KR20230005374A - 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴 및 방법 - Google Patents

Abstract

개시된 시스템은 세정 툴을 포함한다. 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된다. 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 접촉 시에 리소그래피 장치의 일부를 세정하도록 구성된 세정제 재료; 및 세정제 재료를 지니면서, 본체에 부착되고 본체의 표면에 세정제 재료가 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 필름을 포함한다. 필름은 예를 들어, 세정제 재료로 적어도 부분적으로 덮인 제1 층, 및 본체의 표면에 부착되고 세정제 재료가 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 제2 층을 포함하며, 제2 층은 제1 층과 본체의 표면 사이에 배치된다.

Description

리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴 및 방법

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2020년 6월 1일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 제63/032,935호에 대해 우선권을 주장하며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체적으로 본 명세서에 포함된다.

기술 분야

본 명세서의 설명은 일반적으로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴 및 방법에 관한 것이다.

리소그래피 (예컨대, 투영) 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 그러한 경우, 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)는 IC의 개별 레이어에 대응하는 패턴("설계 레이아웃")을 포함하거나 제공할 수 있으며, 이러한 패턴은 방사선 감응 재료("레지스트")의 층으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함)로 전사될 수 있으며, 예를 들면 패터닝 디바이스 상의 패턴을 통해 타겟부를 조사하는 것과 같은 방법에 의해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 리소그래피 투영 장치에 의해 한번에 하나의 타겟부씩 패턴이 연속적으로 전사되는 복수의 인접한 타겟부를 포함한다. 한 가지 유형의 리소그래피 투영 장치에서, 전체 패터닝 디바이스 상의 패턴은 한 번의 동작으로 하나의 타겟부 상으로 전사된다. 이러한 장치는 일반적으로 스테퍼라고 한다. 통상 스텝-앤-스캔 장치라고 하는 대안적인 장치에서는, 투영 빔이 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 패터닝 디바이스에 걸쳐 스캐닝하면서 기판을 이러한 기준 방향에 평행하거나 역평행한 방향으로 동기적으로 이동시킨다. 패터닝 디바이스 상의 패턴의 다른 부분들이 하나의 타겟부로 점진적으로 전사된다. 일반적으로, 리소그래피 투영 장치는 축소 비율(M)(예를 들어, 4)을 가질 것이기 때문에, 기판이 이동되는 속도(F)는 투영 빔이 패터닝 디바이스를 스캔하는 속도의 1/M 배가 될 것이다. 여기에서 설명하는 리소그래피 디바이스에 관한 더 많은 정보는 예를 들어 US 6,046,792에서 얻을 수 있으며, 이러한 문헌은 원용에 의해 본원에 통합된다.

패턴을 패터닝 디바이스로부터 기판으로 전사하기 전에, 기판은 프라이밍, 레지스트 코팅 및 소프트 베이크 등의 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광 후, 기판은 노광 후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 전사된 회로 패턴의 측정/검사와 같은 다른 절차("노광 후 절차")를 거칠 수 있다. 이러한 절차 어레이는 디바이스, 예를 들어 IC의 개별 층을 만들기 위한 기초로 사용된다. 그 후, 기판은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속공정, 산화, 화학-기계적 연마 등의 다양한 프로세스를 거치며, 이는 모두 디바이스의 개별 층을 마무리하기 위한 것이다. 디바이스에 여러 층이 필요한 경우, 전체적인 절차 또는 그의 변형이 각 층에 대해 반복된다. 결국, 디바이스가 기판 상의 각각의 타겟부에 존재할 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 쏘잉 등의 기술에 의해 서로 분리되며, 개별 디바이스가 캐리어에 장착되거나 핀에 연결되거나 할 수 있다.

반도체 디바이스와 같은 디바이스를 제조하는 것은 전형적으로 디바이스의 다양한 피처 및 다수의 층을 형성하기 위해 다수의 제조 프로세스를 사용하여 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼)을 처리하는 것을 수반한다. 이러한 층 및 피처는 전형적으로 예를 들어 증착, 리소그래피, 에칭, 화학-기계적 연마, 이온 주입 및/또는 다른 프로세스를 사용하여 제조되고 처리된다. 다수의 디바이스가 기판 상의 복수의 다이 상에 제조된 후 개별 디바이스로 분리될 수 있다. 이러한 디바이스 제조 프로세스는 패터닝 프로세스로 여겨질 수 있다. 패터닝 프로세스는 패터닝 디바이스 상의 패턴을 기판으로 전사하기 위해 리소그래피 장치에서 패터닝 디바이스를 사용하는 광학 및/또는 나노 임프린트 리소그래피 등의 패터닝 단계를 수반하지만, 통상 선택적으로 하나 이상의 관련 패턴 처리 단계, 예를 들면 현상 장치에 의한 레지스트 현상, 베이크 툴을 사용한 기판의 베이킹, 에칭 장치를 사용한 패턴을 이용한 에칭 등의 프로세스 등을 수반할 수 있다. 하나 이상의 계측 프로세스가 패터닝 프로세스에 통상적으로 수반된다.

리소그래피는 IC와 같은 디바이스의 제조에 있어서 하나의 단계이며, 기판 상에 형성된 패턴이 마이크로프로세서, 메모리 칩 등과 같은 디바이스의 기능 요소를 규정하게 된다. 유사한 리소그래피 기법이 또한 평판 디스플레이, MEMS(마이크로 전자 기계 시스템) 및 기타 디바이스의 형성에 사용된다.

반도체 제조 프로세스가 계속 발전함에 따라, 기능 요소의 치수는 지속적으로 감소된 반면, 일반적으로 "무어의 법칙"이라고 하는 추세에 따라 디바이스당 트랜지스터와 같은 기능 요소의 수는 수십 년에 걸쳐 꾸준히 증가해 왔다. 현재 기술 상태에서 디바이스의 층은 심자외선 조명 소스로부터의 조명을 사용하여 기판 상에 설계 레이아웃을 투영하는 리소그래피 투영 장치를 사용하여 제조되어, 100nm보다 훨씬 작은 치수, 즉 조명 소스(예를 들어, 193 nm 조명 소스)로부터의 방사선의 파장의 절반 미만의 치수를 갖는 개별 기능 요소를 생성하게 된다.

리소그래피 투영 장치의 전통적인 분해능 한계보다 작은 치수를 갖는 피처가 인쇄되는 이러한 프로세스는 일반적으로 분해능 식 CD = k₁ ×λ/NA에 따라 로우-k₁ 리소그래피로 알려져 있는데, 여기서 λ는 채용된 방사선의 파장(현재 대부분의 경우 248nm 또는 193nm), NA는 리소그래피 투영 장치 내의 투영 광학계의 개구수, CD는 "임계 치수"(일반적으로 인쇄되는 가장 작은 피처 사이즈), k₁ 은 실험상 분해능 계수이다. 일반적으로, k₁이 작을수록, 특별한 전기적 기능 및 성능을 달성하기 위해 설계자가 계획한 형상 및 치수와 유사한 기판 상의 패턴을 재현하는 것이 더 어려워진다. 이러한 어려움을 극복하기 위해, 정교한 미세 조정 단계가 리소그래피 투영 장치, 설계 레이아웃, 또는 패터닝 디바이스에 적용된다. 예를 들어 NA 및 광학적 코히어런스 설정의 최적화, 커스터마이즈 조명 스킴, 위상 시프팅 패터닝 디바이스의 사용, 설계 레이아웃에서의 광학 근접 보정(OPC, 종종 "광학 및 프로세스 보정"이라고도 함), 또는 "분해능 향상 기법"(RET)으로 일반적으로 규정되는 기타 다른 방법이 여기에 포함되지만 이에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에 사용된 용어 "투영 광학계"는 예를 들어 굴절 광학계, 반사 광학계, 애퍼처 및 반사굴절 광학계를 포함하는 다양한 유형의 광학 시스템을 포괄하는 것으로서 광범위하게 해석되어야 한다. "투영 광학계"라는 용어는 또한 방사선의 투영 빔을 집합적으로 또는 개별적으로 지향, 성형 또는 제어하기 위해 이러한 설계 유형 중 임의의 것에 따라 작동하는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. "투영 광학계"라는 용어는 광학적 컴포넌트가 리소그래피 투영 장치의 광학적 경로 상에 위치되는 장소에 상관없이 리소그래피 투영 장치 내의 임의의 광학적 컴포넌트를 포함할 수 있다. 투영 광학계는, 방사선이 패터닝 디바이스를 통과하기 전에 소스로부터의 방사선을 성형, 조정 및/또는 투영하기 위한 광학 컴포넌트, 및/또는 방사선이 패터닝 디바이스를 통과한 후에 방사선을 성형, 조정 및/또는 투영하기 위한 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다. 투영 광학계는 일반적으로 소스와 패터닝 디바이스를 제외한다.

실시예에 따르면, 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴이 제공된다. 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 및 세정 필름 - 세정 필름의 제1 면은 세정 툴의 표면에 부착되도록 구성되고, 세정 필름의 제2 면은 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이고, 제2 면은 제1 면의 반대쪽임 - 을 포함한다. 세정 필름은 세정 재료가 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성되고, 세정 재료는 접촉 시에 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하도록 구성된다.

다른 실시예에 따르면, 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법이 제공된다. 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 및 세정 필름 - 세정 필름의 제1 면은 세정 툴의 표면에 부착되도록 구성되고, 세정 필름의 제2 면은 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이고, 제2 면은 제1 면의 반대쪽임 - 을 포함한다. 세정 필름은 투명 부분을 포함하되 투명 부분을 통해 세정 툴의 표면 상의 하나 이상의 특징부가 판독될 수 있고, 세정 재료는 접촉 시에 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하도록 구성된다.

일 실시예에 따르면, 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법이 제공된다. 이러한 방법은: 툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것; 툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및 툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것을 포함한다. 세정 단계는 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함한다.

또 다른 실시예로서, 명령이 기록된 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공되며, 명령은 컴퓨터에 의해 실행될 때, 위에서 기술된 임의의 방법을 구현한다.

본 명세서에 통합되어 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 하나 이상의 실시예를 예시하고 발명의 설명과 함께 이러한 실시예를 설명하는 것이다. 이제 본 발명의 실시예에 관해, 첨부된 개략적인 도면을 참조로 하여 단지 예시의 목적으로 설명할 것이고, 도면에서는 대응하는 도면 부호가 상응하는 부분을 나타낸다.
도 1은 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 리소그래피 셀 또는 클러스터의 일 실시예를 나타낸다.
도 3a는 일 실시예에 따른 세정 툴, 레티클 핸들러 터렛 그립퍼(turret gripper), 레티클 스테이지 레티클 클램프, 및/또는 다른 컴포넌트들을 포함하는 리소그래피 장치를 도시한다.
도 3b는 일 실시예에 따른, 도 3a에 도시된 리소그래피 장치의 일부의 확대도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 레티클 스테이지, 레티클 클램프 및/또는 연관된 멤브레인의 오버헤드 뷰를 예시하는 것이다.
도 5a 및 도 5b는 일 실시예에 따라 상이한 유형의 오염물(예를 들어, 레티클로부터의 크롬 입자, 레티클 클램프의 멤브레인 상의 몰리브덴 실리사이드(MoSi₂)와 같은 경질 입자)을 예시하는 것이다.
도 5c는 일 실시예에 따라 세정되지 않은 멤브레인 상에 증착된 오염물로 인해 균열이 발생한 균열된 멤브레인을 예시하는 것이다.
도 6은 일 실시예에 따른 세정 툴(예컨대, 레티클)의 본체의 일례를 나타낸 것이다.
도 7은 일 실시예에 따라 리소그래피 장치의 일부(예를 들어, 멤브레인)를 세정하기 위해 사용되는 세정 툴의 본체에 부착된 필름을 갖는 세정 툴(예를 들어, 레티클)의 일례를 도시한다.
도 8은 일 실시예에 따른 필름 구조의 일례를 나타낸 것이다.
도 9는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법의 흐름도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 2개의 세정 툴의 예시적인 본체, 제1 세트의 세정 스트립 및 제2 세트의 세정 스트립을 나타낸 것이다.
도 11a는 일 실시예에 따라 제1 세정 재료를 지니는 제1 세트의 세정 스트립과 부착된 제1 세정 툴을 예시하며, 제1 툴은 지정된 체류 시간 동안 사용된다.
도 11b는 일 실시예에 따라 제2 세정 재료를 지니는 제2 세트의 세정 스트립과 부착된 제2 세정 툴을 예시하며, 제2 툴은 지정된 체류 시간 동안 사용된다.
도 12은 일 실시예에 따른 예시적인 컴퓨터 시스템의 블록도이다.
도 13는 일 실시예에 따른, 도 1와 유사한 리소그래피 투영 장치의 개략도이다.

일반적으로, 마스크 또는 레티클은 투명한 재료의 블록일 수 있고, 이는 상이한 불투명 재료로 규정된 패턴으로 덮인다 다양한 마스크가 리소그래피 장치에 공급되어 반도체 디바이스의 층을 형성하는 데에 사용된다. 주어진 마스크 또는 레티클 상에 규정된 패턴은 반도체 디바이스의 하나 이상의 층에 생성된 피처에 대응한다. 종종, 복수의 마스크 또는 레티클이 제조 중에 리소그래피 장치에 자동으로 공급되고 반도체 디바이스의 대응하는 층을 형성하는 데 사용된다. 리소그래피 장치 내의 클램프(예를 들어, 레티클 스테이지 레티클 클램프)는 처리 중에 마스크 또는 레티클을 고정하는 데에 사용된다. 이러한 클램프는 주기적인 세정이 필요하다. 전형적으로, 세정은 리소그래피 장치 및 제조 프로세스의 중단을 요한다. 세정은 기술자가 수동으로 수행하며 완료하는 데 몇 시간을 필요로 한다.

유리하게도, 본 발명의 시스템 및 방법은, 리소그래피 장치가 계속 작동하는 동안, 리소그래피 장치의 클램프 및/또는 연관된 멤브레인을 인시튜로 세정하기 위해 사용되도록 구성된 세정 툴을 제공한다. 클램프는 척 본체를 지지하고 척 본체에 대한 연결을 제공하도록 구성된 여러 컴포넌트들을 포함한다. 멤브레인은 레티클과 접촉하는 클램프의 부분들이다. 세정 툴은, 임의의 다른 마스크 또는 레티클이 리소그래피 장치에 자동으로 삽입되어 리소그래피 장치에 의해 핸들링되는 것과 마찬가지로 리소그래피 장치에 자동으로 삽입되어 핸들링되도록 구성된다. 본 발명의 세정 툴로 리소그래피 장치를 세정하면 이전의 세정 방법과 연관된 중단 시간을 절약할 수 있다. 또한 일부 실시예에서 본 발명의 시스템은, 이하에서 설명하는 바와 같이, 세정된 (레티클 스테이지 레티클) 클램프 및/또는 그의 연관된 멤브레인으로부터 제거된 재료로 리소그래피 장치의 다른 부분(예를 들어, 레티클 핸들러 로봇 그립퍼)을 오염시키는 것을 방지하도록 구성된다.

일부 실시예에서, 세정 툴은 내부의 조명 소스와 함께 구성된 세정 레티클을 포함한다. 조명 소스는 내부의 세정 레티클 식별 특징부를 조명하도록 구성된다. 식별 특징부는 세정 레티클의 위치를 식별하고 추적하기 위해 리소그래피 장치의 카메라에 의해 사용된다. 유리하게도, 조명 소스 및 내부의 식별 특징부는 카메라로부터 식별 특징부를 가리지 않고도 세정 재료가 세정 레티클의 세정 표면을 완전히 덮도록 허용한다. 또한, 세정 표면 반대편의 세정 레티클의 외부 표면은 리소그래피 장치에 의한 그립핑을 위해 매끄러운 상태로 유지될 수 있다.

본 문헌에서 집적 회로(IC)의 제조에 대해 특별히 언급할 수 있지만, 본원의 설명은 많은 다른 가능한 응용예를 갖는다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 이는 통합형 광학 시스템, 자기 도메인 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이 패널 및 박막 자기 헤드 등의 제조에 채용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이" 등의 어떠한 용어의 사용도 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 상호교환 가능한 것으로 간주되어야 한다는 점을 이해할 것이다. 부가적으로, 본 명세서에서 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

도입부로서, 도 1은 본 시스템 및/또는 방법에 포함될 수 있고 및/또는 그와 연관될 수 있는 리소그래피 장치(LA)의 일 실시예를 개략적으로 도시한다. 이러한 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선, DUV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL), 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치설정하도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT), 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치설정하도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)(예컨대, WTa, WTb 또는 양자 모두); 및 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하고 종종 필드라고 함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다. 투영 시스템은 기준 프레임(RF) 상에 지지된다.

도시된 바와 같이, 장치는 투과형(예를 들어, 투과형 마스크를 채택)이다. 대안적으로, 장치는 반사형(예를 들어, 언급된 바와 같은 타입의 프로그램 가능한 미러 어레이를 채택하거나, 반사형 마스크를 채택)일 수 있다.

조명기(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 예를 들어, 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스 및 리소그래피 장치는 별개의 개체일 수 있다. 그러한 경우에, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 여겨지지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 방사선 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 이와 다른 경우, 예를 들어 방사선 소스가 수은 램프인 경우, 소스는 장치에 통합된 부분일 수 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수 있다.

조명기(IL)는 빔의 세기 분포를 변경할 수 있다. 조명기는 조명기(IL)의 퓨필 평면 내의 환형 영역 내에서 0이 아닌 세기 분포가 되도록 방사선 빔의 반경방향 범위를 제한하도록 배열될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 조명기(IL)는 퓨필 평면 내의 복수의 동일하게 이격된 섹터에서 0이 아닌 세기 분포가 되도록 퓨필 평면에서의 빔의 분포를 제한하게끔 동작가능할 수 있다. 조명기(IL)의 퓨필 평면에서 방사선 빔의 세기 분포는 조명 모드라 지칭될 수 있다.

조명기(IL)는 빔의 (각도/공간) 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경방향 범위(일반적으로 각각 외측-σ 및 내측-σ로 지칭됨)가 조정될 수 있다. 조명기(IL)는 빔의 각도 분포를 변경하도록 동작가능할 수 있다. 예를 들어, 조명기는 세기 분포가 0이 아닌 퓨필 평면 내의 섹터들의 수 및 각도 범위를 변경하도록 동작가능할 수 있다. 조명기의 퓨필 평면에서 빔의 세기 분포를 조정함으로써, 다양한 조명 모드가 달성될 수 있다. 예를 들어, 조명기(IL)의 퓨필 평면에서 세기 분포의 반경반향 및 각도 범위를 제한함으로써, 세기 분포는 예를 들어 쌍극자, 4중극자 또는 6중극자 분포와 같은 다중극 분포를 가질 수 있다. 원하는 조명 모드는, 예를 들어 그러한 조명 모드를 제공하는 광학기를 조명기(IL)에 삽입하거나 공간 광 변조기를 사용함으로써 얻어질 수 있다.

조명기(IL)는 빔의 편광을 변경하도록 동작가능할 수 있고, 조정기(AD)를 사용하여 편광을 조정하도록 동작가능할 수 있다. 조명기(IL)의 퓨필 평면에 걸친 방사선 빔의 편광 상태는 편광 모드라 지칭될 수 있다. 다양한 편광 모드의 사용에 의해, 기판(W) 상에 형성된 이미지에 더 큰 콘트라스트가 달성될 수 있다. 방사선 빔은 편광되지 않을 수도 있다. 대안적으로, 조명기는 방사선 빔을 선형 편광시키도록 배열될 수 있다. 방사선 빔의 편광 방향은 조명기(IL)의 퓨필 평면에 걸쳐 변화할 수 있다. 방사선의 편광 방향은 조명기(IL)의 퓨필 평면 내의 서로 상이한 영역에서 상이할 수 있다. 방사선의 편광 상태는 조명 모드에 따라 선택될 수 있다. 다중극 조명 모드의 경우, 방사선 빔의 각각의 극의 편광은 일반적으로 조명기(IL)의 퓨필 평면에서의 그러한 극의 위치 벡터에 수직일 수 있다. 예를 들어, 쌍극자 조명 모드의 경우, 방사선은 쌍극자의 서로 반대측의 두 섹터를 이등분하는 라인에 실질적으로 직교하는 방향으로 선형 편광될 수 있다. 방사선 빔은 2개의 상이한 직교 방향 중 하나의 방향으로 편광될 수 있으며, 이는 X-편광 및 Y-편광 상태로 지칭될 수 있다. 4중극 조명 모드의 경우, 각각의 극의 섹터에서의 방사선은 해당 섹터를 이등분하는 라인에 실질적으로 수직인 방향으로 선형 편광될 수 있다. 이러한 편광 모드는 XY 편광으로 지칭될 수 있다. 마찬가지로, 6중극 조명 모드의 경우, 각각의 극의 섹터에서의 방사선은 해당 섹터를 이등분하는 라인에 실질적으로 수직인 방향으로 선형 편광될 수 있다. 이러한 편광 모드는 TE 편광으로 지칭될 수 있다.

또한, 조명기(IL)는 집속기(IN) 및 집광기(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 일반적으로 포함한다. 조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전형 또는 기타 다른 유형의 광학 컴포넌트 또는 이들의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다. 따라서, 조명기는 단면에 요구되는 균일성 및 세기 분포를 갖는 컨디셔닝된 방사선 빔(B)을 제공한다.

지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 지지한다. 지지 구조체는 기계식, 진공식, 정전식 또는 다른 클램핑 기술을 사용하여 패터닝 디바이스를 유지할 수 있다. 지지 구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는, 예를 들어 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있도록 보장할 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 일 실시예로서, 패터닝 디바이스는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 임의의 디바이스이다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처를 포함하는 경우, 기판의 타겟부에서의 원하는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있다는 점에 주목해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 디바이스의 타겟부에 생성되는 디바이스의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예는 마스크, 프로그램 가능한 미러 어레이 및 프로그램 가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있으며 바이너리, 교번 위상 시프트 및 감쇠 위상 시프트와 같은 마스크 타입은 물론 다양한 하이브리드 마스크 타입을 포함한다. 프로그램 가능한 미러 어레이의 예는 입사하는 방사선 빔을 다양한 방향으로 반사시키도록 각각 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 미러의 매트릭스 배열을 채용한다. 기울어진 미러는 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용된 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 적합하거나 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한 것으로서, 굴절형, 반사형, 반사굴절형, 자기형, 전자기형 및 정전기형 광학 시스템 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 타입의 투영 시스템을 포괄하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

투영 시스템(PS)은 불균일할 수도 있는 광학적 투과 함수를 가지고, 이것이 기판(W)에 이미징된 패턴에 영향을 줄 수 있다. 무편광 방사선에 대하여 이러한 효과는 두 개의 스칼라 맵에 의하여 매우 양호하게 기술될 수 있는데, 이러한 맵들은 투영 시스템(PS)으로부터 나가는 방사선의 투과(아포디제이션(apodization)) 및 상대 위상(수차)을 그것의 퓨필 평면에서 위치의 함수로서 기술한다. 투과 맵 및 상대 위상 맵이라고 지칭될 수도 있는 이러한 스칼라 맵은 기저 함수들의 완전한 세트의 선형 조합으로서 표현될 수도 있다. 편리한 세트는 제르니케(Zernike) 다항식인데, 이것은 단위 원 상에서 정의된 직교 다항식의 세트를 형성한다. 각각의 스칼라 맵을 결정하는 것은 이러한 전개식(expansion)에서 계수를 결정하는 것을 수반할 수도 있다. 제르니케 다항식들이 단위 원 상에서 직교하기 때문에, 제르니케 계수는 측정된 스칼라 맵과 각각의 제르니케 다항식의 순차적인 내적을 계산하고 이것을 해당 제르니케 다항식의 놈(norm)의 제곱으로 나눔으로써 결정될 수도 있다.

투과 맵 및 상대 위상 맵은 필드와 시스템에 의존적이다. 즉, 일반적으로, 각각의 투영 시스템(PS)은 각각의 필드 포인트에 대해(즉 이것의 이미지 평면에서의 각각의 공간적 위치에 대해) 상이한 제르니케 전개식을 가질 것이다. 투영 시스템(PS)의 자신의 퓨필 평면에서의 상대 위상은, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 대상물 평면(즉 패터닝 디바이스(MA)의 평면)에 있는 점 유사 소스로부터, 투영 시스템(PS)을 통해 방사선을 투영하고, 파면(즉 동일한 위상을 가지는 점들의 자취)을 측정하기 위하여 시어링 간섭측정계(shearing interferometer)를 사용함으로써 결정될 수도 있다. 시어링 간섭측정계는 공통 경로 간섭측정계이고, 따라서 바람직하게는, 파면을 측정하기 위하여 이차 기준 빔이 요구되지 않는다. 시어링 간섭측정계는 투영 시스템의 이미지 평면(즉, 기판 테이블(WTa 또는 WTb))에 있는 회절 격자, 예를 들어 2차원의 그리드, 및 투영 시스템(PS)의 퓨필 평면에 대해 공액관계(conjugate)인 평면에서 간섭 패턴을 검출하도록 구성되는 검출기를 포함할 수도 있다. 간섭 패턴은 시어링 방향으로의 퓨필 평면에서의 좌표에 대한 방사선의 위상의 도함수에 관한 것이다. 검출기는, 예를 들어 전하 결합 소자(CCD)와 같은 감지 요소들의 어레이를 포함할 수도 있다.

리소그래피 장치의 투영 시스템(PS)은 가시적인 무늬를 생성하지 않을 수 있고, 따라서 파면 결정의 정확도는, 예를 들어 회절 격자를 이동시키는 것과 같은 위상 스테핑(phase stepping) 기법을 사용하여 향상될 수 있다. 스테핑은 회절 격자의 평면에서 그리고 측정의 스캐닝 방향에 수직인 방향에서 수행될 수도 있다. 스테핑 범위는 하나의 격자 주기일 수도 있고, 적어도 3개의 (균일하게 분산된) 위상 스텝이 사용될 수도 있다. 따라서, 예를 들어 3개의 스캐닝 측정이 y-방향에서 수행될 수도 있고, 각각의 스캐닝 측정은 x-방향에서의 다른 위치에서 수행된다. 회절 격자의 이러한 스테핑은 위상 변동을 세기 변동으로 효과적으로 변환하고, 위상 정보가 결정되게 한다. 격자는 회절 격자에 수직인 방향(z 방향)으로 스테핑되어 검출기를 교정할 수도 있다.

회절 격자는 2개의 수직하는 방향으로 순차적으로 스캐닝될 수 있으며, 이러한 방향은 투영 시스템(PS)의 좌표계의 축들(x 및 y)과 일치하거나 이들 축과 소정 각도(예컨대, 45도)를 이룰 수도 있다. 스캐닝은 정수 개의 격자 주기, 예를 들어 하나의 격자 주기에 걸쳐 수행될 수 있다. 스캐닝은 한 방향으로 위상 변동을 평균화하면서 나머지 방향으로의 위상 변동을 재구성할 수 있게 한다. 이에 의해 파면이 양 방향의 함수로서 결정될 수 있다.

투영 시스템(PS)의 자신의 퓨필 평면에서의 투과(아포디제이션)는, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 대상물 평면(즉 패터닝 디바이스(MA)의 평면)에 있는 점 유사 소스로부터, 투영 시스템(PS)을 통해 방사선을 투영하고, 검출기를 사용하여 투영 시스템(PS)의 퓨필 평면에 대해 공액관계인 평면에서 방사선의 세기를 측정함으로써 결정될 수도 있다. 수차를 결정하기 위하여, 파면을 측정하는 데에 사용되는 것과 동일한 검출기가 사용될 수도 있다.

투영 시스템(PS)은 복수 개의 광학 요소(예를 들어, 렌즈)를 포함할 수도 있고, 수차(필드 전체에 걸쳐 퓨필 평면에 걸친 위상 변동)를 정정하기 위해 광학 요소 중 하나 이상을 조정하도록 구성되는 조정 메커니즘을 더 포함할 수도 있다. 이를 달성하기 위하여, 조정 메커니즘은 하나 이상의 상이한 방법으로 투영 시스템(PS) 내의 하나 이상의 광학 요소(예를 들어, 렌즈)를 조작하도록 동작가능할 수도 있다. 투영 시스템은 좌표계를 가질 수 있는데, 이것의 광축은 z 방향으로 연장된다. 조정 메커니즘은: 하나 이상의 광학 요소를 변위시키는 것; 하나 이상의 광학 요소를 틸트시키는 것; 및/또는 하나 이상의 광학 요소를 변형하는 것의 임의의 조합을 수행하도록 동작가능할 수도 있다. 광학 요소의 변위는 임의의 방향(x, y, z 또는 이들의 조합)에서 이루어질 수도 있다. 비록 회전 대칭이 아닌 비구면 광학 요소에 대해서 z 축 주위의 회전이 사용될 수도 있지만, x 및/또는 y 방향으로 소정 축 주위에서 회전함으로써 광학 요소의 틸팅은 통상적으로 광축에 수직인 평면을 벗어나게 된다. 광학 요소의 변형은 저 주파수 형상(예를 들어 비점수차(astigmatic)) 및/또는 고 주파수 형상(예를 들어 자유 형상 비구면)을 포함할 수도 있다. 광학 요소의 변형은, 예를 들어 광학 요소의 하나 이상의 면에 힘을 작용시키도록 하나 이상의 액츄에이터를 사용하여 및/또는 광학 요소의 하나 이상의 선택된 영역을 가열하도록 하나 이상의 가열 요소를 사용함으로써 수행될 수도 있다. 일반적으로, 아포디제이션(퓨필 평면에 걸친 투과 변동)을 정정하기 위하여 투영 시스템(PS)을 조정하는 것이 가능하지 않을 수도 있다. 투영 시스템(PS)의 투과 맵은 리소그래피 장치(LA)를 위해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 설계할 때에 사용될 수도 있다. 컴퓨테이션 리소그래피 기법을 사용함으로써, 패터닝 디바이스(MA)는 아포디제이션을 적어도 부분적으로 정정하도록 설계될 수도 있다.

리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 또는 그 이상의 테이블(예를 들면, 둘 이상의 기판 테이블(WTa, WTb), 둘 이상의 패터닝 디바이스 테이블 등 - 기판 테이블(WTa) 및 테이블(WTb)은 예를 들면 측정 및/또는 세정 등을 용이하게 하기 위해 전용화된 기판 없이 투영 시스템 아래에 있음 -)을 갖는 타입일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기기에서는 추가적인 테이블들을 병렬적으로 사용할 수 있으며, 또는 하나 이상의 다른 테이블을 노광용으로 사용하면서 하나 이상의 테이블 상에서 준비 단계를 수행할 수 있다. 예를 들어, 정렬 센서(AS)를 이용한 정렬 측정 및/또는 레벨 센서(LS)를 이용한 레벨(높이, 틸트 등) 측정이 이루어질 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물로 기판의 적어도 일부가 덮일 수 있는 타입일 수도 있다. 또한, 액침액은 리소그래피 장치의 다른 공간, 예를 들어, 패터닝 디바이스와 투영 시스템 사이에 적용될 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키기 위해 당해 기술 분야에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "액침"이라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨야 함을 의미하는 것이 아니라 오히려 액체가 노광 중에 투영 시스템과 기판 사이에 위치한다는 것을 의미한다.

리소그래피 장치의 작동 시에, 방사선 빔은 조명 시스템(IL)에 의해 컨디셔닝되어 제공된다. 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되고, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 거친 후에, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하게 되며, 투영 시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 빔을 포커싱한다. 제2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 다양한 타겟부(C)를 위치설정하도록 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에는 명확히 도시되지는 않음)가, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 회수 후에, 또는 스캔 중에, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치설정하는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 제1 위치설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(개략적 위치설정) 및 숏-스트로크 모듈(미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있다. 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 사용하여 실현될 수 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크는 전용화된 타겟부를 점유하지만, 이들은 타겟부 사이의 공간에 위치할 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크로 알려져 있다). 유사하게, 둘 이상의 다이가 패터닝 디바이스(MA) 상에 제공되는 상황에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크는 다이 사이에 위치될 수 있다.

도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나로 사용될 수 있다: 1. 스텝 모드에서는, 방사선 빔에 부여된 패턴이 한번에 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 실질적으로 정지 상태로 유지된다(즉, 단일 정적 노광). 그 다음, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광으로 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다. 2. 스캔 모드에서는, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)이 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 배율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의해 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광에서 타겟부의 (비-스캐닝 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다. 3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램 가능한 패터닝 디바이스를 유지하면서 실질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동 또는 스캐닝된다. 이러한 모드에서는, 일반적으로 펄스형 방사선 소스가 채용되고, 프로그램 가능 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 중에 연속적인 방사선 펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이러한 동작 모드는 상술한 바와 같은 타입의 프로그램 가능한 미러 어레이 등의 프로그램 가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.

상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형 또는 완전히 다른 사용 모드들이 또한 채용될 수 있다.

본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능한 경우, 이러한 기판 처리 툴과 여타 기판 처리 툴에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 복수회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.

본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV)선 또는 심자외(DUV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV)선(예컨대, 5-20 nm 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선 뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔 등의 입자 빔을 포괄한다.

패터닝 디바이스 상의 또는 패터닝 디바이스에 의해 제공되는 다양한 패턴은 상이한 프로세스 윈도우, 즉 패턴이 사양 내에서 생성될 처리 변수의 공간을 가질 수 있다. 잠재된 체계적 결함과 관련된 패턴 사양의 예로는, 넥킹(necking), 라인 풀백(pull back), 라인 박형화(thinning), CD, 엣지 배치, 중첩, 레지스트 상단 손실, 레지스트 언더컷 및/또는 브리징에 대한 검사가 포함된다. 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스의 소정 영역 상의 패턴들의 프로세스 윈도우는 각각의 개별 패턴의 프로세스 윈도우를 병합(예를 들어, 중첩)시킴으로써 획득될 수 있다. 패턴 그룹의 프로세스 윈도우의 경계는 개개의 패턴 중 일부의 프로세스 윈도우의 경계를 포함한다. 즉, 이러한 개별 패턴은 패턴 그룹의 프로세스 윈도우를 제한하게 된다. 이들 패턴은 "핫 스폿" 또는 "프로세스 윈도우 제한 패턴(PWLP)"으로 지칭될 수 있으며, 이러한 용어는 본 명세서에서 상호 교환적으로 사용된다. 패터닝 프로세스의 일부를 제어할 때 핫 스폿에 집중하는 것이 가능하고 경제적이다. 핫 스폿에 결함이 없으면 다른 패턴에 결함이 없을 가능성이 높다.

도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 종종 리소셀 또는 클러스터로도 지칭되는 리소그래픽 셀(LC)의 일부를 형성할 수 있으며, 이는 또한 기판에 대해 노광-전 프로세스 및 노광-후 프로세스를 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는 하나 이상의 레지스트층을 증착하는 하나 이상의 스핀 코터(SC), 노광된 레지스트를 현상하는 하나 이상의 현상기, 하나 이상의 냉각 플레이트(CH), 및/또는 하나 이상의 베이크 플레이트(BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 하나 이상의 기판을 픽업하여, 이를 상이한 프로세스 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 이와 같이, 스루풋 및 처리 효율을 최대화하기 위해 다양한 장치가 작동될 수 있다.

리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일관적으로 노광되도록 하기 위해 및/또는 적어도 하나의 패턴 전사 단계(예컨대, 광학 리소그래피 단계)를 포함하는 패터닝 프로세스의 일부(예컨대, 디바이스 제조 프로세스)를 모니터링하기 위해서는, 기판 또는 기타 대상물을 검사하여 정렬, 오버레이(예를 들어 서로 중첩하는 층들에 있는 구조체들 사이 또는, 예를 들어 이중 패터닝 프로세스에 의하여 해당 층과는 별개로 제공된 동일한 층 내의 구조체들 사이의 오버레이일 수 있음), 선폭, 임계 치수(CD), 초점 오프셋, 재료 특성 등과 같은 하나 이상의 특성을 측정 또는 결정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, (예컨대, 본 명세서에 설명된 바와 같은) 레티클 클램프 상의 오염물은 이러한 오염물 위에서 레티클을 클램핑하게 되면 레티클이 왜곡될 것이기 때문에 오버레이에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 리소셀(LC)이 그 안에 위치되는 제조 설비는, 리소셀 내에서 처리된 기판(W)(도 1 참조) 또는 리소셀 내의 다른 대상물의 일부 또는 전부를 측정하는 계측 시스템을 통상적으로 더 포함한다. 계측 시스템은 리소셀(LC)의 일부일 수도 있고, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)의 일부일 수도 있다(예컨대, (도 1에서) 정렬 센서(AS)).

하나 이상의 측정된 파라미터는, 예를 들어 패터닝된 기판 내에 또는 패터닝된 기판 상에 형성된 연속 층들 사이의 정렬, 오버레이, 예를 들어 패터닝된 기판 내에 또는 패터닝된 기판 상에 형성된 피처의 임계 치수(CD)(예를 들어, 임계 선폭), 광학 리소그래피 단계의 초점 또는 초점 오차, 광학 리소그래피 단계의 선량 또는 선량 오차, 광학 리소그래피 단계의 광학 수차 등을 포함할 수 있다. 이러한 측정은 제품 기판 자체의 타겟 상에서 및/또는 기판 상에 제공된 전용화된 계측 타겟 상에서 수행된다. 이러한 측정은 레지스트의 현상 후, 그러나 에칭 전, 에칭 후, 증착 후 및/또는 다른 시간에 수행될 수 있다.

주사 전자 현미경, 이미지 기반 측정 툴 및/또는 다양한 전문화된 툴의 이용을 포함하여, 패터닝 프로세스에서 형성된 구조체를 측정하기 위한 다양한 기술들이 있다. 논의된 바와 같이, 전문화된 계측 툴의 신속하고 비침투적인 형태로는 방사선 빔이 기판의 표면에 있는 타겟으로 지향되고 산란된(회절/반사된) 빔의 특성이 측정되는 툴이 있다. 기판에 의해 산란되는 방사선의 하나 이상의 특성을 평가함으로써, 기판의 하나 이상의 특성이 결정될 수 있다. 이는 회절 기반 계측이라고 할 수 있다. 이러한 회절 기반 계측의 응용예 중 하나는 타겟 내에서의 피처 비대칭의 측정이다. 예를 들어 이것은 오버레이의 척도로 사용될 수 있지만 다른 응용예도 알려져 있다. 예를 들어, 비대칭은 회절 스펙트럼의 상호 반대측 부분들을 비교함으로써 측정될 수 있다(예를 들어, 주기적 격자의 회절 스펙트럼에서 -1 차 및 +1 차를 비교). 이는 전술한 바와 같이, 그리고 예를 들어 미국 특허 출원 공보 US 2006-066855에 기술된 바와 같이 수행될 수 있으며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 회절 기반 계측의 다른 응용예는 타겟 내에서의 피처 폭(CD)의 측정이다.

따라서, 디바이스 제조 프로세스(예를 들어, 패터닝 프로세스, 리소그래피 프로세스 등)에 있어서, 기판 또는 기타 대상물은 이러한 프로세스 동안 또는 프로세스 이후에 다양한 유형의 측정을 거칠 수 있다. 이러한 측정은, 특정 기판에 결함이 있는지 여부를 결정할 수 있거나, 프로세스 및 프로세스에 사용된 장치에 대한 조정을 확립할 수 있거나(예를 들어, 기판 상에서 2개의 층을 정렬하거나 또는 패터닝 디바이스를 기판에 정렬), 프로세스 및 장치의 성능을 측정할 수 있거나, 또는 다른 목적을 위한 것일 수 있다. 측정의 예에는 광학 이미징(예컨대, 광학 현미경), 비-이미징 광학 측정(예컨대, ASML YieldStar 계측 툴, ASML SMASH 계측 시스템과 같은 회절 기반 측정), 기계적 측정(예컨대, 스타일러스, 원자 힘 현미경(AFM)을 이용한 프로파일링), 및/또는 비-광학 이미징(예를 들어, 주사 전자 현미경(SEM)) 등이 포함된다. 원용에 의해 전체로서 본 명세서에 포함되는 미국 특허 제6,961,116호에 기술된 바와 같은 SMASH(SMart Alignment Sensor Hybrid) 시스템은 자기 참조 간섭계를 채용하는데, 이는 정렬 마커의 상대적으로 회전된 2개의 중첩 이미지를 생성하고, 이미지의 푸리에 변환이 간섭하게 되는 퓨필 평면에서의 세기를 검출하며, 간섭된 차수에서 세기 변동으로 나타나는 두 이미지의 회절 차수 간의 위상차로부터 위치 정보를 추출한다.

계측 결과는 감독 제어 시스템(SCS)에 직접적으로 또는 간접적으로 제공될 수 있다. 오차가 검출되는 경우, 후속 기판의 노광에 대해(특히 뱃치의 하나 이상의 다른 기판이 여전히 노광될 수 있도록 검사가 충분히 일찍 그리고 빠르게 행해질 수 있는 경우) 및/또는 노광된 기판의 후속 노광에 대해 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판이 스트리핑되고 (수율을 개선하기 위해) 재작업 또는 폐기될 수 있고, 이로써 결함 있는 것으로 알려진 기판 상에서 추가 처리를 수행하는 것을 피하게 된다. 기판의 단지 특정 타겟부만이 결함 있는 경우, 사양을 충족하는 타겟부에 대해서만 추가적인 노광이 행해질 수도 있다.

계측 시스템(MET) 내에서 계측 장치는 기판의 하나 이상의 특성을 결정하는 데 사용되며, 특히 동일한 기판의 상이한 층들의 하나 이상의 특성이 층마다 어떻게 달라지는지 또는 상이한 기판들의 하나 이상의 특성이 어떻게 달라지는지를 결정하는 데 사용된다. 위에서 논의한 바와 같이 이러한 계측 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수 있거나 독립형 디바이스일 수 있다.

계측을 가능하게 하기 위해서, 하나 이상의 타겟이 기판 상에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 타겟은 특별하게 설계되고, 주기적 구조체를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 타겟은 디바이스 패턴의 부분, 예를 들어 디바이스 패턴의 주기적 구조체이다. 일 실시예에서, 디바이스 패턴은 메모리 디바이스의 주기적 구조체(예를 들어, 바이폴라 트랜지스터(BPT), 비트 라인 콘택(BLC) 등의 구조체)이다.

일 실시예에서, 기판 상의 타겟은 하나 이상의 1-D 주기적 구조체(예를 들어 격자)를 포함할 수 있는데, 이들은 현상 후에 주기적인 구조적 피처가 솔리드 레지스트 라인(solid resist line)으로 형성되도록 인쇄된다. 일 실시예에서, 타겟은 하나 이상의 2-D 주기적 구조체(예를 들어 격자)를 포함할 수 있는데, 이들은 현상 후에 하나 이상의 주기적 구조체가 솔리드 레지스트 필러(solid resist pillar) 또는 레지스트 내의 비아(via)로 형성되도록 인쇄된다. 대안적으로 바아, 필러 또는 비아들은 기판 내로 에칭될 수 있다(예를 들어, 기판 상의 하나 이상의 층으로).

일 실시예에서, 패터닝 프로세스의 관심 파라미터 중 하나는 오버레이이다. 오버레이는 0차 회절 차수(정반사에 대응)가 차단되고 더 높은 차수만이 처리되는 암시야 계측법을 이용하여 측정될 수 있다. 암시야 계측법의 예는 국제 특허 공개 WO 2009/078708 및 WO 2009/106279에서 찾을 수 있으며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체로서 본원에 포함된다. 이러한 기법의 추가적인 발전사항은 미국 특허 공개 US2011-0027704, US2011-0043791 및 US2012-0242970에 기술되어 있으며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체로서 본원에 포함된다. 회절 차수의 암시야 검출을 이용하는 회절 기반 오버레이는 보다 작은 타겟에 대한 오버레이 측정을 가능하게 한다. 이러한 타겟은 조명 스폿보다 작을 수 있고 기판 상의 디바이스 제품 구조체에 의해 둘러싸일 수 있다. 일 실시예로서, 하나의 방사선 캡처로 다수의 타겟이 측정될 수 있다.

리소그래피 노드가 계속 축소됨에 따라 점점 더 복잡한 웨이퍼 설계가 구현될 수 있다. 복잡한 설계가 물리적 웨이퍼에 정확하게 전사되도록 하기 위해 설계자에 의해 다양한 툴 및/또는 기술이 사용될 수 있다. 이러한 툴 및 기술에는 마스크 최적화, 소스 마스크 최적화(SMO), OPC, 제어 설계 및/또는 기타 툴 및/또는 기술이 포함될 수 있다. 예를 들어, 소스 마스크 최적화 프로세스는 "Optimization Flows of Source, Mask and Projection Optics"이라는 명칭의 미국 특허 제9,588,438호에 설명되어 있으며, 이는 원용에 의해 전체로서 포함된다.

본 발명의 시스템 및/또는 방법은 독립형 툴 및/또는 기술로 사용될 수 있고 및/또는 복잡한 설계를 물리적 웨이퍼로 정확하게 전사하는 것을 향상시키기 위해 다른 반도체 제조 프로세스와 함께 사용될 수도 있다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 시스템은, 리소그래피 장치가 계속 작동하는 동안, 리소그래피 장치의 일부를 인시튜로 세정하기 위해 사용되도록 구성된 세정 툴을 포함한다. 예를 들어, 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되는 통상적인 레티클을 단순히 대체할 수 있다. 리소그래피 장치는, 리소그래피 장치가 작동 중에 세정 툴에 대한 특별한 조정을 필요로 하지 않도록, 대체된 레티클의 통상적인 이동 및/또는 위치를 통해 세정 툴을 이동시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 세정될 리소그래피 장치의 일부는 레티클 스테이지 레티클 클램프, 연관된 멤브레인, 및/또는 리소그래피 장치의 다른 부분들을 포함한다. 세정 툴은, 임의의 다른 마스크 또는 레티클이 리소그래피 장치에 자동으로 삽입되어 리소그래피 장치에 의해 핸들링되는 것과 마찬가지로 리소그래피 장치에 자동으로 삽입되어 핸들링(예컨대, 이동, 회전 등)되도록 구성된다. 본 발명의 세정 툴로 리소그래피 장치를 세정하면 이전의 세정 방법과 연관된 중단 시간을 절약할 수 있다. 또한 본 발명의 시스템은, 이하에서 설명하는 바와 같이, 세정된 (레티클 스테이지 레티클) 클램프로부터 제거된 재료로 리소그래피 장치의 다른 부분(예를 들어 레티클 핸들러 로봇 그립퍼)을 오염시키는 것을 방지하도록 구성된다. 세정 툴은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된다. 일 실시예에서, 세정 동안/세정 후에 오염물이 리소그래피 장치의 다른 부분으로 퍼지는 것을 방지하기 위해 세정 툴이 컨테이너에 삽입된다. 일 실시예로서, 예를 들면, 세정 레티클 식별자(ID)에 기초하여 예를 들어, 레티클 핸들러 또는 리소그래피 장치의 다른 부분에 들어가지 않도록 세정 툴이 차단되어(예를 들어, 소프트웨어 기반 명령을 통해), 예를 들어 내부 레티클 라이브러리(IRL) 및 IRIS(예컨대, 자동화된 검사 시스템)의 오염을 방지하게 된다. 또 다른 세정 툴, 툴 핸들러 및 레티클 핸들러 로봇 그립퍼의 예는 2019년 11월 7일에 출원된 미국 출원 번호 제62/931,864호에 논의되어 있으며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체로서 포함된다.

비제한적인 예로서, 도 3a 및 도 3b는 (예를 들어, 도 1에 도시된 리소그래피 장치와 유사하거나 동일한) 리소그래피 장치(300)(의 일부)를 도시한다. 도 3a는 세정 툴(302) 및/또는 다른 컴포넌트를 포함하는 본 발명의 시스템(301)을 예시한다; 그리고 툴 핸들러(306, 307, 308), 레티클 스테이지(310) 레티클 클램프(312)(도 3a에는 한쪽만 보임) 및/또는 다른 컴포넌트를 포함하는 리소그래피 장치(300)의 다양한 컴포넌트들을 포함한다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 세정 툴(302)의 하나 이상의 인스턴스를 저장하도록 구성된 포드(pod)를 포함한다. 예를 들어, 포드는 복수의 슬롯을 가질 수 있고, 각각의 슬롯은 세정 툴(302)을 지닌다. 일부 실시예에서, 리소그래피 장치(300)는 심자외선(DUV) 리소그래피를 위해 구성된다.

일부 실시예에서, 세정 툴(302)은 세정 레티클 및/또는 다른 컴포넌트를 포함한다. 일부 실시예에서, 툴 핸들러(306, 307, 308)는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼(306), 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307)(레티클을 그립핑하기 위해 연관된 클램프 등(308)을 가짐), 및/또는 다른 컴포넌트를 포함한다. 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307)는 예를 들어 포드(320)로부터 레티클을 이동시킬 수 있다(예를 들어, 사용자가 레티클을 포드(320)에 배치한 후). 예를 들어, 툴 핸들러(306)는 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307)로부터 레티클 클램프(312)로 레티클을 이동시킬 수 있다. 리소그래피 장치(300)는 리소그래피 장치(300)를 통한 세정 툴(302)의 이동 및 제어를 용이하게 하도록 구성된 다양한 다른 기계적 컴포넌트(322)(병진 메커니즘, 상승 메커니즘, 회전 메커니즘, 모터, 동력 생성 및 전달 컴포넌트, 구조적 컴포넌트 등)을 포함할 수 있다. 툴 핸들러의 일례가 2019년 11월 7일에 출원된 미국 출원 번호 제62/931,864호에 상세하게 논의되어 있으며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체로서 포함된다.

세정 툴(302)은 리소그래피 장치(300)가 계속 작동하는 동안, 리소그래피 장치(300)의 클램프(312) 및/또는 연관된 멤브레인(예컨대, 레티클의 하면과 접촉하게 되는 클램프의 멤브레인)을 인시튜로 세정하기 위해 사용되도록 구성된다. 세정 툴(302)은, 임의의 다른 마스크 또는 레티클(316)이 리소그래피 장치(300)에 자동으로 삽입되어 리소그래피 장치(300)에 의해 핸들링되는 것과 마찬가지로 리소그래피 장치(300)에 자동으로 삽입되어 핸들링되도록 구성된다. 예를 들어, 세정 툴(302)은 임의의 다른 레티클(316)이 장치(300)에 삽입되는 것처럼 통상적인 삽입 방법을 사용하여 통상적인 삽입 지점(318)에서 리소그래피 장치(300)에 삽입되는 크기 및 형상을 갖는다.

도 3b는 장치(300)의 일부의 확대도이다. 도 3b는 세정 툴(302) 툴 핸들러(306), 레티클 스테이지(310), 레티클 스테이지 레티클 클램프(312)(도 3b에는 한쪽만 보임), 기계적 컴포넌트(322), 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307) 및/또는 기타 다른 컴포넌트를 도시한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 툴 핸들러(306)는 세정 툴(302)을 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307)로부터 레티클 스테이지(310) 레티클 클램프(312)로 이동시키도록 구성되어 세정 툴(302)이 인시튜로 클램프(312)를 세정하는 데 사용될 수 있다. 세정 툴(302)을 이동시키는 것은 수평, 수직 및/또는 다른 방향으로 클램프(312)를 향해 또는 클램프로부터 멀어지도록 세정 툴을 이동시키는 것을 포함할 수 있다. 툴 핸들러(306) 및/또는 레티클 핸들러 로봇 그립퍼(307)는 다양한 모터, 병진, 회전 컴포넌트, 클램프, 클립, 동력원, 동력 전달 컴포넌트, 진공 메커니즘, 및/또는 세정 툴(302)의 이동을 용이하게 하는 다른 컴포넌트를 포함할 수 있다.

도 4는 일 실시예에 따른 레티클 스테이지(310), 레티클 클램프(312) 및/또는 연관된 멤브레인(410)의 오버헤드 뷰를 예시하는 것이다. 일부 실시예에서, 클램프(312) 및/또는 연관된 멤브레인(410)은 예를 들어 세정 툴(302)에 의해 세정된 타겟 표면일 수 있다. 전형적으로, 멤브레인(410)은 바코드(및/또는 다른 식별 데이터)가 인쇄되는 영역에서 레티클의 바닥과 접촉한다. 인쇄는 크롬, MoSi 또는 기타 재료로 적용된다. 레티클이 진공을 통해 클램핑된 후 스캔될 때(예를 들어, 식별 목적을 위해), 높은 접촉 압력에 의해 레티클 재료와 클램프(312) 재료 사이의 분자 레벨의 접합이 개시될 수 있다. 분리될 때, 레티클 재료 중 작은 부분이 당겨져 멤브레인(410)의 표면 상에 남는다. 따라서 세정이 필요하다. 실제로, 레티클 핸들러 터렛 그립퍼(306)(도 4에 도시되지 않음)는 클램프(312), 연관된 멤브레인(410) 위로 세정 툴(레티클)(302)을 하강시킬 것이다(예를 들어, 지면 안쪽으로).

일 실시예에서, 레티클 클램핑 메커니즘은 진공 클램프, 정전 클램프 또는 다른 알려진 클램핑 메커니즘일 수 있다. 진공 클램프 메커니즘에서, 멤브레인(410)은 멤브레인(410)의 표면 상의 하나 이상의 위치에 진공 패드(415)를 포함할 수 있다. 레티클(R1)이 클램핑될 때, 레티클(R1)은 이들 진공 패드(415)에 직접 접촉하여 안착된다. 레티클(R1)이 접촉 후 제거되면 레티클 재료가 진공 패드(415) 상에 증착될 수 있다. 진공 패드(415)는 (나노 스케일이지만) 확대도에 도시된 바와 같이 나노-범프 토포그래피, 또는 나노-범프 또는 나노-웨이브 토포그래피를 갖는다. 일 실시예에서, 이러한 나노-범프 토포그래피는 2개의 매우 매우 평평한 표면이 서로 접촉할 때 발생하는 광학적 접촉 이슈를 피하기 위해 배치된다. 광학적 접촉으로 인해 표면이 서로 달라붙고 광학적으로 접촉한다. 레티클(R1)과 레티클 클램프 및/또는 연관된 멤브레인 사이에는 그러한 광학적 접촉 또는 광학적 접합이 바람직하지 않다. 그러나 이러한 나노 범프는 접촉 응력을 증가시킨다. 그래서, 레티클이 진공 패드(415)의 작은 나노-범프 또는 나노-웨이브 패턴으로 클램핑될 때, 더 적은 면적으로 인해 접촉 응력이 증가된다. 이러한 접촉 응력은 세정 툴의 본체 상의 크롬 코팅을 진공 패드(415)로 전달하게 된다. 일 실시예에서, 세정 툴(302)은 크롬 오염을 세정하기 위해 본 명세서에서 논의된 바와 같이 구성될 수 있다. 그러나 본 발명은 특정 오염물을 세정하는 것으로 한정되지 않는다. 세정될 오염물에 기초하여, 세정 툴(302), 특히 필름(예를 들어, 도 7의 F1 및 F2)은 세정 용액과 함께 구성될 수 있고, 자동 세정 프로세스(예를 들어, 도 9)에서 사용될 수 있다.

일 실시예에서, 세정 툴(302) 상의 세정제 재료(예를 들어, 도 7에 도시됨)는 클램프(312) 및/또는 멤브레인(410), 또는 멤브레인(410) 상에 위치된 진공 패드(415)와 접촉한다. 또한, 세정 툴(302)은 진공 패드(415)의 세정을 수행하기 위해 하나의 차원(예를 들어, "x" 또는 도 4의 배향에 따른 수평 차원)으로 이동(예를 들어, 툴 핸들러를 사용하여)하도록 구성될 수 있다. 그러나, 일부 실시예에서, 세정 툴(302)은 타겟 세정 표면과 적절하게 결합하기 위해 둘 이상의 차원(예를 들어, "x" 및 "y" 차원)으로 이동하도록 구성될 수 있다.

도 5a 및 5b는 패드(415) 상에 증착된 상이한 유형의 오염물을 예시한다. 오염물은 일 실시예에 따르면 예를 들어, 레티클로부터의 크롬 입자(예를 들어, 도 5a의 백색 입자), 레티클 클램프의 멤브레인 상의 몰리브덴 다이실리사이드(MoSi₂)과 같은 경질 입자(예를 들어, 도 5b의 백색 입자)일 수 있다. 일 실시예에서, 예를 들어 크기가 5 내지 10 미크론인 충분히 큰 경질 입자와 같은 오염물은 본 명세서에서 논의된 리소그래피 장치를 사용하여 인쇄된 기판에서 오버레이 오차를 유발할 수 있고, 인쇄 프로세스의 반복 시에 추가로 오버레이 열화를 유발할 수 있다.

일 실시예에서, 오염물이 멤브레인(410) 또는 그 위의 패드(415) 상에 머무를 때, 레티클은 멤브레인(410) 및/또는 패드(415)에 달라붙어 멤브레인에 균열을 일으킬 수 있다. 도 5c는 일 실시예에 따라 패터닝 프로세스 동안 레티클의 반복되는 사용 사이에 세정되지 않은 진공 패드 상에 증착된 오염물로 인해 CRK1, CRK2 및 CRK3에서 균열이 발생한 균열된 멤브레인(410)의 일례를 도시한다. 도 5c는 또한 패드(415) 상에 배치된 레티클을 클램핑하는 동안 사용되는 멤브레인(410)의 진공 홀(420)을 도시한다. 오염물 관련 문제를 피하기 위해서는, 통상적으로 최소 4시간 이상의 가동 중지 시간과 상당한 비용이 소요될 수 있는 수동적인 멤브레인 세정이 수행된다. 본 발명의 세정 툴(302)은 세정 프로세스를 자동화하고 가동 중지 시간을 20분 미만으로 줄일 수 있다. 가동 중지 시간을 줄이고 리소그래피 장치의 가용성을 증가시키게 될 자동화를 가능하게 하는 세정 툴(302) 및 그 다양한 특징에 관해 이하에서 상세히 논의한다.

도 6 및 도 7은 세정 툴(예를 들어, 레티클)(302)의 본체(302') 및 세정 재료를 지니는 필름이 부착될 수 있는 세정 툴(302)의 예를 도시한다. 예를 들어, 본체(302') 중에서 세정제 재료를 갖는 필름(예를 들어, 도 7의 F1 및 F2)이 부착되는 면을 세정 표면이라 할 수 있다. 일 실시예에서, 세정 툴(302)의 본체(302')는 직사각형 프리즘 형태인 단일 재료 블록이다. 이는 제한하기 위한 것이 아니다. 이하에서 설명하는 원리 및/또는 특징은 도 3a, 3b, 4 및 7-11b에 도시된 세정 툴(302)의 실시예에 적용될 수 있고 및/또는 세정 툴(302)의 별도의 실시예에 포함될 수도 있다.

일부 실시예에서, 세정 툴(302)의 하나 이상의 부분은 초저 열팽창(ultra-low thermal-expansion) 석영(SFS) 및/또는 다른 재료와 같은 투명하거나 거의 투명한 재료로 형성될 수 있다. 그러나 이러한 요구사항은 리소그래피에 사용하기 위한 것이다. 세정 레티클(툴)(302)의 제조는 외부 치수 및 질량이 "경질 표면 포토마스크 기판에 대한 SEMI 표준 P1"을 준수하도록 하는 임의의 수의 재료를 사용할 수 있다. 일부 실시예에서, 세정 툴(302)(도 6에 도시된 바와 같음)은 세정제 재료를 지니는 필름(예를 들어, 도 7 및 8의 F1 및 F2 참조)이 부착되는 세정 표면(1100)(바닥 B1), 하나 이상의 측면(1104) 및/또는 다른 컴포넌트를 포함한다. 일부 실시예에서, 세정 툴(302)은 또한 하나 이상의 식별 특징부(1106, 1108)를 포함한다. 식별 특징부(1106 및 1108)는 사전 정렬 마크(1106), 바코드(1108) 및/또는 다른 식별 특징부를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 식별 특징부(1106, 1108)는 도 6에 도시된 바와 같이 세정 표면(1100) 상에 위치할 수 있다.

도 7은 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴(302)의 예를 도시한다. 예를 들어, 레티클 스테이지의 레티클 클램프의 일부(예를 들어, 멤브레인 및/또는 그 위의 진공 패드)이다. 세정 툴(302)은 리소그래피 장치에 삽입되도록 구성되고 접촉 시에 리소그래피 장치의 일부를 세정하도록 구성되는 세정제 재료; 및 세정 재료를 지니는 필름(예를 들어, F1 및/또는 F2)을 포함한다. 필름은 본체(302')에 부착되고(또한 도 6 참조) 세정제 재료가 본체(302')의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성된다. 일 실시예에서, 필름(예를 들어, F1 및/또는 F2)은 세정 툴의 표면에 제거 가능하게 부착된다. 일 실시예에서, 필름(예를 들어, F1 및/또는 F2)은 투명한 부분을 포함하는데, 이를 통해 광학 센서(예를 들어, 카메라 및 바코드 판독기)에 의해 세정 툴의 표면 상의 하나 이상의 특징부를 판독할 수 있다. 예를 들어, 투명한 부분은 투명 테이프일 수 있다.

도 8은 일 실시예에 따른 필름 구조의 일례를 나타낸 것이다. 필름(예를 들어, F1)은 단층 구조, 2층 구조 또는 3층 구조를 가질 수 있다. 본 발명은 특정한 적층 구조에 한정되지 않는다. 바람직한 실시예에서, 필름(F1)은: 세정제 재료로 적어도 부분적으로 덮이는 제1 층(L1), 및 본체의 표면에 부착되고 세정제 재료가 세정 툴의 표면에 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 제2 층(L3)을 포함한다. 제2 층(L3)은 제1 층(L1)과 세정 툴(302)의 본체의 표면 사이에 배치되도록 구성된다. 일 실시예에서, 제1 층(L1) 재료는 입자 오염의 효율적인 제거 및 세정 용액의 향상된 흡수를 가능하게 하는 특징을 갖는 클린룸 극세사 와이프(cleanroom microfiber wipe)이다. 또한, 제1 층은 섬유를 방출하지 않고, 세정 동안/세정 후에 벗겨짐(shedding) 또는 찢어짐(tearing)에 저항성이 있는 재료로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제1 층(L1)은 MiraWIPE®일 수 있다. 예를 들어, 제1 층(L1)에 도포되는 세정 용액은 크롬 에천트, 탈이온수, 이소프로필 알코올 또는 메탄올이다. 일 실시예에서, 제2 층(L3)은 세정 툴 상의 하나 이상의 특징부가 툴 핸들러(또는 툴 핸들러와 연관된 광학 센서)에 의해 판독될 수 있도록 투명하다. 예를 들어, 제2 층(L3)은 클린룸 테이프일 수 있다. 일 실시예에서, 클린룸 테이프는 표준/디폴트 Cr 레티클 코팅 위에, Cr 에천트 대신, 클리어(예를 들어, 광학적으로 투명한) 보호 레티클 코팅으로 대체될 수 있다. 다른 실시예에서, 비-크롬 레티클 코팅이 표준/디폴트 Cr 레티클 코팅 대신에 사용될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 표준/디폴트 Cr 레티클 코팅 대신 어떠한 레티클 코팅도 도포되지 않을 수 있다.

일 실시예에서, 필름(F1 및/또는 F2)은 필름의 일부 상에 적용된 접착층(L2)을 추가로 포함한다. 접착층(L2)은 제1 층(L1)과 제2 층(L3) 사이에 제공된다. 접착층(L2)은 접착층(L2)의 양면에 적어도 부분적으로 접착 재료로 덮여 있다. 접착제는 필름(F1 및/또는 F2)이 세정 툴(302)의 본체로부터 제거되는 경우에도 제2 층(L3)을 제1 층(L1)에 접착된 채로 유지한다. 예를 들어, 접착층(L2)은 양면 접착 코팅층(예를 들어, 3M ^TM Double Coated Paper Tape 410M)일 수 있다. 일 실시예에서, 접착층은 제1 층(L1) 아래에 균일하게 도포된다. 따라서, 세정 프로세스 동안, 제1 층(L1) 상의 세정제 재료는 세정되는 일부와 균일하게 접촉할 것이다. 일 실시예에서, 별도의 접착층(L2)을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 대안적으로, 제1 층(L1)은 접착제-지지될 수 있다.

일 실시예에서 필름은, 세정 툴과 결합하도록 사용되는 툴 핸들러; 리소그래피 장치의 일부에 있는 하나 이상의 클램프 요소; 또는 세정 툴의 표면 상에 있는 하나 이상의 식별 특징부 중 적어도 하나의 구성의 하나 이상의 특징부와 연관된 하나 이상의 컷아웃 부분을 포함한다. 컷아웃 부분의 예는 도 7과 관련하여 추가로 예시되고 논의된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 컷아웃 부분은 제1 층(L1)(및 일 실시예에서 접착제 층(L2)) 내에 있고, 제2 층(L3)에 있는 것은 아니다. 본 명세서에서 논의되는 바와 같이, 하나 이상의 식별 특징부는 제2 층(L3)을 통하여 (예컨대, 광학 센서에 의해) 판독 가능한 바코드 및 정렬 마크 중 하나 또는 양자 모두를 포함한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 클램프 요소는 진공 클램프를 통해 레티클을 클램핑하도록 리소그래피 장치의 상기 일부 상에 제공된 하나 이상의 진공 홀을 포함한다. 따라서, 제2 층(L3)은 세정 재료 및 오염물이 세정 툴(302)과 접촉하는 것을 방지하여 바코드 또는 식별 특징부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

일 실시예에서, 예를 들어 도 7 및 11a-11b에서, 필름(F1)은 세정 툴의 표면의 제1 엣지에 하나 이상의 식별 특징부 위에 부착되며, 이러한 하나 이상의 식별 특징부는 필름의 제2 층을 통해 (예컨대, 광학 센서에 의해) 판독 가능하다; 또 다른 필름(F2)은 세정 툴의 표면의 제2 엣지에 부착되며, 제2 엣지는 제1 엣지와 거리를 두고 평행하다.

도 7을 다시 참조하면, 세정 툴(302)(예를 들어, 레티클)의 본체(302')는 엣지들에 부착된 2개의 필름(F1 및/또는 F2)을 포함한다. 필름(F1 및 F2)은 리소그래피 장치의 일부(예를 들어, 멤브레인)를 세정하는 데 사용된다. 일 실시예에서, 세정 툴(302)의 세정 표면(1100)은 세정 재료를 지니는 필름(F1 및 F2)에 의해 부분적으로 덮인다. 일부 실시예에서, 세정 재료는 하나 이상의 상이한 재료를 포함한다. 멤브레인을 세정하기 위해 사용되는 재료는 제거될 오염물에 따라 달라질 수 있다. 세정 재료는 레티클 스테이지(310)(도 3A 및 3B) 레티클 클램프(312)(도 3A 및 3B) 및/또는 전술한 바와 같은 연관된 멤브레인과 접촉 및 세정하도록 구성된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 세정 재료를 갖는 필름(F1 및/또는 F2)은 예를 들어 식별 특징부(1106 및 1108), 툴 핸들러 그립핑 위치, 클램프 요소의 위치에 대응하는 세정 재료 내의 컷아웃(예컨대, RC1, VC1, VC2, BC1, PAC1, PAC2)을 포함한다. 예를 들어 컷아웃(RC1)은 툴 핸들러 그립핑 위치에 대응하는 모서리에 있을 수 있다. 컷아웃(VC1 및 VC2)은 멤브레인(예컨대, 410)에서의 진공 홀에 대응하는 것이다. 컷아웃(BC1)은 바코드에 대응하는 것이다. 컷아웃(PAC1 및 PAC2)은 세정 툴(302)을 레티클 스테이지 및/또는 레티클 클램프와 정렬하기 위해 사용될 수 있는 위치 정렬 마크에 대응하는 것이다. 이들 컷아웃은, 식별 특징부(1106 및 1108)의 위치, 툴 핸들러 그립핑 위치, 및 클램프 요소 위치(C1 및 C2)에 대응하는 영역에서 세정 재료를 절개 및/또는 그렇지 않으면 제거함으로써 생성될 수 있다. 세정 재료 내의 컷아웃은 세정 재료가 일반적으로 불투명하거나 거의 불투명하기 때문에 남겨질 수 있으며, 식별 특징부(1106 및 1108)는, 세정 툴(302)의 세정 표면(1100) 측으로부터 세정 툴(302) 안으로 그리고 식별 표면(1102)을 통해 세정 툴(302)로부터 밖으로 통과하는 조명을 이용하여 리소그래피 장치(300)(도 3a 및 3b) 내의 카메라에 의해 판독되도록 구성된다.

일 실시예에서, 툴 핸들러가 인터페이스하는 코너에서 (예를 들어, 4개의 코너에서) 컷아웃(RC1)은 툴 핸들러의 오염을 방지한다. 예를 들어 컷아웃(RC1)은 툴 핸들러 인터페이스의 Cr 에천트 오염을 방지한다. 레티클에서의 진공 홀에 대응하는 컷아웃(VC1 및 VC2)은 예를 들어 Z-지지 또는 레티클 스테이지 척 진공 라인의 Cr 에천트 오염을 방지한다. 컷아웃(BC1, PAC1, PAC2)(세정 툴 상의 바코드 및 정렬 마크와 같은 식별 특징부에 대응함)은 레티클 식별(ID) 및 레티클 스테이지 척에 대한 정렬을 가능하게 한다. 또한, 앞서 언급한 바와 같이, 필름은 예를 들어 제2 층(L3)을 통해, 세정 재료, 예를 들어 일부 잔류 크롬 세정 유체가 윈도우 안으로 들어가 세정 툴(302)의 표면 상의 특징부(예컨대, 바코드, 정렬 특징부)를 공격하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 필름은, 리소그래피 장치의 원하는 일부를 세정하고 세정 툴(302) 상의 특징부의 판독 가능성을 허용하며 세정 툴(302)의 특징부의 오염, 에칭 또는 침식을 방지하는 것을 포함하는 여러 목적을 수행하게 된다.

일 실시예에서, 세정 툴(302)은 리소그래피 장치의 일부의 타겟 표면(예컨대, 진공 패드)과 세정제 재료를 접촉시키도록 구성되고, 필름에 의해 리소그래피 장치의 일부를 세정할 때 리소그래피 장치의 일부에 대해 이동하도록 구성된다. 일 실시예에서, 필름은 타겟 표면에 평행하도록 구성된다. 일 실시예에서, 필름 상의 세정제 재료는 지정된 체류 시간 동안 타겟 부분과 접촉한다. 체류 시간 동안, 툴 핸들러가 세정 툴(302)로부터 결합해제되는 동안 세정제 재료는 타겟 부분과 접촉한 상태를 유지한다. 일 실시예에서, 예를 들어, 진공 클램프가 사용될 때, 세정 툴은 결합해제되더라도 레티클 핸들러 터렛 그립퍼에 진공 클램핑(또는 결합)될 수 있다. 이와 같이, 타겟 부분에는 세정 툴과 레티클 핸들러 터렛 그립퍼의 무게만 가해지고, 이로써 세정제 재료가 오염된 타겟 표면에 걸쳐 분산될 수 있게 된다. 일 실시예에서, 세정 툴(302)은 약한 진공 클램핑 힘 하에서 타겟 부분에 대해 이동하도록 구성되어 세정 재료가 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 타겟 부분을 스크러빙하게 된다. 세정 툴(302)은 세정 툴(302)이 레티클 핸들러 터렛 그립퍼로부터 결합해제된 후에 약한 진공 클램핑 힘 하에서 타겟 부분에 대해 이동되도록 구성될 수도 있다. 툴 핸들러(306)는 세정 툴(302)과 결합하고, 필름이 세정될 리소그래피 장치의 일부를 향하도록 세정 툴(302)을 이동 및 배향시키도록 구성된다.

일부 실시예에서, 스크러빙 동작이 수행되는 동안 세정 툴(302)은 레티클 핸들러 터렛 그립퍼와 결합되고(예를 들어 진공 클램핑되고) 레티클 핸들러 그립퍼 터렛은 툴 핸들러로부터 결합해제된다. 예를 들어, 레티클 핸들러 터렛 그립퍼는 세정 툴(302)이 레티클 핸들러 터렛 그립퍼와 결합(예를 들어, 진공 클램핑)되는 동안 타겟 부분에 대해 이동하도록 구성될 수 있다. 그 결과, 세정 재료는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼의 움직임으로 인해 레티클 핸들러 터렛 그립퍼와 세정 툴(302)의 수직 항력 하에서 타겟 부분을 스크러빙한다. 레티클 핸들러 그립퍼 터렛은 높은 가속도와 작은 이동 범위로 전후로 이동될 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 핸들러 그립퍼 터렛은 인가된 진공 힘 없이 및/또는 스크럽-후/언로드-전 레티클 재정렬 없이 설명된 스크러빙 동작을 수행할 수 있다. 설명된 스크러빙 동작 동안 레티클 핸들러 그립퍼 터렛을 세정 툴(302)과 결합된 채로 유지함으로써, 레티클 핸들러 그립퍼 터렛으로부터 세정 툴(302)을 언로딩하는 것과 관련된 문제가 완화된다. 설명된 스크러빙 동작은 또한 세정 툴(302) 상에 추가적인 진공 힘을 적용하지 않고 스크러빙을 허용할 수 있으며, 일부 실시예에서 세정 툴(302)과 타겟 부분 사이에 더 작은 수직 항력을 발생시키게 된다.

일 실시예에서, 리소그래피 장치는 하나 이상의 세정 툴을 유지하고 리소그래피 장치에 끼워지도록 구성된 포드(미도시)를 더 포함한다. 세정 툴(302)은 포드 내에 삽입되고, 세정을 위해 툴 핸들러(306)에 의해 포드로부터 이동되고, 세정 후에는 툴 핸들러(306)에 의해 포드로 복귀되도록 구성된다. 일 실시예에서, 포드는 복수의 슬롯을 포함하고, 각각의 슬롯은 하나 이상의 세정 툴들 중 하나의 세정 툴을 유지하도록 구성된다. 일 실시예에서, 포드는 세정 툴에 부착된 본체인 필름 상에 있는 세정제 재료와 반응하지 않는 비반응성 재료를 포함한다. 그러한 실시예에서, 비반응성 재료는 고밀도 폴리에틸렌이다. 일 실시예에서, 세정 프로세스는 프로세서에 저장된 동작이 실행될 때 툴 핸들러를 작동시키도록 구성된 프로세서를 통해 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 예시적인 동작이 아래에서 논의된다.

도 9는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법(900)의 흐름도이다. 방법(900)은 예를 들어 세정 툴(302)로 수행될 수 있다. 아래에 제시된 방법(900)의 동작은 예시를 위한 것이다. 일 실시예에서, 방법(900)은 기술되지 않은 하나 이상의 추가 동작과 함께 및/또는 논의된 동작 중 하나 이상의 동작 없이 달성될 수 있다. 또한, 도 9에 예시되고 이하에서 설명되는 방법(900)의 동작의 순서는 제한하려는 의도가 아니다.

일부 실시예에서, 방법(900)의 하나 이상의 부분은 하나 이상의 처리 디바이스(예를 들어, 디지털 프로세서, 아날로그 프로세서, 정보를 처리하도록 설계된 디지털 회로, 정보를 처리하도록 설계된 아날로그 회로, 상태 기계 및/또는 정보를 전자적으로 처리하기 위한 기타 메커니즘)에서 구현 및/또는 이에 의해 제어될 수 있다. 하나 이상의 처리 디바이스는 전자 저장 매체 상에 전자적으로 저장된 명령에 응답하여 방법(900)의 동작 중 일부 또는 전부를 실행하는 하나 이상의 디바이스를 포함할 수 있다. 하나 이상의 처리 디바이스는 방법(900)의 동작 중 하나 이상의 실행을 위해 특별히 설계된 하드웨어, 펌웨어 및/또는 소프트웨어를 통해 구성된 하나 이상의 디바이스를 포함할 수 있다(예를 들어, 이하에서 도 12와 관련된 논의 참조). 예를 들어, 하나 이상의 처리 디바이스는 여기에 설명된 동작 중 하나 이상이 수행되도록 하는 세정 프로그램을 실행하도록 구성된 소프트웨어(예컨대, ASML Twinscan)를 실행할 수 있다.

일 실시예에서, 동작(P901)은 툴 핸들러에 의해 세정 툴(예를 들어, 도 7의 툴(302))을 리소그래피 장치에 삽입하는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 심자외(DUV) 방사선을 위해 구성된다. 일 실시예에서, 동작(P903)은 툴 핸들러에 의해 하나 이상의 필름 상의 세정제 재료를 세정될 리소그래피 장치의 일부와 접촉시키는 것을 포함한다.

일 실시예에서, 동작(P905)은 툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 필름 상의 세정제 재료로 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것을 포함하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함한다.

일 실시예로서, 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 반복적으로 이동시키는 것을 포함한다. 일 실시예에서, 전후 이동은 세정되는 일부의 기하학적 구조 또는 이웃하는 컴포넌트에 대한 근접 거리에 의해 제한된다. 예를 들면, 전후 이동은 ±2mm 범위로 제한된다.

일 실시예로서, 세정 동작(P905)은 하나 이상의 필름을 지정된 체류 시간 동안 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 유지하는 것을 더 포함한다. 지정된 체류 시간 동안, 세정 툴은 정지해 있다. 일 실시예에서, 체류 시간 동안, 세정 툴은 툴 핸들러로부터 결합해제된다.

일 실시예에서, 방법(900)은: 세정되는 오염물에 기초하여 포드로부터 세정 툴을 선택하는 것, 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위해 툴 핸들러를 이용하여 포드로부터 세정 툴을 이동시키는 것, 세정 후 세정 툴로부터 하나 이상의 필름을 제거하는 것, 및 세정 후 툴 핸들러를 이용하여 세정 툴을 포드에 복귀시키는 것을 더 포함한다. 일 실시예로서, 리소그래피 장치의 일부 상의 오염물은: 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 제1 오염물 또는 제2 오염물을 포함한다. 제1 오염물은 예를 들면, 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 크롬(Cr) 입자이다. 제2 오염물은 예를 들면, 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 경질 입자, 잔류 크롬 에천트, 또는 유기 재료이다.

제1 오염물을 세정할 때, 세정 프로세스는: 제1 세정 툴에 부착된 하나 이상의 필름에 세정제 재료로서 제1 세정 용액을 적용하는 것; 지정된 체류 시간 동안 제1 세정 용액이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 남겨두는 것 - 제1 세정 용액은 지정된 체류 시간 동안 제1 오염물과 반응함 -; 제1 세정 툴을 제거하고 포드 내에 제1 세정 툴을 배치하는 것; 제2 세정 툴에 부착된 하나 이상의 필름에 세정제 재료로서 제2 세정 용액을 적용하는 것; 및 세정제 재료가 리소그래피 장치의 일부와 접촉하면서, 지정된 스크럽 시간 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 제2 세정 툴을 이동시키는 것을 포함한다. 제2 세정 툴을 이동시키는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 이동시키는 것을 포함한다.

일 실시예에서, 전후 방향으로의 이동을 가능하게 하기 위해, 리소그래피 장치의 일부와 세정 재료 사이의 마찰은 충분히 작아야 한다. 따라서, 일 실시예에서, '매우 약한' 진공(예를 들어, 패터닝 동안 레티클을 그립핑 또는 클램핑하기 위해 사용되는 것보다 더 낮은 진공 레벨)이 제공될 수 있다. 따라서, 수직 항력이 감소되어 세정 재료와 세정되는 일부 사이의 접촉에서 마찰력 성분이 감소된다. 이와 같이 감소된 진공 레벨은 세정 재료와 세정되는 일부 사이에서 평행한 전후 스크러빙 동작을 가능하게 한다. 일부 실시예에서, 더 민감하거나 섬세한 멤브레인(예를 들어, 버얼 레티클 스테이지 척 멤브레인)을 세정하는 경우 '매우 약한' 진공이 제거될 수 있다. 예를 들어, 스크럽 동작(예를 들어, 전후 방향으로)은 '매우 약한' 진공 없이 또는 대기압에서 수행될 수 있다.

일부 실시예에서, 방법(900)은 (예를 들어, 도 6-8과 관련하여 전술한 바와 같이), 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이는 세정 툴 상에 필름을 제공하는 단계(일 실시예에서 제거 가능하게 부착됨); 세정 툴 상에 하나 이상의 식별 특징부를 제공하는 단계; 및 카메라가 필름을 통해 식별 특징부를 판독할 수 있도록 하는 필름을 제공하는 단계를 포함한다.

도 10, 11a, 11b는 일 실시예에 따라 예시적인 2개의 세정 툴, 제1 세트의 세정 스트립 및 제2 세트의 세정 스트립을 나타낸 것이다. 도 11a는 제1 세정 툴(A)이 제1 세트의 세정 스트립(A)을 포함하는 것을 도시한다. 제1 세정 스트립(A)은 예를 들어 Cr 오염물을 세정하기 위해 Cr 에천트를 지닌다. 방법(900)에 따르면, 툴 핸들러는 프로세서(예를 들어, 세정 루틴/소프트웨어 코드/도 9의 동작을 실행하도록 구성된 도 12의 프로세서(104))와 통신할 수 있다. 프로세서는 타겟 표면(예를 들어, 진공 패드) 위에서 리소그래피 장치에 세정 툴(A)을 삽입하도록 툴 핸들러에 지시할 수 있다. 세정 스트립(A)은 툴 핸들러를 통해 타겟 표면과 접촉하도록 배치된다. 또한, 프로세서는 세정 스트립(A)이 지정된 체류 시간 동안 타겟 표면과 접촉 상태를 유지하도록 툴 핸들러에 결합해제되도록 지시할 수 있다. 예를 들어, 디폴트 체류 시간이 10분으로 설정될 수 있거나 체류 시간이 7.5 내지 12.5분 범위에서 지정될 수 있다. 그런 다음, 툴 핸들러는 세정 툴(A)과 재결합하여 포드로 이동시킬 수 있다. 일 실시예에서, 세정 스트립(A)은 세정 툴(A)을 포드로 이동시키기 전에 제거될 수 있다.

또한, 프로세서는 세정 툴(B)을 선택하도록 툴 핸들러에 지시할 수 있다. 세정 툴(B)은 예를 들어 탈이온(DI)수(또는 이소프로필 알코올)를 지니는 세정 스트립(B)을 포함한다. 그런 다음 툴 핸들러는 세정 툴(B)을 타겟 표면 위로 운반하고, 세정 툴(B)을 타겟 표면에 대해 이동시켜 지정된 스크럽 시간 동안 세정 스트립(B)으로 타겟 표면의 스크러빙 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 디폴트 스크럽 시간이 20개의 사이클로 설정될 수 있거나 0 내지 50개의 사이클 범위 내에서 임의의 수의 사이클로 지정될 수 있다. 스크러빙 이후, 세정 툴은, 세정 툴을 안전하게 제거하기 위해 높거나 낮은 정확도로 비대칭 이동 및 조정을 통해, 예를 들어 레티클 홀더와 재정렬된다. 그 후, 세정 툴은 예를 들어 레티클 스테이지로부터 언로드될 수 있고 툴 핸들러는 세정 툴을 포드로 복귀시킬 수 있다. 일 실시예에서, 세정 스트립(B)이 폐기될 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 세정 툴이 세정 동작 후에(예를 들어, 체류 이후, 스크럽 이후) 세정 툴의 원래 포드 슬롯으로 복귀될 수 있도록 단일-레티클 포드가 채용될 수 있다.

세정 툴(A 및 B)은, 예를 들어 1개월 후의 다음 세정 공정에서 원하는 세정제 재료(예컨대, 세정 용액)를 갖는 신선한 세정 스트립(A 및 B)를 부착함으로써 재사용될 수 있다.

일 실시예에서, 방법(900)의 명령을 저장하도록 구성된 컴퓨터 판독 가능한 매체가 제공된다. 이들 저장된 명령이 실행될 때 세정 툴은 전술한 바와 같이 방법(900)의 동작을 수행하게 된다. 예를 들어, 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체는, 실행될 때, 세정 관련 동작이 하나 이상의 시스템(예컨대, 툴 핸들러, 레티클 핸들링과 관련된 시스템 또는 리소그래피 장치의 기타 다른 시스템)과 통신하도록 한다.

예를 들면 일 실시예로서, 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체로서, 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때 명령은: 툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것; 툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및 툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하는 것을 포함하는 동작이 일어나게 하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함한다.

일 실시예로서, 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 반복적으로 이동시키는 것을 포함한다. 일 실시예로서, 전후 이동은 ±2mm 범위로 제한된다.

일 실시예로서, 세정 동작은 하나 이상의 세정 필름을 지정된 체류 시간 동안 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 유지하는 것을 더 포함한다. 일 실시예로서, 지정된 체류 시간 동안, 세정 툴은 정지해 있다. 일 실시예로서, 지정된 체류 시간 동안 세정 툴은 툴 핸들러로부터 결합해제되고 RH 터렛 그립퍼에 진공 클램핑된다.

일 실시예에서 동작은, 세정되는 오염물에 기초하여 컨테이너로부터 세정 툴을 선택하는 것, 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위해 툴 핸들러를 이용하여 컨테이너로부터 세정 툴을 이동시키는 것, 세정 후 세정 툴로부터 하나 이상의 세정 필름을 제거하는 것, 및 세정 후 툴 핸들러를 이용하여 세정 툴을 컨테이너에 복귀시키는 것을 더 포함한다. 일 실시예로서, 리소그래피 장치의 일부 상의 오염물은: 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 제1 오염물 또는 제2 오염물을 포함한다. 일 실시예로서, 제1 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 크롬(Cr) 입자이다. 일 실시예로서, 제2 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 경질 입자, 잔류 크롬 에천트, 또는 유기 재료이다.

일 실시예로서, 제1 오염물을 세정할 때, 세정 프로세스는: 제1 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 에천트를 적용하는 것; 지정된 체류 시간 동안 하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 남겨두는 것 - 에천트가 지정된 체류 시간 동안 제1 오염물과 반응함 -; 제1 세정 툴을 제거하고 컨테이너에 제1 세정 툴을 배치하는 것; 제2 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 세정 용액을 적용하는 것; 및 하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하면서, 지정된 스크럽 시간 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 제2 세정 툴을 이동시키는 것을 포함한다.

일 실시예로서, 제2 세정 툴을 이동시키기 위한 명령은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 이동시키는 것을 포함한다. 일 실시예로서, 제2 세정 툴을 이동시키는 것은, 필름의 세정 재료와 리소그래피 장치의 일부 사이의 접촉을 유지하면서 제2 툴의 이동을 허용하도록 진공 레벨을 조정함으로써 세정 툴에 가해지는 클램핑 힘을 감소시키는 것을 포함한다.

일 실시예로서, 리소그래피 장치의 일부는 레티클 스테이지의 레티클 클램프를 포함한다. 일 실시예에서, 세정 툴은 세정 레티클을 포함한다. 일 실시예에서, 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼를 포함하는 툴 핸들러와의 통신을 야기한다. 일 실시예에서, 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체는 심자외선(DUV) 방사선을 위해 구성되고 DUV 리소그래피 장치의 일부를 세정하도록 구성된 리소그래피 장치의 일부이다.

도 12은 본 명세서에 개시된 방법, 흐름 또는 시스템(들)을 구현하는 데에 도움이 될 수 있는 컴퓨터 시스템(100)을 예시하는 블록도이다. 컴퓨터 시스템(100)은 정보를 통신하기 위한 버스(102) 또는 다른 통신 매커니즘과, 정보를 처리하기 위하여 버스(102)와 커플링된 프로세서(104)(또는 여러 프로세서들(104 및 105)을 포함한다. 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 의하여 실행될 정보 및 명령을 저장하기 위하여 버스(102)에 커플링되는, 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 동적 스토리지 디바이스와 같은 메인 메모리(106)를 더 포함한다. 메인 메모리(106)는 프로세서(104)에 의하여 실행될 명령이 실행되는 도중에 임시 변수 또는 다른 중간 정보를 저장하기 위해서도 사용될 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 대한 정적 정보 및 명령을 저장하기 위하여 버스(102)에 커플링된 판독 전용 메모리(ROM)(108) 또는 다른 정적 스토리지 디바이스를 더 포함한다. 정보 및 명령을 저장하기 위하여 자기적 디스크 또는 광학적 디스크와 같은 스토리지 디바이스(110)가 제공되고 버스(102)에 커플링된다.

컴퓨터 시스템(100)은 정보를 컴퓨터 사용자에게 디스플레이하기 위하여, 버스(102)를 통해서 음극선관(CRT) 또는 평판 또는 터치 패널 디스플레이와 같은 디스플레이(112)에 커플링될 수 있다. 영숫자 키와 다른 키들을 포함하는 입력 디바이스(114)는 정보 및 커맨드 셀렉션을 프로세서(104)로 통신하기 위하여 버스(102)에 커플링된다. 다른 타입의 사용자 입력 디바이스는, 지시 정보와 커맨드 셀렉션을 프로세서(104)로 통신하고 디스플레이(112) 상에서의 커서 움직임을 제어하기 위한, 마우스, 트랙볼, 또는 커서 방향 키와 같은 커서 콘트롤(116)이다. 이러한 입력 디바이스는 통상적으로 두 개의 축인 제1 축(예를 들어, x)과 제2 축(예를 들어, y)에서 2-자유도를 가져서, 디바이스가 평면에서의 위치를 특정하게 한다. 터치 패널(스크린) 디스플레이가 입력 디바이스로서 사용될 수도 있다.

일 실시예에 따르면, 프로세서(104)가 메인 메모리(106) 내에 함유된 하나 이상의 명령의 하나 이상의 시퀀스를 실행하는 것에 응답하여, 본 명세서에 기술된 하나 이상의 방법의 부분들이 컴퓨터 시스템(100)에 의해 수행될 수 있다. 이러한 명령들은 스토리지 디바이스(110)와 같은 다른 컴퓨터-판독가능 매체로부터 메인 메모리(106)로 독출될 수 있다. 메인 메모리(106)에 함유된 명령의 시퀀스를 실행하면, 프로세서(104)는 본 명세서에서 설명되는 프로세스 단계들을 수행하게 된다. 메인 메모리(106)에 포함된 명령의 시퀀스를 실행하기 위하여, 멀티-처리 장치 내의 하나 이상의 프로세서가 채용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 소프트웨어 명령 대신에 또는 이와 조합되어 유선 회로부가 사용될 수도 있다. 따라서, 본 명세서의 설명은 하드웨어 회로와 소프트웨어의 임의의 특정한 조합으로 한정되지 않는다.

"컴퓨터-판독가능 매체"라는 용어는 본 명세서에서 사용될 때 실행되도록 프로세서(104)에 명령을 제공하는 데에 관여하는 임의의 매체를 지칭한다. 이러한 매체는 비-휘발성 매체, 휘발성 매체, 및 전송 매체를 포함하지만 이들로 한정되지는 않는 수많은 형태를 취할 수도 있다. 비-휘발성 매체는 예를 들어, 스토리지 디바이스(110)와 같은 광학적 또는 자기적 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 메인 메모리(106)와 같은 동적 메모리를 포함한다. 전송 매체는 버스(102)를 포함하는 와이어를 포함하여 동축 케이블, 구리 배선, 및 광섬유(fiber optics)를 포함한다. 전송 매체는 무선 주파수(RF) 및 적외선(IR) 데이터 통신 중에 생성되는 것과 같은 음파 또는 광파의 형태를 띨 수도 있다. 컴퓨터-판독가능 매체의 통상적인 형태는, 예를 들어 플로피 디스크, 가요성 디스크, 하드 디스크, 자기 테이프, 및 임의의 다른 자기적 매체, CD-ROM, DVD, 임의의 다른 광학적 매체, 펀치 카드, 종이 테이프, 홀들의 패턴을 가진 임의의 다른 물리적 매체, RAM, PROM, 및 EPROM, FLASH EPROM, 임의의 다른 메모리 칩 또는 카트리지, 후술될 반송파, 또는 컴퓨터가 판독할 수 있는 임의의 다른 매체를 포함한다.

다양한 형태의 컴퓨터 판독가능 매체들이, 실행을 위해 하나 이상의 명령의 하나 이상의 시퀀스를 프로세서(104)에 전달하는 것에 관여할 수 있다. 예를 들어, 명령들은 처음에 원격 컴퓨터의 자기적 디스크 상에 보유될 수도 있다. 원격 컴퓨터는 명령들을 자신의 동적 메모리 내로 로딩하고 명령들을 모뎀을 사용하여 전화선을 통해 전송할 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)에 국소적인 모뎀은 전화선 상에서 데이터를 수신하고, 적외선 송신기를 사용하여 이러한 데이터를 적외선 신호로 변환한다. 버스(102)에 커플링된 적외선 검출기는 적외선 신호에서 전달되는 데이터를 수신하고, 이러한 데이터를 버스(102) 상에 배치할 수 있다. 버스(102)는 데이터를 메인 메모리(106)로 전달하며, 프로세서(104)는 이로부터 명령들을 취출하고 실행한다. 메인 메모리(106)에 의해 수신된 명령들은 프로세서(104)에 의한 실행 이전에 또는 그 이후에 선택적으로 스토리지 디바이스(110)에 저장될 수 있다.

컴퓨터 시스템(100)은 버스(102)에 커플링된 통신 인터페이스(118)를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(118)는 로컬 네트워크(122)에 연결된 네트워크 링크(120)로 양-방향 데이터 통신 커플링을 제공한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(118)는 대응하는 타입의 전화선에 데이터 통신 연결을 제공하기 위한 종합 정보 통신망(ISDN) 카드 또는 모뎀일 수 있다. 다른 예로서, 통신 인터페이스(118)는 호환가능한 근거리 네트워크(LAN)에 데이터 통신 연결을 제공하기 위한 LAN 카드일 수 있다. 무선 링크가 구현될 수도 있다. 임의의 이러한 구현형태에서, 통신 인터페이스(118)는 다양한 타입의 정보를 나타내는 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호를 전송하고 수신한다.

네트워크 링크(120)는 통상적으로 하나 이상의 네트워크를 통해 다른 데이터 디바이스로 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 네트워크 링크(120)는 로컬 네트워크(122)를 통해 호스트 컴퓨터(124) 또는 인터넷 서비스 제공자(ISP)(126)에 의하여 운영되는 데이터 장비로 연결을 제공할 수 있다. 그 다음에 ISP(126)는, 현재 일반적으로 "인터넷(128)"이라고 불리는 월드와이드 패킷 데이터 통신 네트워크를 통해 데이터 통신 서비스를 제공한다. 로컬 네트워크(122)와 인터넷(128) 양자 모두는 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호를 사용한다. 컴퓨터 시스템(100)으로의 또는 그로부터의 디지털 데이터를 전달하는, 다양한 네트워크들을 통과하는 신호와 통신 인터페이스(118)를 통하는 네트워크 링크(120) 상의 신호는 정보를 전달하는 반송파의 예시적인 형태들이다.

컴퓨터 시스템(100)은 네트워크(들), 네트워크 링크(120), 및 통신 인터페이스(118)를 통해서, 메시지를 전송하고 프로그램 코드를 포함하는 데이터를 수신할 수 있다. 인터넷의 예에서, 서버(130)는 애플리케이션 프로그램에 대한 요청된 코드를 인터넷(128), ISP(126), 로컬 네트워크(122) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 송신할 수 있다. 하나의 이러한 다운로드된 애플리케이션이 예를 들어 본 명세서에서 기술된 방법 중 일부 또는 모두를 제공할 수 있다. 수신된 코드는 수신될 때 프로세서(104)에 의하여 실행되고, 및/또는 추후에 실행되도록 스토리지 디바이스(110), 또는 다른 비-휘발성 스토리지에 저장될 수 있다. 이러한 방식으로, 컴퓨터 시스템(100)은 애플리케이션 코드를 반송파의 형태로 획득할 수 있다.

도 13는 본 명세서에 설명된 기술과 함께 사용될 수 있는 도 1, 도 3a 및/또는 도 3b에 도시된 장치와 유사 및/또는 동일한 예시적인 리소그래피 투영 장치(1000)를 개략적으로 도시한다. 장치(1000)는 일반적으로 예를 들어 트윈 스캔 설정을 갖는 DUV 장치를 나타낼 수 있다(이러한 예는 제한하려는 의도가 아님). 장치는:

- 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하기 위한 조명 시스템(IL)(이러한 특정한 경우에 조명 시스템은 또한, 방사선 소스(SO)를 포함함);

- 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 레티클)를 유지하기 위한 패터닝 디바이스 홀더가 제공되고 패터닝 디바이스를 아이템(PS)에 대해 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치설정기(PS1)에 연결된 제1 대상물 테이블(예를 들어, 패터닝 디바이스 테이블)(MT);

- 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼)을 유지하기 위한 기판 홀더가 제공되고 기판을 아이템(PS)에 대해 정확하게 위치시키기 위해 제2 위치설정기(PW)에 연결되는 제2 대상물 테이블(기판 테이블)(WT); 및

- 패터닝 디바이스(MA)의 조사된 부분을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함) 상에 이미징하기 위한 투영 시스템("렌즈") (PS)(예를 들어, 굴절형, 반사형 또는 반사굴절형 광학 시스템)을 포함한다.

여기에 도시된 바와 같이, 장치는 투과형(예를 들어, 투과형 패터닝 디바이스를 가짐)이다. 그러나, 일반적으로 장치는 예를 들어 (반사형 패터닝 디바이스를 구비한) 반사형일 수도 있다. 장치는 기존 마스크와 다른 종류의 패터닝 디바이스를 사용할 수도 있다; 그 예로서 프로그램 가능한 미러 어레이 또는 LCD 매트릭스가 포함된다.

소스(SO)(예컨대, 수은 램프 또는 엑시머 레이저, LPP(레이저 생성 플라즈마) EUV 소스)는 방사선 빔을 생성한다. 이러한 빔은, 직접적으로 또는 예를 들어 빔 확장기(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 후에 조명 시스템(조명기)(IL)에 공급된다. 조명기(IL)는 빔의 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반경방향 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하기 위한 조정 수단을 포함할 수 있다. 또한, 조명기는 집속기 및 집광기와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 일반적으로 포함할 것이다. 이러한 방식으로 패터닝 디바이스(MA)에 충돌하는 빔(B)은 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖는다.

도 13와 관련하여, 소스(SO)는 리소그래피 투영 장치의 하우징 내에 있을 수 있지만(예를 들어, 소스(SO)가 수은 램프인 경우가 종종 그러한 것처럼), 또한 리소그래피 투영 장치로부터 떨어져 있을 수도 있다는 점에 유의해야 하며, 그것이 생성하는 방사선 빔은 (예를 들어, 적절한 지향 미러를 이용해) 장치로 인도된다; 이러한 후자의 시나리오는 종종 소스(SO)가 엑시머 레이저(예컨대, KrF, ArF 또는 F₂ 레이징 기반)인 경우에 그러하다.

이어서, 빔은 패터닝 디바이스 테이블(MT)에 유지되는 패터닝 디바이스(MA)를 거친다. 패터닝 디바이스(MA)를 거친 후에, 빔(B)은 렌즈(PL)를 통과하게 되며, 렌즈는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 빔(B)을 포커싱한다. 제2 위치설정 수단(및 간섭계 측정 수단)을 이용하여, 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시켜, 예를 들어 여러 타겟부(C)를 빔(B)의 경로 내에 위치시킬 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 패터닝 디바이스 라이브러리로부터의 패터닝 디바이스(MA)의 기계적 인출(retrieval) 후에 또는 스캔 동안에, 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치설정 수단이 이용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블(MT, WT)의 이동은 롱-스트로크 모듈(개략적 위치설정) 및 숏-스트로크 모듈(미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이들은 명시적으로 도시되어 있지는 않다. 하지만 (스텝-앤-스캔 툴과는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 테이블(MT)은 숏-스트로크 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다.

도시된 툴은 두 가지 상이한 모드로 사용될 수 있다:

- 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 테이블(MT)은 실질적으로 정지된 상태로 유지되고 전체 패터닝 디바이스 이미지가 한 번의 동작(즉, 단일 "플래시")으로 타겟부(C)에 투영된다. 그 다음, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 빔에 의해 조사될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다;

- 스캔 모드에서는, 주어진 타겟부(C)가 단일 "플래시"로 노광되지 않는다는 점을 제외하고 본질적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 대신에, 패터닝 디바이스 테이블(MT)은 속도 v로 주어진 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어, y 방향)으로 이동가능하여, 투영 빔(B)이 패터닝 디바이스 이미지를 스캔하게 되고; 이와 동시에, 기판 테이블(WT)은 속도 V = Mv로 동일 또는 반대 방향으로 동시에 이동되며, 여기서 M은 렌즈(PL)의 배율(전형적으로, M = 1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 분해능에 대해 타협할 필요 없이 비교적 큰 타겟부(C)가 노광될 수 있다.

본 명세서에 개시된 개념은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상의 웨이퍼 제조에 사용될 수 있지만, 개시된 개념은 임의의 유형의 제조 시스템, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 이외의 기판 상의 제조에 사용되는 시스템과 함께 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 개시된 요소들의 조합 및 하위 조합은 별도의 실시예를 포함할 수 있다. 예를 들어, 확장 및 수축하는 세정 툴(도 3a 내지 10) 및 내부적으로 조명되는 세정 툴(예를 들어, 도 11 내지 13)은 별개의 실시예들을 포함할 수 있고 및/또는 이들 특징은 동일한 실시예에서 함께 사용될 수도 있다 .

실시예는 다음의 조항을 사용하여 추가로 기술될 수 있다:

1. 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴로서,

리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 및

세정 필름 - 세정 필름의 제1 면은 세정 툴의 표면에 부착되도록 구성되고, 세정 필름의 제2 면은 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이고, 제2 면은 제1 면의 반대쪽임 - 을 포함하고,

세정 필름은 세정 재료가 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성되고, 세정 재료는 접촉 시에 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하도록 구성되는, 세정 툴.

2. 제1조항에 있어서, 상기 세정 필름은 상기 세정 툴의 표면에 제거 가능하게 부착되는, 세정 툴.

3. 제1조항 내지 제2조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은:

세정 재료로 적어도 부분적으로 덮인 제1 층, 및

상기 세정 재료의 표면에 부착되고 세정 재료가 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 제2 층을 포함하는, 세정 툴.

4. 제3조항에 있어서, 상기 제2 층은 세정 툴 상의 하나 이상의 특징부가 툴 핸들러에 의해 판독 가능할 수 있도록 투명한, 세정 툴.

5. 제1조항 내지 제4조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은 다음 중 적어도 하나의 구성의 하나 이상의 특징부와 연관된 하나 이상의 컷아웃 부분을 포함하는, 세정 툴:

세정 툴과 결합하도록 사용되는 툴 핸들러;

리소그래피 장치의 상기 일부에 있는 하나 이상의 클램프 요소; 또는

상기 세정 툴의 표면 상에 있는 하나 이상의 식별 특징부.

6. 제5조항에 있어서, 상기 하나 이상의 컷아웃 부분은 상기 제2 층 상에 있지 않고 상기 제1 층 내에 있는, 세정 툴.

7. 제5조항 또는 제6조항에 있어서, 하나 이상의 식별 특징부는 상기 제2 층을 통하여 광학 센서에 의해 판독 가능한 바코드 및 정렬 마크 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는, 세정 툴.

8. 제5조항 내지 제7조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 하나 이상의 클램프 요소는 진공 클램프를 통해 레티클을 클램핑하도록 리소그래피 장치의 상기 일부 상에 제공된 하나 이상의 진공 홀을 포함하는, 세정 툴.

9. 제5조항 내지 제8조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 툴은:

상기 세정 툴의 표면의 제1 엣지에 하나 이상의 식별 특징부 위에 부착된 제1 세정 필름 - 상기 하나 이상의 식별 특징부는 제1 세정 필름의 제2 층을 통해 판독 가능함 -; 및

상기 세정 툴의 표면의 제2 엣지에 부착된 제2 세정 필름 - 제2 엣지는 제1 엣지와 거리를 두고 평행함 - 을 포함하는, 세정 툴.

10. 제1조항 내지 제9조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치된 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층은 상기 세정 필름이 세정 툴로부터 제거되는 경우에도 상기 제2 층이 제3 층에 접착된 채로 유지하는 것인, 세정 툴.

11. 제1조항 내지 제10조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 툴은 리소그래피 장치의 상기 일부의 타겟 표면과 세정 필름을 접촉시키도록 구성되고, 상기 세정 필름에 의해 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정할 때 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 이동하도록 구성되는, 세정 툴.

12. 제11조항에 있어서, 상기 세정 필름은 상기 타겟 표면에 평행하도록 구성되는, 세정 툴.

13. 제11조항 또는 제12조항에 있어서, 하나 이상의 세정 필름이 지정된 체류 시간 동안 타겟 부분과 접촉하는, 세정 툴.

14. 제11조항 내지 제13조항 중 어느 한 조항에 있어서, 하나 이상의 세정 필름이 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 타겟 부분에 대해 이동하는, 세정 툴.

15. 제11조항 내지 제14조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 타겟 표면은 상기 리소그래피 장치의 하나 이상의 멤브레인 표면을 포함하는, 세정 툴.

16. 제1조항 내지 제15조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 툴은 상기 리소그래피 장치의 툴 핸들러에 의해 결합되도록 구성되고, 상기 툴 핸들러는 상기 세정 툴과 결합하고, 상기 세정 필름이 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부를 향하도록, 세정 툴을 이동 및 배향시키도록 구성되는, 세정 툴.

17. 제1조항 내지 제16조항 중 어느 한 조항에 있어서,

세정 툴을 유지하고 리소그래피 장치 내에 끼워지도록 구성된 컨테이너를 더 포함하되, 세정 툴은 컨테이너 내에서 리소그래피 장치에 삽입되고, 세정을 위하여 툴 핸들러에 의해 컨테이너로부터 이동되고, 세정 후에는 툴 핸들러에 의해 컨테이너로 복귀되도록 구성되는, 세정 툴.

18. 제17조항에 있어서, 상기 컨테이너는 복수의 슬롯을 포함하고, 각각의 슬롯은 하나 이상의 상기 세정 툴 중 하나의 세정 툴을 유지하도록 구성되는, 세정 툴.

19. 제17조항 또는 제18조항에 있어서, 컨테이너는 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름의 세정 재료와 반응하지 않는 비반응성 재료를 포함하는, 세정 툴.

20. 제19조항에 있어서, 비반응성 재료는 고밀도 폴리에틸렌인, 세정 툴.

21. 제1조항 내지 제20조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치의 상기 일부는 레티클 스테이지의 레티클 클램프의 일부를 포함하는, 세정 툴.

22. 제21조항에 있어서, 레티클 클램프의 일부는 패터닝 프로세스 동안 레티클과 접촉하고 레티클을 지지하는, 세정 툴.

23. 제21조항 또는 제22조항에 있어서, 레티클 클램프의 일부는 레티클 클램프에 부착된 적어도 하나의 진공 패드인, 세정 툴.

24. 제1조항 내지 제23조항 중 어느 한 조항에 있어서, 세정 툴은 세정 레티클을 포함하는, 세정 툴.

25. 제5조항 내지 제25조항 중 어느 한 조항에 있어서, 툴 핸들러는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼를 포함하는, 세정 툴.

26. 제1조항 내지 제25조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치는 심자외(DUV) 방사선을 위해 구성되는, 세정 툴.

27. 제1조항 내지 제26조항 중 어느 한 조항에 있어서, 하나 이상의 세정 필름의 세정 재료는 크롬 에천트, 이소프로필 알코올 용액, 탈이온수 또는 메탄올 중 적어도 하나인, 세정 툴.

28. 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴로서,

리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 및

세정 필름 - 세정 필름의 제1 면은 세정 툴의 표면에 부착되도록 구성되고, 세정 필름의 제2 면은 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이고, 제2 면은 제1 면의 반대쪽임 - 을 포함하고,

세정 필름은 투명 부분을 포함하되 투명 부분을 통해 세정 툴의 표면 상의 하나 이상의 특징부가 판독될 수 있고, 세정 재료는 접촉 시에 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하도록 구성되는, 세정 툴.

29. 제28조항에 있어서, 상기 세정 필름은 상기 세정 툴의 표면에 제거 가능하게 부착되는, 세정 툴.

30. 제28조항 내지 제29조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은:

세정 재료로 적어도 부분적으로 덮인 제1 층, 및

세정 재료의 표면에 부착되고 세정 재료가 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성되는 제2 층으로서, 세정 툴 상의 하나 이상의 특징부가 툴 핸들러에 의해 판독될 수 있도록 투명한, 세정 툴.

31. 제28조항 내지 제30조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은 다음 중 적어도 하나의 구성의 하나 이상의 특징부와 연관된 하나 이상의 컷아웃 부분을 포함하는, 세정 툴:

세정 툴과 결합하도록 사용되는 툴 핸들러;

리소그래피 장치의 상기 일부에 있는 하나 이상의 클램프 요소; 또는

상기 세정 툴의 표면 상에 있는 하나 이상의 식별 특징부.

32. 제31조항에 있어서, 상기 하나 이상의 컷아웃 부분은 상기 제2 층 상에 있지 않고 상기 제1 층 내에 있는, 세정 툴.

33. 제31조항 또는 제32조항에 있어서, 하나 이상의 식별 특징부는 상기 제2 층을 통하여 판독 가능한 바코드 및 정렬 마크 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는, 세정 툴.

34. 제31조항 내지 제33조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 하나 이상의 클램프 요소는 진공 클램프를 통해 레티클을 클램핑하도록 리소그래피 장치의 상기 일부 상에 제공된 하나 이상의 진공 홀을 포함하는, 세정 툴.

35. 제31조항 내지 제34조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 툴은:

상기 세정 툴의 표면의 제1 엣지에 하나 이상의 식별 특징부 위에 부착된 제1 세정 필름 - 상기 하나 이상의 식별 특징부는 제1 세정 필름의 제2 층을 통해 판독 가능함 -; 및

상기 세정 툴의 표면의 제2 엣지에 부착된 제2 세정 필름 - 제2 엣지는 제1 엣지와 거리를 두고 평행함 - 을 포함하는, 세정 툴.

36. 제28조항 내지 제35조항 중 어느 한 조항에 있어서, 상기 세정 필름은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치된 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층은 상기 세정 필름이 세정 툴로부터 제거되는 경우에도 상기 제2 층이 제3 층에 접착된 채로 유지하는 것인, 세정 툴.

37. 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법으로서,

툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것;

툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및

툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하는 것을 포함하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

38. 제37조항에 있어서, 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 반복적으로 이동시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

39. 제38조항에 있어서, 전후 이동은 ±2mm 범위로 제한되는, 세정 방법.

40. 제37조항 내지 제39조항 중 어느 한 조항에 있어서, 세정은:

하나 이상의 세정 필름을 지정된 체류 시간 동안 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 유지하는 것을 더 포함하는, 세정 방법.

41. 제40조항에 있어서, 상기 지정된 체류 시간 동안, 세정 툴은 정지하는, 세정 방법.

42. 제41조항에 있어서, 상기 지정된 체류 시간 동안 세정 툴은 툴 핸들러로부터 결합해제되고 진공 클램핑되는, 세정 방법.

43. 제37조항 내지 제42조항 중 어느 한 조항에 있어서,

세정되는 오염물에 기초하여 컨테이너로부터 세정 툴을 선택하는 것,

리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위해 툴 핸들러를 이용하여 컨테이너로부터 세정 툴을 이동시키는 것,

세정 후 세정 툴로부터 하나 이상의 세정 필름을 제거하는 것, 및

세정 후 툴 핸들러를 이용하여 세정 툴을 컨테이너에 복귀시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

44. 제43조항에 있어서, 리소그래피 장치의 일부 상의 오염물은: 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 제1 오염물 또는 제2 오염물을 포함하는, 세정 방법.

45. 제44조항에 있어서, 제1 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 크롬(Cr) 입자인, 세정 방법.

46. 제44조항에 있어서, 제2 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 경질 입자, 잔류 크롬 에천트, 또는 유기 재료인, 세정 방법.

47. 제44조항 내지 제46조항 중 어느 한 조항에 있어서, 제1 오염물을 세정할 때, 세정 프로세스는:

제1 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 에천트를 적용하는 것;

지정된 체류 시간 동안 하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 남겨두는 것 - 에천트가 지정된 체류 시간 동안 제1 오염물과 반응함 -;

제1 세정 툴을 제거하고 컨테이너에 제1 세정 툴을 배치하는 것;

제2 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 세정 용액을 적용하는 것; 및

하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하면서, 지정된 스크럽 시간 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 제2 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

48. 제47조항에 있어서, 제2 세정 툴을 이동시키는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 이동시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

49. 제48조항에 있어서, 제2 세정 툴을 이동시키는 것은:

필름의 세정 재료와 리소그래피 장치의 일부 사이의 접촉을 유지하면서 제2 툴의 이동을 허용하도록 진공 레벨을 조정함으로써 세정 툴에 가해지는 클램핑 힘을 감소시키는 것을 포함하는, 세정 방법.

50. 제37조항 내지 제49조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치의 상기 일부는 레티클 스테이지의 레티클 클램프를 포함하는, 세정 방법.

51. 제37조항 내지 제50조항 중 어느 한 조항에 있어서, 세정 툴은 세정 레티클을 포함하는, 세정 방법.

52. 제37조항 내지 제51조항 중 어느 한 조항에 있어서, 툴 핸들러는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼를 포함하는, 세정 방법.

53. 제37조항 내지 제52조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치는 심자외(DUV) 방사선을 위해 구성되는, 세정 방법.

54. 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체로서, 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때 명령은:

툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것;

툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및

툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하는 것을 포함하는 동작이 일어나게 하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

55. 제54조항에 있어서, 리소그래피 장치의 일부를 세정하는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 반복적으로 이동시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

56. 제55조항에 있어서, 전후 이동은 ±2mm 범위로 제한되는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

57. 제54조항 내지 제56조항 중 어느 한 조항에 있어서, 세정은:

하나 이상의 세정 필름을 지정된 체류 시간 동안 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 유지하는 것을 더 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

58. 제57조항에 있어서, 상기 지정된 체류 시간 동안, 세정 툴은 정지하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

59. 제58조항에 있어서, 상기 지정된 체류 시간 동안 세정 툴은 툴 핸들러로부터 결합해제되고 진공 클램핑되는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

60. 제54조항 내지 제59조항 중 어느 한 조항에 있어서,

세정되는 오염물에 기초하여 컨테이너로부터 세정 툴을 선택하는 것,

리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위해 툴 핸들러를 이용하여 컨테이너로부터 세정 툴을 이동시키는 것,

세정 후 세정 툴로부터 하나 이상의 세정 필름을 제거하는 것, 및

세정 후 툴 핸들러를 이용하여 세정 툴을 컨테이너에 복귀시키는 것을 더 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

61. 제60조항에 있어서, 리소그래피 장치의 일부 상의 오염물은: 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 제1 오염물 또는 제2 오염물을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

62. 제61조항에 있어서, 제1 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 크롬(Cr) 입자인, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

63. 제61조항에 있어서, 제2 오염물은 리소그래피 장치의 일부 상에 증착된 경질 입자, 잔류 크롬 에천트, 또는 유기 재료인, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

64. 제61조항 내지 제63조항 중 어느 한 조항에 있어서, 제1 오염물을 세정할 때, 세정 프로세스는:

제1 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 에천트를 적용하는 것;

지정된 체류 시간 동안 하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하도록 남겨두는 것 - 에천트가 지정된 체류 시간 동안 제1 오염물과 반응함 -;

제1 세정 툴을 제거하고 컨테이너에 제1 세정 툴을 배치하는 것;

제2 세정 툴에 부착된 하나 이상의 세정 필름에 세정 용액을 적용하는 것; 및

하나 이상의 세정 필름이 리소그래피 장치의 일부와 접촉하면서, 지정된 스크럽 시간 동안 리소그래피 장치의 일부에 대해 제2 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

65. 제64조항에 있어서, 제2 세정 툴을 이동시키는 것은 제2 세정 툴을 리소그래피 장치의 일부에 대해 전후 방향으로 평행하게 이동시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

66. 제65조항에 있어서, 제2 세정 툴을 이동시키는 것은:

필름의 세정 재료와 리소그래피 장치의 일부 사이의 접촉을 유지하면서 제2 툴의 이동을 허용하도록 진공 레벨을 조정함으로써 세정 툴에 가해지는 클램핑 힘을 감소시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

67. 제54조항 내지 제66조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치의 상기 일부는 레티클 스테이지의 레티클 클램프를 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

68. 제54조항 내지 제67조항 중 어느 한 조항에 있어서, 세정 툴은 세정 레티클을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

69. 제54조항 내지 제68조항 중 어느 한 조항에 있어서, 툴 핸들러는 레티클 핸들러 터렛 그립퍼를 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

70. 제54조항 내지 제69조항 중 어느 한 조항에 있어서, 리소그래피 장치는 심자외(DUV) 방사선을 위해 구성되는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

앞선 설명은 예시적인 것으로 의도되며, 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 따라서, 이하 제시되는 청구 범위로부터 벗어남이 없이, 기술된 본 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (20)

1. 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴로서,
   리소그래피 장치에 삽입되도록 구성된 본체; 및
   세정 필름을 포함하되, 세정 필름의 제1 면은 세정 툴의 표면에 부착되도록 구성되고, 세정 필름의 제2 면은 세정 재료에 의해 적어도 부분적으로 덮이고, 제2 면은 제1 면의 반대쪽이고,
   세정 필름은 세정 재료가 상기 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성되고, 세정 재료는 접촉 시에 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하도록 구성되는, 세정 툴.
2. 제1항에 있어서,
   상기 세정 필름은 상기 세정 툴의 표면에 제거 가능하게 부착되는, 세정 툴.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 필름은:
   세정 재료로 적어도 부분적으로 덮인 제1 층, 및
   상기 세정 재료의 표면에 부착되고 세정 재료가 상기 세정 툴의 표면과 접촉하는 것을 방지하도록 구성된 제2 층을 포함하는, 세정 툴.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제2 층은 세정 툴 상의 하나 이상의 특징부가 툴 핸들러에 의해 판독 가능할 수 있도록 투명한, 세정 툴.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 필름은:
   세정 툴과 결합하도록 사용되는 툴 핸들러;
   리소그래피 장치의 상기 일부에 있는 하나 이상의 클램프 요소; 또는
   상기 세정 툴의 표면 상에 있는 하나 이상의 식별 특징부
   중 적어도 하나의 구성의 하나 이상의 특징부와 연관된 하나 이상의 컷아웃 부분을 포함하는, 세정 툴.
6. 제5항에 있어서,
   상기 하나 이상의 컷아웃 부분은 상기 제2 층 상에 있지 않고 상기 제1 층 내에 있는, 세정 툴.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
   하나 이상의 식별 특징부는 상기 제2 층을 통해 광학 센서에 의해 판독 가능한 바코드 및 정렬 마크 중 하나 또는 양자 모두를 포함하는, 세정 툴.
8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 하나 이상의 클램프 요소는 진공 클램프를 통해 레티클을 클램핑하도록 리소그래피 장치의 상기 일부 상에 제공된 하나 이상의 진공 홀을 포함하는, 세정 툴.
9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 툴은:
   상기 세정 툴의 표면의 제1 엣지에 하나 이상의 식별 특징부 위에 부착된 제1 세정 필름 - 상기 하나 이상의 식별 특징부는 제1 세정 필름의 제2 층을 통해 판독 가능함 -; 및
   상기 세정 툴의 표면의 제2 엣지에 부착된 제2 세정 필름 - 제2 엣지는 제1 엣지와 거리를 두고 평행함 - 을 포함하는, 세정 툴.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 필름은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 배치된 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층은 상기 세정 필름이 세정 툴로부터 제거되는 경우에도 상기 제2 층이 제3 층에 접착된 채로 유지하는 것인, 세정 툴.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 툴은 리소그래피 장치의 상기 일부의 타겟 표면과 세정 필름을 접촉시키도록 구성되고, 상기 세정 필름에 의해 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정할 때 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 이동하도록 구성되는, 세정 툴.
12. 제11항에 있어서,
    상기 세정 필름은 상기 타겟 표면에 평행하도록 구성되는, 세정 툴.
13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    하나 이상의 세정 필름이 지정된 체류 시간 동안 타겟 부분과 접촉하는, 세정 툴.
14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 세정 필름이 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 타겟 부분에 대해 이동하는, 세정 툴.
15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟 표면은 상기 리소그래피 장치의 하나 이상의 멤브레인 표면을 포함하는, 세정 툴.
16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 툴은 상기 리소그래피 장치의 툴 핸들러에 의해 결합되도록 구성되고, 상기 툴 핸들러는 상기 세정 툴과 결합하고, 상기 세정 필름이 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부를 향하도록, 세정 툴을 이동 및 배향시키도록 구성되는, 세정 툴.
17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    세정 툴을 유지하고 리소그래피 장치 내에 끼워지도록 구성된 컨테이너를 더 포함하되, 세정 툴은 컨테이너 내에서 리소그래피 장치에 삽입되고, 세정을 위하여 툴 핸들러에 의해 컨테이너로부터 이동되고, 세정 후에는 툴 핸들러에 의해 컨테이너로 복귀되도록 구성되는, 세정 툴.
18. 제17항에 있어서,
    상기 컨테이너는 복수의 슬롯을 포함하고, 각각의 슬롯은 하나 이상의 상기 세정 툴 중 하나의 세정 툴을 유지하도록 구성되는, 세정 툴.
19. 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 방법으로서,
    툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것;
    툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및
    툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하는 것을 포함하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 세정 방법.
20. 하나 이상의 세정 필름을 포함하는 세정 툴로 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체로서, 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때 명령은:
    툴 핸들러에 의해 세정 툴을 리소그래피 장치에 삽입하는 것;
    툴 핸들러에 의해 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름을 세정될 리소그래피 장치의 상기 일부와 접촉시키는 것; 및
    툴 핸들러에 의해, 세정 툴의 하나 이상의 세정 필름으로 리소그래피 장치의 상기 일부를 세정하는 것을 포함하는 동작이 일어나게 하되, 세정은 지정된 스크럽 시간 또는 사이클 동안 리소그래피 장치의 상기 일부에 대해 세정 툴을 이동시키는 것을 포함하는, 명령을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체.

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