JP2000124118A

JP2000124118A - 荷電ビーム露光方法及びそれ用のマスク

Info

Publication number: JP2000124118A
Application number: JP30640198A
Authority: JP
Inventors: Teruaki Okino; 輝昭沖野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-10-14
Filing date: 1998-10-14
Publication date: 2000-04-28
Also published as: US6258511B1

Abstract

(57)【要約】【課題】電子線を用いたいわゆる分割転写方式の露光
方法において、パターンのつなぎ合わせ精度を向上させ
る。【解決手段】パターンを複数のストライプ４９にグル
ープ分けしてサブフィールド４１に分割する際、境界と
なる部分のサブフィールド４１Ｌ及び４１Ｒを隣り合う
両方のストライプ４９Ｌ及び４９Ｒに作りつける。そし
て、ウエハに露光する際は、このサブフィールドパター
ン４１Ｌ及び４１Ｒを、ウエハ上の実質的に同じ位置に
重ねて、半分の露光量で露光する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体集積回
路等のリソグラフィー工程における荷電ビーム露光方法
及びそれ用のマスクに関する。特には、電子線やイオン
ビーム等の荷電ビームを用いたいわゆる分割転写方式の
露光方法であって、パターンのつなぎ合わせ精度を向上
させるべく改良を加えた荷電ビーム露光方法等に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電子線を用いる転写露光を例として従来
技術を説明する。電子線露光は高精度ではあるがスルー
プットが低いのが欠点とされており、その欠点を解消す
べく様々な技術開発がなされてきた。現在では、セルプ
ロジェクション、キャラクタープロジェクションあるい
はブロック露光と呼ばれる図形部分一括露光方式が実用
化されている。図形部分一括露光方式では、繰り返し性
のある回路小パターン（ウエハ上で５μm 角程度）を、
同様の小パターンが複数種類形成されたマスクを用い
て、１個の小パターンを一単位として繰り返し転写露光
を行う。しかし、この方式でも、繰り返し性のないパタ
ーン部分については可変成形方式の描画を行う。

【０００３】一方、図形部分一括露光方式よりも飛躍的
に高スループットをねらう電子線転写露光方式として、
一個の半導体チップ全体の回路パターンを備えたマスク
を準備し、そのマスクのある範囲に電子線を照射し、そ
の照射範囲のパターンの像を投影レンズにより縮小転写
する電子線縮小転写装置が提案されている。この種の装
置では、マスクの全範囲に一括して電子線を照射して一
度にパターンを転写しようとすると、精度良くパターン
を転写することができない。また、原版となるマスクの
製作が困難である。そこで、最近精力的に検討されてい
る方式は、１ダイ（ウエハ上のチップ）又は複数ダイを
一度に露光するのではなく、光学系としては大きな光学
フィールドを持つが、パターンは小さな領域に分割して
転写露光するという方式である（ここでは分割転写方式
と呼ぶこととする）。この際このサブフィールド毎に、
被露光面上に結像されるサブフィールドの像の焦点やフ
ィールドの歪み等の収差等を補正しながら露光する。こ
れにより、ダイ全体の一括転写に比べて、光学的に広い
領域にわたって解像度並びに精度の良い露光を行うこと
ができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、荷電ビ
ーム露光方法は、可視光や紫外光を用いる光学式の露光
方法に比べて一度に一括して露光できる範囲（単位露光
領域）が狭い。そのため、上述のように半導体デバイス
の１チップ全体のパターンを一度に露光することはでき
ないので、パターンを分割してそれらをつなぎ合わせて
露光しなければならない。このつなぎ部は、パターンの
ズレ等が生じやすいが、同部の転写精度を高める工夫は
従来から行われてきた。

【０００５】ところで、ウエハ露光用の原板であるマス
クそのものも電子ビーム露光により製作するが、このマ
スク露光に関しては、パターン境界部を変えて重ね露光
する方法がよくとられている。しかし、これによってつ
なぎ部の精度は改善されるものの、複数回露光しなけれ
ばならないのでスループットが低下する。マスク露光で
はスループット低下はさほど問題にならないが、ウエハ
露光については量産性の低下は致命的であるので、上記
方法を用いるわけにはいかない。

【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、電子線やイオンビーム等の荷電ビームを用
いたいわゆる分割転写方式の露光方法であって、パター
ンのつなぎ合わせ精度を向上させることのできる荷電ビ
ーム露光方法等を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記課題を解決するため、本発明の第１態様の荷電ビーム
露光方法は、マスクを荷電ビームで照明する照明光学
系、及び、マスクを通過したビームを感応基板上に投影
結像させる投影光学系を備える荷電ビーム露光装置を用
いる荷電ビーム露光方法であって；感応基板の被露光
面に転写すべきパターン（大領域パターン）をマスク上
に複数の小領域（サブフィールド）に分割して形成し、
上記複数のサブフィールドを、上記光学系の偏向可能
範囲（視野）の幅以下の幅を有する複数のストライプに
グループ分けしてマスク上に配列し、１つのストライ
プの露光を終えて次のストライプに露光を進める際は、
マスクを機械的に移動させて次のストライプを光学系の
視野内に入れ、該マスクをサブフィールド毎に照明ビ
ームを偏向させながら照明し、被露光面上では各サブ
フィールドの像をつなげて配列することにより上記大領
域パターン全体を被露光面に転写する荷電ビーム露光方
法において；隣り合う２つのストライプの端部に同じ
パターンのサブフィールドを各々形成しておき、各サブ
フィールドを、各々実質的に半分の露光量で、被露光面
における両ストライプ像のつなぎ部において該サブフィ
ールドの像が実質的に同じ位置に重なるように露光する
ことを特徴とする。

【０００８】すなわち、チップ内のパターンを複数のス
トライプにグループ分けしてマスク上のサブフィールド
に分割する際、境界となる部分のサブフィールドを隣り
合う両方のマスク上のストライプに作りつける。つま
り、両ストライプの境界部分のサブフィールドは同じパ
ターンのサブフィールドとする。そして感応基板（以下
例示としてウエハともいう）上に露光する際は、このサ
ブフィールドパターンを、ウエハ上の実質的に同じ位置
に重ねて露光する。この露光の際、露光量を各々実質的
に半分にする。するとウエハ上では、２回の合計露光量
が正規の露光量となる。そして、各ストライプ露光の際
の位置誤差は平滑化されて、ウエハ上におけるストライ
プ（像）のつなぎは滑らかになる。ここで、実質的に同
じ場所にとは、許されるつなぎ合わせ精度程度以下の位
置ずれがあってもよい意味である。実質的に半分の露光
量とは、各々がほぼ同じで合計で通常の露光量に相当す
る露光量となるとの意味である。つまり、露光量は正確
に半分ずつである必要はなく、合計でほぼ通常の露光量
になることが本質的である。また本発明の効果を実現す
るためには、露光量は極端に１／２からずれてはいけな
い。

【０００９】本発明の第２態様の荷電ビーム露光方法
は、２つのストライプの境界に位置するパターンにつ
いて、該パターンを有する１つのマスク上のサブフィー
ルドを、両ストライプ露光時に各々実質的に半分の露光
量で、感応基板上の実質的に同じ位置にサブフィールド
像が重なるように２回露光することを特徴とする。

【００１０】この場合は、第１態様と異なり、マスクの
ストライプの境界に同じパターンを有するサブフィール
ドを各々形成することはせず、１つのサブフィールドを
２つのストライプの露光時に各々半分の露光量で計２回
露光する。すなわち、該サブフィールドは、２つのスト
ライプの双方に属しているともいえる。この場合も、各
ストライプ露光の際の位置誤差は平滑化されて、ストラ
イプつなぎは滑らかになる。

【００１１】本発明の第３態様の荷電ビーム露光方法
は、マスクを荷電ビームで照明し、マスクを通過した
ビームを感応基板上に投影結像させる露光方法であっ
て；感応基板の被露光面に転写すべきパターン（大領
域パターン）をマスク上に複数の小領域（サブフィール
ド）に分割して形成し、被露光面上では各サブフィー
ルドの像をつなげて配列することにより上記大領域パタ
ーン全体を被露光面に転写する荷電ビーム露光方法にお
いて；サブフィールド境界付近のパターンの少なくと
も一部を、マスク上隣り合うサブフィールドのいずれか
に選択的に配置することを特徴とする。また、本発明の
第４態様の荷電ビーム露光方法は、サブフィールドの
周辺部にマージン領域を設け、このマージン領域内に
位置するパターンの少なくとも一部を、マスク上隣り合
うサブフィールドのいずれかに選択的に配置することを
特徴とする。

【００１２】これらの態様では、本発明によらなければ
パターンつなぎ部（サブフィールド境界）で発生してし
まう微小パターンを、それとつなぎ合わされるパターン
と同じサブフィールドに合わせて形成することにより、
つなぎ部での微小パターン発生をなくすことができる。
また、ＦＥＴのゲート部のような、さほど長くなく細い
パターンがつなぎ部にかかるような場合も、いずれかの
サブフィールドにパターン全体を形成し、パターンをで
きるだけ２つのサブフィールドに分割しないようにす
る。これにより、マスク作成時の不良や微小パターン転
写時の精度不良を防止できる。

【００１３】以下、図面を参照しつつ説明する。まず、
電子線露光の概要（例）について説明する。図２は、分
割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における
結像関係及び制御系の概要を示す図である。光学系の最
上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線
を放射する。電子銃１の下方には２段のコンデンサレン
ズ３、５が備えられており、電子線は、これらのコンデ
ンサレンズ３、５を通ってブランキング開口７にクロス
オーバーC.O.を結像する。

【００１４】コンデンサレンズ５の下には、矩形開口６
が備えられている。この矩形開口（照明ビーム成形開
口）６は、マスクの一つのサブ・フィールド（単位露光
領域）を照明する照明ビームのみを通過させる。具体的
には、開口６は、照明ビームをマスクサイズ換算で１mm
角強の寸法の正方形に成形する。この開口６の像は、レ
ンズ９によってマスク１０に結像される。

【００１５】ビーム成形開口６の下方には、クロスオー
バC.O.の形成されている位置に、ブランキング開口７が
設置されている。ブランキング開口７の下には、照明ビ
ーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、主に
照明ビームを図２の略Ｘ方向に順次走査して、照明光学
系の視野内にあるマスクの各サブ・フィールドの照明を
行う。偏向器８の下方には、コンデンサレンズ９が配置
されている。コンデンサレンズ９は、電子線を平行ビー
ム化してマスク１０に当て、マスク１０上にビーム成形
開口６を結像させる。

【００１６】マスク１０は、図２では、光軸上の１サブ
・フィールドのみが示されているが、実際には光軸垂直
面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっており多数のサブ・フィール
ドを有する。マスク１０上には、全体として一個の半導
体デバイスチップをなすパターン（チップパターン、大
領域パターン）が形成されている。照明光学系の視野内
で各サブ・フィールドを照明するには、上述のとおり、
主に偏向器８で電子線を偏向させる。

【００１７】また、マスク１０は、ＸＹ方向に移動可能
なマスクステージ１１上に載置されている。そして、感
応基板であるウエハ１５もＸＹ方向に移動可能なウエハ
ステージ１６上に載置されている。これらのマスクステ
ージ１１とウエハステージ１６とを、互いに逆のＹ方向
に同期走査することにより、チップパターン内でＹ方向
に多数配列されたサブ・フィールドを順次露光する。な
お、両ステージ１１、１６には、レーザ干渉計を用いた
正確な位置測定システムが装備されており、ウエハ１５
上でマスク１０上のサブフィールドの縮小像が正確に繋
ぎ合わされる。

【００１８】マスク１０の下方には投影レンズ１２及び
１４及び偏向器１３が設けられている。そして、マスク
１０のあるサブ・フィールドに照明ビームが当てられ、
マスク１０の白パターン部（ステンシルマスクであれば
孔開き部、散乱メンブレインマスクであれば高散乱体膜
のないメンブレイン部）を通過した電子線は、投影レン
ズ１２、１４によって縮小結像されるとともに、偏向器
１３により偏向されてウエハ１５上の所定の正確な位置
に結像される。ウエハ１５上には、適当なレジストが塗
布されており、レジストに電子ビームのドーズが与えら
れてマスク上のパターンの縮小パターンがウエハ１５上
に転写される。ウエハ１５は、光軸直角方向に移動可能
なウエハステージ１６上に載置されている。

【００１９】なお、マスク１０とウエハ１５の間を縮小
率比で略内分する点にクロスオーバーC.O.が形成され、
同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１７が設け
られている。同開口１７は、マスク１０での黒パターン
部（ステンシルマスクであれば非孔開き部、散乱メンブ
レインマスクであれば高散乱体膜部）で散乱された電子
線がウエハ１５に到達しないよう遮断する。

【００２０】上記各レンズ３、５、９、１２、１４及び
各偏向器８、１３は、各々のコイル電源３ａ、５ａ、９
ａ、１２ａ、１４ａ及び８ａ、１３ａを介して、制御部
２１によりコントロールされる。また、マスクステージ
１１及びウエハステージ１６も、ステージ駆動モータ制
御部１１ａ、１６ａを介して、制御部２１によりコント
ロールされる。結局、上述のマスク１０上の各サブ・フ
ィールドが順次照明されるとともに、該サブ・フィール
ドの像がウエハ１５上のしかるべき位置に投影され、サ
ブ・フィールドの縮小像が正確に繋ぎ合わされてチップ
パターン全体の縮小像がウエハ上に転写される。

【００２１】次に、分割転写方式の電子線投影露光に用
いられるマスクの詳細例について、図１を用いて説明す
る。図１は、本発明の１実施例に係る電子線露光用のマ
スクの構成を模式的に示す平面図である。

【００２２】マスク１０は通常シリコンの薄膜（メンブ
レイン、厚み０．１μm 〜数μm ）からできている。前
述のように、メンブレインの上に重金属からなる散乱体
パターンを付けた散乱メンブレインマスクと、パターン
に対応して開口部を設けたステンシルマスクとの２種類
がある。前者はシリコン・メンブレインが弱い散乱体と
なり、後者は強い散乱体となる。

【００２３】図１中、多数の正方形４１で示されている
サブフィールドが、一つの露光単位領域に対応したパタ
ーン領域であり、マスク上で０．５〜５mm角程度の大き
さを有する。このサブフィールドがウエハ上に縮小投影
された投影像の領域（イメージフィールド）の大きさ
は、縮小率１／５で０．１〜１mm角である。サブフィー
ルド４１の外側の額縁状の部分４３はスカートと呼ばれ
る。スカート４３は、サブフィールド領域４１からはみ
出た照明ビームを、実質的にマスクにてカットする（実
際にはスカートで大きく散乱され、コントラスト開口１
７でカットされる）ためのものであり、大きな散乱角を
もつ散乱体からできている。スカート４３の幅は１０〜
１００μm 程度である。スカート４３の周囲の直交する
格子状のグリレージと呼ばれる部分４５は、メンブレイ
ンの機械強度を保つため、厚さ０．５〜１mm程度の梁で
ある。グリレージ４５の幅は１００μm 程度である。

【００２４】Ｘ方向には多数のサブフィールド４１が並
んで一つのグループ（走査帯）をなし、そのような列が
Ｙ方向に多数並んで１つのストライプ４９を形成してい
る。ストライプ４９の幅は電子光学系の偏向可能視野の
広さに対応している。ストライプ４９は、Ｘ方向に並列
に複数存在する。隣り合うストライプ４９の間にストラ
ット４７として示されている幅の太い梁は、マスク全体
のたわみを小さく保つためのものである。ストラット４
７の幅は数mmである。なお、ストラットはなくてもよ
い。

【００２５】投影露光の際、現在有力と考えられている
方式によれば、１つのストライプ４９内のＸ方向の列は
電子線偏向により順次露光される。一方、ストライプ４
９内のＹ方向の列は、連続ステージ走査により順次露光
される。隣のストライプ４９に進む際はステージを間欠
的に送る。

【００２６】投影露光の際、ウエハ上では、スカートや
グリレージ等の非パターン領域はキャンセルされ、各サ
ブフィールドのパターンがチップ全体で繋ぎ合わせされ
る。なお、転写の縮小率は１／４あるいは１／５が検討
されており、ウエハ上における１チップのサイズは、１
６ＧＤＲＡＭで２５mm×４０mmが想定されているので、
マスクのチップパターンの非パターン部を含む全体のサ
イズは、１２０〜２３０mm×１５０〜３５０mm程度とな
る。

【００２７】図１のマスク１０上には、隣り合うストラ
イプ４９Ｌと４９Ｒが存在する。そして左のストライプ
４９Ｌの図の右端のサブフィールド４１Ｌと、右のスト
ライプ４９Ｒの左端のサブフィールド４１Ｒには、同一
のパターンが形成されている。そして、ストライプ４９
Ｌと４９Ｒの転写されるウエハ上の境界部では、同じ場
所にサブフィールド４１Ｌと４１Ｒが重複して露光され
る。その際の露光量（露光時間）はほぼ通常のサブフィ
ールドの場合の半分とする。なお、露光時間のコントロ
ールは、露光装置の照明光学系中に設けられたブランキ
ング偏向器と開口にて行う。

【００２８】この方法により、ストライプ境界部のパタ
ーンを両方のストライプから重複して露光するので、ス
トライプ境界部のパターンつなぎを滑らかにすることが
できる。

【００２９】次に、本発明の第２態様の実施例を説明す
る。図３は、ストライプ境界部の同一のサブフィールド
を両ストライプ露光時に各々１回ずつ重複露光する方法
に用いるマスクを示す平面図である。この例では、マス
ク１１０のストライプ１４９間にはストラットは存在せ
ず、明瞭なストライプ境界は見当たらない。そして、隣
り合う２つのストライプ１４９Ｌと１４９Ｒは、サブフ
ィールド１４１Ｄを共有している。すなわち、サブフィ
ールド１４１Ｄは、左のストライプ１４９Ｌの露光時に
も、右のストライプ１４９Ｒの露光時にも、ウエハ上の
同じ位置に露光量略半分ずつで露光される。この実施例
によってもストライプ間のパターンつなぎを改善でき
る。

【００３０】次に、本発明の第３及び第４態様の実施例
を説明する。この態様は、各々のサブフィールド間のつ
なぎ合わせを改善するものである。図４は、マスクのサ
ブフィールドの周辺にマージン領域を設けてサブフィー
ルド間のつなぎ合わせを改善する露光方法を説明するた
めの図である。（Ａ）は形成したいパターンを示す平面
図であり、（Ｂ）はマスクの構成を示す平面図である。

【００３１】図４（Ａ）には、左右に延びるラインパタ
ーン７１、７３、７５が示されている。また、ＤＲＡＭ
のゲート部のような小さい矩形パターン７７も存在す
る。図中の中央部の１点鎖線が本来の境界６３である。
ここで本来の境界とは、マージン領域を設けずに、そし
てマージン領域における一部パターン（あるいはパター
ン部分）の選択的配置を行わない場合にパターン境界と
なったであろう線のことである。

【００３２】ラインパターン７１、７３、７５はいずれ
も境界６３にかかっている。このうち、ラインパターン
７１の左端部７１ａ、及び、ラインパターン７３の右端
部７３ａは、境界６３からわずかに出ている微小なパタ
ーン部分である。矩形パターン７７は、ちょうど中心が
境界６３にかかっている。このような場合、本来の境界
６３でパターンをサブフィールドに分けると、微小パタ
ーン部７１ａ、７３ａ、７７ｂが発生し、マスク上で不
良部となりやすい。また、転写時、パターンの忠実性が
失われやすい。

【００３３】そこで、この実施例では、マスク上の各サ
ブフィールド６１、６５の周辺部に、図４（Ｂ）に示す
マージン領域６６、６７を設ける。このマージン領域６
６、６７は、サブフィールドの外側に設けられた余裕部
分である。そして、ラインパターン７１は左端の微小パ
ターン部７１ａを含めて右側のサブフィールド６５にパ
ターン形成する。同様に、ラインパターン７３は右端の
微小パターン部７３ａを含めて左側のサブフィールド６
１にパターン形成する。一方、ラインパターン７５は、
境界部を横切って両サブフィールドに長く延びているの
で（どちらかのマージン領域内では収まり切らない）、
両サブフィールド６１、６５に形成する。矩形パターン
７７については、左側のサブフィールド６１に全体を形
成する。

【００３４】これにより、サブフィールドを分割するこ
とにより境界部で微小パターンが発生しないようにす
る。微小パターンはマスク製作プロセス、転写時等でそ
のパターンが忠実に再現できない可能性がある。また、
ゲートのような細くさほど長くないパターンは、境界部
で２つに分割するとつなぎ部で少なからず段ずれが生じ
る。このようなパターン不忠実性は好ましくない。そこ
で、そのような微小パターンをどちらかのサブフィール
ドに含めて露光することにより、上記不良を防止でき
る。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ストライプ境界のパターンつなぎを滑らかに
することができる。そして、サブフィールド境界部で微
小パターンの発生がないので、パターン生成の忠実性を
保つことができ、微小パターンの忠実性を境界部で保つ
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る電子線露光用のマスク
の構成を模式的に示す平面図である。

【図２】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。

【図３】ストライプ境界部の同一のサブフィールドを両
ストライプ露光時に各々１回ずつ重複露光する方法に用
いるマスクを示す平面図である。

【図４】マスクのサブフィールドの周辺にマージン領域
を設けてサブフィールド間のつなぎ合わせを改善する露
光方法を説明するための図である。（Ａ）は形成したい
パターンを示す平面図であり、（Ｂ）はマスクの構成を
示す平面図である。

【符号の説明】

１電子銃３，５コンデンサ
レンズ６矩形開口７ブランキング開
口８偏向器９コンデンサレン
ズ１０マスク１１マスクステー
ジ１２投影レンズ１３偏向器１４投影レンズ１５ウエハ１６ウエハステージ２１制御部４１サブフィールド４３スカート４５グリレージ４７ストラット４９ストライプ６１左サブフィー
ルド６２、６４マスク上のサブフィールドエッジ６
３本来の境界６５右サブフィールド６６，６７マージ
ン領域７１、７３、７５ラインパターン７７矩形パタ
ーン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクを荷電ビームで照明する照明光学
系、及び、マスクを通過したビームを感応基板上に投影
結像させる投影光学系を備える荷電ビーム露光装置を用
いる荷電ビーム露光方法であって；感応基板の被露光面
に転写すべきパターン（大領域パターン）をマスク上に
複数の小領域（サブフィールド）に分割して形成し、上記複数のサブフィールドを、上記光学系の偏向可能範
囲（視野）の幅以下の幅を有する複数のストライプにグ
ループ分けしてマスク上に配列し、１つのストライプの露光を終えて次のストライプに露光
を進める際は、マスクを機械的に移動させて次のストラ
イプを光学系の視野内に入れ、該マスクをサブフィールド毎に照明ビームを偏向させな
がら照明し、被露光面上では各サブフィールドの像をつなげて配列す
ることにより上記大領域パターン全体を被露光面に転写
する荷電ビーム露光方法において；隣り合う２つのスト
ライプの端部に同じパターンのサブフィールドを各々形
成しておき、各サブフィールドを、各々実質的に半分の露光量で、被
露光面における両ストライプ像のつなぎ部において該サ
ブフィールドの像が実質的に同じ位置に重なるように露
光することを特徴とする荷電ビーム露光方法。
【請求項２】マスクを荷電ビームで照明する照明光学
系、及び、マスクを通過したビームを感応基板上に投影
結像させる投影光学系を備える荷電ビーム露光装置を用
いる荷電ビーム露光方法であって；感応基板の被露光面
に転写すべきパターン（大領域パターン）をマスク上に
複数の小領域（サブフィールド）に分割して形成し、上記複数のサブフィールドを、上記光学系の偏向可能範
囲（視野）の幅以下の幅を有する複数のストライプにグ
ループ分けしてマスク上に配列し、１つのストライプの露光を終えて次のストライプに露光
を進める際は、マスクを機械的に移動させて次のストラ
イプを光学系の視野内に入れ、該マスクをサブフィールド毎に照明ビームを偏向させな
がら照明し、被露光面上では各サブフィールドの像をつなげて配列す
ることにより上記大領域パターン全体を被露光面に転写
する荷電ビーム露光方法において；２つのストライプの
境界に位置するパターンについて、該パターンを有する
１つのサブフィールドを、両ストライプ露光時に各々実
質的に半分の露光量で、感応基板上の実質的に同じ位置
にサブフィールド像が重なるように２回露光することを
特徴とする荷電ビーム露光方法。
【請求項３】マスクを荷電ビームで照明し、マスクを
通過したビームを感応基板上に投影結像させる露光方法
であって；感応基板の被露光面に転写すべきパターン
（大領域パターン）をマスク上に複数の小領域（サブフ
ィールド）に分割して形成し、被露光面上では各サブフィールドの像をつなげて配列す
ることにより上記大領域パターン全体を被露光面に転写
する荷電ビーム露光方法において；サブフィールド境界
付近のパターンの少なくとも一部を、マスク上隣り合う
サブフィールドのいずれかに選択的に配置することを特
徴とする荷電ビーム露光方法。
【請求項４】マスクを荷電ビームで照明し、マスクを
通過したビームを感応基板上に投影結像させる露光方法
であって；感応基板の被露光面に転写すべきパターン
（大領域パターン）をマスク上に複数の小領域（サブフ
ィールド）に分割して形成し、被露光面上では各サブフィールドの像をつなげて配列す
ることにより上記大領域パターン全体を被露光面に転写
する荷電ビーム露光方法において；サブフィールドの周
辺部にマージン領域を設け、このマージン領域内に位置するパターンの少なくとも一
部を、マスク上隣り合うサブフィールドのいずれかに選
択的に配置することを特徴とする荷電ビーム露光方法。
【請求項５】被露光面上サブフィールド境界付近の微
小パターンを、それとつなぎ合わされるパターンと同じ
マスク上サブフィールドに合わせて形成することを特徴
とする請求項３又は４記載の荷電ビーム露光方法。
【請求項６】感応基板の被露光面に転写すべきパター
ン（大領域パターン）が複数の小領域（サブフィール
ド）に分割して形成されている荷電粒子ビーム露光用の
マスクであって；上記複数のサブフィールドが、複数の
ストライプにグループ分けして配列されており、隣り合う２つのストライプの端部に同じパターンのサブ
フィールドが各々形成されていることを特徴とするマス
ク。
【請求項７】感応基板の被露光面に転写すべきパター
ン（大領域パターン）が複数の小領域（サブフィール
ド）に分割して形成されている荷電粒子ビーム露光用の
マスクであって；サブフィールドの周辺部にマージン領
域が設けられており、サブフィールド境界部のパターンの少なくとも一部が、
マスク上の隣り合う２つのサブフィールドのいずれか一
方に選択的に配置されていることを特徴とするマスク。