JP2005217047A - マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線が通過する貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク10であって、同一のマスクパターンが形成された4つのマスク領域10−1〜10−4を有する。上記のマスクを用いた露光では、4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。電子線を走査後、1つのマスク領域の寸法分だけ、マスク10とウエハとの相対位置を変えて、再び4つのマスク領域の全てに電子線EBを走査する。このように、マスク10の4つのマスク領域に電子線EBを照射する工程と、マスク10とウエハとの相対位置を変える工程とを繰り返し行うことにより、被処理基板20にマスク10の4つのマスク領域10−1〜10−4のマスクパターンを4重露光する。
【選択図】図2
【解決手段】荷電粒子線が通過する貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク10であって、同一のマスクパターンが形成された4つのマスク領域10−1〜10−4を有する。上記のマスクを用いた露光では、4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。電子線を走査後、1つのマスク領域の寸法分だけ、マスク10とウエハとの相対位置を変えて、再び4つのマスク領域の全てに電子線EBを走査する。このように、マスク10の4つのマスク領域に電子線EBを照射する工程と、マスク10とウエハとの相対位置を変える工程とを繰り返し行うことにより、被処理基板20にマスク10の4つのマスク領域10−1〜10−4のマスクパターンを4重露光する。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば荷電粒子線を用いたリソグラフィ技術に使用されるマスク、露光方法、並びに当該露光方法を用いる半導体装置の製造方法に関する。
現在、半導体装置の製造プロセスにおいてウエハにパターンを形成するリソグラフィ技術では、光露光用マスク(フォトマスク)と称される設計パターンの原版を、光でウエハ上に縮小露光する光リソグラフィが主流となっている。この場合、縮小率は通常1/5あるいは1/4となっている。露光には、I線(365nm)やDeepUV(248nm,193nm)が使用されており、将来的には、157nmといった露光波長も採用されると予想されている。
しかしながら、半導体装置(チップ)の回路パターンの寸法は、光リソグラフィの進展をはるかに上回るスピードで縮小しており、新たなリソグラフィ技術の実用化が必要となっている。
近年、より高解像度のリソグラフィ技術として、電子線露光あるいは電子線投影露光と呼ばれる技術が開発されている。例えば、EPL(Electron Projection Lithography )やLEEPL(low energy electron beam proximity projection lithography)が挙げられる(例えば、特許文献1参照)。EPLは、設計パターンの4倍の大きさのマスクを用い、100kVという高い加速電圧で露光する。一方、LEEPLは、等倍のマスクを用い、2kV程度と低い加速電圧で露光する。
図8は、従来の電子線露光用のマスクの概略構成の一例を示す図であり、図9は、従来の電子線露光用のマスクの概略構成の他の例を示す図である。
図8に示すように、マスク100は、その中央領域に、マスクパターンが形成されたマスク領域100−1を備える。マスクパターンは、例えば貫通孔により形成される。
ウエハに転写すべき回路パターンがドーナツパターン等を含む場合は、中央部を支持できないことから相補分割する必要がある。この場合には、図9(a)に示すマスク100のマスク領域100−1を、図9(b)に示すように4つの単位相補露光領域100−11,100−12,100−13,100−14に分け、各単位相補露光領域100−11〜100−14に、ウエハに転写すべき回路パターンを相補分割した相補マスクパターンを形成する。各単位相補露光領域100−11〜100−14は、ウエハに重ねて露光される(相補露光)。図9(b)に示すように、各単位相補露光領域には、支持枠101で囲まれた領域に、貫通孔からなるパターンが形成されるメンブレン102と、メンブレン102を補強する梁104が形成されている。ウエハの任意の位置に、相補露光が可能なように各単位相補露光領域100−11〜100−14に形成された梁104の位置がずれて形成されている。
図10は、上記のマスクの作製から露光までの運用フローを示す図である。
図10に示すように、マスク作製後(ステップST11)、通常、マスクの欠陥検査を行う(ステップST12)。欠陥がないと判定された場合(ステップST13)、そのマスクが露光に使用される(ステップST14)。欠陥があると判定された場合(ステップST13)、修正をする(ステップST15)。欠陥が修正可能であり、修正後のマスクに欠陥がなくなれば(ステップST16)、修正後のマスクを使用する(ステップST14)。ただし、修正が不可能であり、欠陥をなくすことができない場合には(ステップST16)、マスクを破棄する(ステップST17)。
特許第2951947号
特開2002−373845号公報
図10に示すように、マスク作製後(ステップST11)、通常、マスクの欠陥検査を行う(ステップST12)。欠陥がないと判定された場合(ステップST13)、そのマスクが露光に使用される(ステップST14)。欠陥があると判定された場合(ステップST13)、修正をする(ステップST15)。欠陥が修正可能であり、修正後のマスクに欠陥がなくなれば(ステップST16)、修正後のマスクを使用する(ステップST14)。ただし、修正が不可能であり、欠陥をなくすことができない場合には(ステップST16)、マスクを破棄する(ステップST17)。
しかしながら、LEEPLの場合、等倍マスクを使用するため欠陥の修正が難しく、欠陥のないマスクを作製することが非常に困難である。従って、マスク破棄の割合が大きくなってしまい、マスクのコストの上昇に繋がってしまう。
さらに、上記の電子線露光用のマスクにおいては、フォトマスクのようにペリクルを使用することができない。このため、マスクに付着したコンタミネーションや異物によって頻繁に洗浄が必要となり、マスクの寿命も短くなりやすい。
さらに、等倍マスクの場合には、マスクに形成されたマスクパターンの位置精度が、そのまま露光対象であるウエハのパターンの位置精度に繋がってしまうという問題もある。
上記の問題を解決するため、特許文献2に記載の方法では、2回の多重露光により欠陥転写性を緩和しているが、2回の多重露光では、欠陥転写性の緩和が十分ではない。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、第1の目的は、マスクに付着するコンタミネーション量の低減、欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができるマスクを提供することにある。
本発明の第2の目的は、できるだけマスクを有効利用し、かつ、被露光体に転写するパターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができる露光方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、回路パターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができ、信頼性のある半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明のマスクは、荷電粒子線が通過する貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスクであって、前記マスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に被露光体に対して多重露光し得る同一のマスクパターンが形成されたものである。
上記の本発明のマスクでは、被露光体に対してマスクパターンを少なくとも3重露光し得るように構成されている。
このため、3重露光による平均化効果により被露光体に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。
また、1つのマスクパターンの一部に欠陥が存在しても、他の2つ以上のマスクパターンが重ねて露光されることから、被露光体への欠陥転写性が緩和される。
例えば、3重露光により一回の露光量を1/3にできることから、マスクパターンに付着するコンタミネーションの量を低減することができる。
このため、3重露光による平均化効果により被露光体に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。
また、1つのマスクパターンの一部に欠陥が存在しても、他の2つ以上のマスクパターンが重ねて露光されることから、被露光体への欠陥転写性が緩和される。
例えば、3重露光により一回の露光量を1/3にできることから、マスクパターンに付着するコンタミネーションの量を低減することができる。
上記の目的を達成するため、本発明の露光方法は、貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に同一のマスクパターンが形成されたマスクの欠陥検査を行う工程と、前記マスクに欠陥のないマスク領域が存在する場合には、欠陥のない当該マスク領域を使用して被露光体に1重露光により露光を行い、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を被露光体に多重露光する工程とを有する。
上記の本発明の露光方法では、欠陥のないマスク領域が存在するのであれば、欠陥のあるマスク領域をも用いて多重露光するのではなく、欠陥のないマスク領域を用いた1重露光により、被露光体にパターンを形成する。
そして、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を被露光体に多重露光することにより、欠陥転写性を緩和させて、被露光体にパターンを形成する。このように、各マスク領域に欠陥が存在する場合でも、そのマスクを使用できる。また、多重露光による平均化効果により被露光体に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。
そして、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を被露光体に多重露光することにより、欠陥転写性を緩和させて、被露光体にパターンを形成する。このように、各マスク領域に欠陥が存在する場合でも、そのマスクを使用できる。また、多重露光による平均化効果により被露光体に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、マスクを通して荷電粒子線によりウエハを露光することにより、ウエハに回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に同一のマスクパターンが形成されたマスクの欠陥検査を行う工程と、前記マスクに欠陥のないマスク領域が存在する場合には、欠陥のない当該マスク領域を使用して前記ウエハに1重露光により露光を行い、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を前記ウエハに多重露光する工程とを有する。
上記の本発明の半導体装置の製造方法では、欠陥のないマスク領域が存在するのであれば、欠陥のあるマスク領域をも用いて多重露光するのではなく、欠陥のないマスク領域を用いてウエハに1重露光する。
そして、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域をウエハに多重露光することにより、欠陥転写性を緩和させて、ウエハに回路パターンを形成する。このように、各マスク領域に欠陥が存在する場合でも、そのマスクを使用できる。また、多重露光による平均化効果によりウエハに形成される回路パターンの線幅均一性の向上および位置精度の向上を図ることができる。
そして、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域をウエハに多重露光することにより、欠陥転写性を緩和させて、ウエハに回路パターンを形成する。このように、各マスク領域に欠陥が存在する場合でも、そのマスクを使用できる。また、多重露光による平均化効果によりウエハに形成される回路パターンの線幅均一性の向上および位置精度の向上を図ることができる。
本発明のマスクによれば、マスクに付着するコンタミネーション量の低減、欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができる。
本発明の露光方法によれば、できるだけマスクを有効利用することができ、かつ、被露光体に転写するパターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、回路パターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができ、信頼性のある半導体装置を製造することができる。
本発明の露光方法によれば、できるだけマスクを有効利用することができ、かつ、被露光体に転写するパターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、回路パターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができ、信頼性のある半導体装置を製造することができる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係るマスクを用いた露光を実施する露光装置の構成の一例を示す図である。図1に示す露光装置は、LEEPL技術に適用される露光装置である。
図1は、本実施形態に係るマスクを用いた露光を実施する露光装置の構成の一例を示す図である。図1に示す露光装置は、LEEPL技術に適用される露光装置である。
図1に示す露光装置1は、電子銃2と、コンデンサレンズ3と、アパーチャ4と、一対の主偏向器5a,5bと、一対の副偏向器6a,6bとを有する。
電子銃2は、2kV程度の加速電圧で電子線EBを出射する。電子銃2から出射された電子線EBは、コンデンサレンズ3を通って平行ビームに収束する。この平行ビームに収束した電子線EBの不要部分は、アパーチャ4によって遮断される。
電子線EBは、主偏向器5aによって、電子線EBを照射する目標に向けて振られた後、主偏向器5bによって、光軸に平行な方向になるように振り戻される。これによって、電子線EBは、マスク10に略垂直に照射する。主偏向器5a,5bにより、電子線EBが走査される。
副偏向器6a,6bは、被露光体であるウエハ等の被処理基板20に転写されるパターンの位置を補正すべく電子線EBのマスク10への入射角を制御する。電子線EBを僅かに傾けることにより、正確な位置から変位しているマスク10のマスクパターンを、被処理基板20上の正しい位置に補正して転写する。図1に示すように、照射角度の制御により、電子線EBの被処理基板20への照射位置をΔだけ移動させることができる。
図1に示すように、マスク10は、厚膜の支持枠11と、支持枠11で囲まれた領域内に形成されたメンブレン(薄膜)12とを有する。メンブレン12は、電子線遮蔽膜として機能し、当該メンブレン12に貫通孔からなるマスクパターン13が形成される。必要に応じて、メンブレン12の強度を補強すべく支持枠11と同程度の膜厚の梁が形成される。
図1においてマスク10のメンブレン12に形成された貫通孔からなるマスクパターン13を通過した電子線EBにより、被処理基板20上のレジスト膜22が露光される。図1に示す露光装置では、等倍露光を採用しており、マスク10と被処理基板20は近接して配置される。
図2は、マスク10の概略構成を示す平面図である。
図2に示すように、マスク10は、被処理基板20に重ねて露光されるマスク領域を3つ以上有し、本実施形態では、4つのマスク領域10−1,10−2,10−3,10−4を有する。各マスク領域10−1〜10−4には、被処理基板20に対して多重露光し得る同一のマスクパターンが形成されている。マスクパターンは、例えば、相補分割の必要のないコンタクトホールパターンが等倍で形成されたものである。各マスク領域10−1〜10−4は、支持枠11で囲まれた領域の略中心部を原点として、第1象限から第4象限に対応させて設けられている。
図2に示すように、マスク10は、被処理基板20に重ねて露光されるマスク領域を3つ以上有し、本実施形態では、4つのマスク領域10−1,10−2,10−3,10−4を有する。各マスク領域10−1〜10−4には、被処理基板20に対して多重露光し得る同一のマスクパターンが形成されている。マスクパターンは、例えば、相補分割の必要のないコンタクトホールパターンが等倍で形成されたものである。各マスク領域10−1〜10−4は、支持枠11で囲まれた領域の略中心部を原点として、第1象限から第4象限に対応させて設けられている。
上記の本実施形態に係るマスクを用いた露光方法では、4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。電子線を走査後、1つのマスク領域の寸法分だけ、マスク10と被処理基板20との相対位置を変えて、再び4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。このように、マスク10の4つのマスク領域10−1〜10−4に電子線EBを照射する電子線照射工程と、マスク10と被処理基板20との相対位置を変える移動工程とを繰り返し行うことにより(ステップアンドリピート露光)、被処理基板20にマスク10の4つのマスク領域10−1〜10−4のマスクパターンを4重露光する。
上記の本実施形態に係るマスクは、半導体装置の製造における露光工程において好適に使用される。
半導体装置の製造においては、図3(a)に示すように、例えば、被処理基板20上にポリシリコンや酸化シリコン等の被加工層21を形成し、被加工層21上に電子線レジストからなるレジスト膜22を形成する。
次に、図1に示す露光装置に被処理基板20をセットし、マスク10と被処理基板20のアライメントを行う。アライメント後、図3(b)に示すように、上記した本実施形態に係る多重露光方法を実施する。これにより、メンブレン12に形成された貫通孔からなるマスクパターン13を通過した電子線EBにより被処理基板20のレジスト膜22が露光される。
次に、図3(c)に示すように、レジスト膜22を現像することにより、例えばレジスト膜22がポジ型であれば電子線照射部分が除去されて、レジスト膜22にパターンが形成される。
次に、図3(d)に示すように、レジスト膜22をマスクとして被加工層21をエッチングすることにより、被加工層21がパターン加工されて、回路パターンが形成される。回路パターンとしては、例えばコンタクトホールパターンがある。
その後、図3(e)に示すように、レジスト膜22を除去することにより、被加工層21のパターン加工が終了する。
半導体装置の製造においては、上層をさらに堆積させて、上記の図3(a)〜図3(e)に示す工程を繰り返すことにより、集積回路が形成される。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、全ての層の加工に電子線露光を用いる場合だけでなく、コンタクトホール等のクリティカルな層のみを電子線露光を用いて加工して、他の層を光露光を用いて加工するといった、ミックスアンドマッチ露光により半導体装置を製造する場合も含む。
上記のマスクを用いた露光による、マスクへ付着するコンタミネーション量の低減効果について説明する。比較例として、図8に示す1つのマスク領域100−1にマスクパターンが形成されたマスクを参照して説明する。
図8に示す比較例のマスク100のマスクパターンを露光する際に必要な露光量をHμC/cm2 とする。一方、図2に示す本実施形態に係るマスク10では、4つのマスク領域10−1〜10−4に同一のマスクパターンが配置されている。上記したように、4つのマスク領域10−1〜10−4は、被処理基板20に重ねて露光される。このマスクパターンをn回重ねて露光する場合において、パターンを露光するのに必要な露光量は、H/nμC/cm2 となる。図2に示す例では、同じマスクパターンが4つ存在するため、n=4となり1つのパターンを露光するのに必要な露光量はH/4μC/cm2 となる。従って、1/4の露光量で露光可能となる。これは、図8に示すマスクを用いた従来の露光方法と比較すると、マスクパターンに付着するコンタミネーションの付着量を1/4にできるという効果を奏する。
以上のように、本実施形態に係るマスクおよび当該マスクを用いた露光方法では、マスクパターンに付着するコンタミネーション量を低減することができる。
次に、本実施形態に係るマスクを用いて露光した場合に、被処理基板に形成される回路パターンの特徴について説明する。
図4(a)は、いずれかのマスク領域10−1〜10−4に形成されたマスクパターンA1を示す図であり、図4(b)は他のマスク領域に形成されたマスクパターンA2を示す図である。なお、図面の簡略化のため、図示は省略するが、他の2つのマスク領域にも同じマスクパターンが形成されている。図4(c)は、マスクパターンA1,A2を含む4つのマスクパターンを4重露光することにより形成された被処理基板20上のパターンEを示す。
図4(a)に示すように、マスクパターンA1は、パターンの線幅精度とパターン位置精度が良く、また、欠陥や異物がないものとする。一方、マスクパターンA2は、パターンの線幅精度が低いものや、パターンの位置精度が低いもの、また、異物や欠陥が存在するものとする。図4(b)では、一例として、マスクパターンA2には、パターンの一部に異物Cが存在し、かつ、理想位置からの位置ずれDがパターンの一部に発生している様子を図解している。
上記のマスクパターンA1,A2を含む4つのマスクパターンを4重露光した場合、以下に示すような効果が得られる。
まず、被処理基板20に転写されるパターンEの線幅精度について説明する。4つのマスクパターンを多重露光すると、一つのマスクパターンA2の一部に異物Cが付着している場合でも、当該異物Cは、被処理基板20へ転写されないか、問題とならないほど小さくなる。すなわち、欠陥転写性を緩和させることができる。ここで、2重露光ではマスクパターンの一部の欠陥を他の1つのマスクパターンで補間する必要があるため、欠陥転写性の緩和効果が十分でないが、4重露光では他の3つのマスクパターンで補間できるため、十分な欠陥転写性の緩和効果が得られる。本実施形態では、4重露光の例について説明したが、3重露光でも同様の効果が得られる。なお、複数のマスクパターンの同じ箇所に欠陥が発生している可能性はほとんどない。
従って、マスクパターンA2のみを露光した場合には、異物Cの存在により被処理基板20に形成されるパターンの線幅が小さくなってしまい要求スペックを満たせない場合でも、4重露光することで得られた被処理基板20上のパターンEは要求スペックを満たすことが可能になる。さらに、本実施形態では、4つのマスクパターンを多重露光するため、被処理基板20に形成されるパターンEの線幅均一性を向上させることができる。
これは、マスクパターンに付着した異物に起因するもののみならず、ランダム成分による線幅不均一性を改善することも可能である。例えば、マスクパターン上に発生したラインエッジラフネスを4重露光することで、ラインエッジラフネスが相殺され、滑らかな形状のパターンEを被処理基板20に形成することが可能である。
次に、被処理基板20に転写されるパターンEの位置精度向上効果について説明する。図4(a)および図4(b)に示したように、マスクパターンA2には位置擦れDが発生していても、4重露光の平均化効果により被処理基板20に形成されるパターンEの位置擦れが緩和される。
従って、マスクパターンA2のみを露光した場合には、要求スペックを満たせない場合でも、4重露光することで得られた被処理基板20上のパターンは、要求スペックを満たすことが可能になる。また、多重露光回数(本実施形態では4回)が多いほど、平均化効果による位置精度向上効果が顕著になる。
以上説明したように、マスクパターンに異物や欠陥や位置擦れ等が存在し、1重露光した場合には被処理基板20上のパターンが要求スペックを満たすことができないような場合であっても、4つのマスクパターンを4重露光することにより、被処理基板20上に形成されたパターンEの位置精度を確保することができる。
マスクパターンA1のような完全なパターンをマスクに形成することは非常に困難であるため、マスクパターンの一部に問題(例えば、異物付着、パターン位置精度の劣化、パターン線幅不均一性)が含まれていても、問題なく露光できることはマスクコストの観点からしても非常に有利である。
以上、本実施形態に係るマスクの効果をまとめると、以下に示すようになる。
まず、4重露光による平均化効果により被処理基板20に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。また、4重露光による欠陥転写性の緩和により被処理基板に形成されるパターンの欠陥数を低減することができる。さらに、4重露光により一回の露光量を1/4にできることから、マスクパターンに付着するコンタミネーションの量を低減することができる。さらに、4重露光による上記の効果により、マスクパターンの一部に問題があっても被処理基板に形成されるパターンの精度を確保できることから、マスクを破棄せずに使用でき、マスクコストを低減することができる。さらに、1つのマスクに同じマスクパターンが形成された4つのマスク領域を設け、4つのマスク領域を一度に露光することから、多重露光のためのマスクの交換が不要となり、1重露光と同等の露光のスループットを確保することができる。
まず、4重露光による平均化効果により被処理基板20に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。また、4重露光による欠陥転写性の緩和により被処理基板に形成されるパターンの欠陥数を低減することができる。さらに、4重露光により一回の露光量を1/4にできることから、マスクパターンに付着するコンタミネーションの量を低減することができる。さらに、4重露光による上記の効果により、マスクパターンの一部に問題があっても被処理基板に形成されるパターンの精度を確保できることから、マスクを破棄せずに使用でき、マスクコストを低減することができる。さらに、1つのマスクに同じマスクパターンが形成された4つのマスク領域を設け、4つのマスク領域を一度に露光することから、多重露光のためのマスクの交換が不要となり、1重露光と同等の露光のスループットを確保することができる。
上記の本実施形態に係るマスクを用いた露光方法によれば、可能な限りマスクを有効利用することができ、かつ、被処理基板に転写するパターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができる。また、1重露光と同等の露光のスループットを確保することができる。
さらに、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、回路パターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができ、信頼性のある半導体装置を製造することができる。
(第2実施形態)
第1実施形態では、図2に示すマスクを用いて4重露光する例について説明したが、本実施形態では、図2に示すマスクの作製から露光までの好適な運用方法の一例について説明する。図5は、マスクの作製から露光までの運用フローを示す図である。
第1実施形態では、図2に示すマスクを用いて4重露光する例について説明したが、本実施形態では、図2に示すマスクの作製から露光までの好適な運用方法の一例について説明する。図5は、マスクの作製から露光までの運用フローを示す図である。
まず、図2に示すような、同じマスクパターンをもつマスク領域を4つ備えたマスクを作製する(ステップST1)。
次に、従来のフロー(図10参照)と同様に、マスクの欠陥検査を実施する(ステップST2)。欠陥とは、パターン欠けや、余分なパターンの残存に大別できる。これらの欠陥は、被処理基板20に転写されなければ問題とならない。また、転写されても問題がないような大きさであれば欠陥とは定義しない。一定のサイズ以上の欠陥を不良として定義する。通常、設計パターンサイズの1/3〜1/4が欠陥と定義されるが、微細化がすすむにつれて定義は厳しくなる傾向にある。
欠陥検査において欠陥が発見された場合でも、4つのマスク領域10−1〜10−4のうち、欠陥のないマスク領域が1つでも存在すると判定された場合には(ステップST3)、欠陥のあるマスク領域を修正せずに、欠陥のないマスク領域を従来と同様に1重露光に用いる。
これは、欠陥のないマスク領域が存在するのであれば、欠陥のあるマスク領域をも用いて多重露光するよりは、欠陥のないマスク領域を用いた1重露光を用いた方が、露光回数が1回で済むからである。1枚のマスク上に同一のマスクパターンをもつ4つのマスク領域を形成することにより、1枚のマスクに1つのマスク領域を形成するのに比較して、欠陥のないマスクパターンをもつマスク領域が得られる可能性が4倍に高まる。
欠陥検査において、全てのマスク領域10−1〜10−4に欠陥が存在する場合には、マスク領域10−1〜10−4の欠陥を修正する(ステップST5)。いずれか1つのマスク領域10−1,10−4の欠陥を完全に修正可能でき無欠陥とすることができる場合には(ステップST6)、修正後に無欠陥となったいずれかのマスク領域を従来と同様に1重露光に用いる。
全てのマスク領域にそれぞれ修正不可能な欠陥が存在し、欠陥修正後においても各マスク領域に欠陥が存在する場合には、4重露光を用いることにより被処理基板20へ問題なく露光できるか否かを判定する(ステップST7)。
4重露光を用いることにより被処理基板20へ問題なく露光できると判定された場合には、4つのマスク領域10−1〜10−4を用いて4重露光により被処理基板20にパターンを形成する(ステップST8)。4重露光によってもパターンの欠陥を緩和しきれない場合、初めてマスクを破棄する(ステップST9)。なお、4重露光による欠陥転写性の緩和効果は大きいことから、ほとんどのマスクは使用可能となる。
以上説明したように、本実施形態に係る露光方法では、いずれか1つのマスク領域が欠陥のない完全な状態である場合には、1重露光を用いる。これにより、1回の露光で被処理基板20にパターンを形成することができる。
また、本実施形態に係る露光方法では、各マスク領域10−1〜10−4が従来では破棄となっていた状態であっても、多重露光することによりマスクを使用することが可能となる。このため、マスクを破棄する可能性を減少させ、かつ、被処理基板20に形成するパターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができる。
(第3実施形態)
第1実施形態では、コンタクトホールパターンのような相補分割を必要としないパターンを露光するためのマスクについて説明したが、本実施形態では、ドーナツパターンのような相補分割を必要とするパターンを転写するためのマスクについて説明する。図6(a)は、本実施形態に係るマスクの概略構成を示す平面図である。
第1実施形態では、コンタクトホールパターンのような相補分割を必要としないパターンを露光するためのマスクについて説明したが、本実施形態では、ドーナツパターンのような相補分割を必要とするパターンを転写するためのマスクについて説明する。図6(a)は、本実施形態に係るマスクの概略構成を示す平面図である。
図6(a)に示すように、マスク10は、被処理基板20に重ねて露光されるマスク領域を3つ以上有し、本実施形態では、4つのマスク領域10−1,10−2,10−3,10−4を有する。各マスク領域10−1〜10−4は、支持枠11で囲まれた領域の略中心部を原点として、第1象限から第4象限に対応させて設けられている。
図6(b)は、図6(a)に示す1つのマスク領域10−1の詳細な構成を示す図である。
図6(b)に示すように、1つのマスク領域10−1は、4つの単位相補露光領域10−11,10−12,10−13,10−14を有する。各単位相補露光領域10−11〜10−14は、支持枠11で囲まれた領域の略中心部を原点として、第1象限から第4象限に対応させて設けられている。各単位相補露光領域10−11〜10−14は、貫通孔よりなるマスクパターンが形成されるメンブレン12と、メンブレン12の強度を補強する梁14とにより構成される。本実施形態では、メンブレン12に形成されるマスクパターンは、被処理基板20に形成する回路パターンが相補分割された相補マスクパターンである。
単位相補露光領域10−11,10−13には、y方向に延びる梁14が一定間隔でx方向に複数配列して構成される。梁14と梁14の間の領域が、メンブレン12となる。2つの単位相補露光領域10−11,10−13を重ねた際に、梁14の位置がずれるように、梁14が形成されている。
単位相補露光領域10−12,10−14には、x方向に延びる梁14が一定間隔でy方向に複数配列して構成される。梁14と梁14の間の領域が、メンブレン12となる。2つの単位相補露光領域10−12,10−14を重ねた際に、梁14の位置がずれるように、梁14が形成されている。
以上のような構成により、被処理基板に形成する回路パターンを相補分割した相補マスクパターンが、任意の2つの単位相補露光領域のメンブレン12に振り分けて配置される。
他のマスク領域10−2〜10−4も同様の構成となっている。このため、各マスク領域10−1〜10−4には、被処理基板20に対して多重露光し得る同一の相補マスクパターンが形成されることになる。相補マスクパターンは、例えば、回路パターンを相補分割したパターンが等倍で形成されたものである。
上記の本実施形態に係るマスクを用いた露光方法では、4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。電子線を走査後、1つの単位相補露光領域10−11〜10−14の寸法分だけ、マスク10と被処理基板20との相対位置を変えて、再び4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査する。このように、マスク10の4つのマスク領域10−1〜10−4に電子線EBを照射する電子線照射工程と、マスク10と被処理基板20との相対位置を変える移動工程とを繰り返し行う(ステップアンドリピート露光)。1つのマスク領域の4つの単位相補露光領域10−11〜10−14を重ねて露光することにより1つの回路パターンが転写され(相補露光)、他のマスク領域についても同様に行うことにより、1つの回路パターンを4重露光する。
なお、図9に示したマスクは、被処理基板に4回重ねて露光することとなるが、同一のマスクパターンを露光するわけではないため、4重露光ではなく4相補露光となる。このため、最適露光量がHμC/cm2 の場合、露光量はHμC/cm2 ×4となる。これに対し、図6に示すマスクでは、H/4μC/cm2 ×4となる。
4つのマスク領域10−1〜10−4の全てに電子線EBを走査することにより、図9に示すマスクを用いた露光方法と比較しても、スループットは同等レベルとなる。特に、被処理基板20となるウエハに露光するチップ数が多いほど、スループットを向上させることができる。
本実施形態に係るマスクによれば、相補マスクパターンを4重露光することにより、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。すなわち、被処理基板20に形成されるパターンの線幅均一性の向上およびパターン位置精度の向上を図ることができる。また、被処理基板に形成されるパターンの欠陥数を低減することができる。さらに、相補マスクパターンに付着するコンタミネーションの量を低減することができる。さらに、4重露光による上記の効果により、相補マスクパターンの一部に問題があっても被処理基板に形成されるパターンの精度を確保できることから、マスクを破棄せずに使用でき、マスクコストを低減することができる。さらに、4つのマスク領域を一度に露光することから、通常の相補露光と同等のスループットを確保することができる。
上記の本実施形態に係るマスクは、第2実施形態で説明した運用フローに従って、1重露光あるいは4重露光に用いることにより、第2実施形態で説明した効果を奏することができる。
上記の露光方法を適用した本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、回路パターンの線幅均一性および位置精度の向上、欠陥数の低減を図ることができ、信頼性のある半導体装置を製造することができる。
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、4重露光を用いる例について説明したが、3重露光以上であれば十分な欠陥転写性の緩和効果、パターンの線幅均一性および位置精度の向上効果が得られる。特に、等倍マスクを使用する場合には、2重露光でなく3重露光以上を用いることによる効果が大きい。また、第3実施形態で説明したマスクの梁14の配置は、種々の変更が可能である。例えば、図7に示すような梁配置であってもよい。図7では、各単位相補露光領域10−11〜10−14には、格子状に梁14が形成されており、梁14により区画された領域がメンブレン12となる。各単位相補露光領域10−11〜10−14を重ねた場合に、任意の位置において2つの単位相補露光領域10−11〜10−14でメンブレン12が存在するように、梁14がずれて配置されているものである。
本実施形態では、4重露光を用いる例について説明したが、3重露光以上であれば十分な欠陥転写性の緩和効果、パターンの線幅均一性および位置精度の向上効果が得られる。特に、等倍マスクを使用する場合には、2重露光でなく3重露光以上を用いることによる効果が大きい。また、第3実施形態で説明したマスクの梁14の配置は、種々の変更が可能である。例えば、図7に示すような梁配置であってもよい。図7では、各単位相補露光領域10−11〜10−14には、格子状に梁14が形成されており、梁14により区画された領域がメンブレン12となる。各単位相補露光領域10−11〜10−14を重ねた場合に、任意の位置において2つの単位相補露光領域10−11〜10−14でメンブレン12が存在するように、梁14がずれて配置されているものである。
また、本実施形態で説明した露光装置の構成は一例であり、装置構成を変更しても良く、等倍露光以外にも電子線縮小投影露光に使用することも可能である。また、本実施形態では電子線を用いる露光の例について説明したが、荷電粒子線であればイオンビームを採用することも可能である。また、マスクの作製方法に限定はない。本実施形態で挙げた材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
1…露光装置、2…電子銃、3…コンデンサレンズ、4…アパーチャ、5a,5b…主偏向器、6a,6b…副偏向器、10…マスク、10−1,10−2,10−3,10−4…マスク領域、10−11,10−12,10−13,10−14…単位相補露光領域、11…支持枠、12…メンブレン、13…マスクパターン、14…梁、20…被処理基板、21…被加工層、22…レジスト膜、100…マスク、100−1…マスク領域、100−11,100−12,100−13,100−14…単位相補露光領域、102…メンブレン、104…梁、EB…電子線EB
Claims (9)
- 荷電粒子線が通過する貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスクであって、
前記マスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に被露光体に対して多重露光し得る同一のマスクパターンが形成された
マスク。 - 各マスク領域は、4つの単位相補露光領域を有し、
前記単位相補露光領域に、被露光体に転写する回路パターンが相補分割された相補マスクパターンが形成された
請求項1記載のマスク。 - 前記マスクパターンは、被露光体に転写する回路パターンが等倍で形成された
請求項1記載のマスク。 - 貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に同一のマスクパターンが形成されたマスクの欠陥検査を行う工程と、
前記マスクに欠陥のないマスク領域が存在する場合には、欠陥のない当該マスク領域を使用して被露光体に1重露光により露光を行い、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を被露光体に多重露光する工程と
を有する露光方法。 - 前記多重露光する工程は、
3つ以上のマスク領域の全体を露光する工程と、
前記マスクと前記被露光体との相対位置を1つのマスク領域分だけずらす工程と、を繰り返し行う
請求項4記載の露光方法。 - 前記マスクとして、各マスク領域が4つの単位相補露光領域を有し、前記単位相補露光領域に被露光体に転写する回路パターンが相補分割された相補マスクパターンが形成されたマスクを用い、
前記多重露光する工程は、
3つ以上のマスク領域の全体を露光する工程と、
前記マスクと前記被露光体との相対位置を1つの前記単位相補露光領域分だけずらす工程と、を繰り返し行う
請求項4記載の露光方法。 - マスクを通して荷電粒子線によりウエハを露光することにより、ウエハに回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
貫通孔によりマスクパターンが形成されたマスク領域を3つ以上有し、各マスク領域に同一のマスクパターンが形成されたマスクの欠陥検査を行う工程と、
前記マスクに欠陥のないマスク領域が存在する場合には、欠陥のない当該マスク領域を使用して前記ウエハに1重露光により露光を行い、全てのマスク領域に欠陥が存在する場合には、3つ以上のマスク領域を前記ウエハに多重露光する工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記多重露光する工程は、
3つ以上のマスク領域の全体を露光する工程と、
前記マスクと前記ウエハとの相対位置を1つのマスク領域分だけずらす工程と、を繰り返し行う
請求項7記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスクとして、各マスク領域が4つの単位相補露光領域を有し、前記単位相補露光領域に前記ウエハに形成する回路パターンが相補分割された相補マスクパターンが形成されたマスクを用い、
前記多重露光する工程は、
3つ以上のマスク領域の全体を露光する工程と、
前記マスクと前記ウエハとの相対位置を1つの単位相補露光領域分だけずらす工程と、を繰り返し行う
請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2004020203A JP2005217047A (ja) | 2004-01-28 | 2004-01-28 | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
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JP2004020203A Pending JP2005217047A (ja) | 2004-01-28 | 2004-01-28 | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2005217047A (ja) |
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CN115480457A (zh) * | 2016-12-30 | 2022-12-16 | 谷歌有限责任公司 | 补偿电路元件中的沉积不均匀性 |
-
2004
- 2004-01-28 JP JP2004020203A patent/JP2005217047A/ja active Pending
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CN115480457B (zh) * | 2016-12-30 | 2024-03-12 | 谷歌有限责任公司 | 补偿电路元件中的沉积不均匀性 |
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