JP2005286062A - 加工装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 モールドに降下したレジストが付着することを防止することによって、重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れた加工装置を提供する。
【解決手段】 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、前記モールドを介して紫外線を前記レジストに照射して当該レジストを硬化させるための照明光学系とを有することを特徴とする加工装置を提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、一般には、加工装置に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウェハ等の基板へ転写する加工装置に関する。本発明は、特に、半導体やMEMS(Micro Electro−Mechanical Systems)などを製造する微細加工のために、ナノインプリント技術を利用する加工装置に好適である。
紫外線やX線、あるいは、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントがある。ナノインプリントとは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成した雛型(モールド)を、樹脂材料(レジスト)を塗布したウェハ等の基板に押し付ける(押印する)ことによって、レジスト上にパターンを転写するものである(例えば、非特許文献1参照。)。既に10nm程度の微細な形状の転写が可能であることが示されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の作成手段として注目されており、各地で盛んに研究開発が行われている。
ナノインプリントは、モールドと基板との間に気泡が入り込まないように、環境を真空にする場合もある。押印時のレジストの流動が容易になるように、レジストとして使用されるポリマーガラス転移温度以上に加熱して転写する方法(熱サイクル法)や、紫外線硬化型の樹脂をレジストとして使用し、透明なモールドで押印した状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する方法(光硬化法)などが提案されている。
半導体集積回路の作成には、基板に既に描画されている回路パターン上に、高精度に位置合わせして次のパターンを転写する重ね合わせが必須である。熱サイクル法ではレジストを加熱するために、基板とモールドは温度上昇によって熱膨張してしまい、重ね合わせ精度を維持することは非常に困難である。そこで、ナノインプリントを半導体集積回路製造に適用する場合は、温度制御が比較的容易な光硬化法が適している。
半導体集積回路パターンは最小線幅が100nm以下であり、モールドの微細な構造に確実にレジストが入り込むためには低粘度のレジスト材を使用する必要がある。また、ナノインプリント装置は、通常、ステップアンドリピート方式でウェハ面に逐次パターンを転写する。ここで、「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括転写ごとにウェハをステップ移動して、次のショットの転写領域に移動する方法である。この際、レジストの粘度が低いことから露光装置のように基板にレジストを予め塗布して搬送、装着することは困難である。このため、各ショットへの転写時に、モールドを押印する毎に適量を滴下する方法が提案されている(特許文献1)。
米国特許第6,334,960号明細書 S. Y. Chou,et.al., Science, vol. 272, p.85−87, 5 April 1996
モールドは、複数のチップ用の複数のパターンを含んでおり、一般には矩形形状である。一方、ウェハは円形形状である。このため、ウェハ上にマトリックス状にモールドパターンを転写する場合、ウェハ周辺の、モールドサイズよりも小さいショット(以下、「周辺ショット」という場合がある。)にはモールドがはみ出てモールドパターンが部分的にしか転写されないことになる。しかし、たとえモールドパターンが部分的に転写されないとしてもモールドに含まれる複数のチップパターンのうちの幾つかは転写されるため、周辺領域に部分的に転写することは経済的であり、好ましい。
ところが、周辺ショットではウェハの外側にあるレジストが硬化するとモールドの離型時にモールドに付着してモールドパターンを塞ぎ、次のショットに転写する際の欠陥となり歩留まりが低下する。あるいは、モールドから硬化したレジストを除去する工程が必要となり、作業性やスループットが悪化する。一方、周辺ショットにモールドパターンを転写しないとすると経済性や生産性が悪化する。
そこで、モールドに降下したレジストが付着することを防止することによって、重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れた加工装置を提供することを例示的目的とする。
本発明の一側面としての加工装置は、凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、前記モールドを介して紫外線を前記レジストに照射して当該レジストを硬化させるための照明光学系とを有することを特徴とする。
本発明の別の側面としての加工装置は、凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、前記供給手段による前記レジストの供給量を制御する制御部とを有し、前記基板は、それぞれに前記パターンが転写される複数のショットを有し、前記複数のショットは、前記基板の中央部と周辺部では形状が異なり、前記制御部は、前記供給手段が前記ショットの面積に対応したレジストを供給するように前記供給量を制御することを特徴とする。
また、本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の加工装置を用いてパターンを基板上のレジストに転写するステップと、前記基板にエッチングを行うステップとを有することを特徴とする。上述の加工装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、LSIやVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、モールドに降下したレジストが付着することを防止することによって、重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れた加工装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の第1の実施例としての加工装置としての光硬化法のナノインプリント装置100について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図1は、ナノインプリント装置100の概略断面図である。
ナノインプリント装置100は、光硬化手段と、モールドMと、モールド駆動部と、ウェハ(基板)Wと、ウェハ駆動部と、レジスト供給手段と、アライメント機構170と、その他の機構とを有する。
光硬化手段は、モールドMを介してレジストRに紫外線を照射してレジストRを硬化する手段であり、光源部110と、照明光学系120とを有する。光源部110は、紫外光を発生するハロゲンランプなどから構成される。例えば、光源部110は、図2に示す光源112と鏡面114、あるいは、図3に示す光源112Aと楕円鏡114Aとを有する。光源112及び112Aは共に(i線、g線などの)ランプであり、鏡面114又は楕円鏡114Aで一旦集光され光学像を形成する。ここで、図2は、図1に示す光源部110と照明光学系120の具体的構成を示し、図3は、図1に示す光源部110と照明光学系120に適用可能な別の実施例としての光源部110Aと照明光学系120Aを示している。
照明光学系120は、レジストRを露光し、硬化させるための照明光を整えてレジスト面に照射するためのレンズ、アパーチャなどを含む。照明光学系120は、例えば、図2に示すように、レンズ123、結像光学系124及び126、画角制御アパーチャ132、画角制御アパーチャ駆動部134、外周遮光制御アパーチャ136及び外周遮光制御アパーチャ駆動部138とを有する。あるいは、照明光学系120は、例えば、図3に示すように、コンデンサーレンズ121、オプティカルインテグレータ122、コンデンサーレンズ123、結像光学系124及び126、画角制御アパーチャ132、画角制御アパーチャ駆動部134、外周遮光制御アパーチャ136及び外周遮光制御アパーチャ駆動部138とを有する。
コンデンサーレンズ121は、光源部110Aからの光をオプティカルインテグレータ122の入射面若しくはその近傍に集光する。オプティカルインテグレータ122は、ハエの目レンズやシリンドリカルレンズを複数枚組み合わせたものなどから構成され、レジストRを均一に照明するために設けられる。ハエの目レンズは、図3に示したように、複数の棒状のレンズ素子を持つものであり、その入射面と射出面は互いに光学的にフーリエ変換の関係となるように設計されている。レジストRの硬化は、照射量(照度と照射時間の積)によって決定され、不均一な照度で照明すればレジストRはある部分では早く硬化するが別の部分では時間がかかることになり、全体のスループットが低下する。従って、図3に示すようなオプティカルインテグレータ122を使用した均一な照度による照明は好ましい。但し、スループットの低下が無視できる範囲内であれば照度の不均一な部分が存在してもよい。光源112Aからの光は、そのハエの目レンズのそれぞれの素子に入射し、その射出面近傍に集光され、いわゆる二次光源を形成する。ハエの目レンズのそれぞれの素子により形成された二次光源からの光は、コンデンサーレンズ123により集光され、画角制御アパーチャ132の開口面上に重畳される。ここで、ハエの目レンズの射出面と画角制御アパーチャ132の開口面とは互いに光学的にフーリエ変換の関係に配置されている。
図4は、画角制御アパーチャ132、画角制御アパーチャ駆動部134及びウェハWとの関係を示す概略平面図である。各画角制御アパーチャ132は、対応する画角制御アパーチャ駆動部134によって図4に示すXY方向に駆動される。本実施例では、4枚の画角制御アパーチャ132が設けられ、各画角制御アパーチャ132は同一の矩形形状(図4においては正方形形状)を有する遮光板である。
これら4枚の画角制御アパーチャ132は一の開口部(アパーチャ)を形成し、かかる開口部はショットS1を規定する。4枚の画角制御アパーチャの位置に拘らず開口部は同一形状になる。コンデンサーレンズ123の集光作用により、図4においては、紫外光は開口部近傍を照明し、その結果、ショットS1のみに照明される。ショットS1はウェハWの中央部のショットであり、矩形形状を有する。ショットS1は、図8を参照して後述されるように、周辺ショットS2以外のショットをいう。また、以下に説明するように、4枚の画角制御アパーチャ132は外周遮光制御アパーチャ136と協同して周辺ショットS2も規定する。画角制御アパーチャ駆動部134は、例えば、リニアモータから構成され、画角制御アパーチャ132をXY方向に駆動する。
画角制御アパーチャ132により、ウェハWの露光領域と相似な形状に切り出された光は、結像系124により、外周遮光制御アパーチャ136へと結像される。
図5は、外周遮光制御アパーチャ136、外周遮光制御アパーチャ駆動部138及びウェハWとの関係を示す概略平面図である。各外周遮光制御アパーチャ136は、対応する外周遮光制御アパーチャ駆動部138によって図5に示すXY方向に駆動される。本実施例では、4つの外周遮光制御アパーチャ136が設けられ、各外周遮光制限アパーチャ136は紫外光がウェハWの外形を超えて照射されることを制限する。各外周遮光制御アパーチャ136は、円形形状のウェハWの4分の1に対応する円弧部分を有する。全ての外周遮光制御アパーチャ136がウェハWに最も近づくとウェハWの外形を越えて光は透過する部分はなくなる。
外周遮光制御アパーチャ136は、周辺ショットS2と共に使用される。図5においては、周辺ショットS2は、ウェハW内の2本の実線(X方向とY方向)と外周遮光制御アパーチャ136によって規定されている。上述のように、X方向とY方向の2本の実線は2つの画角制御アパーチャ132によって規定される。より詳細には、外周遮光制御アパーチャ136は、左斜め上の外周遮光制御アパーチャ136のようにウェハWの外周に重なる位置と、右斜め上の外周遮光制御アパーチャ136のようにウェハWから離れた位置のどちらかの位置に配置される。外周遮光アパーチャ駆動部136は、例えば、リニアモータから構成され、外周遮光アパーチャ134を図5に示す±45度方向に駆動する。
外周遮光制御アパーチャ136によって遮光されなかった光は、結像系126とモールドMを介してレジストRへと導かれる。ここで、画角制御アパーチャ132の開口面と外周遮光制御アパーチャ136の開口面とは光学的に共役な関係の位置に配置されるように構成されており、それらとレジストRも光学的に共役な関係の位置に配置されている。
なお、以上の実施例においては画角制御アパーチャ132と外周遮光制御アパーチャ136との間に結像系124を配置したが、照明系のコンパクト化のために、レジストRと共役な位置に画角制御アパーチャ132の開口面を配置し、結像系124は配置せず、画角制御アパーチャ132の近傍(直上若しくは直下)に外周遮光制御アパーチャ136を配置する構成としてもよい。また、画角制御アパーチャ132の開口面は、レジストRの存在する面(レジストRとモールドMの接触面と、レジストR表面との間)と共役であることが好ましく、その中でも、レジストRとモールドMの接触面と共役であることがより好ましい。
モールド(又はテンプレート)Mは、転写すべき微細構造が形成されており、レジストRを硬化するための紫外光を透過するため、透明な部材で作られている。
モールド駆動部140は、モールドMを装置100に保持するためのモールドチャックと、モールドMを図1の下方向に押印すると共に上方向に離型する駆動部としてのインプリント機構部とを含む。インプリント機構部は、上下動作をさせるだけでなくモールド転写面とウェハWとが密着するように姿勢のかわし機構や姿勢制御、回転方法の位置合わせ機能も有する。
ウェハWは、モールドMに形成されているパターンが転写され、後の工程を経て半導体集積回路が形成される対象であり、従来の半導体プロセスに用いられているものと同様である。
ウェハ駆動部は、ウェハWを保持するウェハチャック162と、ウェハチャック162の位置、姿勢調整するためのウェハステージ164とを含む。ウェハステージ164は、xy方向に移動可能であり、ウェハW全面を転写可能としている。ウェハステージ164は、高精密な位置決めも可能であり、微細なパターンの重ね合せを達成している。また、ウェハステージ164は、位置決めだけではなく、ウェハWの表面の姿勢を調整する手段も有しており、ウェハWの表面の姿勢を調整する役割を有する。
レジスト供給手段は、紫外線照射前、つまり硬化前のレジストRを保持する図示しないタンクと、当該タンクに接続され、ウェハW面にレジストRを滴下するためのノズル150と、ノズル150からレジストRを滴下するか停止するかを切り替える図示しないバルブを含む。
アライメント機構170は、モールドMとウェハWのショットとの位置合わせを行い、自動調節スコープ(Automatic Adjustment Scope:AAS)172と、自動調節(AA)フレーム174と、オフアクシススコープ(OAS)176と、基準マーク178とを有する。AAS172は、ウェハステージ164上に構成されたマークとモールドM上に構成されたマークの相対位置を検出する。AAフレーム174は、AAS172とOAS176を搭載する。OAS176は、ウェハステージ164上の基準マーク178を用いて、モールドM越しに基準マーク178の位置をAAS172で検出し、OAS176で基準マーク178の位置を検出した結果から、ベースラインを計測する。ベースラインが計測された後は、基準マーク178を基準にウェハW上のアライメントマークの位置が検出される。基準マーク178は、上述のように、OAS176の座標とウェハステージ164の座標、及びモールドMの座標との位置合わせに使用される。
その他の機構は、定盤180、除振器(ダンパ)182、フレーム184及び186を含む。定盤180は、装置100全体を支えると共にウェハステージ164の移動の基準平面を形成する。除振器182は、床からの振動を除去する機能を有し、定盤180を支える。フレーム184及び186は、ウェハWより上方に位置する構成部分の光源110からモールドMまでを支持する。
動作において、転写に供されるウェハWは、不図示のウェハ搬送系によってウェハチャック162に載置される。ウェハチャック162は真空吸着によってウェハWを保持する。ウェハステージ162によって、ウェハ面上のアライメントマークを順にOAS176によって計測を行い、ウェハWの位置を高精度に計測を行う。その計測結果から各転写座標を演算する。その結果に基づいて逐次転写(ステップアンドリピート)を行う。全ての転写が完了したら、ウェハWが搬出され、次のウェハWが搬入される。
転写においては、転写位置に移動する前に、ノズル150から適量のレジストRを転写位置に滴下する。その後、ウェハステージ164がウェハWを転写位置に移動し、位置決めを行う。位置決め完了後に、インプリント機構部140がモールドMを下降させ、モールドMをウェハWに押し付ける。押し付け完了の判断は、インプリント機構部140の内部に設置された荷重センサによって行っている。押し付けた後に、照明光を照射し、レジストRを硬化させる。レジスト硬化が終了した後、モールドMを引き上げる。そして、次の転写位置(ショット)へ移動する。
次に、ショットS1と周辺ショットS2に転写を行う時について詳細に説明をする。図8(a)は、ウェハWのショットのレイアウトを示す。S1は、モールドMのパターンが転写される領域であり、一回のモールド押し付け、露光光照射で形成できる領域(ショット)である。各ショット内に4つの同様なパターンCが形成されており、各々が半導体チップ1つに対応する。説明の便宜上、Cをチップと表現する。つまり、1ショットで4個分のデバイスパターン(チップC)を転写する。図8(a)のレイアウトは21ショットの例である。ショットS1にモールドパターンを転写する際には、図4を参照して説明したように、4枚の画角制御アパーチャ132がショットS1のみを開口するように、画角制御アパーチャ駆動部134が画角制御アパーチャ132を駆動する。
図8(a)のショットレイアウトは、ウェハWの周辺部に、パターンが完全には転写できない周辺ショットS2が存在する。しかし、周辺ショットS2のショット内部のチップCに注目すると、4つの領域のうち、2つの領域は欠けがなく有効に利用できる。周辺ショットS2にモールドパターンを転写する際には、図5に示すように、外周遮光アパーチャ138が外周遮光制御アパーチャ136を駆動して周辺ショットS2のうちウェハWの外形によって切れている部分を遮光する。周辺ショットS2のうちウェハW内にある領域は、図4を参照して上述したように、画角制御アパーチャ132が規定する。
周辺ショットS2を転写する際に、画角制御アパーチャ132のみを使用すれば図5に示す点線とウェハWの外形で囲まれた領域にも紫外光が照射され、レジストRを硬化してしまう。この様子を図11に示す。ここで、図11は、ショットS1及びS2に画角制御アパーチャ132のみを使用してモールドパターンを転写する様子を示しており、図11(a)乃至(c)、(e)及び(f)は概略断面図、図11(d)は概略平面図である。図11(d)に示すショットS1に対して図11(b)に示すように紫外線を照射した後で図11(c)に示すようにモールドMを離型する場合には問題が生じない。これに対して、図11(d)に示す周辺ショットS2に対して図11(e)に示すように紫外線を照射した後で図11(f)に示すようにモールドMを離型する場合にはレジストRはウェハWと接触していない領域では離型後もモールドMに残り、モールドMから分離せずにモールドパターンを塞いでしまう。この結果、モールドMから硬化したレジストRを除去しない限りモールドMを次の転写に使用することはできなくなる。若しくは、硬化したレジストが異物となって次のパターン転写に欠陥を生じさせ、歩留まりが低下する。このため、従来は周辺ショットS2にモールドパターンを転写することは困難となる。
これに対して、本実施例では、レジストRはウェハWと接触していない領域において紫外線が照射されずに硬化せず、離型後にモールドMに残ったとしてもモールドパターンは塞がれていない。従って、次にモールドMが硬化前のレジストRに押印されると(モールドMにレジストRが残る結果、レジスト量が所期の量よりも幾分多くなるかもしれないが)モールドパターンをレジストRに完全に転写することができる。モールドMのダメージを避けるために、周辺ショットS2を転写しない場合(図8(b))と比べると、有効な半導体チップ数は、ウェハW一枚当たり16個も増える。ここで、図8(b)のレイアウトは周辺ショットを含まないウェハのショットレイアウトである。図8(b)のレイアウトは、13ショットの例である。
ナノインプリント装置100は、図6に示すように、供給量制御部152を更に有することが好ましい。もっとも、供給量制御部152を設ける代わりに照明光学系120から外周遮光制御アパーチャ136と外周遮光制御アパーチャ駆動部138を除去してもよい。但し、モールドMを硬化したレジストRから確実に保護するためには外周遮光制御アパーチャ136と外周遮光制御アパーチャ駆動部138を備えることが好ましい。
供給量制御部152は、レジストRの必要な供給量を算出し、かかる算出結果に基づいてノズル150から供給されるレジストRの供給量を制御する。例えば、供給量制御部152は、ウェハステージ164の座標位置からモールドMとウェハWとが対向している面積を求め、その面積とモールドMの凹凸の平均高さとウェハWとの間隙とを掛け合わせて体積を必要な供給量として算出する。これにより、モールドMとウェハWが対向している部分にのみレジストRを供給することができ、紫外線照射によってモールドMに硬化したレジストRが付着することを防止することができる。レジストRの供給量の制御により、不要なレジストRがウェハWからこぼれてウェハチャック162やウェハステージ164を汚染することを防止することができるという効果も有する。
以下、図7を参照して、照明光学系120を介した照射量が不十分な場合の措置について説明する。ここで、図7は、モールドMを離型した後に照射量を補充する構成の要部の概略断面図である。照射量が不十分であるとレジストRを完全には硬化せず、その後、パターンが崩れたりするなどの問題が発生する。但し、レジストRは完全に硬化していないので、モールドMの離型時に硬化したレジストRが付着するという問題は回避される。
図7に示すように、モールドMを離型した後にレーザ照射部192によって紫外線を更に照射してレジストを硬化する。レーザ照射部192から照射されるレーザは不図示の光学系によってウェハW上でスポットビームを形成する。レーザ駆動部190は、スポットビームをウェハ上の転写領域において走査してレジストを硬化させる。本実施例は、レーザ駆動部190がレーザの照射位置を駆動したが、これに限定されず、レーザ照射部192に偏光機能を持たせ,レーザを偏光させることによって転写領域の外周を硬化させてもよい。また、レーザ照射部192の代わりに紫外線ランプを使用してもよい。この結果、転写領域を完全に硬化したレジストRから構成することができる。
また、本実施例では、余分なレジストRをウェハWから除去している。ウェハWの外形からはみ出した、硬化したレジストRは、カッターで除去することが好ましい。カッターは、例えば、レーザ照射部192からのレーザの照射量を増加させてレーザカッターとして作用させる方法や研磨による除去を行う。除去したレジストRはノズル194とポンプ196からなる真空排気手段によって回収する。なお、図7は、作図の便宜上、配管途中のバルブ、圧力計、及び、圧力調整弁を省略している。
次に、図9及び図10を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図9は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(モールド製作)では、設計した回路パターンに対応するパターンを形成したモールドを製作する。ステップ3(ウェハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は、前工程と呼ばれ、モールドとウェハを用いてナノインプリント技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
図10は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(転写処理)では、ウェハに感光剤を塗布しつつモールドをウェハに押し付け、紫外線を照射して回路パターンをウェハに転写する。ステップ16(エッチング)では、リアクティブイオンエッチング(RIE)によってパターニングを完了する。ステップ17(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。デバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を製造する。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本発明のデバイス製造方法によれば、光硬化法を使用するので重ね合わせ精度が高く、低粘度のレジストを使用するので微細なモールドパターンにレジストが容易に入り込み微細加工を実現でき、周辺ショットにもモールドパターンを転写することができるので経済性に優れ、更に、レジストを回収するのでレジストによる装置やウェハの汚染を防止することができ、高品位のデバイスを製造することができる。このように、本発明のナノインプリント技術を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。また、本発明は、かかるデバイス製造方法の中間及び最終結果物であるデバイス自体もカバーする趣旨である。また、かかるデバイスは、例えば、LSIやVLSIなどの半導体チップ、CCD、LCD、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
以上、本実施例によれば、周辺ショットS2を転写するときウェハWの外形を越えて照射される紫外線を外周遮光アパーチャ132で遮光するか、制御部152がレジストRの供給量を制御してウェハWとモールドRとの間にのみレジストRを供給するため、ウェハWの外形を越えてレジストRを硬化させない。そのため、硬化したレジストが異物となってパターン転写に欠陥を生じさせることを抑制することができ、デバイス製造の生産性を向上することができる.
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
本発明の第1の実施例としての加工装置(ナノインプリント装置)の概略断面図である。 図1に示す加工装置に適用可能な照明装置の概略断面図である。 図1に示す加工装置に適用可能な別の照明装置の概略断面図である。 図2及び図3に示す画角制御アパーチャの概略断面図である。 図2及び図3に示す外周遮光アパーチャの概略平面図である。 図1に示す加工装置(ナノインプリント装置)の好ましい実施例を示す概略断面図である。 加工装置(ナノインプリント装置)の一実施例を示す概略断面図である。 露光すべき周辺ショットが存在する場合としない場合の図1に示すウェハの平面図である。 図1に示す加工装置を使用してデバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図9に示すステップ4の詳細なフローチャートである。 外周遮光アパーチャを用いず、画角制御アパーチャのみで中央及び周辺ショットにパターンを転写する場合の問題点を説明するための概略断面図及び概略平面図である。
符号の説明
100 加工装置(ナノインプリント装置)
120 照明光学系
150 レジスト供給ノズル
152 供給量制御部

Claims (17)

  1. 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、
    前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、
    前記モールドを介して紫外線を前記レジストに照射して当該レジストを硬化させるための照明光学系とを有することを特徴とする加工装置。
  2. 前記照明光学系は、前記基板の外形を超えた前記紫外線の照射を制限する遮光部を有する請求項1記載の加工装置。
  3. 前記基板は、それぞれに前記パターンが転写される複数のショットを有し、
    前記複数のショットは、前記基板の中央部と周辺部では形状が異なり、
    前記照明光学系は、前記基板の周辺部のショットに対応した照射領域を規定する遮光部を有することを特徴とする請求項1記載の加工装置。
  4. 前記中央部の前記ショットは矩形形状を有し、前記周辺部のショットは前記矩形形状と前記基板の外形とが重なった形状を有し、
    前記遮光部は、
    前記矩形形状を規定し、画角を制限する第1のアパーチャと、
    前記基板の外形を超えた前記紫外線の照射を制限する第2のアパーチャとを有することを特徴とする請求項3記載の加工装置。
  5. 前記第1のアパーチャと前記第2のアパーチャは実質的に共役に配置されていることを特徴とする請求項4記載の加工装置。
  6. 前記第1のアパーチャと、前記モールドと前記レジストとの接触面とは実質的に共役に配置されていることを特徴とする請求項4記載の加工装置。
  7. 前記紫外線が照射されるべき前記基板上のショットに基づいて、前記遮光部を駆動する駆動部を更に有することを特徴とする請求項3記載の加工装置。
  8. 前記照明光学系は、前記紫外線で前記レジストを均一に照明するためのオプティカルインテグレータを含むことを特徴とする請求項1記載の加工装置。
  9. 前記照明光学系は、前記ショットの外周を走査する手段を有することを特徴とする請求項3記載の加工装置。
  10. 前記ショットと前記モールドとを位置合わせするためのアライメント機構を更に有することを特徴とする請求項3記載の加工装置。
  11. 硬化した前記レジストが前記モールドに付着することを防止する手段を更に有することを特徴とする請求項1記載の加工装置。
  12. 前記レジストを局所的に硬化させる手段を更に有する請求項1記載の加工装置。
  13. 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、
    前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、
    前記供給手段による前記レジストの供給量を制御する制御部とを有し、
    前記基板は、それぞれに前記パターンが転写される複数のショットを有し、
    前記複数のショットは、前記基板の中央部と周辺部では形状が異なり、
    前記制御部は、前記供給手段が前記ショットの面積に対応したレジストを供給するように前記供給量を制御することを特徴とする加工装置。
  14. 前記基板上の不要なレジストを除去する除去手段を更に有することを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれか一項記載の加工装置。
  15. 前記除去手段は、カッターを含むことを特徴とする請求項14記載の加工装置。
  16. 前記除去手段は、真空排気手段を含むことを特徴とする請求項14記載の加工装置。
  17. 請求項1乃至16のうちいずれか一項記載の加工装置を用いてパターンを基板上のレジストに転写するステップと、
    前記基板にエッチングを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128952A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Hst Kk 3次元構造のコイル体及びその製造方法、並びに磁気センサ及びその製造方法
JP2007300072A (ja) * 2006-03-08 2007-11-15 Erich Thallner 基板加工およびアライメント
JP2008073949A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Mach Co Ltd 転写装置および転写方法
JP2008183810A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Toshiba Mach Co Ltd 転写方法及び装置
JP2009212449A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Toshiba Corp インプリント方法およびインプリント用のテンプレート
WO2009139448A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 昭和電工株式会社 パターン形成方法
JP2011044715A (ja) * 2009-08-22 2011-03-03 Ev Group E Thallner Gmbh 基板のエンボス加工用装置
WO2011024630A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 コニカミノルタオプト株式会社 ウエハレンズ製造装置、成形型及びウエハレンズの製造方法
JP2011086727A (ja) * 2009-10-14 2011-04-28 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP2011181548A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2011233781A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Canon Inc リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2012505544A (ja) * 2008-10-10 2012-03-01 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィ・システムでの硬化用のエネルギー源
JP2012054322A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
JP2012060074A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Toshiba Corp インプリント装置及び方法
JP2012169475A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Toshiba Corp インプリント装置および半導体基板の製造方法
JP2012243863A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
JP2013165278A (ja) * 2013-03-25 2013-08-22 Canon Inc 加工装置
US8531649B2 (en) 2011-06-17 2013-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device fabrication method
US8625073B2 (en) 2011-09-26 2014-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101353715B1 (ko) 2009-12-17 2014-01-20 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 패턴 전사 방법
JP2014103421A (ja) * 2004-12-23 2014-06-05 Asml Netherlands Bv インプリント・リソグラフィ
JP2014195088A (ja) * 2014-04-25 2014-10-09 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリントによるパターン形成装置
US8946093B2 (en) 2011-09-22 2015-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP2015037123A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2015062233A (ja) * 2014-10-23 2015-04-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
JP2016015506A (ja) * 2015-08-27 2016-01-28 キヤノン株式会社 インプリント装置およびデバイス製造方法
JP2016105491A (ja) * 2015-12-24 2016-06-09 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
US9541825B2 (en) 2012-01-16 2017-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
US9625837B2 (en) 2013-07-11 2017-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
US9718234B2 (en) 2011-12-22 2017-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Imprint lithography apparatus and device manufacturing method therefor

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999218B2 (en) * 2005-06-06 2015-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing member having pattern, pattern transfer apparatus, and mold
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8361371B2 (en) * 2008-02-08 2013-01-29 Molecular Imprints, Inc. Extrusion reduction in imprint lithography
JP2010080631A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc 押印装置および物品の製造方法
JP5376930B2 (ja) * 2008-12-19 2013-12-25 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
US20110084417A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Molecular Imprints, Inc. Large area linear array nanoimprinting
DE102009055083B4 (de) 2009-12-21 2013-12-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optischer Schichtstapel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009055088B4 (de) 2009-12-21 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen einer Struktur, optisches Bauteil, optischer Schichtstapel
DE102009055080B4 (de) * 2009-12-21 2019-11-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Struktur, Abformwerkzeug
JP5595949B2 (ja) 2011-02-15 2014-09-24 株式会社東芝 インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法
JP5697571B2 (ja) 2011-10-06 2015-04-08 株式会社東芝 テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法
JP2013098497A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
JP5910056B2 (ja) * 2011-12-13 2016-04-27 富士ゼロックス株式会社 レンズ製造装置
JP6029289B2 (ja) 2012-02-28 2016-11-24 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
WO2014055585A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Rudolph Technologies, Inc. Blade for substrate edge protection during photolithography
US8993422B2 (en) * 2012-11-09 2015-03-31 Infineon Technologies Ag Process tools and methods of forming devices using process tools
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6315904B2 (ja) * 2013-06-28 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
BR202016014403U2 (pt) * 2016-06-17 2018-01-02 Cristina Braidotti Cavalari Nely Disposição construtiva introduzida em forma para preparação de hambúrguer
US20180184672A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Blue Sky Innovation Group, Inc. Multi-feature patty press
US10663869B2 (en) * 2017-12-11 2020-05-26 Canon Kabushiki Kaisha Imprint system and imprinting process with spatially non-uniform illumination
US10976657B2 (en) * 2018-08-31 2021-04-13 Canon Kabushiki Kaisha System and method for illuminating edges of an imprint field with a gradient dosage

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137246A (en) * 1984-12-07 1986-06-24 Hitachi Ltd Reproducing device of information recording carrier
JPH10106921A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハの露光方法
JP2000269122A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hiroshima Nippon Denki Kk ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法
JP2003158067A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および露光装置
JP2003218007A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
WO2004016406A1 (en) * 2002-07-11 2004-02-26 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography processes and systems

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990003893A1 (en) * 1988-10-05 1990-04-19 Michael Feygin An improved apparatus and method for forming an integral object from laminations
US5656229A (en) * 1990-02-20 1997-08-12 Nikon Corporation Method for removing a thin film layer
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US5928593A (en) * 1995-11-30 1999-07-27 Harrison; Donald G. Method and apparatus for molding thermosetting polymers onto substrates
JPH10166460A (ja) * 1996-12-06 1998-06-23 Toyota Motor Corp 積層造形方法及び積層造形装置
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
JP3314762B2 (ja) * 1999-08-19 2002-08-12 日本電気株式会社 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法
JP3413160B2 (ja) * 2000-06-15 2003-06-03 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
SG142150A1 (en) 2000-07-16 2008-05-28 Univ Texas High-resolution overlay alignment systems for imprint lithography
JP4740518B2 (ja) 2000-07-17 2011-08-03 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
EP1390975A2 (en) 2000-08-21 2004-02-25 The Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based translation stage
JP2002075817A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Tdk Corp ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置
JP4192414B2 (ja) 2000-09-14 2008-12-10 凸版印刷株式会社 レンズシートの製造方法
CN100365507C (zh) 2000-10-12 2008-01-30 德克萨斯州大学系统董事会 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板
US6387787B1 (en) 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6517977B2 (en) 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6753538B2 (en) * 2001-07-27 2004-06-22 Fei Company Electron beam processing
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
US6653030B2 (en) * 2002-01-23 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US7084952B2 (en) * 2003-07-23 2006-08-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer-readable storage medium
JP2005175040A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
DE602005022874D1 (de) 2004-06-03 2010-09-23 Molecular Imprints Inc Fluidausgabe und tropfenausgabe nach bedarf für die herstellung im nanobereich
US7659965B2 (en) * 2006-10-06 2010-02-09 Wafertech, Llc High throughput wafer stage design for optical lithography exposure apparatus
JP2008124194A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Canon Inc 液浸露光方法および液浸露光装置
JP2008153401A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61137246A (en) * 1984-12-07 1986-06-24 Hitachi Ltd Reproducing device of information recording carrier
JPH10106921A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハの露光方法
JP2000269122A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Hiroshima Nippon Denki Kk ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法
JP2003158067A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および露光装置
JP2003218007A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
WO2004016406A1 (en) * 2002-07-11 2004-02-26 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography processes and systems

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015128190A (ja) * 2004-12-23 2015-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリント・リソグラフィ
JP2014103421A (ja) * 2004-12-23 2014-06-05 Asml Netherlands Bv インプリント・リソグラフィ
JP2007128952A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Hst Kk 3次元構造のコイル体及びその製造方法、並びに磁気センサ及びその製造方法
JP2007300072A (ja) * 2006-03-08 2007-11-15 Erich Thallner 基板加工およびアライメント
JP2014090180A (ja) * 2006-03-08 2014-05-15 Erich Thallner 基板加工およびアライメント
JP2015029134A (ja) * 2006-03-08 2015-02-12 エリッヒ タールナー 基板加工およびアライメント
JP2011228747A (ja) * 2006-03-08 2011-11-10 Erich Thallner 基板加工およびアライメント
JP2008073949A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Mach Co Ltd 転写装置および転写方法
JP2008183810A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Toshiba Mach Co Ltd 転写方法及び装置
JP2009212449A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Toshiba Corp インプリント方法およびインプリント用のテンプレート
US8480946B2 (en) 2008-03-06 2013-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint method and template for imprinting
JPWO2009139448A1 (ja) * 2008-05-16 2011-09-22 昭和電工株式会社 パターン形成方法
WO2009139448A1 (ja) * 2008-05-16 2009-11-19 昭和電工株式会社 パターン形成方法
JP2012505544A (ja) * 2008-10-10 2012-03-01 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィ・システムでの硬化用のエネルギー源
JP2011044715A (ja) * 2009-08-22 2011-03-03 Ev Group E Thallner Gmbh 基板のエンボス加工用装置
US10239253B2 (en) 2009-08-22 2019-03-26 Ev Group E. Thallner Gmbh Method for embossing of substrates
WO2011024630A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 コニカミノルタオプト株式会社 ウエハレンズ製造装置、成形型及びウエハレンズの製造方法
JP2011086727A (ja) * 2009-10-14 2011-04-28 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
US8834769B2 (en) 2009-10-14 2014-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus for forming a pattern of a resin on a substrate using a mold
KR101353715B1 (ko) 2009-12-17 2014-01-20 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 패턴 전사 방법
JP2011181548A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2011233781A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Canon Inc リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US8760627B2 (en) 2010-04-28 2014-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Lithographic apparatus and method of manufacturing article
JP2012054322A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Toshiba Corp インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法
US8740377B2 (en) 2010-08-31 2014-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint recipe creating device and imprint device
USRE47271E1 (en) 2010-08-31 2019-03-05 Toshiba Memory Corporation Imprint recipe creating device and imprint device
JP2012060074A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Toshiba Corp インプリント装置及び方法
JP2012169475A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Toshiba Corp インプリント装置および半導体基板の製造方法
CN104614937A (zh) * 2011-05-17 2015-05-13 佳能株式会社 压印设备
US9645514B2 (en) 2011-05-17 2017-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
JP2012243863A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
US9188855B2 (en) 2011-05-17 2015-11-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
US8531649B2 (en) 2011-06-17 2013-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device fabrication method
US8946093B2 (en) 2011-09-22 2015-02-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Imprint method, imprint apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
KR101530760B1 (ko) * 2011-09-26 2015-06-22 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8625073B2 (en) 2011-09-26 2014-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
US9718234B2 (en) 2011-12-22 2017-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Imprint lithography apparatus and device manufacturing method therefor
US9910351B2 (en) 2012-01-16 2018-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
US9541825B2 (en) 2012-01-16 2017-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
JP2013165278A (ja) * 2013-03-25 2013-08-22 Canon Inc 加工装置
US9625837B2 (en) 2013-07-11 2017-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2015037123A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2014195088A (ja) * 2014-04-25 2014-10-09 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリントによるパターン形成装置
JP2015062233A (ja) * 2014-10-23 2015-04-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
JP2016015506A (ja) * 2015-08-27 2016-01-28 キヤノン株式会社 インプリント装置およびデバイス製造方法
JP2016105491A (ja) * 2015-12-24 2016-06-09 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法

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