JP2011044715A - 基板のエンボス加工用装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板、特に半導体基板またはウェハのエンボス加工用装置であって、作業空間において基板を保持する少なくとも1つの受入手段と、基板を較正する、少なくとも部分的に作業空間に配置された較正手段と、エンボス加工プロセスにおいて基板上に構造材料をエンボス加工する、少なくとも部分的に作業空間に配置されたエンボス加工手段と、を備え、作業空間が、エンボス加工プロセスの前およびその間において、特に中断なく規定された雰囲気に晒される、装置に関する。
【選択図】図1
Description
a)基板を、較正手段によって、付与プロセスにおいて基板に構造材料を付与する付与手段に対して較正するステップと、
b)付与手段によって、構造材料または構造材料の構造材料単位を基板に付与するステップと、
c)基板を、少なくとも部分的に作業空間に配置された較正手段によって、エンボス加工プロセスにおいて基板上に構造材料をエンボス加工する、少なくとも部分的に作業空間に配置されたエンボス加工手段に対して、較正するステップと、
d)基板にエンボス加工手段によってエンボス加工するステップであって、エンボス加工プロセスの前およびその間において作業空間に、特に中断なく規定された雰囲気が供給され得る、ステップと、を含む。
Claims (16)
- 基板(2)、特に半導体基板またはウェハのエンボス加工用装置であって、
− 作業空間(13)において前記基板(2)を保持する少なくとも1つの受入手段(24)と、
− 少なくとも部分的に前記作業空間(13)に配置された較正手段(22)であって前記基板(2)を較正する較正手段と、
− 少なくとも部分的に前記作業空間(13)に配置されたエンボス加工手段(20)であってエンボス加工プロセスにおいて前記基板(2)上に構造材料(1)をエンボス加工するエンボス加工手段と、
を具備し、
前記作業空間(13)が、エンボス加工プロセスの前およびその間において、特に中断なく規定された雰囲気に晒される、装置。 - 前記規定された雰囲気が、気体圧力が前記作業空間(13)の外側の気体圧力より低く、特に、事実上気体がなく、好ましくは空気がなく、より好ましくはO2がなく、好ましくは真空の形態である、請求項1に記載の装置。
- 前記作業空間(13)が、加圧手段により、圧力ライン、特に作業空間(13)を加圧手段、特に真空手段に接続する真空ラインを介して、規定された雰囲気としての圧力または圧力プロファイルに晒される、請求項1または2に記載の装置。
- 前記エンボス加工プロセスにおけるいくつかのエンボス加工ステップで前記基板(2)にエンボス加工するステップアンドリピート装置として作製される、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記エンボス加工手段(20)が、前記基板(2)の上にエンボス加工されるエンボス構造を備えたエンボスダイ(8)を有し、
前記エンボス構造が、ナノ構造またはナノ構造より小さい構造として作製される、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。 - 付与プロセスにおいて前記基板(2)に構造材料(1)を付与する、特に少なくとも部分的に前記作業空間(13)に配置された付与手段(21)を有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記付与プロセスが、前記構造材料(1)を前記基板(2)の表面区分に付与するようにいくつかの付与ステップに分割される、請求項6に記載の装置。
- 前記付与手段(21)が、前記構造材料(1)を液滴形態で付与するノズル(12d)を有する、請求項6または7に記載の装置。
- 前記付与手段(21)が、前記構造材料(1)を、スピン法、スクリーン印刷法、スプレー法またはピエゾ法で付与する手段を有する、請求項6または7に記載の装置。
- 前記付与プロセスが、少なくとも部分的に、特に請求項2に記載の規定された雰囲気内で行われ得る、請求項6から9のいずれか一項に記載の装置。
- 前記付与プロセスが、前記構造材料(1)が、規定された構造材料単位(1e)で前記エンボスダイ(8)の空隙(8k)に対応する構造領域にのみ付与されるように制御され得る、請求項6から10のいずれか一項に記載の装置。
- 前記構造材料単位(1e)が、前記エンボスダイの前記対応する空隙(8k)よりわずかに大きい体積、特に最大10%、好ましくは最大5%大きい体積である、請求項11に記載の装置。
- 基板(2)、特に半導体基板またはウェハのエンボス加工方法であって、
a) 前記基板(2)を、較正手段によって、付与プロセスにおいて前記基板(2)に構造材料(1)を付与する付与手段(21)に対して較正するステップと、
b) 前記付与手段(21)によって、前記構造材料または前記構造材料の構造材料単位を前記基板(2)に付与するステップと、
c) 前記基板(2)を、少なくとも部分的に作業空間(13)に配置された較正手段(22)によって、エンボス加工手段(20)に対して較正するステップであって、前記エンボス加工手段(20)が、少なくとも部分的に前記作業空間(13)に配置され、エンボス加工プロセスにおいて前記基板(2)上に前記構造材料(1)をエンボス加工する、ステップと、
d) 前記基板(2)に前記エンボス加工手段(20)によってエンボス加工するステップであって、前記エンボス加工プロセスの前およびその間において前記作業空間(13)に、特に中断なく規定された雰囲気が供給される、ステップと、
を含む方法。 - 前記規定された雰囲気が、気体圧力が前記作業空間(13)の外側の気体圧力より低く、特に、事実上気体がなく、好ましくは空気がなく、より好ましくはO2がなく、好ましくは真空の形態である、請求項13に記載の方法。
- ステップb)が、規定された雰囲気において、特に空気圧式方法または熱的方法、ピエゾ印刷もしくはスクリーン印刷、またはスプレー法もしくはスピン法によって行われる、請求項13または14に記載の方法。
- ステップb)による前記付与プロセスが、前記エンボスダイ(8)の前記対応する空隙(8k)より特にわずかに大きい、特に10%大きい体積である規定された構造材料単位(1e)で、前記エンボスダイ(8)の空隙(8k)に対応する構造領域にのみ前記構造材料(1)が付与されるように制御される、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
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