基準形成之基準標記時，由於已知基準標記之形成位置資訊、即距邊緣之距離，因此可容易地特定出基準標記形成位置。 又，亦可應用當於多層反射膜21上之任意位置形成第1基準標記22後，以座標測量器特定出基準標記形成位置之方法。該座標測量器為以邊緣為基準測量基準標記之形成座標者，例如可使用高精度圖案位置測定裝置(KLA-Tencor公司製造之LMS-IPRO4)，所特定之基準標記形成座標成為基準標記之形成位置資訊。 其次，對如上所述般製作之形成有第1基準標記22之附多層反射膜之基板20進行缺陷檢查。即，對於附多層反射膜之基板20，藉由缺陷檢查裝置，進行包含上述第1基準標記22在內之缺陷檢查，獲取藉由缺陷檢查而檢測之缺陷與位置資訊，獲得包含第1基準標記22在內之缺陷資訊。又，該情形時之缺陷檢查係對至少圖案形成區域之整面進行。 其次，對上述附多層反射膜之基板20中之上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)上之整面，成膜吸收EUV光之吸收體膜31，製作反射型光罩基底(參照圖6(b))。 再者，雖未圖示，亦可於玻璃基板10之與形成有多層反射膜等之側為相反側之側設置背面導電膜。 上述吸收體膜31具有吸收作為曝光之光之例如EUV光之功能，且於使用反射型光罩基底而製作之反射型光罩40(參照圖6(d))中，上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)所產生之反射光與吸收體膜圖案31a所產生之反射光之間具有所期望之反射率差即可。例如，吸收體膜31對於EUV光之反射率係於0.1%以上且40%以下之間選定。又，除上述反射率差以外，亦可為上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)所產生之反射光與吸收體膜圖案31a所產生之反射光之間具有所期望之相位差。再者，於上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)所產生之反射光與吸收體膜圖案31a所產生之反射光之間具有所期望之相位差之情形時，存在將反射型光罩基底中之吸收體膜31稱為相位偏移膜之情形。於在上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)所產生之反射光與吸收體膜圖案31a所產生之反射光之間設置所期望之相位差而提昇對比度之情形時，較佳為相位差係設定為180度±10度之範圍，吸收體膜31之反射率較佳為係設定為3%以上且40%以下。 上述吸收體膜31可為單層亦可為積層構造。於積層構造之情形時，可為同一材料之積層膜，亦可為不同種類材料之積層膜。積層膜可設為材料或組成於膜厚方向上階段性地及/或連續地變化者。 作為上述吸收體膜31之材料，例如宜使用鉭(Ta)單體或包含Ta之材料。作為含有Ta之材料，使用包含Ta及B之材料、包含Ta及N之材料、包含Ta及B且進而包含O及N之至少一者之材料、包含Ta及Si之材料、包含Ta、Si及N之材料、包含Ta及Ge之材料、包含Ta、Ge及N之材料、包含Ta及Pd之材料、包含Ta及Ru之材料等。又，作為Ta以外之材料，亦可為Cr單體或含有Cr之材料、Ru單體或含有Ru之材料、Pd單體或含有Pd之材料、Mo單體或含有Mo之材料。於吸收體膜31為積層膜之情形時，可設為組合上述材料而成之積層構造。 作為上述吸收體膜31之膜厚，例如較佳為30 nm～100 nm左右之範圍。吸收體膜31之成膜方法並無特別限定，通常較佳為磁控濺鍍法、或離子束濺鍍法等。 其次，於上述反射型光罩基底之表面之特定部位，具體而言，於包含形成於上述附多層反射膜之基板20之上述第1基準標記22之區域，去除吸收體膜31而形成對準區域32(參照圖6(c))。該對準區域32係形成為使包含形成於多層反射膜21上之上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的形狀、大小。又，於吸收體膜31之上部之上述第1基準標記22附近形成第2基準標記42(參照圖6(c))。 作為為了形成該對準區域32及第2基準標記42而去除與該區域相當之吸收體膜31之方法，例如較佳為應用光微影法。具體而言，於吸收體膜31上，形成特定之抗蝕圖案(於與對準區域及第2基準標記對應之區域未形成抗蝕劑之圖案)，以該抗蝕圖案為遮罩，對與對準區域及第2基準標記對應之吸收體膜進行乾式蝕刻，去除與該區域相當之吸收體膜31而形成對準區域32及第2基準標記42。作為該情形時之蝕刻氣體，使用與吸收體膜31之圖案化時所使用者相同之蝕刻氣體即可。 如此，製作反射型光罩基底30，該反射型光罩基底30於圖案形成區域之外周緣區域，形成有去除上述吸收體膜31而使包含上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出之對準區域32、及第2基準標記42(參照圖6(c))。 其次，對於如上所述般製作之包含第1基準標記22之對準區域32及第2基準標記42，使用與進行上述多層反射膜上之缺陷檢查之檢查裝置相同之檢查光進行檢查。 於該情形時，以上述第2基準標記42為基準，檢查形成於上述對準區域32內之上述第1基準標記22，檢測以第2基準標記42為基準之第1基準標記22之位置座標。其後，基於藉由上述缺陷檢查所得之附多層反射膜之基板20之缺陷資訊，製作以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)。繼而，使用以上述第2基準標記42為基準之第1基準標記22之座標，將上述缺陷資訊(第1缺陷圖)轉換為以第2基準標記為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。該第1基準標記22與第2基準標記42較佳為使用如上述ABI裝置般可高精度地檢測微細缺陷之缺陷檢查裝置進行檢查。 於此種本實施形態之反射型光罩基底30中，於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出之對準區域32，因此可使用該對準區域32進行反射型光罩基底30之缺陷管理。即，可使用該對準區域32，進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理，其結果為，可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。由於吸收體膜31係形成於多層反射膜21上，因此多層反射膜21之缺陷亦反映於吸收體膜31，故而可經由對準區域32而以上述第2基準標記42為基準高精度地管理多層反射膜21上之缺陷。於進行反射型光罩基底30之缺陷管理之情形時，尤其藉由使用上述ABI裝置，即便為微細缺陷亦可高精度地進行檢測，而且可獲得精度良好之缺陷資訊。 又，對於反射型光罩基底30表面之缺陷檢查，亦可不進行，為了進行更高精度之缺陷管理，亦可進行整面檢查或縮短檢查時間之部分檢查。 於上述實施形態中，對在上述對準區域32內形成有成為缺陷資訊之基準之第1基準標記22之反射型光罩基底進行了說明。然而，如上文說明，若於上述對準區域32內存在可藉由缺陷檢查裝置之檢查光進行對準之實際缺陷，則於檢查對準區域32時，可檢查以第2基準標記42為基準之實際缺陷之座標。 如以上說明所述，藉由本發明之第1實施形態之製造方法而獲得之反射型光罩基底30於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含例如上述第1基準標記22之區域之多層反射膜露出之對準區域32。因此，反射型光罩基底30之缺陷管理可使用該對準區域32、具體而言、使用形成於該對準區域32內之例如上述第1基準標記22而進行高精度之缺陷管理，其結果為可獲取包含缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊。 又，於本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30中，亦包含於上述吸收體膜31上形成有硬質遮罩膜(亦稱為蝕刻遮罩膜)之態樣。硬質遮罩膜係於對吸收體膜31進行圖案化時具有遮罩功能者，包含與吸收體膜31之最上層之材料蝕刻選擇性不同之材料。例如，於吸收體膜31為Ta單體或包含Ta之材料之情形時，硬質遮罩膜可使用鉻或鉻化合物、或者矽或矽化合物等材料。作為鉻化合物，可列舉包含Cr及選自N、O、C、H之至少一種元素之材料。作為矽化合物，可列舉包含Si及選自N、O、C、H之至少一種元素之材料、或者矽或矽化合物中包含金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等材料。作為金屬矽化合物，可列舉包含金屬、Si及選自N、O、C、H之至少一種元素之材料。又，於吸收體膜31為自多層反射膜21側起為包含Ta之材料、包含Cr之材料之積層膜之情形時，硬質遮罩膜之材料可選擇與包含Cr之材料蝕刻選擇性不同之矽、矽化合物、金屬矽化物、金屬矽化物化合物等。 又，本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30亦可設為如下構成：以包含蝕刻選擇性互不相同之材料之最上層及除其以外之層的積層膜構成吸收體膜，且使最上層具有作為對於除其以外之層的硬質遮罩膜之功能。 如上所述，本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30中之吸收體膜31並不限定於單層膜，可藉由同一材料之積層膜、不同種類材料之積層膜而構成，進而，可設為如上所述之積層膜或單層膜之吸收體膜與硬質遮罩膜之積層膜之構成。 又，於本發明之第1實施形態之反射型光罩基底30中，亦包含於上述吸收體膜31上形成有抗蝕膜之態樣。此種抗蝕膜係於藉由光微影法對反射型光罩基底中之吸收體膜進行圖案化時使用。 又，於在吸收體膜31上介隔或不介隔上述硬質遮罩膜而設置有抗蝕膜之情形時，第2基準標記42之形狀會被轉印至抗蝕膜。而且，轉印至抗蝕膜之第2基準標記42相對於電子束描繪裝置之電子束掃描具有對比度，可藉由電子束檢測。此時，由於藉由第1基準標記22與第2基準標記42進行相對座標之管理，因此即便不將較第2基準標記42相對較小之第1基準標記22之形狀轉印至抗蝕膜亦可進行高精度之描繪。 再者，為了進一步提昇相對於電子束掃描之對比度，亦可設為於包含第2基準標記42之區域之上不形成抗蝕膜、或去除包含第2基準標記42之區域之上之抗蝕膜的構成。 [第1實施形態之反射型光罩] 本發明亦提供上述構成之反射型光罩基底中之上述吸收體膜經圖案化之反射型光罩及其製造方法。 即，藉由於上述反射型光罩基底30上塗佈電子束描繪用抗蝕劑並進行烘焙而形成抗蝕膜，使用電子束描繪裝置對抗蝕膜進行描繪、顯影，於抗蝕膜形成與轉印圖案對應之抗蝕圖案。其後，以抗蝕圖案為遮罩將吸收體膜31圖案化而形成吸收體膜圖案31a，藉此製作反射型光罩40(參照圖6(d))。 對反射型光罩基底30中之成為轉印圖案之上述吸收體膜31進行圖案化之方法最佳為光微影法。再者，於使用包含上述硬質遮罩膜之構成之反射型光罩基底製造反射型光罩之情形時，亦可最終去除硬質遮罩膜，但若即便殘留硬質遮罩膜亦不會對作為反射型光罩之功能產生影響，則亦可不特意去除。 上述反射型光罩40至少於基板10上形成有反射EUV光之多層反射膜21，於該多層反射膜21上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案31a。而且，於該反射型光罩40主表面上之圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為多層反射膜21上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜21露出的對準區域32。又，於對準區域32附近之吸收體膜31上，形成有成為第1基準標記22之基準並且用以於光罩製造中之電子束描繪步驟中進行對準的第2基準標記42。第2基準標記42較第1基準標記22形成為相對較大。 基於以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊，以第2基準標記42為基準，對吸收體膜31進行圖案化。 於本發明中，如上所述，可獲取包含多層反射膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊，從而高精度地進行反射型光罩基底之缺陷管理。因此，於光罩之製造中，可基於該缺陷資訊，與預先設計之描繪資料(光罩圖案資料)進行對照，以減少缺陷造成之影響之方式對描繪資料以高精度進行修正(校正)，其結果為，可獲得於最終製造之反射型光罩中減少缺陷者。 進而，藉由使用上述本發明之反射型光罩將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜，而可製造缺陷較少之高品質之半導體裝置。 [實施例] 以下，藉由實施例，對本發明之實施形態進一步具體進行說明。 (實施例1) 準備如下SiO2 -TiO2 系之玻璃基板(大小約152.0 mm×約152.0 mm，厚度約6.35 mm)，其係使用雙面研磨裝置，藉由氧化鈰研磨粒或膠體氧化矽研磨粒而階段性地進行研磨，且利用低濃度之矽氟酸對基板表面進行表面處理者。所得之玻璃基板之表面粗糙度以均方根粗糙度(Rq)計為0.25 nm。再者，表面粗糙度係藉由原子力顯微鏡(AFM)進行測定，測定區域設為1 μm×1 μm。 其次，使用離子束濺鍍裝置，以Si膜(膜厚：4.2 nm)與Mo膜(膜厚：2.8 nm)為一週期，於玻璃基板之主表面積層40週期，最後形成Si膜(膜厚：4 nm)，進而於其上成膜包含Ru之保護膜(膜厚：2.5 nm)，獲得附多層反射膜之基板。 其次，於上述附多層反射膜之基板之多層反射膜表面之特定部位，按以下之表面形狀形成截面形狀為凹形狀之第1基準標記。第1基準標記之形成係藉由利用微小壓頭之壓痕(沖孔)進行。具體而言，藉由以特定壓力將微小壓頭壓抵於多層反射膜，而形成第1基準標記。於形成第1基準標記後，進行洗淨。 於本實施例中，作為第1基準標記，設為上述圖3(a)所示之形狀，大小設為直徑500 nm之圓形，深度設為60 nm。 其次，對於附多層反射膜之基板表面，藉由上述ABI裝置進行包含上述第1基準標記在內之缺陷檢查。於該缺陷檢查中，獲取凸部、凹部之缺陷位置資訊、及缺陷尺寸資訊，獲得包含第1基準標記在內之缺陷資訊。 又，藉由EUV反射率計對該附多層反射膜之基板之保護膜表面之反射率進行評價，結果為64%±0.2%，良好。 其次，使用DC(Direct Current，直流)磁控濺鍍裝置，於上述附多層反射膜之基板之保護膜上，形成包含TaBN膜(膜厚：56 nm)與TaBO膜(膜厚：14 nm)之積層膜之吸收體膜，又，於附多層反射膜之基板之背面形成CrN導電膜(膜厚：20 nm)而獲得反射型光罩基底。 其次，於上述反射型光罩基底之表面之特定部位，形成已去除吸收體膜之對準區域與第2基準標記。又，對準區域係形成為使包含形成於多層反射膜之上述第1基準標記之區域之多層反射膜露出的形狀、大小。作為第2基準標記，形成上述圖4(a)所示之十字形狀。第2基準標記係大小為寬度5 μm且長度550 μm之十字形狀，且由於將吸收體膜全部去除，因此深度設為約70 nm。 為了去除對準區域之吸收體膜，並且形成上述第2基準標記，而應用光微影法。具體而言，於成膜有吸收體膜之反射型光罩基底上，藉由旋轉塗佈法而塗佈電子束描繪用抗蝕劑，進行烘焙而形成抗蝕膜。於吸收體膜上，形成與除對準區域及第2基準標記以外之區域對應之特定之抗蝕圖案，以該抗蝕圖案為遮罩，對於露出之吸收體膜，藉由氟系氣體(CF4 氣體)而將TaBO膜蝕刻去除，藉由氯系氣體(Cl2 氣體)而將TaBN膜蝕刻去除，形成對準區域及第2基準標記。進而，利用熱硫酸去除殘留於吸收體膜上之抗蝕圖案，獲得形成有對準區域及第2基準標記之反射型光罩基底。 對於所得之反射型光罩基底，藉由與附多層反射膜之基板之缺陷檢查相同之上述ABI裝置進行對準區域內之第1基準標記與第2基準標記之檢查。此時，以第2基準標記為基準檢查第1基準標記，並檢測以第2基準標記為基準之第1基準標記之位置座標。藉由進行第2基準標記與第1基準標記之相對座標之管理，而可以第2基準標記為基準，高精度地管理多層反射膜上之缺陷。 如此，獲得以第2基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷資訊。 進而，藉由以座標測定器(KLA-Tencor公司製造之LMS-IPRO4)測量第2基準標記，而進行轉換為電子束描繪步驟之基準座標之校正。 其次，使用已獲取該缺陷資訊之EUV反射型光罩基底，製作EUV反射型光罩。 首先，藉由旋轉塗佈法而於EUV反射型光罩基底上塗佈電子束描繪用抗蝕劑，進行烘焙而形成抗蝕膜。 此時，基於第2基準標記進行對準。然後，基於EUV反射型光罩基底之缺陷資訊，與預先設計之光罩圖案資料進行對照，修正為對使用曝光裝置之圖案轉印不存在影響之光罩圖案資料，或於判斷為對圖案轉印存在影響之情形時，例如修正為以將缺陷隱藏於圖案之下之方式追加修正圖案資料的光罩圖案資料等，對上述抗蝕膜，藉由電子束而描繪光罩圖案並使其顯影，形成抗蝕圖案。於本實施例中，由於獲得了包含精度較高之缺陷位置資訊之缺陷資訊，因此可高精度地進行光罩圖案資料之修正。 以該抗蝕圖案為遮罩，對於吸收體膜，藉由氟系氣體(CF4 氣體)而將TaBO膜蝕刻去除，藉由氯系氣體(Cl2 氣體)而將TaBN膜蝕刻去除，於保護膜上形成吸收體膜圖案。 進而，利用熱硫酸去除殘留於吸收體膜圖案上之抗蝕圖案，獲得EUV反射型光罩。 將如此獲得之反射型光罩設置於曝光裝置，對形成有抗蝕膜之半導體基板上進行圖案轉印，結果為，不存在因反射型光罩產生之轉印圖案之缺陷，可進行良好之圖案轉印。 (參考例1) 於上述實施例1中，於形成有第1基準標記之附多層反射膜之基板上形成上述吸收體膜後，不形成上述對準區域，除此以外，與實施例1同樣地製作反射型光罩基底。 與實施例1同樣地，以ABI裝置進行附多層反射膜之基板之缺陷檢查，獲取缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊。又，對於形成有第1基準標記之吸收體膜上之區域以ABI裝置進行檢查之結果為：形成於多層反射膜之第1基準標記係EUV光下之對比度較低，無法精度良好地檢測，因此獲取之缺陷座標之精度較差，難以獲得反射型光罩基底之缺陷資訊。 其次，與實施例1同樣地，使用該EUV反射型光罩基底，製作EUV反射型光罩。 將所得之EUV反射型光罩設置於曝光裝置，對形成有抗蝕膜之半導體基板上進行圖案轉印，結果觀察到因反射型光罩產生之轉印圖案缺陷。認為其原因在於：如上所述，第1基準標記之缺陷座標之精度較差，難以獲得反射型光罩基底之缺陷資訊，因此於圖案描繪步驟中，無法以高精度進行基於EUV反射型光罩基底之缺陷資訊的光罩圖案資料之修正，從而無法將多層反射膜上之缺陷精度良好地隱藏於吸收體膜圖案下。 再者，於上述實施例1中，列舉藉由利用微小壓頭之壓痕而形成第1基準標記之例進行了說明，但並不限定於此。如上文亦說明般，除該方法以外，亦可藉由利用聚焦離子束、光微影法、雷射光等之凹部形成、掃描金剛石針而產生之加工痕、利用壓印法之壓紋等而形成。又，於上述實施例1中，列舉於對準區域形成有第1基準標記之例進行了說明，但亦可代替第1基準標記而形成偽缺陷。又，亦可為存在於對準區域之實際缺陷。 其次，對本發明之第2實施形態進行詳細敍述。 [第2實施形態之反射型光罩基底] 圖7係表示本發明之第2實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。又，圖8係構成圖7所示之反射型光罩基底之附多層反射膜之基板之俯視圖。進而，圖10係表示本發明之第2實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之概略剖視圖。再者，於以下之說明中，存在對與於第1實施形態中說明之構成要素相同之構成要素標註相同之參照編號而省略詳細說明的情形。 如圖7、圖10所示，本發明之第2實施形態之反射型光罩基底30'至少於基板10上形成有反射作為曝光之光之EUV光之多層反射膜21，且於該多層反射膜21上又形成有吸收EUV光之吸收體膜31(參照圖10(c))，於該反射型光罩基底30'主表面上之圖案形成區域(圖7中虛線所示之區域A內)之外周緣區域，形成有複數個對準區域32'。圖案形成區域係吸收體膜31上之欲形成轉印圖案之區域，且係6英吋見方(約152.0 mm×約152.0 mm)之基板上之例如132 mm×132 mm之區域。上述對準區域32'係使包含成為上述多層反射膜21上之缺陷資訊之基準之第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的區域。於本實施形態中，上述第1基準標記22係形成於上述多層反射膜21。又，於上述對準區域32'之圖案形成區域側附近之吸收體膜31，形成有成為上述第1基準標記22之基準並且用以於光罩製造中之電子束描繪步驟中進行對準的第2基準標記42。該第2基準標記42較理想為較第1基準標記22形成為相對較大。即，較佳為第2基準標記42之電子束之寬度或長度大於第1基準標記22之電子束之寬度或長度，及/或第2基準標記42之截面形狀中之深度或高度大於第1基準標記22之截面形狀中之深度或高度。 又，於本實施形態中，作為一例，上述對準區域32'及第2基準標記42係形成於反射型光罩基底30'之圖案形成區域之外周緣區域、具體而言為反射型光罩基底30'之角隅附近之4個部位，但只要為圖案形成區域之外周緣區域即可，並不限定於角隅附近。於本實施形態中，對準區域32'係使包含形成於上述多層反射膜21上之第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的區域。因此，形成有對準區域32'之位置或個數根據形成於多層反射膜21之上述第1基準標記22之位置或個數而不同。再者，與第1實施形態同樣地，第1及第2基準標記之個數並無特別限定。關於第1及第2基準標記，最少需要3個，亦可如本實施形態般為3個以上。 又，上述對準區域32'只要至少使包含形成於多層反射膜21之上述第1基準標記22之區域露出，且可藉由於進行附多層反射膜之基板20'之缺陷檢查時使用之缺陷檢查裝置而檢測上述第1基準標記22即可，於該條件下，上述對準區域32'之形狀或大小等無須特別制約。但，於在上述多層反射膜21上成膜上述吸收體膜31而設為反射型光罩基底時，以於對準區域32'不成膜吸收體膜31而使多層反射膜21露出之方式，例如設置遮蔽構件而成膜吸收體膜31，藉此形成上述對準區域32'。因此，較佳為於反射型光罩基底之圖案形成區域之外周緣區域、尤其是於包含基板外周緣之區域形成上述對準區域32'。 例如於本實施形態中，如圖7所示，對準區域32'係設為於反射型光罩基底30'之角隅之4個部位分別包含角隅之兩邊的三角形狀。該三角形狀之外周部之橫向之長度L3 例如可設為6.0 mm～18.0 mm，縱向之長度L4 例如可設為6.0 mm～18.0 mm。 於此種本實施形態之反射型光罩基底30'中，於圖案形成區域之外周緣區域，形成有未成膜吸收體膜31而使包含形成於多層反射膜21之第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'。又，如上所述，於該對準區域32'之圖案形成區域側附近之吸收體膜31形成有成為上述第1基準標記22之基準並且用以於光罩製造中之電子束描繪步驟中進行對準的第2基準標記42。因此，可使用該對準區域32'進行反射型光罩基底30'之缺陷管理。即，可使用形成於該對準區域32'內之上述第1基準標記22，進行上述第1基準標記22與上述第2基準標記42之相對座標之管理。其結果為，可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。 又，於使用上述ABI裝置進行反射型光罩基底30'之缺陷管理之情形時，由於該對準區域32'係使多層反射膜21露出，因此可高精度地檢測上述第1基準標記22。因此，可高精度地進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理，其結果為，可良好地進行以上述第2基準標記42為基準之反射型光罩基底30'之缺陷管理。本發明之第2實施形態之反射型光罩基底30'較佳為使用利用例如波長短於100 nm(接近曝光之光(例如EUV光)之光源波長之波長)之檢查光的如上述ABI裝置般之缺陷檢查裝置進行第1基準標記22及第2基準標記42之檢查。 又，可對於尚未形成上述吸收體膜31之附多層反射膜之基板20'(參照圖8、圖10(a))進行包含上述第1基準標記22在內之附多層反射膜之基板20'之缺陷檢查。藉此，可使以附多層反射膜之基板20'之缺陷檢查所得之缺陷座標與以第2基準標記42為基準而獲得之第1基準標記22之座標一致，因此無須進行兩者之缺陷資訊間之座標轉換，較為有利。 對於上述第1基準標記22及第2基準標記42，如第1實施形態中參照圖3～圖5所說明般，因此省略重複說明。 於第2實施形態中，作為一例，於反射型光罩基底30'之角隅之4個部位形成有對準區域32'。而且，上述第1基準標記22係形成於對準區域32'內之多層反射膜21。如上所述，對準區域32'較佳為形成於反射型光罩基底之圖案形成區域之外周緣區域、尤其是包含基板外周緣之區域。因此，對於形成於該對準區域32'內之多層反射膜21之上述第1基準標記22，亦較佳為形成於較與反射型光罩基底30'主表面上之圖案形成區域對應之附多層反射膜之基板20'主表面上之虛線A所示之區域(參照圖8)更外側。但，若第1基準標記22過於接近基板外周緣，則有可能與其他種類之識別標記交叉，因此欠佳。自此種觀點而言，上述第1基準標記22(或包含當該基準標記之對準區域32')較理想為於6英吋見方(約152.0 mm×約152.0 mm)之基板上，例如形成於134 mm×134 mm～146 mm×146 mm之區域內。 如第1實施形態中說明般，上述第1基準標記22係成為缺陷資訊中之缺陷位置之基準者。而且，上述第1基準標記22較佳為點對稱之形狀。進而，於將例如以波長短於100 nm之短波長光作為缺陷檢查光之上述ABI裝置等用於缺陷檢查之情形時，較佳為相對於該缺陷檢查光之掃描方向具有30 nm以上且1000 nm以下之寬度之部分。 於本實施形態中，於圖案形成區域之外周緣區域形成有使包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'。因此，於該對準區域32'之圖案形成區域側附近之吸收體膜31，形成有成為上述第1基準標記22之基準之第2基準標記42。於本實施形態中，作為具體之一例，第2基準標記42係形成於基板角隅附近且圖案形成區域之角隅之外側附近。然而，形成第2基準標記42之位置只要為對準區域32'之圖案形成區域側附近即可，並不限定於圖7之實施形態。例如，第2基準標記42與對準區域32'內之第1基準標記22為包含於以10 mm×10 mm包圍之區域內之位置關係即可。 於上述第2實施形態中，以對在上述對準區域32'內形成有成為缺陷資訊之基準之第1基準標記22之情形進行了說明，但若於上述對準區域32'內存在可藉由缺陷檢查裝置之檢查光對準之實際缺陷，則於檢查對準區域32'時，可檢測以第2基準標記42為基準之實際缺陷之座標。即，於第2實施形態中，上述第1基準標記22亦可設為存在於對準區域32'內之實際缺陷。於該實施形態之情形時，對附多層反射膜之基板進行缺陷檢查，若於圖案形成區域之外周緣區域檢測到實際缺陷，則於在多層反射膜21上形成吸收體膜31時，不於該多層反射膜21上之包含實際缺陷之區域成膜吸收體膜31，從而形成為對準區域32'即可。 如第1實施形態中亦說明般，先前，即便欲使用可檢測微細缺陷之例如如上述ABI裝置般之缺陷檢查裝置進行高精度之缺陷檢查，由於吸收體膜上之EUV光之反射率較低，因此缺陷之信號強度較小，亦難以獲取例如包含吸收體膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊。 與此相對，本發明之第2實施形態之反射型光罩基底亦如以上說明般，於圖案形成區域之外周緣區域形成有使包含形成於多層反射膜上之成為缺陷資訊之基準之上述第1基準標記22之區域之多層反射膜露出的對準區域32'。因此，反射型光罩基底之缺陷管理若使用該對準區域32'、更具體而言例如使用形成於該對準區域32'內之上述第1基準標記22進行對準，則可進行反射型光罩基底之高精度之缺陷管理。例如，可使用形成於該對準區域32'內之上述第1基準標記22進行上述第1基準標記22與上述第2基準標記42之相對座標之管理，因此可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。 圖9係表示本發明之第3實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。 於圖9所示之實施形態中，包含第1基準標記22之對準區域33係設為於基板之角隅之4個部位分別包含角隅之兩邊的矩形狀。該矩形狀之區域之橫向之長度例如可設為3.0 mm～9.0 mm，縱向之長度亦例如可設為3.0 mm～9.0 mm。 如上文說明，只要可藉由缺陷檢查裝置檢測上述第1基準標記22即可，於該條件下，上述對準區域33之形狀或大小等無須受上述實施形態制約。 而且，於本實施形態中，亦於該對準區域33之圖案形成區域側附近之吸收體膜31形成有成為上述第1基準標記22之基準之第2基準標記42。 關於除此以外之構成，與上述圖7之第2實施形態相同，因此省略重複說明。 於本實施形態中，亦可使用上述對準區域33進行反射型光罩基底30'之缺陷管理。即，可使用形成於該對準區域33內之上述第1基準標記22，進行上述第1基準標記22與上述第2基準標記42之相對座標之管理。其結果為，可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。 又，於使用上述ABI裝置進行反射型光罩基底30'之缺陷管理之情形時，由於該對準區域33係使多層反射膜21露出，因此可高精度地檢測上述第1基準標記22。因此，可高精度地進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理，從而可良好地進行以上述第2基準標記42為基準之反射型光罩基底30'之缺陷管理。 [第2、第3實施形態之反射型光罩基底之製造方法] 其次，對上述本發明之第2實施形態之反射型光罩基底之製造方法進行說明。該說明亦可應用於第3實施形態。 本發明之第2實施形態之反射型光罩基底之製造方法係如上述構成14般， 其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟： 於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板； 對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；及 於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上，成膜上述吸收體膜而形成反射型光罩基底；且 上述吸收體膜之成膜係包含如下步驟：於圖案形成區域之外周緣區域，形成未成膜上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準之第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域(以下，有時亦稱為「對準區域形成步驟」)；且 該製造方法進而包含如下步驟： 於上述吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近，形成成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記；及 使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。 圖10係表示本發明之第2實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之剖視圖。以下，根據圖10所示之步驟進行說明。 首先，作為基板，於玻璃基板10上成膜反射曝光之光之例如EUV光之多層反射膜21，製作附多層反射膜之基板20'(參照圖10(a))。 於EUV曝光用之情形時，作為基板，較佳為玻璃基板，特別地，為了防止因曝光時之熱產生之圖案之變形，與第1實施形態同樣地，宜使用具有0±1.0×10-7 /℃之範圍內、更佳為0±0.3×10-7 /℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2 -TiO2 系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。 如第1實施形態所說明般，自至少提昇圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，上述玻璃基板10之欲形成轉印圖案之側之主表面係以成為高平坦度之方式進行表面加工。於EUV曝光用之情形時，於玻璃基板10之欲形成轉印圖案之側之主表面之142 mm×142 mm之區域中，平坦度較佳為0.1 μm以下，尤其較佳為0.05 μm以下。又，與欲形成轉印圖案之側為相反側之主表面為設置於曝光裝置時被靜電吸附之面，於142 mm×142 mm之區域中，平坦度為0.1 μm以下，較佳為0.05 μm以下。 又，作為上述玻璃基板10，如上所述，宜使用SiO2 -TiO2 系玻璃等具有低熱膨脹係數之素材，但此種玻璃素材難以藉由精密研磨而實現就表面粗糙度而言例如以均方根粗糙度(Rq)計為0.1 nm以下之高平滑性。因此，為了降低玻璃基板10之表面粗糙度，或減少玻璃基板10表面之缺陷，而亦可於玻璃基板10之表面形成基底層。作為此種基底層之材料，無須相對於曝光之光具有透光性，較佳為選擇於已對基底層表面進行精密研磨時獲得較高之平滑性，而使缺陷品質變得良好之材料。例如，Si或含有Si之矽化合物(例如SiO2 、SiON等)由於當已進行精密研磨時獲得較高之平滑性，而使缺陷品質變得良好，因此宜用作基底層之材料。基底層之材料尤其較佳為Si。 基底層之表面較佳為設為以成為作為反射型光罩基底用基板而要求之平滑度之方式進行精密研磨之表面。基底層之表面較理想為以成為以均方根粗糙度(Rq)計為0.15 nm以下、尤其較佳為0.1 nm以下之方式進行精密研磨。又，考慮到對形成於基底層上之多層反射膜21之表面的影響，較理想為基底層之表面以成為就與最大高度(Rmax)之關係而言，較佳為Rmax/Rq為2～10，尤其較佳為2～8之方式進行精密研磨。 基底層之膜厚較佳為例如10 nm～300 nm之範圍。 如第1實施形態所說明般，上述多層反射膜21為交替地積層低折射率層與高折射率層而成之多層膜，通常，使用交替地積層40～60週期左右的重元素或其化合物之薄膜與輕元素或其化合物之薄膜而成之多層膜。多層反射膜21之具體例如第1實施形態中說明般，因此省略說明。 與第1實施形態同樣地，通常，於吸收體膜之圖案化或圖案修正時，為了保護多層反射膜，較佳為於上述多層反射膜21上設置保護膜(有時亦稱為封蓋層或緩衝膜)。作為此種保護膜之材料，除使用矽以外、還使用釕、或含有釕及鈮、鋯、銠中之1種以上元素之釕化合物，除此以外，亦存在使用鉻系材料之情況。又，作為保護膜之膜厚，較佳為例如1 nm～5 nm左右之範圍。 如第1實施形態所說明般，以上之基底層、多層反射膜21、及保護膜之成膜方法並無特別限定，通常較佳為離子束濺鍍法或、磁控濺鍍法等。 以下，作為上述附多層反射膜之基板20'之實施形態，如上所述，對如圖10(a)所示之玻璃基板10上成膜多層反射膜21者進行說明，於本實施形態中，附多層反射膜之基板20'亦設為包含於玻璃基板10上依序成膜上述多層反射膜21、及保護膜之態樣、或於玻璃基板10上依序成膜上述基底層、多層反射膜21、及保護膜之態樣。又，自抑制基板端部之發塵之觀點而言，於在玻璃基板10上成膜多層反射膜21時，亦可於自基板外周端部向內側特定之寬度(例如數mm左右)之區域不成膜多層反射膜21。於本實施形態中亦包含此種態樣。 其次，於如上所述般製作之附多層反射膜之基板20'形成上述第1基準標記22。如上文說明，形成於該附多層反射膜之基板20'之第1基準標記22係形成於由該附多層反射膜之基板製作之反射型光罩基底之對準區域內。對於第1基準標記22已進行了說明，因此此處省略重複說明。 此處，於附多層反射膜之基板20'之多層反射膜21上之特定位置，使用例如利用微小壓頭之壓痕(沖孔)，形成如例如上述圖3(a)所示之形狀般之第1基準標記22(參照圖10(a))。 與第1實施形態同樣地，形成上述第1基準標記22之方法並不限定於使用上述微小壓頭之方法。例如於基準標記之截面形狀為凹形狀之情形時，可藉由利用聚焦離子束、光微影法、雷射光之凹部形成、掃描金剛石針而產生之加工痕、利用壓印法之壓紋等而形成。 再者，於基準標記22之截面形狀為凹形狀之情形時，自提昇缺陷檢查光之檢測精度之觀點而言，較佳為以自凹形狀之底部朝向表面側而變寬之方式形成之截面形狀。 又，如上所述，上述第1基準標記22係形成於較附多層反射膜之基板20'之主表面上之圖案形成區域更外周緣側之區域之任意位置(參照圖7、圖8、圖9)，但於該情形時，亦可以邊緣為基準形成第1基準標記，或於形成第1基準標記後，以座標測量器特定出基準標記形成位置。 例如，於以聚焦離子束(FIB)加工第1基準標記22之情形時，附多層反射膜之基板20'之邊緣可藉由2次電子像、2次離子像、或光學像而識別。又，於以其他方法(例如壓痕)加工第1基準標記22之情形時，可藉由光學像進行識別。例如確認附多層反射膜之基板20'之四邊之8個部位之邊緣座標，進行傾斜修正，從而進行原點(0，0)定位。該情形時之原點可任意設定，可為基板之角部或中心。於距如此以邊緣為基準設定之原點之特定位置，以FIB形成第1基準標記22。 當以缺陷檢查裝置檢測此種以邊緣為基準形成之第1基準標記22時，由於已知基準標記之形成位置資訊、即距邊緣之距離，因此可容易地特定出基準標記形成位置。 又，亦可應用當於多層反射膜21上之任意位置形成第1基準標記22後，以座標測量器特定出基準標記形成位置之方法。該座標測量器係以邊緣為基準測量第1基準標記之形成座標者，例如可使用高精度圖案位置測定裝置(KLA-Tencor公司製造之LMS-IPRO4)，所特定之基準標記形成座標成為基準標記之形成位置資訊。 其次，對如上所述般製作之形成有第1基準標記22之附多層反射膜之基板20'進行缺陷檢查。即，對於附多層反射膜之基板20'，藉由缺陷檢查裝置，進行包含上述第1基準標記22在內之缺陷檢查，獲取藉由缺陷檢查而檢測之缺陷與位置資訊，從而獲得包含第1基準標記22在內之缺陷資訊。又，該情形時之缺陷檢查係對至少圖案形成區域之整面進行。作為附多層反射膜之基板20'之缺陷檢查裝置，宜使用上述之例如檢查光源波長為266 nm之Lasertec公司製造之EUV曝光用光罩·基板/基底缺陷檢查裝置「MAGICS M7360」、檢查光源波長為193 nm之KLA-Tencor公司製造之EUV·光罩/基底缺陷檢查裝置「Teron600系列，例如Teron610」、將檢查光源波長設為曝光光源波長之13.5 nm之ABI裝置等。尤其較佳為使用可檢測微細缺陷之如上述ABI裝置般之缺陷檢查裝置進行高精度之缺陷檢查。 其次，於上述附多層反射膜之基板20'中之上述多層反射膜21(於在多層反射膜之表面包含上述保護膜之情形時為該保護膜)上，成膜吸收EUV光之吸收體膜31，製作反射型光罩基底(參照圖10(b))。 再者，雖未圖示，亦可於玻璃基板10之與形成有多層反射膜等之側為相反側之側設置背面導電膜。 於本實施形態中，於在上述多層反射膜21上成膜吸收體膜31時，於上述附多層反射膜之基板20'之主表面之特定部位、具體而言於包含形成於上述附多層反射膜之基板20'之上述第1基準標記22之區域，形成未成膜吸收體膜31而使包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'(參照圖10(b))。該對準區域32'係形成為使包含形成於多層反射膜21之上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的形狀、大小。 於形成該對準區域32'之步驟中，以不成膜上述吸收體膜31而使上述多層反射膜21露出之方式設置遮蔽構件成膜吸收體膜31。例如，如圖11所示，於欲形成對準區域32'之附多層反射膜之基板20'主表面之特定部位，與基板周緣部分隔地設置遮蔽構件50，例如藉由濺鍍法而成膜吸收體膜31。於基板周緣部附近，使遮蔽構件50覆蓋於包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21上，因此對於遮蔽構件50之形狀、大小、遮蔽長度d，考慮欲形成之對準區域32'之形狀、大小等而決定即可。又，對於玻璃基板10主表面與遮蔽構件50之分隔距離h，亦適當調節即可，通常較佳為設為9 mm左右。 藉由利用以上之成膜方法之對準區域形成步驟，而於包含形成於上述附多層反射膜之基板20'之上述第1基準標記22之區域，形成未成膜吸收體膜31而使包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'。於除該對準區域32'以外之附多層反射膜之基板20'上，成膜上述吸收體膜31。 再者，作為對準區域32'之形成方法，例如亦考慮如下方法：藉由於附多層反射膜之基板之整面預先成膜吸收體膜，並將設為對準區域之區域之吸收體膜去除(剝離)，而形成使包含基準標記之區域之多層反射膜露出之對準區域。然而，於該方法中，有因去除對準區域之吸收體膜而導致基準標記變形等風險。又，亦有去除吸收體膜時之發塵之虞。與此相對，根據如上所述之本實施形態中之對準區域形成步驟，於包含形成於附多層反射膜之基板20'之上述第1基準標記22之區域，形成未成膜吸收體膜31而使包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'，因此避免基準標記之變形等風險，亦不會產生上述發塵之問題。 吸收體膜31係與第1實施形態完全相同，因此省略重複說明。 其次，於上述吸收體膜31形成第2基準標記42(參照圖10(c))。 該第2基準標記42係成為進行與上述第1基準標記22之相對座標管理時之基準者，形成於上述對準區域32'之圖案形成區域側附近之吸收體膜31。於圖7之實施形態中，作為具體之一例，第2基準標記42係形成於基板角隅之第1基準標記22附近、且為圖案形成區域之角隅之外側附近。對於第2基準標記42已進行詳細說明，因此此處省略重複說明。 作為為了形成該第2基準標記42而去除與該區域相當之吸收體膜31之方法，例如較佳為應用聚焦離子束。又，亦可應用光微影法。於該情形時，於吸收體膜31上，形成特定之抗蝕圖案(於與第2基準標記對應之區域未形成抗蝕劑之圖案)，以該抗蝕圖案為遮罩，對使與第2基準標記相當之區域露出之吸收體膜進行乾式蝕刻，去除與該區域相當之吸收體膜31而形成第2基準標記42。作為該情形時之蝕刻氣體，使用與吸收體膜31之圖案化時所使用者相同之蝕刻氣體即可。 如上所述般，製作反射型光罩基底30'，該反射型光罩基底30'係於圖案形成區域之外周緣區域，形成有未成膜上述吸收體膜31而使包含上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出的對準區域32'、及第2基準標記42(參照圖10(c))。 其次，對如上所述般製作之包含第1基準標記22之對準區域32'與第2基準標記42，使用缺陷檢查裝置進行檢查。於該情形時，較佳為與進行上述多層反射膜上之缺陷檢查之檢查裝置使用同樣之檢查光進行檢查。其原因在於：可使兩者之檢查裝置所得之座標精度一致。 於該情形時，以上述第2基準標記42為基準，檢查形成於上述對準區域32'內之上述第1基準標記22，檢測以第2基準標記42為基準之第1基準標記22之位置座標。其後，基於藉由上述缺陷檢查所得之附多層反射膜之基板20'之缺陷資訊，製作以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，使用以上述第2基準標記42為基準之第1基準標記22之座標，將上述缺陷資訊(第1缺陷圖)轉換為以第2基準標記為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。該第1基準標記22與第2基準標記42較佳為係使用如上述ABI裝置般之可高精度地檢測微細缺陷之缺陷檢查裝置進行檢查。 再者，對於此種包含第1基準標記22之對準區域32'與第2基準標記42，亦可代替使用缺陷檢查裝置，而以上述座標測量器進行檢查，檢測以第2基準標記42為基準之第1基準標記22之位置座標。 於此種藉由本實施形態所得之反射型光罩基底30'中，於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出之對準區域32'，因此可使用該對準區域32'進行反射型光罩基底30'之缺陷管理。即，可使用該對準區域32'，進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理。其結果為，可根據以上述第1基準標記22為基準之缺陷資訊(第1缺陷圖)，獲得以上述第2基準標記42為基準之缺陷資訊(第2缺陷圖)。由於吸收體膜31係形成於多層反射膜21上，因此多層反射膜21之缺陷亦反映於吸收體膜31，故而可經由對準區域32'而以上述第2基準標記42為基準高精度地管理多層反射膜21上之缺陷。於進行反射型光罩基底30之缺陷管理之情形時，尤其藉由使用上述ABI裝置，即便為微細缺陷亦可高精度地進行檢測，而且可獲得精度良好之缺陷資訊。又，根據本實施形態，由於不會因上述對準區域32'之形成而發生第1基準標記22之變形等，因此不會產生使用第1基準標記22之對準誤差。 又，反射型光罩基底30'表面之缺陷檢查亦可不進行，為了進行更高精度之缺陷管理，亦可進行整面檢查或縮短檢查時間之部分檢查。 於上述第2、第3實施形態中，對在上述對準區域32'內形成有成為缺陷資訊之基準之第1基準標記22之反射型光罩基底進行了說明。然而，如上文說明，若於上述對準區域32'內存在可藉由缺陷檢查裝置之檢查光進行對準之實際缺陷，則上述第1基準標記22亦可為此種實際缺陷，於檢查對準區域32'時，可檢查以第2基準標記42為基準之實際缺陷之座標。 如以上說明所述，藉由本發明之第2、第3實施形態之製造方法而獲得之反射型光罩基底30'係於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含上述第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出之對準區域32'。因此，反射型光罩基底30'之缺陷管理之缺陷管理可使用該對準區域32'、具體而言、使用形成於該對準區域32'內之例如上述第1基準標記22而進行高精度之缺陷管理。其結果為，可獲取包含缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊。又，可使用該對準區域32'與第2基準標記42而進行上述第1基準標記22與第2基準標記42之相對座標之管理。 又，與第1實施形態同樣地，於本發明之第2、第3實施形態之反射型光罩基底30'中，亦包含於上述吸收體膜31上形成有硬質遮罩膜(亦稱為蝕刻遮罩膜)之態樣。硬質遮罩膜係於對吸收體膜31進行圖案化時具有遮罩功能者，包含與吸收體膜31之最上層之材料蝕刻選擇性不同之材料。硬質遮罩膜之材料係如第1實施形態中所說明般。 又，本發明之第2、第3實施形態之反射型光罩基底30'亦可設為如下構成：以包含蝕刻選擇性互不相同之材料之最上層及除其以外之層之積層膜構成吸收體膜，且使最上層具有作為對於除其以外之層的硬質遮罩膜之功能。 如上所述，本發明之第2、第3實施形態之反射型光罩基底30'中之吸收體膜31並不限定於單層膜，可藉由同一材料之積層膜、不同種類材料之積層膜而構成，進而，可設為如上所述之積層膜或單層膜之吸收體膜與硬質遮罩膜之積層膜之構成。 又，於本發明之第2、第3實施形態之反射型光罩基底30'中，亦包含於上述吸收體膜31上形成有抗蝕膜之態樣。此種抗蝕膜係用於藉由光微影法對反射型光罩基底中之吸收體膜進行圖案化時。 又，於在吸收體膜31上介隔或不介隔上述硬質遮罩膜而設置有抗蝕膜之情形時，第2基準標記42之形狀會被轉印至抗蝕膜。而且，轉印至抗蝕膜之第2基準標記42相對於電子束描繪裝置之電子束掃描具有對比度，可藉由電子束檢測。此時，由於藉由第1基準標記22與第2基準標記42進行相對座標之管理，因此即便不將較第2基準標記42相對較小之第1基準標記22之形狀轉印至抗蝕膜亦可進行高精度之描繪。 再者，為了進一步提昇相對於電子束掃描之對比度，亦可設為於包含第2基準標記42之區域之上不形成抗蝕膜、或去除包含第2基準標記42之區域之上之抗蝕膜的構成。 [第2、第3實施形態之反射型光罩] 本發明亦提供上述圖7之構成之反射型光罩基底中之上述吸收體膜經圖案化之反射型光罩及其製造方法。該說明亦可應用於第3實施形態。 即，藉由於上述反射型光罩基底30'上塗佈電子束描繪用抗蝕劑並進行烘焙而形成抗蝕膜。繼而，使用電子束描繪裝置對抗蝕膜進行描繪、顯影，於抗蝕膜形成與轉印圖案對應之抗蝕圖案。其後，以該抗蝕圖案為遮罩對吸收體膜31進行圖案化而形成吸收體膜圖案31a，藉此製作反射型光罩40'(參照圖10(d))。 於本實施形態中，可基於以例如上述反射型光罩基底30'中之第2基準標記42為基準之缺陷資訊對描繪圖案進行修正，對吸收體膜31進行圖案化。 對反射型光罩基底30'中之成為轉印圖案之上述吸收體膜31進行圖案化之方法最佳為如上所述之光微影法。再者，於使用包含上述硬質遮罩膜之構成之反射型光罩基底製造反射型光罩之情形時，亦可最終去除硬質遮罩膜，但若殘留硬質遮罩膜亦不會對作為反射型光罩之功能產生影響，則亦可不特意去除。 以上述方式獲得之上述反射型光罩40'至少於基板10上形成有反射EUV光之多層反射膜21，於該多層反射膜21上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案31a，且於該反射型光罩40'主表面上之圖案形成區域之外周緣區域，形成有未成膜吸收體膜31而使包含第1基準標記22之區域之多層反射膜21露出之對準區域32'，且於對準區域32'之圖案形成區域側附近形成有第2基準標記42。 於第2、第3實施形態中，如上所述，可獲取包含多層反射膜中之缺陷位置資訊之精度良好之缺陷資訊，從而高精度地進行反射型光罩基底之缺陷管理。因此，於光罩之製造中，可基於該缺陷資訊，與預先設計之描繪資料(光罩圖案資料)進行對照，以減少缺陷造成之影響之方式對描繪資料以高精度進行修正(校正)。其結果為，可獲得於最終製造之上述反射型光罩40'中減少缺陷者。 進而，藉由使用上述反射型光罩40'將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上之抗蝕膜，而可製造缺陷較少之高品質之半導體裝置。 [實施例] 以下，藉由實施例，對本發明之第2、第3實施形態進一步具體進行說明。 (實施例2) 準備如下SiO2 -TiO2 系之玻璃基板(大小約152.0 mm×約152.0 mm，厚度約6.35 mm)，其係使用雙面研磨裝置，藉由氧化鈰研磨粒或膠體氧化矽研磨粒而階段性地進行研磨，且利用低濃度之矽氟酸對基板表面進行表面處理者。所得之玻璃基板之表面粗糙度以均方根粗糙度(Rq)計為0.25 nm。再者，表面粗糙度係藉由原子力顯微鏡(AFM)進行測定，測定區域設為1 μm×1 μm。 其次，使用離子束濺鍍裝置，以Si膜(膜厚：4.2 nm)與Mo膜(膜厚：2.8 nm)為一週期，於玻璃基板之主表面積層40週期，最後形成Si膜(膜厚：4 nm)，進而於其上成膜包含Ru之保護膜(膜厚：2.5 nm)，獲得附多層反射膜之基板。 其次，於上述附多層反射膜之基板之多層反射膜表面之特定部位(上述圖8所示之位置)按以下之表面形狀形成截面形狀為凹形狀之第1基準標記。第1基準標記之形成係藉由利用微小壓頭之壓痕(沖孔)進行。具體而言，藉由以特定壓力將微小壓頭壓抵於多層反射膜，而形成第1基準標記。於形成第1基準標記後，進行洗淨。 於本實施例2中，作為第1基準標記，設為上述圖3(a)所示之形狀，大小設為直徑500 nm之圓形，深度設為60 nm。 其次，對於附多層反射膜之基板表面，藉由上述ABI裝置進行包含上述第1基準標記在內之缺陷檢查。於該缺陷檢查中，獲取凸部、凹部之缺陷位置資訊、及缺陷尺寸資訊，獲得包含第1基準標記在內之缺陷資訊。 又，藉由EUV反射率計對該附多層反射膜之基板之保護膜表面之反射率進行評價，結果為64%±0.2%，良好。 其次，使用DC磁控濺鍍裝置，於上述附多層反射膜之基板之保護膜上，成膜包含TaBN膜(膜厚：56 nm)與TaBO膜(膜厚：14 nm)之積層膜之吸收體膜，又，於附多層反射膜之基板之背面形成CrN導電膜(膜厚：20 nm)而獲得反射型光罩基底。 再者，於成膜上述吸收體膜31時，為了不於上述附多層反射膜之基板20'之主表面之特定部位、具體而言於包含形成於上述附多層反射膜之基板20'之上述第1基準標記22之區域成膜吸收體膜31，而如圖11所說明般與基板周緣部分隔地設置遮蔽構件，成膜吸收體膜31。由於以遮蔽構件覆蓋於包含第1基準標記之區域之多層反射膜上，因此對於遮蔽構件之形狀、大小、遮蔽長度d，係考慮欲形成之對準區域之形狀、大小等而決定。於本實施例2中，設為與圖11中說明之形狀、大小相同。又，對於玻璃基板主表面與遮蔽構件之分隔距離h亦適當調節。 藉由以上方法，於包含上述第1基準標記之區域形成未成膜吸收體膜而使包含第1基準標記之區域之多層反射膜露出之對準區域，於除該對準區域以外之附多層反射膜之基板上，成膜上述吸收體膜。再者，未產生形成於對準區域內之第1基準標記之變形等。 其次，於上述反射型光罩基底之表面之特定部位(上述圖7所示之位置)，形成第2基準標記。作為第2基準標記，以成為上述圖4(a)所示之十字形狀之方式形成。第2基準標記係大小為寬度5 μm且長度550 μm之十字形狀，且由於將吸收體膜全部去除，因此深度設為約70 nm。 為了形成上述第2基準標記，使用聚焦離子束。此時之條件係設為加速電壓50 kV、離子束電流值20 pA。於形成第2基準標記後，進行洗淨。如此，獲得形成有第2基準標記之反射型光罩基底。 對於所得之反射型光罩基底，藉由與附多層反射膜之基板之缺陷檢查相同之上述ABI裝置進行對準區域內之第1基準標記與第2基準標記之檢查。此時，以第2基準標記為基準檢查第1基準標記，並檢測以第2基準標記為基準之第1基準標記之位置座標。由於在對準區域中使多層反射膜露出，因此可藉由ABI裝置精度良好地檢測對準區域內之第1基準標記。藉由進行第2基準標記與第1基準標記之相對座標之管理，而可以第2基準標記為基準，高精度地管理多層反射膜上之缺陷。 如此，獲得以第2基準標記為基準之反射型光罩基底之缺陷資訊。 進而，藉由以座標測定器(KLA-Tencor公司製造之LMS-IPRO4)測量第2基準標記，而進行轉換為電子束描繪步驟之基準座標之校正。 其次，使用已獲取該缺陷資訊之EUV反射型光罩基底，製作EUV反射型光罩。 首先，藉由旋轉塗佈法而於EUV反射型光罩基底上塗佈電子束描繪用抗蝕劑，進行烘焙而形成抗蝕膜。 此時，基於第2基準標記進行對準。然後，基於EUV反射型光罩基底之缺陷資訊，與預先設計之光罩圖案資料進行對照，修正為對使用曝光裝置之圖案轉印不存在影響之光罩圖案資料，或於判斷為對圖案轉印存在影響之情形時，例如修正為以將缺陷隱藏於圖案之下之方式追加修正圖案資料的光罩圖案資料等，對上述抗蝕膜，藉由電子束而描繪光罩圖案並使其顯影，形成抗蝕圖案。於本實施例2中，由於獲得了包含精度較高之缺陷位置資訊之缺陷資訊，因此可高精度地進行光罩圖案資料之修正。 以該抗蝕圖案為遮罩，對於吸收體膜，藉由氟系氣體(CF4 氣體)而將TaBO膜蝕刻去除，藉由氯系氣體(Cl2 氣體)而將TaBN膜蝕刻去除，於保護膜上形成吸收體膜圖案。 進而，利用熱硫酸去除殘留於吸收體膜圖案上之抗蝕圖案，獲得EUV反射型光罩。 將如此獲得之反射型光罩設置於曝光裝置，對形成有抗蝕膜之半導體基板上進行圖案轉印，結果為，不存在因反射型光罩產生之轉印圖案之缺陷，可進行良好之圖案轉印。 (參考例2) 於上述實施例2中，於形成有第1基準標記之附多層反射膜之基板上形成上述吸收體膜時，於整面成膜吸收體膜，不形成上述對準區域，除此以外，與實施例2同樣地製作反射型光罩基底。 與實施例2同樣地，以ABI裝置進行附多層反射膜之基板之缺陷檢查，獲取缺陷位置資訊、缺陷尺寸資訊。又，對於反射型光罩基底中形成有第1基準標記之吸收體膜上之區域以ABI裝置進行檢查之結果為：形成於多層反射膜之第1基準標記係EUV光下之對比度較低，無法精度良好地檢測，因此獲取之缺陷座標之精度較差，難以獲得反射型光罩基底之缺陷資訊。 其次，與實施例2同樣地，使用該EUV反射型光罩基底，製作EUV反射型光罩。 將所得之EUV反射型光罩設置於曝光裝置，對形成有抗蝕膜之半導體基板上進行圖案轉印，結果觀察到因反射型光罩產生之轉印圖案缺陷。認為其原因在於：如上所述，第1基準標記之缺陷座標之精度較差，難以獲得反射型光罩基底之缺陷資訊，因此於圖案描繪步驟中，無法以高精度進行基於EUV反射型光罩基底之缺陷資訊之光罩圖案資料之修正，從而無法將多層反射膜上之缺陷精度良好地隱藏於吸收體膜圖案下。 再者，與實施例1同樣地，於實施例2中，亦列舉藉由利用微小壓頭之壓痕而形成第1基準標記之例進行了說明，但並不限定於此。如上文亦說明般，除該方法以外，亦可藉由利用聚焦離子束、光微影法、雷射光等之凹部形成、掃描金剛石針而產生之加工痕、利用壓印法之壓紋等而形成。又，於實施例2中，亦列舉於對準區域形成有第1基準標記之例進行了說明，但亦可為存在於對準區域之實際缺陷。
10‧‧‧玻璃基板
20‧‧‧附多層反射膜之基板
20'‧‧‧附多層反射膜之基板
21‧‧‧多層反射膜
22‧‧‧第1基準標記
30‧‧‧反射型光罩基底
30'‧‧‧反射型光罩基底
31‧‧‧吸收體膜
31a‧‧‧吸收體膜圖案
32‧‧‧對準區域
32'‧‧‧對準區域
33‧‧‧對準區域
40‧‧‧反射型光罩
40'‧‧‧反射型光罩
42‧‧‧第2基準標記
42a‧‧‧主標記
42b‧‧‧輔助標記
42c‧‧‧輔助標記
42d‧‧‧輔助標記
42e‧‧‧輔助標記
50‧‧‧遮蔽構件
L1‧‧‧橫向之長度
L2‧‧‧縱向之長度
L3‧‧‧橫向之長度
L4‧‧‧縱向之長度
W‧‧‧寬度
d‧‧‧遮蔽長度
h‧‧‧分隔距離
圖1係表示本發明之第1實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。 圖2係構成圖1所示之反射型光罩基底之附多層反射膜之基板之俯視圖。 圖3(a)～(d)係表示第1基準標記之形狀例之圖。 圖4(a)～(d)係表示第2基準標記之形狀例之圖。 圖5係表示第2基準標記與缺陷檢查光等之掃描方向之關係的圖。 圖6(a)～(d)係表示本發明之第1實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟之概略剖視圖。 圖7係表示本發明之第2實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。 圖8係構成圖7所示之反射型光罩基底之附多層反射膜之基板之俯視圖。 圖9係表示本發明之第3實施形態之反射型光罩基底之俯視圖。 圖10(a)～(d)係表示本發明之第2、第3實施形態之反射型光罩基底及反射型光罩之製造步驟的概略剖視圖。 圖11係用以對第2、第3實施形態中的，於圖案形成區域之外周緣區域形成對準區域之方法進行說明的概略剖視圖。
21‧‧‧多層反射膜
22‧‧‧第1基準標記
30‧‧‧反射型光罩基底
31‧‧‧吸收體膜
32‧‧‧對準區域
42‧‧‧第2基準標記
L1‧‧‧橫向之長度
L2‧‧‧縱向之長度
W‧‧‧寬度

Claims (23)

  1. 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於： 其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟： 於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板； 對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查； 於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上成膜上述吸收體膜； 形成反射型光罩基底，該反射型光罩基底係於圖案形成區域之外周緣區域形成有去除上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜露出的對準區域；及 使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。
  2. 如請求項1之反射型光罩基底之製造方法，其中上述反射型光罩基底之缺陷管理係使用形成於上述對準區域內之第1基準標記進行。
  3. 如請求項2之反射型光罩基底之製造方法，其包含於上述吸收體膜形成成為上述第1基準標記之基準之第2基準標記的步驟，且 上述反射型光罩基底之缺陷管理包含：檢測以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標，以上述第2基準標記為基準而轉換上述附多層反射膜之基板之缺陷資訊。
  4. 如請求項3之反射型光罩基底之製造方法，其中以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標之檢測係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。
  5. 如請求項1至4中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其中上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。
  6. 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜者，且 於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜露出的對準區域。
  7. 如請求項6之反射型光罩基底，其中於上述對準區域內，形成有作為成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的第1基準標記。
  8. 如請求項7之反射型光罩基底，其中於上述吸收體膜中之上述對準區域之附近，形成有成為上述第1基準標記之基準的第2基準標記。
  9. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：對藉由如請求項1至5中任一項之反射型光罩基底之製造方法而獲得之反射型光罩基底或如請求項6至8中任一項之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化，而形成吸收體膜圖案。
  10. 一種反射型光罩，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案者，且 於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者之區域之上述多層反射膜露出的對準區域。
  11. 如請求項10之反射型光罩，其中於上述對準區域內，形成有作為成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準者的第1基準標記。
  12. 如請求項11之反射型光罩，其中於上述吸收體膜圖案中之上述對準區域之附近形成有成為上述第1基準標記之基準的第2基準標記。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其係藉由使用如上述請求項10至12中任一項之反射型光罩將轉印圖案曝光轉印於半導體基板上之抗蝕膜，而製造半導體裝置。
  14. 一種反射型光罩基底之製造方法，其特徵在於： 其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜的反射型光罩基底之製造方法，且包含如下步驟： 於上述基板上成膜上述多層反射膜而形成附多層反射膜之基板； 對上述附多層反射膜之基板進行缺陷檢查；及 於上述附多層反射膜之基板之上述多層反射膜上，成膜上述吸收體膜而形成反射型光罩基底；且 上述吸收體膜之成膜係包含如下步驟：於圖案形成區域之外周緣區域，形成未成膜上述吸收體膜而使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準的第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域；且 該製造方法進而包含如下步驟： 於上述吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近，形成成為上述第1基準標記之基準的第2基準標記；及 使用上述對準區域進行上述反射型光罩基底之缺陷管理。
  15. 如請求項14之反射型光罩基底之製造方法，其中於形成上述對準區域之步驟中，以不成膜上述吸收體膜而使上述多層反射膜露出之方式設置遮蔽構件從而成膜上述吸收體膜。
  16. 如請求項14之反射型光罩基底之製造方法，其中上述反射型光罩基底之缺陷管理係使用形成於上述對準區域內之上述第1基準標記進行。
  17. 如請求項14之反射型光罩基底之製造方法，其中上述反射型光罩基底之缺陷管理包含：檢測以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標，以上述第2基準標記為基準而轉換上述附多層反射膜之基板之缺陷資訊。
  18. 如請求項17之反射型光罩基底之製造方法，其中以上述第2基準標記為基準之上述第1基準標記之座標之檢測係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。
  19. 如請求項14至18中任一項之反射型光罩基底之製造方法，其中上述附多層反射膜之基板之缺陷檢查係使用波長短於100 nm之檢查光而進行。
  20. 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜者，且 於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準的第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域，且 於上述吸收體膜中之上述對準區域之圖案形成區域側附近形成有成為上述第1基準標記之基準的第2基準標記。
  21. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：對藉由如請求項14至19中任一項之反射型光罩基底之製造方法而獲得之反射型光罩基底或如請求項20之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化，而形成吸收體膜圖案。
  22. 一種反射型光罩，其特徵在於：其係至少於基板上形成有反射EUV光之多層反射膜，且於該多層反射膜上形成有吸收EUV光之吸收體膜圖案者，且 於圖案形成區域之外周緣區域，形成有使包含成為上述多層反射膜上之缺陷資訊之基準的第1基準標記之區域之上述多層反射膜露出的對準區域，且 於上述吸收體膜圖案中之上述對準區域之圖案形成區域側附近形成有成為上述第1基準標記之基準的第2基準標記。
  23. 一種半導體裝置之製造方法，其藉由使用如請求項22之反射型光罩將轉印圖案曝光轉印於半導體基板上之抗蝕膜，而製造半導體裝置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684225B (zh) * 2015-08-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 自定向計量和圖樣分類
KR102653352B1 (ko) * 2017-06-21 2024-04-02 호야 가부시키가이샤 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법
JP7168573B2 (ja) * 2017-10-17 2022-11-09 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
DE102017219217B4 (de) * 2017-10-26 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
JP7310472B2 (ja) * 2019-09-13 2023-07-19 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
TWI739376B (zh) * 2019-12-13 2021-09-11 南臺學校財團法人南臺科技大學 光罩之保護膜的檢測方法及檢測系統
US20220308438A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Hoya Corporation Method for manufacturing multilayered-reflective-film-provided substrate, reflective mask blank and method for manufacturing the same, and method for manufacturing reflective mask
WO2023210667A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004170948A (ja) * 2002-10-30 2004-06-17 Nikon Corp パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法
US7495307B2 (en) 2003-11-20 2009-02-24 Ideal Star Inc. Columnar electric device
JP5327046B2 (ja) 2007-04-17 2013-10-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖマスクブランク
JP2009251412A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
KR101678228B1 (ko) * 2008-05-09 2016-11-21 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP2013131728A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
JP6460617B2 (ja) * 2012-02-10 2019-01-30 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP6460619B2 (ja) 2012-03-12 2019-01-30 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
JP2013222811A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Lasertec Corp Ｅｕｖマスクブランクス、マスクの製造方法、及びアライメント方法
JP6106413B2 (ja) * 2012-11-13 2017-03-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法
KR101995879B1 (ko) * 2012-12-28 2019-07-03 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법
JP6357143B2 (ja) 2013-02-22 2018-07-11 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
SG10201911502WA (en) * 2013-09-27 2020-02-27 Hoya Corp Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
JP6282844B2 (ja) * 2013-11-06 2018-02-21 Hoya株式会社 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法
WO2015141230A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの製造方法、露光方法及び露光装置
WO2015146140A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク
JP6815995B2 (ja) * 2015-06-17 2021-01-20 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法

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