JP2013219339A - 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法 - Google Patents
反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013219339A JP2013219339A JP2013047796A JP2013047796A JP2013219339A JP 2013219339 A JP2013219339 A JP 2013219339A JP 2013047796 A JP2013047796 A JP 2013047796A JP 2013047796 A JP2013047796 A JP 2013047796A JP 2013219339 A JP2013219339 A JP 2013219339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask blank
- mark
- defect
- reference mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 267
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 122
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 309
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 33
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 2
- -1 molybdenum silicide compound Chemical class 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消し、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクである。上記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成されている。上記反射型マスクブランクの例えば多層反射膜に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている。そして、この基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていない。
【選択図】図１
【解決手段】基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクである。上記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成されている。上記反射型マスクブランクの例えば多層反射膜に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている。そして、この基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていない。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体装置等の製造に用いられる反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。
フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。
また、転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のもので、この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリ型マスクも用いられるようになってきている。
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（ExtremeUltra Violet：以下、「EUV」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
以上のように、リソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まることにより、そのリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。その１つが、リソグラフィ工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
このような状況下、欠陥位置の検査精度を上げることを目的に、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、これを基準位置として欠陥の位置を特定する提案がなされている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。
上記特許文献１に開示されている方法によりマスクブランクの欠陥位置の検査精度を上げることは理論的には可能である。しかし、マスクブランク用基板等に基準マークを形成し、この基準マークと欠陥の相対位置を高い精度で管理（座標管理）するためには、基準マークが検出し易く、換言すれば確実に検出することができ、しかも基準マークを元にした欠陥検出位置のばらつきが小さいことが要求される。
また最近では、マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる試み（Ｄｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が提案されている。上述の技術を実現するためには、多層反射膜上に吸収体膜が形成され、さらに吸収体パターンを形成するためのレジスト膜が形成されたレジスト膜付きマスクブランクの状態で、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に電子線描画が行われるが、基準マークについても、電子線走査に対してコントラストが十分に得られる必要がある。
ところが、通常、マスクブランク上の略全面にレジスト膜が形成されるため、電子線や検査光の走査によるレジストへのダメージ、レジストの感光による検査精度が劣化する恐れがある。また、レジスト上では、電子線によるチャージアップが起こり、これが原因で基準マークの検出精度が劣化する恐れがある。いずれにしても、マスクブランクに形成した基準マークを元にした欠陥位置の座標管理や、電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に電子線描画を行うことで欠陥を低減させることが精度良く行えないという問題がある。
そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第一に、基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消し、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した反射型マスクブランク及びマスクブランクを提供することであり、第二に、これらマスクブランクを使用し、欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクの製造方法を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決するため、特に基準マークの形成領域に着目し、鋭意検討した結果、基準マークの形成領域を回避してマスクブランク上にレジスト膜を形成することにより、基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消し、その結果、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能であることを見出した。
本発明者は、以上の解明事実に基づき、さらに鋭意研究を続けた結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする反射型マスクブランク。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする反射型マスクブランク。
構成１にあるように、本発明の反射型マスクブランクは、基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成され、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、この反射型マスクブランクには、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査し、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消できる。その結果、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
（構成２）
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成１に記載の反射型マスクブランク。
構成２にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そしてこのメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成１に記載の反射型マスクブランク。
構成２にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そしてこのメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成３）
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成１に記載の反射型マスクブランク。
構成３にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成１に記載の反射型マスクブランク。
構成３にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成４）
前記レジスト膜は、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域に形成され、前記基準マークは、前記パターン形成領域の外側に設けられた外周部に形成されていることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成４にあるように、基準マークは、転写パターンが形成されるパターン形成領域の外側に設けられた外周部である非パターン形成領域に形成されている。従って、上述の構成１乃至３により得られる効果に加え、基準マークの検出時に、電子線や検査光による転写パターンが形成されるパターン形成領域への照射を最小限に抑えることができるので、チャージアップや、不必要なレジスト感光などの不具合がなく、高精度の反射型マスクを提供することができる。
前記レジスト膜は、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域に形成され、前記基準マークは、前記パターン形成領域の外側に設けられた外周部に形成されていることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成４にあるように、基準マークは、転写パターンが形成されるパターン形成領域の外側に設けられた外周部である非パターン形成領域に形成されている。従って、上述の構成１乃至３により得られる効果に加え、基準マークの検出時に、電子線や検査光による転写パターンが形成されるパターン形成領域への照射を最小限に抑えることができるので、チャージアップや、不必要なレジスト感光などの不具合がなく、高精度の反射型マスクを提供することができる。
（構成５）
前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成５にあるように、前記基準マークを多層反射膜に形成することにより、多層反射膜成膜後の欠陥検査においても、電子線、及び欠陥検査光の走査で基準マークを検出し易くなる。また、描画データの補正・修正等によっても回避できない欠陥が発見された多層反射膜付き基板を廃棄せずに、多層反射膜を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することも可能である。
前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成５にあるように、前記基準マークを多層反射膜に形成することにより、多層反射膜成膜後の欠陥検査においても、電子線、及び欠陥検査光の走査で基準マークを検出し易くなる。また、描画データの補正・修正等によっても回避できない欠陥が発見された多層反射膜付き基板を廃棄せずに、多層反射膜を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することも可能である。
（構成６）
大きさが６インチ角の反射型マスクブランクの周縁部において、外周端から０．５ｍｍ乃至５ｍｍの範囲の領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成６にあるように、例えば大きさが６インチ角の反射型マスクブランクにおいては、外周端から０．５ｍｍ乃至５ｍｍの範囲の領域上に基準マークを形成し、この領域上には前記レジスト膜が形成されていないことが好適である。
大きさが６インチ角の反射型マスクブランクの周縁部において、外周端から０．５ｍｍ乃至５ｍｍの範囲の領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成６にあるように、例えば大きさが６インチ角の反射型マスクブランクにおいては、外周端から０．５ｍｍ乃至５ｍｍの範囲の領域上に基準マークを形成し、この領域上には前記レジスト膜が形成されていないことが好適である。
（構成７）
構成１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
上記構成の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクは、反射型マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
構成１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
上記構成の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクは、反射型マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
（構成８）
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、前記薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とするマスクブランク。
構成８にあるように、本発明のマスクブランクは、転写パターンとなる薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、このマスクブランクには、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、上記構成１と同様、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査し、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消できる。その結果、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、前記薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とするマスクブランク。
構成８にあるように、本発明のマスクブランクは、転写パターンとなる薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、このマスクブランクには、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、上記構成１と同様、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査し、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消できる。その結果、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
（構成９）
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク。
構成９にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そしてこのメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク。
構成９にあるように、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そしてこのメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成１０）
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク。
上記構成１０のマスクブランクにおいても、このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする構成８に記載のマスクブランク。
上記構成１０のマスクブランクにおいても、このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいは電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成１１）
構成８乃至１０に記載のマスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記薄膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
（構成１２）
前記電子線描画は、電子線描画機における電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて修正した描画データを元に行うことを特徴とする構成１１に記載のマスクの製造方法。
上記構成のマスクブランクを用いて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
構成８乃至１０に記載のマスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記薄膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
（構成１２）
前記電子線描画は、電子線描画機における電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて修正した描画データを元に行うことを特徴とする構成１１に記載のマスクの製造方法。
上記構成のマスクブランクを用いて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
本発明によれば、基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消し、その結果、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも確実に検出することができ、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれが小さく、欠陥の座標管理（基準マークと欠陥の相対位置管理）を高精度で行うことが可能な反射型マスクブランク及びマスクブランクを提供することができる。
また、本発明によれば、これらマスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正、修正データによる電子線描画を行なうことで欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクを提供することができる。
また、本発明によれば、これらマスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正、修正データによる電子線描画を行なうことで欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
［反射型マスクブランク］
本発明に係る反射型マスクブランクは、上記構成１にあるとおり、基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とするものである。
本発明に係る反射型マスクブランクの膜構成は、基板上に、少なくともEUVを反射する多層反射膜と、EUV光を吸収する吸収体膜を有する構成であればよく、後述の下地層、保護膜（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜上に形成されるエッチングマスク膜を有する構成であってもよい。
［反射型マスクブランク］
本発明に係る反射型マスクブランクは、上記構成１にあるとおり、基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とするものである。
本発明に係る反射型マスクブランクの膜構成は、基板上に、少なくともEUVを反射する多層反射膜と、EUV光を吸収する吸収体膜を有する構成であればよく、後述の下地層、保護膜（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜上に形成されるエッチングマスク膜を有する構成であってもよい。
図１は、本発明の反射型マスクブランクの構成を示す平面図である。また、図９はその断面図である。
図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明における基準マーク（以下、「本発明の基準マーク」とも呼ぶ。）１３の２種類のマークを形成している。なお、図９に示されるように、本実施の形態では、上記基準マーク１３は、反射型マスクブランク１０の多層反射膜３１に凹部形状で形成されている。
図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明における基準マーク（以下、「本発明の基準マーク」とも呼ぶ。）１３の２種類のマークを形成している。なお、図９に示されるように、本実施の形態では、上記基準マーク１３は、反射型マスクブランク１０の多層反射膜３１に凹部形状で形成されている。
上記ラフアライメントマーク１２は、それ自体は基準マークの役割は有していないが、上記基準マーク１３の位置を検出し易くするための役割を有している。上記基準マーク１３は大きさが小さく、目視で位置の目安を付けることは困難である。また、検査光や電子線で最初から基準マーク１３を検出しようとすると、検出に時間が掛かり、製造プロセス上好ましくない。上記基準マーク１３との位置関係が予め決められている上記ラフアライメントマーク１２を設けることで、基準マーク１３の検出が迅速かつ容易に行える。
図１においては、上記ラフアライメントマーク１２を矩形状のガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の３箇所に、上記基準マーク１３を各ラフアライメントマーク１２の近傍に２箇所ずつ配置した例を示している。上記ラフアライメントマーク１２と基準マーク１３はいずれも上記マスクブランク主表面上の外周部のＡで示す領域上（転写パターンが形成されるパターン形成領域の外側に位置する非転写パターン形成領域）に形成されている。本発明の反射型マスクブランクにおいて特徴的な構成は、上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域上には電子線描画用レジスト膜６１が形成されていないことである。つまり、上記レジスト膜６１は、上記基準マーク１３の形成領域を回避して、上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域を除いた領域（図１中のＢで示す領域であり、パターン形成領域を含む領域である。）にのみ形成されている。
上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜６１が形成されていない構成とすることにより、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査することになるため、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を回避することができる。その結果、電子線描画機、光学式の欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも基準マークの検出精度が向上し、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
例えば大きさが６インチ角の反射型マスクブランクにおいては、面取り面の幅と、パターン転写領域の事情から、外周端から０．５ｍｍ乃至５．０ｍｍの範囲の領域上に上記基準マーク１３を形成し、この領域上には上記レジスト膜６１が形成されていないことが好適である。
但し、基板外周縁にあまり近いと、主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので、外周端から１．０ｍｍよりも内側の領域に上記基準マーク１３を形成することが好ましい。即ち、外周端から１．０ｍｍ乃至５．０ｍｍの範囲の領域上に上記基準マーク１３を形成するのが望ましい。
但し、基板外周縁にあまり近いと、主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので、外周端から１．０ｍｍよりも内側の領域に上記基準マーク１３を形成することが好ましい。即ち、外周端から１．０ｍｍ乃至５．０ｍｍの範囲の領域上に上記基準マーク１３を形成するのが望ましい。
本発明において、基準マーク、ラフアライメントマークの個数は特に限定されない。基準マークについては、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。また、上記ラフアライメントマーク１２についても、上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域上に形成することが望ましい。なお、検査光や電子線で最初から本発明の基準マーク１３を検出するのに特に不都合がなければ、上記ラフアライメントマーク１２は設けなくてもよい。
すなわち、図１３に示すように、上記ラフアライメントマーク１２は設けずに、例えば、一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に上述の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマークの形成工程を省くことができ、基準マークの加工時間を大幅に短縮できる。なお、図１３には、メインマーク（後述）１３ａと、その周囲に配置された４つの補助マーク（後述）１３ｂ，１３ｃ、１３ｄ、１３ｅとから構成される基準マーク１３を一例として示している。
すなわち、図１３に示すように、上記ラフアライメントマーク１２は設けずに、例えば、一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に上述の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマークの形成工程を省くことができ、基準マークの加工時間を大幅に短縮できる。なお、図１３には、メインマーク（後述）１３ａと、その周囲に配置された４つの補助マーク（後述）１３ｂ，１３ｃ、１３ｄ、１３ｅとから構成される基準マーク１３を一例として示している。
また、図１に示すように、本実施の形態では、反射型マスクブランク１０の外周部において、上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域の全周に亘って、上記レジスト膜６１が形成されていない構成としているが、これに限らず、たとえば上記基準マーク１３の形成箇所及びその近傍の領域にレジスト膜６１が形成されていない構成とすることもできる。すなわち、本発明の反射型マスクブランクにおいて、上記レジスト膜６１は、上述のパターン形成領域及び、その外周部の非転写パターン形成領域に形成されてもよいが、少なくとも基準マークの検出時に電子線や検査光が走査される基準マーク１３の形成箇所の周囲には電子線描画用レジスト膜６１が形成されていない構成とすることもできる。但し、本実施の形態のように、上記基準マーク１３の形成箇所を含む領域の全周に亘って、上記レジスト膜６１が形成されていない構成とすることにより、基板周縁部のレジスト膜剥離による発塵を抑制することができるという効果も奏する。
ここで、上記基準マークの構成についてもう少し詳しく説明する。
図２は、上記基準マークの形状例を示す図である。
図２に示す例では、上記ラフアライメントマーク１２および基準マーク１３はいずれも十字形状である。これらマークの大きさや幅、凹形状とする場合の深さ等は、電子線描画の際の電子線や欠陥検査装置の検査光に対して認識し得るものであれば任意に設定できる。具体例を挙げると、上記ラフアライメントマーク１２の場合、ｘ方向の大きさｘ１、ｙ方向の大きさｙ１（図２を参照）はいずれも０．５５ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍ、上記基準マーク１３の場合、ｘ方向の大きさｘ２、ｙ方向の大きさｙ２（図２を参照）はいずれも０．１ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍとすることができる。また、上記ラフアライメントマーク１２の中心点と基準マーク１３の中心点間のｘ方向の距離ｘ３、ｙ方向の距離ｙ３（図２を参照）はいずれも１．５ｍｍとすることができる。
図２は、上記基準マークの形状例を示す図である。
図２に示す例では、上記ラフアライメントマーク１２および基準マーク１３はいずれも十字形状である。これらマークの大きさや幅、凹形状とする場合の深さ等は、電子線描画の際の電子線や欠陥検査装置の検査光に対して認識し得るものであれば任意に設定できる。具体例を挙げると、上記ラフアライメントマーク１２の場合、ｘ方向の大きさｘ１、ｙ方向の大きさｙ１（図２を参照）はいずれも０．５５ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍ、上記基準マーク１３の場合、ｘ方向の大きさｘ２、ｙ方向の大きさｙ２（図２を参照）はいずれも０．１ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍとすることができる。また、上記ラフアライメントマーク１２の中心点と基準マーク１３の中心点間のｘ方向の距離ｘ３、ｙ方向の距離ｙ３（図２を参照）はいずれも１．５ｍｍとすることができる。
また、図３は、上記基準マークの他の構成例に係る本発明に特に好適な基準マークを構成するメインマーク及び補助マークの形状例及び配置例を示す図であり、図４は、この基準マークを用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。
上記基準マークは、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであるが、図３に示す本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。
図３及び図４には、上記メインマーク１３ａと、その周囲に配置された２つの補助マーク１３ｂ，１３ｃとから構成される基準マーク１３を一例として示している。
上記基準マークは、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであるが、図３に示す本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。
図３及び図４には、上記メインマーク１３ａと、その周囲に配置された２つの補助マーク１３ｂ，１３ｃとから構成される基準マーク１３を一例として示している。
本発明において、上記メインマーク１３ａは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向（図４におけるＸ方向及びＹ方向）に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることが好適である。このように、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。図３及び図４では、具体例として、上記メインマーク１３ａが、縦横（Ｘ及びＹ方向）が同じ長さの正方形である場合を示している。この場合、縦横の長さがそれぞれ３０ｎｍ〜１０μｍとすることができるが、特に２００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。
上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であることが好ましい。上記の正方形に限らず、例えば図５の（ａ）に示すように、正方形の角部が丸みを帯びた形状や、同図（ｂ）のように、八角形の形状や、同図（ｃ）のように、十字形状であってもよい。この場合においても、メインマーク１３ａの大きさ（縦横の長さ）Ｌは、３０ｎｍ〜１０μｍとすることができるが、特に２００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。具体例として、メインマーク１３ａが十字形状の場合、その大きさ（縦横の長さ）は、５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。また、図示していないが、上記メインマーク１３ａは、直径が３０ｎｍ以上１０μｍ以下の正円形とすることもできる。
また、上記２つの補助マーク１３ｂ，１３ｃは、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線又は欠陥検査光の走査方向（図４におけるＸ方向及びＹ方向）に沿って配置されている。本発明においては、上記補助マーク１３ｂ，１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好適である。補助マークが、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。この場合、長辺は、電子線描画機、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さであることが望ましい。例えば、２５μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが望ましい。一方、長辺の長さが短いと、例えば２５μｍ未満であると、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により補助マークをなかなか検出できない恐れがある。また、長辺の長さが長いと、例えば、６００μｍを超えると、基準マークの形成方法によっては加工時間に１時間／箇所を超えることになるので好ましくない。より好ましくは、長辺の長さは、２５μｍ以上４００μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以上２００μｍ以下が望ましい。
また、上記補助マーク１３ｂ，１３ｃとメインマーク１３ａは、所定の間隔離間させても良いし、離間させなくても良い。補助マークとメインマークを離間させる場合、間隔は特に制約されないが、本発明においては例えば２５μｍ〜５０μｍ程度の範囲とすることが好適である。
なお、上記メインマーク１３ａ、補助マーク１３ｂ、１３ｃはいずれも断面形状を凹形状とし、基準マークの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マークとすることが望ましい。電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましく、この場合の基準マークの側壁の傾斜角度は７５°以上であることが好ましい。さらに好ましくは、８０°以上、さらに好ましくは、８５°以上とすることが望ましい。
上記基準マークを用いて、欠陥位置の基準となる基準点は次のようにして決定される（図４を参照）。
上記補助マーク１３ｂ，１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マークを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マークの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマークの略中心）をもって基準点を決定する。
上記補助マーク１３ｂ，１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マークを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マークの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマークの略中心）をもって基準点を決定する。
上記のように、本発明においては上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好適である。
本発明者は、メインマーク１３ａの幅と電子線に対するコントラストとの関係、メインマーク１３ａの幅と欠陥検出位置のばらつきとの関係について検討した結果、メインマーク１３ａの幅が２００ｎｍ未満になると、ＥＢコントラストが低下する傾向にあることを見出した。ＥＢコントラストが低下すると、ＥＢ（電子線）走査でのメインマークの検出が難しくなるので、高精度の描画データの補正・修正が困難となる。また、メインマーク１３ａの幅が１０μｍを超えると、欠陥検出位置のばらつきが大きくなる（例えば１００ｎｍを超える）ことを見出した。これは、前述のＤｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙを実現・可能にするための基準マークを基準点にした時の欠陥検出位置のばらつき１００ｎｍ以下を満たすことができない。従って、コントラストと欠陥検出位置のばらつきの両方を満足するためには、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。
本発明者は、メインマーク１３ａの幅と電子線に対するコントラストとの関係、メインマーク１３ａの幅と欠陥検出位置のばらつきとの関係について検討した結果、メインマーク１３ａの幅が２００ｎｍ未満になると、ＥＢコントラストが低下する傾向にあることを見出した。ＥＢコントラストが低下すると、ＥＢ（電子線）走査でのメインマークの検出が難しくなるので、高精度の描画データの補正・修正が困難となる。また、メインマーク１３ａの幅が１０μｍを超えると、欠陥検出位置のばらつきが大きくなる（例えば１００ｎｍを超える）ことを見出した。これは、前述のＤｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙを実現・可能にするための基準マークを基準点にした時の欠陥検出位置のばらつき１００ｎｍ以下を満たすことができない。従って、コントラストと欠陥検出位置のばらつきの両方を満足するためには、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが好ましい。
ところで、上記したように、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好ましく、この場合、長辺は、電子線描画機、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さ、例えば２５μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが好適である。但し、例えば集束イオンビームでこの数百μｍ程度の長さを形成するとなると、加工時間が長時間必要となる。
そこで、上記補助マークを、図６に示すように、いくつかの矩形に分割することができる。図７は、このような態様を具体的に示した例であり、５μｍ×５μｍの大きさのメインマーク１３ａの一方（Ｙ方向）に、５０μｍ×１μｍの大きさの矩形状の補助マーク１３ｂ１〜１３ｂ６を等間隔で配置し、各補助マーク間の間隔（スペース）は５０μｍとする。
この場合、例えば第１スキャン（１回目のスキャン）では補助マークを外し、上（Ｙ方向）に６０μｍシフトさせた第２スキャン（２回目のスキャン）でも補助マークを外し、さらに上に６０μｍシフトさせた第３スキャン（３回目のスキャン）で補助マーク１３ｂ５を検出することができる。
このように補助マークを分割し、分割した個々の補助マークの長辺の長さを短くしても、走査ルールを決めて、出来るだけ少ない走査回数で補助マークを確実に検出することが可能である。また、このように補助マークを分割することで、全体の加工時間の短縮が図れる。
このように補助マークを分割し、分割した個々の補助マークの長辺の長さを短くしても、走査ルールを決めて、出来るだけ少ない走査回数で補助マークを確実に検出することが可能である。また、このように補助マークを分割することで、全体の加工時間の短縮が図れる。
また、本発明において、図１４に示すように、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃを設けずに、例えば、一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に上述のメインマーク１３ａを配置するようにしてもよい。これによって、補助マークの形成工程を省くことができ、基準マークの加工時間を大幅に短縮できる。基準マークとしてメインマーク１３ａのみで構成する場合、電子線描画機や欠陥検査装置による電子線又は欠陥検査光の走査により検出が難しくなる。その場合、基準マークをガラス基板１１のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、基準マークを形成した多層反射膜付き基板や反射型マスクブランクと、基準マークの形成位置情報とを対応付けて保存することにより、基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、上記基準マークを形成した後、座標計測器で基準マークの形成位置を特定し、基準マークを形成した多層反射膜付き基板や反射型マスクと、基準マークの形成位置情報とを対応付けて保存することにより、基準マークを短時間で確実に検出することができる。
本発明の基準マーク１３を形成する位置は特に限定されない。例えば反射型マスクブランクの場合、多層反射膜の成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板、下地層（後述）、多層反射膜、保護膜（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜のいずれの位置でもよい。
なお、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスクにおいては、特に反射面となる多層反射膜や保護膜（キャッピング層）に存在する欠陥は、修正が殆ど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るので、転写パターン欠陥を低減させるためには多層反射膜上又は保護膜（キャッピング層）上の欠陥情報が重要である。従って、少なくとも多層反射膜成膜後や保護膜（キャッピング層）成膜後に欠陥検査を行い、欠陥情報を取得することが望ましい。そのためには、図９のように、少なくとも多層反射膜３１に本発明の基準マークを形成することが好ましい。
本発明の基準マーク１３を形成する方法は特に限定されない。例えば前述の基準マークの断面形状が凹形状の場合、フォトリソ法、レーザー光やイオンビームによる凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。
なお、図３乃至図７に示す実施の形態では、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線描画機や欠陥検査装置の走査方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃを配置した例について説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるわけではない。例えば欠陥の検出が検査光の走査によらない方式においては、メインマークと補助マークとの位置関係が特定されていれば、メインマークに対する補助マークの配置位置は任意である。また、この場合、メインマークの中心ではなく、エッジを基準点とすることもできる。
図８は、本発明の反射型マスクブランクの製造に用いられる多層反射膜付き基板５０の構成を示すもので、ガラス基板１１上に形成されたEUV光を反射する多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３が形成されている。
図８においては、多層反射膜３１を構成する全ての層を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３を形成してもよい。
図８においては、多層反射膜３１を構成する全ての層を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３を形成してもよい。
なお、図８では、多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板５０を説明したが、多層反射膜３１上に保護膜３２（キャッピング層）を形成した保護膜付きの多層反射膜付き基板に対して、本発明の基準マーク１３を設けても構わない。この場合、保護膜３２と多層反射膜３１を構成する一部の膜、又は全ての層を除去して、基準マーク１３を形成する。保護膜３２の材料、基準マーク１３の形成方法や、基準マーク１３形成後の洗浄方法を考慮して適宜選定することができる。
例えば、保護膜３２をRu系の材料を使用して、フォトリソ法により形成する場合、加工速度等の観点から、多層反射膜３１に対して基準マーク１３を形成するのが好ましい。
例えば、保護膜３２をRu系の材料を使用して、フォトリソ法により形成する場合、加工速度等の観点から、多層反射膜３１に対して基準マーク１３を形成するのが好ましい。
また、基準マークを集束イオンビームにより形成する場合は、生成物として炭素（C）が表層に付着する場合があるので、生成物を除去するための洗浄液（酸やアルカリ）に対して耐性のある多層反射膜３１（表層はSi膜）に対して基準マーク１３を形成するか、または、Ruに他の金属（たとえば、Nb、Zr、B、Ti等）を添加したRu合金からなる保護膜３２が形成された多層反射膜付き基板に対して基準マーク１３を形成するのが好ましい。
上記多層反射膜３１は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
上記多層反射膜３１は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
EUV露光用の場合、ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。EUV露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域、若しくは１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。
また、上記多層反射膜付き基板のガラス基板１１としては、上記のとおり、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が用いられるが、このようなガラス素材は、精密研磨により、表面粗さとして例えばＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難である。そのため、図８に示すように、ガラス基板１１の表面粗さの低減、若しくはガラス基板１１表面の欠陥を低減する目的で、ガラス基板１１の表面に下地層２１を形成することが好適である。このような下地層２１の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO2、SiONなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、好ましく用いられる。特にSiが好ましい。
下地層２１の表面は、マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが好適である。下地層２１の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。また、下地層２１の表面は、下地層２１上に形成する多層反射膜の表面への影響を考慮すると、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／ＲＭＳが２〜１０であることが良く、特に好ましくは、２〜８となるように精密研磨されることが望ましい。
下地層２１の膜厚は、例えば７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
下地層２１の膜厚は、例えば７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
図９（ａ）は、上記のとおり、図８に示す基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板５０における多層反射膜３１上に、保護膜（キャッピング層）３２及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成され、さらに吸収体膜４１の上に、基準マーク１３の形成箇所を含む領域を除く領域上に電子線描画用レジスト膜６１が形成されている反射型マスクブランク１０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。
なお、図９（ａ）では、基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板５０における多層反射膜３１上に、保護膜（キャッピング層）３２及び吸収体膜４１を形成した反射型マスクブランクを説明したがこれに限らない。上述したように、保護膜３２が形成された多層反射膜付き基板５０に基準マーク１３を形成して、その上に吸収体膜４１を形成した反射型マスクブランクであっても構わない（図９（ｂ）参照）。または、図９（ｃ）のように、基準マーク１３の形成領域には、吸収体膜４１及びレジスト膜６１が形成されないようにした反射型マスクブランクであっても構わない。
反射型マスクブランク１０を使用し反射型マスク３０を作製する際のエッチャント（エッチングガス）に対する多層反射膜３１への影響を考慮すると、図９（ａ）や図９（ｂ）のように、基準マーク１３の形成領域の多層反射膜３１上には、保護膜３２及び吸収体膜４１が形成されていることが望ましい。
反射型マスクブランク１０を使用し反射型マスク３０を作製する際のエッチャント（エッチングガス）に対する多層反射膜３１への影響を考慮すると、図９（ａ）や図９（ｂ）のように、基準マーク１３の形成領域の多層反射膜３１上には、保護膜３２及び吸収体膜４１が形成されていることが望ましい。
上記吸収体膜４１は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、等が用いられる。
また、通常、上記吸収体膜４１のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜を保護する目的で、多層反射膜と吸収体膜との間に上記保護膜３２やバッファ膜を設ける。保護膜の材料としては、ケイ素のほか、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。
上記のとおり、本発明に係る反射型マスクブランクにおいては、基準マークの形成箇所を含む領域（例えば図１のＡ領域）上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、かかる構成のマスクブランクを得るために、基準マークの形成箇所を含む領域を除く領域（図１のＢ領域）にのみレジスト膜を形成する方法としては、例えば、通常の回転塗布法により、ブランク主表面の全面にレジスト膜を形成し、次いでブランク周縁部において上記の基準マークの形成箇所を含む領域に形成されたレジスト膜を除去する方法が挙げられる。
この場合、ブランク周縁部において不要な領域に形成されたレジスト膜を除去する方法としては、たとえば、主表面全面にレジスト膜を形成したマスクブランク表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上からレジスト膜を溶解する溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の周辺部に設けられた溶媒流路を通じ、マスクブランクの上記基準マークの形成箇所を含む領域を除く領域においては残存され、基準マークの形成箇所を含む領域においては除去されるよう、溶媒の供給量及び／又は供給装置を調整しながら溶媒を所定部位に供給することによって、不要なレジスト膜を溶媒で除去する方法を適用することができる（特許第３６０７９０３号公報参照）。また、不要なレジスト領域にレジスト剥離液を供給するための供給路と、この不要なレジスト領域のレジストを溶解した剥離液を排出するための排出路とを有するヘッド（具体的には基板の上下主表面周縁部及び端面部を囲むように断面コ字状に形成されたヘッド）を備えた除去装置を用いてもよい（例えば特開２００４−３３５８４５号公報参照）。また、マスクブランクの上記基準マークの形成箇所を含む領域を予めレジスト膜が形成されないようにシールした上で、通常の回転塗布法によりレジスト膜を形成してもよい。
本発明は、以下の構成に係る反射型マスクブランクの製造方法についても提供する。
（構成Ａ）
前記構成１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板を準備する工程と、前記多層反射膜に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、前記基準マークを基準として多層反射膜付き基板の欠陥情報を取得する多層反射膜付き基板欠陥情報取得工程と、前記多層反射膜上に吸収体膜を形成する吸収体膜形成工程と、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域と、前記基準マークの形成箇所を含む領域にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基準マークの形成箇所を含む領域のレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
（構成Ａ）
前記構成１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板を準備する工程と、前記多層反射膜に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、前記基準マークを基準として多層反射膜付き基板の欠陥情報を取得する多層反射膜付き基板欠陥情報取得工程と、前記多層反射膜上に吸収体膜を形成する吸収体膜形成工程と、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域と、前記基準マークの形成箇所を含む領域にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基準マークの形成箇所を含む領域のレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
構成Ａにあるように、本発明の反射型マスクブランクの製造方法により、上述の構成１に記載された効果を奏する反射型マスクブランクを提供することができる。即ち、反射型マスクを製造する過程において、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査し、レジスト膜上を走査することによりチャージアップ、不必要なレジスト感光になどの不具合を解消することができる反射型マスクブランクを提供することができる。
（構成Ｂ）
前記基準マークを基準として反射型マスクブランクの欠陥情報を取得する反射型マスクブランク欠陥情報取得工程をさらに有することを特徴とする構成Ａに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
（構成Ｃ）
前記多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は前記反射型マスクブランクの欠陥情報と、反射型マスクブランクとを対応させる工程を有することを特徴とする構成Ａ又はＢに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
構成Ｂ、Ｃの製造方法により得られる反射型マスクブランクは、基準マークを基準として得られた多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は反射型マスクブランクの欠陥情報が対応付けされているので、これらの欠陥情報を使用することで、く高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画が可能となり、欠陥を低減させた反射型マスクを提供することができる。
前記基準マークを基準として反射型マスクブランクの欠陥情報を取得する反射型マスクブランク欠陥情報取得工程をさらに有することを特徴とする構成Ａに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
（構成Ｃ）
前記多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は前記反射型マスクブランクの欠陥情報と、反射型マスクブランクとを対応させる工程を有することを特徴とする構成Ａ又はＢに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
構成Ｂ、Ｃの製造方法により得られる反射型マスクブランクは、基準マークを基準として得られた多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は反射型マスクブランクの欠陥情報が対応付けされているので、これらの欠陥情報を使用することで、く高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画が可能となり、欠陥を低減させた反射型マスクを提供することができる。
以上説明したように、本発明の反射型マスクブランクは、基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成され、前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、この反射型マスクブランクには、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査することになるため、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消できる。その結果、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも基準マークの検出精度を向上させ、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正・補正することが可能になる。そして、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に電子線描画が行われる。その結果、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
［マスクブランク］
図１０は、ガラス基板１１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク２０を示す。本発明の基準マーク１３は遮光膜５１に凹形状となるように形成されている。そして、基準マーク１３の形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜６１が形成されていない構成としている。上記構成におけるレジスト膜の形成方法、基準マークとその形成方法は、上述の反射型マスクブランクの場合と同様である。
また、図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、ガラス基板１１の表面に必要に応じて前記下地層２１を設ける構成としてもよい。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
図１０は、ガラス基板１１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク２０を示す。本発明の基準マーク１３は遮光膜５１に凹形状となるように形成されている。そして、基準マーク１３の形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜６１が形成されていない構成としている。上記構成におけるレジスト膜の形成方法、基準マークとその形成方法は、上述の反射型マスクブランクの場合と同様である。
また、図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、ガラス基板１１の表面に必要に応じて前記下地層２１を設ける構成としてもよい。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリ型マスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。
上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（CrO，CrN，CrC，CrON，CrCN，CrOC，CrOCN等）が挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。
また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
以上の本発明のマスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、このマスクブランクには、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていない構成としている。従って、上記の反射型マスクブランクの場合と同様、基準マークの検出時に、電子線や検査光が吸収体膜上を走査し、レジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合を解消できる。その結果、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも基準マークの検出精度が向上し、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができ、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを小さく（例えば１００ｎｍ以下に）抑えることが可能である。
［マスク］
本発明は、上記構成の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされている反射型マスク、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
図１１は、図９（ａ）の反射型マスクブランク１０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク３０を示す。
また、図１２は、図１０のバイナリマスクブランク２０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク４０を示す。
本発明は、上記構成の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされている反射型マスク、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
図１１は、図９（ａ）の反射型マスクブランク１０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク３０を示す。
また、図１２は、図１０のバイナリマスクブランク２０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク４０を示す。
マスクブランクにおける転写パターンとなる上記吸収体膜または上記遮光膜等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィー法が最も好適である。すなわち、本発明の反射型マスクまたはマスクを得るためには、上記反射型マスクブランクまたはマスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜または薄膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有する製造方法が好適である。
また、本発明は、以下の構成に係る反射型マスクの製造方法についても提供する。
（構成Ｄ）
前記構成Ａ、Ｂ、Ｃのいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られた反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成Ｅ）
前記レジストパターンの形成は、前記多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は前記反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、電子線描画により描画する描画データを修正する工程を有することを特徴とする構成Ｄに記載の反射型マスクの製造方法。
（構成Ｆ）
前記電子線描画は、電子線描画機における電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて修正した描画データを元に行うことを特徴とする構成Ｄ又はＥ、あるいは前記構成７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
（構成Ｄ）
前記構成Ａ、Ｂ、Ｃのいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られた反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
（構成Ｅ）
前記レジストパターンの形成は、前記多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は前記反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、電子線描画により描画する描画データを修正する工程を有することを特徴とする構成Ｄに記載の反射型マスクの製造方法。
（構成Ｆ）
前記電子線描画は、電子線描画機における電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて修正した描画データを元に行うことを特徴とする構成Ｄ又はＥ、あるいは前記構成７のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
本発明に係る上記構成の反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクは、反射型マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
また、本発明に係る上記構成のマスクブランクを用いて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
また、本発明に係る上記構成のマスクブランクを用いて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく高精度の描画データの補正・修正、およびパターン描画によって、欠陥を低減させたものが得られる。
なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。
以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
このガラス基板の表裏両面の表面形状（表面形態、平坦度）を平坦度測定装置（トロッペル社製UltraFlat）で測定（測定領域１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）した結果、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
次に、ガラス基板表面に局所表面加工を施し表面形状を調整した。
得られたガラス基板表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。
次に、ガラス基板表面に局所表面加工を施し表面形状を調整した。
得られたガラス基板表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。
次に、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ下地層を成膜した後、Ｓｉ膜に熱エネルギーを付与して応力低減処理を行った。
その後、Ｓｉ下地層表面について、表面形状を維持し、表面粗さを低減するため、片面研磨装置を用いた精密研磨を行った。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
次に、Ｓｉ下地層上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層して多層反射膜（総膜厚２８０ｎｍ）を形成し、多層反射膜付き基板を得た。
次に、上記多層反射膜の表面に、外周端から内側に２．５ｍｍの領域内の所定の箇所に以下の表面形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は集束イオンビームを用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
なお、本実施例では、基準マークとして、前述のメインマークと補助マークを図３に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×２００μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、２８０ｎｍとした。また、本実施例では、基準マークを図１に示すような３箇所に形成した。
なお、本実施例では、基準マークとして、前述のメインマークと補助マークを図３に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×２００μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、２８０ｎｍとした。また、本実施例では、基準マークを図１に示すような３箇所に形成した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、側壁の傾斜角度が８５度、多層反射膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約２５０ｎｍと良好な断面形状であった。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２５と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８３ｎｍで１００ｎｍ以下となり再現性良く検出できることを確認した。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２５と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８３ｎｍで１００ｎｍ以下となり再現性良く検出できることを確認した。
次に、多層反射膜表面をブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。この欠陥検査では、上述の基準マークを基準として、基準点を決定し、決定した基準点との相対位置に基づく凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、欠陥マップを作成した。多層反射膜付き基板と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報（欠陥マップ）付き多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜付き基板の多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜上にＲｕＮｂからなるキャッピング層（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体層を形成し、また、裏面にＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成した。
次に、上記吸収体層の表面上に、レジスト膜として、電子線描画用ポジ型レジスト膜を１２０ｎｍの膜厚に形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。次いで、上記基準マークの形成箇所を含む領域、つまり外周端から内側に３．０ｍｍの領域上に形成されたレジスト膜を前述の特許第３６０７９０３号公報に記載された方法を適用して除去した。これによって、上記基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていないＥＵＶ反射型マスクブランクが得られた。
次に、上記吸収体層の表面上に、レジスト膜として、電子線描画用ポジ型レジスト膜を１２０ｎｍの膜厚に形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。次いで、上記基準マークの形成箇所を含む領域、つまり外周端から内側に３．０ｍｍの領域上に形成されたレジスト膜を前述の特許第３６０７９０３号公報に記載された方法を適用して除去した。これによって、上記基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていないＥＵＶ反射型マスクブランクが得られた。
得られたＥＵＶ反射型マスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｃｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述と同様に上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線描画機によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。そして、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、修正した描画データを元に電子線描画が行われた。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線描画機によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。そして、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、修正した描画データを元に電子線描画が行われた。
次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体層をフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、キャッピング層上に吸収体層パターンを形成した。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
（実施例２）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
次に、上記ガラス基板上に、以下のようにしてＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなる遮光膜を形成した。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
次に、上記遮光膜の表面に、外周端から内側に２．５ｍｍの領域内の所定の箇所に、実施例１と同様の基準マークを形成した。基準マークの形成は集束イオンビームを用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８３度、遮光膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約３００ｎｍと良好な断面形状であった。
遮光膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８３度、遮光膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約３００ｎｍと良好な断面形状であった。
遮光膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。
次に、上記遮光膜の表面上に、レジスト膜として、実施例１と同じ電子線描画用ポジ型レジスト膜を１２０ｎｍの膜厚に形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。次いで、上記基準マークの形成箇所を含む領域、つまり外周端から内側に３．０ｍｍの領域上に形成されたレジスト膜を前述の特許第３６０７９０３号公報に記載された方法を適用して除去した。これによって、上記基準マークの形成箇所を含む領域上には上記レジスト膜が形成されていないバイナリマスクブランクが得られた。
得られたバイナリマスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｃｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述の遮光膜に形成した基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、バイナリマスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きバイナリマスクブランクを得た。
次に、この欠陥情報付きのバイナリマスクブランクを用いて、バイナリマスクを作製した。
まず、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線描画機によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例においても、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。そして、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、修正した描画データを元に電子線描画が行われた。
まず、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線描画機によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例においても、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。そして、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、修正した描画データを元に電子線描画が行われた。
次に、このレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＮ膜をエッチング除去して、遮光膜パターンを形成した。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
この得られたバイナリマスクについてマスク欠陥検査装置（（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、ガラス基板上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られたバイナリマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行えた。
こうして得られたバイナリマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行えた。
（実施例３）
上記実施例１において、基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみとした以外は実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
上記実施例１において、基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみとした以外は実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
（比較例）
上記実施例１において、基準マークの形成箇所を含む領域上に形成されたレジスト膜を除去しないこと以外は、実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
上記実施例１において、基準マークの形成箇所を含む領域上に形成されたレジスト膜を除去しないこと以外は、実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された。
多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された原因を詳細に検討したところ、基準マーク形成箇所の上にもレジスト膜が形成されていたため、基準マークの検出時に、電子線や検査光がレジスト膜上を走査することによるチャージアップ、不必要なレジスト感光などの不具合が発生し、それが原因で、基準マークの検出精度が劣化し、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれが大きくなり、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが大きくなったためであることが判明した。
なお、上述の実施例では、いずれも基準マークを集束イオンビームにより形成した例を挙げて説明したが、これに限定されない。前にも説明したとおり、フォトリソ法、レーザー光等による凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。
１０ 反射型マスクブランク
１１ ガラス基板
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ 補助マーク
２０ バイナリマスクブランク
２１ 下地層
３０ 反射型マスク
３１ 多層反射膜
３２ 保護膜
４０ バイナリマスク
４１ 吸収体膜
５０ 多層反射膜付き基板
５１ 遮光膜
６１ レジスト膜
１１ ガラス基板
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ 補助マーク
２０ バイナリマスクブランク
２１ 下地層
３０ 反射型マスク
３１ 多層反射膜
３２ 保護膜
４０ バイナリマスク
４１ 吸収体膜
５０ 多層反射膜付き基板
５１ 遮光膜
６１ レジスト膜
Claims (12)
- 基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする反射型マスクブランク。 - 前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。 - 前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。 - 前記レジスト膜は、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域に形成され、前記基準マークは、前記パターン形成領域の外側に設けられた外周部に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
- 前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
- 大きさが６インチ角の反射型マスクブランクの周縁部において、外周端から０．５ｍｍ乃至５．０ｍｍの範囲の領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
- 請求項１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
- 基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、
前記薄膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、
前記マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とするマスクブランク。 - 前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする請求項８に記載のマスクブランク。 - 前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする請求項８に記載のマスクブランク。 - 請求項８乃至１０のいずれかに記載のマスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記薄膜をパターニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
- 前記電子線描画は、電子線描画機における電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて修正した描画データを元に行うことを特徴とする請求項１１に記載のマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013047796A JP6460619B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-03-11 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012054087 | 2012-03-12 | ||
| JP2012054087 | 2012-03-12 | ||
| JP2013047796A JP6460619B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-03-11 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017194170A Division JP6509987B2 (ja) | 2012-03-12 | 2017-10-04 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013219339A true JP2013219339A (ja) | 2013-10-24 |
| JP6460619B2 JP6460619B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=49591068
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013047796A Active JP6460619B2 (ja) | 2012-03-12 | 2013-03-11 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP2017194170A Active JP6509987B2 (ja) | 2012-03-12 | 2017-10-04 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017194170A Active JP6509987B2 (ja) | 2012-03-12 | 2017-10-04 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP6460619B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150085790A (ko) * | 2014-01-16 | 2015-07-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 노광용 마스크의 제조 방법, 노광용 마스크의 제조 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2015146140A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 凸版印刷株式会社 | Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク |
| CN105047595A (zh) * | 2015-05-20 | 2015-11-11 | 北京控制工程研究所 | 一种针对无定位标记的玻璃基片光刻对准装置及对准方法 |
| JP2017058666A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2017075997A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2017527841A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 基板上の欠陥の場所を特定する方法 |
| WO2017169973A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20180025276A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
| KR20180081278A (ko) * | 2017-01-06 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 얼라이먼트 패턴을 갖는 포토 마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2018205350A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、マスクブランク、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、レジスト除去装置、及びレジスト除去方法 |
| CN112673314A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-16 | Hoya株式会社 | 掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 |
| JP7500828B2 (ja) | 2017-10-17 | 2024-06-17 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11294271B2 (en) | 2020-04-30 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask for extreme ultraviolet photolithography |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354404A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 |
| JP2001033941A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び露光装置 |
| WO2008129914A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2008-10-30 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖマスクブランク |
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
| WO2010110237A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11176728A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | フォトマスク製造方法 |
| JP2004170948A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Nikon Corp | パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法 |
-
2013
- 2013-03-11 JP JP2013047796A patent/JP6460619B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-04 JP JP2017194170A patent/JP6509987B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354404A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 |
| JP2001033941A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び露光装置 |
| WO2008129914A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2008-10-30 | Asahi Glass Company, Limited | Ｅｕｖマスクブランク |
| JP2009058950A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクブランク用基板 |
| WO2010110237A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法 |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150085790A (ko) * | 2014-01-16 | 2015-07-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 노광용 마스크의 제조 방법, 노광용 마스크의 제조 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101720991B1 (ko) | 2014-01-16 | 2017-03-29 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 노광용 마스크의 제조 방법, 노광용 마스크의 제조 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2015146140A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 凸版印刷株式会社 | Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク |
| JP2017527841A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 基板上の欠陥の場所を特定する方法 |
| CN105047595A (zh) * | 2015-05-20 | 2015-11-11 | 北京控制工程研究所 | 一种针对无定位标记的玻璃基片光刻对准装置及对准方法 |
| CN105047595B (zh) * | 2015-05-20 | 2017-10-03 | 北京控制工程研究所 | 一种针对无定位标记的玻璃基片光刻对准装置及对准方法 |
| JP2017058666A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2017075997A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20180130495A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-12-07 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US20190079382A1 (en) * | 2016-03-31 | 2019-03-14 | Hoya Corporation | Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI802031B (zh) * | 2016-03-31 | 2023-05-11 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩之製造方法、及半導體裝置之製造方法 |
| KR20220065071A (ko) * | 2016-03-31 | 2022-05-19 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2017169973A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| KR102393311B1 (ko) | 2016-03-31 | 2022-05-02 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JPWO2017169973A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-03-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| US11852964B2 (en) | 2016-03-31 | 2023-12-26 | Hoya Corporation | Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI743100B (zh) * | 2016-03-31 | 2021-10-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 |
| KR102646681B1 (ko) | 2016-03-31 | 2024-03-12 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법, 반사형 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11048159B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR102231933B1 (ko) | 2016-08-31 | 2021-03-26 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
| KR20180025276A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | Euv 리소그래피용 리소그래픽 마스크 |
| KR101918380B1 (ko) | 2017-01-06 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 얼라이먼트 패턴을 갖는 포토 마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토 마스크 및 그 제조 방법 |
| KR20180081278A (ko) * | 2017-01-06 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 얼라이먼트 패턴을 갖는 포토 마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2018205350A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、マスクブランク、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、レジスト除去装置、及びレジスト除去方法 |
| JP7500828B2 (ja) | 2017-10-17 | 2024-06-17 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
| CN112673314A (zh) * | 2018-09-12 | 2021-04-16 | Hoya株式会社 | 掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6509987B2 (ja) | 2019-05-08 |
| JP2017227933A (ja) | 2017-12-28 |
| JP6460619B2 (ja) | 2019-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6460619B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP6460617B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 | |
| US11131921B2 (en) | Method for manufacturing reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask | |
| JP6111243B2 (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
| WO2017169973A1 (ja) | 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6282844B2 (ja) | 薄膜付き基板及び転写用マスクの製造方法 | |
| JP7286544B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP7492456B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6561099B2 (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 | |
| JP6713251B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 | |
| JP7500828B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| TWI808103B (zh) | 附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160304 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171004 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171011 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6460619 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |