JP3314762B2 - 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 - Google Patents
電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JP3314762B2 JP3314762B2 JP23235899A JP23235899A JP3314762B2 JP 3314762 B2 JP3314762 B2 JP 3314762B2 JP 23235899 A JP23235899 A JP 23235899A JP 23235899 A JP23235899 A JP 23235899A JP 3314762 B2 JP3314762 B2 JP 3314762B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- electron beam
- exposure
- compensation
- divided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 67
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光用マスクに電子
ビーム（電子線）を一括露光して露光を行う際に用いる
電子線露光用マスク（以下、露光用マスクと略称する）
と、この露光用マスクを用いた露光方法及び電子線露光
装置に関し、さらにはこれらの技術を用いて半導体装置
等のデバイスを製造する方法に関するものである。
ビーム（電子線）を一括露光して露光を行う際に用いる
電子線露光用マスク（以下、露光用マスクと略称する）
と、この露光用マスクを用いた露光方法及び電子線露光
装置に関し、さらにはこれらの技術を用いて半導体装置
等のデバイスを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子線を利用したリソグラフィ技
術として、可変成形（電子線偏向により任意の矩形パタ
ーンを露光すること）及び部分一括（所望パターンの繰
り返し部分を一括マスクを用いて露光すること）の各手
法が用いられている。この手法では、露光用マスクとし
て数十倍のステンシルマスクを用いており、パターン露
光されるウェハ上での最大露光面積が５μｍ□程度で露
光を行っている。しかしながら、この手法ではスループ
ットが低いという課題があり、これを改善するために、
近年では電子ビームのビーム径をマスク上で１ｍｍ程度
に増大するとともに、露光用マスクとして４倍のステン
シルマスクやメンブレンマスクを用い、ウェハ上での最
大露光面積を２５０μｍ□で露光を行う手法が提案され
ている。また、これに伴い、従来では繰り返し部分のみ
を露光用マスクとして形成しているが、ウェハに形成す
るチップ（デバイス）の全パターンを分割した多数の分
割マスクで構成される露光用マスクを形成し、その分割
マスクに対して電子ビームによる一括露光を行う手法が
提案されている。
術として、可変成形（電子線偏向により任意の矩形パタ
ーンを露光すること）及び部分一括（所望パターンの繰
り返し部分を一括マスクを用いて露光すること）の各手
法が用いられている。この手法では、露光用マスクとし
て数十倍のステンシルマスクを用いており、パターン露
光されるウェハ上での最大露光面積が５μｍ□程度で露
光を行っている。しかしながら、この手法ではスループ
ットが低いという課題があり、これを改善するために、
近年では電子ビームのビーム径をマスク上で１ｍｍ程度
に増大するとともに、露光用マスクとして４倍のステン
シルマスクやメンブレンマスクを用い、ウェハ上での最
大露光面積を２５０μｍ□で露光を行う手法が提案され
ている。また、これに伴い、従来では繰り返し部分のみ
を露光用マスクとして形成しているが、ウェハに形成す
るチップ（デバイス）の全パターンを分割した多数の分
割マスクで構成される露光用マスクを形成し、その分割
マスクに対して電子ビームによる一括露光を行う手法が
提案されている。
【０００３】このような改善された手法では、例えば、
２０ｍｍ□の寸法のチップのパターンを露光する際に
は、電子ビームのビーム径をマスク上でほぼ１ｍｍと
し、露光用マスクを約１／４で縮小投影露光するとした
上で、チップ領域を縦横に８０×８０に分割し、ウェハ
上で分割した２５０μｍ□の６４００個の分割領域を得
る。そして、これら分割領域をそれぞれ４倍した１ｍｍ
□の６４００個の分割マスクを形成し、この分割マスク
を配列して露光用マスクを形成する。そして、このよう
な露光用マスクに対しては、電子源から出射されるビー
ム径がほぼ１ｍｍの電子ビームを露光用マスクに配列形
成されている６４００個の分割マスクの１つに投射し、
当該分割マスクを透過した電子ビームをウェハに投射し
て当該分割マスクを一括露光する。そして、このような
一括露光を全ての分割マスクに対して順次行うことによ
り、露光用マスクの全パターンをウェハに露光し、チッ
プの全領域の露光を行うことが可能になる。
２０ｍｍ□の寸法のチップのパターンを露光する際に
は、電子ビームのビーム径をマスク上でほぼ１ｍｍと
し、露光用マスクを約１／４で縮小投影露光するとした
上で、チップ領域を縦横に８０×８０に分割し、ウェハ
上で分割した２５０μｍ□の６４００個の分割領域を得
る。そして、これら分割領域をそれぞれ４倍した１ｍｍ
□の６４００個の分割マスクを形成し、この分割マスク
を配列して露光用マスクを形成する。そして、このよう
な露光用マスクに対しては、電子源から出射されるビー
ム径がほぼ１ｍｍの電子ビームを露光用マスクに配列形
成されている６４００個の分割マスクの１つに投射し、
当該分割マスクを透過した電子ビームをウェハに投射し
て当該分割マスクを一括露光する。そして、このような
一括露光を全ての分割マスクに対して順次行うことによ
り、露光用マスクの全パターンをウェハに露光し、チッ
プの全領域の露光を行うことが可能になる。
【０００４】ここで、メンブレンマスクは、図８（ａ）
のように、所要の厚さのＳｉＮ（窒化シリコン）基板１
０１に、所要のパターンのＷ（タングステン）とＣｒ
（クロム）の積層薄膜１０２を３０〜５０ｎｍの厚さに
形成してメンブレンマスク１００としたものである。そ
して、前記ＳｉＮ基板１０１の表面に厚さが７５０μｍ
程度のＳｉ（シリコン）で構成された枡目状の補強枠１
０３を一体化し、各枡目領域をそれぞれ分割マストして
構成たものである。また、後者のステンシルマスクは、
図８（ｂ）のように、所要の厚さのＳｉ基板２０１をエ
ッチング等により加工して枡目状の凹部２０２を形成
し、各凹部の底面に形成された薄肉部２０３を分割マス
クとして構成するとともに、個々の分割マスクの薄肉部
２０３に所要のパターン開口２０４を形成し、かつ凹部
２０２間のシリコン基板２０１の領域を枠部２０５とし
て構成したステンシルマスク２００としたものである。
のように、所要の厚さのＳｉＮ（窒化シリコン）基板１
０１に、所要のパターンのＷ（タングステン）とＣｒ
（クロム）の積層薄膜１０２を３０〜５０ｎｍの厚さに
形成してメンブレンマスク１００としたものである。そ
して、前記ＳｉＮ基板１０１の表面に厚さが７５０μｍ
程度のＳｉ（シリコン）で構成された枡目状の補強枠１
０３を一体化し、各枡目領域をそれぞれ分割マストして
構成たものである。また、後者のステンシルマスクは、
図８（ｂ）のように、所要の厚さのＳｉ基板２０１をエ
ッチング等により加工して枡目状の凹部２０２を形成
し、各凹部の底面に形成された薄肉部２０３を分割マス
クとして構成するとともに、個々の分割マスクの薄肉部
２０３に所要のパターン開口２０４を形成し、かつ凹部
２０２間のシリコン基板２０１の領域を枠部２０５とし
て構成したステンシルマスク２００としたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の数十
倍の露光用マスクを用いた部分一括露光の手法では、露
光用マスクとしてのステンシルマスクは１０〜２０μｍ
程度の厚さのＳｉ基板が用いられているが、改善された
手法で用いられる４倍の露光用マスクとしてのステンシ
ルマスクでは、パターンを微細に形成するために、Ｓｉ
基板は２μｍ程度に薄くすることが要求される。そのた
め、ステンシルマスクの機械的な強度が低下し、マスク
作製時にマスク欠陥が生じる確率が高くなり、全く欠陥
のない露光用マスクを作製することは困難になる。ま
た、同時に前記提案されている手法では、ステンシルマ
スクを構成する多数の分割マスクは、繰り返し部分のパ
ターンのみならずチップの全パターンを分割した多数の
異なるパターンの分割パターンを形成する必要があるた
め、同一の繰り返しパターンを形成する数十倍程度の露
光用マスクを作製する場合に比較してマスク欠陥が生じ
易くなり、この面からも全ての分割マスクを欠陥が生じ
ることなく形成することが困難になる。このような欠陥
が生じたメンブレンマスクやステンシルマスクでは、露
光用マスクとしての機能を損なうことなく光学露光方式
のフォトマスクで採用されているパターン修正技術、特
にマスクパターンを構成しているクロム等の金属薄膜に
対してイオンビームを集光してパターンの修正を行なう
ＦＩＢ（フォーカス・イオン・ビーム）法を用いること
が難しいため、欠陥が生じている露光用マスクは使用す
ることができず、露光用マスクを再度作製し直すことに
なり、露光用マスクの製造歩留りの低下、さらには露光
用マスクの製造コストが高くなる要因になっている。
倍の露光用マスクを用いた部分一括露光の手法では、露
光用マスクとしてのステンシルマスクは１０〜２０μｍ
程度の厚さのＳｉ基板が用いられているが、改善された
手法で用いられる４倍の露光用マスクとしてのステンシ
ルマスクでは、パターンを微細に形成するために、Ｓｉ
基板は２μｍ程度に薄くすることが要求される。そのた
め、ステンシルマスクの機械的な強度が低下し、マスク
作製時にマスク欠陥が生じる確率が高くなり、全く欠陥
のない露光用マスクを作製することは困難になる。ま
た、同時に前記提案されている手法では、ステンシルマ
スクを構成する多数の分割マスクは、繰り返し部分のパ
ターンのみならずチップの全パターンを分割した多数の
異なるパターンの分割パターンを形成する必要があるた
め、同一の繰り返しパターンを形成する数十倍程度の露
光用マスクを作製する場合に比較してマスク欠陥が生じ
易くなり、この面からも全ての分割マスクを欠陥が生じ
ることなく形成することが困難になる。このような欠陥
が生じたメンブレンマスクやステンシルマスクでは、露
光用マスクとしての機能を損なうことなく光学露光方式
のフォトマスクで採用されているパターン修正技術、特
にマスクパターンを構成しているクロム等の金属薄膜に
対してイオンビームを集光してパターンの修正を行なう
ＦＩＢ（フォーカス・イオン・ビーム）法を用いること
が難しいため、欠陥が生じている露光用マスクは使用す
ることができず、露光用マスクを再度作製し直すことに
なり、露光用マスクの製造歩留りの低下、さらには露光
用マスクの製造コストが高くなる要因になっている。
【０００６】本発明の目的は、分割マスクに欠陥が生じ
ていても所要のパターンを電子線露光により露光するこ
とを可能とし、これによりマスクの製造歩留りを実質的
に向上することが可能な電子線露光用マスクを提供する
ものである。また、本発明の他の目的は、本発明の露光
用マスクを用いて所要のパターンの露光を可能にした電
子線露光方法と電子線露光装置を提供するものである。
さらに、本発明は前記した電子線露光方法を用いて半導
体装置等の製造を可能にしたデバイスの製造方法を提供
するものである。
ていても所要のパターンを電子線露光により露光するこ
とを可能とし、これによりマスクの製造歩留りを実質的
に向上することが可能な電子線露光用マスクを提供する
ものである。また、本発明の他の目的は、本発明の露光
用マスクを用いて所要のパターンの露光を可能にした電
子線露光方法と電子線露光装置を提供するものである。
さらに、本発明は前記した電子線露光方法を用いて半導
体装置等の製造を可能にしたデバイスの製造方法を提供
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の露光用マスク
は、複数の分割マスクで構成される主マスクと、少なく
とも前記主マスクの分割マスクと同一構成でかつ同一パ
ターンを有する分割マスクを含む補償マスクとを備えて
いることを特徴とする。ここで、前記主マスクと補償マ
スクとは１枚の基板に配設されていることが好ましい。
また、前記補償マスクは、前記主マスクを構成する前記
複数の分割マスクのうちの一部の分割マスクと同一構成
の分割マスクで構成されている構成としてもよい。この
場合、前記補償マスクを構成する分割マスクは、同一パ
ターンの分割マスクを複数形成することが、また、前記
主マスクの隣接位置、あるいは前記主マスクの周辺位置
に配設されることが好ましい。また、前記した本発明の
露光用マスクは、メンブレンマスクあるいはステンシル
マスクで構成されることが好ましい。
は、複数の分割マスクで構成される主マスクと、少なく
とも前記主マスクの分割マスクと同一構成でかつ同一パ
ターンを有する分割マスクを含む補償マスクとを備えて
いることを特徴とする。ここで、前記主マスクと補償マ
スクとは１枚の基板に配設されていることが好ましい。
また、前記補償マスクは、前記主マスクを構成する前記
複数の分割マスクのうちの一部の分割マスクと同一構成
の分割マスクで構成されている構成としてもよい。この
場合、前記補償マスクを構成する分割マスクは、同一パ
ターンの分割マスクを複数形成することが、また、前記
主マスクの隣接位置、あるいは前記主マスクの周辺位置
に配設されることが好ましい。また、前記した本発明の
露光用マスクは、メンブレンマスクあるいはステンシル
マスクで構成されることが好ましい。
【０００８】本発明の電子線露光方法は、本発明の前記
した露光用マスクを用い、主マスクの欠陥がある分割マ
スクを露光する際に、当該欠陥がある分割マスクに対応
する欠陥のない補償マスクの分割マスクを用いて露光を
行うことを特徴とする。この場合、主マスクの欠陥のあ
る分割マスクのアドレスと、その欠陥のある分割マスク
に対応する欠陥のない補償マスクの分割マスクのアドレ
スとを予め記録しておき、当該欠陥のある分割マスクの
アドレスでの露光を行う際に、これに対応する補償マス
クの分割マスクのアドレスに置き換えて露光を行うよう
にする。さらに、本発明の電子線露光方法を用いて半導
体基板の表面に形成された電子線レジストを露光し、前
記半導体基板に半導体デバイスを製造することを特徴と
する。
した露光用マスクを用い、主マスクの欠陥がある分割マ
スクを露光する際に、当該欠陥がある分割マスクに対応
する欠陥のない補償マスクの分割マスクを用いて露光を
行うことを特徴とする。この場合、主マスクの欠陥のあ
る分割マスクのアドレスと、その欠陥のある分割マスク
に対応する欠陥のない補償マスクの分割マスクのアドレ
スとを予め記録しておき、当該欠陥のある分割マスクの
アドレスでの露光を行う際に、これに対応する補償マス
クの分割マスクのアドレスに置き換えて露光を行うよう
にする。さらに、本発明の電子線露光方法を用いて半導
体基板の表面に形成された電子線レジストを露光し、前
記半導体基板に半導体デバイスを製造することを特徴と
する。
【０００９】また、本発明の電子線露光装置は、電子ビ
ームを出射する電子銃と、電子線露光用マスクを載置す
るマスクステージと、前記電子線露光用マスクを通した
電子ビームを露光する電子線レジストが形成されたウェ
ハを載置するウェハステージと、前記電子銃から出射さ
れた電子ビームを前記電子線露光用マスクに投射する第
１の電子線光学手段と、前記電子線露光用マスクを通し
た電子ビームを前記ウェハに投射する第２の電子線光学
手段と、前記電子線露光用マスクの主マスク及び補償マ
スクを構成するそれぞれの分割マスクのアドレスを記録
するメモリと、前記第１及び第２の電子線光学手段を制
御して前記電子ビームを偏向制御するコントロール装置
とを備え、前記メモリには、前記主マスクを構成する複
数の分割マスクのうち欠陥のある分割マスクのアドレス
と、これに対応する前記補償マスクの欠陥のない分割マ
スクのアドレスが記録され、前記コントロール装置は、
前記主マスクの欠陥のある分割マスクのアドレスでの露
光を実行するときに、これに対応する前記補償マスクの
欠陥のない分割マスクのアドレスでの露光を実行するよ
うに構成したことを特徴とする。
ームを出射する電子銃と、電子線露光用マスクを載置す
るマスクステージと、前記電子線露光用マスクを通した
電子ビームを露光する電子線レジストが形成されたウェ
ハを載置するウェハステージと、前記電子銃から出射さ
れた電子ビームを前記電子線露光用マスクに投射する第
１の電子線光学手段と、前記電子線露光用マスクを通し
た電子ビームを前記ウェハに投射する第２の電子線光学
手段と、前記電子線露光用マスクの主マスク及び補償マ
スクを構成するそれぞれの分割マスクのアドレスを記録
するメモリと、前記第１及び第２の電子線光学手段を制
御して前記電子ビームを偏向制御するコントロール装置
とを備え、前記メモリには、前記主マスクを構成する複
数の分割マスクのうち欠陥のある分割マスクのアドレス
と、これに対応する前記補償マスクの欠陥のない分割マ
スクのアドレスが記録され、前記コントロール装置は、
前記主マスクの欠陥のある分割マスクのアドレスでの露
光を実行するときに、これに対応する前記補償マスクの
欠陥のない分割マスクのアドレスでの露光を実行するよ
うに構成したことを特徴とする。
【００１０】本発明の露光用マスクを用いて電子線露光
を行うことにより、主マスクの一部の分割マスクに欠陥
が生じている場合でも、この欠陥のある分割マスクを欠
陥のない補償マスクの分割マスクに置き換えてパターン
の露光が実現できるため、主マスクは必ずしも全ての分
割マスクが欠陥のない分割マスクで構成される必要はな
い。そのため、全ての分割マスクに欠陥が生じていない
主マスクを作製する必要がなくなり、露光用マスクの実
質的な製造歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間の
短縮を可能にして低コスト化が実現できることになる。
を行うことにより、主マスクの一部の分割マスクに欠陥
が生じている場合でも、この欠陥のある分割マスクを欠
陥のない補償マスクの分割マスクに置き換えてパターン
の露光が実現できるため、主マスクは必ずしも全ての分
割マスクが欠陥のない分割マスクで構成される必要はな
い。そのため、全ての分割マスクに欠陥が生じていない
主マスクを作製する必要がなくなり、露光用マスクの実
質的な製造歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間の
短縮を可能にして低コスト化が実現できることになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の露光用マスクＥＭ１
の第１の実施形態の平面図である。マスク基板として、
ここでは円形のシリコン（Ｓｉ）基板１を用いて多数個
の分割マスクを配列したステンシルマスクからなる露光
用マスクＥＭ１が形成されている。なお、前記シリコン
基板１には、実際には前記したように１つのチップを縦
横に８０×８０で分割した６４００個、あるいはそれ以
上の多数個の分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭからなる主マス
クＭＭと補償マスクＣＭが配列されているが、ここでは
簡略化のため少ない数の分割マスクで構成されたマスク
として図示している。前記分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭ
は、それぞれ電子ビームのビーム径に対応して１ｍｍ□
の平面寸法に形成されており、図８（ｂ）に示したよう
に、各分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭでは前記シリコン基板
１（２０１）の表面から凹部２０２が形成されて、その
凹部２０２の底面が薄肉部２０３として形成され、かつ
前記薄肉部２０３に露光するチップのパターンを分割し
た個々のパターンに対応するパターン開口２０４を形成
している。なお、隣接する分割マスクの境界は、前記シ
リコン基板１の厚さがそのまま残されて枡目状の枠部２
０５として構成されている。そして、前記多数個の分割
マスクＭＤＭ，ＣＤＭは、１つのチップのパターンを露
光するために必要な６４００個の前記分割マスクＭＤＭ
が１つのブロックとして前記シリコン基板１の一側領域
に配設されて前記主マスクＭＭとして構成されている。
また、前記シリコン基板１の他側領域には同じく６４０
０個の分割マスクＣＤＭが別のブロックとして配設され
て前記補償マスクＣＭとして構成されている。ここで、
前記主マスクＭＭと補償マスクＣＭは、それぞれ１対１
で対応する分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭがそれぞれ同じパ
ターンで、かつ同じ配列状態で形成されている。
参照して説明する。図１は本発明の露光用マスクＥＭ１
の第１の実施形態の平面図である。マスク基板として、
ここでは円形のシリコン（Ｓｉ）基板１を用いて多数個
の分割マスクを配列したステンシルマスクからなる露光
用マスクＥＭ１が形成されている。なお、前記シリコン
基板１には、実際には前記したように１つのチップを縦
横に８０×８０で分割した６４００個、あるいはそれ以
上の多数個の分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭからなる主マス
クＭＭと補償マスクＣＭが配列されているが、ここでは
簡略化のため少ない数の分割マスクで構成されたマスク
として図示している。前記分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭ
は、それぞれ電子ビームのビーム径に対応して１ｍｍ□
の平面寸法に形成されており、図８（ｂ）に示したよう
に、各分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭでは前記シリコン基板
１（２０１）の表面から凹部２０２が形成されて、その
凹部２０２の底面が薄肉部２０３として形成され、かつ
前記薄肉部２０３に露光するチップのパターンを分割し
た個々のパターンに対応するパターン開口２０４を形成
している。なお、隣接する分割マスクの境界は、前記シ
リコン基板１の厚さがそのまま残されて枡目状の枠部２
０５として構成されている。そして、前記多数個の分割
マスクＭＤＭ，ＣＤＭは、１つのチップのパターンを露
光するために必要な６４００個の前記分割マスクＭＤＭ
が１つのブロックとして前記シリコン基板１の一側領域
に配設されて前記主マスクＭＭとして構成されている。
また、前記シリコン基板１の他側領域には同じく６４０
０個の分割マスクＣＤＭが別のブロックとして配設され
て前記補償マスクＣＭとして構成されている。ここで、
前記主マスクＭＭと補償マスクＣＭは、それぞれ１対１
で対応する分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭがそれぞれ同じパ
ターンで、かつ同じ配列状態で形成されている。
【００１２】図２は前記露光用マスクＥＭ１を用いる電
子線露光装置の概念構成図である。電子ビームを出射す
る電子銃１１と、前記電子銃１１から出射した電子ビー
ムＥＢが投射される露光用マスクＥＭ１を載置して平面
ＸＹ方向に移動可能なマスクステージ１２と、前記露光
用マスクＥＭ１を透過した電子ビームが露光される半導
体ウェハＷを載置して平面ＸＹ方向に移動可能なウェハ
ステージ１３を備えている。また、前記電子銃１１から
出射した電子ビームを平面ＸＹ方向に偏向して前記マス
クステージ１２上の前記露光用マスクＥＭ１に対する投
射位置を変化させる第１偏向器及び投影レンズからなる
第１光学系１４と、前記露光用マスクＥＭ１を透過した
電子ビームを平面ＸＹ方向に偏向して前記ウェハステー
ジ１３上のウェハＷの表面に対する投射位置を変化させ
ながら露光を行う第２偏向器及び対物レンズからなる第
２光学系１５とを備えている。前記第１及び第２光学系
１４，１５はコントロール装置１６によって制御され、
前記第１光学系１４は前記露光用マスクＥＭの任意の分
割マスクＭＤＭ，ＣＤＭに対して電子ビームＥＢを投射
可能に電子ビームＥＢの偏向が制御され、前記第２光学
系１５は露光用マスクＥＭを透過した電子ビームＥＢを
前記ウェハＷの任意の位置に投射して露光を行うことが
可能にその偏向が制御される。また、前記マスクステー
ジ１２及びウェハステージ１３にはそれぞれ前記コント
ロール装置１６によって制御されるステージ駆動部１
７，１８が設けられており、これらのステージ駆動部１
７，１８によって前記露光用マスクＥＭ及びウェハＷの
各平面位置が制御される。さらに、前記コントロール装
置１６にはメモリ１９が付設されており、前記メモリ１
９には詳細を後述するように前記露光用マスクＥＭ１の
主マスクＭＭと補償マスクＣＭを構成する各分割マスク
ＭＤＭ，ＣＤＭのアドレスが記録され、また、前記コン
トロール装置１６は前記メモリ１９から当該アドレスを
読み出して前記第１及び第２光学系１４，１５及び前記
各ステージ１２，１３を制御するように構成される。
子線露光装置の概念構成図である。電子ビームを出射す
る電子銃１１と、前記電子銃１１から出射した電子ビー
ムＥＢが投射される露光用マスクＥＭ１を載置して平面
ＸＹ方向に移動可能なマスクステージ１２と、前記露光
用マスクＥＭ１を透過した電子ビームが露光される半導
体ウェハＷを載置して平面ＸＹ方向に移動可能なウェハ
ステージ１３を備えている。また、前記電子銃１１から
出射した電子ビームを平面ＸＹ方向に偏向して前記マス
クステージ１２上の前記露光用マスクＥＭ１に対する投
射位置を変化させる第１偏向器及び投影レンズからなる
第１光学系１４と、前記露光用マスクＥＭ１を透過した
電子ビームを平面ＸＹ方向に偏向して前記ウェハステー
ジ１３上のウェハＷの表面に対する投射位置を変化させ
ながら露光を行う第２偏向器及び対物レンズからなる第
２光学系１５とを備えている。前記第１及び第２光学系
１４，１５はコントロール装置１６によって制御され、
前記第１光学系１４は前記露光用マスクＥＭの任意の分
割マスクＭＤＭ，ＣＤＭに対して電子ビームＥＢを投射
可能に電子ビームＥＢの偏向が制御され、前記第２光学
系１５は露光用マスクＥＭを透過した電子ビームＥＢを
前記ウェハＷの任意の位置に投射して露光を行うことが
可能にその偏向が制御される。また、前記マスクステー
ジ１２及びウェハステージ１３にはそれぞれ前記コント
ロール装置１６によって制御されるステージ駆動部１
７，１８が設けられており、これらのステージ駆動部１
７，１８によって前記露光用マスクＥＭ及びウェハＷの
各平面位置が制御される。さらに、前記コントロール装
置１６にはメモリ１９が付設されており、前記メモリ１
９には詳細を後述するように前記露光用マスクＥＭ１の
主マスクＭＭと補償マスクＣＭを構成する各分割マスク
ＭＤＭ，ＣＤＭのアドレスが記録され、また、前記コン
トロール装置１６は前記メモリ１９から当該アドレスを
読み出して前記第１及び第２光学系１４，１５及び前記
各ステージ１２，１３を制御するように構成される。
【００１３】次に、図１に示した第１の実施形態の露光
用マスクＥＭ１を用い、図２に示した電子線露光装置に
よりウェハＷに対してチップのパターンを電子線露光す
る方法について説明する。図１の露光用マスクＥＭ１は
前記電子線露光装置のマスクステージ１２に載置され
る。また、シリコン等の半導体基板からなるウェハＷは
表面に図外の電子線レジストが塗布され、ウェハステー
ジ１３に載置される。しかる上で、コントロール装置１
６はマスクステージ１２とウェハステージ１３の各ステ
ージ駆動部１７，１８を制御し、電子銃１１の光軸に対
して露光用マスクＥＭ１とウェハＷとをそれぞれ対応す
る位置にそれぞれ設定する。しかる上で、電子銃１１か
ら出射される電子ビームＥＢを第１光学系１４によって
偏向し、露光用マスクＥＭ１の主マスクＭＭの最初の分
割マスクＭＤＭに投射する。最初の分割マスクＭＤＭに
投射された電子ビームＥＢは、当該分割マスクＭＤＭに
形成されているパターン開口によりパターン化された光
束形状の電子ビームＥＢとなり、第２光学系１５で偏向
されてウェハＷの表面の対応する位置に投射され、電子
線レジストを露光する。このとき、コントロール装置１
６は、第１の光学系１４の投影レンズと第２の光学系１
５の対物レンズの焦点位置をそれぞれ制御することで、
分割マスクＭＤＭのパターンはウェハＷの表面上に合焦
状態とされ、かつ一括して露光される。
用マスクＥＭ１を用い、図２に示した電子線露光装置に
よりウェハＷに対してチップのパターンを電子線露光す
る方法について説明する。図１の露光用マスクＥＭ１は
前記電子線露光装置のマスクステージ１２に載置され
る。また、シリコン等の半導体基板からなるウェハＷは
表面に図外の電子線レジストが塗布され、ウェハステー
ジ１３に載置される。しかる上で、コントロール装置１
６はマスクステージ１２とウェハステージ１３の各ステ
ージ駆動部１７，１８を制御し、電子銃１１の光軸に対
して露光用マスクＥＭ１とウェハＷとをそれぞれ対応す
る位置にそれぞれ設定する。しかる上で、電子銃１１か
ら出射される電子ビームＥＢを第１光学系１４によって
偏向し、露光用マスクＥＭ１の主マスクＭＭの最初の分
割マスクＭＤＭに投射する。最初の分割マスクＭＤＭに
投射された電子ビームＥＢは、当該分割マスクＭＤＭに
形成されているパターン開口によりパターン化された光
束形状の電子ビームＥＢとなり、第２光学系１５で偏向
されてウェハＷの表面の対応する位置に投射され、電子
線レジストを露光する。このとき、コントロール装置１
６は、第１の光学系１４の投影レンズと第２の光学系１
５の対物レンズの焦点位置をそれぞれ制御することで、
分割マスクＭＤＭのパターンはウェハＷの表面上に合焦
状態とされ、かつ一括して露光される。
【００１４】次いで、第１光学系１４により電子ビーム
ＥＢを偏向して次の分割マスクＭＤＭに投射し、当該分
割マスクＭＤＭを透過した電子ビームＥＢを第２の光学
系１５により偏向してウェハＷの表面の対応する位置に
投射する。これにより、例えば、ウェハ表面の前記最初
の分割マスクにより露光された領域の隣に次の分割マス
クのパターンが一括して露光される。このように多数個
の主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭのパターンをウェ
ハＷの表面に順次露光する作業を繰り返すことにより、
すなわち本実施形態の場合には６４００回の露光を行う
ことで、１つのチップのパターンをウェハ表面に露光す
ることが可能となる。
ＥＢを偏向して次の分割マスクＭＤＭに投射し、当該分
割マスクＭＤＭを透過した電子ビームＥＢを第２の光学
系１５により偏向してウェハＷの表面の対応する位置に
投射する。これにより、例えば、ウェハ表面の前記最初
の分割マスクにより露光された領域の隣に次の分割マス
クのパターンが一括して露光される。このように多数個
の主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭのパターンをウェ
ハＷの表面に順次露光する作業を繰り返すことにより、
すなわち本実施形態の場合には６４００回の露光を行う
ことで、１つのチップのパターンをウェハ表面に露光す
ることが可能となる。
【００１５】以上の説明は主マスクＭＭを構成する多数
個の分割マスクＭＤＭに欠陥が生じていない場合の動作
であり、実際には前記したように主マスクＭＭを構成す
る分割マスクＭＤＭの一部に欠陥が生じていることは避
けられない。このように主マスクＭＭに欠陥のある分割
マスクＭＤＭが内在される露光用マスクを用いた本発明
の電子線露光方法について説明する。図３はそのフロー
チャートである。前記した電子線露光の動作に先立ち、
図１の露光用マスクＥＭを作製する（Ｓ１０１）。つい
で、当該露光用マスクＥＭを説明を省略したマスク検査
装置に設置し、主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭに対
して欠陥検査を実行する（Ｓ１０２）。この欠陥検査で
は、各分割マスクＭＤＭに形成したパターン開口をＣＣ
Ｄ撮像装置等により撮像し、その拡大したパターン開口
を設計パターンと対比することで、パターンに生じてい
る欠陥を検出することが可能である。そして、欠陥が生
じている分割マスクＭＤＭを検出し（Ｓ１０３）、当該
欠陥のある分割マスクＭＤＭのアドレスをメモリ１９に
記録する（Ｓ１０４）。このアドレスは、前記主マスク
ＭＭを構成する多数の分割マスクＭＤＭのＸＹ座標位置
であっても、あるいは前記分割マスクＭＤＭに対して付
した通し番号であっても、さらにはその他の識別番号で
あってもよい。
個の分割マスクＭＤＭに欠陥が生じていない場合の動作
であり、実際には前記したように主マスクＭＭを構成す
る分割マスクＭＤＭの一部に欠陥が生じていることは避
けられない。このように主マスクＭＭに欠陥のある分割
マスクＭＤＭが内在される露光用マスクを用いた本発明
の電子線露光方法について説明する。図３はそのフロー
チャートである。前記した電子線露光の動作に先立ち、
図１の露光用マスクＥＭを作製する（Ｓ１０１）。つい
で、当該露光用マスクＥＭを説明を省略したマスク検査
装置に設置し、主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭに対
して欠陥検査を実行する（Ｓ１０２）。この欠陥検査で
は、各分割マスクＭＤＭに形成したパターン開口をＣＣ
Ｄ撮像装置等により撮像し、その拡大したパターン開口
を設計パターンと対比することで、パターンに生じてい
る欠陥を検出することが可能である。そして、欠陥が生
じている分割マスクＭＤＭを検出し（Ｓ１０３）、当該
欠陥のある分割マスクＭＤＭのアドレスをメモリ１９に
記録する（Ｓ１０４）。このアドレスは、前記主マスク
ＭＭを構成する多数の分割マスクＭＤＭのＸＹ座標位置
であっても、あるいは前記分割マスクＭＤＭに対して付
した通し番号であっても、さらにはその他の識別番号で
あってもよい。
【００１６】主マスクＭＭの全部の分割マスクＭＤＭの
検査が完了すると（Ｓ１０５）、次に、前記露光用マス
クＥＭの補償マスクＣＭの各分割マスクＣＤＭの欠陥検
査に移行する。この検査では、主マスクＭＭに対する前
記した欠陥検査においてメモリ１９に記録した欠陥のあ
る分割マスクＭＤＭのアドレスを読み出し、このアドレ
スに対応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭを対象
として欠陥検査を実行する（Ｓ１０６）。そして、当該
対象となった補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに欠陥
が生じていないときには、その分割マスクＣＤＭを主マ
スクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭの補償用の分割
マスクＣＤＭとしてそのアドレスをメモリに記録する
（Ｓ１０７）。なお、主マスクＭＭの欠陥のある分割マ
スクＭＤＭのアドレスに対応する補償マスクＣＭの分割
マスクＣＤＭにも欠陥が存在する場合には、当該補償マ
スクＣＭを補償用のマスクとして利用できないため、当
該露光用マスクＥＭは使用せず、新たに別の露光用マス
クを作製する（Ｓ１０１）。主マスクＭＭの欠陥のある
分割マクスＤＭの全てのアドレスに対応する補償マスク
ＣＭの分割マスクＣＤＭの検査を完了すれば（Ｓ１０
８）は処理を終了する。
検査が完了すると（Ｓ１０５）、次に、前記露光用マス
クＥＭの補償マスクＣＭの各分割マスクＣＤＭの欠陥検
査に移行する。この検査では、主マスクＭＭに対する前
記した欠陥検査においてメモリ１９に記録した欠陥のあ
る分割マスクＭＤＭのアドレスを読み出し、このアドレ
スに対応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭを対象
として欠陥検査を実行する（Ｓ１０６）。そして、当該
対象となった補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに欠陥
が生じていないときには、その分割マスクＣＤＭを主マ
スクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭの補償用の分割
マスクＣＤＭとしてそのアドレスをメモリに記録する
（Ｓ１０７）。なお、主マスクＭＭの欠陥のある分割マ
スクＭＤＭのアドレスに対応する補償マスクＣＭの分割
マスクＣＤＭにも欠陥が存在する場合には、当該補償マ
スクＣＭを補償用のマスクとして利用できないため、当
該露光用マスクＥＭは使用せず、新たに別の露光用マス
クを作製する（Ｓ１０１）。主マスクＭＭの欠陥のある
分割マクスＤＭの全てのアドレスに対応する補償マスク
ＣＭの分割マスクＣＤＭの検査を完了すれば（Ｓ１０
８）は処理を終了する。
【００１７】ここで、主マスクＭＭと補償マスクＣＭ
は、それぞれ同一のマスク原型パターンから作製される
が、一般的に１つの分割マスクに欠陥が生じる確率をＰ
としたときに、主マスクＭＭと補償マスクＣＭのそれぞ
れ対応する同一パターンの分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭに
共に欠陥が生じる確率はＰ×Ｐ＝Ｐ2 となる。例えば、
Ｐの値を１／１０程度と見積もると、主マスクＭＭと補
償マスクＣＭの互いに対応する各分割マスクＭＤＭ，Ｃ
ＤＭに共に欠陥が生じる確率は１／１００となり、実際
にこのような状況が生じる確率は極めて低いものとな
る。したがって、主マスクＭＭの一部に欠陥のある分割
マスクＭＤＭが存在していても、補償マスクＣＭの対応
する分割マスクＣＤＭが欠陥のない正常な分割マスクで
ある確率は極めて高く、主マスクＭＭの欠陥のある分割
マスクＭＤＭを補償マスクＣＭの欠陥のない分割マスク
ＣＤＭで補償することが可能となる。なお、欠陥が生じ
る確率が高く見積もられる場合は、補償マスクの同一の
分割パターンを複数個作製しておくことにより、主マス
クと補償マスクに共に欠陥が生じる確率を低くすること
ができる。
は、それぞれ同一のマスク原型パターンから作製される
が、一般的に１つの分割マスクに欠陥が生じる確率をＰ
としたときに、主マスクＭＭと補償マスクＣＭのそれぞ
れ対応する同一パターンの分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭに
共に欠陥が生じる確率はＰ×Ｐ＝Ｐ2 となる。例えば、
Ｐの値を１／１０程度と見積もると、主マスクＭＭと補
償マスクＣＭの互いに対応する各分割マスクＭＤＭ，Ｃ
ＤＭに共に欠陥が生じる確率は１／１００となり、実際
にこのような状況が生じる確率は極めて低いものとな
る。したがって、主マスクＭＭの一部に欠陥のある分割
マスクＭＤＭが存在していても、補償マスクＣＭの対応
する分割マスクＣＤＭが欠陥のない正常な分割マスクで
ある確率は極めて高く、主マスクＭＭの欠陥のある分割
マスクＭＤＭを補償マスクＣＭの欠陥のない分割マスク
ＣＤＭで補償することが可能となる。なお、欠陥が生じ
る確率が高く見積もられる場合は、補償マスクの同一の
分割パターンを複数個作製しておくことにより、主マス
クと補償マスクに共に欠陥が生じる確率を低くすること
ができる。
【００１８】このように、主マスクＭＭの欠陥のある分
割マスクＭＤＭのアドレスと、これを補償する補償マス
クＣＭの欠陥のない分割マスクＣＤＭのアドレスをそれ
ぞれメモリ１９に記憶した上で、前記したように、電子
線露光装置により主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを用
いて順次ウェハへの露光を実行する。そして、図４にフ
ローチャートを示すように、コントロール装置１６は、
主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを順次露光する際にそ
のアドレスを確認する（Ｓ２０１）。次いで、そのアド
レスをメモリ１９に記録しているアドレスと比較する
（Ｓ２０２）。露光する分割メモリＤＭのアドレスがメ
モリ１９に記録してある欠陥のある分割マスクのアドレ
スと一致しないときには、前記したように主マスクＭＭ
の当該分割マスクＭＤＭについて露光を実行する（Ｓ２
０３）。一方、一致したときには、当該分割マスクＭＤ
Ｍが欠陥のある分割マスクであることを認識し、コント
ロール装置１６は当該欠陥のある分割マスクＭＤＭに対
応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアドレスを
メモリ１６から読み出し（Ｓ２０４）、この読み出した
アドレスに基づいてマスクステージ１２を制御するとと
もに、第１光学系１４での偏向を制御して当該アドレス
の補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭが電子ビームＥＢ
によって投射されるように制御を行う。また、同時に第
２光学系１５を制御してウェハＷ上に電子ビームＥＢが
投射されるように制御を行ない、電子銃１１からの電子
ビームＥＢによる露光を行う（Ｓ２０５）。主マスクＭ
Ｍの全部の分割マスクＭＤＭについて同様な処理が完了
すると（Ｓ２０６）、主マスクＭＭの欠陥のある分割マ
スクＭＤＭによる露光は回避され、欠陥のない補償マス
クＣＭの分割マスクＣＤＭによる露光が実行される。こ
の補償マスクＣＭによる露光が完了すると、コントロー
ル装置１６は、マスクステージ１２を直前の位置まで戻
して再度主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭによる露光
を継続する。その後は、同様に、主マスクＭＭの欠陥の
ある分割マスクＭＤＭを露光する際には、その都度補償
マスクＣＭの対応する分割マスクＣＤＭを用いて露光を
行うことで、主マスクＭＭと補償マスクＣＭを利用し
て、欠陥のない分割マスクＣＤＭによるチップのパター
ン露光が実現されることになる。
割マスクＭＤＭのアドレスと、これを補償する補償マス
クＣＭの欠陥のない分割マスクＣＤＭのアドレスをそれ
ぞれメモリ１９に記憶した上で、前記したように、電子
線露光装置により主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを用
いて順次ウェハへの露光を実行する。そして、図４にフ
ローチャートを示すように、コントロール装置１６は、
主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを順次露光する際にそ
のアドレスを確認する（Ｓ２０１）。次いで、そのアド
レスをメモリ１９に記録しているアドレスと比較する
（Ｓ２０２）。露光する分割メモリＤＭのアドレスがメ
モリ１９に記録してある欠陥のある分割マスクのアドレ
スと一致しないときには、前記したように主マスクＭＭ
の当該分割マスクＭＤＭについて露光を実行する（Ｓ２
０３）。一方、一致したときには、当該分割マスクＭＤ
Ｍが欠陥のある分割マスクであることを認識し、コント
ロール装置１６は当該欠陥のある分割マスクＭＤＭに対
応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアドレスを
メモリ１６から読み出し（Ｓ２０４）、この読み出した
アドレスに基づいてマスクステージ１２を制御するとと
もに、第１光学系１４での偏向を制御して当該アドレス
の補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭが電子ビームＥＢ
によって投射されるように制御を行う。また、同時に第
２光学系１５を制御してウェハＷ上に電子ビームＥＢが
投射されるように制御を行ない、電子銃１１からの電子
ビームＥＢによる露光を行う（Ｓ２０５）。主マスクＭ
Ｍの全部の分割マスクＭＤＭについて同様な処理が完了
すると（Ｓ２０６）、主マスクＭＭの欠陥のある分割マ
スクＭＤＭによる露光は回避され、欠陥のない補償マス
クＣＭの分割マスクＣＤＭによる露光が実行される。こ
の補償マスクＣＭによる露光が完了すると、コントロー
ル装置１６は、マスクステージ１２を直前の位置まで戻
して再度主マスクＭＭの各分割マスクＭＤＭによる露光
を継続する。その後は、同様に、主マスクＭＭの欠陥の
ある分割マスクＭＤＭを露光する際には、その都度補償
マスクＣＭの対応する分割マスクＣＤＭを用いて露光を
行うことで、主マスクＭＭと補償マスクＣＭを利用し
て、欠陥のない分割マスクＣＤＭによるチップのパター
ン露光が実現されることになる。
【００１９】図５は前記露光方向を説明するための模式
図であり、主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを（１）か
ら（５）まで順次露光して行き、（６）の分割マスクＭ
ＤＭのときに、当該分割マスクＭＤＭが欠陥マスクであ
ることが認識されたとする。このとき、補償マスクＣＭ
の対応する分割マスク、すなわち欠陥のない分割マスク
ＣＤＭ（６）を利用して露光を行う。その後、再び主マ
スクＭＭに戻り、次の分割マスクＭＤＭ（７）について
同様の露光を行なう。以降は、主マスクＭＭの分割マス
クＭＤＭが欠陥分割マスクであるときには、同様に補償
マスクＣＭの分割マスクＣＤＭでの露光を行っていく。
図であり、主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを（１）か
ら（５）まで順次露光して行き、（６）の分割マスクＭ
ＤＭのときに、当該分割マスクＭＤＭが欠陥マスクであ
ることが認識されたとする。このとき、補償マスクＣＭ
の対応する分割マスク、すなわち欠陥のない分割マスク
ＣＤＭ（６）を利用して露光を行う。その後、再び主マ
スクＭＭに戻り、次の分割マスクＭＤＭ（７）について
同様の露光を行なう。以降は、主マスクＭＭの分割マス
クＭＤＭが欠陥分割マスクであるときには、同様に補償
マスクＣＭの分割マスクＣＤＭでの露光を行っていく。
【００２０】以上のように、補償マスクＣＭにより主マ
スクＭＭに生じている欠陥を補償することで、主マスク
ＭＭの一部の分割マスクＭＤＭに欠陥が生じている場合
でも、欠陥のないパターンでのチップの露光が実現でき
るため、全ての分割マスクに欠陥が生じていない主マス
クを作製する必要がなくなり、露光用マスクの実質的な
製造歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間（ＴＡ
Ｔ）の短縮が可能となり、低コスト化が実現できること
になる。また、この実施形態の場合には、特に主マスク
ＭＭと補償マスクＣＭとを同時に形成した後に、主マス
クＭＭと補償マスクＣＭの各分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭ
の欠陥を検査し、欠陥のある分割マスクの数が少ない方
を主マスクＭＭとして構成し、他方のマスクを補償マス
クＣＭとして構成するようにしてもよい。これにより、
主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを補償マスクＣＭの分
割マスクＣＤＭで置き換える回数が少なくなり、全露光
時間を短縮する上で有利なものとなる。
スクＭＭに生じている欠陥を補償することで、主マスク
ＭＭの一部の分割マスクＭＤＭに欠陥が生じている場合
でも、欠陥のないパターンでのチップの露光が実現でき
るため、全ての分割マスクに欠陥が生じていない主マス
クを作製する必要がなくなり、露光用マスクの実質的な
製造歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間（ＴＡ
Ｔ）の短縮が可能となり、低コスト化が実現できること
になる。また、この実施形態の場合には、特に主マスク
ＭＭと補償マスクＣＭとを同時に形成した後に、主マス
クＭＭと補償マスクＣＭの各分割マスクＭＤＭ，ＣＤＭ
の欠陥を検査し、欠陥のある分割マスクの数が少ない方
を主マスクＭＭとして構成し、他方のマスクを補償マス
クＣＭとして構成するようにしてもよい。これにより、
主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭを補償マスクＣＭの分
割マスクＣＤＭで置き換える回数が少なくなり、全露光
時間を短縮する上で有利なものとなる。
【００２１】ここで、本実施形態における他の露光方法
として、主マスクによる露光と補償マスクによる露光を
時間軸上で分離して行う露光方法がある。この露光方法
は、図５にフローチャートを示すように、電子線露光装
置により主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭのアドレスを
認識しながら各分割マスクＭＤＭに対して順次ウェハＷ
への露光を実行する点は前記実施形態と同様である（Ｓ
３０１〜Ｓ３０３）。このとき、コントロール装置１６
は当該分割マスクＭＤＭのアドレスがメモリ１９に記録
した欠陥のある分割マスクＭＤＭのアドレスと一致し、
当該分割マスクＭＤＭが欠陥分割マスクであることを認
識すると、当該分割マスクＭＤＭでの露光は実行せず、
次の分割マスクＭＤＭにジャンプする（Ｓ３０４）。こ
のとき、ウェハＷの表面においては、当該分割マスクＭ
ＤＭに対応する領域への露光は行なわれず、その次の領
域へジャンプすることは言うまでもない。このように、
主マスクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭでの露光は
一切行わず、欠陥のない分割マスクＭＤＭに対する全て
の露光を実行する（Ｓ３０５）。しかる上で、コントロ
ール装置１６は第１光学系１４及び第２光学系１５を制
御して今度は補償マスクＣＭに電子ビームが投射される
ように偏向制御した上で、主マスクＭＭの欠陥のある分
割マスクＭＤＭに対応する補償マスクＣＭの分割マスク
ＣＤＭのアドレス、すなわち主マスクＭＭを用いての露
光時に露光を行なわなかった分割マスクＭＤＭに対応す
る補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアドレスをメモ
リから読み出し（Ｓ３０６）、この読み出したアドレス
の分割マスクＣＤＭに対して電子ビームを投射して露光
を実行する（Ｓ３０７）。このとき、コントロール装置
１６は、同時にウェハステージ１３を制御することで、
ウェハＷの露光を行わなかった領域に露光を実行するこ
とは勿論である。全ての補償マスクＣＭの対象となる分
割マスクＣＤＭについて処理を行って露光が完了すると
（Ｓ３０８）、主マスクＭＭで露光されなかったウェハ
Ｗの表面の領域が、補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭ
によって露光され、結果として、欠陥のない分割マスク
ＣＤＭによるチップのパターン露光が実現されることに
なる。
として、主マスクによる露光と補償マスクによる露光を
時間軸上で分離して行う露光方法がある。この露光方法
は、図５にフローチャートを示すように、電子線露光装
置により主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭのアドレスを
認識しながら各分割マスクＭＤＭに対して順次ウェハＷ
への露光を実行する点は前記実施形態と同様である（Ｓ
３０１〜Ｓ３０３）。このとき、コントロール装置１６
は当該分割マスクＭＤＭのアドレスがメモリ１９に記録
した欠陥のある分割マスクＭＤＭのアドレスと一致し、
当該分割マスクＭＤＭが欠陥分割マスクであることを認
識すると、当該分割マスクＭＤＭでの露光は実行せず、
次の分割マスクＭＤＭにジャンプする（Ｓ３０４）。こ
のとき、ウェハＷの表面においては、当該分割マスクＭ
ＤＭに対応する領域への露光は行なわれず、その次の領
域へジャンプすることは言うまでもない。このように、
主マスクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭでの露光は
一切行わず、欠陥のない分割マスクＭＤＭに対する全て
の露光を実行する（Ｓ３０５）。しかる上で、コントロ
ール装置１６は第１光学系１４及び第２光学系１５を制
御して今度は補償マスクＣＭに電子ビームが投射される
ように偏向制御した上で、主マスクＭＭの欠陥のある分
割マスクＭＤＭに対応する補償マスクＣＭの分割マスク
ＣＤＭのアドレス、すなわち主マスクＭＭを用いての露
光時に露光を行なわなかった分割マスクＭＤＭに対応す
る補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアドレスをメモ
リから読み出し（Ｓ３０６）、この読み出したアドレス
の分割マスクＣＤＭに対して電子ビームを投射して露光
を実行する（Ｓ３０７）。このとき、コントロール装置
１６は、同時にウェハステージ１３を制御することで、
ウェハＷの露光を行わなかった領域に露光を実行するこ
とは勿論である。全ての補償マスクＣＭの対象となる分
割マスクＣＤＭについて処理を行って露光が完了すると
（Ｓ３０８）、主マスクＭＭで露光されなかったウェハ
Ｗの表面の領域が、補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭ
によって露光され、結果として、欠陥のない分割マスク
ＣＤＭによるチップのパターン露光が実現されることに
なる。
【００２２】この露光方法では、主マスクＭＭ及び補償
マスクＣＭの各分割マスクＣＤＭが、第１光学系１４に
よる電子ビームＥＢの偏向範囲内に配設しておけば、主
マスクＭＭを用いての露光時に、マスクステージ１２を
制御して欠陥分割マスクをその都度補償マスクＣＭの分
割マスクＣＤＭに置き換えることが不要となり、その置
き換えを行う際のマスクステージ１２の移動時間が省略
できるため、露光時間を短縮することが可能である。
マスクＣＭの各分割マスクＣＤＭが、第１光学系１４に
よる電子ビームＥＢの偏向範囲内に配設しておけば、主
マスクＭＭを用いての露光時に、マスクステージ１２を
制御して欠陥分割マスクをその都度補償マスクＣＭの分
割マスクＣＤＭに置き換えることが不要となり、その置
き換えを行う際のマスクステージ１２の移動時間が省略
できるため、露光時間を短縮することが可能である。
【００２３】図７（ａ）は本発明にかかる露光用マスク
ＥＭ２の第２の実施形態を示す図である。シリコン基板
１には、第１の実施形態と同様に所要の個数の分割マス
クＭＤＭを配設した主マスクＭＭが形成されている。こ
の主マスクＭＭの構成及び配置は、前記第１の実施形態
の露光用マスクＥＭ１の主マスクＭＭと同じである。ま
た、前記主マスクＭＭに隣接する領域には、所定の数の
分割マスクＣＤＭからなる補償マスクＣＭが配設されて
いる。前記補償マスクＣＭは、前記主マスクＭＭに比較
して分割マスクＣＤＭの個数は少なくされており、主マ
スクＭＭの全ての分割マスクＭＤＭのうちの一部の分割
マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤＭのみが配設さ
れている。すなわち、主マスクＭＭの全ての分割マスク
ＭＤＭのうち、欠陥が生じる確率の高い分割マスクに対
応する分割マスクのみを配設して補償マスクＣＭを構成
したものである。
ＥＭ２の第２の実施形態を示す図である。シリコン基板
１には、第１の実施形態と同様に所要の個数の分割マス
クＭＤＭを配設した主マスクＭＭが形成されている。こ
の主マスクＭＭの構成及び配置は、前記第１の実施形態
の露光用マスクＥＭ１の主マスクＭＭと同じである。ま
た、前記主マスクＭＭに隣接する領域には、所定の数の
分割マスクＣＤＭからなる補償マスクＣＭが配設されて
いる。前記補償マスクＣＭは、前記主マスクＭＭに比較
して分割マスクＣＤＭの個数は少なくされており、主マ
スクＭＭの全ての分割マスクＭＤＭのうちの一部の分割
マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤＭのみが配設さ
れている。すなわち、主マスクＭＭの全ての分割マスク
ＭＤＭのうち、欠陥が生じる確率の高い分割マスクに対
応する分割マスクのみを配設して補償マスクＣＭを構成
したものである。
【００２４】このような露光用マスクＥＭ２の作製にお
いては、例えば、先に１枚の主マスクＭＭを作製した上
で、当該主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭについて第１
の実施形態の場合と同様に検査を行ない、欠陥のある分
割マスクＭＤＭを検出する。そして、この欠陥のある分
割マスクＭＤＭを選択して補償マスクＣＭを構成し、前
記主マスクＭＭと構成した補償マスクＣＭとを改めて別
のシリコン基板に同時に形成する方法が採用可能であ
る。この場合、先に複数枚の主マスクＭＭを作製した上
で各主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭについての検査を
行い、欠陥が生じる頻度の高い分割マスクから選択して
補償マスクを構成するようにしてもよく、主マスクＭＭ
の欠陥のある分割マスクＭＤＭを補償することが可能な
確率が高くされた分割マスクＣＤＭからなる補償マスク
ＣＭを有する露光用マスクＥＭ２が作製できる。また、
補償マスクＣＭの配設スペースに余裕がある場合には、
欠陥が発生する確率の高い分割マスク、例えば開口率の
大きな分割マスクやパターンの寸法精度の厳しい分割マ
スクについては、同一の分割マスクＣＤＭを複数個形成
してもよい。これにより、全ての分割マスクＣＤＭに欠
陥が発生する状態を回避する確率が高くなり、有効な補
償マスクＣＭを作製する上で有利となる。この場合にお
いても、欠陥が発生する確率の高い分割マスクの個数
を、確率の低い分割マスクよりも多数個形成するように
段階付けを行ってもよい。
いては、例えば、先に１枚の主マスクＭＭを作製した上
で、当該主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭについて第１
の実施形態の場合と同様に検査を行ない、欠陥のある分
割マスクＭＤＭを検出する。そして、この欠陥のある分
割マスクＭＤＭを選択して補償マスクＣＭを構成し、前
記主マスクＭＭと構成した補償マスクＣＭとを改めて別
のシリコン基板に同時に形成する方法が採用可能であ
る。この場合、先に複数枚の主マスクＭＭを作製した上
で各主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭについての検査を
行い、欠陥が生じる頻度の高い分割マスクから選択して
補償マスクを構成するようにしてもよく、主マスクＭＭ
の欠陥のある分割マスクＭＤＭを補償することが可能な
確率が高くされた分割マスクＣＤＭからなる補償マスク
ＣＭを有する露光用マスクＥＭ２が作製できる。また、
補償マスクＣＭの配設スペースに余裕がある場合には、
欠陥が発生する確率の高い分割マスク、例えば開口率の
大きな分割マスクやパターンの寸法精度の厳しい分割マ
スクについては、同一の分割マスクＣＤＭを複数個形成
してもよい。これにより、全ての分割マスクＣＤＭに欠
陥が発生する状態を回避する確率が高くなり、有効な補
償マスクＣＭを作製する上で有利となる。この場合にお
いても、欠陥が発生する確率の高い分割マスクの個数
を、確率の低い分割マスクよりも多数個形成するように
段階付けを行ってもよい。
【００２５】この第２の実施形態の露光用マスクＥＭ２
を用いた電子線露光方法は、基本的には第１の実施形態
と同じであり、電子ビームでの露光に先立って、作製し
た露光用マスクＥＭ２に対して第１の実施形態と同様に
欠陥の検査を行い、主マスクＭＭにおける欠陥のある分
割マスクＭＤＭのアドレスをメモリ１９に記録するとと
もに、当該欠陥のある分割マスクＭＤＭに対応する補償
マスクの分割マスクＣＤＭをメモリ１９に記録してお
く。しかる上で、電子線露光装置により主マスクＭＭの
分割マスクＭＤＭに対して順次ウェハへの露光を実行
し、欠陥のある分割マスクＭＤＭを露光する段階におい
て、コントロール装置１６はメモリ１９に記録したアド
レスから欠陥のある分割マスクであることを認識する
と、対応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアド
レスをメモリ１９から読み出し、第１及び第２の各光学
系１４，１５を制御して、当該アドレスの補償マスクの
分割マスクでの露光を実行する。これにより、主マスク
ＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭが、欠陥のない補償
マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光が実行
される。これにより、主マスクＭＭと補償マスクＣＭを
利用して、欠陥のない分割マスクによるチップのパター
ン露光が実現されることになる。
を用いた電子線露光方法は、基本的には第１の実施形態
と同じであり、電子ビームでの露光に先立って、作製し
た露光用マスクＥＭ２に対して第１の実施形態と同様に
欠陥の検査を行い、主マスクＭＭにおける欠陥のある分
割マスクＭＤＭのアドレスをメモリ１９に記録するとと
もに、当該欠陥のある分割マスクＭＤＭに対応する補償
マスクの分割マスクＣＤＭをメモリ１９に記録してお
く。しかる上で、電子線露光装置により主マスクＭＭの
分割マスクＭＤＭに対して順次ウェハへの露光を実行
し、欠陥のある分割マスクＭＤＭを露光する段階におい
て、コントロール装置１６はメモリ１９に記録したアド
レスから欠陥のある分割マスクであることを認識する
と、対応する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭのアド
レスをメモリ１９から読み出し、第１及び第２の各光学
系１４，１５を制御して、当該アドレスの補償マスクの
分割マスクでの露光を実行する。これにより、主マスク
ＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤＭが、欠陥のない補償
マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光が実行
される。これにより、主マスクＭＭと補償マスクＣＭを
利用して、欠陥のない分割マスクによるチップのパター
ン露光が実現されることになる。
【００２６】なお、この露光方法においても、図４に示
したフローチャートのように、主マスクＭＭでの欠陥の
ある分割マスクＭＤＭを露光する際に、その都度補償マ
スクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光を行う方
法を採用しても、あるいは図６に示したフローチャート
のように、先に主マスクＭＭの欠陥のない分割マスクＭ
ＤＭでの露光を全て行った後に、露光していない部分を
補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭで露光するようにし
てもよい。本実施形態では、主マスクＭＭを構成する複
数の分割マスクＭＤＭのうちでも、比較的にパターンが
単純で欠陥が生じるおそれが少ない分割マスクＭＤＭに
対する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭを作製する必
要がないため、補償マスクＣＭを構成する分割マスクＣ
ＤＭの個数を低減し、補償マスクＣＭの作製に必要な面
積を低減することが可能となる。これにより、露光用マ
スクの小型化が可能であり、特に多数の分割マスクで構
成され面積の大きな主マスクを有する露光用マスクを構
成する場合に有利である。
したフローチャートのように、主マスクＭＭでの欠陥の
ある分割マスクＭＤＭを露光する際に、その都度補償マ
スクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光を行う方
法を採用しても、あるいは図６に示したフローチャート
のように、先に主マスクＭＭの欠陥のない分割マスクＭ
ＤＭでの露光を全て行った後に、露光していない部分を
補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭで露光するようにし
てもよい。本実施形態では、主マスクＭＭを構成する複
数の分割マスクＭＤＭのうちでも、比較的にパターンが
単純で欠陥が生じるおそれが少ない分割マスクＭＤＭに
対する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭを作製する必
要がないため、補償マスクＣＭを構成する分割マスクＣ
ＤＭの個数を低減し、補償マスクＣＭの作製に必要な面
積を低減することが可能となる。これにより、露光用マ
スクの小型化が可能であり、特に多数の分割マスクで構
成され面積の大きな主マスクを有する露光用マスクを構
成する場合に有利である。
【００２７】図７（ｂ）は本発明にかかる露光用マスク
ＥＭ３の第３の実施形態を示す図である。シリコン基板
１には、第１の実施形態と同様に所要の個数の分割マス
クを配設した主マスクＭＭが形成されている。この主マ
スクＭＭの構成及び配置は、前記第１の実施形態の露光
用マスクＥＭ１の主マスクＭＭと同じである。また、前
記主マスクＭＭの周囲領域には、所定の数の分割マスク
ＣＤＭからなる補償マスクＣＭが配設されている。前記
補償マスクＣＭは、第２の実施形態と同様に、前記主マ
スクＭＭに比較して分割マスクＣＤＭの個数は少なくさ
れており、主マスクＭＭの全ての分割マスクＭＤＭのう
ちの一部の分割マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤ
Ｍのみが配設されている。すなわち、主マスクＭＭの全
ての分割マスクＭＤＭのうち、欠陥が生じる確率の高い
分割マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤＭを選択し
て配設して補償マスクＣＭを構成したものである。
ＥＭ３の第３の実施形態を示す図である。シリコン基板
１には、第１の実施形態と同様に所要の個数の分割マス
クを配設した主マスクＭＭが形成されている。この主マ
スクＭＭの構成及び配置は、前記第１の実施形態の露光
用マスクＥＭ１の主マスクＭＭと同じである。また、前
記主マスクＭＭの周囲領域には、所定の数の分割マスク
ＣＤＭからなる補償マスクＣＭが配設されている。前記
補償マスクＣＭは、第２の実施形態と同様に、前記主マ
スクＭＭに比較して分割マスクＣＤＭの個数は少なくさ
れており、主マスクＭＭの全ての分割マスクＭＤＭのう
ちの一部の分割マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤ
Ｍのみが配設されている。すなわち、主マスクＭＭの全
ての分割マスクＭＤＭのうち、欠陥が生じる確率の高い
分割マスクＭＤＭに対応する分割マスクＣＤＭを選択し
て配設して補償マスクＣＭを構成したものである。
【００２８】この露光用マスクの製造方法は、第２の実
施形態の露光用マスクＥＭ２と同様であり、主マスクＭ
Ｍの欠陥のある分割マスクＭＤＭを補償する確率の高い
分割マスクＭＤＭからなる補償マスクＣＭを有する露光
用マスクＥＭ３が作製できる。また、この第３の実施形
態では、補償マスクＣＭを構成する分割マスクＣＤＭ
は、主マスクＭＭの対応する分割マスクＭＤＭに近い位
置、すなわち主マスクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤ
Ｍと、これを補償する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤ
Ｍとの距離が極力短くなるように、主マスクＭＭの分割
マスクＭＤＭに近い位置の周辺に対応する補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭを配設している。
施形態の露光用マスクＥＭ２と同様であり、主マスクＭ
Ｍの欠陥のある分割マスクＭＤＭを補償する確率の高い
分割マスクＭＤＭからなる補償マスクＣＭを有する露光
用マスクＥＭ３が作製できる。また、この第３の実施形
態では、補償マスクＣＭを構成する分割マスクＣＤＭ
は、主マスクＭＭの対応する分割マスクＭＤＭに近い位
置、すなわち主マスクＭＭの欠陥のある分割マスクＭＤ
Ｍと、これを補償する補償マスクＣＭの分割マスクＣＤ
Ｍとの距離が極力短くなるように、主マスクＭＭの分割
マスクＭＤＭに近い位置の周辺に対応する補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭを配設している。
【００２９】この第３の実施形態の露光用マスクＥＭ３
を用いた電子線露光方法は、第２の実施形態と同じであ
るのでその詳細な説明は省略する。また、この第３の実
施形態での電子線露光方法においても、図４に示したフ
ローチャートのように、主マスクＭＭでの欠陥のある分
割マスクＭＤＭを露光する際に、その都度補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光を行う方法を採
用しても、あるいは図６に示したフローチャートのよう
に、先に主マスクＭＭの欠陥のない分割マスクＭＤＭで
の露光を全て行った後に、露光していない部分を補償マ
スクＣＭの分割マスクＣＤＭで露光するようにしてもよ
い。本実施形態では、主マスクＭＭの個々の分割マスク
ＭＤＭを補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換え
る露光方法を行った場合でも、置き換える補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭは、置き換えられる主マスクＭＭ
の分割マスクＭＤＭに近い位置に配設されているので、
電子ビームＥＢの偏向制御をより高速に行うことが可能
である。また、本実施形態においても、第２の実施形態
と同様に、主マスクを構成する複数の分割マスクのうち
でも、比較的にパターンが単純で欠陥が生じるおそれが
少ない分割マスクに対する補償マスクを作製する必要が
ないため、補償マスクを構成する分割マスクの個数を低
減し、補償マスクの作製に必要な面積を低減し、露光用
マスクの小型化が可能となる。
を用いた電子線露光方法は、第２の実施形態と同じであ
るのでその詳細な説明は省略する。また、この第３の実
施形態での電子線露光方法においても、図４に示したフ
ローチャートのように、主マスクＭＭでの欠陥のある分
割マスクＭＤＭを露光する際に、その都度補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭに置き換えて露光を行う方法を採
用しても、あるいは図６に示したフローチャートのよう
に、先に主マスクＭＭの欠陥のない分割マスクＭＤＭで
の露光を全て行った後に、露光していない部分を補償マ
スクＣＭの分割マスクＣＤＭで露光するようにしてもよ
い。本実施形態では、主マスクＭＭの個々の分割マスク
ＭＤＭを補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭに置き換え
る露光方法を行った場合でも、置き換える補償マスクＣ
Ｍの分割マスクＣＤＭは、置き換えられる主マスクＭＭ
の分割マスクＭＤＭに近い位置に配設されているので、
電子ビームＥＢの偏向制御をより高速に行うことが可能
である。また、本実施形態においても、第２の実施形態
と同様に、主マスクを構成する複数の分割マスクのうち
でも、比較的にパターンが単純で欠陥が生じるおそれが
少ない分割マスクに対する補償マスクを作製する必要が
ないため、補償マスクを構成する分割マスクの個数を低
減し、補償マスクの作製に必要な面積を低減し、露光用
マスクの小型化が可能となる。
【００３０】ここで、前記各実施形態では、１枚のシリ
コン基板１に主マスクＭＭと補償マスクＣＭを形成して
いるが、第１の実施形態の露光用マスクＥＭ１の場合に
は、主マスクＭＭと補償マスクＣＣとを別体のシリコン
基板に形成し、各シリコン基板を別の基板、あるいは支
持板等によって一体化して１つの露光用マスクとして構
成することも可能である。また、前記各実施形態では、
露光用マスクとしてシリコン基板を主体としたステンシ
ルマスクて構成した例を示したが、メンブレンマスクと
して構成することが可能であることは言うまでもない。
さらに、前記実施形態では、本発明の露光技術を半導体
ウェハの表面に設けた電子線レジストにパターン露光し
て半導体デバイスを製造する例を示しており、特に先端
ロジック回路素子や先端メモリ素子を含む半導体デバイ
スの製造に適用して好適であるが、半導体デバイスにお
ける微細な配線回路やその他のパターンを露光する技術
としても同様に適用できる。
コン基板１に主マスクＭＭと補償マスクＣＭを形成して
いるが、第１の実施形態の露光用マスクＥＭ１の場合に
は、主マスクＭＭと補償マスクＣＣとを別体のシリコン
基板に形成し、各シリコン基板を別の基板、あるいは支
持板等によって一体化して１つの露光用マスクとして構
成することも可能である。また、前記各実施形態では、
露光用マスクとしてシリコン基板を主体としたステンシ
ルマスクて構成した例を示したが、メンブレンマスクと
して構成することが可能であることは言うまでもない。
さらに、前記実施形態では、本発明の露光技術を半導体
ウェハの表面に設けた電子線レジストにパターン露光し
て半導体デバイスを製造する例を示しており、特に先端
ロジック回路素子や先端メモリ素子を含む半導体デバイ
スの製造に適用して好適であるが、半導体デバイスにお
ける微細な配線回路やその他のパターンを露光する技術
としても同様に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、露光用マ
スクを、複数の分割マスクで構成される主マスクと、少
なくとも前記主マスクの分割マスクと同一構成でかつ同
一パターンを有する分割マスクを含む補償マスクとを備
えた構成とし、この露光用マスクを用いての露光方法で
は、主マスクの分割マスクにより順次露光を行い、かつ
主マスクの欠陥がある分割マスクを露光する際に、当該
欠陥がある分割マスクに対応する欠陥のない補償マスク
の分割マスクを用いて露光を行うことにより、主マスク
の一部の分割マスクに欠陥が生じている場合でも、この
欠陥のある分割マスクを欠陥のない補償マスクの分割マ
スクに置き換えてパターンの露光が実現できるため、主
マスクは必ずしも全ての分割マスクが欠陥のない分割マ
スクで構成される必要はない。これにより、本発明で
は、全ての分割マスクに欠陥が生じていない主マスクを
作製する必要がなくなり、露光用マスクの実質的な製造
歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間の短縮を可能
にして低コスト化が実現できる。
スクを、複数の分割マスクで構成される主マスクと、少
なくとも前記主マスクの分割マスクと同一構成でかつ同
一パターンを有する分割マスクを含む補償マスクとを備
えた構成とし、この露光用マスクを用いての露光方法で
は、主マスクの分割マスクにより順次露光を行い、かつ
主マスクの欠陥がある分割マスクを露光する際に、当該
欠陥がある分割マスクに対応する欠陥のない補償マスク
の分割マスクを用いて露光を行うことにより、主マスク
の一部の分割マスクに欠陥が生じている場合でも、この
欠陥のある分割マスクを欠陥のない補償マスクの分割マ
スクに置き換えてパターンの露光が実現できるため、主
マスクは必ずしも全ての分割マスクが欠陥のない分割マ
スクで構成される必要はない。これにより、本発明で
は、全ての分割マスクに欠陥が生じていない主マスクを
作製する必要がなくなり、露光用マスクの実質的な製造
歩留りを向上し、露光用マスクの作製時間の短縮を可能
にして低コスト化が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態の露光用マスクの平面
図である。
図である。
【図２】本発明の電子線露光装置の概略構成図である。
【図３】主マスクと補償マスクの検査工程を説明するた
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
【図４】本発明の露光方法を説明するためのフローチャ
ートである。
ートである。
【図５】本発明の露光方法を説明するための模式図であ
る。
る。
【図６】本発明の他の実施形態の露光方法を説明するた
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施形態及び第３の実施形態の
各露光用マスクの平面図である。
各露光用マスクの平面図である。
【図８】メンブレンマスクとステンシルマスクの各断面
図である。
図である。
１ シリコン基板 １１ 電子銃 １２ マスクステージ １３ ウェハステージ １４ 第１光学系 １５ 第２光学系 １６ コントロール装置 １７，１８ ステージ駆動部 １９ メモリ １００ メンブレンマスク ２００ ステンシルマスク ＥＭ１〜ＥＭ３ 露光用マスク ＭＭ 主マスク ＣＭ 補償マスク ＭＤＭ （主マスクの）分割マスク ＣＤＭ （補償マスクの）分割マスク Ｗ ウェハ ＥＢ 電子ビーム
Claims (10)
- 【請求項１】 複数の分割マスクで構成される主マスク
と、少なくとも前記主マスクの前記分割マスクと同一構
成でかつ同一パターンを有する分割マスクを含む補償マ
スクとを備えていることを特徴とする電子線露光用マス
ク。 - 【請求項２】 前記主マスクと少なくとも一つの補償マ
スクとが１枚の基板に配設されていることを特徴とする
請求項１に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項３】 前記補償マスクは、前記主マスクを構成
する前記複数の分割マスクのうちの一部の分割マスクと
同一構成の分割マスクで構成されていることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項４】 前記補償マスクは、複数の同一パターン
の分割マスクを備えていることを特徴とする請求項３に
記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項５】 前記補償マスクを構成する分割マスク
は、前記主マスクの隣接位置、あるいは前記主マスクの
周辺位置に配設されていることを特徴とする請求項３又
は４に記載の電子線露光用マスク。 - 【請求項６】 請求項１から５に記載の前記電子線露光
用マスクがメンブレンマスクあるいはステンシルマスク
であることを特徴とする電子線露光用マスク。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の前記
電子線露光用マスクを用い、前記主マスクの欠陥がある
分割マスクを露光する際に、当該欠陥がある分割マスク
に対応する欠陥のない前記補償マスクの分割マスクを用
いて露光を行うことを特徴とする電子線露光方法。 - 【請求項８】 主マスクの欠陥のある分割マスクのアド
レスと、前記欠陥のある分割マスクに対応する欠陥のな
い補償マスクの分割マスクのアドレスとを予め記録して
おき、当該欠陥のある分割マスクのアドレスでの露光を
行う際に、これに対応する補償マスクの分割マスクのア
ドレスに置き換えて露光を行うことを特徴とする電子線
露光方法。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の電子線露光方
法を用いて半導体基板の表面に形成された電子線レジス
トを露光し、前記半導体基板に半導体デバイスを製造す
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 電子ビームを出射する電子銃と、電子
線露光用マスクを載置するマスクステージと、前記電子
線露光用マスクを通した電子ビームを露光する電子線レ
ジストが形成されたウェハを載置するウェハステージ
と、前記電子銃から出射された電子ビームを前記電子線
露光用マスクに投射する第１の電子線光学手段と、前記
電子線露光用マスクを通した電子ビームを前記ウェハに
投射する第２の電子線光学手段と、前記電子線露光用マ
スクの主マスク及び補償マスクを構成するそれぞれの分
割マスクのアドレスを記録するメモリと、前記第１及び
第２の電子線光学手段を制御して前記電子ビームを偏向
制御するコントロール装置とを備え、前記メモリには、
前記主マスクを構成する複数の分割マスクのうち欠陥の
ある分割マスクのアドレスと、これに対応する前記補償
マスクの欠陥のない分割マスクのアドレスが記録され、
前記コントロール装置は、前記主マスクの欠陥のある分
割マスクのアドレスでの露光を実行するときに、これに
対応する前記補償マスクの欠陥のない分割マスクのアド
レスでの露光を実行するように構成したことを特徴とす
る電子線露光装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23235899A JP3314762B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 |
| US09/641,125 US6645676B1 (en) | 1999-08-19 | 2000-08-16 | Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus |
| TW089116877A TW460934B (en) | 1999-08-19 | 2000-08-18 | Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus |
| KR10-2000-0047881A KR100389567B1 (ko) | 1999-08-19 | 2000-08-18 | 전자선노광마스크, 전자선노광방법, 반도체장치 제조방법및 전자선노광장치 |
| CNB001238094A CN1160762C (zh) | 1999-08-19 | 2000-08-18 | 电子束曝光掩模、曝光方法和设备及半导体器件制造方法 |
| US10/657,429 US6861657B2 (en) | 1999-08-19 | 2003-09-08 | Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus |
| US10/657,288 US6958201B2 (en) | 1999-08-19 | 2003-09-08 | Electron beam exposure mask, electron beam exposure method, method of fabricating semiconductor device, and electron beam exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23235899A JP3314762B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057333A JP2001057333A (ja) | 2001-02-27 |
| JP3314762B2 true JP3314762B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=16937970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23235899A Expired - Fee Related JP3314762B2 (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6645676B1 (ja) |
| JP (1) | JP3314762B2 (ja) |
| KR (1) | KR100389567B1 (ja) |
| CN (1) | CN1160762C (ja) |
| TW (1) | TW460934B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
| US7271891B1 (en) * | 2003-08-29 | 2007-09-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity |
| US7405147B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-07-29 | International Business Machines Corporation | Device and methodology for reducing effective dielectric constant in semiconductor devices |
| JP4481698B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-06-16 | キヤノン株式会社 | 加工装置 |
| US20060291383A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Qi Bi | Methods for quality of service reverse link admission and overload control in a wireless system |
| JP2007317863A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光装置用マスクの検査方法 |
| CN101393386B (zh) * | 2008-10-28 | 2010-12-01 | 清溢精密光电（深圳）有限公司 | FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644435U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | ||
| DE68924122T2 (de) * | 1988-10-20 | 1996-05-09 | Fujitsu Ltd | Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtungen und durchsichtige Maske für den geladenen Teilchenstrahl. |
| JPH02120829U (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-28 | ||
| JP2784668B2 (ja) * | 1989-07-25 | 1998-08-06 | 日東電工株式会社 | 中空糸膜モジュールにおける隔壁成形方法 |
| JPH058935U (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | シチズン時計株式会社 | 半導体装置のレチクル |
| US5849437A (en) | 1994-03-25 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
| KR960015340U (ko) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | 노광마스크 | |
| JP3454983B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法 |
| KR970048925A (ko) * | 1995-12-26 | 1997-07-29 | 김광호 | 반도체 장치의 제조에 사용되는 마스크 |
| US6180289B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP23235899A patent/JP3314762B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-08-16 US US09/641,125 patent/US6645676B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-18 KR KR10-2000-0047881A patent/KR100389567B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-08-18 CN CNB001238094A patent/CN1160762C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-18 TW TW089116877A patent/TW460934B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-09-08 US US10/657,288 patent/US6958201B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-08 US US10/657,429 patent/US6861657B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1160762C (zh) | 2004-08-04 |
| US6861657B2 (en) | 2005-03-01 |
| JP2001057333A (ja) | 2001-02-27 |
| US6958201B2 (en) | 2005-10-25 |
| TW460934B (en) | 2001-10-21 |
| CN1285612A (zh) | 2001-02-28 |
| KR20010021356A (ko) | 2001-03-15 |
| KR100389567B1 (ko) | 2003-06-27 |
| US20040056215A1 (en) | 2004-03-25 |
| US6645676B1 (en) | 2003-11-11 |
| US20040048169A1 (en) | 2004-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100253052B1 (ko) | 패턴형성방법 및 패턴형성장치 | |
| JP2830854B2 (ja) | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 | |
| JP3314762B2 (ja) | 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
| JP2000124118A (ja) | 荷電ビーム露光方法及びそれ用のマスク | |
| US20060127824A1 (en) | Complementary masks and method of fabrication of same, exposure method, and semiconductor device and method of production of same | |
| US6444374B1 (en) | Manufacturing method of mask for electron beam proximity exposure and mask | |
| US7029799B2 (en) | Exposure method for forming pattern for IC chips on reticle by use of master masks | |
| JP2002373845A (ja) | 電子線露光方法及び電子線露光装置 | |
| JP2006210459A (ja) | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法、およびデバイス製造方法 | |
| JPH0536592A (ja) | 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法 | |
| US6617084B2 (en) | Electron beam mask having dummy stripe(s) and lithographic method of manufacturing a semiconductor device using an E-beam mask having at least one defective pattern | |
| JP2005044957A (ja) | 電子線露光装置及び電子線露光方法 | |
| JP2000195781A (ja) | 電子ビ―ム露光装置用ブロックマスクの作成方法及びブロックマスク | |
| WO2002099856A1 (en) | Electron beam exposure-use mask and electron beam exposure method | |
| KR100582932B1 (ko) | 전자선 묘화장치 및 패턴형성방법 | |
| JP4776870B2 (ja) | 電子ビーム投影露光方法 | |
| JP2000058448A (ja) | 電子ビ―ム転写装置及び半導体デバイス製造方法 | |
| JP2000031023A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPH10289856A (ja) | 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 | |
| JP2005217047A (ja) | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH10199796A (ja) | 電子ビーム描画装置と電子ビーム描画方法および半導体回路装置 | |
| JP2003318093A (ja) | マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR20080054625A (ko) | 반도체 제조용 레티클 제조방법 및 제조장치 | |
| JP2000058446A (ja) | 荷電粒子ビ―ム転写露光方法、それに用いるレチクル及び半導体デバイス製造方法 | |
| JPH10321499A (ja) | 電子線描画装置およびパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |